KR20090124962A - 전기 영동 표시 장치 및 전자 기기 - Google Patents

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KR20090124962A
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야스히로 시모다이라
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세이코 엡슨 가부시키가이샤
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Abstract

전기 영동 표시 장치에서, 제조 공정에서의 소자의 정전 파괴를 효과적으로 방지한다. 전기 영동 표시 장치는, 전기 영동 입자(82, 83)를 포함하는 전기 영동 소자(23)를 한 쌍의 기판(28, 29)간에 협지하여 이루어지고, 복수의 화소(20)로 이루어지는 표시부(3)를 구비한다. 또한 전기 영동 표시 장치는, 한 쌍의 기판 중 한쪽의 기판 상에, 화소마다 형성된 화소 전극(21) 및 화소 스위칭 소자(24)와, 화소 전극 및 화소 스위칭 소자간에 전기적으로 접속되어 있고, 화소 스위칭 소자를 통하여 공급되는 화상 신호를 유지하는 것이 가능한 메모리 회로(110)와, 화소 전극 및 메모리 회로간에 전기적으로 접속되어 있고, 용량 소자(310), 저항 소자(320) 및 다이오드(330) 중 적어도 1개를 포함하여 이루어지는 정전 보호 수단을 구비한다.
전기 영동 입자, 전기 영동 소자, 기판, 표시부, 화소 전극, 용량 소자, 저항 소자

Description

전기 영동 표시 장치 및 전자 기기{ELECTROPHORETIC DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS}
본 발명은, 전기 영동 표시 장치 및 그 전기 영동 표시 장치를 구비하는 전자 기기의 기술 분야에 관한 것이다.
이 종류의 전기 영동 표시 장치는, 복수의 화소에 의해 다음과 같이 표시를 행하는 표시부를 갖는다. 각 화소에서는, 화소 스위칭 소자를 통하여 메모리 회로에 화상 신호를 기입한 후, 기입된 화상 신호에 따른 전위에 의해 화소 전극이 구동되고, 공통 전극과의 사이에 전위차가 생긴다. 이에 의해 화소 전극 및 공통 전극간의 전기 영동 소자를 구동함으로써 표시를 행한다(예를 들면, 일본 특허 문헌 1 참조).
혹은, 본원 발명자들의 연구에 따르면, 전기 영동 소자를 구동하기 위해, 각 화소에서 화소 스위칭 소자 및 SRAM(Static Random Access Memory)을 포함하는 메모리 회로 외에 스위치 회로를 갖는 화소 회로를 구축하고, 이와 같은 화소 회로에 의해 표시부에서 표시를 행한다. 이 화소 회로는, (i) 메모리 회로에서의 화상 신호의 기입과 분리하여 (ⅱ) 화소 전극에의 전위의 공급을 행하는 것이 가능하도록 구성되어 있다. 이와 같은 화소 회로에 따르면, 특허 문헌 1에 의한 전술한 화소 회로와 비교하여, 저소비 전력으로 각 화소를 구동하는 것이 가능하게 됨과 함께, 서로 화소 전극이 다른 전위로 되는 인접 화소간에서 리크 전류가 발생하는 것을 보다 유효하게 방지할 수 있다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2003-84314호 공보
그러나, 전술한 메모리 회로에서의 화상 신호의 기입과 분리하여, 화소 전극에의 전위의 공급을 행하는 표시를 행하는 장치에서는, 제조 공정에서 발생한 정전기에 기인하는 전위차가, 화소 전극을 통하여, 예를 들면 스위치 회로, 메모리 회로 등을 구성하는 트랜지스터 등의 소자에 인가되고, 결과적으로 소자가 정전 파괴될 우려가 있다고 하는 기술적 문제점이 있다.
본 발명은, 예를 들면 전술한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 제조 공정에서의 소자의 정전 파괴를 효과적으로 방지하는 것이 가능한 전기 영동 표시 장치 및 그 전기 영동 표시 장치를 구비한 전자 기기를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명의 전기 영동 표시 장치는 상기 과제를 해결하기 위해, 전기 영동 입자를 포함하는 전기 영동 소자를 한 쌍의 기판간에 협지하여 이루어지고, 복수의 화소로 이루어지는 표시부를 구비한 전기 영동 표시 장치로서, 상기 한 쌍의 기판 중 한쪽의 기판 상에, 상기 화소마다 형성된 화소 전극 및 화소 스위칭 소자와, 상기 화소 전극 및 상기 화소 스위칭 소자간에 전기적으로 접속되어 있고, 상기 화소 스위칭 소자를 통하여 공급되는 화상 신호를 유지하는 것이 가능한 메모리 회로와, 상기 화소 전극 및 상기 메모리 회로간에 전기적으로 접속되어 있고, 용량 소자, 저항 소자 및 다이오드 중 적어도 1개를 포함하여 이루어지는 정전 보호 수단을 구비한다.
본 발명의 전기 영동 표시 장치에 따르면, 그 동작 시에는, 한 쌍의 기판간에 협지된 전기 영동 소자에, 화소마다, 한 쌍의 기판 중 예를 들면 소자 기판인 한쪽의 기판 상에 화소마다 형성된 화소 전극과, 한 쌍의 기판 중 예를 들면 대향 기판인 다른 쪽의 기판 상에 예를 들면 베타 형상으로 형성된 예를 들면 공통 전극 사이에 화상 신호에 따른 전압이 인가됨으로써, 표시부에 화상이 표시된다.
보다 구체적으로는, 예를 들면 마이크로 캡슐인 전기 영동 소자의 내부에는, 전기 영동 입자로서, 예를 들면 마이너스로 대전된 복수의 백색 입자와 플러스로 대전된 복수의 흑색 입자가 포함되어 있다. 전기 영동 소자에서는 화소 전극 및 공통 전극간에 인가되는 전압에 따라서, 마이너스로 대전된 복수의 백색 입자 및 플러스로 대전된 복수의 흑색 입자 중 한쪽이 화소 전극측으로 이동(즉, 영동)하고, 다른 쪽이 공통 전극측으로 이동한다. 이에 의해, 이동된 전기 영동 입자에 따른 화상이 한 쌍의 기판 중 다른 쪽의 기판측(즉, 공통 전극측)에 표시된다.
화소 전극은, 예를 들면 서로 교차하도록 한쪽의 기판 상에 형성된 데이터선 및 주사선의 교차에 대응하여 매트릭스 형상으로 복수 형성되어 있다. 화소 전극 이 형성되는 화소의 각각에는, 화소마다 화소 스위칭 소자로서의 트랜지스터 및 화소 스위칭 소자를 통하여 공급되는 화상 신호를 유지하는 메모리 회로가 형성되어 있다. 여기서, 메모리 회로는, 예를 들면 복수의 트랜지스터를 포함하여 이루어지고, 유지 전위가 공급됨으로써 화상 신호를 유지 가능하게 구성되어 있다.
본 발명에서는 특히, 화소 전극 및 메모리 회로간에 전기적으로 접속된 정전 보호 수단을 구비하고 있다. 정전 보호 수단은 용량 소자, 저항 소자 및 다이오드 중 적어도 1개를 포함하여 이루어진다. 이와 같은 정전 보호 수단에 의해, 그 전기 영동 표시 장치의 제조 공정에서, 화소 전극에 정전기가 인가된 경우에도 메모리 회로를 구성하는 트랜지스터 등의 소자가 정전 파괴되게 되는 것을 방지할 수 있다.
예를 들면, 용량 소자는, 메모리 회로 및 화소 전극간을 전기적으로 접속하는 배선에 전기적으로 접속된 하나의 용량 전극과, 예를 들면 메모리 회로에 대해 화상 신호를 유지하기 위한 유지 전위를 공급하기 위한 유지 전위 공급선이나, 접지 전위를 공급하는 접지 전위선 등의 다른 배선에 전기적으로 접속된 다른 용량 전극 사이에 유전체막이 협지되어 이루어진다. 용량 소자를 형성함으로써, 화소 전극 및 메모리 회로간에 흐르는 전류가 용량 소자의 충전에 사용되게 되므로, 메모리 회로에 유입되는 전류를 작게 할 수 있다.
저항 소자는 메모리 회로 및 화소 전극간의 배선 상에 형성된다. 혹은, 배선이나 화소 전극 자체를 저항이 높은 재료에 의해 형성하거나, 화소 전극을 고저항의 커버로 덮거나 하는 것이라도 마찬가지의 효과가 얻어진다. 저항 소자를 형 성함으로써, 화소 전극 및 메모리 회로간에 흐르는 전류를 작게 할 수 있다.
다이오드는, 메모리 회로 및 화소 전극간의 배선과 다른 배선 사이에 설치되고, 전형적으로는, 메모리 회로 및 화소 전극간의 배선으로부터 다른 배선에 전류를 흘리는 것과, 다른 배선으로부터 메모리 회로 및 화소 전극간의 배선에 전류를 흘리는 것의 2개가 형성된다. 다이오드를 설치함으로써, 화소 전극 및 메모리 회로간에 흐르는 전류를, 적어도 부분적으로 다른 배선으로 빼내는 것이 가능해져, 메모리 회로에 유입되는 전류를 작게 할 수 있다.
