KR20090126583A - Substrate transferring method - Google Patents

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KR20090126583A
KR20090126583A KR1020080052735A KR20080052735A KR20090126583A KR 20090126583 A KR20090126583 A KR 20090126583A KR 1020080052735 A KR1020080052735 A KR 1020080052735A KR 20080052735 A KR20080052735 A KR 20080052735A KR 20090126583 A KR20090126583 A KR 20090126583A
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KR1020080052735A
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조명찬
김희석
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세메스 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A method for transferring substrate is provided to improve the productivity by injecting the substrate into a plurality of processing chambers according to the order that is adjacent to the receiving part. CONSTITUTION: Substrates accepted in the receiving part are provided to a plurality of the processing chambers(601-608) respectively. The plurality of processing chambers is performed the processing of the substrate. The substrate is provided according to the order that is to adjacent the receiving part. The plurality of processing chambers is arranged in the double layer. The substrates are provided to the plurality of processing chambers from the lower layer to the upper layer in order.

Description

기판 이송 방법{SUBSTRATE TRANSFERRING METHOD}Substrate Transfer Method {SUBSTRATE TRANSFERRING METHOD}

본 발명은 반도체 기판을 제조하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 기판을 처리하는 과정에서 기판을 이송하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for manufacturing a semiconductor substrate, and more particularly to a method for transferring the substrate in the process of processing the semiconductor substrate.

일반적으로 기판 제조공정에서는 절연막 및 금속물질의 증착(Deposition), 식각(Etching), 감광제(Photo Resist)의 도포(Coating), 현상(Develop), 애셔(Asher) 제거 등이 수회 반복되어 미세한 패터닝(Patterning)의 배열을 만들어 나가게 되는데, 이러한 공정의 진행에 따라 기판 내에는 식각이나 애셔의 제거공정으로 완전제거가 되지 않은 이물질이 남게 된다. 이러한 이물질의 제거를 위한 공정으로는 순수(Deionized Water) 또는 약액(Chemical)을 이용한 세정공정(Wet Cleaning)이 있다. In general, in the substrate manufacturing process, the deposition, etching, coating of photoresist, development, and removal of asher are repeated several times in order to perform fine patterning. Patterning) is made, and as the process progresses, foreign substances are left in the substrate that are not completely removed by etching or ashing. A process for removing such foreign matters is a cleaning process using deionized water or chemical.

기판 세정장치는 배치식 세정장치(Batch Processor)와 매엽식 세정장치(Single Processor)로 구분된다. 배치식 세정장치는 한번에 25매 또는 50매를 처리할 수 있는 크기의 약액조(Chemical Bath), 린스조(Rinse Bath), 건조조(Dry Bath) 등을 구비한다. 배치식 세정장치는 기판들을 각각의 조(Bath)에 일정 시간 동안 담가 이물을 제거한다. 이러한 배치식 세정장치는 기판의 상부 및 하부가 동 시에 세정되고 동시에 대용량을 처리할 수 있는 이점이 있다. 그러나, 기판의 대구경화가 진행될수록 조의 크기가 커져 장치의 크기 및 약액의 사용량이 많아질 뿐만 아니라, 동시에 약액조 내에서 세정이 진행중인 기판에서는 인접한 기판로부터 떨어져 나온 이물이 재부착되는 문제가 있다.Substrate cleaning devices are classified into a batch processor and a single processor. The batch washing apparatus includes a chemical bath, a rinse bath, a dry bath, and the like, which can process 25 sheets or 50 sheets at a time. The batch cleaning device soaks the substrates in each bath for a period of time to remove debris. Such a batch cleaning device has the advantage that the upper and lower portions of the substrate can be cleaned at the same time and at the same time handle a large capacity. However, as the diameter of the substrate increases, the size of the tank increases, and thus the size of the apparatus and the amount of chemical liquid used increase, and at the same time, foreign matters separated from adjacent substrates are reattached to the substrate that is being cleaned in the chemical chamber.

