KR20090115546A - 플라즈마 디스플레이 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치는 스캔 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널과, 복수의 서브필드(Sub-Field) 중 적어도 하나의 서브필드의 어드레스 기간에서 스캔 전극에 스캔 기준 전압과 스캔 신호를 공급하고, 어드레스 기간 이후의 서스테인 기간에서 스캔 전극에 전압 상승 기간, 전압 유지 기간 및 전압 하강 기간을 포함하는 서스테인 신호를 공급하는 구동부를 포함하고, 구동부는 에너지 저장부와, 제 1 스위치부와 제 2 스위치부를 포함하고, 제 1 스위치부와 제 2 스위치부의 사이에서 스캔 전극과 접속되는 스캔 집적회로부(Scan IC)와, 에너지 저장부와 스캔 집적회로부 사이에 배치되는 인덕터(Inductor)부와, 에너지 저장부에 저장된 에너지를 스캔 전극에 공급하는 에너지 공급 스위치부와, 스캔 전극의 전압을 에너지 저장부로 회수하는 에너지 회수 스위치부와, 스캔 집적회로부와 접지(GND) 사이에 배치되는 기저 스위치부 및 스캔 전극과 접지(GND) 사이에서 스캔 집적회로부와 병렬로 배치되며, 스캔 전극에 서스테인 전압과 스캔 기준 전압을 공급하는 공통 전압원을 포함할 수 있다.

Description

플라즈마 디스플레이 장치{Plasma Display Apparatus}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 장치는 플라즈마 디스플레이 패널을 포함한다.
플라즈마 디스플레이 패널에는 격벽으로 구획된 방전 셀(Cell) 내에 형광체 층이 형성되고, 아울러 복수의 전극(Electrode)이 형성된다.
플라즈마 디스플레이 패널의 전극에 구동 신호를 공급하면, 방전 셀 내에서는 공급되는 구동 신호에 의해 방전이 발생한다. 여기서, 방전 셀 내에서 구동 신호에 의해 방전이 될 때, 방전 셀 내에 충진 되어 있는 방전 가스가 진공자외선(Vacuum Ultraviolet rays)을 발생하고, 이러한 진공 자외선이 방전 셀 내에 형성된 형광체를 발광시켜 가시 광을 발생시킨다. 이러한 가시 광에 의해 플라즈마 디스플레이 패널의 화면상에 영상이 표시된다.
본 발명의 일면은 스캔 전극에 구동신호를 공급하는 구동회로를 개선하여 회로 임피던스(Impedance) 성분을 저감시키고, 전압원의 개수를 저감시키는 플라즈마 디스플레이 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치는 스캔 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널과, 복수의 서브필드(Sub-Field) 중 적어도 하나의 서브필드의 어드레스 기간에서 스캔 전극에 스캔 기준 전압과 스캔 신호를 공급하고, 어드레스 기간 이후의 서스테인 기간에서 스캔 전극에 전압 상승 기간, 전압 유지 기간 및 전압 하강 기간을 포함하는 서스테인 신호를 공급하는 구동부를 포함하고, 구동부는 에너지 저장부와, 제 1 스위치부와 제 2 스위치부를 포함하고, 제 1 스위치부와 제 2 스위치부의 사이에서 스캔 전극과 접속되는 스캔 집적회로부(Scan IC)와, 에너지 저장부와 스캔 집적회로부 사이에 배치되는 인덕터(Inductor)부와, 에너지 저장부에 저장된 에너지를 스캔 전극에 공급하는 에너지 공급 스위치부와, 스캔 전극의 전압을 에너지 저장부로 회수하는 에너지 회수 스위치부와, 스캔 집적회로부와 접지(GND) 사이에 배치되는 기저 스위치부 및 스캔 전극과 접지(GND) 사이에서 스캔 집적회로부와 병렬로 배치되며, 스캔 전극에 서스테인 전압과 스캔 기준 전압을 공급하는 공통 전압원을 포함할 수 있다.
또한, 전압 상승 기간에서는 에너지 공급 스위치부가 턴-온(Turn-On)되고, 전압 유지 기간에서는 에너지 공급 스위치부가 턴-오프(Turn-Off)되고, 기저 스위치부는 턴-온될 수 있다.
또한, 기저 스위치부는 스캔 집적회로부와 접지(GND) 사이에서 직렬로 배치되며, 내부 다이오드가 서로 역방향인 제 3 스위치부와 제 4 스위치부를 포함할 수 있다.
또한, 제 1 스위치부의 일단은 공통 전압원의 양극단과 연결되고, 제 1 스위치부의 타단은 제 2 스위치부의 일단과 연결되고, 제 2 스위치부의 타단은 공통 전압원의 음극단과 연결되고, 제 1 스위치부의 타단과 제 2 스위치부의 일단은 스캔 전극과 연결되고, 기저 스위치부의 일단은 공통 전압원의 음극단과 제 2 스위치부의 타단과 공통 연결되고, 기저 스위치부의 타단은 접지와 연결되고, 에너지 공급 스위치부와 에너지 회수 스위치부의 일단은 인덕터부의 타단과 공통 연결되고, 에너지 공급 스위치부와 에너지 회수 스위치부의 타단은 기저 스위치부의 일단, 공통 전압원의 음극단 및 제 2 스위치부의 타단과 공통 연결되고, 인덕터부의 일단은 에너지 저장부의 타단과 연결되고, 에너지 저장부의 일단은 접지와 연결될 수 있다.
또한, 스캔 전극에 전압이 점진적으로 상승하는 상승 신호를 공급하는 상승 신호 스위치부와 스캔 전극에 전압이 점진적으로 하강하는 하강 신호를 공급하는 하강 신호 스위치부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상승 신호 스위치부의 일단은 상승 신호의 전압을 발생시키는 상승 신호 전압원과 연결되고, 상승 신호 스위치부의 타단은 에너지 공급 스위치부의 타단, 에너지 회수 스위치부의 타단, 기저 스위치부의 일단, 공통 전압원의 음극단 및 제 2 스위치부의 타단과 공통 연결되고, 하강 신호 스위치부의 일단은 상승 신호 스위치부의 타단, 에너지 공급 스위치부의 타단, 에너지 회수 스위치부의 타단, 기저 스위치부의 일단, 공통 전압원의 음극단 및 제 2 스위치부의 타단과 공통 연결되고, 하강 신호 스위치부의 타단은 하강 신호의 전압을 발생시키는 하강 신호 전압원과 연결될 수 있다.