정전 보호 수단은, 전술한 용량 소자, 저항 소자 및 다이오드 각각을 복수 포함하여 이루어지도록 구성됨으로써, 보다 높은 효과를 발휘한다. 즉, 화소 전극측으로부터 메모리 회로에 유입되는 전류를 보다 작게 할 수 있다. 또한, 용량 소자의 용량값을 크게 하거나, 저항 소자의 저항값을 높게 하거나 하는 것이라도, 마찬가지로 효과를 높일 수 있다. 또한, 용량 소자, 저항 소자 및 다이오드를 조합하는 것에 의해서도, 높은 효과를 얻을 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 화소 전극 및 메모리 회로간에 전기적으로 접속되어 있고, 용량 소자, 저항 소자 및 다이오드 중 적어도 1개를 포함하여 이루어지는 정전 보호 수단을 구비하므로, 장치의 제조 공정에서, 화소 전극에 정전기가 인가된 경우에도 메모리 회로를 구성하는 소자가 정전 파괴되는 것을 효과적으로 방지하는 것이 가능하다.
본 발명의 전기 영동 표시 장치의 일 양태에서는, 상기 메모리 회로로부터 출력되는 상기 화상 신호에 기초하는 출력 신호에 따라서, 제1 및 제2 제어선 중 어느 하나를 상기 화소 전극에 전기적으로 접속하는 스위치 회로를 더 구비하고, 상기 정전 보호 수단은, 상기 화소 전극 및 상기 스위치 회로간에 전기적으로 접속되어 있다.
이 양태에 따르면, 메모리 회로 및 화소 전극간에는 스위치 회로가 형성되어 있다. 스위치 회로는 메모리 회로로부터 화상 신호에 기초하여 출력되는 출력 신호에 따라서, 서로 다른 전위를 공급하는 제1 및 제2 제어선 중 어느 하나를 화소 전극에 전기적으로 접속한다. 보다 구체적으로는, 스위치 회로는, 예를 들면 복수의 스위칭 소자를 포함하여 이루어지고, 화소 전극에 전기적으로 접속되는 제어선을, 메모리 회로로부터의 출력에 따라서, 제1 화소 전위를 공급하는 제1 제어선 및 제1 전위와는 서로 다른 제2 화소 전위를 공급하는 제2 제어선간으로 절환한다. 이에 의해, 제1 제어선에 전기적으로 접속된 화소 전극에는, 제1 제어선을 통하여 제1 화소 전위가 공급되고, 제2 제어선에 전기적으로 접속된 화소 전극에는, 제2 제어선을 통하여 제2 화소 전위가 공급된다.
본 양태에서는, 화소 전극에서 발생한 정전기에 의해, 화소 전극으로부터 스위치 회로에 전류가 흐른다. 즉, 정전기에 기인하는 전류는 메모리 회로보다 앞서 스위치 회로에 유입된다. 그런데 본 양태에서는 특히, 정전 보호 수단은 화소 전극 및 스위치 회로간에 전기적으로 접속되어 있기 때문에, 스위치 회로에 유입되는 전류를 작게 할 수 있다. 따라서, 스위치 회로에서의 전위가 급격하게 상승하게 되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 스위치 회로로부터 메모리 회로에 유입되는 전류도 작게 할 수 있기 때문에, 메모리 회로에서의 전위가 급격하게 상승하게 되는 것도 방지할 수 있다. 따라서, 제조 공정에서, 메모리 회로 및 스위치 회로를 구성하는 소자가 정전 파괴되는 것을 효과적으로 방지하는 것이 가능하다.
본 발명의 전기 영동 표시 장치의 다른 양태에서는, 상기 메모리 회로에 대해 상기 화상 신호를 유지하기 위한 유지 전위를 공급하기 위한 유지 전위 공급선을 더 구비하고, 상기 정전 보호 수단은, 상기 화소 전극에 전기적으로 접속된 하나의 용량 전극과 상기 유지 전위 공급선에 전기적으로 접속된 다른 용량 전극 사이에 유전체막이 협지되어 이루어지는 제1 용량 소자를 포함하여 이루어진다.
이 양태에 따르면, 화소 전극에 인가된 정전기에 기인하여 메모리 회로에 유입되는 전류를, 제1 용량 소자에 의해 작게 할 수 있다. 따라서, 제조 공정에서, 메모리 회로를 구성하는 소자가 정전 파괴되는 것을 효과적으로 방지하는 것이 가능하다.
여기서 장치의 구동 시에는, 장치가 스위치 회로를 갖지 않은 경우, 화소 전극 및 메모리 회로간의 배선과 유지 전위 공급선에는, 서로 거의 혹은 완전히 동일한 전위(즉, 유지 전위)가 공급되고, 제1 용량 소자를 구성하는 하나의 용량 전극 및 다른 용량 전극간에는 전압이 거의 혹은 전혀 인가되지 않는다. 따라서, 구동 시에는, 제1 용량 소자는 거의 혹은 전혀 충전되지 않는다. 따라서, 장치의 구동 시에, 용량 소자가 충전되는 것에 기인하는 소비 전력을 저감할 수 있다.
전술한 스위치 회로를 구비하는 양태에서는, 상기 정전 보호 수단은, 상기 화소 전극에 전기적으로 접속된 하나의 용량 전극과 상기 제1 및 제2 제어선 중 어느 하나에 전기적으로 접속된 다른 용량 전극 사이에 유전체막이 협지되어 이루어 지는 제2 용량 소자를 포함하여 이루어지도록 하여도 된다.
이 경우에는, 화소 전극에 인가된 정전기에 기인하여 스위치 회로에 유입되는 전류를, 제2 용량 소자에 의해 작게 할 수 있다. 따라서, 제조 공정에서, 스위치 회로를 구성하는 소자가 정전 파괴되는 것을 효과적으로 방지하는 것이 가능하다.
본 발명의 전기 영동 표시 장치의 다른 양태에서는, 상기 정전 보호 수단은, 상기 메모리 회로가 갖는 트랜지스터를 구성하는 반도체막과 동일 막에 의해 형성된 제1 저항 소자를 갖는다.
이 양태에 따르면, 제1 저항 소자는, 메모리 회로가 갖는 트랜지스터를 구성하는 예를 들면 Si(실리콘)막 등의 반도체막과 동일 막에 의해 형성된다. 여기서, 「동일 막」이란, 제조 공정에서의 동일 기회에 성막되는 막을 의미하고, 동일 종류의 막이다. 또한, 「동일 막에 의해 형성된다」라는 것은, 1매의 막으로서 연속하여 형성되는 것까지도 요구하는 취지가 아니라, 기본적으로, 동일 막 중 서로 분단되어 있는 막 부분으로서 형성되면 충분한 취지이다.
저항 소자를 메모리 회로가 갖는 트랜지스터를 구성하는 반도체막과 동일 막에 의해 형성함으로써, 메모리 회로가 갖는 트랜지스터를 구성하는 반도체막과 제1 저항 소자를, 동일한 성막 공정에 의해 형성할 수 있다. 따라서, 장치의 제조 공정을 보다 간단화하는 것이 가능하다. 또한, 장치의 구조가 복잡화하게 되는 것을 방지하는 것이 가능하다.
본 발명의 전기 영동 표시 장치의 다른 양태에서는, 상기 정전 보호 수단은, 상기 저항 소자와, 상기 용량 소자 및 상기 다이오드 중 적어도 한쪽을 포함하고 있고, 상기 저항 소자는, 상기 용량 소자 및 상기 다이오드보다 상기 화소 전극에 가까운 측에서, 상기 화소 전극에 전기적으로 접속되어 있다.
이 양태에 따르면, 저항 소자는 용량 소자 및 다이오드보다 화소 전극에 가까운 측에서, 화소 전극에 전기적으로 접속된다.
이와 같은 순으로 저항 소자와, 용량 소자 또는 다이오드를 배치하면, 화소 전극에 정전기가 발생하였을 때에는, 우선 화소 전극으로부터 저항에 전류가 유입된다. 그리고, 용량 소자 또는 다이오드에는, 저항에 의해 작게 된 전류가 유입된다. 따라서, 보다 효율적으로 화소 전극으로부터 메모리 회로측에 유입되는 전류를 작게 할 수 있다.
또한, 용량 소자와 다이오드에서는, 용량 소자가 다이오드보다 화소 전극에 가까운 측에 형성되는 쪽이 좋다. 따라서, 저항 소자, 용량 소자 및 다이오드의 3개를 조합할 때에는, 화소 전극에 가까운 측부터, 저항 소자, 용량 소자, 다이오드의 순으로 배치되는 것이 바람직하다.
본 발명의 전자 기기는 상기 과제를 해결하기 위해, 전술한 본 발명의 전기 영동 표시 장치(단, 그 각종 양태도 포함함)를 구비한다.
본 발명의 전자 기기에 따르면, 전술한 본 발명의 전기 영동 표시 장치를 구비하여 이루어지므로, 제조가 용이함과 함께 신뢰성이 높은, 예를 들면 손목 시계, 전자 페이퍼, 전자 노트, 휴대 전화, 휴대용 오디오 기기 등의 각종 전자 기기를 실현할 수 있다.
