KR20090120571A - Apparatus and method for cleaning a glass - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판 세정 방법 및 장치에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 케미컬에 의해 공정이 처리된 기판을 세정하는 방법 및 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate cleaning method and apparatus, and more particularly, to a method and apparatus for cleaning a substrate treated with a chemical process.
일반적으로, 반도체 집적 회로 소자 중 하나인 디스플레이 소자는 유리 재질의 기판을 기초로 증착 공정, 식각 공정, 포토리소그래피 공정, 세정 공정 등을 수행하여 제조된다. In general, a display device, which is one of semiconductor integrated circuit devices, is manufactured by performing a deposition process, an etching process, a photolithography process, a cleaning process, or the like based on a glass substrate.
이러한 공정들은 통상적으로, 다양한 종류의 케미컬을 상기 기판에 적용시킴으로써, 진행된다. 특히, 상기 세정 공정은 상기 기판에 묻어 있는 상기 케미컬 또는 이물질을 제거하기 위한 것이므로, 그 마지막에는 탈이온수(DI)와 같은 중성의 세정물을 이용하여 상기 기판을 세정한다.These processes typically proceed by applying various kinds of chemicals to the substrate. In particular, since the cleaning process is for removing the chemical or foreign matter on the substrate, the substrate is cleaned using a neutral cleaning material such as deionized water (DI) at the end.
만약, 이전 공정에서 강산성인 염산(HCl)을 상기 케미컬로써, 사용할 경우, 상기 기판에는 염소(Cl2) 물질이 남아 있게 되고, 이를 제거하기 위하여 상기 세정 공정은 상기 탈이온수를 약 80도 이상의 고온으로 가열하여 상기 기판에 분사하는 방식을 통해 진행된다. 이때, 상기 기판에 남아 있는 염소(Cl2) 물질을 제거하기 위해서는 상대적으로 과다한 량의 상기 탈이온수(DI)가 필요하게 된다. If hydrochloric acid (HCl), which is strongly acidic in the previous process, is used as the chemical, chlorine (Cl 2) material remains on the substrate, and in order to remove it, the cleaning process causes the deionized water to be heated to a temperature of about 80 degrees or more. The heating is performed by spraying on the substrate. In this case, in order to remove chlorine (Cl 2) material remaining on the substrate, a relatively excessive amount of deionized water (DI) is required.
즉, 과다한 량의 상기 탈이온수(DI)로 인하여 공정 비용이 증가하며, 상기 탈이온수(DI)를 가열하기 위해서는 상대적으로 넓은 공간이 필요하고, 에너지도 많이 소모되는 문제점이 있다. That is, the process cost is increased due to the excessive amount of deionized water (DI), a relatively large space is required to heat the deionized water (DI), there is a problem that consumes a lot of energy.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 기판을 세정하기 위한 세정물의 유량을 감소시킬 수 있는 기판 세정 방법을 제공하는 것이다. Accordingly, the present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a substrate cleaning method capable of reducing the flow rate of the cleaning material for cleaning the substrate.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기한 기판 세정 방법이 적용된 기판 세정 장치를 제공하는 것이다. Further, another object of the present invention is to provide a substrate cleaning apparatus to which the substrate cleaning method described above is applied.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 일 특징에 따른 기판 세정 방법이 개시된다. 용액 상태의 제1 세정물을 가열 장소로 일정량만큼 공급한다. 이어, 상기 제1 세정물이 일정량만큼 모두 상기 가열 장소에 공급되었을 때 상기 제1 세정물을 가열하여 스팀 상태의 제2 세정물을 발생시킨다. 이어, 상기 제2 세정물의 분사 압력을 조절하면서 상기 제2 세정물을 기판 상에 분사하여 기판을 세정한다.In order to achieve the above object of the present invention, a substrate cleaning method according to one aspect is disclosed. The first washing in solution is supplied to the heating site by a certain amount. Subsequently, when the first washings are all supplied to the heating place by a predetermined amount, the first washings are heated to generate a second washings in a steam state. Subsequently, the second cleaning material is sprayed onto the substrate while the injection pressure of the second cleaning product is adjusted to clean the substrate.
