KR20090108886A - 자기조립분자를 이용한 포토마스크의 제조방법 - Google Patents

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KR20090108886A
KR20090108886A KR1020080034223A KR20080034223A KR20090108886A KR 20090108886 A KR20090108886 A KR 20090108886A KR 1020080034223 A KR1020080034223 A KR 1020080034223A KR 20080034223 A KR20080034223 A KR 20080034223A KR 20090108886 A KR20090108886 A KR 20090108886A
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Abstract

본 발명의 자기조립분자(Self Assembly Molecule; SAM)를 이용한 포토마스크의 제조방법은, 제1 영역 및 제2 영역을 갖는 투명기판 위에 광차단막을 형성하는 단계와, 광차단막 위에 광차단막의 일부 표면을 노출시키는 하드마스크막패턴들을 형성하는 단계와, 하드마스크막패턴들 위에 광차단막의 노출된 표면 중 일부를 노출시키는 자기조립분자층을 형성하는 단계와, 자기조립분자층에 의해 노출된 광차단막 위에 레지스트막패턴을 형성하는 단계와, 자기조립분자층을 제거하여 하드마스크막패턴과 레지스트막패턴 사이의 광차단막을 노출시키는 단계와, 하드마스크막패턴 및 레지스트막패턴에 의해 노출된 광차단막을 제거하여 광차단막패턴을 형성하는 단계와, 그리고 하드마스크막패턴 및 레지스트막패턴을 제거하는 단계를 포함한다.
포토마스크, 자기조립분자(SAM), 패턴형성

Description

자기조립분자를 이용한 포토마스크의 제조방법{Method of fabricating photomask using self assembly molecule}
본 발명은 포토마스크의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 자기조립분자(Self Assembly Molecule; SAM)를 이용한 포토마스크의 제조방법에 관한 것이다.
통상적으로 반도체소자는 수많은 패턴들로 이루어진다. 이와 같은 패턴들은 노광 및 현상을 포함하는 포토리소그라피 공정과, 이 포토리소그라피 공정에 의해 만들어진 포토레지스트막패턴을 식각마스크로 한 식각공정에 의해 만들어진다. 특히 노광은 포토마스크상의 패턴을 웨이퍼 위의 포토레지스트막에 전사하는 공정이며, 따라서 포토마스크 상의 패턴이 정확하게 형성되지 않을 경우 원하는 포토레지스트막패턴을 형성할 수 없게 된다.
최근 반도체소자의 집적도가 증가함에 따라 패턴의 크기도 점점 작아지고 있으며, 이에 따라 포토마스크 상의 패턴들의 크기도 점점 더 미세해지고 있다. 현재 포토마스크 상의 패턴들을 형성하기 위한 방법으로 전자빔 리소그라피 방법 또는 레이저빔 리소그라피 방법이 주로 사용되고 있다. 위상반전마스크를 일 예를 들면, 투명기판 위에 위상반전막, 크롬막 및 레지스트막을 순차적으로 형성한다. 다음에 레지스트막에 대한 전자빔 리소그라피 또는 레이저빔 리소그라피에 의한 노광 및 현상을 수행하여 레지스트막패턴을 형성한다. 이 레지스트막패턴을 식각마스크로 크롬막 및 위상반전막의 노출부분을 순차적으로 제거하여 투명기판의 광투과영역을 노출시키는 위상반전막패턴 및 크롬막패턴을 형성한다. 그리고 레지스트막패턴을 제거하고, 이어서 프레임 영역을 제외한 나머지 영역의 크롬막패턴을 제거한다.