본 발명의 작용 및 다른 이득은 다음에 설명하는 발명을 실시하기 위한 최량의 형태로부터 명백하게 된다.
이하에서는, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하면서 설명한다.
<제1 실시 형태>
제1 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에 대해, 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한다.
우선, 본 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치의 전체 구성에 대해, 도 1을 참조하여 설명한다.
도 1은, 제1 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치의 전체 구성을 도시하는 블록도이다.
도 1에서, 제1 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치(1)는, 표시부(3)와, 컨트롤러(10)와, 주사선 구동 회로(60)와, 데이터선 구동 회로(70)와, 전원 회로(210)와, 공통 전위 공급 회로(220)를 구비하고 있다.
표시부(3)에는, m행×n열분의 화소(20)가 매트릭스 형상(이차원 평면적)으로 배열되어 있다. 또한, 표시부(3)에는 m개의 주사선(40)(즉, 주사선 Y1, Y2, …, Ym)과, n개의 데이터선(50)(즉, 데이터선 X1, X2, …, Xn)이 서로 교차하도록 형성되어 있다. 구체적으로는, m개의 주사선(40)은 행 방향(즉, X 방향)으로 연장되고, n개의 데이터선(50)은 열 방향(즉, Y 방향)으로 연장되어 있다. m개의 주사선(40)과 n개의 데이터선(50)과의 교차에 대응하여 화소(20)가 배치되어 있다.
컨트롤러(10)는 주사선 구동 회로(60), 데이터선 구동 회로(70), 전원 회로(210) 및 공통 전위 공급 회로(220)의 동작을 제어한다. 구체적으로는, 컨트롤러(10)는, 예를 들면 클럭 신호, 스타트 펄스 등의 타이밍 신호를 각 회로에 공급한다.
주사선 구동 회로(60)는 컨트롤러(10)로부터 공급되는 타이밍 신호에 기초하여, 주사선 Y1, Y2, …, Ym의 각각에 주사 신호를 펄스적으로 순차 공급한다.
데이터선 구동 회로(70)는 컨트롤러(10)로부터 공급되는 타이밍 신호에 기초하여, 데이터선 X1, X2, …, Xn에 화상 신호를 공급한다. 화상 신호는 고전위 레벨(이하 「하이 레벨」이라고 함. 예를 들면 5V) 또는 저전위 레벨(이하 「로우 레벨」이라고 함. 예를 들면 0V)의 2치적인 레벨을 취한다.
전원 회로(210)는 고전위 전원선(91)에 고전위 전원 전위 VEP를 공급하고, 저전위 전원선(92)에 저전위 전원 전위 Vss를 공급하고, 제1 제어선(94)에 제1 화소 전위 S1을 공급하고, 제2 제어선(95)에 제2 화소 전위 S2를 공급한다. 또한, 여기서는 도시를 생략하지만, 고전위 전원선(91), 저전위 전원선(92), 제1 제어선(94) 및 제2 제어선(95)의 각각은, 전기적인 스위치를 통하여 전원 회로(210)에 전기적으로 접속되어 있다.
공통 전위 공급 회로(220)는 공통 전위선(93)에 공통 전위 Vcom을 공급한다. 또한, 여기서는 도시를 생략하지만, 공통 전위선(93)은 전기적인 스위치를 통하여 공통 전위 공급 회로(220)에 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 컨트롤러(10), 주사선 구동 회로(60), 데이터선 구동 회로(70), 전원 회로(210) 및 공통 전위 공급 회로(220)에는, 각종의 신호가 입출력되지만, 본 실시 형태와 특별히 관계가 없는 것에 대해서는 설명을 생략한다.
다음으로, 본 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치의 표시부의 구체적인 구성에 대해, 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한다.
도 2는, 본 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치의 표시부의 부분 단면도이다.
도 2에서, 표시부(3)는 소자 기판(28)과 대향 기판(29) 사이에 전기 영동 소자(23)가 협지되는 구성으로 되어 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 대향 기판(29)측에 화상을 표시하는 것을 전제로 하여 설명한다.
소자 기판(28)은, 본 발명의 「한쪽의 기판」의 일례이며, 예를 들면 글래스나 플라스틱 등으로 이루어지는 기판이다. 소자 기판(28) 상에는, 여기서는 도시를 생략하지만, 후술하는 화소 스위칭용 트랜지스터(24), 메모리 회로(25), 스위치 회로(110), 주사선(40), 데이터선(50), 고전위 전원선(91), 저전위 전원선(92), 공통 전위선(93), 제1 제어선(94), 제2 제어선(95) 등이 만들어 넣어진 적층 구조가 형성되어 있다(도 4 참조). 이 적층 구조의 상층측에 복수의 화소 전극(21)이 매트릭스 형상으로 형성되어 있다.
대향 기판(29)은, 본 발명의 「한 쌍의 기판」 중 「한쪽의 기판」과는 상이한 다른 기판의 일례이며, 예를 들면 글래스나 플라스틱 등으로 이루어지는 투명한 기판이다. 대향 기판(29)에서의 소자 기판(28)과의 대향면 상에는, 공통 전극(22)이 복수의 화소 전극(9a)과 대향하여 베타 형상으로 형성되어 있다. 공통 전 극(22)은, 예를 들면 마그네슘은(MgAg), 인듐ㆍ주석 산화물(ITO), 인듐ㆍ아연산화물(IZO) 등의 투명 도전 재료로 형성되어 있다.
전기 영동 소자(23)는 전기 영동 입자를 각각 포함하여 이루어지는 복수의 마이크로 캡슐(80)로 구성되어 있고, 예를 들면 수지 등으로 이루어지는 바인더(30) 및 접착층(31)에 의해 소자 기판(28) 및 대향 기판(29) 사이에서 고정되어 있다. 또한, 본 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치(1)는 제조 프로세스에서, 전기 영동 소자(23)가 미리 대향 기판(29)측에 바인더(30)에 의해 고정되어 이루어지는 전기 영동 시트가, 별도 제조된, 화소 전극(21) 등이 형성된 소자 기판(28)측에 접착층(31)에 의해 접착되어 있다.
마이크로 캡슐(80)은 화소 전극(21) 및 공통 전극(22)간에 협지되고, 1개의 화소(20) 내에(바꿔 말하면, 1개의 화소 전극(21)에 대해) 1개 또는 복수 배치되어 있다.
도 3은, 마이크로 캡슐의 구성을 도시하는 모식도이다. 또한, 도 3에서는, 마이크로 캡슐의 단면을 모식적으로 도시하고 있다.
도 3에서, 마이크로 캡슐(80)은 피막(85)의 내부에 분산매(81)와, 복수의 백색 입자(82)와, 복수의 흑색 입자(83)가 봉입되어 이루어진다. 마이크로 캡슐(80)은, 예를 들면 50㎛ 정도의 입경을 갖는 구 형상으로 형성되어 있다. 또한, 백색 입자(82) 및 흑색 입자(83)는, 본 발명에 따른 「전기 영동 입자」의 일례이다.
피막(85)은 마이크로 캡슐(80)의 외각으로서 기능하고, 폴리메타크릴산메틸, 폴리메타크릴산에틸 등의 아크릴 수지, 우레아 수지, 아라비아검 등의 투광성을 갖 는 고분자 수지로 형성되어 있다.
분산매(81)는 백색 입자(82) 및 흑색 입자(83)를 마이크로 캡슐(80) 내(바꿔 말하면, 피막(85) 내)에 분산시키는 매질이다. 분산매(81)로서는 물이나, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 부탄올, 옥탄올, 메틸셀루솔브 등의 알코올계 용매, 아세트산에틸, 아세트산부틸 등의 각종 에스테르류, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류, 펜탄, 헥산, 옥탄 등의 지방족 탄화수소, 시클로 헥산, 메틸시클로 헥산 등의 지환식 탄화수소, 벤젠, 톨루엔이나, 크실렌, 헥실 벤젠, 에부틸 벤젠, 옥틸 벤젠, 노닐 벤젠, 데실 벤젠, 운데실 벤젠, 도데실 벤젠, 트리데실 벤젠, 테트라데실 벤젠 등의 장쇄 알칼기를 갖는 벤젠류 등의 방향족 탄화수소, 염화메틸렌, 클로로포름, 사염화탄소, 1,2-디클로로에탄 등의 할로겐화 탄화수소, 카르복실산염이나 그 밖의 유류를 단독으로 또는 혼합하여 이용할 수 있다. 또한, 분산매(81)에는, 계면 활성제가 배합되어도 된다.
백색 입자(82)는, 예를 들면 이산화티탄, 아연화(산화아연), 삼산화안티몬 등의 백색 안료로 이루어지는 입자(고분자 혹은 콜로이드)이며, 예를 들면 마이너스로 대전되어 있다.
흑색 입자(83)는, 예를 들면 아닐린블랙, 카본블랙 등의 흑색 안료로 이루어지는 입자(고분자 혹은 콜로이드)이며, 예를 들면 플러스로 대전되어 있다.