최근에는 기판 직경의 대형화로 인해 매엽식 세정장치가 많이 사용된다. 매엽식 세정장치는 한 장의 기판을 처리할 수 있는 작은 크기의 챔버(Chamber)에서 기판을 기판 척(Chuck)으로 고정시킨 후 모터(Motor)에 의해 기판을 회전시키면서, 기판 상부에서 노즐(Nozzle)을 통해 약액 또는 순수를 기판에 제공한다. 기판의 회전력에 의해 약액 또는 순수 등이 기판 상부로 퍼지며, 이에 따라, 기판에 부착된 이물이 제거된다. 이러한 매엽식 세정장치는 배치식 세정장치에 비해 장치의 크기가 작고 균질의 세정효과를 갖는 것이 장점이다. Recently, due to the increase in the diameter of the substrate, sheet type cleaning devices are frequently used. The single sheet cleaning apparatus fixes the substrate with a substrate chuck in a small chamber capable of processing a single substrate, and then rotates the substrate by a motor and nozzles at the top of the substrate. The chemical liquid or pure water is provided to the substrate through. Chemical liquid or pure water is spread over the substrate by the rotational force of the substrate, thereby removing foreign substances adhering to the substrate. This single sheet type washing apparatus has an advantage that the size of the apparatus is smaller than that of the batch washing apparatus and has a homogeneous washing effect.

일반적으로 매엽식 세정장치는 일측으로부터 로딩/언로딩부, 인덱스 로봇, 버퍼부, 공정챔버, 및 메인 이송 로봇을 포함하는 구조로 이루어진다. 인덱스 로봇은 버퍼부와 로딩/언로딩부 간의 기판을 이송하며, 기판 이송로봇은 버퍼부와 공정챔버 간의 기판을 이송한다.In general, the single-sheet cleaning device is composed of a structure including a loading / unloading unit, an index robot, a buffer unit, a process chamber, and a main transfer robot from one side. The index robot transfers the substrate between the buffer unit and the loading / unloading unit, and the substrate transfer robot transfers the substrate between the buffer unit and the process chamber.

버퍼부는 다수의 기판을 수납하기 위한 다수의 슬롯(Slot)이 형성되고, 세정 전의 기판이 공정챔버에 투입되기 위해 대기하거나, 세정이 완료된 기판이 로딩/언로딩부로 이송되기 위해 대기한다. 인덱스 로봇은 로딩/언로딩부에 안착된 풉(FOUP)으로부터 기판을 인출하여 버퍼부에 적재하고, 세정이 완료된 기판을 버퍼부로부터 인출하여 해당 풉에 적재한다.The buffer unit is provided with a plurality of slots for accommodating a plurality of substrates, and waits for the substrate before cleaning to be put into the process chamber, or waits for the cleaned substrate to be transferred to the loading / unloading unit. The index robot pulls out the substrate from the FOUP seated on the loading / unloading unit and loads the substrate in the buffer unit, and removes the cleaned substrate from the buffer unit and loads the substrate in the pool.

메인 이송 로봇은 세정 전의 기판을 버퍼부로부터 인출하여 공정 챔버에 제공하고, 세정이 완료된 기판을 버퍼부에 적재한다. 세정전의 기판을 버퍼부에 제공시 메인 이송 로봇은 각 공정 챔버에 부가된 식별 번호(ID) 순서에 따라 제공한다. 이로 인해, 메인 이송 로봇의 이동 거리가 증가하고, 작업 효율이 저하되며, 기판 이송에 소요되는 시간이 증가한다.The main transfer robot takes out the substrate before cleaning from the buffer unit, provides it to the process chamber, and loads the substrate on which the cleaning has been completed. When the substrate before cleaning is provided to the buffer unit, the main transfer robot provides the IDs in the order of identification number (ID) added to each process chamber. This increases the moving distance of the main transfer robot, decreases work efficiency, and increases the time required for transferring the substrate.

본 발명의 목적은 기판을 효율적으로 이송할 수 있는 기판 이송 방벙을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate transfer method capable of transferring the substrate efficiently.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 이송 방법은, 수납부에 대기중에 기판들을 기판의 처리가 이루어지는 다수의 공정 챔버에 각각 제공하되, 상기 수납부와 인접한 순서에 따라 상기 기판을 제공한다.According to one aspect of the present invention, there is provided a substrate transfer method, wherein the substrates are provided in a plurality of process chambers in which the substrates are processed in the air in the storage unit, and the substrates are transported in a sequence adjacent to the storage unit. Provide a substrate.

이때, 상기 다수의 공정 챔버는 복층으로 배치되고, 상기 다수의 공정 챔버에 기판 제공 시, 하부층에서 상부층 순으로 제공된다.In this case, the plurality of process chambers are disposed in a plurality of layers, and when the substrate is provided to the plurality of process chambers, the plurality of process chambers are provided in the order of the lower layer to the upper layer.