또한, 스캔 신호가 공급되는 기간에서는, 어드레스 기간에서 제 1, 2 스위치부 및 하강 신호 스위치부가 턴-온된 상태에서 제 1 스위치부가 턴-오프될 수 있다.
또한, 어드레스 기간과 서스테인 기간의 사이에서는, 어드레스 기간에서 제 1, 2 스위치부 및 하강 신호 스위치부가 턴-온된 상태에서 먼저 제 1 스위치부가 턴-오프되고, 이후에 하강 신호 스위치부가 턴-오프되고, 기저 스위치부가 턴-온될 수 있다.
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치는 회로 임피던스를 저감시킴으로써 구동신호의 왜곡을 방지할 수 있고, 전압원의 개수를 저감시킴으로써 제조 단가를 저감시키는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 플라즈마 디스플레이 장치의 구성에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 살펴보면, 플라즈마 디스플레이 장치는 플라즈마 디스플레이 패널(100)과 구동부(110)를 포함한다.
플라즈마 디스플레이 패널(100)은 서로 나란한 스캔 전극(Y1~Yn)과 서스테인 전극(Z1~Zn)을 포함하고, 아울러 스캔 전극 및 서스테인 전극과 교차하는 어드레스 전극(X1~Xm)을 포함할 수 있다.
구동부(110)는 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 스캔 전극, 서스테인 전극 또는 어드레스 전극 중 적어도 하나로 구동신호를 공급하여, 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 화면에 영상이 구현되도록 할 수 있다.
여기, 도 1에서는 구동부(110)가 하나의 보드(Board) 형태로 이루어지는 경우만 도시하고 있지만, 본 발명에서 구동부(110)는 플라즈마 디스플레이 패널(100)에 형성된 전극에 따라 복수개의 보드 형태로 나누어지는 것도 가능하다. 예를 들면, 구동부(110)는 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 스캔 전극을 구동시키는 제 1 구동부(미도시)와, 서스테인 전극을 구동시키는 제 2 구동부와, 어드레스 전극을 구동시키는 제 3 구동부(미도시)로 나누어질 수 있는 것이다.
도 2는 플라즈마 디스플레이 패널의 구조의 일례에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 살펴보면, 플라즈마 디스플레이 패널(100)은 서로 나란한 스캔 전극(202, Y)과 서스테인 전극(203, Z)이 형성되는 전면 기판(201)과, 스캔 전극(202, Y) 및 서스테인 전극(203, Z)과 교차하는 어드레스 전극(213, X)이 형성되는 후면 기판(211)을 포함할 수 있다.
스캔 전극(202, Y)과 서스테인 전극(203, Z)의 상부에는 스캔 전극(202, Y) 및 서스테인 전극(203, Z)의 방전 전류를 제한하며 스캔 전극(202, Y)과 서스테인 전극(203, Z) 간을 절연시키는 상부 유전체 층(204)이 배치될 수 있다.
상부 유전체 층(204)의 상부에는 방전 조건을 용이하게 하기 위한 보호 층(205)이 형성될 수 있다. 이러한 보호 층(205)은 2차 전자 방출 계수가 높은 재질, 예컨대 산화마그네슘(MgO) 재질을 포함할 수 있다.
후면 기판(211) 상에는 어드레스 전극(213, X)이 형성되고, 이러한 어드레스 전극(213, X)의 상부에는 어드레스 전극(213, X)을 절연시키는 하부 유전체 층(215)이 형성될 수 있다.
하부 유전체 층(215)의 상부에는 방전 공간 즉, 방전 셀을 구획하기 위한 스트라이프 타입(Stripe Type), 웰 타입(Well Type), 델타 타입(Delta Type), 벌집 타입 등의 격벽(212)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 전면 기판(201)과 후면 기판(211)의 사이에서 적색(Red : R)광을 방출하는 제 1 방전 셀, 청색(Blue : B)광을 방출하는 제 2 방전 셀 및 녹색(Green : G)광을 방출하는 제 3 방전 셀 등이 형성될 수 있다.
또한, 제 1, 2, 3 방전 셀 이외에 백색(White : W) 또는 황색(Yellow : Y)광을 방출하는 제 4 방전 셀이 더 형성되는 것도 가능하다.
한편, 제 1, 2, 3 방전 셀의 폭은 실질적으로 동일할 수도 있지만, 제 1 방전 셀, 제 2 방전 셀 및 제 3 방전 셀 중 적어도 하나의 폭이 다른 방전 셀의 폭과 다르게 할 수도 있다.
예컨대, 적색(R)광을 방출하는 제 1 방전 셀의 폭이 가장 작고, 녹색(G)광을 방출하는 제 3 방전 셀 및 청색(B)광을 방출하는 제 2 방전 셀의 폭을 제 1 방전 셀의 폭보다 크게 할 수 있다. 그러면, 구현되는 영상의 색온도 특성이 향상될 수 있다. 제 2 방전 셀의 폭은 제 3 방전 셀의 폭과 실질적으로 동일하거나 상이할 수 있다.
또한, 도 2에 도시된 격벽(212)의 구조뿐만 아니라, 다양한 형상의 격벽의 구조도 가능할 것이다. 예컨대, 격벽(212)은 서로 교차하는 제 1 격벽과 제 2 격벽을 포함하고, 여기서, 제 1 격벽의 높이와 제 2 격벽의 높이가 서로 다른 차등형 격벽 구조, 제 1 격벽 또는 제 2 격벽 중 하나 이상에 배기 통로로 사용 가능한 채널(Channel)이 형성된 채널형 격벽 구조, 제 1 격벽 또는 제 2 격벽 중 하나 이상에 홈(Hollow)이 형성된 홈형 격벽 구조 등이 가능할 것이다.
또한, 제 1, 2, 3 방전 셀 각각이 동일한 선상에 배열되는 것으로 도시 및 설명되고 있지만, 다른 형상으로 배열되는 것도 가능할 것이다. 예컨대, 제 1, 2, 3 방전 셀이 삼각형 형상으로 배열되는 델타(Delta) 타입의 배열도 가능할 것이다. 또한, 방전 셀의 형상도 사각형상뿐만 아니라 오각형, 육각형 등의 다양한 다각 형상도 가능할 것이다.
