KR20090119370A - Appratus for treating substrate - Google Patents

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유경한
이승호
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주성엔지니어링(주)
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Abstract

PURPOSE: An apparatus for treating a substrate is provided to secure process uniformity in depositing a thin film or etching the thin film by preventing degradation of process gas. CONSTITUTION: An apparatus for treating a substrate is composed of a chamber, a first gas spraying unit, a substrate mounting unit, a second gas spraying unit, and a gas division unit. The chamber(114) provides a reaction space and has an exhaust pipe(142). The first gas spraying unit(122) is installed inside the chamber, and the first gas spraying unit supplies a process gas. The substrate mounting unit(118) is faced with the gas spraying unit and receives the substrate(116). A second gas spraying unit is installed at a lower part of the substrate mounting unit and supplies the purge gas. A gas division unit is installed between the substrate mounting unit and a chamber inner wall and separates the process gas from a purge gas, and then discharges it.

Description

기판처리장치{Appratus for Treating Substrate}Substrate Processing Apparatus {Appratus for Treating Substrate}

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 기판안치수단을 구비하는 기판처리장치에 있어서, 기판 상의 박막 증착 또는 식각에 영향을 주지 않으면서, 챔버 내부의 가스를 배기하는 기판처리장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus having a substrate settling means, wherein the substrate processing apparatus exhausts gas in a chamber without affecting deposition or etching of a thin film on a substrate. It is about.

일반적으로, 기판처리장치는 기판을 한장씩 처리하는 매엽식과, 다수의 기판을 일괄적으로 처리하는 배치 타입으로 구분된다. 그리고, 4-5장 정도의 기판을 처리하는 기판처리장치를 세미 배치타입이라고 한다. 세미배치 타입의 기판처리장치는 기판이 안치되는 다수의 서셉터를 포함하는 디스크를 설치한다. 세미배치 형태의 기판처리장치는 다수의 기판을 다수의 서셉터 상에 각각 안치시킨 후에 기판을 공정 온도로 가열하고 박막증착 또는 식각공정을 진행한다. 그러나, 챔버 내부의 가스를 배기할 때, 기판안치수단의 주변에서 공정가스가 기판안치수단의 하부에서 분사되는 퍼지가스와 혼합되는 것에 의해, 공정가스의 농도를 저하시켜고, 이로 인해, 기판안치수단의 주변에서 기판 상에 증착되는 박막 및 식각되는 박막의 균일성을 저해한다. Generally, substrate processing apparatuses are classified into a sheet type for processing substrates one by one and a batch type for processing a plurality of substrates in a batch. And the substrate processing apparatus which processes about 4-5 sheets of board | substrates is called semi-batch type. The semi-batch type substrate processing apparatus installs a disk including a plurality of susceptors on which a substrate is placed. In a semi-batch type substrate processing apparatus, a plurality of substrates are placed on a plurality of susceptors, respectively, and then the substrates are heated to a process temperature and a thin film deposition or etching process is performed. However, when the gas inside the chamber is exhausted, the process gas is mixed with the purge gas injected from the lower portion of the substrate placing means in the vicinity of the substrate placing means, thereby lowering the concentration of the process gas, and thereby It inhibits the uniformity of the thin film deposited on the substrate and the thin film to be etched in the vicinity of the means.

도 1 및 도 2를 참조하여, 종래기술의 기판처리장치에 대하여 설명하면 다음과 같다.Referring to Figures 1 and 2, the substrate processing apparatus of the prior art will be described.

도 1은 종래기술의 기판처리장치의 모식도이고, 도 2는 종래기술의 기판처리장치의 가스흐름도이다. 1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus of the prior art, Figure 2 is a gas flow diagram of the substrate processing apparatus of the prior art.

기판처리장치(12)는 반응공간을 제공하는 챔버(14), 챔버(14)의 내부에 배치되어, 다수의 기판(16)이 안치되는 기판안치수단(18), 기판안치수단(18)의 하부에 위치하는 가열수단(20), 기판안치수단(18)과 대향하여 챔버(14)의 내부에 공정가스를 공급하는 가스분사수단(22), 기판안치수단(18)을 승하강 또는 회전시키는 샤프트(24), 및 챔버(14) 내부의 공정가스를 배기시키는 배기수단(26)을 포함한다. 그리고, 챔버(14) 내부의 공정가스를 배기시킬 때, 기판안치수단(18)의 하부로 공정가스가 유입되지 않도록 퍼지가스를 분사하는 퍼지가스 분사수단(40)이 설치된다.The substrate processing apparatus 12 is disposed in the chamber 14 and the chamber 14 that provides a reaction space, and includes a substrate placing means 18 and a substrate placing means 18 in which a plurality of substrates 16 are placed. Raising or lowering the heating means 20 positioned below, the gas injection means 22 for supplying a process gas into the chamber 14 and the substrate placing means 18 opposite to the substrate placing means 18. The shaft 24 and exhaust means 26 for exhausting the process gas inside the chamber 14 are included. Then, when the process gas inside the chamber 14 is exhausted, purge gas injection means 40 is installed to inject the purge gas so that the process gas does not flow into the lower portion of the substrate mounting means 18.