이 때문에, 백색 입자(82) 및 흑색 입자(83)는 화소 전극(21)과 공통 전극(22) 사이의 전위차에 의해 발생하는 전계에 의해, 분산매(81) 내를 이동할 수 있다.
이들 안료에는, 필요에 따라서, 전해질, 계면 활성제, 금속 비누, 수지, 고무, 오일, 바니시, 컴파운드 등의 입자로 이루어지는 하전 제어제, 티탄계 커플링제, 알루미늄계 커플링제, 실란계 커플링제 등의 분산제, 윤활제, 안정화제 등을 첨가할 수 있다.
도 2 및 도 3에서, 화소 전극(21)과 공통 전극(22) 사이에, 상대적으로 공통 전극(22)의 전위가 높아지도록 전압이 인가된 경우에는, 플러스로 대전된 흑색 입자(83)는 쿨롱력에 의해 마이크로 캡슐(80) 내에서 화소 전극(21)측에 끌어 당겨짐과 함께, 마이너스로 대전된 백색 입자(82)는 쿨롱력에 의해 마이크로 캡슐(80) 내에서 공통 전극(22)측에 끌어 당겨진다. 이 결과, 마이크로 캡슐(80) 내의 표시면측(즉, 공통 전극(22)측)에 백색 입자(82)가 모임으로써, 표시부(3)의 표시면에 이 백색 입자(82)의 색(즉, 백색)을 표시할 수 있다. 반대로, 화소 전극(21)과 공통 전극(22) 사이에, 상대적으로 화소 전극(21)의 전위가 높아지도록 전압이 인가된 경우에는, 마이너스로 대전된 백색 입자(82)가 쿨롱력에 의해 화소 전극(21)측에 끌어 당겨짐과 함께, 플러스로 대전된 흑색 입자(83)는 쿨롱력에 의해 공통 전극(22)측에 끌어 당겨진다. 이 결과, 마이크로 캡슐(80)의 표시면측에 흑색 입자(83)가 모임으로써, 표시부(3)의 표시면에 이 흑색 입자(83)의 색(즉, 흑색)을 표시할 수 있다.
또한, 화소 전극(21) 및 공통 전극(22) 사이에서의 백색 입자(82) 및 흑색 입자(83)의 분포 상태에 따라서, 백색과 흑색의 중간 계조인 라이트 그레이, 그레이, 다크 그레이 등의 회색을 표시할 수 있다. 예를 들면, 화소 전극(21)과 공통 전극(22) 사이에 상대적으로 화소 전극(21)의 전위가 높아지도록 전압을 인가함으로써, 마이크로 캡슐(80)의 표시면측에 흑색 입자(83)를 모음과 함께 화소 전극(21)측에 백색 입자(82)를 모은 후에, 표시할 중간 계조에 따른 소정 기간만큼, 화소 전극(21)과 공통 전극(22) 사이에 상대적으로 공통 전극(22)의 전위가 높아지도록 전압을 인가함으로써, 마이크로 캡슐(80)의 표시면측에 백색 입자(82)를 소정량만큼 이동시킴과 함께 화소 전극(21)측에 흑색 입자(83)를 소정량만큼 이동시킨다. 이 결과, 표시부(3)의 표시면에 백색과 흑색의 중간 계조인 회색을 표시할 수 있다.
또한, 백색 입자(82), 흑색 입자(83)에 이용하는 안료를, 예를 들면 적색, 녹색, 청색 등의 안료로 대신함으로써, 적색, 녹색, 청색 등을 표시할 수 있다.
다음으로, 본 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치의 화소부의 구체적인 회로 구성에 대해, 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한다.
도 4는, 제1 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에서의 화소의 전기적인 구성을 도시하는 등가 회로도이다.
도 4에서, 화소(20)는 화소 스위칭용 트랜지스터(24)와, 메모리 회로(25)와, 스위치 회로(110)와, 화소 전극(21)과, 공통 전극(22)과, 전기 영동 소자(23)와, 캐패시터(310)를 구비하고 있다.
화소 스위칭용 트랜지스터(24)는, 본 발명의 「화소 스위칭 소자」의 일례이며, N형 트랜지스터로 구성되어 있다. 화소 스위칭용 트랜지스터(24)는, 그 게이트가 주사선(40)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 소스가 데이터선(50)에 전기적으 로 접속되어 있고, 그 드레인이 메모리 회로(25)의 입력 단자 N1에 전기적으로 접속되어 있다. 화소 스위칭용 트랜지스터(24)는 데이터선 구동 회로(70)(도 1 참조)로부터 데이터선(50)을 통하여 공급되는 화상 신호를, 주사선 구동 회로(60)(도 1 참조)로부터 주사선(40)을 통하여 펄스적으로 공급되는 주사 신호에 따른 타이밍에서, 메모리 회로(25)의 입력 단자 N1에 출력한다.
메모리 회로(25)는 인버터 회로(25a 및 25b)를 갖고 있고, SRAM으로 구성되어 있다.
인버터 회로(25a 및 25b)는, 서로의 입력 단자에 다른 쪽의 출력 단자가 전기적으로 접속된 루프 구조를 갖고 있다. 즉, 인버터 회로(25a)의 입력 단자와 인버터 회로(25b)의 출력 단자가 서로 전기적으로 접속되고, 인버터 회로(25b)의 입력 단자와 인버터 회로(25a)의 출력 단자가 서로 전기적으로 접속되어 있다. 인버터 회로(25a)의 입력 단자가, 메모리 회로(25)의 입력 단자 N1로서 구성되어 있고, 인버터 회로(25a)의 출력 단자가, 메모리 회로(25)의 출력 단자 N2로서 구성되어 있다.
인버터 회로(25a)는 N형 트랜지스터(25a1) 및 P형 트랜지스터(25a2)를 갖고 있다. N형 트랜지스터(25a1) 및 P형 트랜지스터(25a2)의 게이트는 메모리 회로(25)의 입력 단자 N1에 전기적으로 접속되어 있다. N형 트랜지스터(25a1)의 소스는, 저전위 전원 전위 Vss가 공급되는 저전위 전원선(92)에 전기적으로 접속되어 있다. P형 트랜지스터(25a2)의 소스는, 고전위 전원 전위 VEP가 공급되는 고전위 전원선(91)에 전기적으로 접속되어 있다. N형 트랜지스터(25a1) 및 P형 트랜지스 터(25a2)의 드레인은 메모리 회로(25)의 출력 단자 N2에 전기적으로 접속되어 있다.
인버터 회로(25b)는 N형 트랜지스터(25b1) 및 P형 트랜지스터(25b2)를 갖고 있다. N형 트랜지스터(25b1) 및 P형 트랜지스터(25b2)의 게이트는 메모리 회로(25)의 출력 단자 N2에 전기적으로 접속되어 있다. N형 트랜지스터(25b1)의 소스는, 저전위 전원 전위 Vss가 공급되는 저전위 전원선(92)에 전기적으로 접속되어 있다. P형 트랜지스터(25b2)의 소스는, 고전위 전원 전위 VEP가 공급되는 고전위 전원선(91)에 전기적으로 접속되어 있다. N형 트랜지스터(25b1) 및 P형 트랜지스터(25b2)의 드레인은 메모리 회로(25)의 입력 단자 N1에 전기적으로 접속되어 있다.
메모리 회로(25)는, 그 입력 단자 N1에 하이 레벨의 화상 신호가 입력되면, 그 출력 단자 N2로부터 저전위 전원 전위 Vss를 출력하고, 그 입력 단자 N1에 로우 레벨의 화상 신호가 입력되면, 그 출력 단자 N2로부터 고전위 전원 전위 VEP를 출력한다. 즉, 메모리 회로(25)는 입력된 화상 신호가 하이 레벨인지 로우 레벨인지에 따라서, 저전위 전원 전위 Vss 또는 고전위 전원 전위 VEP를 출력한다. 바꿔 말하면, 메모리 회로(25)는 입력된 화상 신호를, 저전위 전원 전위 Vss 또는 고전위 전원 전위 VEP로서 기억 가능하게 구성되어 있다.
고전위 전원선(91) 및 저전위 전원선(92)은, 전원 회로(210)로부터 각각 고전위 전원 전위 VEP 및 저전위 전원 전위 Vss가 공급 가능하게 구성되어 있다. 고전위 전원선(91) 및 저전위 전원선(92)은 각각, 도시하지 않은 스위치를 통하여 전 원 회로(210)에 전기적으로 접속되어 있고, 각 스위치가 온 상태로 됨으로써, 고전위 전원선(91) 및 저전위 전원선(92)과 전원 회로(210)가 전기적으로 접속되고, 각 스위치가 오프 상태로 됨으로써, 고전위 전원선(91) 및 저전위 전원선(92)은 전기적으로 절단된 하이 임피던스 상태로 된다.
스위치 회로(110)는, 제1 트랜스미션 게이트(111) 및 제2 트랜스미션 게이트(112)를 구비하고 있다.