격벽(212)에 의해 구획된 방전 셀 내에는 방전 가스가 채워질 수 있다. 방전 가스에는 크세논(Xe), 네온(Ne)이 포함될 수 있고, 아르곤(Ar) 및 헬륨(He) 중 적어도 하나가 더 포함되는 것도 가능하다.
아울러, 격벽(212)에 의해 구획된 방전 셀 내에는 어드레스 방전 시 화상표시를 위한 가시 광을 방출하는 형광체 층(214)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 적색 광을 발생시키는 제 1 형광체 층, 청색 광을 발생시키는 제 2 형광체 층 및 녹색 광을 발생시키는 제 3 형광체 층이 형성될 수 있다.
또한, 제 1, 2, 3 형광체 이외에 백색(White : W) 및/또는 황색(Yellow : Y) 광을 발생시키는 제 4 형광체 층이 더 형성되는 것도 가능하다.
또한, 제 1, 2, 3 형광체 층의 두께가 다른 형광체 층과 상이할 수 있다. 예를 들면, 제 2 형광체 층 또는 제 3 형광체 층의 두께가 제 1 형광체 층의 두께보다 더 두꺼울 수 있다. 여기서, 제 2 형광체 층의 두께는 제 3 형광체 층의 두께와 실질적으로 동일하거나 상이할 수 있다.
또한, 이상의 설명에서는 상부 유전체 층(204) 및 하부 유전체 층(215)이 각각 하나의 층(Layer)인 경우만을 도시하고 있지만, 이러한 상부 유전체 층(204) 및 하부 유전체 층(215) 중 하나 이상은 복수의 층으로 이루지는 것도 가능한 것이다.
아울러, 격벽(212)으로 인한 외부 광의 반사를 방지하기 위해 격벽(212)의 상부에 외부 광을 흡수할 수 있는 블랙 층(미도시)을 더 배치하는 것도 가능하다.
또한, 격벽(212)과 대응되는 전면 기판(201) 상의 특정 위치에 또 다른 블랙 층(미도시)이 더 형성되는 것도 가능하다.
또한, 후면 기판(211) 상에 형성되는 어드레스 전극(213)은 폭이나 두께가 실질적으로 일정할 수도 있지만, 방전 셀 내부에서의 폭이나 두께가 방전 셀 외부에서의 폭이나 두께와 다를 수도 있을 것이다. 예컨대, 방전 셀 내부에서의 폭이나 두께가 방전 셀 외부에서의 그것보다 더 넓거나 두꺼울 수 있을 것이다.
도 3은 영상의 계조를 구현하기 위한 프레임(Frame)에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 살펴보면 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치에서 영상의 계조(Gray Level)를 구현하기 위한 프레임은 발광횟수가 다른 복수의 서브 필드로 나누어질 수 있다.
아울러, 도시하지는 않았지만 복수의 서브필드 중 하나 이상의 서브필드는 다시 방전 셀을 초기화시키기 위한 리셋 기간(Reset Period), 방전될 방전 셀을 선택하기 위한 어드레스 기간(Address Period) 및 방전횟수에 따라 계조를 구현하는 서스테인 기간(Sustain Period)으로 나누어 질 수 있다.
예를 들어, 256 계조로 영상을 표시하고자 하는 경우에 예컨대 하나의 영상 프레임은, 도 3과 같이 8개의 서브필드들(SF1 내지 SF8)로 나누어지고, 8개의 서브 필드들(SF1 내지 SF8) 각각은 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간으로 다시 나누어질 수 있다.
한편, 서스테인 기간에 공급되는 서스테인 신호의 개수를 조절하여 해당 서브필드의 계조 가중치를 설정할 수 있다. 즉, 서스테인 기간을 이용하여 각각의 서브필드에 소정의 계조 가중치를 부여할 수 있다. 예를 들면, 제 1 서브필드의 계조 가중치를 20 으로 설정하고, 제 2 서브필드의 계조 가중치를 21 으로 설정하는 방법으로 각 서브필드의 계조 가중치가 2n(단, n = 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7)의 비율로 증가되도록 각 서브필드의 계조 가중치를 결정할 수 있다. 이와 같이 각 서브필드에서 계조 가중치에 따라 각 서브필드의 서스테인 기간에서 공급되는 서스테인 신호의 개수를 조절함으로써, 다양한 영상의 계조를 구현할 수 있다.
여기, 도 3에서는 하나의 영상 프레임이 8개의 서브필드로 이루어진 경우만으로 도시하고 설명하였지만, 이와는 다르게 하나의 영상 프레임을 이루는 서브필 드의 개수는 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들면, 제 1 서브필드부터 제 12 서브필드까지의 12개의 서브필드로 하나의 영상 프레임을 구성할 수도 있고, 10개의 서브필드로 하나의 영상 프레임을 구성할 수도 있는 것이다.
또한, 여기 도 3에서는 하나의 영상 프레임에서 계조 가중치의 크기가 증가하는 순서에 따라 서브필드들이 배열되었지만, 이와는 다르게 하나의 영상 프레임에서 서브필드들이 계조 가중치가 감소하는 순서에 따라 배열될 수도 있고, 또는 계조 가중치에 관계없이 서브필드들이 배열될 수도 있는 것이다.
도 4는 플라즈마 디스플레이 장치의 구동방법을 설명하기 위한 도면이다. 여기, 도 4에서 설명하는 구동신호는 도 1의 구동부(110)가 공급하는 것이다.
도 4를 살펴보면, 프레임(Frame)의 복수의 서브필드(Sub-Field) 중 적어도 하나의 서브필드의 초기화를 위한 리셋 기간(RP)에서는 스캔 전극(Y)으로 상승 신호(RS)와 하강 신호(FS)가 공급될 수 있다.
예를 들면, 리셋 기간의 셋업 기간(SU)에서는 스캔 전극에 상승신호가 공급되고, 셋업 기간 이후의 셋다운 기간(SD)에서는 스캔 전극에 하강신호가 공급될 수 있다.
스캔 전극에 상승 신호가 공급되면, 상승 신호에 의해 방전 셀 내에는 약한 암방전(Dark Discharge), 즉 셋업 방전이 일어난다. 이 셋업 방전에 의해 방전 셀 내에는 벽 전하(Wall Charge)의 분포가 균일해질 수 있다.
