KR20090125713A - 기판 테이블, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

Abstract

테이블의 최상부 표면상으로 침지 유체의 제공을 위한 개구부가 제공된 테이블이 개시된다. 일 실시예에서, 2 개의 개구부들이 존재한다. 제 1 개구부는 상기 테이블의 기판 지지체를 둘러싸며, 제 2 개구부는 상기 테이블의 외측 에지 주위로 연장된다.

Description

기판 테이블, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법{Substrate Table, Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method}

본 발명은 기판 테이블, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.

리소그래피 장치는 기판상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 상황에서, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼)상의 (예를 들어, 한 개 또는 수 개의 다이 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는, 통상적으로 기판상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는, 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐 닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써, 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.

리소그래피 투영 장치에서, 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간을 채우기 위해 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체(예를 들어, 물)에 기판을 침지(immerse)시키는 것이 제안되었다. 일 실시예에서, 상기 액체는 증류수인 것이 바람직하지만, 1 이상의 다른 액체들이 사용될 수 있다. 본 발명의 일 실시예는 액체를 참조하여 설명될 것이다. 하지만, 또 다른 유체, 특히 습윤화 유체(wetting fluid)들, 비압축식 유체(incompressible fluid)들, 및/또는 공기보다 높은 굴절률을 갖고, 바람직하게는 물보다 높은 굴절률을 갖는 유체가 적절할 수 있다. 가스들을 제외한 유체들이 특히 바람직하다. 이것의 핵심은, 노광 방사선이 액체 내에서 더 짧은 파장을 가지기 때문에 더 작은 피처들을 이미징할 수 있다는 것에 있다(또한, 액체의 효과는 상기 시스템의 유효 NA를 증가시키고 초점심도(depth of focus)를 증가시키는 것으로도 간주될 수 있다). 고체 입자(예를 들어, 석영)가 그 안에 부유되어 있는 물을 포함하는 다른 침지 액체들, 또는 나노-입자 부유물들(예를 들어, 10 nm의 최대 치수를 갖는 입자들)을 갖는 액체들이 제안되었다. 부유된 입자들은 입자들이 부유된 액체와 유사하거나 동일한 굴절률을 가질 수 있거나 또는 가질 수 없다. 적합할 수 있는 다른 액체로는, 탄화수소, 예컨대 방향족, 예를 들어 데카린(Decalin), 불화탄화수소(fluorohydrocarbon), 및/ 또는 수성 용액이 있다.

기판 또는 기판 및 기판 테이블을 액체 배스(bath of liquid) 내에 담근다는 것(예를 들어, 미국 특허 제 4,509,852호 참조)은, 스캐닝 노광 시 가속되어야 할 대량의 액체(large body of liquid)가 존재한다는 것을 의미한다. 이는 더 많은 또는 더 강력한 모터들을 필요로 하며, 액체 내의 난류(turbulence)는 바람직하지 않고 예측 불가능한 영향들을 초래할 수 있다.

제안된 구성들 중 하나는, 액체 공급 시스템이 액체 한정 시스템(liquid confinement system)을 이용하여, 기판의 국부화된 영역, 및 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이에만 액체를 제공하는 것이다(일반적으로, 기판은 투영 시스템의 최종 요소보다 큰 표면적을 갖는다). 이처럼 배치하기 위해 제안된 한가지 방식이 PCT 특허 출원 공개공보 WO 99/49504에 개시된다. 도 2 및 도 3에 예시된 바와 같이, 액체는 적어도 1 이상의 유입구(IN)('N')에 의해 기판상으로, 바람직하게는 최종 요소에 대한 기판의 이동 방향을 따라 공급되고, 투영 시스템 아래로 통과한 이후에 적어도 1 이상의 유출구(OUT)('T')에 의해 제거된다. 즉, 기판이 -X 방향으로 요소 밑에서 스캐닝됨에 따라, 액체는 요소의 +X 측에 공급되고 -X 측에서 흡수(taken up)된다. 도 2는 액체가 유입구(IN)를 통해 공급되고, 저압력원에 연결되어 있는 유출구(OUT)에 의해 요소의 다른 측에서 흡수되는 장치를 개략적으로 도시한다. 도 2의 예시에서, 액체는 최종 요소에 대해 기판의 이동 방향을 따라 공급되지만, 반드시 이와 같을 필요는 없다. 최종 요소 주변에 위치되는 다양한 방위 및 개수의 유입구 및 유출구가 가능하며, 어느 한 쪽에 유출구와 함께 유입구의 4 개의 세트가 최종 요소 주변에 규칙적인 패턴으로 제공되는 일 예시가 도 3에서 설명된다.

국부화된 액체 공급 시스템을 갖는 또 다른 침지 리소그래피 해결책이 도 4에 도시된다. 투영 시스템(PL)의 양쪽에서 2 개의 홈형 유입구(groove inlet: IN('N'))에 의해 액체가 공급되고, 유입구들(IN)의 반경 방향 바깥쪽으로(radially outwardly) 배치된 복수의 개별 유출구들(OUT('T'))에 의해 제거된다. 유입구(IN) 및 유출구(OUT)는 그 중심에 홀(hole)을 갖고, 그것을 통해 투영 빔이 투영되는 플레이트(plate) 내에 배치될 수 있다. 투영 시스템(PL)의 한쪽에서 하나의 홈형 유입구(IN)에 의해 액체가 공급되고, 투영 시스템(PL)의 다른 쪽에서 복수의 개별 유출구(OUT)에 의해 제거되어, 투영 시스템(PL)과 기판(W) 사이에서 박막의 액체 흐름을 야기한다. 사용할 유입구(IN) 및 유출구(OUT)의 어떠한 조합을 선택하는가는, 기판(W)의 이동 방향에 의존할 수 있다(유입구(IN) 및 유출구(OUT)의 다른 조합은 비활성적임).

유럽 특허 출원 공보 제 EP 1420300호, 및 미국 특허 출원 공보 제 US 2004-0136494호에는, 트윈(twin) 또는 듀얼(dual) 스테이지 침지 리소그래피 장치의 개념이 개시되어 있다. 이러한 장치에는 기판을 지지하는 2 개의 테이블이 제공된다. 침지 액체가 없는 제 1 위치에서 테이블을 이용하여 레벨링 측정(leveling measurement)들이 수행되며, 침지 액체가 존재하는 제 2 위치에서 테이블을 이용하여 노광이 수행된다. 대안적으로, 상기 장치는 하나의 테이블만을 갖는다.

PCT 특허 출원 공보 WO 2005/064405호는 침지 액체가 한정되지 않는 완전 습 윤 구성(all wet arrangement)을 개시한다. 이러한 시스템에는 기판의 전체 최상부 표면이 액체로 덮인다. 이는 기판의 실질적으로 전체 최상부 표면이 실질적으로 동일한 조건들에 노출되기 때문에 유익할 수 있다. 이는 기판의 온도 제어 및 처리 면에서 장점을 갖는다. WO 2005/064405호에는, 액체 공급 시스템이 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 갭에 액체를 제공한다. 상기 액체는 기판의 잔여부 상에 누설된다. 기판 테이블의 에지에서 배리어는 액체가 방출되는 것을 방지하므로, 액체가 기판 테이블의 최상부 표면으로부터 제어되는 방식으로 제거될 수 있다. 비록, 이러한 시스템은 기판의 온도 제어 및 처리를 개선하지만, 침지 액체의 증발은 여전히 존재할 수 있다. 이 문제의 해결에 도움을 주는 한가지 방법은, 모든 위치에서 기판(W)을 덮고, 부재와 기판 및/또는 상기 기판을 유지하는 기판 테이블의 최상부 사이에서 연장되는 침지 액체를 갖도록 구성된 부재가 제공되는 미국 특허 출원 공보 제 US 2006/119809호에 개시되어 있다.

완전-습윤 개념(all-wet concept)의 난제들 중 하나는 기판 테이블의 일부분들의 비-습윤(de-wetting) 위험성이다. 비-습윤은 자발적인 또는 유도된 생성, 및 기판 및/또는 기판 테이블 상의 유체 층에 건식 패치(dry patch)의 뒤이은 성장이다. 비-습윤은 열 제어의 손실, 스플래싱(splashing)을 유발할 수 있는 기판 테이블로부터 액체의 방해되는 벌크 유동(disturbed bulk flow), 추출 문제들, 그리고 원하지 않는 동적 힘들 및 결함들(마른 얼룩 및 기포)을 유도할 수 있다.