제1 트랜스미션 게이트(111)는 P형 트랜지스터(111p) 및 N형 트랜지스터(111n)를 구비하고 있다. P형 트랜지스터(111p) 및 N형 트랜지스터(111n)의 소스는, 제1 제어선(94)에 전기적으로 접속되어 있다. P형 트랜지스터(111p) 및 N형 트랜지스터(111n)의 드레인은 화소 전극(21)에 전기적으로 접속되어 있다. P형 트랜지스터(111p)의 게이트는 메모리 회로(25)의 입력 단자 N1에 전기적으로 접속되어 있고, N형 트랜지스터(111n)의 게이트는 메모리 회로(25)의 출력 단자 N2에 전기적으로 접속되어 있다.
제2 트랜스미션 게이트(112)는 P형 트랜지스터(112p) 및 N형 트랜지스터(112n)를 구비하고 있다. P형 트랜지스터(112p) 및 N형 트랜지스터(112n)의 소스는 제2 제어선(95)에 전기적으로 접속되어 있다. P형 트랜지스터(112p) 및 N형 트랜지스터(112n)의 드레인은 화소 전극(21)에 전기적으로 접속되어 있다. P형 트랜지스터(112p)의 게이트는 메모리 회로(25)의 출력 단자 N2에 전기적으로 접속되어 있고, N형 트랜지스터(112n)의 게이트는 메모리 회로(25)의 입력 단자 N1에 전기적으로 접속되어 있다.
스위치 회로(110)는 메모리 회로(25)에 입력되는 화상 신호에 따라서, 제1 제어선(94) 및 제2 제어선(95) 중 어느 한쪽의 제어선을 택일적으로 선택하여, 그 한쪽의 제어선을 화소 전극(21)에 전기적으로 접속한다.
구체적으로는, 메모리 회로(25)의 입력 단자 N1에 하이 레벨의 화상 신호가 입력되면, 메모리 회로(25)로부터 N형 트랜지스터(111n) 및 P형 트랜지스터(112p)의 게이트에 저전위 전원 전위 Vss가 출력됨과 함께, P형 트랜지스터(111p) 및 N형 트랜지스터(112n)의 게이트에 고전위 전원 전위 VEP가 출력됨으로써, 제2 트랜스미션 게이트(112)를 구성하는 P형 트랜지스터(112p) 및 N형 트랜지스터(112n)만이 온 상태로 되고, 제1 트랜스미션 게이트(111)를 구성하는 P형 트랜지스터(111p) 및 N형 트랜지스터(111n)는 오프 상태로 된다. 한편, 메모리 회로(25)의 입력 단자 N1에 로우 레벨의 화상 신호가 입력되면, 메모리 회로(25)로부터 N형 트랜지스터(111n) 및 P형 트랜지스터(112p)의 게이트에 고전위 전원 전위 VEP가 출력됨과 함께, P형 트랜지스터(111p) 및 N형 트랜지스터(112n)의 게이트에 저전위 전원 전위 Vss가 출력됨으로써, 제1 트랜스미션 게이트(111)를 구성하는 P형 트랜지스터(111p) 및 N형 트랜지스터(111n)만이 온 상태로 되고, 제2 트랜스미션 게이트(112)를 구성하는 P형 트랜지스터(112p) 및 N형 트랜지스터(112n)는 오프 상태로 된다. 즉, 메모리 회로(25)의 입력 단자 N1에 하이 레벨의 화상 신호가 입력된 경우에는, 제2 트랜스미션 게이트(112)만이 온 상태로 되고, 한편 메모리 회로(25)의 입력 단자 N1에 로우 레벨의 화상 신호가 입력된 경우에는, 제1 트랜스미션 게이트(111)만이 온 상태로 된다.
제1 제어선(94) 및 제2 제어선(95)은, 전원 회로(210)로부터 각각 제1 화소 전위 S1 및 제2 화소 전위 S2가 공급 가능하게 구성되어 있다. 제1 제어선(94) 및 제2 제어선(95)은 각각, 도시하지 않은 스위치를 통하여 전원 회로(210)에 전기적으로 접속되어 있고, 스위치가 온 상태로 됨으로써, 제1 제어선(94) 및 제2 제어선(95)과 전원 회로(210)가 전기적으로 접속되고, 스위치가 오프 상태로 됨으로써, 제1 제어선(94) 및 제2 제어선(95)은 전기적으로 절단된 하이 임피던스 상태로 된다.
복수의 화소(20)의 각각의 화소 전극(21)은, 스위치 회로(110)에 의해 화상 신호에 따라서 택일적으로 선택된 제어선(94 또는 95)에 전기적으로 접속된다. 그 때, 복수의 화소(20)의 각각의 화소 전극(21)에는, 제1 제어선(94) 및 제2 제어선(95)과 전원 회로(210)간의 스위치의 온 오프 상태에 따라서, 전원 회로(210)로부터 제1 화소 전위 S1 또는 제2 화소 전위 S2가 공급되거나 혹은 하이 임피던스 상태로 된다.
보다 구체적으로는, 로우 레벨의 화상 신호가 공급되는 화소(20)에 대해서는, 제1 트랜스미션 게이트(111)만이 온 상태로 되고, 그 화소(20)의 화소 전극(21)은, 제1 제어선(94)에 전기적으로 접속되고, 스위치의 온 오프 상태에 따라서 전원 회로(210)로부터 제1 화소 전위 S1이 공급되거나, 또는 하이 임피던스 상태로 된다. 한편, 하이 레벨의 화상 신호가 공급되는 화소(20)에 대해서는, 제2 트랜스미션 게이트(112)만이 온 상태로 되고, 그 화소(20)의 화소 전극(21)은, 제2 제어선(95)에 전기적으로 접속되고, 스위치의 온 오프 상태에 따라서 전원 회 로(210)로부터 제2 화소 전위 S2가 공급되거나, 또는 하이 임피던스 상태로 된다.
화소 전극(21)은 전기 영동 소자(23)를 통하여 공통 전극(22)과 서로 대향하도록 배치되어 있다.
공통 전극(22)은 공통 전위 Vcom이 공급되는 공통 전위선(93)에 전기적으로 접속되어 있다. 공통 전위선(93)은 공통 전위 공급 회로(220)로부터 공통 전위 Vcom이 공급 가능하게 구성되어 있다. 공통 전위선(93)은, 도시하지 않은 스위치를 통하여 공통 전위 공급 회로(220)에 전기적으로 접속되어 있다. 스위치가 온 상태로 됨으로써, 공통 전위선(93)과 공통 전위 공급 회로(220)가 전기적으로 접속되고, 스위치가 오프 상태로 됨으로써, 공통 전위선(93)은 전기적으로 절단된 하이 임피던스 상태로 된다.
전기 영동 소자(23)는, 전술한 바와 같이, 전기 영동 입자(82 및 83)를 각각 포함하여 이루어지는 복수의 마이크로 캡슐(80)로 구성되어 있다.
캐패시터(310)는, 본 발명의 「정전 보호 수단」에 포함되는 「용량 소자(제1 용량 소자)」의 일례이며, 화소 전극(21) 및 스위치 회로(110)간을 전기적으로 접속하는 배선과, 저전위 전원 전위 Vss를 공급하는, 본 발명의 「유지 전위 공급선」의 일례인 저전위 전원선(92) 사이에 형성되어 있다. 캐패시터(310)는, 예를 들면 화소 전극(21) 및 스위치 회로(110)간을 전기적으로 접속하는 배선에 대해, 용량 절연막을 개재하여 대향 배치되는 용량 전극층을 형성하고, 용량 전극층을 저전위 전원선(92)과 컨택트 홀 등에 의해 전기적으로 접속함으로써 형성된다. 여기서, 전술한 화소 전극(21) 및 스위치 회로(110)간을 전기적으로 접속하는 배선은, 본 발명의 「하나의 용량 전극」의 일례이며, 용량 절연막은, 본 발명의 「유전체막」의 일례이며, 용량 전극층은, 본 발명의 「다른 용량 전극」의 일례이다. 또한, 용량 전극층은 충분한 용량을 확보하기 위해서도, 비교적 큰 면적을 갖고 있는 것이 바람직하다.
캐패시터(310)는 특히, 본 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치의 제조 공정에서, 스위치 회로(110)가 정전 파괴되는 것을 방지한다. 구체적으로는, 예를 들면 화소 전극(21)에 정전기가 발생함으로써, 스위치 회로(110)에 매우 높은 전압이 인가되어, 스위치 회로(110)를 구성하는 N형 트랜지스터(111n 및 112n)와 P형 트랜지스터(111p 및 112p)가 정전 파괴되는 것을 방지한다.
가령, 화소 전극(21)에 정전기에 의한 전하량 Q가 발생하였다고 한다. 이 경우, 캐패시터의 용량을 C로 하면, 스위치 회로(110)에 인가되는 전압 V는, V=Q/C로 된다. 따라서, 캐패시터(310)에 의해 용량 C를 부가함으로써, 스위치 회로(110)에 인가되는 전압 V는 작게 된다. 캐패시터의 용량 C는, 스위치 회로(110)에 인가되는 전압 V가, 각 소자에서의 파괴 전압을 초과하지 않는 값이면 되고, 전형적으로는 pF(피코 패럿) 오더 이상의 값으로 되는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치의 구동 시에서는, 화소 전극(21)에 인가되는 전압 및 저전위 전원 전위 Vss에 따라서, 캐패시터(310)에 의한 충전 및 방전이 행해지는 것으로 되지만, 이것이 표시부(3)(도 1 참조)에서 표시되는 화상에 악영향을 미치는 것은 거의 혹은 전혀 없다.