이때, 상기 세정물을 상기 기판이 이송하는 방향과 수직한 방향을 따라 일괄적으로 분사한다.At this time, the washings are sprayed in a batch along a direction perpendicular to the direction in which the substrate is transferred.
한편, 상기 기판에 상기 제2 세정물을 분사할 때, 상기 제2 세정물의 흐름을 보조하기 위한 캐리어 가스가 유입되고, 상기 제2 세정물의 분사 압력은 상기 캐리어 가스의 압력으로부터 조절될 수 있다.On the other hand, when injecting the second cleaning material to the substrate, a carrier gas for supporting the flow of the second cleaning material is introduced, the injection pressure of the second cleaning material may be adjusted from the pressure of the carrier gas.
상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 일 특징에 따른 기판 세정 장치는 스팀 발생부, 세정물 공급부 및 세정부를 포함한다. 상기 스팀 발생부는 용 액 상태의 제1 세정물을 일정량만큼 공급 받고, 상기 제1 세정물을 가열하여 스팀 상태의 제2 세정물을 발생시킨다. 상기 세정물 공급부는 상기 스팀 발생부에 상기 제1 세정물을 공급한다. 상기 세정부는 상기 스팀 발생부와 연결되고, 상기 제2 세정물의 분사 압력을 조절하면서 상기 제2 세정물을 기판 상에 분사하여 기판을 세정한다.In order to achieve the above object of the present invention, the substrate cleaning apparatus according to one feature includes a steam generating unit, a cleaning material supply unit and a cleaning unit. The steam generator is supplied with a first amount of the first washings in a solution state, and heats the first washings to generate a second washings in the steam state. The cleaning material supply unit supplies the first cleaning material to the steam generator. The cleaning unit is connected to the steam generating unit and cleans the substrate by spraying the second cleaning substance on the substrate while adjusting the injection pressure of the second cleaning substance.
상기 세정부는 상기 기판이 이송하는 방향과 수직한 방향을 따라 길게 설치되고, 상기 스팀 발생부로부터 상기 제2 세정물이 유입되는 배관 및 상기 배관의 길이 방향을 따라 다수 형성되고, 상기 배관으로 유입되는 상기 제2 세정물을 상기 기판에 일괄적으로 분사하는 분사 노즐들을 포함한다.The cleaning unit is installed in a lengthwise direction perpendicular to the direction in which the substrate is transported, a plurality of the cleaning unit is formed along the longitudinal direction of the pipe and the pipe in which the second cleaning material flows from the steam generating unit, and flows into the pipe. And spray nozzles for collectively spraying the second cleaning material onto the substrate.
이에, 상기 분사 노즐들 각각에는 중심에서 외곽으로 멀어질수록 커지는 분사홀들이 형성되고, 상기 분사 노즐들 각각은 상기 분사홀들과 연결되고 상기 제2 세정물을 일정 각도로 균일하게 분산시키기 위한 가이드부를 포함한다.Thus, each of the injection nozzles are formed in the injection hole is larger as the distance away from the center, each of the injection nozzles are connected to the injection holes and the guide for uniformly dispersing the second cleaning material at a predetermined angle Contains wealth.
한편, 상기 기판 세정 장치는 상기 스팀 발생부와 상기 세정부 사이에 연결되고, 상기 제2 세정물의 흐름을 보조하기 위한 캐리어 가스를 제공하는 가스 제공부 및 상기 가스 제공부와 상기 세정부 사이에 설치되고, 상기 제2 세정물의 분사 압력을 조절하기 위하여 상기 캐리어 가스의 압력을 조절하는 압력 조절부를 더 포함할 수 있다.On the other hand, the substrate cleaning device is connected between the steam generating unit and the cleaning unit, the gas providing unit for providing a carrier gas for assisting the flow of the second cleaning material and installed between the gas providing unit and the cleaning unit And a pressure controller configured to adjust the pressure of the carrier gas in order to adjust the injection pressure of the second cleaning material.