예를 들어, 비-습윤의 위험성이 감소된 기판 테이블을 제공하는 것이 바람직하다.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 침지 리소그래피 장치용 테이블이 제공되고, 상기 테이블은 상기 테이블의 최상부 표면상에 침지 유체의 제공을 위한 개구부를 포함한다.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 침지 리소그래피 장치용 테이블이 제공되고, 상기 테이블은 침지 유체의 제공을 위한 개구부를 포함하며, 상기 개구부는 상기 테이블의 외측 에지에 인접해 있다.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 침지 리소그래피 장치용 테이블이 제공되고, 상기 테이블은:

상기 테이블의 일부분으로부터 열적으로 격리된 부재; 및

침지 유체의 제공을 위한 개구부 - 상기 개구부는 상기 부재에 의해 또는 상기 부재 내에 전체적으로 또는 부분적으로 형성됨 - 를 포함한다.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 침지 리소그래피 장치용 테이블이 제공되고, 상기 테이블은:

침지 유체의 제공을 위한 개구부; 및

상기 개구부를 통해 상기 테이블의 최상부 표면상으로 침지 유체의 제공을 제어하는 제어기를 포함한다.

본 발명의 일 실시형태에 따르면,

테이블 상에 대상물(object)을 위치시키는 단계; 및

상기 테이블 내에서 개구부를 통해 상기 테이블의 최상부 표면에 침지 유체를 제공하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는:

- 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL);

- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);

- 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소 정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및

- 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.

조명 시스템은 방사선을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 타입들의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.

지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체(MT)는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.

본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여 하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.

패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.

본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있 다.

본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다.

리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 패터닝 디바이스 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.

도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.

상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정 기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.

상기 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 패터닝 디바이스(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 (도 1에 명확히 도시되지 않은) 또 다른 위치 센서는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 지지 구조체(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 지지 구조체(MT)는 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들이 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다). 이와 유사하게, 패터닝 디바이스(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 패터닝 디바이스 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.

도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 1 이상에서 사용될 수 있다:

1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.

2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.

3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.

또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.

투영 시스템(PS)의 최종 요소와 기판 사이에 액체를 제공하는 구성들은 2 개의 일반적인 카테고리들로 분류될 수 있다. 이들은, 실질적으로 기판(W)의 전체와, 선택적으로는 기판 테이블(WT)의 일부분이 액체 배스 내에 담가지는 배스 타입 구성과; 액체가 기판의 국부화된 영역에만 제공되는 액체 공급 시스템들을 이용하는, 소위 국부화된 침지 시스템이다. 후자의 카테고리에서, 액체에 의해 채워진 공간은 평면에서 기판의 최상부 표면보다 작으며, 액체로 채워진 영역 밑으로 기 판(W)이 이동하는 동안, 상기 영역은 투영 시스템(PS)에 대해 정지한 상태로 유지된다. 본 발명의 일 실시예가 나타내는 또 다른 구성은, 액체가 한정되지 않는 완전 습윤 해결책이다. 이 구성에서, 기판의 전체 최상부 표면, 및 기판 테이블의 전체 또는 일부분은 침지 액체로 덮인다. 기판을 전체적으로 또는 부분적으로 덮는 액체의 깊이는 얕다. 상기 액체는 기판상의 액체의 막, 예컨대 박막일 수 있다. 도 2 내지 도 5의 액체 공급 디바이스들 중 어느 것이 이러한 시스템에서 사용될 수 있다; 하지만, 시일링 특성들이 존재하지 않거나, 활성화되지 않거나, 정상만큼 효율적이지 않거나, 아니면 국부화된 영역에 대해 액체를 시일링하는데 비효율적이다. 4 개의 상이한 타입의 국부화된 액체 공급 시스템들이 도 2 내지 도 5에 도시된다. 도 2 내지 도 4에 개시된 액체 공급 시스템들은 전반부에 이미 설명되었다.

제안된 또 다른 구성은 투영 시스템의 최종 요소와 기판 테이블 사이의 공간 경계의 전체 또는 일부분을 따라 연장되는 액체 한정 부재를 갖는 액체 공급 시스템을 제공하는 것이다. 이러한 구성은 도 5에 도시된다. 액체 한정 부재는 Z 방향(광학 축선의 방향)으로 약간의 상대 이동이 있을 수 있지만, XY 평면에서는 투영 시스템에 대해 실질적으로 정지해 있다. 액체 한정 구조체와 기판 표면 사이에 시일이 형성된다. 일 실시예에서, 액체 한정 구조체와 기판 표면 사이에 시일이 형성되며, 가스 시일과 같은 무접촉 시일일 수 있다. 이러한 시스템은 미국 특허 출원 공개 공보 제 US 2004-0207824호에 개시되어 있다.

도 5는 배리어 부재(12, IH)를 갖는 국부화된 액체 공급 시스템 또는 액체 핸들링 구조체를 개략적으로 도시한다. 상기 배리어 부재(12, IH)는 투영 시스템의 최종 요소와 기판 테이블(WT) 또는 기판(W) 사이의 공간 경계의 전체 또는 일부분을 따라 연장된다(다음의 설명에서 기판(W)의 표면에 관한 언급은, 다른 곳에 특별히 언급되지 않는다면, 추가적으로 또는 대안적으로 기판 테이블의 표면을 언급한다). 배리어 부재(12)는 Z 방향(광학 축선의 방향)으로 약간의 상대 이동이 있을 수 있지만, XY 평면에서는 투영 시스템에 대해 실질적으로 정지해 있다. 일 실시예에서, 배리어 부재와 기판(W)의 표면 사이에 시일이 형성되며, 유체 시일, 바람직하게는 가스 시일과 같은 무접촉 시일일 수 있다.

배리어 부재(12)는 투영 시스템(PL)의 최종 요소와 기판(W) 사이의 공간(11)에 전체적으로 또는 부분적으로 액체를 수용한다. 기판(W)에 대한 무접촉 시일(16)은, 기판(W) 표면과 투영 시스템(PL)의 최종 요소 사이의 공간 내에 액체가 한정되도록 투영 시스템의 이미지 필드 주위에 형성될 수 있다. 상기 공간은 투영 시스템(PL)의 최종 요소 아래에, 그리고 그것을 둘러싸서 위치된 배리어 부재(12)에 의해 전체 또는 부분적으로 형성된다. 액체 유입구(13)에 의해 투영 시스템 밑의 공간 및 배리어 부재(12) 내의 공간으로 액체가 유입된다. 상기 액체는 액체 유출구(13)에 의해 제거될 수 있다. 배리어 부재(12)는 투영 시스템의 최종 요소 위로 약간 연장될 수 있다. 액체 레벨이 상기 최종 요소 위로 솟아올라 액체의 버퍼(buffer)가 제공된다. 일 실시예에서, 배리어 부재(12)는 상단부에서 투영 시스템 또는 그 최종 요소의 형상에 꼭 일치하고(conform), 예를 들어 원형일 수 있는 내부 주변부(inner periphery)를 갖는다. 저부에서, 내부 주변부는 이미지 필드의 형상, 예를 들어 직사각형에 꼭 일치하지만, 반드시 이와 같을 필요는 없다.

사용 시, 배리어 부재(12)의 저부와 기판(W)의 표면 사이에 형성되는 가스 시일(16)에 의해 액체가 공간(11) 내에 수용된다. 가스 시일은 가스, 예를 들어 공기 또는 합성 공기(synthetic air)에 의해 형성되지만, 일 실시예에서는 N₂ 또는 또 다른 비활성 기체에 의해 형성된다. 가스 시일 내의 가스는 압력 하에서 유입구(15)를 통해 배리어 부재(12)와 기판(W) 사이의 갭(gap)에 제공된다. 상기 가스는 유출구(14)를 통해 추출된다. 가스 유입구(15) 상의 과압력(overpressure), 유출구(14) 상의 진공 레벨, 및 갭의 지오메트리(geometry)는 안쪽에 액체를 한정시키는 고속의 가스 유동(16)이 존재하도록 배치된다. 배리어 부재(12)와 기판(W) 사이의 액체 상의 가스의 힘은 공간(11) 내에 액체를 수용한다. 상기 유입구/유출구는 공간(11)을 둘러싸는 환형의 홈들일 수 있다. 상기 환형의 홈들은 연속적이거나 불연속적일 수 있다. 상기 가스 유동(16)은 공간(11) 내에 액체를 수용하는데 효과적이다. 이러한 시스템은 미국 특허 출원 공개공보 제 US 2004-0207824호에 개시되어 있다.

본 발명의 일 실시예는 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이에 액체가 한정되지 않는 완전-습윤 시스템(all-wet system)과의 사용에 최적화된다. 하지만, 본 발명의 일 실시예는 여타의 타입의 액체 핸들링 시스템과 함께 사용될 수 있다.