비록 전자빔 리소그라피 방법 또는 레이저빔 리소그라피 방법에 의한 노광이 포토리소그라피 방법에 의한 노광에 비하여 미세 패턴을 형성하기 용이하다고 하더라도, 반도체소자의 집적도의 급격한 증가로 인한 초미세 패턴을 형성하는데는 여러 가지 문제점들이 존재한다. 예컨대 보다 더 미세해지는 패턴 형성을 위해서는 지속적으로 리소그라피 장비, 예컨대 노광장비, 현상장비, 식각장비에 대한 개선이 이루어져야 하며, 또한 전자빔 리소그라피 공정 또는 레이저빔 리소그라피 공정에서 요구하고 있는 레지스트막 물질의 개발도 함께 이루어져야 한다. 그러나 이와 같은 장비의 개선 및 물질의 개발은 요구되는 집적도 증가에 따라가지 못하고 있는 실정이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 현재 일반적으로 사용하고 있는 노광장비 및 레지스트막 물질의 사용만으로도 미세한 패턴을 형성할 수 있도록 하는 자기조립분자를 이용한 포토마스크의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 바이너리 포토마스크의 제조방법은, 제1 영역 및 제2 영역을 갖는 투명기판 위에 광차단막을 형성하는 단계와, 광차단막 위에 광차단막의 일부 표면을 노출시키는 하드마스크막패턴들을 형성하는 단계와, 하드마스크막패턴들 위에 광차단막의 노출된 표면 중 일부를 노출시키는 자기조립분자층을 형성하는 단계와, 자기조립분자층에 의해 노출된 광차단막 위에 레지스트막패턴을 형성하는 단계와, 자기조립분자층을 제거하여 하드마스크막패턴과 레지스트막패턴 사이의 광차단막을 노출시키는 단계와, 하드마스크막패턴 및 레지스트막패턴에 의해 노출된 광차단막을 제거하여 광차단막패턴을 형성하는 단계와, 그리고 하드마스크막패턴 및 레지스트막패턴을 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 위상반전마스크(PSM) 제조방법은, 제1 영역 및 제2 영역을 갖는 투명기판 위에 위상반전막 및 광차단막을 형성하는 단계와, 광차단막 위에 광차단막의 일부 표면을 노출시키는 하드마스크막패턴들을 형성하는 단계와, 하드마스크막패턴들 위에 광차단막의 노출된 표면 중 일부를 노출시키는 자기조립분자층을 형성하는 단계와, 자기조립분자층에 의해 노출된 광차단막 위에 레지스트막패턴을 형성하는 단계와, 자기조립분자층을 제거하여 하드마스크막패턴과 레지스트막패턴 사이의 광차단막을 노출시키는 단계와, 하드마스크막패턴 및 레지스트막패턴에 의해 노출된 광차단막을 제거하여 광차단막패턴을 형성하는 단계와, 광차단막패턴 및 하드마스크막패턴과, 레지스트막패턴에 의해 노출되는 위상반전막을 제거하여 위상반전막패턴을 형성하는 단계와, 그리고 하드마스크막패턴, 광차단막패턴 및 레지스트막패턴을 제거하는 단계를 포함한다.
본 실시예들에 있어서, 하드마스크막패턴은 금(Au) 재질로 형성할 수 있다.
하드마스크막패턴을 형성하는 단계는, 하드마스크막 위에 레지스트막을 형성하는 단계와, 레지스트막에 대한 노광 및 현상을 수행하여 하드마스크막의 일부표면을 노출시키는 개구부를 갖는 레지스트막패턴을 형성하는 단계와, 레지스트막패턴을 식각마스크로 한 식각으로 하드마스크막의 노출부분을 제거하여 광차단막의 일부표면을 노출시키는 개구부를 갖는 하드마스크막패턴을 형성하는 단계와, 그리고 레지스트막패턴을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
하드마스크막패턴을 형성하는 단계는, 하드마스크막패턴 사이의 개구부의 폭이 하드마스크막패턴의 폭의 3배가 되도록 수행할 수 있다.
하드마스크막패턴들 위에 광차단막의 노출된 표면 중 일부를 노출시키는 자기조립분자층을 형성하는 단계는, 하드마스크막패턴이 형성된 투명기판을 자기조립분자용액에 담구어 수행할 수 있다.
이 경우, 자기조립분자용액은, 일 단부는 황(S)으로 치환되고 상기 황(S)에 알킬(alkyl) 그룹의 분자가 연결되는 단위 자기조립분자들이 녹아있는 용액일 수 있다.
또한 알킬 그룹의 길이를 제어하여 자기조립분자층 사이의 개구부 폭을 제어할 수 있다.
자기조립분자층에 의해 노출된 광차단막 위에 레지스트막패턴을 형성하는 단계는, 네가티브형 레지스트막을 사용하여 수행할 수 있다.
자기조립분자층을 제거는 암모니아 처리방법을 사용하여 수행할 수 있다.