기판안치수단(18)은 기판(16)이 안치되는 다수의 서셉터(28)와, 다수의 서셉터(28)를 지지하는 디스크(30)으로 구성된다. 가열수단(20)은 발열램프와 같은 광학식 열원(32)과. 광학식 열원(32)을 고정시키는 고정부(34)를 포함한다. 방지벽(36)은 가열수단(20)의 주위를 둘러싸는 형태이고, 챔버(14) 내부의 공정가스의 유입을 방지하는 기능을 한다. 방지벽(36)과 기판안치수단(18) 사이의 분사부(38)를 통하여 퍼지가스 분사수단(40)에서 공급되는 퍼지가스가 분출되는 것에 의해, 기판안치수단(18)의 하부로 공정가스가 유입되는 것을 방지한다. The substrate mounting means 18 is composed of a plurality of susceptors 28 on which the substrate 16 is placed, and a disk 30 supporting the plurality of susceptors 28. The heating means 20 includes an optical heat source 32 such as a heating lamp. And a fixing part 34 for fixing the optical heat source 32. The blocking wall 36 is formed to surround the heating means 20, and serves to prevent inflow of process gas into the chamber 14. The purge gas supplied from the purge gas injection means 40 is ejected through the injection portion 38 between the barrier wall 36 and the substrate settlement means 18, thereby lowering the process gas to the lower portion of the substrate settlement means 18. To prevent inflow.

박막을 증착하거나 또는 박막을 식각하기 위한 공정가스가 기판안치수단(18)의 하부로 유입되면, 기판안치수단(18)을 포함한 부품 등을 손상할 수 있기 때문에, 공정가스의 유입을 방지하기 위한 방지벽(36)과 퍼지가스 분사수단(40)을 설치한다. 챔버(14)의 하부에 설치되는 배기수단(26)은, 펌핑 포트(46), 배기구(42), 및 배기구(42)로부터 분출되는 가스를 배출시키기 위한 배기펌프(44)를 포함한다. When a process gas for depositing a thin film or etching a thin film flows into the lower portion of the substrate placing means 18, the components including the substrate placing means 18 may be damaged, thereby preventing the inflow of the process gas. The prevention wall 36 and the purge gas injection means 40 are provided. The exhaust means 26 provided in the lower portion of the chamber 14 includes a pumping port 46, an exhaust port 42, and an exhaust pump 44 for discharging gas ejected from the exhaust port 42.

기판처리장치(12)에서, 기판(16)을 기판안치수단(18)에 안치시키고, 기판(16) 상에 박막을 증착하거나, 박막을 식각하기 위하여 가스분사수단(22)으로부터 공정가스를 공급하고, 공정가스가 기판안치수단(18)의 하부로 유입되지 않도록 퍼지가스 분사수단(40)을 통하여 퍼지가스를 공급하면, 도 2에서 도시한 기판처리장치의 가스 흐름도와 같이, 가스분사수단(22)로부터 공급되는 공정가스와 분사구(38)에서 분출되는 퍼지가스가 배기구(42)와 대응되는 기판안치수단(18)과 챔버(14) 사이의 공간에서 난류(turbulence)를 발생시키고, 난류로 인해 공정가스와 퍼지가스가 혼합되어, 기파안치수단(18)의 주변부에서 공정가스의 농도를 저하시킨다. 공정가스의 농도저하는 기판(16) 상에 증착되는 박막의 두께를 다른 부분과 비교하여 상대적으로 얇게 하거나, 또는 박박의 식각 깊이를 낮게 하여, 공정의 균일성을 저해한다. In the substrate processing apparatus 12, the substrate 16 is placed in the substrate placing means 18, and a process gas is supplied from the gas injection means 22 to deposit a thin film on the substrate 16 or to etch the thin film. When the purge gas is supplied through the purge gas injection means 40 so that the process gas does not flow into the lower portion of the substrate setter 18, as shown in the gas flow chart of the substrate processing apparatus shown in FIG. The process gas supplied from 22 and the purge gas ejected from the injection port 38 generate turbulence in the space between the substrate holding means 18 and the chamber 14 corresponding to the exhaust port 42, and the turbulence furnace Due to this, the process gas and the purge gas are mixed to reduce the concentration of the process gas at the periphery of the air settling means 18. The decrease in the concentration of the process gas makes the thickness of the thin film deposited on the substrate 16 relatively thin compared to other portions, or lowers the etching depth of the foil, thereby impairing the uniformity of the process.