상승 신호가 공급된 이후, 스캔 전극에 하강 신호가 공급되면, 방전 셀 내에서 미약한 소거 방전(Erase Discharge), 즉 셋다운 방전이 발생한다. 이 셋다운 방 전에 의해 방전 셀 내에는 어드레스 방전이 안정되게 일어날 수 있을 정도의 벽전하가 균일하게 잔류될 수 있다.
리셋 기간 이후의 어드레스 기간(AP)에서는 하강 신호의 최저 전압보다는 높은 전압을 갖는 스캔 바이어스 신호(YBS)가 공급될 수 있다.
여기서, 스캔 바이어스 신호(YBS)의 전압은 하강 신호의 최저 전압보다 스캔 기준 전압(Vsc)만큼 높은 것이 바람직할 수 있다. 즉, 어드레스 기간에서는 스캔 전극에 스캔 기준 전압(Vsc)이 공급되는 것이다.
또한, 어드레스 기간에서는 스캔 바이어스 신호(YBS)로부터 하강하는 스캔 신호(Scan)가 스캔 전극에 공급될 수 있다.
한편, 적어도 하나의 서브필드의 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 공급되는 스캔 신호의 펄스폭은 다른 서브필드의 스캔 신호의 펄스폭과 다를 수 있다. 예컨대, 시간상 뒤에 위치하는 서브필드에서의 스캔 신호의 폭이 앞에 위치하는 서브필드에서의 스캔 신호의 폭보다 작을 수 있다. 또한, 서브필드의 배열 순서에 따른 스캔 신호 폭의 감소는 2.6㎲(마이크로초), 2.3㎲, 2.1㎲, 1.9㎲ 등과 같이 점진적으로 이루어질 수 있거나 2.6㎲, 2.3㎲, 2.3㎲, 2.1㎲......1.9㎲, 1.9㎲ 등과 같이 이루어질 수도 있다.
이와 같이, 스캔 신호가 스캔 전극으로 공급될 때, 스캔 신호에 대응되게 어드레스 전극(X)에 데이터 신호(Data)가 공급될 수 있다.
이러한 스캔 신호와 데이터 신호가 공급되면, 스캔 신호와 데이터 신호 간의 전압 차와 리셋 기간에 생성된 벽 전하들에 의한 벽 전압이 더해지면서 데이터 신 호가 공급되는 방전 셀 내에는 어드레스 방전이 발생될 수 있다.
어드레스 기간 이후의 서스테인 기간(SP)에서는 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 적어도 하나에 서스테인 신호(SUS)가 공급될 수 있다. 예를 들면, 스캔 전극과 서스테인 전극에 교번적으로 서스테인 신호가 공급될 수 있다.
이러한 서스테인 신호가 공급되면, 어드레스 방전에 의해 선택된 방전 셀은 방전 셀 내의 벽 전압과 서스테인 신호의 전압이 더해지면서 서스테인 신호가 공급될 때 스캔 전극과 서스테인 전극 사이에 서스테인 방전 즉, 표시방전이 발생될 수 있다.
도 5 내지 도 6은 구동부의 구성을 보다 상세히 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 5를 살펴보면 구동부는 에너지 저장부(500), 스캔 집적회로부(Scan IC, 510), 인덕터(Inductor, 520)부, 에너지 공급 스위치부(530), 에너지 회수 스위치부(540), 기저 스위치부(550) 및 공통 전압원(560)을 포함할 수 있다.
에너지 저장부(500)는 에너지 저장용 커패시터(Capacitor)를 포함하고, 에너지 저장용 커패시터를 이용하여 플라즈마 디스플레이 패널의 스캔 전극(Y)으로부터 회수한 에너지를 저장할 수 있다.
스캔 집적회로부(510)는 제 1 스위치부(S1)와 제 2 스위치부(S2)를 포함하고, 제 1 스위치부(S1)와 제 2 스위치부(S2)의 사이, 즉 제 3 노드(n3)에서 플라즈마 디스플레이 패널의 스캔 전극(Y)과 접속될 수 있다. 이러한 스캔 집적회로부(510)는 소정의 스위칭(Switching) 동작으로 자신에게 공급되는 전압을 스캔 전극(Y)으로 인가할 수 있다.
인덕터부(520)는 에너지 저장부(500)와 스캔 집적회로부(510) 사이에 배치될 수 있다. 아울러, 인덕터부(520)는 공진을 발생시킴으로써 스캔 전극(Y)으로부터 에너지 저장부(500)로 저장되는 에너지를 공진시키고, 에너지 저장부(500)로부터 스캔 전극(Y)으로 공급되는 에너지를 공진시킬 수 있다.
에너지 공급 스위치부(530)는 제 5 스위치부(S5)를 포함하고, 제 5 스위치부(S5)를 이용하여 에너지 저장부(500)에 저장된 에너지를 스캔 전극(Y)에 공급할 수 있다.
에너지 회수 스위치부(540)는 제 6 스위치부(S6)를 포함하고, 제 6 스위치부(S6)를 이용하여 스캔 전극(Y)의 전압을 에너지 저장부(500)로 회수할 수 있다.
기저 스위치부(550)는 스캔 집적회로부(510)와 접지(GND) 사이에 배치될 수 있다. 아울러, 기저 스위치부(550)는 스캔 집적회로부(510)와 접지(GND) 사이에서 직렬로 배치되며, 내부 다이오드가 서로 역방향인 제 3 스위치부(S3)와 제 4 스위치부(S4)를 포함할 수 있다.
공통 전압원(560)은 스캔 전극(Y)과 접지(GND) 사이에서 스캔 집적회로부(510)와 병렬로 배치되며, 스캔 전극(Y)에 공통 전압(Vc)을 공급할 수 있다. 여기서, 공통 전압(Vc)은 서스테인 신호(SUS)의 전압(Vs)으로 사용될 수 있으며, 아울러 스캔 기준 전압(Vsc)으로도 사용될 수 있다. 즉, 공통 전압원(560)이 발생시키는 하나의 공통 전압(Vc)을 서스테인 신호(SUS)의 전압, 즉 서스테인 전압(Vs) 및 스캔 기준 전압(Vsc)으로 사용하는 것이다.