또한, 상기 기판 세정 장치는 상기 세정부의 양측에 설치되고, 상기 기판에 에어를 분사하여 상기 제2 세정물이 분사되는 영역을 한정하는 에어 분사부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.The substrate cleaning apparatus may further include an air injection unit disposed at both sides of the cleaning unit and injecting air into the substrate to define an area in which the second cleaning object is injected.
이러한 기판 세정 방법 및 장치에 따르면, 세정물 공급부로부터 공급되는 제1 세정물을 가열하여 스팀 상태의 제2 세정물을 발생시키고, 이렇게 발생된 스팀 상태의 상기 제2 세정물을 기판에 분사하여 세정함으로써, 상대적으로 적은 유량의 상기 제1 세정물을 통하여 상기 기판을 세정할 수 있다. 즉, 상기 제1 세정물의 사용량 감소를 통해 공정 비용을 절감할 수 있다.According to such a substrate cleaning method and apparatus, the first cleaning material supplied from the cleaning material supply unit is heated to generate a second cleaning material in a steam state, and the second cleaning material in the steam state is sprayed onto the substrate to be cleaned. Thereby, the said board | substrate can be cleaned through the said 1st washing | cleaning material of a relatively small flow volume. That is, the process cost can be reduced by reducing the amount of the first cleaning material used.
또한, 상기 제1 세정물을 가열하기 위한 공간 뿐만 아니라, 소모되는 에너지로 절약할 수 있다.In addition, it is possible to save not only the space for heating the first cleaning matter, but also the energy consumed.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 세정 방법 및 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a substrate cleaning method and apparatus according to an embodiment of the present invention. As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the drawings, similar reference numerals are used for similar elements. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown in an enlarged scale than actual for clarity of the invention.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described on the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.On the other hand, unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 기판 세정 장치의 세정부를 구체적으로 나타낸 사시도이며, 도 3은 도 2에 도시된 세정부를 정면에서 바라본 도면이다.1 is a configuration diagram schematically showing a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a perspective view showing in detail the cleaning portion of the substrate cleaning apparatus shown in Figure 1, Figure 3 is shown in Figure 2 It is the figure which looked at the cleaned part from the front.
도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장 치(1000)는 세정물 공급부(100), 스팀 발생부(200) 및 세정부(300)를 포함한다. 1, 2 and 3, the
상기 세정물 공급부(100)는 상온을 유지하는 용액 상태의 제1 세정물(c)을 일정량만큼 공급한다. 여기서, 상기 제1 세정물(c)은 기판(G)을 대상으로 하는 집적 회로 소자의 제조 공정에 있어서 다양하게 사용되는 케미컬을 상기 기판(G)으로부터 제거하기 위한 물질이다. 이때, 상기 기판(G)은 디스플레이 소자를 제조하는데 사용되는 유리 기판 또는 반도체 소자를 제조하는데 사용되는 반도체 기판일 수 있다. 한편, 상기 제1 세정물(c)은 일 예로, 상기 케미컬과의 화학 반응을 방지할 수 있는 중성의 탈이온수(DI)를 들 수 있다. The cleaning
이때, 상기 탈이온수(DI)로 이루어진 상기 제1 세정물(c)은 이전 공정에서 상기 기판(G)을 대상으로 염산(HCl)과 같은 강산의 케미컬을 사용할 경우, 상기 기판(G)에는 염소(Cl2) 물질이 잔존함에 따라 이를 효과적으로 제거하기 위하여 약 80도 이상의 고온으로 가열할 필요성이 있다. In this case, when the first cleaning material (c) made of deionized water (DI) uses a chemical of strong acid such as hydrochloric acid (HCl) for the substrate (G) in the previous process, the chlorine may be used on the substrate (G). As the (Cl2) material remains, it is necessary to heat it to a high temperature of about 80 degrees or more in order to effectively remove it.