상술한 본 발명에 따르면, 다수의 공정 챔버에 기판 투입 시, 수납부와 인접한 순으로 투입함으로써, 기판 이송에 소요되는 시간을 단축시키고, 생산성을 향상시킬 수 있다.According to the present invention described above, when the substrate is put into a plurality of process chambers, by putting in the order adjacent to the housing portion, it is possible to shorten the time required for transporting the substrate and improve the productivity.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다. 한편, 이하에서는 웨이퍼를 기판의 일례로 설명하나, 본 발명의 기술적 사상과 범위는 이에 한정되지 않는다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention. In the following, the wafer is described as an example of the substrate, but the technical spirit and scope of the present invention are not limited thereto.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 공정 챔버들의 배치 관계를 개략적으로 나타낸 사시도이다.FIG. 1 is a schematic view of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view schematically illustrating an arrangement relationship of the process chambers shown in FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(1000)은 로딩/언로딩부(110), 인덱스 로봇(Index Robot)(200), 버퍼부(300), 메인 이송 로봇(Main Transfer Robot)(500), 다수의 공정 챔버(601, ..., 608), 제어부(700)를 포함할 수 있다.1 and 2, the substrate processing system 1000 of the present invention includes a loading / unloading unit 110, an index robot 200, a buffer unit 300, and a main transfer robot. Robot) 500, a plurality of process chambers 601,..., 608, and a controller 700.

상기 로딩/언로딩부(110)는 다수의 로드 포트(110a, 110b, 110c, 110d)를 포한다. 이 실시예에 있어서, 상기 로딩/언로딩부(110)는 네 개의 로드 포트(110a, 110b, 110c, 110d)를 구비하나, 상기 로드 포트(110a, 110b, 110c, 110d)의 개수는 상기 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트(Foot print) 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다.The loading / unloading unit 110 includes a plurality of load ports 110a, 110b, 110c and 110d. In this embodiment, the loading / unloading unit 110 has four load ports 110a, 110b, 110c, and 110d, but the number of load ports 110a, 110b, 110c, and 110d is the substrate. It may increase or decrease depending on the process efficiency and the foot print conditions of the processing system 1000.

상기 로드 포트들(110a, 110b, 110c, 110d)에는 웨이퍼들이 수납되는 풉들(Front Open Unified Pods: FOUPs)(120a, 120b, 120c, 120d)이 안착된다. 각 풉(120a, 120b, 120c, 120d)은 상기 웨이퍼들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다. 상기 풉(120a, 120b, 120c, 120d)에는 공정 챔버(600) 안에 투입되어 처리가 완료된 웨이퍼들 또는 상기 공정 챔버(600)로 투입되어 처리될 웨이퍼들을 수납한다.Front open unified pods (FOUPs) 120a, 120b, 120c, and 120d in which wafers are accommodated are mounted in the load ports 110a, 110b, 110c, and 110d. Each of the pools 120a, 120b, 120c, and 120d is provided with a plurality of slots for accommodating the wafers in a state in which the wafers are arranged horizontally with respect to the ground. In the pools 120a, 120b, 120c, and 120d, wafers that are introduced into the process chamber 600 and processed are received or wafers that are injected into the process chamber 600 to be processed.

이하, 설명의 편의를 위해, 상기 기판 처리 시스템(1000)에 의해 처리가 완료된 웨이퍼를 가공 웨이퍼라 하고, 아직 처리되지 않은 웨이퍼를 원시 웨이퍼라 한다.Hereinafter, for convenience of description, a wafer processed by the substrate processing system 1000 is called a processed wafer, and a wafer not yet processed is called a raw wafer.

상기 로딩/언로딩부(110)와 상기 버퍼부(300)의 사이에는 상기 인덱스 로봇(200)이 설치된다. 상기 인덱스 로봇(200)은 각각 웨이퍼가 안착되는 다수의 인덱스 암(arm)(210)을 포함한다. 상기 다수의 인덱스 암(210)은 각각 개별 구동이 가능하며, 상기 다수의 로드 포트(110a, 110b, 110c, 110d) 중 어느 하나로부터 원시 웨이퍼를 픽업하여 상기 버퍼부(300)에 적재한다.The index robot 200 is installed between the loading / unloading unit 110 and the buffer unit 300. The index robot 200 includes a plurality of index arms 210 on which wafers are respectively seated. The plurality of index arms 210 may be individually driven, and the raw wafers are picked up from any one of the plurality of load ports 110a, 110b, 110c, and 110d and loaded into the buffer unit 300.