상기와 같은 종래기술의 문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 기판안치수단의 주변에 가스분리수단을 설치하고, 공정가스와 퍼지가스를 분리하여 배기시키는 것에 의해, 기판안치대의 주변에서 공정가스의 농도저하를 방지하여, 균일한 공정을 진행시킬 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the problems of the prior art as described above, the present invention provides a concentration of the process gas in the periphery of the substrate stabilizer by providing a gas separation means around the substrate settling means and separating and exhausting the process gas and the purge gas. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of preventing a decrease and advancing a uniform process.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 반응공간을 제공하고 배기구를 가지는 챔버; 상기 챔버의 내부에 설치되고, 공정가스를 공급하는 제 1 가스분사수단; 상기 가스분사수단과 대향하고, 기판을 안치하는 기판안치수단; 상기 기판안치수단의 하부에서 퍼지가스를 공급하는 제 2 가스분사수단; 상기 기판안치수단과 상기 챔버 내벽 사이에 설치되고, 상기 공정가스와 상기 퍼지가스를 분리하여 배기시키는 가스분리수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.Substrate processing apparatus according to the present invention for achieving the above object, the chamber providing a reaction space and having an exhaust port; First gas injection means installed in the chamber and supplying a process gas; Substrate holding means opposed to the gas injection means and for placing a substrate; Second gas injection means for supplying purge gas from the lower portion of the substrate setter; And gas separation means disposed between the substrate setter and the chamber inner wall to separate and exhaust the process gas and the purge gas.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 가스분리수단은 상기 공정가스를 상기 챔버의 내벽 방향으로 유도하기 위한 유도판과, 상기 유도판의 하부에서 연장되고, 상기 챔버의 저면과 이격되어 상기 퍼지가스와 상기 공정가스를 분리하기 위한 분리판을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the substrate treating apparatus as described above, the gas separation means includes an induction plate for guiding the process gas in an inner wall direction of the chamber, a lower portion of the induction plate, and spaced apart from a bottom surface of the chamber. And a separator for separating the process gas.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 기판안치수단과 인접한 상기 유도판의 하부에 설치되며, 상기 분리판과 함께 상기 퍼지가스를 배기시키기 위해, 상기 분리판과 함께 한 제 1 공간을 제공하는 제 1 지지대와, 상기 유도판과 상기 챔 버 내벽 사이에 설치되며, 상기 공정가스를 배기시키기 위해, 상기 분리판과 함께 제 2 공간을 제공하는 제 2 지지대를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, a first space provided in the lower portion of the guide plate adjacent to the substrate holding means, and providing a first space with the separator plate to exhaust the purge gas together with the separator plate. And a second support provided between the first support, the guide plate, and the chamber inner wall, and providing a second space together with the separator to exhaust the process gas.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 배기구는 상기 분리판과 대응되는 위치에 설치되는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the exhaust port is characterized in that provided in a position corresponding to the separator.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 유도판과 상기 제 1 지지대는 다수의 제 1 연결부에 의해 연결되고, 상기 유도판과 상기 제 2 지지대는 다수의 제 2 연결부에 의해 연결되는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the guide plate and the first support is connected by a plurality of first connection, characterized in that the guide plate and the second support is connected by a plurality of second connection. .