이에, 상기 스팀 발생부(200)는 상기 세정물 공급부(100)와 연결된다. 상기 스팀 발생부(200)는 상기 세정물 공급부(100)로부터 용액 상태의 상기 제1 세정물(c)을 공급 받는다. 상기 스팀 발생부(200)는 공급 받은 상기 제1 세정물(c)을 실질적으로 상기 약 80도 이상의 고온으로 가열한다. Thus, the
이럼으로써, 상기 스팀 발생부(200)는 상기 제1 세정물(c)을 가열하여 스팀 상태의 제2 세정물(s)을 발생시킨다. 이러한 상기 제2 세정물(s)은 분자들이 분산된 상태를 이룸에 따라, 용액 상태로 응집된 상기 제1 세정물(c)에 비하여 전체적인 접촉 면적이 넓은 특징을 갖는다. 즉, 상기 기판(G)의 세정을 위하여 일정 접 촉 면적이 요구될 경우, 상기 제2 세정물(s)은 용액 상태의 상기 제1 세정물(c)보다 상대적으로 적은 량이 사용될 수 있다.As a result, the
상기 세정부(300)는 상기 스팀 발생부(200)와 연결된다. 상기 세정부(300)는 상기 스팀 발생부(200)로부터 스팀 상태의 상기 제2 세정물(s)을 공급 받는다. 상기 세정부(300)는 공급 받은 스팀 상태의 상기 제2 세정물(s)을 상기 기판(G)에 그 분사 압력을 조절하여 분사함으로써, 상기 기판(G)으로부터 상기 케미컬을 제거하여 세정한다. The
이에, 상기 기판 세정 장치(1000)는 상기 스팀 발생부(200)와 상기 세정부(300) 사이에 연결된 가스 제공부(700) 및 상기 가스 제공부(700)와 상기 세정부(300) 사이에 설치된 압력 조절부(800)를 더 포함한다.Thus, the
상기 가스 제공부(700)는 상기 제2 세정물(s)의 흐름을 보조하기 위한 캐리어 가스(N)를 제공한다. 상기 캐리어 가스(N)는 반응성이 배제된 질소(N2) 또는 아르곤(Ar)과 같은 불활성 가스를 포함할 수 있다.The
상기 압력 조절부(800)는 상기 제2 세정물(s)의 분사 압력을 조절하기 위하여 상기 캐리어 가스(N)의 압력을 조절한다. 이는, 상기 제2 세정물(s)의 분사 압력을 직접적으로 조절하는 것보다 상기 캐리어 가스(N)의 압력을 조절하는 것이 더 용이하기 때문이다. The
상기 세정부(300)는 어느 한 위치에 고정되어 있고, 상기 기판(G)이 다수의 롤러(10)들에 의해 이송된다. 즉, 상기 세정부(300)는 상기 기판(G)을 상기 롤러(10)들에 의해 이송시키면서 세정한다.The
상기 세정부(300)는 상기 세정물 공급부(100) 및 상기 스팀 발생부(200)와 달리, 별도의 공정 챔버(20)의 내부에 설치될 수 있다. 이는, 상기 세정부(300)로부터 상기 기판(G)에 분사되는 상기 제2 세정물(s)을 수용하면서 외부로 누출되는 것을 방지하기 위해서이다.The
따라서, 상기 세정물 공급부(100)로부터 공급되는 상기 제1 세정물(c)을 가열하여 스팀 상태의 상기 제2 세정물(s)을 발생시키고, 이렇게 발생된 스팀 상태의 상기 제2 세정물(s)을 상기 기판(G)에 분사하여 세정함으로써, 상대적으로 적은 유량의 상기 제1 세정물(c)을 통하여 상기 기판(G)을 세정할 수 있다. 즉, 상기 제1 세정물(c)의 사용량 감소를 통해 공정 비용을 절감할 수 있다.Therefore, the first cleaning material (c) supplied from the cleaning
또한, 상기 제1 세정물(c)을 가열하기 위한 공간 뿐만 아니라, 소모되는 에너지로 절약할 수 있다.In addition, not only a space for heating the first cleaning material c, but also energy consumption may be saved.