또한, 상기 인덱스 로봇(200)은 상기 버퍼부(300)로부터 가공 웨이퍼를 픽업픽업한 후, 인출된 가공 웨이퍼들을 해당 풉에 적재한다.In addition, the index robot 200 picks up the processed wafer from the buffer unit 300 and loads the extracted processed wafers into the corresponding pull.

한편, 상기 버퍼부(300)는 상기 인덱스 로봇(200)이 설치된 영역과 상기 다수의 공정 챔버(600) 및 상기 메인 이송 로봇(500)이 설치된 영역 사이에 위치한다. 상기 버퍼부(300)는 상기 인덱스 로봇(200)에 의해 이송된 원시 웨이퍼들을 수납하고, 상기 공정 챔버(600)에서 처리된 가공 웨이퍼들을 수납한다.Meanwhile, the buffer unit 300 is located between an area in which the index robot 200 is installed, and an area in which the plurality of process chambers 600 and the main transfer robot 500 are installed. The buffer unit 300 accommodates the raw wafers transferred by the index robot 200 and stores the processed wafers processed in the process chamber 600.

상기 버퍼부(300)에 수납된 원시 웨이퍼들은 상기 메인 이송 로봇(500)에 의해 각 공정 챔버(601, ..., 608)로 이송된다. 상기 메인 이송 로봇(500)은 이송 통로(400)에 설치되며, 상기 이송 통로(400)는 상기 다수의 공정 챔버와 연결된다. 상기 메인 이송 로봇(500)은 각각 웨이퍼가 안착되는 다수의 이송암(510)을 포함하 고, 상기 다수의 이송암(510)은 각각 개별 구동이 가능하다.Raw wafers stored in the buffer unit 300 are transferred to the respective process chambers 601,..., 608 by the main transfer robot 500. The main transfer robot 500 is installed in the transfer passage 400, and the transfer passage 400 is connected to the plurality of process chambers. The main transfer robot 500 includes a plurality of transfer arms 510 on which wafers are respectively seated, and the plurality of transfer arms 510 may be individually driven.

상기 메인 이송 로봇(500)은 상기 버퍼부(300)로부터 원시 웨이퍼를 픽업한 후, 상기 이송 통로(400)를 따라 이동하면서 해당 공정 챔버에 원시 웨이퍼를 제공한다. 또한, 상기 메인 이송 로봇(500)은 다수의 공정 챔버(601, ..., 608)에서 처리된 가공 웨이퍼를 상기 버퍼부(300)에 적재한다.The main transfer robot 500 picks up the raw wafer from the buffer unit 300 and then moves along the transfer passage 400 to provide the raw wafer to the process chamber. In addition, the main transfer robot 500 loads the processed wafers processed in the plurality of process chambers 601,..., 608 into the buffer unit 300.

한편, 상기 이송 통로(400)의 양 측에는 상기 원시 웨이퍼를 처리하여 상기 가공 웨이퍼를 생성하는 상기 공정 챔버들(601, ..., 608)이 배치된다. 상기 공정 챔버(600)에서 이루어지는 처리 공정으로는 상기 원시 웨이퍼를 세정하는 세정 공정 등이 있다. 이 실시예에 있어서, 상기 기판 처리 시스템(1000)은 8개의 공정 챔버(601, ..., 608)를 구비하나, 상기 공정 챔버(601, ..., 608)의 개수는 상기 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다.Meanwhile, process chambers 601,..., 608 are disposed on both sides of the transfer passage 400 to process the raw wafer to generate the processed wafer. As a processing process performed in the process chamber 600, there is a cleaning process for cleaning the raw wafer. In this embodiment, the substrate processing system 1000 includes eight process chambers 601, ..., 608, but the number of process chambers 601, ..., 608 is the substrate processing system. It may increase or decrease depending on the process efficiency and footprint conditions of 1000.

상기 다수의 공정 챔버(601, ..., 608)는 두 개의 공정 챔버가 상기 이송 통로(400)를 사이에 두고 서로 마주하게 배치되며, 네 개씩 두 개의 층으로 배치된다. 즉, 상기 다수의 공정 챔버(601, ..., 608)는 상기 이송 통로(400)를 사이에 두고 두 개의 층으로 이루어진 4개의 공정 챔버(601, ..., 608)가 서로 마주하며, 한 층에 두 개의 공정 챔버가 배치된다.In the plurality of process chambers 601,..., 608, two process chambers are disposed to face each other with the transfer passage 400 interposed therebetween, and are arranged in two layers of four. That is, the plurality of process chambers 601,..., 608 face each other with four process chambers 601,..., 608 having two layers with the transfer passage 400 interposed therebetween. Two process chambers are arranged in one layer.