본 발명에 따르면, 자기조립분자와 골드(Au)의 자발적인 반응을 이용함에 따라 기존의 리소그라피 방법에 의존하는 경우에 비하여 미세한 패턴을 정확하게 형성할 수 있으며, 이에 따라 현재 일반적으로 사용하고 있는 노광장비 및 레지스트막 물질의 사용만으로도 미세한 패턴을 용이하게 형성할 수 있다는 이점이 제공된다.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 바이너리(binary) 포토마스크의 제조방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 단면도들이다. 그리고 도 7은 자기조립분자층의 형성과정을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다. 먼저 도 1을 참조하면, 제1 영역(101) 및 제2 영역(102)을 갖는 투명기판(100) 위에 광차단막(110)을 형성한다. 제1 영역(101)은 광차단패턴이 배치되는 광차단영역이고, 제2 영역(102)은 투명기판이 노출되는 광투과영역이다. 일 예에서 투명기판(100)으로는 쿼츠(quartz)를 사용할 수 있고, 광차단막(110)으로는 크롬(Cr)막을 사용할 수 있 다. 다음에 광차단막(110) 위에 하드마스크막(120)을 형성한다. 하드마스크막(120)은 이어서 형성될 자기조립분자층과의 흡착반응을 유도할 수 있는 재질로 형성한다. 일 예에서 하드마스크막(120)은 금(Au) 재질로 형성한다. 다음에 하드마스크막(120) 위에 레지스트막(130)을 형성하고, 도면에서 화살표로 나타낸 바와 같이 레지스트막(130)에 대한 전자빔 노광을 수행한다. 경우에 따라서는 전자빔 노광 대신에 레이저빔 노광을 수행할 수도 있다.
다음에 도 2를 참조하면, 전자빔 노광이 이루어진 레지스트막(도 1의 130)에 대한 현상을 수행하여 레지스트막패턴(132)을 형성한다. 레지스트막패턴(132)은 하드마스크막(120)의 일부표면을 노출시키는 개구부(134)를 갖는다. 레지스트막패턴(132)은 제1 폭(L)을 가지며, 개구부(134)는 제1 폭(L)의 대략 3배인 제2 폭(3L)을 갖는다. 이와 같은 폭에 대한 제어는 전자빔 노광시 이루어질 수 있다. 다음에 레지스트막패턴(132)을 식각마스크로 하드마스크막(120)의 노출부분에 대한 식각을 수행한다.
다음에 도 3을 참조하면, 상기 식각에 의해 광차단막(110)의 표면 중 개구부(도 2의 134)에 대응되는 표면을 노출시키는 하드마스크막패턴(122)이 형성된다. 다음에 하드마스크막패턴(122)의 상부표면 및 측면상과, 광차단막(110)의 일부 노출표면 위에 자기조립분자(SAM)층(140)을 형성한다. 자기조립분자(SAM)층(140)을 형성하기 위해서는, 도 7에 나타낸 바와 같이, 하드마스크막패턴(122)이 형성된 투명기판을 자기조립분자용액(710)에 담군다. 자기조립분자용액(710)은, 도면에서 참조부호 "720"으로 나타낸 바와 같이 일 단부는 황(S)으로 치환되고 황(S)에 알 킬(alkyl) 그룹, 예컨대 (CH2)nX(여기서 X는 CH3,COOH,NH3) 분자가 연결되는 단위 자기조립분자들이 녹아있는 용액이다. 하드마스크막패턴(122)이 형성된 투명기판을 자기조립분자용액(710) 내에 담궈두면, 자기조립분자용액(710) 내의 단위 자기조립분자의 황(S)들이 하드마스크막패턴(122)을 구성하는 금(Au)에 흡착하고, 그 결과 도면에서 참조부호 "730"으로 나타낸 바와 같이 단위 자기조립분자들이 하드마스크막패턴(122)에 흡착되어 자기조립분자(SAM)층(140)이 만들어진다. 자기조립분자(SAM)층(140)에 의해 광차단막(110)의 노출부분 중 광차단영역인 제1 영역(101)을 노출시키는 개구부(142)가 만들어진다. 개구부(142)의 폭은 자기조립분자(SAM)층(140)을 구성하는 자기조립분자(SAM)의 알킬 그룹의 길이를 제어함으로써 조절할 수 있다.
다음에 도 4를 참조하면, 자기조립분자(SAM)층(140)에 의한 개구부(142)에 레지스트막패턴(150)을 형성한다. 이를 위해 전면에 네가티브형 레지스트막을 코팅한 후, 노광 및 현상을 수행한다. 노광시 빛이 개구부(도 3의 142)에 한정되도록 조사하며, 이에 따라 현상시 빛이 조사된 부분이 남아서 개구부(142)에 한정되는 레지스트막패턴(150)이 만들어진다. 이후 화학기계적폴리싱(Chemical Mechanical Polishing)방법과 같은 평탄화를 수행하여 자기조립분자(SAM)층(140)과 레지스트막패턴(150) 표면을 평탄화시킨다.