한편, 상기 세정부(300)는 배관(310) 및 분사 노즐(320)들을 포함한다. 상기 배관(310)은 상기 기판(G)의 어느 한 폭을 따라 길게 설치된다. 구체적으로, 상기 배관(310)은 상기 기판(G)의 이송 방향과 수직한 폭을 따라 설치된다. 상기 배관(310)에는 상기 스팀 발생부(200)로부터 스팀 상태의 상기 제2 세정물(s)이 유입된다. On the other hand, the
상기 분사 노즐(320)들은 상기 기판(G)의 길이 방향을 따라 일정한 간격으로 다수가 설치된다. 상기 분사 노즐(320)들은 상기 배관(310)으로 유입된 스팀 상태의 상기 제2 세정물(s)을 공급 받아서 상기 기판(G)에 일괄적으로 분사한다. The
이와 같이, 상기 세정부(300)는 상기 배관(310)을 상기 기판(G)의 이송 방향 과 수직한 폭을 따라 설치한 다음, 상기 분사 노즐(320)들을 통해 상기 기판(G)에 상기 제2 세정물(s)을 분사함으로써, 상기 기판(G)이 이송하는 도중 상기 기판(G)을 한번에 세정할 수 있다. As such, the
이하, 상기 분사 노즐들의 구조를 도 4 및 도 5를 추가적으로 참조하여 보다 상세하게 설명하고자 한다. Hereinafter, the structure of the spray nozzles will be described in more detail with reference to FIGS. 4 and 5.
도 4는 도 3의 A부분의 확대도이고, 도 5는 도 4에 도시된 세정부(300)의 분사 노즐(320)을 밑에서 바라본 도면이다.FIG. 4 is an enlarged view of a portion A of FIG. 3, and FIG. 5 is a view of the
도 4 및 도 5를 추가적으로 참조하면, 상기 분사 노즐(320)들 각각은 단부에 스팀 상태의 상기 제2 세정물(s)을 상기 기판(G)에 그 폭을 따라 균일하게 분사시키기 위하여 상기 제2 세정물(s)을 일정 각도로 균일하게 분산시키기 위한 가이드부(322)를 포함한다.4 and 5, each of the
상기 가이드부(322)는 상기 제2 세정물(s)이 상기 배관(310)으로부터 실질적으로 유입되는 중심으로부터 상기 제2 세정물(s)을 외곽으로 가이드 하도록 상기 중심으로부터 외곽으로 테이퍼진 면(323)을 포함한다. 이때, 상기 가이드부(322)의 단부에는 상기 제2 세정부(300)를 보다 더 분산시키기 위하여 다수의 분산 돌기(미도시)들이 형성될 수 있다. The
상기 분사 노즐(320)들 각각에는 상기 배관(310)으로부터 유입되는 상기 제2 세정물(s)이 상기 기판(G)에 그 폭을 따라 균일한 량으로 분사되도록 하기 위하여 중심으로부터 외곽으로 멀어질수록 크기가 커지는 분사홀(324)들이 형성된다. Each of the
이는, 상기 배관(310)으로부터 상기 제2 세정물(s)이 상기 분사 노즐(320)의 중심으로 우선 유입되기 때문이다. 즉, 상기 분사 노즐(320)의 중심에서는 상기 제2 세정물(s)의 분사가 상기 외곽보다 더 용이하게 이루어질 수 있기 때문에, 상기 분사홀(324)들은 중심에서보다 외곽을 더 크게 형성하는 것이다. This is because the second cleaning material s first flows into the center of the
이와 같이, 상기 분사 노즐(320)은 상기 가이드부(322)와 상기 분사홀(324)들을 통하여 상기 기판(G)에 그 폭을 따라 균일한 량으로 일정하게 상기 제2 세정물(s)을 분사할 수 있다.As such, the
한편, 상기 기판 세정 장치(1000)는 상기 공정 챔버(20)의 내부에서 상기 세정부(300)의 양측에 설치된 에어 분사부(400)를 더 포함한다. 상기 에어 분사부(400)는 구체적으로 상기 공정 챔의 입구 또는 출구에 인접하게 설치된다.On the other hand, the
상기 에어 분사부(400)는 상기 세정부(300)로부터 분사되는 상기 제2 세정물(s)이 상기 공정 챔버(20)의 입구 또는 출구로부터 외부로 누출되는 방지하면서 상기 제2 세정물(s)이 분사되는 영역을 한정한다. The
이를 위하여, 상기 에어 분사부(400)는 상기 공정 챔버(20)의 입구 또는 출구에서 상기 세정부(300)가 설치된 방향으로 경사지게 외부로부터 공급 받은 상기 에어(a)를 상기 기판(G)에 분사할 수 있다.To this end, the
또한, 상기 기판 세정 장치(1000)는 상기 세정물 공급부(100)와 상기 스팀 발생부(200) 사이에 연결된 유량 제어부(500)를 더 포함한다. 상기 유량 제어부(500)는 스팀 상태의 상기 제2 세정물(s)을 상기 스팀 발생부(200)에서 발생시키기 위한 용액 상태의 상기 제1 세정물(c)의 유량을 조절한다.In addition, the