여기서, 스캔 집적회로부(510)의 제 1 스위치부(S1)의 일단은 공통 전압 원(560)의 양극(+)단과 연결되고, 제 1 스위치부(S1)의 타단은 제 3 노드(n3)에서 제 2 스위치부(S2)의 일단과 연결될 수 있다. 아울러, 제 2 스위치부(S2)의 타단은 제 2 노드(n2)에서 공통 전압원(560)의 음극(-)단과 연결되고, 제 1 스위치부(S1)의 타단과 제 2 스위치부(S2)의 일단은 제 3 노드(n3)에서 스캔 전극과 연결될 수 있다.
아울러, 기저 스위치부(550)의 일단은 제 2 노드(n2)에서 공통 전압원(560)의 음극(-)단과 제 2 스위치부(S2)의 타단과 공통 연결되고, 기저 스위치부(550)의 타단은 접지(GND)와 연결될 수 있다.
아울러, 에너지 공급 스위치부(530)와 에너지 회수 스위치부(540)의 일단은 제 1 노드(n1)에서 인덕터부(520)의 타단과 공통 연결되고, 에너지 공급 스위치부(530)와 에너지 회수 스위치부(540)의 타단은 제 2 노드(n2)에서 기저 스위치부(550)의 일단, 공통 전압원(560)의 음극(-)단 및 제 2 스위치부(S2)의 타단과 공통 연결될 수 있다.
아울러, 인덕터부(520)의 일단은 에너지 저장부(500)의 타단과 연결되고, 에너지 저장부(500)의 일단은 접지(GND)와 연결될 수 있다.
다음, 도 6을 살펴보면 구동부는 상승 신호 스위치부(600)와 하강 신호 스위치부(610)를 더 포함할 수 있다.
상승 신호 스위치부(600)는 제 7 스위치부(S7)와 제 7 스위치부(S7)의 게이트(Gate) 단자에 배치되는 제 1 가변저항부(VR1)를 포함할 수 있다. 아울러, 상승 신호 스위치부(600)는 스캔 전극(Y)에 전압이 점진적으로 상승하는 상승 신호를 공 급할 수 있다.
하강 신호 스위치부(610)는 제 8 스위치부(S8)와 제 8 스위치부(S8)의 게이트 단자에 배치되는 제 2 가변저항부(VR2)를 포함할 수 있다. 아울러, 하강 신호 스위치부(610)는 스캔 전극(Y)에 전압이 점진적으로 하강하는 하강 신호를 공급할 수 있다.
여기서, 상승 신호 스위치부(600)의 일단은 상승 신호의 전압을 발생시키는 상승 신호 전압원(Vsetup)과 연결되고, 상승 신호 스위치부(600)의 타단은 제 2 노드(n2)에서 에너지 공급 스위치부(530)의 타단, 에너지 회수 스위치부(540)의 타단, 기저 스위치부(550)의 일단, 공통 전압원(560)의 음극(-)단 및 제 2 스위치부(S2)의 타단과 공통 연결될 수 있다.
아울러, 하강 신호 스위치부(610)의 일단은 제 2 노드(n2)에서 상승 신호 스위치부(600)의 타단, 에너지 공급 스위치부(530)의 타단, 에너지 회수 스위치부(540)의 타단, 기저 스위치부(550)의 일단, 공통 전압원(560)의 음극(-)단 및 제 2 스위치부(S2)의 타단과 공통 연결될 수 있고, 하강 신호 스위치부(610)의 타단은 하강 신호의 전압을 발생시키는 하강 신호 전압원(-Vy)과 연결될 수 있다.
한편, 이상에서 설명한 구동부는 적어도 두 개의 서로 다른 구동 모듈(Module)로 분할될 수 있다.
예를 들면, 에너지 저장부(500), 인덕터부(520), 에너지 공급 스위치부(530), 에너지 회수 스위치부(540), 기저 스위치부(550) 및 상승 신호 스위치부(600)는 IPM(Intelligent Power Module)로 형성되고, 스캔 집적회로부(510)와 공 통 전압원(560)은 스캔 전극(Y)에 근접 배치되는 스캔 보드(Scan Board)에 배치될 수 있다.
도 7 내지 도 16은 구동부의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 7을 살펴보면 리셋 기간(RP)에서 스캔 집적회로부(510)의 제 1 스위치부(S1)와 기저 스위치부(550)의 제 3 스위치부(S3) 및 제 4 스위치부(S4)가 턴-온(Turn-On)될 수 있다.
그러면, 도 8의 경우와 같이 공통 전압원(560)으로부터 제 1 스위치부(S1)를 경유하여 스캔 전극(Y)에 이르는 전류 경로가 형성될 수 있고, 이에 따라 스캔 전극(Y)의 전압은 공통 전압(Vc)까지 상승할 수 있다.
이후, 기저 스위치부(550)의 제 3, 4 스위치부(S3, S4)가 턴-오프(Turn-Off)되고, 상승 신호 스위치부(600)의 제 7 스위치부(S7)가 턴-온(Turn-On)될 수 있다.
그러면, 도 9의 경우와 같이 상승 신호 전압원, 상승 신호 스위치부(600)의 제 7 스위치부(S7), 제 2 노드(n2), 공통 전압원(560) 및 제 1 스위치부(S1)를 경유하여 스캔 전극(Y)에 이르는 전류 경로가 형성될 수 있다. 이에 따라 상승 신호 전압원이 발생시키는 상승 신호의 전압(Vsetup)과 공통 전압원(560)이 공급하는 공통 전압(Vc)이 합쳐져서 스캔 전극(Y)에 공급됨으로써 스캔 전극(Y)의 전압이 Vsetup+Vc까지 상승할 수 있다. 여기서, 제 7 스위치부(S7)의 게이트 단자에 배치된 제 1 가변저항부(VR1)에 의해 제 7 스위치부(S7)의 채널(Channel) 폭이 조절됨으로써 스캔 전극(Y)의 전압은 점진적으로 상승할 수 있다. 즉, 스캔 전극(Y)에 전압이 점진적으로 상승하는 상승 신호(RS)가 공급되는 것이다.
이후, 도 8의 경우와 같이 제 7 스위치부(S7)가 턴-오프되고, 제 3, 4 스위치부(S3, S4)가 턴-온되면, 스캔 전극(Y)의 전압은 공통 전압(Vc)까지 하강할 수 있다.