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 기판안치수단과 인접한 상기 유도판의 하부에 설치되며, 상기 분리판과 함께 상기 퍼지가스를 배기시키기 위해, 상기 분리판과 함께 한 제 1 공간을 제공하는 제 1 지지대와, 상기 유도판과 상기 챔버 내벽 사이에 상기 공정가스를 배기시키기 위한 제 2 공간이 제공되고, 상기 제 2 공간에서 상기 유도판을 지지하기 위한 제 2 지지대를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, a first space provided in the lower portion of the guide plate adjacent to the substrate holding means, and providing a first space with the separator plate to exhaust the purge gas together with the separator plate. A first support is provided, and a second space for exhausting the process gas is provided between the guide plate and the chamber inner wall, and a second support for supporting the guide plate in the second space.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 제 2 지지대는 상기 공정가스가 통과할 수 있는 스트라이프 또는 격자형상의 다수의 개구가 설치되는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the second support is characterized in that a plurality of stripe or lattice-shaped openings through which the process gas can pass.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 기판안치수단의 하부에 설치되며, 상기 퍼지가스가 분출되기 위한 간격을 형성하기 위하여 상기 기판안치수단과 이격되고 상기 챔버의 저면과 밀착되는 방지벽을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, it is provided in the lower portion of the substrate holding means, and comprises a blocking wall spaced apart from the substrate holding means and in close contact with the bottom surface of the chamber to form a gap for the purge gas is ejected It is characterized by.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 기판안치수단의 하부와 상기 방지 벽의 내부에 상기 기판을 가열하기 위한 가열수단과, 상기 기판안치수단의 중심과 연결되어, 상기 기판안치수단을 승하강 또는 회전시키는 축을 포함하는 것을 특징으로 한다. In the substrate processing apparatus as described above, the heating means for heating the substrate in the lower portion of the substrate holding means and the inside of the prevention wall, and the center of the substrate holding means, the lowering or lowering of the substrate holding means; And an axis to rotate.

본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치는 다음과 같은 효과가 있다. The substrate treating apparatus according to the embodiment of the present invention has the following effects.

기판안치수단과 챔버 내벽 사이에 가스분리수단을 설치하는 것에 의해, 기판안치수단의 상부에서 공급되는 공정가스와, 기판안치수단의 하부에서 공급되는 퍼지가스가, 기판안치수단의 주위에서 혼합되지 않고 분리적으로 배기되기 때문에, 공정가스의 농도저하를 방지하여, 박막 증착 또는 박막 식각에서, 공정의 균일성을 확보할 수 있다.By providing gas separation means between the substrate holding means and the chamber inner wall, the process gas supplied from the upper portion of the substrate holding means and the purge gas supplied from the lower portion of the substrate holding means are not mixed around the substrate holding means. Since it is exhausted separately, it is possible to prevent the concentration of the process gas to be reduced, thereby ensuring uniformity of the process in thin film deposition or thin film etching.

도면을 참조하여 가스분리수단을 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.      With reference to the drawings the gas separation means will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 모식도이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 가스흐름도이고, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 가스분리수단의 단면 사시도이고, 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기판안치수단의 사시도이고, 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판안치대의 단면 사시도이다.Figure 3 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a gas flow diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 5 is a cross-sectional view of the gas separation means according to an embodiment of the present invention 6 is a perspective view of a substrate mounting means according to an embodiment of the present invention, Figure 7 is a cross-sectional perspective view of a substrate stabilizer according to another embodiment of the present invention.

기판처리장치(112)는 반응공간을 제공하는 챔버(114), 챔버(114)의 내부에 배치되어, 다수의 기판(116)이 안치되는 기판안치수단(118), 기판안치수단(118)의 하부에 위치하는 가열수단(120), 기판안치수단(118)과 대향하여 챔버(114)의 내부에 공정가스를 공급하는 제 1 가스분사수단(122), 기판안치수단(118)을 승하강 및 회전시키는 샤프트(124), 및 챔버(114) 내부의 공정가스를 배기시키는 배기수단(126)을 포함한다. 그리고, 챔버(114) 내부의 공정가스를 배기시킬 때, 기판안치수단(118)의 하부로 공정가스가 유입되는 것을 방지하기 위하여, 퍼지가스를 분사하는 제 2 가스분사수단(140) 및 방지벽(136)이 설치된다. 챔버(114)의 하부에 설치되는 배기수단(126)은 배기구(142) 및 배기구(142)로부터 분출되는 가스를 배출시키기 위한 배기펌프(144)를 포함한다. The substrate processing apparatus 112 is disposed inside the chamber 114 and the chamber 114 that provides a reaction space, so that the substrate placing means 118 and the substrate placing means 118 on which the plurality of substrates 116 are placed. Lifting and lowering the first gas injection means 122 and the substrate placing means 118 for supplying a process gas to the interior of the chamber 114 facing the heating means 120 and the substrate placing means 118 located below. And a shaft 124 for rotating, and an exhausting means 126 for exhausting the process gas inside the chamber 114. In order to prevent the process gas from flowing into the lower portion of the substrate setter 118 when the process gas inside the chamber 114 is exhausted, the second gas injection means 140 and the barrier wall for injecting the purge gas. 136 is installed. The exhaust means 126 installed in the lower portion of the chamber 114 includes an exhaust port 142 and an exhaust pump 144 for discharging the gas ejected from the exhaust port 142.