즉, 상기 유량 제어부(500)를 통하여 상기 세정물 공급부(100)로부터 상기 제1 세정물(c)을 일정량만큼만 상기 스팀 발생부(200)에 공급하도록 제어함으로써, 상기 제1 세정물(c)이 낭비되는 것을 방지하는 역할을 한다. That is, the first cleaning material c is controlled by supplying only the predetermined amount of the first cleaning material c to the
이하, 도 6을 참조하여 상기 기판 세정 장치(1000)를 이용하여 실질적으로 기판(G)을 세정하는 방법에 대하여 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, a method of substantially cleaning the substrate G by using the
도 6은 도 1에 도시된 기판 세정 장치를 이용하여 기판을 세정하는 방법을 나타낸 순서도이다. FIG. 6 is a flowchart illustrating a method of cleaning a substrate using the substrate cleaning apparatus shown in FIG. 1.
도 1 및 도 6을 참조하면, 상기 기판(G)을 세정하기 위하여 우선, 용액 상태의 상기 제1 세정물(c)을 가열 장소에 설치된 상기 스팀 발생부(200)에 공급한다(S10). 1 and 6, in order to clean the substrate G, first, the first cleaning material c in a solution state is supplied to the
이때, 상기 제1 세정물(c)이 일정량만큼만 상기 스팀 발생부(200)에 공급되도록 하기 위하여 상기 유량 제어부(500)를 통하여 그 유량을 제어한다.At this time, the flow rate is controlled through the flow
이어, 상기 제1 세정물(c)이 일정량만큼만 상기 스팀 발생부(200)에 공급되었을 때 상기 제1 세정물(c)을 상기 스팀 발생부(200)를 통해 가열하여 스팀 상태의 제2 세정물(s)을 발생시킨다(S20). 이러한 상기 제2 세정물(s)은 분자들이 분산된 구조를 가짐으로써, 상기 제1 세정물(c)보다 상대적으로 넓은 접촉 면적을 갖는다. 즉, 상기 제2 세정물(s)은 일정한 접촉 면적에 대하여 상기 제1 세정물(c)보다 적은 량이 사용될 수 있다. Subsequently, when the first cleaning material c is supplied to the
이어, 스팀 상태의 상기 제2 세정물(s)을 상기 세정부(300)를 통해 상기 기판(G) 상에 그 분사 압력을 조절하여 분사함으로써, 상기 기판(G)을 세정한다(S30). 이때, 상기 세정부(300)는 상기 기판(G)의 이송 방향과 수직한 폭을 따라 일괄적으로 분사한다. 이로써, 상기 기판(G)의 이송에 따라 상기 기판(G)을 한번에 세정할 수 있다. Subsequently, the substrate G is cleaned by controlling the injection pressure of the second cleaning material s in a steam state on the substrate G through the cleaning part 300 (S30). In this case, the
따라서, 상기 기판(G)을 세정하는데 스팀 상태의 상기 제2 세정물(s)을 사용함으로써, 상기 제2 세정물(s)을 발생시키기 위한 상기 제1 세정물(c)의 유량을 감소시킬 수 있다. Therefore, by using the second cleaning material s in a steam state for cleaning the substrate G, the flow rate of the first cleaning material c for generating the second cleaning material s can be reduced. Can be.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 세정 장치의 세정부를 정면에서 바라본 도면이다.7 is a front view of the cleaning part of the substrate cleaning apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 세정 장치(1100)는 배관(610)으로 이루어진 세정부(600)를 포함한다.Referring to FIG. 7, the
상기 배관(610)은 기판(G)의 어느 폭을 따라 길게 설치된다. 상기 배관(610)에는 스팀 상태의 제2 세정물(s)을 상기 기판(G)에 상기 폭을 따라 일괄적으로 분사하기 위한 분사홀(612)들이 형성된다.The