이후, 제 1 스위치부(S1)가 턴-오프되고, 제 2 스위치부(S2)가 턴-온될 수 있다. 그러면, 도 10의 경우와 같이 스캔 전극(Y), 제 2 스위치부(S2), 제 2 노드(n2) 및 제 3, 4 스위치부(S3, S4)를 경유하여 접지(GND)로 향하는 전류 경로가 형성되고, 이에 따라 스캔 전극(Y)의 전압은 그라운드 레벨의 전압(GND)으로 하강할 수 있다.
이후, 제 3, 4 스위치부(S3, S4)가 턴-오프되고, 하강 신호 스위치부(610)의 제 8 스위치부(S8)가 턴-온되면, 도 11과 같이 스캔 전극(Y), 제 2 스위치부(S2), 제 2 노드(n2) 및 제 8 스위치부(S8)를 경유하여 하강 신호 전압원으로 향하는 전류 경로가 형성되고, 이에 따라 스캔 전극(Y)의 전압이 하강 신호의 전압(-Vy)까지 하강할 수 있다. 여기서, 제 8 스위치부(S8)의 게이트 단자에 배치된 제 2 가변저항부(VR2)에 의해 제 8 스위치부(S8)의 채널 폭이 조절됨으로써 스캔 전극(Y)의 전압은 점진적으로 하강할 수 있다. 즉, 스캔 전극(Y)에 전압이 점진적으로 하강하는 하강 신호(FS)가 공급되는 것이다.
이후, 리셋 기간 이후의 어드레스 기간(AP)에서는 제 1 스위치부(S1)가 턴-온될 수 있다. 그러면, 도 12와 같이 스캔 전극(Y)에는 최대 공통 전압(Vc)과 하강 신호의 전압(-Vy)이 합산된 만큼의 전압(Vc+(-Vy))이 걸리는 것이 가능하다. 이에 따라, 스캔 전극(Y)에 스캔 바이어스 신호(YBS)가 공급될 수 있다. 여기서, 하강 신호(FS)의 최저 전압에서 스캔 바이어스 신호(YBS)의 전압까지 상승하는 전압의 크기를 스캔 기준 전압(Vsc)라 하고, 이러한 스캔 기준 전압(Vsc)이 공통 전압(Vc)과 실질적으로 동일한 것이다.
이후, 제 1 스위치부(S1)가 순간적으로 턴-오프되면, 스캔 전극(Y)의 전압이 -Vy까지 하강할 수 있고, 이에 따라 스캔 전극(Y)에 스캔 신호(Scan)가 공급될 수 있는 것이다. 즉, 스캔 신호(Scan)가 공급되는 기간에서는, 어드레스 기간에서 제 1, 2 스위치부(S1, S2) 및 하강 신호 스위치부(610)가 턴-온된 상태에서 제 1 스위치부(S1)가 턴-오프되는 것이다.
도 13에는 스캔 전극(Y)에 서스테인 신호(SUS)가 공급되는 과정에서의 구동부의 동작의 일례가 도시되어 있다.
도 13을 살펴보면, 서스테인 신호(SUS)는 전압이 점진적으로 상승하는 전압 상승 기간(rp), 전압이 실질적으로 유지되는 전압 유지 기간(mp) 및 전압이 점진적으로 하강하는 전압 하강 기간(fp)을 포함할 수 있다.
전압 상승 기간(rp)에서는 제 2 스위치부(S2)와 에너지 공급 스위치부(530)의 제 5 스위치부(S5)가 턴-온될 수 있다. 그러면, 도 14와 같이 에너지 저장부(500), 인덕터부(520), 제 1 노드(n1), 제 5 스위치부(S5), 제 2 노드(n2) 및 제 2 스위치부(S2)를 경유하여 스캔 전극(Y)으로 향하는 전류 경로가 형성된다. 이에 따라, 에너지 저장부(500)에 저장되어 있던 에너지가 인덕터(520)의 공진에 의해 스캔 전극(Y)으로 공급됨으로써 스캔 전극(Y)의 전압이 제 1 전압(V1)까지 점진적으로 상승하게 된다.
이후, 전압 유지 기간(mp)에서는 제 1 스위치부(S1), 기저 스위치부(550)의 제 3, 4 스위치부(S3, S4)가 턴-온되고, 제 2 스위치부(S2)와 제 5 스위치부(S5)가 턴-오프될 수 있다. 그러면, 도 15와 같이 기저 스위치부(550), 공통 전압원(560)제 1 스위치부(S1)를 경유하여 스캔 전극(Y)으로 향하는 전류 경로가 형성되고, 이에 따라 스캔 전극(Y)의 전압은 제 1 전압(V1)에서 서스테인 전압(Vs)까지 상승할 수 있다. 여기서, 서스테인 전압(Vs)은 공통 전압원(560)이 공급하는 공통 전압(Vc)과 동일한 것이다.
즉, 전압 상승 기간(rp)에서는 에너지 공급 스위치부(530)가 턴-온되고, 전압 유지 기간(mp)에서는 에너지 공급 스위치부(530)가 턴-오프되며, 아울러 기저 스위치부(550)는 턴-온되는 것이다.
이후, 전압 하강 기간(fp)에서는 제 1 스위치부(S1), 제 3, 4 스위치부(S3, S4)가 턴-오프되고, 제 2 스위치부(S2)와 제 6 스위치부(S6)는 턴-온될 수 있다. 그러면, 도 16과 같이 스캔 전극(Y), 제 2 스위치부(S2), 제 2 노드(n2), 에너지 회수 스위치부(540)의 제 6 스위치부(S6) 및 인덕터부(520)를 경유하여 에너지 저장부(500)로 향하는 전류 경로가 형성될 수 있다. 이에 따라, 스캔 전극(Y)의 전압이 인덕터부(520)의 공진에 의해 에너지 저장부(500)에 저장될 수 있고, 스캔 전극(Y)의 전압은 서스테인 전압(Vs)으로부터 제 2 전압(V2)까지 점진적으로 하강할 수 있다.
이후, 제 6 스위치부(S6)가 턴-오프되고, 제 3, 4 스위치부(S3, S4)가 턴-온되면 스캔 전극(Y)의 전압은 제 2 전압(V2)부터 그라운드 레벨(GND)의 전압까지 하 강할 수 있다.