다음에 도 5에 나타낸 바와 같이, 자기조립분자(SAM)층(도 4의 140)을 제거한다. 자기조립분자(SAM)층(140)의 제거는 암모니아 처리방법을 이용하여 수행할 수 있다. 자기조립분자(SAM)층(140)이 제거됨에 따라 하드마스크막패턴(122)이 노출된다. 다음에 하드마스크막패턴(122) 및 레지스트막패턴(150)을 식각마스크로 광차단막(도 4의 110)에 대한 식각을 수행한다. 그러면 광투과영역인 투명기판(100)의 제2 영역(102) 표면을 노출시키는 광차단막패턴(112)이 형성된다. 다음에 도 6에 나타낸 바와 같이, 하드마스크막패턴(도 5의 122)과 레지스트막패턴(도 5의 150)을 제거하여, 광차단영역인 제1 영역(101)에는 광차단막패턴(112)이 배치되고, 광투과영역인 제2 영역(102)에는 투명기판(100)이 노출되는 바이너리 포토마스크를 제조한다.
도 8 내지 도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 위상반전마스크(Phase Shift Mask; PSM)의 제조방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 단면도들이다. 먼저 도 8에 나타낸 바와 같이, 제1 영역(801) 및 제2 영역(802)을 갖는 투명기판(800) 위에 위상반전막(805) 및 광차단막(810)을 순차적으로 형성한다. 제1 영역(801)은 위상반전막패턴이 배치되는 위상반전영역이고, 제2 영역(802)은 투명기판이 노출되는 광투과영역이다. 일 예에서 투명기판(800)으로는 쿼츠(quartz)를 사용할 수 있고, 위상반전막(805)으로는 몰리브데늄실리콘막을 사용할 수 있으며, 그리고 광차단막(810)으로는 크롬(Cr)막을 사용할 수 있다. 다음에 광차단막(810) 위에 하드마스크막(820)을 형성한다. 하드마스크막(820)은 이어서 형성될 자기조립분자층과의 흡착반응을 유도할 수 있는 재질로 형성한다. 일 예에서 하드마스크막(820)은 금(Au) 재질로 형성한다. 다음에 하드마스크막(820) 위에 레지스트막(830)을 형성하고, 도면에서 화살표로 나타낸 바와 같이 레지스트막(830)에 대한 전자빔 노광을 수행한다. 경우에 따라서는 전자빔 노광 대신에 레이저빔 노광을 수행할 수도 있다.
다음에 도 9에 나타낸 바와 같이, 전자빔 노광이 이루어진 레지스트막(도 8의 830)에 대한 현상을 수행하여 레지스트막패턴(832)을 형성한다. 레지스트막패턴(832)은 레지스트막패턴(832)들 사이에서 하드마스크막(820)의 일부표면을 노출시키는 개구부(834)를 갖는다. 레지스트막패턴(832)은 제1 폭(L)을 가지며, 개구부(834)는 제1 폭(L)의 대략 3배인 제2 폭(3L)을 갖는다. 이와 같은 폭에 대한 제어는 전자빔 노광시 이루어진다. 다음에 레지스트막패턴(832)을 식각마스크로 하드마스크막(820)의 노출부분에 대한 식각을 수행한다. 그러면 도 10에 나타낸 바와 같이, 광차단막(810)의 표면 중 개구부(도 9의 834)에 대응되는 표면을 노출시키는 하드마스크막패턴(822)이 형성된다.
다음에 하드마스크막패턴(822)의 상부표면 및 측면상과, 광차단막(810)의 일부 노출표면 위에 자기조립분자(SAM)층(840)을 형성한다. 자기조립분자(SAM)층(840)을 형성하는 방법은 도 7을 참조하여 설명한 바와 동일하다. 즉, 하드마스크막패턴(822)이 형성된 투명기판을 자기조립분자용액에 담군다. 자기조립분자용액은, 일 단부는 황(S)으로 치환되고 황(S)에 알킬(alkyl) 그룹, 예컨대 (CH2)nX(여기서 X는 CH3,COOH,NH3) 분자가 연결되는 단위 자기조립분자들이 녹아있는 용액이다. 따라서 하드마스크막패턴(822)이 형성된 투명기판을 자기조립분자용액 내에 담궈두면, 자기조립분자용액 내의 단위 자기조립분자의 황(S)들이 하드마스크막패턴(822) 을 구성하는 금(Au)에 흡착하고, 그 결과 단위 자기조립분자들이 하드마스크막패턴(822)에 흡착되어 자기조립분자(SAM)층(840)이 만들어진다. 자기조립분자(SAM)층(840)은 광차단막(810)의 노출부분 중 광차단영역인 제1 영역(101)을 노출시키는 개구부(842)을 갖도록 형성한다. 개구부(842)의 폭은 자기조립분자(SAM)층(840)을 구성하는 자기조립분자(SAM)의 알킬 그룹의 길이를 제어함으로써 조절할 수 있다.