도 5는, 제1 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치의 변형예를 나타내는 등 가 회로도(그 1)이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 캐패시터(310)는 저전위 전원선(92) 대신에, 고전위 전원 전위 VEP를 출력하는 고전위 전원선(91)에 전기적으로 접속되도록 구성되어도 된다. 즉, 고전위 전원선(91)을 「유지 전위 공급선」으로 하도록 구성되어도 된다. 이와 같이 구성하는 경우라도, 도 4에 도시한 경우와 마찬가지로, 스위치 회로(110)에 인가되는 전압을 저감하여, 정전 파괴를 방지하는 것이 가능하다.
도 6은, 제1 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치의 변형예를 나타내는 등가 회로도(그 2)이다.
도 6에 도시한 바와 같이, 캐패시터(310)는 저전위 전원선(92) 대신에, 제1 제어선(94)에 전기적으로 접속되도록 구성되어도 된다. 또한, 여기서는 도시하고 있지 않지만 제2 제어선(95)에 전기적으로 접속되도록 구성되어도 된다. 이와 같은, 제1 제어선(94) 또는 제2 제어선(95)에 전기적으로 접속되는 경우의 캐패시터(310)는, 본 발명의 「제2 용량 소자」에 대응한다. 이와 같이 구성하는 경우라도, 도 4에 도시한 경우와 마찬가지로, 스위치 회로(110)에 인가되는 전압을 저감하여, 정전 파괴를 방지하는 것이 가능하다.
화소 전극(21) 및 스위치 회로(110)간을 전기적으로 접속하는 배선에는 장치의 구동 시에서, 스위치 회로(110)를 통하여 제1 화소 전위 S1 및 제2 화소 전위 S2가 인가된다. 즉, 제1 제어선(94) 및 제2 제어선(95)과 서로 동일한 전압이 인가된다. 따라서, 전술한 바와 같이, 캐패시터(310)를 제1 제어선(94) 또는 제2 제어선(95)에 전기적으로 접속하면, 캐패시터(310)의 양단에는 서로 동일한 전압이 인가되는 가능성이 높다. 이 경우, 캐패시터(310)에 충전은 행해지지 않는다. 따라서, 구동 시에서의 소비 전력을 저감할 수 있다.
도 7은, 제1 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치의 변형예를 나타내는 등가 회로도(그 3)이다.
도 7에 도시한 바와 같이, Y 방향으로 서로 인접하는 화소(20)에서는 고전위 전원선(91), 저전위 전원선(92), 공통 전위선(93), 제1 제어선(94) 및 제2 제어선(95)이 공유되는 경우가 있다. 이 경우, 서로 인접하는 화소(20) 중, 하나의 화소에서의 캐패시터(310)를 제1 제어선(94)에 전기적으로 접속하고, 다른 화소에서의 캐패시터(310)를 제2 제어선(95)에 전기적으로 접속하도록 하면, 소비 전력을 저감한다고 하는 효과를 치우치지 않고(즉, 화소 전극에 제1 화소 전위 S1 및 제2 화소 전위 S2 중 어느 하나가 공급되는 경우라도 동일한 정도로) 얻을 수 있다. 즉, 캐패시터(310)가 제1 제어선(94)에 접속되는 화소의 수와, 캐패시터(310)가 제2 제어선(95)에 접속되는 화소의 수가 동일하거나 혹은 대략 동일하게 되도록 함으로써, 보다 바람직하게 소비 전력을 저감할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 제1 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에 따르면, 캐패시터(310)가 형성되어 있기 때문에, 제조 시에서의 스위치 회로(110)의 정전 파괴를 효과적으로 방지하는 것이 가능하다. 또한, 캐패시터(310)에서의 화소 전극(21)과 전기적으로 접속되는 단부와 반대측의 단부는, 전술한 배선 이외에 접속되도록 하여도 된다. 즉, 캐패시터(310)는 스위치 회로(110)에 인가되는 전압을 저감할 수 있고, 또한 장치의 구동 시에서, 화상의 표시에 큰 악영향을 미치지 않 는 범위이면, 회로 내 어떠한 배선에 접속되어도 된다. 또한, 1개의 화소 전극(21)에 대해, 복수의 캐패시터(310)를 형성함으로써, 용량을 확보하도록 하여도 된다.
<제2 실시 형태>
다음으로, 제2 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에 대해, 도 8을 참조하여 설명한다. 또한, 제2 실시 형태는, 전술한 제1 실시 형태와 비교하여, 각 화소에서의 회로 구성이 서로 다르며, 그 밖의 구성에 대해서는 대략 마찬가지이다. 이 때문에 제2 실시 형태에서는, 제1 실시 형태와 서로 다른 부분에 대해서 상세하게 설명하고, 그 밖의 구성에 대해서는 적절하게 설명을 생략한다.
도 8은, 제2 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에서의 화소의 전기적인 구성을 도시하는 등가 회로도이다. 또한, 도 8에서는, 도 2에 도시한 제1 실시 형태에 따른 구성 요소와 마찬가지의 구성 요소에 동일한 참조 부호를 붙이고 있다.
도 8에서, 제2 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에서의 화소(20)는 화소 스위칭용 트랜지스터(24)와, 메모리 회로(25)와, 화소 전극(21)과, 공통 전극(22)과, 전기 영동 소자(23)와, 스위치 회로(110)와, 캐패시터(310)를 구비하고 있다.
스위치 회로(110)는 P형 트랜지스터(110p) 및 N형 트랜지스터(110n)를 구비하고 있다. 즉, 제2 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에서의 스위치 회로(110)는, 제1 실시 형태에서의 스위치 회로(110)와 비교하여, 적은 수의 트랜지스터에 의해 구성되어 있다.
P형 트랜지스터(110p)의 게이트는 메모리 회로(25)의 출력 단자 N2에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, P형 트랜지스터(110p)의 소스는 제2 제어선(95)에 전기적으로 접속되어 있고, P형 트랜지스터(110p)의 드레인은 화소 전극(21)에 전기적으로 접속되어 있다. N형 트랜지스터(110n)의 게이트는 메모리 회로(25)의 출력 단자 N2에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, N형 트랜지스터(110n)의 소스는 제1 제어선(94)에 전기적으로 접속되어 있고, N형 트랜지스터(110n)의 드레인은 화소 전극(21)에 전기적으로 접속되어 있다.
스위치 회로(110)는 메모리 회로(25)에 입력되는 화상 신호에 따라서, 제1 제어선(94) 및 제2 제어선(95) 중 어느 한쪽의 제어선을 택일적으로 선택하고, 그 한쪽의 제어선을 화소 전극(21)에 전기적으로 접속한다.
캐패시터(310)는 화소 전극(21) 및 스위치 회로(110)간을 전기적으로 접속하는 배선과, 저전위 전원 전위 Vss를 공급하는 저전위 전원선(92) 사이에 형성되어 있다. 캐패시터(310)는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 전기 영동 표시 장치의 제조 공정에서 스위치 회로(110)가 정전 파괴되는 것을 방지한다. 구체적으로는, 예를 들면 화소 전극(21)에 정전기가 발생함으로써, 스위치 회로(110)에 매우 높은 전압이 인가되어, 스위치 회로(110)를 구성하는 P형 트랜지스터(110p) 및 N형 트랜지스터(110n)가 정전 파괴되는 것을 방지한다.
이상 설명한 바와 같이, 제2 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에 따르면, 캐패시터(310)가 형성되어 있기 때문에, 제조 시에서의 스위치 회로(110)의 정전 파괴를 효과적으로 방지하는 것이 가능하다.
<제3 실시 형태>
다음으로, 제3 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에 대해, 도 9를 참조하여 설명한다. 또한, 제3 실시 형태는, 전술한 제1 및 제2 실시 형태와 비교하여, 각 화소에서의 회로 구성이 서로 다르며, 그 밖의 구성에 대해서는 대략 마찬가지이다. 이 때문에 제3 실시 형태에서는, 제1 및 제2 실시 형태와 서로 다른 부분에 대해서 상세하게 설명하고, 그 밖의 구성에 대해서는 적절하게 설명을 생략한다.
도 9는, 제3 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에서의 화소의 전기적인 구성을 도시하는 등가 회로도이다. 또한, 도 9에서는, 도 2에 도시한 제1 실시 형태에 따른 구성 요소와 마찬가지의 구성 요소에 동일한 참조 부호를 붙이고 있다.
도 9에서, 제3 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에서의 화소(20)는 화소 스위칭용 트랜지스터(24)와, 메모리 회로(25)와, 화소 전극(21)과, 공통 전극(22)과, 전기 영동 소자(23)와, 캐패시터(310)를 구비하고 있다. 즉, 제3 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에는, 제1 및 제2 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치와 같이 스위치 회로(110)가 구비되어 있지 않고, 메모리 회로(25)로부터의 출력이 직접 화소 전극(21)에 공급된다.