도 6과 같이, 기판안치수단(118)은 기판(116)이 안치되는 다수의 서셉터(128)와, 다수의 서셉터(128)를 지지하는 디스크(130)으로 구성된다. 기판안치수단(118)은 다수의 서셉터(128)과 다스크(130)를 별도로 제작하여, 다수의 서셉터(128)의 각각을 디스크(130)에 설치되어 있는 다수의 관통영역(150)에 삽입한다. 다수의 관통영역(150)의 각각에는 다수의 서셉터(128)의 각각이 거치될 수 있는 걸림부(152)가 설치되고, 다수의 서셉터(128)의 하부에는 걸림부(152)와 정합될 수 있는 단차부(154)가 형성된다. 다수의 서셉터(128)의 각각에는 기판(116)을 안치하거나 분리할 수 있도록 다수의 리프트 핀(도시하지 않음)이 승하강할 수 있는 다수의 리프트 핀 홀(154)이 설치된다. 다수의 서셉터(128)는 디스크(130)보다 얇게 제작한다.As shown in FIG. 6, the substrate mounting means 118 includes a plurality of susceptors 128 on which the substrate 116 is placed, and a disk 130 supporting the plurality of susceptors 128. The substrate setter 118 manufactures a plurality of susceptors 128 and a dask 130 separately, and a plurality of through regions 150 in which each of the plurality of susceptors 128 is installed on the disk 130. Insert it in Each of the plurality of through regions 150 is provided with a locking portion 152 on which each of the plurality of susceptors 128 can be mounted, and a lower portion of the plurality of susceptors 128 is aligned with the locking portion 152. A stepped portion 154 may be formed. Each of the plurality of susceptors 128 is provided with a plurality of lift pin holes 154 in which a plurality of lift pins (not shown) can be lifted and lowered to settle or separate the substrate 116. The plurality of susceptors 128 are made thinner than the disk 130.

도 3과 같이, 기판안치수단(118)의 하부에 위치한 가열수단(120)은 발열램프와 같은 광학식 열원(132)과. 광학식 열원(132)을 고정시키는 고정부(134)를 포함하며, 다수의 서셉터(128)의 각각에 안치되어 있는 기판(116)을 공정온도로 균일하게 가열하는 기능을 한다. 방지벽(136)은 가열수단(120)의 주위를 둘러싸는 형태이고, 챔버(114) 내부의 공정가스의 유입을 방지하는 기능을 한다. 방지벽(136)과 디스크(130) 사이의 분사구(138)를 통하여 제 2 가스분사수단(140)에서 공급되는 퍼지가스가 분출되며, 방지벽(136)은 기판안치수단(118)의 상부에서 배기구(142)로 배기되는 공정가스가 유입되는 것을 방지한다. 방지벽(136)의 하부는 챔버(114)의 하부와 밀착되어, 챔버(114)의 하부에서 기판안치수단(118)의 하부로 공정가스가 유입되지 않도록 한다. 박막을 증착하거나 또는 박막을 식각하기 위한 공정가스가 디스크(130)의 하부로 유입되면, 디스크(130)의 부품을 손상할 수 있기 때문에, 공정가스의 유입을 방지하기 위한 방지벽(136)과 퍼지가스를 분사하는 제 2 가스분사수단(140)을 설치한다. 퍼지가스는 일반적으로 불활성가스 또는 질소가스를 사용한다.As shown in Figure 3, the heating means 120 located below the substrate settlement means 118 and the optical heat source 132, such as a heating lamp. It includes a fixing part 134 for fixing the optical heat source 132, and serves to uniformly heat the substrate 116 placed in each of the plurality of susceptors 128 to a process temperature. The prevention wall 136 surrounds the circumference of the heating means 120 and functions to prevent inflow of process gas into the chamber 114. The purge gas supplied from the second gas injection means 140 is ejected through the injection hole 138 between the prevention wall 136 and the disk 130, and the prevention wall 136 is formed at the upper portion of the substrate setter 118. The process gas exhausted to the exhaust port 142 is prevented from entering. The lower portion of the barrier wall 136 is in close contact with the lower portion of the chamber 114 to prevent the process gas from flowing into the lower portion of the substrate mounting means 118 from the lower portion of the chamber 114. When the process gas for depositing the thin film or etching the thin film flows into the lower portion of the disk 130, since the parts of the disk 130 may be damaged, the barrier wall 136 for preventing the inflow of the process gas and A second gas injection means 140 for injecting purge gas is installed. The purge gas generally uses an inert gas or nitrogen gas.