이로써, 상기 세정부(600)는 상기 분사홀(612)과 같은 단순 가공으로 이를 제작하기 위한 비용을 절감할 수 있다. As a result, the
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. Although the detailed description of the present invention has been described with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art will have the idea of the present invention described in the claims to be described later. It will be understood that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the present invention.
상술한 본 발명은 세정물 공급부로부터 공급되는 제1 세정물을 가열하여 스팀 상태의 제2 세정물을 발생시키고, 이렇게 발생된 스팀 상태의 상기 제2 세정물을 기판에 분사하여 세정함으로써, 상대적으로 적은 유량의 상기 제1 세정물을 통하여 상기 기판을 세정하는 장치에 이용될 수 있다. The present invention described above is relatively heated by heating the first cleaning material supplied from the cleaning material supply unit to generate a second cleaning product in a steam state, and spraying the second cleaning product in the steam state generated on the substrate to clean the substrate. It can be used in an apparatus for cleaning the substrate through the first cleaning of a small flow rate.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다. 1 is a schematic view showing a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2는 도 1에 도시된 기판 세정 장치의 세정부를 구체적으로 나타낸 사시도이다. FIG. 2 is a perspective view specifically showing a cleaning unit of the substrate cleaning apparatus shown in FIG. 1.
도 3은 도 2에 도시된 세정부를 정면에서 바라본 도면이다.3 is a front view of the cleaning unit shown in FIG. 2.
도 4는 도 3의 A부분의 확대도이다.4 is an enlarged view of a portion A of FIG. 3.
도 5는 도 4에 도시된 세정부의 분사 노즐을 밑에서 바라본 도면이다.FIG. 5 is a view of the spray nozzle of the cleaner shown in FIG. 4 as viewed from below. FIG.
도 6은 도 1에 도시된 기판 세정 장치를 이용하여 기판을 세정하는 방법을 나타낸 순서도이다. FIG. 6 is a flowchart illustrating a method of cleaning a substrate using the substrate cleaning apparatus shown in FIG. 1.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 세정 장치의 세정부를 정면에서 바라본 도면이다.7 is a front view of the cleaning part of the substrate cleaning apparatus according to another embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
c : 제1 세정물 s : 제2 세정물c: first wash s: second wash
G : 기판 20 : 공정 챔버G: substrate 20: process chamber
100 : 세정물 공급부 200 : 스팀 발생부100: cleaning material supply unit 200: steam generating unit
300 : 세정부 310 : 배관300: cleaning unit 310: piping
320 : 분사 노즐 400 : 에어 분사부320: injection nozzle 400: air injection unit
500 : 유량 제어부 1000 : 기판 세정 장치500 flow
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