KR20090109770A - 태양전지용 전극 조성물 - Google Patents
태양전지용 전극 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090109770A KR20090109770A KR1020080035164A KR20080035164A KR20090109770A KR 20090109770 A KR20090109770 A KR 20090109770A KR 1020080035164 A KR1020080035164 A KR 1020080035164A KR 20080035164 A KR20080035164 A KR 20080035164A KR 20090109770 A KR20090109770 A KR 20090109770A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- silver
- parts
- weight
- solar cell
- electrode composition
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 33
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 8
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 201000006549 dyspepsia Diseases 0.000 claims description 3
- 208000024798 heartburn Diseases 0.000 claims description 3
- 208000024981 pyrosis Diseases 0.000 claims description 3
- -1 acryl Chemical group 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 7
- 229920005822 acrylic binder Polymers 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 229920001285 xanthan gum Polymers 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23H—WORKING OF METAL BY THE ACTION OF A HIGH CONCENTRATION OF ELECTRIC CURRENT ON A WORKPIECE USING AN ELECTRODE WHICH TAKES THE PLACE OF A TOOL; SUCH WORKING COMBINED WITH OTHER FORMS OF WORKING OF METAL
- B23H1/00—Electrical discharge machining, i.e. removing metal with a series of rapidly recurring electrical discharges between an electrode and a workpiece in the presence of a fluid dielectric
- B23H1/04—Electrodes specially adapted therefor or their manufacture
- B23H1/06—Electrode material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 태양전지용 전극 조성물에 관한 것으로, 은도금 금속분말, 은분말, 글래스 프릿(Glass frit), 바인더 및 유기용제를 포함하여 이루어지는데, 더욱 자세하게는 은도금 금속분말 75 내지 85 중량부, 은분말 4 내지 6 중량부, 글래스 프릿 2 내지 4 중량부, 바인더 3 내지 4 중량부 및 유기용제 10 내지 11 중량부를 포함하여 이루어진다.
또한, 전술한 태양전지용 전극 조성물은 저온소성이 가능하고 은의 사용량을 줄여 원가를 절감하는 효과를 나타낸다.
태양전지, 전극, 조성물, 글래스 프릿, 바인더, 유기용제, 은분말, 은도금
Description
본 발명은 태양전지용 전극 조성물에 관한 것으로, 은도금 금속분말, 은분말, 글래스 프릿, 바인더 및 유기용제로 이루어진다.
본 발명은 태양전지용 전극 조성물에 관한 것으로, 은도금 금속분말, 은분말, 글래스 프릿, 바인더 및 유기용제로 이루어진다.
태양전지는 태양광 에너지를 적접 전기 에너지로 변화시키는 반도체 소자를 이용한 차세대 전지로서 활발한 연구활동이 이루어지고 있다.
종래에 개발된 태양전지는 주로 비정질 실리콘 태양전지가 많이 이용되었다. 비정질 실리콘 태양전지는 에너지 변환 효율이 높아 일찍이 상용화 되었으며 태양 전지 중에서 가장 널리 보급되어 있다. 그러나 실리콘형 태양전지를 구동하기 위해서는 고순도의 실리콘이 필요하여 상용화에 부담으로 작용하여 왔다. 그래서, 이에 대한 대안으로 새로운 재료 및 구성을 이용하여 효율이 높은 전지를 개발하려는 다양한 시도가 있어 왔다.
새로운 시도를 통해 개발된 태양전지 중 하나는 은분말과 글래스 프릿 등을 함유한 전극 조성물로 하여 제조되었는데, 이러한 조성물은 비용이 높다는 문제점이 있었고, 종래의 조성물을 사용하여 전극을 형성하는 과정에서 비교적 고온의 소성 과정을 거침에 따라 기판의 특성 변화 또는 변형을 가져오거나, 이를 방지하기 위해 소성 시간을 짧게 하는 경우에는 전극에 잔류하는 탄소성분 즉 잔탄이 발생하여 효율이 낮아지는 등의 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 생산 비용이 낮으면서도 변환효율이 높은 태양전지용 전극 조성물을 제공하는 것이다.
또한, 저온소성이 가능한 태양전지용 전극 조성물을 제공하는 것이다.
전술한 본 발명의 목적은, 은도금 금속분말, 은분말, 글래스 프릿, 바인더 및 유기용제를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극 조성물을 제공함에 의해 달성된다.
본 발명의 바람직한 특징에 따르면, 전술한 태양전지 전극 조성물은 은도금 금속분말 75 내지 85 중량부, 은분말 4 내지 6 중량부, 글래스 프릿 2 내지 4 중량부, 바인더 3 내지 4 중량부 및 유기용제 10 내지 11 중량부를 포함하여 이루어진다.