기판안치수단(118)과 챔버(114) 사이에, 공정가스와 퍼지가스의 혼합을 방지하기 위한 가스분리수단(160)을 설치한다. 도 5와 같이, 가스분리수단(160)은 기판안치수단(118)을 감싸는 환형 형태로 설치된다. 물론, 기판안치수단(118)의 형태에 따라 가스분리수단(160)의 형태도 변경된다. 가스분리수단(160)은 공정가스를 챔버(114)의 내벽 근처로 유도하기 위한 유도판(162), 공정가스와 퍼지가스의 혼합되 지 않도록 분리하기 위한 분리판(164), 방지벽(136)과 인접한 제 1 지지대(166), 및 챔버(114)의 내벽과 인접한 제 2 지지대(168)를 포함한다. 유도판(162)은 기판안치수단(118)과 수평적으로 근접하여 배치되는 것에 의해, 공정가스가 기판안치수단(118)의 주위로 배기되지 않고, 챔버(114)의 내벽 주위로 흐르도록 유도하는 기능을 한다. 유도판(162)은 기판(116)을 처리하는 공정에 방해되지 않도록 유도판(162)과 기판안치수단(118)은 동일한 높이를 유지한다. 제 1 및 제 2 지지대(166, 168)은 판형으로 제작된다. Between the substrate setter 118 and the chamber 114, a gas separation means 160 for preventing mixing of the process gas and the purge gas is provided. As shown in FIG. 5, the gas separation means 160 is installed in an annular shape surrounding the substrate setter 118. Of course, the shape of the gas separation means 160 is also changed according to the shape of the substrate setter 118. The gas separation means 160 includes an induction plate 162 for guiding the process gas near the inner wall of the chamber 114, a separation plate 164 for separating the process gas and the purge gas from being mixed, and a barrier 136. ) And a second support 168 adjacent the inner wall of the chamber 114. The guide plate 162 is disposed horizontally close to the substrate placing means 118 so that the process gas flows around the inner wall of the chamber 114 without being exhausted around the substrate placing means 118. Function. The guide plate 162 and the substrate mounting means 118 maintain the same height so that the guide plate 162 does not interfere with the process of processing the substrate 116. The first and second supports 166 and 168 are manufactured in a plate shape.

분리판(164)는 유도판(162)의 하부에서 수직으로 연장되고, 챔버(114)의 저면과 이격된 형태로 설치되며, 분사구(138)을 통하여 분출되는 퍼지가스와, 유도판(162)과 챔버(114) 내벽 사이를 통하여 배기되는 공정가스를 분리하는 기능을 한다. 분리판(164)의 양측에는 퍼지가스가 배기되는 제 1 공간(170)과 공정가스가 배기되는 제 2 공간(172)이 형성되고, 분리판(164)은 배기구(142)와 대응된다. 그리고, 유도판(162) 및 분리판(164)을 지지하기 위한 챔버(114)의 저면과 접촉하는 제 1 및 제 2 지지대(166, 168)가 설치된다. The separation plate 164 extends vertically from the lower portion of the guide plate 162, is installed in a form spaced apart from the bottom surface of the chamber 114, and the purge gas ejected through the injection hole 138 and the guide plate 162. And the process gas exhausted between the chamber 114 and the inner wall. Both sides of the separator 164 are provided with a first space 170 through which purge gas is exhausted and a second space 172 through which process gas is exhausted, and the separator 164 corresponds to the exhaust port 142. In addition, first and second supports 166 and 168 are provided to contact the bottom surface of the chamber 114 for supporting the guide plate 162 and the separator 164.

제 1 지지대(166)는 방지벽(136)과 인접하고, 방지벽(136)과 동일한 높이로 설치되고, 분사구(138)에서 분출되는 퍼지가스를 배기구(142)로 배기하기 위하여, 유도판(162) 및 분리판(164)과 함께 제 1 공간(170)을 마련한다. 제 1 지지대(166)과 유도판(162)은 분사구(138)와 대응되는 부분에서, 다수의 제 1 연결부(174)에 의해 연결된다. 제 2 지지대(168)는 챔버(114)의 내벽과 인접하여 위치하고, 공정가스를 배출하기 위해 분리판(164)과 함께 제 2 공간(172)을 제공한다. 제 2 지지대(168)의 단부는 유도판(162)의 표면과 수평적으로 동일한 위치에 설치된다. 제 2 지지대(168)와 유도판(162)은 제 2 지지대(168)와 유도판(162) 사이의 공간에서 다수의 제 2 연결부(176)에 의해 연결된다. 가스분리수단(160)은 일체형으로 제작될 수 있는 보수 및 관리를 위하여, 2 개 이상의 부재로 분리하여 사용할 수 있다. 가스분리수단(160)은 가능하면, 공정가스가 제 2 공간(172)을 통하여 배기되도록, 기판안치수단(118)과 근접 또는 밀착되도록 설치한다. The first support 166 is adjacent to the barrier wall 136, is installed at the same height as the barrier wall 136, and in order to exhaust the purge gas ejected from the injection port 138 to the exhaust port 142. The first space 170 is provided together with the 162 and the separator 164. The first support 166 and the guide plate 162 are connected by a plurality of first connectors 174 at portions corresponding to the injection holes 138. The second support 168 is located adjacent to the inner wall of the chamber 114 and provides a second space 172 together with the separator plate 164 to discharge the process gas. The end of the second support 168 is installed at the same horizontal position as the surface of the guide plate 162. The second support 168 and the guide plate 162 are connected by a plurality of second connecting portions 176 in the space between the second support 168 and the guide plate 162. The gas separation means 160 may be used by being separated into two or more members for maintenance and management that may be manufactured integrally. The gas separation means 160 is installed to be close to or in close contact with the substrate setter 118 so that the process gas is exhausted through the second space 172 if possible.