본 발명의 일 실시예는, 특히 완전-습윤 시스템에 관한 것이다. 완전-습윤 시스템의 일 실시예는 미국 특허 출원 공개공보 제 US 2008-0073602호에 개시된다.

미국 특허 출원 공개공보 제 US 2008-0073602호의 완전 습윤 해결책에서, 도 1에 도시된 액체 핸들링 시스템(IH)을 통해 투영 시스템(PS)의 최종 요소와 기판(W) 사이의 공간에 액체가 공급된다. 액체 핸들링 시스템(IH)은 상기 공간으로 액체를 바로 공급하는 복수의 개구부들을 포함한다. 상기 액체 핸들링 시스템(IH)은 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간을 전체적으로 또는 부분적으로 둘러싸는 배리어를 포함할 수 있다. 이 실시예에서, 액체 핸들링 시스템(IH)은 기판 테이블로부터 분리된다. 액체 핸들링 시스템(IH)은 투영 시스템(PS)에 대해 실질적으로 정지해 있다. 기판 테이블(WT)은 액체 핸들링 시스템에 대해 이동할 수 있다. 액체 핸들링 시스템(IH)은 액체가 유출(leak out)되게 하고 기판(W) 및 기판 테이블(WT)의 잔여부 상으로 유동하게 한다.

특히, 기판 테이블의 외측 에지에서의 가능한 비-습윤의 문제점은 2007년 12월 14일에 출원된 미국 특허 출원 제 61/006,025호 및 2007년 12월 14일에 출원된 미국 특허 출원 제 61/006,026호에 이미 검토되었다. 2007년 12월 14일에 출원된 미국 특허 출원 제 61/006,025호에는 기판 테이블(WT)의 에지에서의 배수부(drain: 500)의 일 예시가 제공된다. 이러한 배수부(500)는 도 7에 개략적으로 도시된다. 이러한 방식으로, 기판 테이블의 에지로부터 배수부(500) 안으로 액체가 유동하게 된다. 일단, 배수부(500)에서, 액체가 제거될 수 있다. 이는 미국 특허 출원 공개공보 제 2008-0073602호에 개시된 액체 수집 시스템을 대체할 수 있다. 본 발명의 일 실시예는 완전-습윤 시스템의 비-습윤 위험성을 감소시키는 것에 관한 것이다.

기판(W) 및/또는 기판 테이블(WT) 상의 액체의 층 두께가 감소될 때 비-습윤의 위험성이 증가된다. 가스 기포들이 기판(W) 및/또는 기판 테이블(WT)의 표면에 붙어 있을 때에도 비-습윤 위험성이 증가된다. 마지막으로, 기판(W) 또는 기판 테이블(WT)에 대한 침지 액체의 접촉각이 높은 경우에도, 이는 비-습윤 가능성을 증가시킬 수 있다.

기판(W) 및/또는 기판 테이블(WT) 상의 액체 층의 박막화(thining)는 증발(evaporation), 기판 테이블(WT) 에지 상에서의 액체의 배수, 그리고 기판 테이블(WT)의 동작에 의해서 촉진된다. 비-습윤은, 특히 기판 테이블(WT)의 에지에서 생기기 쉬울 수 있다. 기판(W) 및/또는 기판 테이블(WT) 상의 액체의 두꺼운 층은 액체 핸들링 시스템(IH)으로부터 높은 벌크-유속 공급 속도(bulk-flow supply rate)를 가짐으로써 달성될 수 있다. 하지만, 이는 유동 관리(flow management)를 복잡하게 하며, 특히 기판 테이블(WT)의 에지에서 액체 추출을 복잡하게 한다. 본 발명의 일 실시예는, 특히 제한된 벌크-유동 속도에 대해 비-습윤 가능성을 감소시키는 확실한 해결책(robust solution)을 제공함으로써 이 문제점을 해결한다.

본 발명의 일 실시예는 기판 테이블(WT) 내에 적어도 1 이상의 개구부(300)를 제공하는 것을 포함하며, 상기 개구부는 기판 테이블(WT)의 최상부 표면에 침지 액체를 제공한다. 상기 개구부들(300, 400)은 기판 테이블(WT)의 최상부 표면 내에 존재할 수 있다. 이는, 투영 시스템(PS)의 최종 요소와 기판(W) 사이의 공간에 액체를 제공하는 액체 핸들링 시스템(IH)에 추가된다. 개구부(300, 400)는, 특히 비-습윤 위험성이 높은 영역에 인접하여 위치될 수 있다. 이러한 영역은, 사용 시 기판(W)이 위치될 지지 구조체(101)의 에지 및/또는 기판 테이블(WT)의 에지를 포함한다.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 테이블(WT)의 평면도이다. 상기 기판 테이블(WT)은 기판 테이블(WT)의 최상부 표면 내에 후퇴부(100)를 포함한다. 상기 후퇴부(100) 내에 기판 지지체(101)가 제공된다. 상기 기판 지지체(101)의 반경 방향 바깥쪽으로 후퇴부(100) 에지 주위에 제 1 개구부(300)가 제공되며, 상기 개구부를 통해 침지 유체가 기판 테이블(WT)의 최상부 표면으로 공급될 수 있다.

상기 개구부(300)는 기판 지지체(101)를 둘러싸고 있다. 상기 개구부(300)는 실질적으로 환형이다. 상기 개구부(300)는 기판 지지체(101) 및/또는 기판(W)의 형상과 실질적으로 동일한 형상을 갖는다.

추가적으로 또는 대안적으로, 상기 개구부(300)에 제 2 개구부(400)가 제공될 수 있다. 상기 개구부(400)는 기판 테이블(WT)의 에지(490)에 인접하다. 상기 개구부(400)는 기판 테이블(WT)의 에지와 실질적으로 동일한 형상을 갖는다.

두 개구부들(300, 400)은 각각 기판 지지체(101)와 기판 에지(490) 주위의 일부분에만 제공될 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서는 기판 테이블(WT)의 2 개의 에지들 상에서만 액체가 유동할 수 있다. 그 경우, 개구부(400)는 액체가 유동할 수 있는 상기 2 개의 에지들에만 인접하여 제공될 수 있다.

일 실시예에서, 개구부들(300, 400)은 각각 기판 지지체(101)와 에지(490) 주위에서 연장될 수 있다. 상기 개구부들(300, 400)은 환형일 수 있다.

개구부(300)는 도 7 내지 도 9에 도시된 바와 같이 후퇴부(100) 내에 제공될 수 있다. 대안적으로, 상기 개구부(300)는 기판 테이블(WT)의 최상부 표면 내에 제공될 수 있다. 상기 개구부(400)는 도 7에 도시된 바와 같이 기판 테이블(WT)의 최상부 표면 내에 제공될 수 있다. 두 개구부들(300, 400)은 기판 테이블(WT)의 최상부 표면에 액체를 제공한다.

일 실시예에서, 개구부들(300, 400)은 각각 연속적인 개구부이다(즉, 복수의 이산된 개구부들이 아니다). 각각의 개구부(300, 400)는 각각의 모세관 통로(310, 410)를 통해 각각의 챔버(320, 420)에 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 모세관 통로들(310, 410)은 연속적이다. 일 실시예에서, 챔버들(320, 420)은 연속적이다. 상기 챔버들(320, 420)에는 1 이상의 이산된 위치들에서 침지 액체가 제공될 수 있다. 상기 모세관 통로들(310, 410) 및 챔버들(320, 420)은 환형일 수 있다.

일 실시예에서, 개구부들(300, 400)을 빠져나가는 액체의 압력 변동을 감소시키기 위해 측정들이 행해진다. 이를 행하는 한가지 방법은 챔버들(320, 420)을 제공하는 것이다. 상기 챔버들(320, 420)은 압력 변동을 감쇠시키는 내부 구조를 가질 수 있다. 이러한 구조들은 벽 및 댐핑 물질, 예를 들어 다공성 물질 또는 모세관 다발 시스템(capillary bundle system)(액체의 통로에 복수의 모세관 통로들을 제공하는 시스템)을 포함할 수 있다. 이러한 종류의 구조들은 챔버들(320, 420)을 통해 액체의 유동에 대한 저항성을 생성하며, 따라서 상기 챔버(320, 420)에 걸쳐 압력 손실을 유도함에 따라, 안정성을 개선할 수 있다. 또 다른 종류의 압력 댐퍼는 기판 테이블(WT)의 동작에 의해 유도된 액체 상의 가속력을 상쇄시키 도록 챔버(320, 420) 및/또는 모세관 통로(310, 410) 안으로 통합될 수 있다. 압력 댐퍼는 챔버들(320, 420) 내의 모세관 통로들 및/또는 챔버들(320, 420) 자체의 치수(즉, 폭)를 감소시킴으로써 달성되는 점성 댐핑(viscous damping) 상에서 작동할 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 기판 테이블(WT)의 동작으로 인해 가속력 및 감속력을 겪게 되는 액체 열(liquid column)의 길이 스케일(length scale)을 감소시킴으로써, 압력 변동의 크기가 감소될 수 있다. 예를 들어, 챔버들(320, 420) 및/또는 모세관 통로들(310, 410) 내에 벽들 또는(거친(coarse)) 다공성 물질을 도입함으로써 길이 스케일이 감소될 수 있다. 상기 챔버(320, 420)는 상기 챔버들(320, 420)이 모세관 통로(310, 410)보다 낮은 유동 저항을 갖는 것을 보장하도록 각각의 모세관 통로들(310, 410)보다 평면이 더 크게 만들어진다. 이는 개구부들(300, 400)의 전체 길이에 따라 액체의 효율적이 분포를 생성한다.