이상에서 상세히 설명한 구동부의 회로구성을 살펴보면, 하나의 공통 전압원(560)을 이용하여 스캔 기준 전압(Vsc) 및 서스테인 전압(Vs)으로 사용하는 것을 알 수 있다. 이와 같이, 공통 전압(560)을 이용하면 전압원의 개수를 줄일 수 있어서 제조 단가를 낮출 수 있다.
아울러, 도 13 및 도 15와 같이 서스테인 신호(SUS)의 전압 유지 기간(mp)을 살펴보면 스캔 전극(Y)으로의 서스테인 전압(Vs)의 공급 경로, 즉 공통 전압(Vc)의 공급 경로가 공통 전압원(560), 제 1 스위치부(S1)를 경유할 뿐이다. 즉, 스캔 전극(Y)으로의 서스테인 전압(Vs)의 공급 경로가 상대적으로 짧으면서 단순하다. 이에 따라, 회로의 임피던스(Impedance) 성분을 저감시킬 수 있고, 이로 인해 구동신호의 왜곡을 방지하는 것이 가능하다.
이에 대해 첨부된 도 17 내지 도 18을 결부하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 17 내지 도 18은 비교예에 따른 구동부의 구성의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 17을 살펴보면 본 발명에 대비되는 비교예에 따른 구동부는 S4, S3, S7 및 S9를 구비하고, 스캔 기준 전압원(Vsc)을 구비할 수 있다. 여기서, S4는 기저 스위치부이고, S3은 서스테인 스위치부이고, S7은 셋업 스위치부이고, S9는 블로킹 스위치부이다.
이러한 구성의 구동부는 리셋 기간에서 상승 신호를 공급할 때, 먼저 S3과 S2를 턴-온시켜, 스캔 전극(Y)의 전압을 Vs까지 상승시킨 이후에, S7을 턴-온시키고, S7의 게이트 단자에 배치된 제 1 가변저항부(VR1)을 이용하여 S7의 채널 폭을 조절함으로써 스캔 전극(Y)에 전압이 점진적으로 상승하는 상승 신호를 공급할 수 있다.
아울러, 어드레스 기간에서는 스캔 기준 전압원(Vsc)이 공급하는 스캔 기준 전압(Vsc)을 스캔 전극(Y)에 공급할 수 있다.
아울러, 서스테인 기간에서는 S3을 이용하여 스캔 전극(Y)에 서스테인 전압(Vs)을 공급할 수 있다.
이러한 도 17과 같은 구성에서는 Vs, Vsetup, Vsc를 각각 발생시키기 위한 전압원이 필요하다. 반면에, 도 16이전에서 설명한 본 발명에 따른 구동부는 2개의 전압원만이 구비되면 충분하다.
아울러, 서스테인 기간에서 서스테인 전압(Vs)을 스캔 전극(Y)에 공급하기 위해서는 도 18과 같이 S3, S9, S2를 경유하는 전류 경로를 형성하여야 한다.
여기서, S3은 IPM 등과 같은 모듈 형태로 형성되고, S2는 스캔 전극(Y)과 근접한 스캔 보드에 배치되는데, 이로 인해 서스테인 전압(Vs)의 공급가 형성될 때 회로 임피던스가 상대적으로 큰 값을 가질 수 있다. 그러면, 구동 신호의 왜곡이 발생함으로써 구동이 불안정해질 수 있다.
반면에, 도 16이전에 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 구동부는 도 15와 같이 서스테인 전압의 공급 경로가 상대적으로 짧을 수 있어서 회로 임피던스의 크기가 상대적으로 작을 수 있는 것이다.
도 19는 본 발명에 따른 구동부의 또 다른 동작의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 19를 살펴보면, 어드레스 기간(AP)과 서스테인 기간(SP)의 사이의 기간(EP)에서 스캔 전극(Y)의 전압이 하강 신호의 전압(-Vy)까지 하강한 이후에 그라운드 레벨(GND)의 전압까지 상승할 수 있다.
이를 위해, 어드레스 기간과 서스테인 기간의 사이 기간(EP)에서는, 어드레스 기간에서 제 1, 2 스위치부(S1, S2) 및 하강 신호 스위치부(610)의 제 8 스위치부(S8)가 턴-온된 상태에서 먼저 제 1 스위치부(S1)가 턴-오프되고, 이후에 제 2 스위치부(S2)와 하강 신호 스위치부(610)의 제 8 스위치부(S8)가 턴-오프되며, 기저 스위치부(550)의 제 3, 4 스위치부(S3, S4)가 턴-온될 수 있다.
이와 같이, 구동부의 동작을 설정하면 구동부의 동작을 보다 안정시킬 수 있다.
예를 들어, 어드레스 기간 이후에 스캔 전극(Y)의 전압을 스캔 바이어스 신호(YBS)의 전압으로부터 그라운드 레벨(GND)의 전압까지 직접 상승시키는 경우를 가정하자.
이러한 경우에는, 어드레스 기간에서 스캔 전극(Y)에 스캔 바이어스 신호(YBS)를 공급하기 위해 도 12와 같이 제 1 스위치부(S1), 제 2 스위치부(S2) 및 제 8 스위치부(S8)를 턴-온시킨 상태에서 도 10과 같이 제 1, 8 스위치부(S1, S8)를 함께 턴-오프시키고, 기저 스위치부(550)의 제 3, 4 스위치부(S3, S4)를 턴-온시켜야 한다.
여기서, 스위칭 타이밍의 오류로 인해 제 1 스위치부(S1)의 턴-오프시점이 제 3, 4 스위치부(S3, S4)의 턴-온시점보다 늦어지는 경우에는 스캔 전극(Y)에 공통 전압(Vc)이 순간적으로 공급됨으로써 방전이 불안정해질 가능성이 있다.
한편, 도 19의 경우와 같이 어드레스 기간과 서스테인 기간의 사이 기간(EP)에서, 어드레스 기간에서 제 1, 2 스위치부(S1, S2) 및 하강 신호 스위치부(610)의 제 8 스위치부(S8)가 턴-온된 상태에서 먼저 제 1 스위치부(S1)가 턴-오프되고, 이후에 제 2 스위치부(S2)와 하강 신호 스위치부(610)의 제 8 스위치부(S8)가 턴-오프된다면 상기한 방전 불안정의 가능성을 미연에 방지할 수 있다.