도 3 및 도 4를 참조하면, 기판처리장치(112)에서, 기판(116)을 기판안치수단(118)에 안치시키고, 기판(116) 상에 박막을 증착하거나, 박막을 식각하기 위하여 제 1 가스분사수단(122)으로부터 공정가스를 공급한다. 제 1 가스분사수단(122)으로부터 공급되는 공정가스는 기판안치수단(118)의 주위로 배기되지 않고, 유도판(162)에 의해 유도되어, 제 2 공간(172)을 통하여 배기되고, 제 2 가스분사수단(140)에서 공급되는 퍼지가스는 제 1 공간(170)을 통하여 배기되기 때문에, 기판안치수단(118)의 주위에서 공정가스와 퍼지가스가 혼합되는 원인을 원천적으로 차단한다. 따라서, 퍼지가스와 혼합되어 공정가스의 농도를 저하시키지 않으므로, 기판(116) 상에 박막을 증착하거나 또는 박막을 식각할 때, 공정의 균일성을 확보할 수 있다. 3 and 4, in the substrate treating apparatus 112, the substrate 116 is placed on the substrate placing means 118, and the first thin film is deposited on the substrate 116 to etch the thin film or to etch the thin film. The process gas is supplied from the gas injection means 122. The process gas supplied from the first gas injection means 122 is not exhausted to the surroundings of the substrate placing means 118, is guided by the guide plate 162, and is exhausted through the second space 172. Since the purge gas supplied from the gas injection means 140 is exhausted through the first space 170, the cause of the mixing of the process gas and the purge gas around the substrate setter 118 is essentially blocked. Accordingly, since the concentration of the process gas is not reduced by mixing with the purge gas, uniformity of the process may be ensured when the thin film is deposited or the etching of the thin film on the substrate 116.

그리고, 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판안치대의 단면 사시도를 도시한 것으로, 유도판(162)과 챔버(114) 내벽 사이에 위치하는 제 2 지지대(168)에 스트라이프 형상의 다수의 개구(180)를 설치한다. 도 7에서 제 2 지지대(168)는 유도판(162)을 지지하는 기능을 수행하고, 공정가스가 배기되는 제 2 공간은 분리판(164)와 챔버(114)의 내벽 사이에 형성된다. 제 2 지지대(168)의 설치되는 다수의 개구(180)는 스트라이프 형상 대신 격자형상으로 제작할 수 있다. FIG. 7 is a cross-sectional perspective view of a substrate stabilizer according to another embodiment of the present invention, and a plurality of stripe shapes are formed on the second support 168 positioned between the guide plate 162 and the inner wall of the chamber 114. The opening 180 is provided. In FIG. 7, the second support 168 serves to support the guide plate 162, and a second space through which the process gas is exhausted is formed between the separator 164 and the inner wall of the chamber 114. The plurality of openings 180 installed in the second support 168 may be manufactured in a lattice shape instead of a stripe shape.