이 실시예에 있어서, 상기 다수의 공정 챔버(601, ..., 608)는 상기 제1 내지 제8 공정 챔버(601, ..., 608)로 이루어지고, 상기 제1 내지 제4 공정 챔버(601, ..., 604)와 제5 내지 제8 공정 챔버(605, ..., 608)가 상기 이송 통 로(400)를 사이에 두고 서로 마주한다. 하층에는 상기 제1 및 제2 공정 챔버(601, 602)와 상기 제5 및 제6 공정 챔버(605, 606)가 배치되고, 상층에는 상기 제3 및 제4 공정 챔버(603, 604)와 상기 제7 및 제8 공정 챔버(607, 608)가 배치된다.In this embodiment, the plurality of process chambers (601, ..., 608) consists of the first to eighth process chambers (601, ..., 608), the first to fourth process chambers (601, ..., 604) and the fifth to eighth process chambers (605, ..., 608) face each other with the transfer passage 400 in between. The first and second process chambers 601 and 602 and the fifth and sixth process chambers 605 and 606 are disposed in a lower layer, and the third and fourth process chambers 603 and 604 and an upper layer are disposed in an upper layer. Seventh and eighth process chambers 607 and 608 are disposed.

여기서, 상기 제1 및 제5 공정 챔버(601, 605)가 상기 버퍼부(300)와 가장 인접하게 위치한다.In this case, the first and fifth process chambers 601 and 605 are located closest to the buffer unit 300.

한편, 상기 제어부(700)는 상기 메인 이송 로봇(500)과 연결되어 상기 메인 이송 로봇(500)의 이동 경로를 설정한다. 즉, 상기 메인 이송 로봇(500)이 상기 공정 챔버(601, ..., 608)와 상기 버퍼부(300) 간에 웨이퍼를 이송할 경우, 상기 제어부(700)는 상기 다수의 공정 챔버(601, ..., 608) 중 상기 버퍼부(300)와 인접한 순으로 상기 메인 이송 로봇(500)이 접근하도록 제어한다.On the other hand, the control unit 700 is connected to the main transfer robot 500 to set the movement path of the main transfer robot 500. That is, when the main transfer robot 500 transfers a wafer between the process chambers 601,..., 608 and the buffer unit 300, the controller 700 may control the plurality of process chambers 601,. ..., 608 controls the main transfer robot 500 to approach the buffer unit 300 in order of proximity.

본 발명의 일례로, 상기 다수의 공정 챔버(601, ..., 608)에 대한 상기 메인 이송 로봇(500)의 접근 우선 순위는 다음과 같다. 제1 순위는 상기 버퍼부(300)와 가장 인접한 제1 및 제5 공정 챔버(601, 605)이며, 제2 순위는 상기 제2 및 제6 공정 챔버(602, 606)이다. 제3 순위는 상기 제1 공정 챔버(601) 바로 위에 위치하는 제3 공정 챔버(603)와 상기 제5 공정 챔버(605)의 바로 위에 위치하는 제7 공정 챔버(607)이고, 제4 순위는 상기 제4 및 제8 공정 챔버(604, 608)이다.In one embodiment of the present invention, the priority of the main transfer robot 500 to the plurality of process chambers (601, ..., 608) is as follows. The first rank is the first and fifth process chambers 601 and 605 closest to the buffer unit 300, and the second rank is the second and sixth process chambers 602 and 606. The third rank is the third process chamber 603 located directly above the first process chamber 601 and the seventh process chamber 607 located directly above the fifth process chamber 605, and the fourth rank is The fourth and eighth process chambers 604 and 608.

이와 같이, 상기 메인 이송 로봇(500)의 접근 우선 순위는 하층에 위치하는 공정 챔버들(601, 602, 605, 606)이 상층에 위치하는 공정 챔버(603, 604, 607, 608)보다 높으며, 동일층에 위치하는 공정 챔버들은 버퍼부(300)에 근접할수록 순위가 높게 설정된다.As such, the access priority of the main transfer robot 500 is higher than that of the process chambers 603, 604, 607, and 608, which are located on the upper floor, of the process chambers 601, 602, 605, and 606 located on the lower floor. Process chambers located on the same floor are set higher in order of proximity to the buffer unit 300.