이와 같이, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 전술한 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 플라즈마 디스플레이 장치의 구성에 대해 설명하기 위한 도면.
도 2는 플라즈마 디스플레이 패널의 구조의 일례에 대해 설명하기 위한 도면.
도 3은 영상의 계조를 구현하기 위한 프레임(Frame)에 대해 설명하기 위한 도면.
도 4는 플라즈마 디스플레이 장치의 구동방법을 설명하기 위한 도면.
도 5 내지 도 6은 구동부의 구성을 보다 상세히 설명하기 위한 도면.
도 7 내지 도 16은 구동부의 동작을 설명하기 위한 도면.
도 17 내지 도 18은 비교예에 따른 구동부의 구성의 일례를 설명하기 위한 도면.
도 19는 본 발명에 따른 구동부의 또 다른 동작의 일례를 설명하기 위한 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 번호의 설명>
500 : 에너지 저장부 510 : 스캔 집적회로부
520 : 인덕터부 530 : 에너지 공급 스위치부
540 : 에너지 회수 스위치부 550 : 기저 스위치부
560 : 공통 전압원 600 : 상승 신호 스위치부
610 : 하강 신호 스위치부

Claims (8)

  1. 스캔 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널과,
    복수의 서브필드(Sub-Field) 중 적어도 하나의 서브필드의 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극에 스캔 기준 전압과 스캔 신호를 공급하고, 상기 어드레스 기간 이후의 서스테인 기간에서 상기 스캔 전극에 전압 상승 기간, 전압 유지 기간 및 전압 하강 기간을 포함하는 서스테인 신호를 공급하는 구동부를 포함하고,
    상기 구동부는
    에너지 저장부;
    제 1 스위치부와 제 2 스위치부를 포함하고, 상기 제 1 스위치부와 상기 제 2 스위치부의 사이에서 상기 스캔 전극과 접속되는 스캔 집적회로부(Scan IC);
    상기 에너지 저장부와 상기 스캔 집적회로부 사이에 배치되는 인덕터(Inductor)부;
    상기 에너지 저장부에 저장된 에너지를 상기 스캔 전극에 공급하는 에너지 공급 스위치부;
    상기 스캔 전극의 전압을 상기 에너지 저장부로 회수하는 에너지 회수 스위치부;
    상기 스캔 집적회로부와 접지(GND) 사이에 배치되는 기저 스위치부; 및
    상기 스캔 전극과 접지(GND) 사이에서 스캔 집적회로부와 병렬로 배치되며, 상기 스캔 전극에 서스테인 전압과 상기 스캔 기준 전압을 공급하는 공통 전압원;
    을 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전압 상승 기간에서는 상기 에너지 공급 스위치부가 턴-온(Turn-On)되고, 상기 전압 유지 기간에서는 상기 에너지 공급 스위치부가 턴-오프(Turn-Off)되고, 상기 기저 스위치부는 턴-온되는 플라즈마 디스플레이 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기저 스위치부는 상기 스캔 집적회로부와 접지(GND) 사이에서 직렬로 배치되며, 내부 다이오드가 서로 역방향인 제 3 스위치부와 제 4 스위치부를 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 스위치부의 일단은 상기 공통 전압원의 양극단과 연결되고, 상기 제 1 스위치부의 타단은 상기 제 2 스위치부의 일단과 연결되고,
    상기 제 2 스위치부의 타단은 상기 공통 전압원의 음극단과 연결되고,
    상기 제 1 스위치부의 타단과 상기 제 2 스위치부의 일단은 상기 스캔 전극과 연결되고,
    상기 기저 스위치부의 일단은 상기 공통 전압원의 음극단과 상기 제 2 스위치부의 타단과 공통 연결되고, 상기 기저 스위치부의 타단은 접지와 연결되고,
    상기 에너지 공급 스위치부와 상기 에너지 회수 스위치부의 일단은 상기 인덕터부의 타단과 공통 연결되고, 상기 에너지 공급 스위치부와 상기 에너지 회수 스위치부의 타단은 상기 기저 스위치부의 일단, 상기 공통 전압원의 음극단 및 상기 제 2 스위치부의 타단과 공통 연결되고,
    상기 인덕터부의 일단은 상기 에너지 저장부의 타단과 연결되고, 상기 에너지 저장부의 일단은 접지와 연결되는 플라즈마 디스플레이 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 스캔 전극에 전압이 점진적으로 상승하는 상승 신호를 공급하는 상승 신호 스위치부와
    상기 스캔 전극에 전압이 점진적으로 하강하는 하강 신호를 공급하는 하강 신호 스위치부를 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 상승 신호 스위치부의 일단은 상승 신호의 전압을 발생시키는 상승 신호 전압원과 연결되고,
    상기 상승 신호 스위치부의 타단은 상기 에너지 공급 스위치부의 타단, 상기 에너지 회수 스위치부의 타단, 상기 기저 스위치부의 일단, 상기 공통 전압원의 음극단 및 상기 제 2 스위치부의 타단과 공통 연결되고,
    상기 하강 신호 스위치부의 일단은 상기 상승 신호 스위치부의 타단, 상기 에너지 공급 스위치부의 타단, 상기 에너지 회수 스위치부의 타단, 상기 기저 스위치부의 일단, 상기 공통 전압원의 음극단 및 상기 제 2 스위치부의 타단과 공통 연결되고,
    상기 하강 신호 스위치부의 타단은 상기 하강 신호의 전압을 발생시키는 하강 신호 전압원과 연결되는 플라즈마 디스플레이 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 스캔 신호가 공급되는 기간에서는, 상기 어드레스 기간에서 상기 제 1, 2 스위치부 및 상기 하강 신호 스위치부가 턴-온된 상태에서 상기 제 1 스위치부가 턴-오프되는 플라즈마 디스플레이 장치.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 어드레스 기간과 상기 서스테인 기간의 사이에서는, 상기 어드레스 기간에서 상기 제 1, 2 스위치부 및 상기 하강 신호 스위치부가 턴-온된 상태에서 먼저 상기 제 1 스위치부가 턴-오프되고, 이후에 상기 하강 신호 스위치부가 턴-오프되고, 상기 기저 스위치부가 턴-온되는 플라즈마 디스플레이 장치.
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