도 1은 종래기술의 기판처리장치의 모식도1 is a schematic view of a substrate processing apparatus of the prior art

도 2는 종래기술의 기판처리장치의 가스흐름도Figure 2 is a gas flow diagram of a substrate processing apparatus of the prior art

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 모식도3 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 가스흐름도4 is a gas flow diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 가스분리수단의 단면 사시도5 is a sectional perspective view of a gas separation means according to an embodiment of the present invention;

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기판안치수단의 사시도6 is a perspective view of the substrate mounting means according to an embodiment of the present invention

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판안치대의 단면 사시도Figure 7 is a cross-sectional perspective view of the substrate stabilizer according to another embodiment of the present invention

Claims (9)

반응공간을 제공하고 배기구를 가지는 챔버;A chamber providing a reaction space and having an exhaust port; 상기 챔버의 내부에 설치되고, 공정가스를 공급하는 제 1 가스분사수단;First gas injection means installed in the chamber and supplying a process gas; 상기 가스분사수단과 대향하고, 기판을 안치하는 기판안치수단;Substrate holding means opposed to the gas injection means and for placing a substrate; 상기 기판안치수단의 하부에서 퍼지가스를 공급하는 제 2 가스분사수단;Second gas injection means for supplying purge gas from the lower portion of the substrate setter; 상기 기판안치수단과 상기 챔버 내벽 사이에 설치되고, 상기 공정가스와 상기 퍼지가스를 분리하여 배기시키는 가스분리수단;Gas separation means disposed between the substrate setter and the chamber inner wall to separate and exhaust the process gas and the purge gas; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.Substrate processing apparatus comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스분리수단은 상기 공정가스를 상기 챔버의 내벽 방향으로 유도하기 위한 유도판과, 상기 유도판의 하부에서 연장되고, 상기 챔버의 저면과 이격되어 상기 퍼지가스와 상기 공정가스를 분리하기 위한 분리판을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The gas separation means may include an induction plate for guiding the process gas in an inner wall direction of the chamber, a lower portion of the induction plate, and separated from the bottom surface of the chamber to separate the purge gas and the process gas. Substrate processing apparatus comprising a plate. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 기판안치수단과 인접한 상기 유도판의 하부에 설치되며, 상기 분리판과 함께 상기 퍼지가스를 배기시키기 위해, 상기 분리판과 함께 한 제 1 공간을 제공하는 제 1 지지대와, 상기 유도판과 상기 챔버 내벽 사이에 설치되며, 상기 공정가스를 배기시키기 위해, 상기 분리판과 함께 제 2 공간을 제공하는 제 2 지지대를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. A first support provided in a lower portion of the guide plate adjacent to the substrate mounting means and providing a first space with the separator plate to exhaust the purge gas together with the separator plate, the guide plate and the And a second support disposed between the inner walls of the chamber and providing a second space together with the separator to exhaust the process gas. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 배기구는 상기 분리판과 대응되는 위치에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And the exhaust port is installed at a position corresponding to the separator. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 유도판과 상기 제 1 지지대는 다수의 제 1 연결부에 의해 연결되고, 상기 유도판과 상기 제 2 지지대는 다수의 제 2 연결부에 의해 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And the guide plate and the first support are connected by a plurality of first connectors, and the guide plate and the second support are connected by a plurality of second connectors. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 기판안치수단과 인접한 상기 유도판의 하부에 설치되며, 상기 분리판과 함께 상기 퍼지가스를 배기시키기 위해, 상기 분리판과 함께 한 제 1 공간을 제공 하는 제 1 지지대와, 상기 유도판과 상기 챔버 내벽 사이에 상기 공정가스를 배기시키기 위한 제 2 공간이 제공되고, 상기 제 2 공간에서 상기 유도판을 지지하기 위한 제 2 지지대를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A first support provided at a lower portion of the guide plate adjacent to the substrate setter and providing a first space with the separator plate to exhaust the purge gas together with the separator plate, the guide plate and the And a second space for exhausting the process gas between the chamber inner walls, and a second support for supporting the guide plate in the second space. 제 6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 제 2 지지대는 상기 공정가스가 통과할 수 있는 스트라이프 또는 격자형상의 다수의 개구가 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And the second support is provided with a plurality of stripe or lattice-shaped openings through which the process gas can pass. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판안치수단의 하부에 설치되며, 상기 퍼지가스가 분출되기 위한 간격을 형성하기 위하여 상기 기판안치수단과 이격되고 상기 챔버의 저면과 밀착되는 방지벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. And a barrier wall disposed below the substrate mounting means, the barrier wall being spaced apart from the substrate mounting means and in close contact with the bottom surface of the chamber to form an interval for ejecting the purge gas. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 기판안치수단의 하부와 상기 방지벽의 내부에 상기 기판을 가열하기 위한 가열수단과, 상기 기판안치수단의 중심과 연결되어, 상기 기판안치수단을 승하강 또는 회전시키는 축을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And a heating means for heating the substrate in the lower portion of the substrate placing means and inside the barrier wall, and an axis connected to the center of the substrate placing means to raise or lower the substrate placing means. Substrate processing apparatus.
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