다음에 도 11에 나타낸 바와 같이, 자기조립분자(SAM)층(840)에 의한 개구부(842)에 레지스트막패턴(850)을 형성한다. 이를 위해 전면에 네가티브형 레지스트막을 코팅한 후, 노광 및 현상을 수행한다. 노광시 빛이 개구부(도 10의 842)에 한정되도록 조사하며, 이에 따라 현상시 빛이 조사된 부분이 남아서 개구부(842)에 한정되는 레지스트막패턴(850)이 만들어진다. 이후 화학기계적폴리싱(Chemical Mechanical Polishing)방법과 같은 평탄화를 수행하여 자기조립분자(SAM)층(840)과 레지스트막패턴(850) 표면을 평탄화시킨다.
다음에 도 12에 나타낸 바와 같이, 자기조립분자(SAM)층(도 11의 840)을 제거한다. 자기조립분자(SAM)층(840)의 제거는 암모니아 처리방법을 이용하여 수행할 수 있다. 자기조립분자(SAM)층(840)이 제거됨에 따라 하드마스크막패턴(822)이 노출된다. 다음에 하드마스크막패턴(822) 및 레지스트막패턴(850)을 식각마스크로 광차단막(도 11의 810)에 대한 식각을 수행한다. 그러면 광투과영역의 위상반전막(805) 표면을 노출시키는 광차단막패턴(812)이 형성된다. 다음에 도 13에 나타낸 바와 같이, 위상반전막(도 12의 805)의 노출부분에 대한 식각을 수행하여 광투과영역인 제2 영역(802)의 투명기판(800) 표면을 노출시키는 위상반전막패턴(807)을 형 성한다. 그리고 하드마스크막패턴(도 12의 822), 레지스트막패턴(도 12의 850) 및 광차단막패턴(도 12의 812)을 제거하여, 위상반전영역인 제1 영역(801)에는 위상반전막패턴(807)이 배치되고, 광투과영역인 제2 영역(802)에는 투명기판(800)이 노출되는 위상반전마스크를 제조한다.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 바이너리 포토마스크의 제조방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 단면도들이다.
도 7은 자기조립분자층의 형성과정을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다.
도 8 내지 도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 위상반전마스크의 제조방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 단면도들이다.

Claims (18)

  1. 제1 영역 및 제2 영역을 갖는 투명기판 위에 광차단막을 형성하는 단계;
    상기 광차단막 위에 상기 광차단막의 일부 표면을 노출시키는 하드마스크막패턴들을 형성하는 단계;
    상기 하드마스크막패턴들 위에 상기 광차단막의 노출된 표면 중 일부를 노출시키는 자기조립분자층을 형성하는 단계;
    상기 자기조립분자층에 의해 노출된 광차단막 위에 레지스트막패턴을 형성하는 단계;
    상기 자기조립분자층을 제거하여 상기 하드마스크막패턴과 상기 레지스트막패턴 사이의 광차단막을 노출시키는 단계;
    상기 하드마스크막패턴 및 레지스트막패턴에 의해 노출된 광차단막을 제거하여 광차단막패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 하드마스크막패턴 및 레지스트막패턴을 제거하는 단계를 포함하는 포토마스크의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 하드마스크막패턴은 금(Au) 재질로 형성하는 포토마스크의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 하드마스크막패턴을 형성하는 단계는,
    상기 하드마스크막 위에 레지스트막을 형성하는 단계;
    상기 레지스트막에 대한 노광 및 현상을 수행하여 상기 하드마스크막의 일부표면을 노출시키는 개구부를 갖는 레지스트막패턴을 형성하는 단계;
    상기 레지스트막패턴을 식각마스크로 한 식각으로 상기 하드마스크막의 노출부분을 제거하여 광차단막의 일부표면을 노출시키는 개구부를 갖는 하드마스크막패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 레지스트막패턴을 제거하는 단계를 포함하는 포토마스크의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 하드마스크막패턴을 형성하는 단계는, 상기 하드마스크막패턴 사이의 개구부의 폭이 상기 하드마스크막패턴의 폭의 3배가 되도록 수행하는 포토마스크의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 하드마스크막패턴들 위에 상기 광차단막의 노출된 표면 중 일부를 노출시키는 자기조립분자층을 형성하는 단계는, 상기 하드마스크막패턴이 형성된 투명기판을 자기조립분자용액에 담구어 수행하는 포토마스크의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 자기조립분자용액은, 일 단부는 황(S)으로 치환되고 상기 황(S)에 알 킬(alkyl) 그룹의 분자가 연결되는 단위 자기조립분자들이 녹아있는 용액인 포토마스크의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 알킬 그룹의 길이를 제어하여 상기 자기조립분자층 사이의 개구부 폭을 제어하는 포토마스크의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 자기조립분자층에 의해 노출된 광차단막 위에 레지스트막패턴을 형성하는 단계는, 네가티브형 레지스트막을 사용하여 수행하는 포토마스크의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 자기조립분자층을 제거는 암모니아 처리방법을 사용하여 수행하는 포토마스크의 제조방법.