일 실시예에서, 모세관 통로들(310, 410)은 침지 액체가 낮은 접촉각을 갖는 표면을 갖는다. 일 실시예에서, 모세관 통로들(310, 410)의 표면과 침지 액체의 전진 접촉각(advancing contact angel)은 30°미만, 25°미만 또는 20°미만이다. 후진 접촉각(reducing contact angel)은 전진 접촉각보다 낮다.

일 실시예에서, 모세관 통로들(310, 410)은 상기 통로들 내의 모세관 힘들이 개구부들(300, 400)로부터 액체의 잔잔한 유출(smooth outflow)을 향상시키도록 1 mm 미만의 폭을 갖는다. 또한, 이는 모세관 통로들(310, 410)의 국부적 배수를 방지한다.

도 7에 도시된 바와 같이, 기판 테이블(WT)의 에지(490)는 곡선화된 외측 반 경을 갖는다. 2007년 12월 14일에 출원된 미국 특허 출원 제 61/006,026호에 따르면, 에지(490) 일부분의 곡률 반경은 적어도 5 mm 이상인 것이 바람직하다. 개구부(400)는 에지(490)에 인접하여, 바람직하게는 기판 테이블(WT)의 평탄한 최상부 표면이 아래로 곡선화되기 시작하는 위치에 제공되는 것이 바람직하다. 일 실시예에서, 개구부(400)의 5 mm 이내의 에지(490)에서의 기판 테이블(WT)의 표면은, 침지 액체가 30°미만, 20°미만 또는 15°미만의 전진 접촉각을 갖는 표면이다. 이는 액체의 균일한 분포를 향상시키고, 가스 기포들이 상기 표면에 붙는 것을 방지한다.

개구부들(300, 400)로부터 액체 유동을 제어하기 위해 제어기(231)가 제공된다. 상기 제어기는 상기 개구부들(300, 400)을 빠져나가는 액체가 기판 테이블(WT)의 최상부 표면에 제공되도록 돕는다. 상기 유동은 기판 테이블(WT)의 최상부 표면상에 약 100 내지 1000 ㎛의 액체 층을 생성하기에 충분하여야 한다.

도 7에 도시된 바와 같이, 그리고 도 8 및 도 9에 상세히 설명되는 바와 같이, 기판 테이블(WT)의 일부분으로부터 열적으로 격리된 부재(200) 내에 개구부(300)가 제공될 수 있다. 이는 상기 개구부에 대해서만 도시된다. 하지만, 유사한 시스템이 개구부(400)에 대해 사용될 수 있을 것이다.

기판 테이블(WT)의 잔여부로부터 분리된 부재(200)가 기판 테이블(WT)의 에지를 형성하는데 사용되는 경우, 모세관 통로들(310, 410) 및 챔버들(320, 420)은 기판 테이블(WT)의 잔여부와 부재(200) 사이에 형성될 수 있다. 대안적인 실시예는, 기판 테이블(WT)과 상기 기판 테이블(WT)의 최상부 표면 내의 후퇴부(도시되지 않음) 내에 배치된 인서트(도시되지 않음) 사이에 두 개구부들(300, 400)이 형성된 실시예이다. 이 경우, 상기 인서트는 상기 개구부들(300, 400) 사이에 기판 테이블(WT)의 최상부 표면의 일부분을 형성한다. 이해되는 바와 같이, 모세관 통로들(310, 410), 챔버들(320, 420) 그리고 개구부들(300, 400)을 형성하는 많은 다른 방식들이 가능하다.

이제, 또 다른 실시예는 도 8 및 도 9를 참조하여 설명될 것이다. 이 실시예에서는, 개구부(300)가 더 상세히 설명된다. 특히, 개구부(300)를 빠져나가는 액체와 기판(W)의 에지, 그리고 소위 모세관 통로 형성 표면(130)의 상호작용이 설명된다. 본 발명의 일 실시예는 기판 테이블(WT) 상의 기판(W)의 에지를 핸들링하기 위해 취해진 조치들에 관한 것이다.

기판(W) 치수의 변동을 고려하기 위하여, 기판(W)이 놓인 후퇴부(100)가 기판(W) 크기보다 반경 방향으로 약간 더 크다. 이에 따라, (후퇴부(100)가 기판(W)보다 더 크기 때문에) 후퇴부(100)와 기판(W)을 세심하게 정렬할 필요 없이 기판(W)이 후퇴부(100) 내에 배치될 수 있다. 또한, 다양한 크기의 기판들(W)이 동일한 후퇴부(100) 내에 끼워질(fit) 것이다.

기판(W)의 에지와 후퇴부(100)의 에지 사이에 갭의 존재는, 가스가 상기 갭 내에 포획되며 침지 액체 안으로 들어갈 위험성을 초래한다. 침지 액체 내의 이러한 가스의 기포들이 투영 시스템(PS) 밑에 들어간 경우, 이는 바람직하지 않은 이미징 결함들을 유발할 수 있다.

기판(W)의 에지와 후퇴부(100)의 에지 사이의 갭으로 인한 또 다른 난제는, 액체가 기판(W) 아래로 들어갈 수 있다는 점이다. 이 액체는 기판 테이블(WT) 상에 기판(W)을 제자리에 유지시키는 기판 지지체(101)를 방해한다. 이는 바람직하지 않다.

상기에 언급된 문제들 중 1 이상을 처리하기 위해 제안된 한가지 방법은, 기판(W)의 에지와 후퇴부(100)의 에지 사이의 갭 안으로 들어가는 여하한의 액체를 제거하는 것이다. 이는 기판(W) 에지 아래의 기판 테이블(WT)에서 반경 방향 바깥쪽 그리고 아래쪽 가스 유동을 이용함으로써 행해질 수 있다. 액체의 물방울들이 가스에 반입(entrain)되며, 기판 테이블(WT)을 통해 제거된다. 이러한 시스템은 유럽 특허 출원 공개공보 제 EP 1,429,188호에 개시된다.

본 발명의 일 실시예는, 액체가 소정 양보다 더 많이 기판(W) 아래로 침투하게 하지 않고, 기판(W)의 에지와 기판 테이블(WT) 내의 후퇴부(100)의 에지 사이의 갭을 채우는 조치들을 행한다.

도 8은 기판(W)의 에지를 둘러싸는 기판 테이블(WT)의 일부분의 단면도이다. 기판(W)은 기판 테이블(WT)의 최상부 표면(110) 내의 후퇴부 내에 위치된다. 상기 후퇴부(100)는 기판 테이블(WT)의 최상부 표면(110)이 기판(W)의 최상부 표면과 실질적으로 공면이도록 크기화(size)된다.

도 8에 도시된 바와 같이, 기판(W)은 복수의 돌출부들(120)을 포함하는 기판 지지체(101)에 의해 지지된다. 언더프레셔 소스에 연결된 유입구가 돌출부들(120) 사이의 갭 내에 언더프레셔를 생성하도록 구성되어, 기판(W)이 돌출부들(120) 상에 흡인된다. 이러한 타입의 기판 지지체(101)는 보편적으로 핌플 테이블(pimple table)이라고 칭해진다.

후퇴부(100)의 외측 에지에 또는 그 근처에, 모세관 통로 형성 표면(130)의 형태로 된 유체 핸들링 피처(fluid handling feature)가 기판 테이블(WT) 상에 형성된다. 기판(W)이 기판 지지체(101) 상에 위치될 때 기판(W)의 아랫면과 모세관 통로 형성 표면(130) 사이에 갭이 존재하도록, 모세관 통로 형성 표면(130)이 크기화되고 위치된다. 이에 따라, 기판(W)과 모세관 통로 형성 표면(130) 사이에 모세관 통로(140)가 형성된다. 기판(W)의 아랫면은 모세관 통로(140)의 제 1 측면(141)과 마주하는 제 2 측면(142)을 형성한다.