본 발명의 더 바람직한 특징에 따르면, 전술한 은도금 금속분말은 구형이며, 구리 또는 니켈로 이루어진 금속분말 50 내지 80 중량부에 은이 20 내지 50 중량부로 도금되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 더욱 바람직한 특징에 따르면, 전술한 금속분말은 500 내지 800 나노미터의 입도를 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 더욱 바람직한 특징에 따르면, 전술한 은분말은 500 나노미터 이 하의 입도를 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 더욱 바람직한 특징에 따르면, 전술한 글래스 프릿은 스프레이 파이로시스를 이용하여 제조되는 구형의 것으로 1 마이크로미터 이하의 입도를 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 더욱 바람직한 특징에 따르면, 전술한 바인더는 아크릴계로 유리전이온도(Tg)가 -60 내지 -10℃인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 더욱 바람직한 특징에 따르면, 전술한 유기용제는 부틸카비톨 및 부틸세루솔브로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 태양전지용 전극 조성물은 순수 은분말을 대신하여 은도금 금속분말이 함유되어 생산비용이 저렴하면서 변환효율은 유지되는 효과를 나타낸다.
또한, 은도금 금속분말과 은분말의 입도 및 사용되는 바인더에 의해서 저온소성이 가능함에 의해 기판의 특성변화나 변형없이 소성이 가능하고, 잔탄을 방지할 수 있는 효과가 있다.
이하에는, 본 발명의 바람직한 실시예와 각 성분의 물성을 상세하게 설명하 되, 이는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세하게 설명하기 위한 것이지, 이로 인해 본 발명의 기술적인 사상 및 범주가 한정되는 것을 의미하지는 않는다.
본 발명에 따른 태양전지용 전극 조성물은 은도금 금속분말, 은분말, 글래스 프릿, 바인더 및 유기용제를 포함하여 이루어진다.
본 발명에 따른 태양전지용 전극 조성물의 조성을 상세히 살펴보면, 은도금 금속분말 75 내지 85 중량부, 은분말 4 내지 6 중량부, 글래스 프릿 2 내지 4 중량부, 바인더 3 내지 4 중량부 및 유기용제 10 내지 11 중량부를 포함하여 이루어진다.
전술한 은도금 금속분말은 75 내지 85 중량부가 함유되는데, 500 내지 800 나노미터의 입도를 갖는 구리 또는 니켈로 이루어진 금속분말 50 내지 80 중량부에 은이 20 내지 50 중량부의 비율로 도금되어 이루어진다.
전술한 은의 비율이 20 중량부 미만일 경우에는 도막의 두께가 얇아져 표면의 전류값이 낮아짐으로 인해 전극 저항의 손실을 가져오며, 은의 비율이 50 중량부를 초과할 경우에는 금속분말과 은 사이에 밀착력이 떨어져 웨이퍼와의 접촉 저항값이 증가하게 된다.
도금은 전기도금(Electroplating)과 무전해도금(Electroless plating) 두 가지 방법이 사용될 수 있다.
전술한 전기도금은 은을 음극으로 하고, 전착시키고자 하는 금속분말을 양극 으로 하여, 전착시키고자 하는 금속을 전해액에 투입하고, 통전하여 전해하는 방식으로 이러한 방식을 통해 금속표면에 은이온이 전해 석출되게 된다.
전술한 무전해 도금은 외부로부터 전기에너지를 공급받지 않고, 금속염 수용액에 금속이온을 환원제를 이용하여 자기 촉매적으로 환원시켜 피처리물의 표면에 금속을 석출하는 방법이다.
전술한 은분말은 4 내지 6 중량부가 첨가되는데, 이러한 은분말은 500 나노미터 이하의 입도를 가지는 것이 저온 소성에 유리하다.
전술한 것처럼 은분말이 소결되지 못하면 전극 패턴의 소성 치밀도가 낮아지고 전극의 저항값 상승을 유발하여 전극 저항의 손실이 발생하게 된다.
전술한 글래스 프릿은 2 내지 4 중량부가 첨가되는데, 구상의 글라스 미립자를 형성하는 방법 중에 하나인 스프레이 파이로시스를 이용하여 제조되며, 소성시에 태양전지의 전자흐름을 원활하게 하기 위해 1 마이크로미터 이하의 입도를 가지는 구형으로 형성된다.
입도가 1 마이크로미터를 초과할 경우에는 웨이퍼와의 밀착성 문제와 전극 재료의 저항값을 증가시키는 작용에 대한 인자의 조율이 불가능하게 되어 변환효율이 저하된다.
전술한 바인더는 3 내지 4 중량부가 첨가되는데, 저온 소성이 가능하도록 유리전이온도가 -60 내지 -10℃인 것을 특징으로 하는 아크릴계 바인더가 사용된다.