  10. 제1 영역 및 제2 영역을 갖는 투명기판 위에 위상반전막 및 광차단막을 형성하는 단계;
    상기 광차단막 위에 상기 광차단막의 일부 표면을 노출시키는 하드마스크막패턴들을 형성하는 단계;
    상기 하드마스크막패턴들 위에 상기 광차단막의 노출된 표면 중 일부를 노출 시키는 자기조립분자층을 형성하는 단계;
    상기 자기조립분자층에 의해 노출된 광차단막 위에 레지스트막패턴을 형성하는 단계;
    상기 자기조립분자층을 제거하여 상기 하드마스크막패턴과 상기 레지스트막패턴 사이의 광차단막을 노출시키는 단계;
    상기 하드마스크막패턴 및 레지스트막패턴에 의해 노출된 광차단막을 제거하여 광차단막패턴을 형성하는 단계;
    상기 광차단막패턴 및 하드마스크막패턴과, 상기 레지스트막패턴에 의해 노출되는 위상반전막을 제거하여 위상반전막패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 하드마스크막패턴, 광차단막패턴 및 레지스트막패턴을 제거하는 단계를 포함하는 포토마스크의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 하드마스크막패턴은 금(Au) 재질로 형성하는 포토마스크의 제조방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 하드마스크막패턴을 형성하는 단계는,
    상기 하드마스크막 위에 레지스트막을 형성하는 단계;
    상기 레지스트막에 대한 노광 및 현상을 수행하여 상기 하드마스크막의 일부표면을 노출시키는 개구부를 갖는 레지스트막패턴을 형성하는 단계;
    상기 레지스트막패턴을 식각마스크로 한 식각으로 상기 하드마스크막의 노출 부분을 제거하여 광차단막의 일부표면을 노출시키는 개구부를 갖는 하드마스크막패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 레지스트막패턴을 제거하는 단계를 포함하는 포토마스크의 제조방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 하드마스크막패턴을 형성하는 단계는, 상기 하드마스크막패턴 사이의 개구부의 폭이 상기 하드마스크막패턴의 폭의 3배가 되도록 수행하는 포토마스크의 제조방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 하드마스크막패턴들 위에 상기 광차단막의 노출된 표면 중 일부를 노출시키는 자기조립분자층을 형성하는 단계는, 상기 하드마스크막패턴이 형성된 투명기판을 자기조립분자용액에 담구어 수행하는 포토마스크의 제조방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 자기조립분자용액은, 일 단부는 황(S)으로 치환되고 상기 황(S)에 알킬(alkyl) 그룹의 분자가 연결되는 단위 자기조립분자들이 녹아있는 용액인 포토마스크의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 알킬 그룹의 길이를 제어하여 상기 자기조립분자층 사이의 개구부 폭을 제어하는 포토마스크의 제조방법.
  17. 제10항에 있어서,
    상기 자기조립분자층에 의해 노출된 광차단막 위에 레지스트막패턴을 형성하는 단계는, 네가티브형 레지스트막을 사용하여 수행하는 포토마스크의 제조방법.
  18. 제10항에 있어서,
    상기 자기조립분자층을 제거는 암모니아 처리방법을 사용하여 수행하는 포토마스크의 제조방법.
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