기판(W)의 중심 축선으로부터 멀어지는 방향으로의 모세관 통로 형성 표면(130)의 길이는, 크기와 배치 둘 모두에 대한 허용 범위(tolerance) 내에서 기판(W)이 기판 지지체(101) 상에 위치될 때 모세관 통로(140)가 적절한 길이로 형성되도록 한다(이후에 설명하기로 한다).

모세관 통로 형성 표면(130)은 기판(W)의 저부 표면과 실질적으로 공면이다(그러므로, 기판(W)의 최상부 표면과 기판 테이블(WT)의 최상부 표면(11)에 대해 실질적으로 평행하다).

이번에는, 메니스커스 피닝 피처(meniscus pinning feature: 150)의 형태로 된 모세관 통로 형성 표면(130)의 반경 방향 안쪽으로 또 다른 유체 핸들링 피처가 존재한다. 메니스커스 피닝 피처(150)는 여하한의 형태를 취할 수 있다. 메니스커스 피닝 피처(150)의 기능은 소정 위치에서 또는 소정 위치들의 범위 내에서(즉, 예를 들어 후퇴부(100)의 에지로부터 먼 소정 반경 거리에서) 모세관 통로(140) 내 의 액체의 메니스커스(160)(도 9 참조)를 피닝하는 것이다. 메니스커스 피닝 피처(150)는 상기 메니스커스 피닝 피처(150)와 기판(W) 사이에 연장된 메니스커스(160)를 피닝하도록 설계된다. 그러므로, 모세관 통로(140)는 모세관 통로 형성 표면(130)을 지나, 그리고 메니스커 피닝 피처(150) 위로 연장된 것처럼 보일 수 있다. 메니스커스 피닝 피처(150)에서 메니스커스(160)의 형상 및/또는 위치는 상이한 힘이 액체 상에 배치됨에 따라 변화될 수 있다. 메니스커스(160)의 형상 및/또는 위치의 변화는 (예를 들어, 스캔 이동으로 인한) 액체 내의 압력 변동의 흡수를 가능하게 한다.

도 8의 실시예에서, 메니스커스 피닝 피처(150)는 원뿔대(truncated cone)의 형태로 된 표면이다. 부연하면, 이는 평면에서 모세관 통로 형성 표면(130)의 평면에 대해 소정 각도를 갖는다, 즉 경사져 있다. 메니스커스 피닝 피처(150)의 반경 방향 가장 안쪽 에지는 모세관 통로 형성 표면(130)의 반경 방향 바깥쪽 에지보다 모세관 통로 형성 표면(130)의 평면으로부터 더 멀리 있다. 상기 메니스커스는 압력 변동들을 (한쪽에서는 반경 방향 안쪽으로 그리고 다른 쪽에서는 반경 방향 바깥쪽으로) 흡수하기 위해 원뿔대의 표면을 따라 이동할 수 있다.

메니스커스 피닝 피처(150)는 다음의 방식으로 작동한다: 모세관 통로(140) 내의 액체(160)의 메니스커스가 반경 방향 안쪽으로(즉, 기판 중심 부분 쪽으로) 이동하면, 기판(W)과 기판 테이블(WT)(모세관 통로 형성 표면(130) 또는 메니스커스 피닝 피처(150)) 사이에 연장된 메니스커스(160)의 길이가 증가한다. 메니스커스(160)의 길이가 증가하면, 그 에너지는 감소한다.

단면에서, 도 8의 실시예의 메니스커스 피닝 피처(150)는 모세관 통로 형성 표면(130)의 평면과 0 내지 45°사이 또는 10 내지 45°사이(바람직하게는 20 내지 35°사이)의 각도를 갖는다. 일 실시예에서, 메니스커스 피닝 피처(150)의 경사진 표면과 수평 표면 사이의 전이부(transitioin)는 완만하다. 부연하면, 2 개의 표면들 사이의 반경이 가능한 한 크다.

도 9는 메니스커스(160)의 위치를 더 자세히 나타낸다. 도 8의 실시예에서, 모세관 통로(140)는 액체로 채워졌다. 상기 액체는 메니스커스 피닝 피처(150)의 일부분들을 덮도록 반경 방향 안쪽으로 연장되었다. 하지만, 메니스커스 피닝 피처(150)는 상기 메니스커스 피닝 피처(150)의 반경 방향 가장 안쪽과 반경 방향 가장 바깥쪽 부분들 사이의 위치에서 메니스커스(160)를 피닝하였다. 이에 따라, 메니스커스 피닝 피처(150)의 가장 안쪽 에지를 지나서 반경 방향 안쪽으로의 액체의 통행은 방지되었다.

메니스커스(160)의 위치는 힘의 균형에 의해 결정된다. 액체는 기판(W)의 에지와 후퇴부(100)의 에지 사이의 후퇴부(100) 내의 갭을 채운다. 반경 방향 안쪽으로의 모세관 힘이 모세관 통로(140) 내의 액체 상에 생성된다. 이 힘의 최상부 상에는 주로 반경 방향 안쪽으로 작용하는 유체 정역학적(hydrostatic) 및 유체 역학적(hydrodynamic) 힘들이 존재한다. 메니스커스 피닝 피처(150)는 반경 방향 안쪽으로의 힘들에 저항한다. 반경 방향 바깥쪽 방향으로의 모세관 통로(140) 내에서의 액체 상의 힘은 메니스커스 피닝 피처(150)의 반경 방향 안쪽에 채널(170)을 제공함으로써 증가될 수 있다. 상기 채널(170)은 모세관 통로(140)와 유체 연 통한다. 가스의 오버프레셔가 채널(170) 내에 제공될 수 있다. 메니스커스(160) 상의 이 가스의 힘은 모세관 통로(140) 내의 액체 상에 반경 방향 바깥쪽으로의 힘을 가하는데 효과적이다. 이는 액체가 메니스커스 피닝 피처(150)의 반경 방향 가장 안쪽 부분의 반경 방향 안쪽으로 이동하는 것을 방지하는데 도움을 줄 수 있다. 그러므로, 채널(170) 내의 압력이 메니스커스(160)를 위치시킨다고 볼 수 있다.

메니스커스 피닝 피처(150)의 반경 방향 안쪽(일 실시예에서, 메니스커스 피닝 피처(150)의 바로 안쪽)으로의 채널(170)의 위치설정은, 채널(170)로부터의 여하한의 가스 유동이 실질적으로 반경 방향 안쪽 방향으로 존재하도록 채널(170)이 구성되도록 돕는다. 이러한 방식으로, 모세관 통로(140)로부터의 액체에 가스가 반입되는 것이 실질적으로 방지될 수 있다. 이에 따라, 가스와 액체의 유동 결과인 증발 냉각 부하(evaporation cooling load)가 실질적으로 회피될 수 있다.

채널(170)의 반경 방향 안쪽으로는 내측 돌출부(180)가 존재한다. 일 실시예에서, 내측 돌출부(180)는 그 최상부 표면이 모세관 통로 형성 표면(130)의 평면과 실질적으로 공면이도록 크기화된다. 그러므로, 기판(W)이 기판 지지체(101) 상에 배치될 때, 내측 돌출부(180)와 기판(W)의 저부 사이에 갭이 존재한다. 상기 갭은 모세관 통로 형성 표면(130) 및 기판(W)의 저부 표면 사이의 갭(즉, 모세관 통로(140)의 높이)과 유사한 크기를 갖는다. 일 실시예에서, 내측 돌출부(180)와 기판(W)의 저부 표면 사이의 갭, 및 모세관 통로(140)의 높이는 1 내지 50 ㎛ 또는 1 내지 20 ㎛ 또는 2 내지 20 ㎛ 또는 1 내지 10 ㎛ 또는 1 내지 5 ㎛의 범위로부터 선택된다. 작은 모세관 통로(140) 높이는 가속에 의해 유도된 동적 힘의 저항 에 바람직하다. 기판(W)의 아래 표면 및 모세관 통로 형성 표면(130)과 침지 액체의 접촉각 및 작동 조건들에 의존하여, 모세관 통로(140)에 대해 최적의 높이가 달성된다.