상기 각 공정 챔버(601, ..., 608)에 원시 원시 웨이퍼를 제공할 경우, 상기 메인 이송 로봇(500)은 상기 제어부(700)의 제어에 따라 원시 웨이퍼의 투입이 가능한 공정 챔버들 중 상기 접근 우선 순위가 높은 공정 챔버부터 낮은 순위의 공정 챔버순으로 이동하면서 해당 공정 챔버에 원시 웨이퍼를 투입한다.When the raw raw wafer is provided to each of the process chambers 601,..., 608, the main transfer robot 500 may include the raw wafers under the control of the controller 700. Raw wafers are introduced into the process chamber, moving from the process chamber with the highest access priority to the process chamber at the lower priority.

예컨대, 상기 제1 내지 제8 공정 챔버(601, ..., 608) 각각에 원시 웨이퍼를 제공할 경우, 상기 메인 이송 로봇(500)은 제1 공정 챔버(601) -> 제5 공정 챔버(605) -> 제2 공정 챔버(602) -> 제6 공정 챔버(606) -> 제3 공정 챔버(603) -> 제7 공정 챔버(607) -> 제4 공정 챔버(604) -> 제8 공정 챔버(608) 순으로 원시 웨이퍼를 각각 투입한다.For example, when a raw wafer is provided to each of the first to eighth process chambers 601,..., 608, the main transfer robot 500 may include the first process chamber 601-> fifth process chamber ( 605)-> second process chamber 602-> sixth process chamber 606-> third process chamber 603-> seventh process chamber 607-> fourth process chamber 604-> first 8 The raw wafers are introduced in the order of the process chambers 608.

이와 같이, 상기 제어부(700)는 상기 메인 이송 로봇(500)이 상기 제1 내지 제8 공정 챔버(601, ..., 608)에 원시 웨이퍼 투입시, 상기 버퍼부(300)와 인접한 순서에 따라 원시 웨이퍼를 투입하도록 제어한다. 이에 따라, 상기 메인 이송 로봇(500)은 이동 거리가 상대적으로 짧은 공정 챔버에 먼저 접근하므로, 상기 메인 이송 로봇(500)의 이동 거리가 단축되고, 웨이퍼 이송에 소요되는 시간이 단축되며, 생산성을 향상시킬 수 있다.As such, the control unit 700 may be arranged in the order adjacent to the buffer unit 300 when the main transfer robot 500 inputs the raw wafer into the first to eighth process chambers 601 to 608. The raw wafer is then controlled to be loaded. Accordingly, since the main transfer robot 500 approaches the process chamber having a relatively short moving distance, the moving distance of the main transfer robot 500 is shortened, the time required for wafer transfer is shortened, and productivity is improved. Can be improved.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described with reference to the embodiments above, those skilled in the art will understand that the present invention can be variously modified and changed without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. Could be.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a schematic view of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 공정 챔버들의 배치 관계를 개략적으로 나타낸 사시도이다.FIG. 2 is a perspective view schematically illustrating an arrangement relationship of the process chambers illustrated in FIG. 1.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

110 : 로딩/언로딩부 120a, 120b, 120c, 120d : 풉110: loading / unloading unit 120a, 120b, 120c, 120d: loosening

200 : 인덱스 로봇 300 : 버퍼부200: index robot 300: buffer unit

400 : 이송 통로 500 : 메인 이송 로봇400: transfer passage 500: main transfer robot

601 ~ 608 : 공정 챔버601 ~ 608: process chamber

Claims (2)

수납부에 수납된 기판들을 기판의 처리가 이루어지는 다수의 공정 챔버에 각각 제공하되,The substrates accommodated in the receiving unit are respectively provided in a plurality of process chambers in which the substrate is processed, 상기 수납부와 인접한 순서에 따라 상기 기판을 제공하는 것을 특징으로 하는 기판 이송 방법.And providing the substrate in a sequence adjacent to the housing. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 다수의 공정 챔버는 복층으로 배치되고,The plurality of process chambers are arranged in multiple layers, 상기 다수의 공정 챔버에 기판 제공 시, 하부층에서 상부층 순으로 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 이송 방법.When the substrate is provided to the plurality of process chambers, the substrate transport method, characterized in that provided in the order from the lower layer to the upper layer.
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