캐패시터(310)는 화소 전극(21) 및 메모리 회로(25)간을 전기적으로 접속하는 배선과, 저전위 전원 전위 Vss를 공급하는 저전위 전원선(92) 사이에 형성되어 있다. 또한, 여기서의 저전위 전원선(92)은, 본 발명의 「유지 전위 공급선」의 일례이다.
캐패시터(310)는 특히, 본 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치의 제조 공정에서, 메모리 회로(25)가 정전 파괴되는 것을 방지한다. 구체적으로는, 예를 들면 화소 전극(21)에 정전기가 발생함으로써, 메모리 회로(25)에 매우 높은 전압이 인가되고, 메모리 회로(25)를 구성하는 트랜지스터(25a1, 25a2, 25b1 및 25b2)가 정전 파괴되는 것을 방지한다.
이상 설명한 바와 같이, 제3 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에 따르면, 캐패시터(310)가 형성되어 있기 때문에, 제조 시에서의 메모리 회로(25)의 정전 파괴를 효과적으로 방지하는 것이 가능하다.
<제4 실시 형태>
다음으로, 제4 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에 대해, 도 10 내지 도 12를 참조하여 설명한다. 또한, 제4 실시 형태는, 전술한 제1 실시 형태와 비교하여, 정전 보호용으로 설치되는 소자가 서로 다르며, 그 밖의 구성에 대해서는 대략 마찬가지이다. 이 때문에 제4 실시 형태에서는, 제1 실시 형태와 서로 다른 부분에 대해서 상세하게 설명하고, 그 밖의 구성에 대해서는 적절하게 설명을 생략한다. 또한, 이후의 실시 형태에서는, 제1 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치와 마찬가지로 4개의 트랜지스터에 의해 구성되는 스위치 회로(110)를 갖는 전기 영동 표시 장치에 대해서 설명하지만, 제2 및 제3 실시 형태에 나타낸 전기 영동 표시 장치에서도 마찬가지의 구성을 취하는 것이 가능하다.
도 10은, 제4 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에서의 화소의 전기적인 구성을 도시하는 등가 회로도이다. 또한, 도 10에서는, 도 2에 도시한 제1 실시 형태에 따른 구성 요소와 마찬가지의 구성 요소에 동일한 참조 부호를 붙이고 있고, 이후의 도면에 대해서도 마찬가지로 한다.
도 10에서, 제4 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에서의 화소(20)는 화소 스위칭용 트랜지스터(24)와, 메모리 회로(25)와, 화소 전극(21)과, 공통 전극(22)과, 전기 영동 소자(23)와, 저항 소자(320)를 구비하고 있다. 즉, 제4 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에는, 제1 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치의 캐패시터(310) 대신에, 저항 소자(320)가 구비되어 있다.
저항 소자(320)는 화소 전극(21) 및 스위치 회로(110)간을 전기적으로 접속하는 배선 상에 형성되어 있다. 저항 소자(320)는 특히, 제1 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에서의 캐패시터(310)와 마찬가지로, 장치의 제조 공정에서, 스위치 회로(110)가 정전 파괴되는 것을 방지한다.
구체적으로는, 저항 소자(320)는 정전기에 기인하여 화소 전극(21)으로부터 스위치 회로(110)에 흐르는 전류를 작게 함으로써, 스위치 회로(110)를 구성하는 N형 트랜지스터(111n 및 112n)와 P형 트랜지스터(111p 및 112p)가 정전 파괴되는 것을 방지한다. 따라서, 저항 소자(320)의 저항값은, 스위치 회로(110)에 파괴 전압(즉, 정전 파괴가 일어날 수 있는 전압)을 초과하는 전압이 인가되지 않도록 전류를 작게 할 수 있는 값인 것이 바람직하다. 또한, 저항 소자(320)를 Si 박막에 의해 구성하는 경우에는, 저항 소자(320)는 높은 전압이 인가되면 열 에너지에 의해 퓨즈와 같이 용단된다. 이를 이용하여, 전위 상승을 억제하는 것도 가능하다.
도 11은, 화소 전극과 저항 소자와 스위치 회로를 구성하는 트랜지스터와의 접속 구성을 개념적으로 도시하는 사시도이다.
도 11에서, 전술한 저항 소자(320)는, 예를 들면 메모리 회로(25)로부터의 출력 전위를 공급하는 참조 부호 501과, 게이트(111g) 및 반도체층(111s)을 포함하여 구성되는 트랜지스터(111n)와, 화소 전극(21)을 전기적으로 접속하는 접속 배선(502)간에 형성된다. 저항 소자(320)는 컨택트(550a 및 550b)에 의해, 접속 배선(502)과 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 저항 소자(320)는, 도면에 도시한 바와 같이 별체로서 형성되는 것이 아니라, 접속 배선(502)이나 화소 전극(21) 자체를 저항값이 높은 재료에 의해 형성하거나, 화소 전극(21)을 고저항의 커버로 덮거나 함으로써 부가되어도 된다.
또한 도면에 도시한 바와 같이, 저항 소자(320)를, 트랜지스터(111n)를 구성하는 반도체층(111s)과 동일한 박막(즉, 동일한 성막 공정에 의해 형성되는 막)에 의해 구성하면, 제조 공정 및 장치 구성이 복잡화하게 되는 것을 방지할 수 있다.
도 12는, 제4 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치의 변형예를 나타내는 등가 회로도이다.
도 12에 도시한 바와 같이, 제4 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치는 저항 소자(320) 외에, 캐패시터(310)를 구비하도록 구성되어도 된다. 이와 같이 구성하면, 저항 소자(320) 및 캐패시터(310)의 양방에 의해, 스위치 회로(110)에 인가되는 전압이 작게 되므로, 보다 효과적으로 스위치 회로(110)의 정전 파괴를 방지할 수 있다.
또한, 캐패시터(310) 및 저항 소자(320)를 조합하여 이용하는 경우에는, 도 면에 도시한 바와 같이, 저항 소자(320)를 캐패시터(310)보다 화소 전극(21)에 가까운 측에 배치함으로써, 보다 바람직하게 정전 파괴를 방지할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 제4 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에 따르면, 저항 소자(320)가 형성되어 있기 때문에, 제조 시에서의 스위치 회로(110)의 정전 파괴를 효과적으로 방지하는 것이 가능하다.
<제5 실시 형태>
다음으로, 제5 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에 대해, 도 13 내지 도 15를 참조하여 설명한다. 또한, 제5 실시 형태는, 전술한 제1 및 제4 실시 형태와 비교하여, 정전 보호용에 형성되는 소자가 서로 다르며, 그 밖의 구성에 대해서는 대략 마찬가지이다. 이 때문에 제5 실시 형태에서는, 제1 및 제4 실시 형태와 서로 다른 부분에 대해서 상세하게 설명하고, 그 밖의 구성에 대해서는 적절하게 설명을 생략한다.
도 13은, 제5 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에서의 화소의 전기적인 구성을 도시하는 등가 회로도이다. 또한, 도 13에서는, 도 2에 도시한 제1 실시 형태에 따른 구성 요소와 마찬가지의 구성 요소에 동일한 참조 부호를 붙이고 있고, 이후의 도면에 대해서도 마찬가지로 한다.
도 13에서, 제5 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에서의 화소(20)는 화소 스위칭용 트랜지스터(24)와, 메모리 회로(25)와, 화소 전극(21)과, 공통 전극(22)과, 전기 영동 소자(23)와, 다이오드(330a 및 330b)를 구비하고 있다. 즉, 제5 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에는, 제1 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치의 캐패시터(310), 제4 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치의 저항 소자(320) 대신에, 2개의 다이오드(330a 및 330b)가 구비되어 있다.
다이오드(330a)는, 화소 전극(21) 및 스위치 회로(110)간을 전기적으로 접속하는 배선과, 저전위 전원 전위 Vss를 공급하는 저전위 전원선(92) 사이에 형성되어 있고, 화소 전극(21)측에만 전류를 흘리는 정류 작용을 갖고 있다. 다이오드(330b)는, 화소 전극(21) 및 스위치 회로(110)간을 전기적으로 접속하는 배선과, 고전위 전원 전위 VEP를 공급하는 고전위 전원선(91) 사이에 형성되어 있고, 화소 전극(21)측에서만 전류를 흘리는 정류 작용을 갖고 있다.
또한, 다이오드(330a 및 330b)는, 제1 실시 형태에서의 캐패시터(310)와 마찬가지로, 스위치 회로(110)에 인가되는 전압을 저감할 수 있고, 또한 장치의 구동 시에서, 화상의 표시에 큰 악영향을 미치지 않는 범위이면, 회로 내 어떠한 배선에 접속되어도 된다. 단, 2개의 다이오드(330a 및 330b)는 서로 역방향의 정류 작용을 갖고 있는 것이 바람직하다.