내측 돌출부(180)와 기판(W)의 저부 사이의 갭은, 반경 방향 안쪽으로의 유동이 제한됨에 따라 증발로 인해 존재할 수 있는 여하한의 가능한 열 부하를 감소시키도록 선택된다. 기판 지지체(101)에 의해 사용된 언더프레셔가 0.5 bar에 있도록 되어 있는 경우, 채널(170) 내의 적절한 오버프레셔는 약 10 mbar이다. 내측 돌출부(180)와 기판(W)의 저부 사이의 갭이 약 3 ㎛인 경우, 내측 돌출부(180)와 기판(W) 사이의 갭을 통해 0.7 l/min의 가스 유동이 예상될 수 있다. 이는 만족스러운 작동 조건들을 제공할 수 있지만, 채널(170) 내에서 더 낮은 압력이 사용될 수도 있다. 사용 시, 기판의 노광 후, 채널(170)에 인가된 오버프레셔가 감소된다. 이는, 기판(W)이 제거될 때 부재(200)에 남은 액체의 증발로 인한 열적 부하를 회피한다.

메니스커스 피닝 피처(150)에 의해 메니스커스(160)의 위치가 피닝될 수 있는 큰 작동 윈도우(operating window)를 적용할 수 있게 하는 것이 바람직하다. 작동 파라미터들을 변화시키는 한가지 방법은, 침지 액체에 대해 모세관 통로 형성 표면(130) 및/또는 메니스커스 피닝 피처(150)의 표면들의 친화성(affinity)을 변화시키는(즉, 상기 표면들 중 1 이상이 침지 액체에 대해 액체 불화성(liquidphobic) 또는 액체 친화성(liquidphillic)이 되게 하는) 것이다. 상기 표면들 중 1 이상을 액체 불화성 또는 액체 친화성이 되게 함으로써, 더 양호한 습 윤화가 달성될 수 있으며, 이는 사용 시 가스의 기포가 기판(W)의 에지와 후퇴부(100)의 에지 사이의 갭에서 발생할 가능성을 감소시킨다.

다양한 다른 표면들은 침지 액체와의 정적 접촉각, 정적 전진 접촉각 및 정적 후진 접촉각 사이에 차이를 보인다. 40 내지 70°사이의 정적 전진 접촉각이 바람직할 수 있다. 이는, 모세관 통로(140)의 충전(filling), 그리고 이에 따른 모세관 통로(140) 및 기판(W)의 에지와 후퇴부(100)의 에지 사이의 갭으로부터 가스의 배척(expelling)을 돕는다. 습윤화를 촉진하기 위해, 정적 후진 접촉각은 40°미만, 30°미만, 20°미만 또는 15°미만인 것이 바람직하다. 정적 후진 접촉각은 통상적으로 정적 전진 접촉각보다 낮다. 채널(170)을 정의하는 표면 및 돌출부(180)를 정의하는 표면은 침지 액체가 높은 접촉각을 갖는 물질로 되어 있는 것이 바람직하다. 즉, 상기 표면들은 액체 불화성이다.

이하, 일 실시예에서 상기 갭과 모세관 통로(140)가 어떻게 침지 액체로 채워질 수 있는지에 대해 설명하기로 한다. 도 9를 참조하여 설명된 실시예는 모세관 통로(140)의 양호한 충전을 보장하도록 또 다른 피처들을 갖는다. 아니면, 다른 실시예들에서 상기 갭과 모세관 통로(140)가 정상 작동 동안에 침지 액체로 채워질 수 있도록 할 수 있거나, 이미징에 앞서 상기 갭과 모세관 통로(140)를 채우기 위한 다른 조치들이 취해질 수 있을 것이다.

도 8에서 알 수 있는 바와 같이, 몇몇 유체 핸들링 피처들(예를 들어, 모세관 통로 형성 표면(130) 및 메니스커스 피닝 피처(150))은 기판 테이블의 다른 부분들로부터 분리된 부재(200) 상에 형성된다. 상기 부재(200)는 사용 시 기판 지 지체(101) 상에 지지된 기판(W)의 에지와 액체 상호작용의 문제점을 처리하도록 구성된다. 상기 부재(200)의 외측 표면과 기판 테이블(WT)의 잔여부 사이에 가스 갭(210)이 존재한다. 상기 부재(200)가 기판 테이블(WT)의 다른 부분들로부터 열적으로 단절(thermally decouple)되도록, 상기 갭(210)은 절연체로서 기능한다. 일 실시예에서, 갭(210)은 가스 이외의 절연 물질로 채워질 수 있다. 상기 부재(200)는 이산된 장착 부재들(220)을 통해 기판 테이블(WT)에 기계적으로 결합된다. 상기 이산된 장착 부재들(220)은 낮은 열전도 계수 물질로 만들어지는 것이 바람직하다. 상기 장착 부재들(220)은 리프 스프링(leaf spring)일 수 있으며, 스프링 블레이드(spring blade)일 수 있거나, 또는 예를 들어 기판 테이블(WT) 및 상기 부재(200)에 부착된 유리 비드(glass bead)일 수 있다.

상기 채널(170)은 상기 부재(200)의 에지 및 기판 테이블(WT)의 에지에 의해 형성된다. 하지만, 다른 구성들도 가능하다.

기판 테이블(WT)의 다른 부분들로부터 열적으로 단절된 부재(200)의 목적은, 기판 테이블(WT)의 열적 평형이 깨지는 것을 회피하기 위함이다. 상기 부재(200)의 유체 핸들링 피처들은 열 부하를 유도할 수 있는 피처들이다. 그러므로, 기판 테이블(WT)의 잔여부로부터 상기 피처들을 열적으로 단절시킴으로써, 원하지 않는 여하한의 잠재 열 팽창 또는 수축이 격리될 수 있다.

일 실시예에서, 도 8에 개략적으로 도시된 1 이상의 히터들(230)이 상기 부재(200) 내에 또는 위에 제공될 수 있다. 상기 히터(들)(230)는 상기 부재(200)의 온도를 감지하는 1 이상의 센서들(240)을 수반할 수 있으며, 제어기(231)가 (예를 들어, 상기 센서(들)(240)에 의해 감지된 온도에 기초하여, 피드백 방식으로) 히터(들)(230)에 대한 동력을 제어할 수 있다.

상기 부재(200)는 기판 지지체(101)를 둘러싼다. 이는 모세관 통로 형성 표면(130) 및 메니스커스 피닝 피처(150), 그리고 기판 테이블(WT)의 최상부 표면의 일부분을 형성한다. 상기 부재(200)와 기판 테이블(WT) 사이의 갭(210)은 스티커(sticker: 250)에 의해 덮인다. 스티커(250)는 박막재로 만들어지며, 침지 액체가 상기 부재(200)와 기판 테이블(WT) 사이의 갭(210)에 들어가는 것을 방지하기 위해 제자리에 부착된다. 또한, 상기 갭을 시일링하는 다른 방식들도 이용가능하다. 도 8의 실시예에서, 상기 스티커(250)는 환형이다.

또한, 상기 부재(200)는 에지 시일 부재를 제공한다. 상기 에지 시일 부재는 기판(W)의 에지를 전체적으로 또는 부분적으로 둘러싼다. 상기 에지 시일 부재의 최상부 표면은 기판(W)의 최상부 표면과 실질적으로 공면이다. 도시된 실시예에서, 상기 에지 시일 부재는 상기 부재(200)의 내측 상부 에지 및 최상부 표면이다.

또한, 개구부들(300, 400)은 도 8 및 도 9의 부재(200)와 같이 기판 테이블(WT)의 잔여부로부터 열적으로 격리된 부재 내에 형성될 수 있다.

기판(W)의 에지와 후퇴부(100)의 에지 사이의 갭, 및 모세관 통로(140)의 습윤화를 돕는 한가지 방식이 도 8 및 도 9에 도시된다. 상기 실시예에서, 후퇴부(100)의 에지로부터 모세관 통로(140)의 가장 안쪽 에지까지의 표면들은 상기 표면에 대해 액체의 친화성을 증가시키도록 특별히 처리되어야 할 필요는 없다. 예 를 들어, 상기 표면들은 동일한 물질로 만들어질 수 있으며, 기판 테이블의 최상부 표면들과 동일한 방식으로 처리될 수 있다.

모세관 통로 형성 표면(130) 내에 또는 모세관 통로 형성 표면(130)에 인접하여 개구부(300)가 제공된다. 상기 개구부(300)는 후퇴부(100) 내에 제공된다. 상기 개구부(300)는 1 이상의 홀 또는 슬릿일 수 있다. 상기 개구부(300)는 모세관 통로 형성 표면(130) 내에 및/또는 메니스커스 피닝 피처(150)의 표면 내에 존재할 수 있다.

상기 개구부(300)는 통로(310)를 통해, 선택적으로는 챔버(320)를 통해 액체 공급원(311)에 연결된다. 이러한 방식으로, 기판(W)의 에지와 후퇴부(100)의 에지 사이의 갭에, 그리고 모세관 통로(140) 내에 액체가 공급될 수 있다. 이는 모세관 통로(140)를 습윤화하고 기체를 빼내는데(out gas) 도움을 준다. 예를 들어, 개구부(300)에 액체를 제공함에 의하여 액체의 물방울이 커질 것이라는 것을 알 수 있다. 이는 기판(W)의 에지와 후퇴부(100)의 에지 사이의 갭을 채우고, 또한 모세관 통로(140)를 채운 화살표들(330, 335)에 의해 도시된다.