유리전이 온도가 -10℃를 초과하는 바인더를 사용할 경우에는 소성시에 잔탄이 완전하게 제거되지 않는 경우가 발생하는데 이러한 잔탄의 발생은 전극의 저항값을 상승시켜 변환효율을 저하시킨다.
전술한 유기용제는 부틸카비톨 및 부틸세루솔브로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어지는데 여러 혼합물이 혼합될 수 있도록 하며, 전술한 태양전지용 전극 조성물을 실리콘웨이퍼에 도포하고 건조하는 과정에서 증발된다.
본 발명에 의한 전극 조성물을 사용하는 경우 소결은 200 내지 400℃의 저온에서 가능하다.
이하에서는 본 발명의 따른 태양전지용 전극 조성물의 혼합과정을 실시예를 들어 설명한다.
실시예 1>
평균입도가 1.1 마이크로미터인 은도금 구리분말 83 중량부, 부틸카비톨 10.5 중량부, 유리전이온도가 -22℃인 아크릴계 바인더 3.5 중량부 및 글래스 프릿 3 중량부를 혼합하고 플래너터리 믹서(Planetary mixer)에서 1차 분산후에 3롤 밀에서 3회 분산하여 풀(paste) 형태의 태양전지용 전극 조성물을 제조하였다.
실시예 2>
평균입도가 1.1 마이크로미터인 은도금 구리분말 78중량부, 평균입도가 350 나노미터인 은분말 5 중량부, 부틸카비톨 10.5 중량부, 유리전이온도가 -16℃인 아크릴계 바인더 3.5 중량부 및 글래스 프릿 3 중량부를 혼합하고 실시예 1과 같은 공정을 거쳐 풀(paste) 형태의 태양전지용 전극 조성물을 제조하였다.
비교예 1>
평균입도가 1.2 마이크로미터인 은분말 83 중량부, 부틸카비톨 10.5 중량부, 유리전이온도가 -22℃인 아크릴계 바인더 3.5 중량부 및 글래스 프릿 3 중량부를 혼합하고 실시예 1과 같은 공정을 거쳐 풀(paste) 형태의 태양전지용 전극 조성물을 제조하였다.
비교예 2>
평균입도가 1.2 마이크로미터인 은분말 78 중량부, 평균입도가 350 나노미터인 은분말 5 중량부, 부틸카비톨 10.5 중량부, 유리전이온도가 -16℃ 아크릴계 바인더 3.5 중량부 및 글래스프릿 3 중량부를 혼합하고 실시예 1과 같은 공정을 거쳐 풀(paste) 형태의 태양전지용 전극 조성물을 제조하였다.
실시예 1,2에 의해 제조된 태양전지용 전극 조성물과 비교예 1,2에서 제조된 태양전지용 전극 조성물을 스크린프린터를 이용하여 실리콘 웨이퍼 상부면에 2회 도포하고, 적외선을 이용하여 150℃의 온도로 12분 동안 건조한 후에 380℃의 온도에서 10분간 소성하였다.
전술한 과정을 통해 제조된 태양전지의 물성을 광효율 측정기(Photo Voltaic Device, MP-160 Cell Evaluation System)를 이용하여 측정한 후에 아래에 표 1로 정리하였다.
표 1>
전술한 실시예 1,2 및 비교예 1,2에 나타낸 것처럼 순수한 은분말을 대신하여 은도금 금속분말을 사용해도 태양전지 변화효율을 비롯한 다른 물성이 큰 차이 없이 유지되는 것을 확인할 수 있다.
Claims (8)
- 은도금 금속분말, 은분말, 글래스 프릿, 바인더 및 유기용제를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극 조성물.
- 청구항 1에 있어서,상기 태양전지 전극 조성물은 은도금 금속분말 75 내지 85 중량부, 은분말 4 내지 6 중량부, 글래스 프릿 2 내지 4 중량부, 바인더 3 내지 4 중량부 및 유기용제 10 내지 11 중량부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극 조성물.
- 청구항 1 내지 청구항 2에 있어서,상기 은도금 금속분말은 구형이며, 구리 또는 니켈로 이루어진 금속분말 50 내지 80 중량부에 은이 20 내지 50 중량부로 도금되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극 조성물.
- 청구항 3에 있어서,상기 금속분말은 500 내지 800 나노미터의 입도를 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극 조성물.
- 청구항 1 내지 청구항 2에 있어서,상기 은분말은 500 나노미터 이하의 입도를 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극 조성물.
- 청구항 1 내지 청구항 2에 있어서,상기 글래스 프릿은 스프레이 파이로시스를 이용하여 제조되는 구형의 것으로, 1 마이크로미터 이하의 입도를 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극 조성물.
- 청구항 1 내지 청구항 2에 있어서,상기 바인더는 아크릴계로 유리전이온도가 -60 내지 -10℃인 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극 조성물.