다이오드(330a 및 330b)는, 제1 실시 형태에서의 캐패시터(310)나 제4 실시 형태에서의 저항 소자(320)와 마찬가지로, 장치의 제조 공정에서, 스위치 회로(110)가 정전 파괴되는 것을 방지한다. 구체적으로는, 다이오드(330a 및 330b)는 정전기에 기인하여 화소 전극(21)으로부터 스위치 회로(110)에 흐르는 전류를 다른 배선으로 빼냄으로써, 스위치 회로(110)를 구성하는 N형 트랜지스터(111n 및 112n)와 P형 트랜지스터(111p 및 112p)가 정전 파괴되는 것을 방지한다.
도 14는, 제5 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치의 변형예를 나타내는 등가 회로도(그 1)이다.
도 14에 도시한 바와 같이, 제5 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에는 다이오드(330a 및 330b) 외에, 캐패시터(310)가 설치되어 있어도 된다. 이와 같이 구성하면, 정전기에 기인하는 전류를 캐패시터(310)의 충전에 사용하면서, 다이오드(330a 및 330b)에 의해 다른 배선으로 빼낼 수 있으므로, 보다 효과적으로 스위치 회로(110)의 정전 파괴를 방지할 수 있다.
도 15는, 제5 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치의 변형예를 나타내는 등가 회로도(그 2)이다.
도 15에 도시한 바와 같이, 제5 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에는 다이오드(330a 및 330b), 캐패시터(310) 외에, 저항 소자(320)가 설치되어 있어도 된다. 이와 같이 구성하면, 정전기에 기인하는 전류를, 다이오드(330), 캐패시터(310) 및 저항 소자(320)의 3 종류의 소자에 의해 작게 하는 것이 가능하다. 따라서 보다 효과적으로 스위치 회로(110)의 정전 파괴를 방지할 수 있다. 또한, 다이오드(330), 캐패시터(310) 및 저항 소자(320)의 3 종류의 소자를 조합하여 이용하는 경우에는, 화소 전극(21)에 가까운 측부터, 저항 소자(320), 캐패시터(310), 다이오드(330)의 순으로 배치함으로써, 보다 바람직하게 정전 파괴를 방지할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 제5 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에 따르면, 다이오드(330)가 설치되어 있기 때문에, 제조 시에서의 스위치 회로(110)의 정전 파괴를 효과적으로 방지하는 것이 가능하다.
<전자 기기>
다음으로, 전술한 전기 영동 표시 장치를 적용한 전자 기기에 대해, 도 16 및 도 17을 참조하여 설명한다. 이하에서는, 전술한 전기 영동 표시 장치를 전자 페이퍼 및 전자 노트에 적용한 경우를 예로 든다.
도 16은, 전자 페이퍼(1400)의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 16에 도시한 바와 같이, 전자 페이퍼(1400)는, 전술한 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치를 표시부(1401)로서 구비하고 있다. 전자 페이퍼(1400)는 가요성을 갖고, 종래의 종이와 마찬가지의 질감 및 유연성을 갖는 재기입 가능한 시트로 이루어지는 본체(1402)를 구비하여 구성되어 있다.
도 17은, 전자 노트(1500)의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 17에 도시한 바와 같이, 전자 노트(1500)는, 도 16에서 도시한 전자 페이퍼(1400)가 복수매 묶여져, 커버(1501)에 끼워져 있는 것이다. 커버(1501)는, 예를 들면 외부의 장치로부터 보내어지는 표시 데이터를 입력하기 위한 표시 데이터 입력 수단(도시 생략)을 구비한다. 이에 의해, 그 표시 데이터에 따라서, 전자 페이퍼가 묶여진 상태 그대로, 표시 내용의 변경이나 갱신을 행할 수 있다.
전술한 전자 페이퍼(1400) 및 전자 노트(1500)는, 전술한 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치를 구비하므로, 제조가 용이함과 함께 신뢰성이 높다.
또한, 이들 외에, 손목 시계, 휴대 전화, 휴대용 오디오 기기 등의 전자 기기의 표시부에, 전술한 본 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치를 적용할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치는, 유기 EL(Electro-Luminescence) 디스플레이 등에 응용하는 것도 가능하다.
본 발명은, 전술한 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 특허 청구 범위 및 명세서 전체로부터 이해되는 발명의 요지 혹은 사상에 위반하지 않는 범위에서 적절하게 변경 가능하고, 그와 같은 변경을 수반하는 전기 영동 표시 장치 및 그 전기 영동 표시 장치를 구비하여 이루어지는 전자 기기도 또한 본 발명의 기술적 범위에 포함되는 것이다.
도 1은 제1 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치의 전체 구성을 도시하는 블록도.
도 2는 제1 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치의 표시부의 부분 단면도.
도 3은 마이크로 캡슐의 구성을 도시하는 모식도.
도 4는 제1 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에서의 화소의 전기적인 구성을 도시하는 등가 회로도.
도 5는 제1 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치의 변형예를 나타내는 등가 회로도(그 1).
도 6은 제1 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치의 변형예를 나타내는 등가 회로도(그 2).
도 7은 제1 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치의 변형예를 나타내는 등가 회로도(그 3).
도 8은 제2 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에서의 화소의 전기적인 구성을 도시하는 등가 회로도.
도 9는 제3 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에서의 화소의 전기적인 구성을 도시하는 등가 회로도.
도 10은 제4 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에서의 화소의 전기적인 구성을 도시하는 등가 회로도.
도 11은 화소 전극과 저항 소자와 스위치 회로를 구성하는 트랜지스터와의 접속 구성을 개념적으로 도시하는 사시도.
도 12는 제4 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치의 변형예를 나타내는 등가 회로도.
도 13은 제5 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치에서의 화소의 전기적인 구성을 도시하는 등가 회로도.
도 14는 제5 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치의 변형예를 나타내는 등가 회로도(그 1).
도 15는 제5 실시 형태에 따른 전기 영동 표시 장치의 변형예를 나타내는 등가 회로도(그 2).
도 16은 전자 페이퍼의 구성을 도시하는 사시도.
도 17은 전자 노트의 구성을 도시하는 사시도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 컨트롤러
20 : 화소
21 : 화소 전극
22 : 공통 전극
23 : 전기 영동 소자
24 : 화소 스위칭용 트랜지스터
25 : 메모리 회로
28 : 소자 기판
29 : 대향 기판
40 : 주사선
50 : 데이터선
60 : 주사선 구동 회로
80 : 마이크로 캡슐
82 : 백색 입자
83 : 흑색 입자
91 : 고전위 전원선
92 : 저전위 전원선
93 : 공통 전위선
94 : 제1 제어선
95 : 제2 제어선
110 : 스위치 회로
210 : 전원 회로
220 : 공통 전위 공급 회로
310 : 캐패시터
320 : 저항 소자
330 : 다이오드

Claims (7)

  1. 전기 영동 입자를 포함하는 전기 영동 소자를 한 쌍의 기판 사이에 협지하여 이루어지고, 복수의 화소로 이루어지는 표시부를 구비한 전기 영동 표시 장치로서,
    상기 한 쌍의 기판 중 한쪽의 기판 상에,
    상기 화소마다 형성된 화소 전극 및 화소 스위칭 소자와,
    상기 화소 전극 및 상기 화소 스위칭 소자 사이에 전기적으로 접속되어 있고, 상기 화소 스위칭 소자를 통하여 공급되는 화상 신호를 유지하는 것이 가능한 메모리 회로와,
    상기 화소 전극 및 상기 메모리 회로 사이에 전기적으로 접속되어 있고, 용량 소자, 저항 소자 및 다이오드 중 적어도 1개를 포함하여 이루어지는 정전 보호 수단
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 전기 영동 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 메모리 회로로부터 출력되는 상기 화상 신호에 기초하는 출력 신호에 따라서, 제1 및 제2 제어선 중 어느 하나를 상기 화소 전극에 전기적으로 접속하는 스위치 회로를 더 구비하고,
    상기 정전 보호 수단은, 상기 화소 전극 및 상기 스위치 회로 사이에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 영동 표시 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 메모리 회로에 대해 상기 화상 신호를 유지하기 위한 유지 전위를 공급하기 위한 유지 전위 공급선을 더 구비하고,
    상기 정전 보호 수단은, 상기 화소 전극에 전기적으로 접속된 하나의 용량 전극과 상기 유지 전위 공급선에 전기적으로 접속된 다른 용량 전극 사이에 유전체막이 협지되어 이루어지는 제1 용량 소자를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기 영동 표시 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 정전 보호 수단은, 상기 화소 전극에 전기적으로 접속된 하나의 용량 전극과 상기 제1 및 제2 제어선 중 어느 하나에 전기적으로 접속된 다른 용량 전극 사이에 유전체막이 협지되어 이루어지는 제2 용량 소자를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기 영동 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 정전 보호 수단은, 상기 메모리 회로가 갖는 트랜지스터를 구성하는 반도체막과 동일막에 의해 형성된 제1 저항 소자를 갖는 것을 특징으로 하는 전기 영동 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 정전 보호 수단은, 상기 저항 소자와, 상기 용량 소자 및 상기 다이오드 중 적어도 한쪽을 포함하고 있고,
    상기 저항 소자는, 상기 용량 소자 및 상기 다이오드보다 상기 화소 전극에 가까운 측에서, 상기 화소 전극에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 영동 표시 장치.
  7. 제1항의 전기 영동 표시 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
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