갭과 모세관 통로(140) 안으로 액체를 공급하는 개구부(300)의 사용은, 후퇴부(100)의 저부 에지 주위의 표면들이 특별히 침지 액체에 대해 액체 친화적인 물질로 코팅되거나 처리되거나 형성될 필요가 없다는 것을 의미한다.

개구부(300)를 통해 제공되는 액체는 투영 시스템(PS)의 최종 요소와 기판(W) 사이에 사용된 침지 액체와 동일한 것이 바람직하다. 개구부(300)를 통해 액체를 제공함에 따른 가능한 장점은 갭 내의 액체가 재생(refresh)될 수 있다는 점이다. 그렇지 않으면, 오염 입자들이 후퇴부(100)의 에지 주위에 축적될 수 있다. 개구부(300)를 통해 액체를 공급함으로써, 후퇴부(100)의 에지에서 갭 내의 액체의 순환이 설정될 수 있고, 이에 따라 오염을 씻어 내며(flush out), 후퇴부(100)의 에지 내의 오염 입자들의 축적을 방지할 수 있다. 공급된 액체는 도 6 및 도 7의 실시예와 같은 완전 습윤 침지 시스템에서 기판 테이블(WT) 및 기판(W)의 최상부 표면을 덮는데 사용된 액체의 일부분일 수 있다.

비록, 본 발명의 일 실시예가 기판 지지체 및 기판에 대해 설명되었지만, 본 발명은 이 형태로 제한되지 않는다. 예를 들어, 본 발명의 일 실시예는 기판 테이블 상의 대상물 지지체 상의 상이한 대상물의 장착에 관한 것일 수도 있다. 예를 들어, 상기 대상물은 기판 테이블의 최상부 표면상의 센서 지지체 상에 지지된 센서일 수도 있다.

이해되는 바와 같이, 상술된 특성들은 여타의 특성과 함께 사용될 수 있으며, 본 출원에서 보호되는 명확히 도시된 조합들만으로 제한되지 않는다.

일 실시예에 따르면, 침지 리소그래피 장치용 테이블이 제공되고, 상기 테이블은 상기 테이블의 최상부 표면상에 침지 유체의 제공을 위한 개구부를 포함한다.

일 실시예에서, 상기 개구부는 상기 테이블의 최상부 표면 내에 존재한다.

일 실시예에서, 상기 개구부는 상기 테이블의 외측 에지에 인접해 있다.

일 실시예에서, 상기 개구부의 5 mm 이내의 에지는 침지 유체가 에지와 30°미만의 전진 접촉각을 갖도록 되어 있다.

일 실시예에서, 개구부는 상기 테이블 상의 기판 지지체의 외측 에지에 인접 해 있다.

일 실시예에서, 상기 테이블의 에지는 적어도 5 mm 이상의 반경을 갖는 곡선화된 에지를 포함한다.

일 실시예에서, 상기 테이블은 상기 테이블의 에지를 둘러싸는 배수부를 더 포함하고, 상기 배수부는 상기 에지로부터 흐르는 침지 유체를 수집하도록 구성된다.

일 실시예에서, 상기 개구부는 부재에 의해 형성되며, 상기 부재는 상기 테이블의 일부분으로부터 열적으로 격리된다.

일 실시예에서, 상기 개구부는 상기 부재의 에지에 의해 형성된다.

일 실시예에서, 상기 개구부는 상기 부재 내에 형성된다.

일 실시예에 따르면, 침지 유체의 제공을 위한 개구부를 포함하는 테이블이 제공되고, 상기 개구부는 상기 테이블의 외측 에지에 인접해 있다.

일 실시예에서, 상기 개구부는 상기 테이블의 최상부 표면이다.

일 실시예에서, 상기 테이블의 에지는 적어도 5 mm 이상의 반경을 갖는 곡선화된 에지를 포함한다.

일 실시예에서, 상기 테이블은 상기 테이블의 에지를 둘러싸는 배수부를 더 포함하고, 상기 배수부는 상기 에지로부터 흐르는 침지 유체를 수집하도록 구성된다.

일 실시예에 따르면, 침지 리소그래피 장치용 테이블이 제공되고, 상기 테이블은 상기 테이블의 일부분으로부터 열적으로 격리된 부재 및 침지 유체의 제공을 위한 개구부를 포함하며, 상기 개구부는 상기 부재에 의해 또는 상기 부재 내에 적어도 부분적으로 형성된다.

일 실시예에서, 상기 개구부는 상기 테이블의 최상부 표면 내에 존재한다.

일 실시예에서, 상기 개구부는 상기 테이블의 에지에 인접해 있다.

일 실시예에서, 상기 개구부는 상기 테이블의 기판 지지체의 외측 에지에 인접해 있다.

일 실시예에서, 상기 테이블은 상기 개구부를 통해 상기 테이블의 최상부 표면 상으로 침지 유체의 제공을 제어하도록 구성된 제어기를 더 포함한다.

일 실시예에서, 침지 리소그래피 장치용 테이블이 제공되고, 상기 테이블은 침지 유체의 제공을 위한 개구부, 및 상기 개구부를 통해 상기 테이블의 최상부 표면 상으로 침지 유체의 제공을 제어하도록 구성된 제어기를 포함한다.

일 실시예에서, 상기 개구부는 상기 테이블의 최상부 표면 내에 존재한다.

일 실시예에서, 상기 개구부는 상기 테이블의 외측 에지에 인접해 있다.

일 실시예에서, 상기 개구부는 상기 테이블의 기판 지지체에 인접해 있다.

일 실시예에서, 상기 개구부는 상기 테이블 내의 모세관 통로의 일 단부에 존재한다.

일 실시예에서, 상기 침지 유체는 모세관 통로의 표면과 30°미만의 전진 접촉각을 갖는다.

일 실시예에서, 상기 개구부는 상기 테이블 내의 챔버와 유체 연통한다.

일 실시예에서, 상기 챔버는 상기 챔버를 통과하는 침지 유체의 압력 변동을 감쇠하도록 구성된 내부 구조체를 포함한다.

일 실시예에서, 상기 챔버는 상기 모세관 통로보다 낮은 유동 저항을 갖도록 구성된다.

일 실시예에서, 상기 구조체는 다공성 물질 및/또는 모세관 다발 시스템을 포함한다.

일 실시예에서, 상기 개구부는 환형이다.

일 실시예에서, 상기 테이블은 완전 습윤 액체 공급 시스템을 갖는 침지 리소그래피 투영 장치에 적합하다.

일 실시예에 따르면, 앞서 언급된 테이블을 포함하는 침지 리소그래피 투영 장치가 제공된다.

일 실시예에서, 침지 리소그래피 투영 장치는 투영 시스템의 최종 요소와 기판 및/또는 상기 테이블 사이의 공간에 침지 액체의 제공을 위한 액체 핸들링 시스템을 더 포함한다.

일 실시예에서, 상기 액체 핸들링 시스템은 상기 테이블에 대해 이동가능하다.

일 실시예에 따르면, 테이블 상에 대상물을 위치시키는 단계, 및 상기 테이블 내의 개구부를 통해 상기 테이블의 최상부 표면에 침지 유체를 제공하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.

본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도 메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.

본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 약 365, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV) 방사선을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다. 본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절 및 반사 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.

이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예 를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다. 1 이상의 컴퓨터 프로그램들이 리소그래피 장치의 적어도 1 이상의 구성요소 내에 위치된 1 이상의 컴퓨터 프로세서들에 의해 판독될 때, 본 명세서에 언급된 1 이상의 상이한 제어기들이 작동될 수 있다. 1 이상의 프로세서들은 상기 제어기들 중 적어도 1 이상과 통신하도록 구성된다; 이에 따라, 제어기(들)는 1 이상의 컴퓨터 프로그램들의 기계 판독가능한 명령어들에 따라 작동한다.

본 발명의 1 이상의 실시예들은 여하한의 침지 리소그래피 장치, 특히 배타적인 것은 아니지만, 앞서 언급된 타입들에 적용될 수 있으며, 침지 액체가 배스의 형태로 기판의 국부화된 표면 영역 상에만 제공되는지 또는 한정되지 않는지에 따라 적용될 수 있다. 한정되지 않는 구성에서는, 실질적으로 기판 및/또는 기판 테이블의 덮이지 않은 전체 표면이 습윤화 상태가 되도록, 침지 액체는 기판 및 기판 테이블의 표면상에서 유동할 수 있다. 이러한 한정되지 않은 침지 시스템에서, 액체 공급 시스템은 침지 액체를 한정하지 않을 수 있으며, 또는 침지 액체의 일부분을 한정하지만, 실질적으로 침지 액체를 완전하게 한정하지 않을 수도 있다.