- 청구항 1 내지 청구항 2에 있어서,상기 유기용제는 부틸카비톨 및 부틸세루솔브로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극 조성물.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080035164A KR100979509B1 (ko) | 2008-04-16 | 2008-04-16 | 태양전지용 전극 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080035164A KR100979509B1 (ko) | 2008-04-16 | 2008-04-16 | 태양전지용 전극 조성물 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090109770A true KR20090109770A (ko) | 2009-10-21 |
| KR100979509B1 KR100979509B1 (ko) | 2010-09-24 |
Family
ID=41537680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080035164A KR100979509B1 (ko) | 2008-04-16 | 2008-04-16 | 태양전지용 전극 조성물 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100979509B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114255907A (zh) * | 2021-12-23 | 2022-03-29 | 江苏飞特尔通信有限公司 | 一种低温烧结ltcc用导电银浆及其制备方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003045228A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 導電ペースト |
| JP4393938B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2010-01-06 | 信越化学工業株式会社 | 電極材料及び太陽電池、並びに太陽電池の製造方法 |
| KR100705451B1 (ko) | 2006-08-17 | 2007-04-09 | 주식회사 폴리사이언텍 | 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 은화합물계 페이스트 |
| KR100801167B1 (ko) | 2007-06-18 | 2008-02-05 | 한국다이요잉크 주식회사 | 태양전지 제조용 전면 전극재료 |
-
2008
- 2008-04-16 KR KR1020080035164A patent/KR100979509B1/ko active IP Right Grant
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114255907A (zh) * | 2021-12-23 | 2022-03-29 | 江苏飞特尔通信有限公司 | 一种低温烧结ltcc用导电银浆及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100979509B1 (ko) | 2010-09-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2012531752A (ja) | グリッドカソードをシリコンウエハの前面に形成する方法 | |
| KR101497038B1 (ko) | 전극 형성용 은 페이스트 조성물 및 이의 제조 방법 | |
| Kong et al. | Nontoxic (CH 3 NH 3) 3 Bi 2 I 9 perovskite solar cells free of hole conductors with an alternative architectural design and a solution-processable approach | |
| US20130056060A1 (en) | Process for the production of lfc-perc silicon solar cells | |
| JP2015506066A (ja) | メタルラップスルーシリコン太陽電池のための導電性銀ペースト | |
| WO2007046214A1 (ja) | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 | |
| JP2007087789A (ja) | リチウムイオン二次電池用負極及びその製造方法 | |
| Hessein et al. | Improving the stability of CdS quantum dot sensitized solar cell using highly efficient and porous CuS counter electrode | |
| EP4164005A1 (en) | Anode current collector for lithium metal battery, preparation method therefor, and lithium metal battery comprising same | |
| CN105568340B (zh) | 一种超级电容器用锰离子掺杂二氧化铅正极材料的制备方法 | |
| Nagaura et al. | Expeditious Electrochemical Synthesis of Mesoporous Chalcogenide Flakes: Mesoporous Cu2Se as a Potential High‐Rate Anode for Sodium‐Ion Battery | |
| Lee et al. | Ultrathin electrochemical layer tailoring of lithiophilic materials with 3D hierarchical configuration for lithium metal batteries: Sn/Cu 6 Sn 5@ Cu 2+ 1 O nanowires on Cu foam | |
| JP2006233232A (ja) | 層状ルテニウム酸化合物膜 | |
| CN109215837A (zh) | 一种太阳能电池用银导电浆料及其制备方法 | |
| KR100979509B1 (ko) | 태양전지용 전극 조성물 | |
| CN108922654B (zh) | 一种低温可丝网印刷碳浆料及高导电性碳电极 | |
| TWI714897B (zh) | 太陽能電池電極用導電漿料以及包含於上述導電漿料中的玻璃熔塊和太陽能電池 | |
| CN108320837B (zh) | 一种复合碳对电极材料及其制备方法与应用 | |
| JP2013531894A (ja) | シリコン太陽電池の銀後部アノードの形成方法 | |
| KR101595035B1 (ko) | 전극형성용 은 페이스트 조성물 및 이를 이용한 실리콘 태양전지 | |
| CN108428492A (zh) | 太阳能电池正面电极浆料 | |
| KR20110015216A (ko) | 전자빔 조사를 이용한 오산화바나듐 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 에너지 저장능력이 향상된 오산화바나듐 박막 | |
| CN105256344A (zh) | 一种电化学沉积制备单质锡薄膜的方法 | |
| Guo et al. | Refined Pore Structure Design and Surface Modification of 3D Porous Copper Achieving Highly Stable Dendrite‐Free Lithium‐Metal Anode | |
| Xiang et al. | Preparation of silver-coated glass frit and its application in silicon solar cells |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130612 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140718 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150813 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160722 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170616 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180802 Year of fee payment: 9 |