본 명세서에서 고려되는 액체 공급 시스템은 폭넓게 해석되어야 한다. 소정 실시예들에서, 이는 투영 시스템과 기판 및/또는 기판 테이블 사이의 공간에 액체를 제공하는 구조체들의 메커니즘 또는 조합일 수 있다. 이는 1 이상의 구조체, 1 이상의 액체 유입구, 1 이상의 가스 유입구, 1 이상의 가스 유출구 및/또는 공간에 액체를 제공하는 1 이상의 액체 유출구의 조합을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 공간의 표면은 기판 및/또는 기판 테이블의 일부분일 수 있고, 또는 공간 표면이 기판 및/또는 기판 테이블의 표면을 완전히 덮을 수 있으며, 또는 공간이 기판 및/또는 기판 테이블을 에워쌀 수 있다. 액체 공급 시스템은, 선택적으로 위치, 양(quantity), 질, 형상, 유속 또는 액체의 여타의 특징들을 제어하는 1 이상의 요소들을 더 포함할 수 있다.

앞선 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면, 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.

이하, 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:

- 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;

- 도 2 및 도 3은 리소그래피 투영 장치에서 사용하기 위한 액체 공급 시스템을 도시하는 도면;

- 도 4는 리소그래피 투영 장치에 사용하기 위한 또 다른 액체 공급 시스템을 도시하는 도면;

- 도 5는 리소그래피 투영 장치에 사용하기 위한 또 다른 액체 공급 시스템의 단면도;

- 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 테이블의 평면도;

- 도 7은 도 6의 기판 테이블의 단면도;

- 도 8은 기판의 에지 영역에서의 일 실시예의 기판 테이블의 개략적 단면도: 및

- 도 9는 도 8에 도시된 기판의 에지 영역의 확대도이다.

Claims (35)

1. 침지 리소그래피 장치용 테이블에 있어서,

   상기 테이블은 상기 테이블의 최상부 표면상에 침지 유체의 제공을 위한 개구부를 포함하는 침지 리소그래피 장치용 테이블.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 개구부는 상기 테이블의 최상부 표면 내에 존재하는 침지 리소그래피 장치용 테이블.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

   상기 개구부는 상기 테이블의 외측 에지에 인접한 침지 리소그래피 장치용 테이블.
4. 제 3 항에 있어서,

   상기 개구부의 5 mm 이내의 상기 에지는, 침지 유체가 30°미만의 전진 접촉각(advancing contact angle)을 갖도록 되어 있는 침지 리소그래피 장치용 테이블.
5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 개구부는 상기 테이블 상의 기판 지지체의 외측 에지에 인접한 침지 리 소그래피 장치용 테이블.
6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 테이블의 에지는 적어도 5 mm 이상의 반경을 갖는 곡선화된 에지를 포함하는 침지 리소그래피 장치용 테이블.
7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 테이블의 에지를 둘러싸는 배수부(drain)를 더 포함하고, 상기 배수부는 상기 에지로부터 흐르는 침지 유체를 수집하도록 구성되는 침지 리소그래피 장치용 테이블.
8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 개구부는 부재에 의해 형성되고, 상기 부재는 상기 테이블의 일부분으로부터 열적으로 격리되는 침지 리소그래피 장치용 테이블.
9. 제 8 항에 있어서,

   상기 개구부는 상기 부재의 에지에 의해 형성되는 침지 리소그래피 장치용 테이블.
10. 제 8 항에 있어서,

    상기 개구부는 상기 부재 내에 형성되는 침지 리소그래피 장치용 테이블.
11. 침지 리소그래피 장치용 테이블에 있어서,

    상기 테이블은 침지 유체의 제공을 위한 개구부를 포함하고, 상기 개구부는 상기 테이블의 외측 에지에 인접한 침지 리소그래피 장치용 테이블.
12. 제 11 항에 있어서,

    상기 개구부는 상기 테이블의 최상부 표면 내에 존재하는 침지 리소그래피 장치용 테이블.
13. 제 11 항 또는 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 테이블의 에지는 적어도 5 mm 이상의 반경을 갖는 곡선화된 에지를 포함하는 침지 리소그래피 장치용 테이블.
14. 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 테이블의 에지를 둘러싸는 배수부를 더 포함하고, 상기 배수부는 상기 에지로부터 흐르는 침지 유체를 수집하도록 구성되는 침지 리소그래피 장치용 테이블.
15. 침지 리소그래피 장치용 테이블에 있어서,

    상기 테이블의 일부분으로부터 열적으로 격리된 부재; 및

    침지 유체의 제공을 위한 개구부를 포함하고, 상기 개구부는 상기 부재에 의해 또는 상기 부재 내에 적어도 부분적으로 형성되는 침지 리소그래피 장치용 테이블.
16. 제 15 항에 있어서,

    상기 개구부는 상기 테이블의 최상부 표면 내에 존재하는 침지 리소그래피 장치용 테이블.
17. 제 15 항 또는 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 개구부는 상기 테이블의 에지에 인접한 침지 리소그래피 장치용 테이블.
18. 제 15 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 개구부는 상기 테이블의 기판 지지체의 외측 에지에 인접한 침지 리소그래피 장치용 테이블.
19. 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 개구부를 통해 상기 테이블의 최상부 표면상으로 침지 유체의 제공을 제어하도록 구성된 제어기를 더 포함하는 침지 리소그래피 장치용 테이블.
20. 침지 리소그래피 장치용 테이블에 있어서,

    침지 유체의 제공을 위한 개구부; 및

    상기 개구부를 통해 상기 테이블의 최상부 표면상으로 침지 유체의 제공을 제어하도록 구성된 제어기를 포함하는 침지 리소그래피 장치용 테이블.
21. 제 20 항에 있어서,

    상기 개구부는 상기 테이블의 최상부 표면 내에 존재하는 침지 리소그래피 장치용 테이블.
22. 제 20 항 또는 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 개구부는 상기 테이블의 외측 에지에 인접한 침지 리소그래피 장치용 테이블.
23. 제 20 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 개구부는 상기 테이블의 기판 지지체에 인접한 침지 리소그래피 장치용 테이블.
24. 제 1 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 개구부는 상기 테이블 내의 모세관 통로의 단부에 존재하는 침지 리소 그래피 장치용 테이블.
25. 제 24 항에 있어서,

    상기 침지 유체는 상기 모세관 통로의 표면과 30°미만의 전진 접촉각을 갖는 침지 리소그래피 장치용 테이블.
26. 제 1 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 개구부는 상기 테이블 내의 챔버와 유체 연통하는 침지 리소그래피 장치용 테이블.
27. 제 26 항에 있어서,

    상기 챔버는 상기 챔버를 통과하는 침지 유체의 압력 변동을 감쇠시키도록 구성된 내부 구조체를 포함하는 침지 리소그래피 장치용 테이블.
28. 제 26 항 또는 제 27 항에 있어서,

    상기 챔버는 상기 모세관 통로보다 낮은 유동 저항을 갖도록 구성되는 침지 리소그래피 장치용 테이블.
29. 제 26 항 내지 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 내부 구조체는 다공성 물질 및/또는 모세관 다발 시스템(capillary bundle system)을 포함하는 침지 리소그래피 장치용 테이블.
30. 제 1 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 개구부는 환형인 침지 리소그래피 장치용 테이블.
31. 제 1 항 내지 제 30 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 테이블은 완전 습윤 액체 공급 시스템(all wet liquid supply system)을 갖는 침지 리소그래피 투영 장치에 적합한 침지 리소그래피 장치용 테이블.
32. 제 1 항 내지 제 31 항 중 어느 한 항의 테이블을 포함하는 침지 리소그래피 투영 장치.
33. 제 32 항에 있어서,

    투영 시스템의 최종 요소와 기판 및/또는 상기 테이블 사이의 공간에 침지 액체의 제공을 위한 액체 핸들링 시스템을 더 포함하는 침지 리소그래피 투영 장치.
34. 제 33 항에 있어서,

    상기 액체 핸들링 시스템은 상기 테이블에 대해 이동가능한 침지 리소그래피 투영 장치.
35. 디바이스 제조 방법에 있어서,

    테이블 상에 대상물을 위치시키는 단계; 및

    상기 테이블 내의 개구부를 통해 상기 테이블의 최상부 표면에 침지 유체를 제공하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법.

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