KR20090108738A - Plasma processing apparatus - Google Patents

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KR20090108738A
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šœ스께 구누기
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세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
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Abstract

[PROBLEMS] To eliminate abnormal discharge onto an inner surface of an ejection port on a ground electrode of a plasma processing apparatus. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A dielectric member (60) is arranged on a discharge surface (42), which is of a ground electrode (40) of a plasma processing apparatus and facing an electric field applying electrode (30). On the dielectric member (60), an ejection guide hole (62) continuous to a discharge space (1p) between the electrodes is formed, and on the ground electrode (40), an ejection port (41) continuous to the ejection guide hole (62) is formed. An inner surface of the ejection guide hole (62) on the dielectric member (60) is protruded from an inner surface of the ejection port (41) on the ground electrode (40). On the dielectric member (60), a step surface (64) is extended as the same surface from an abutting surface (63) which abuts to the ground electrode (40).

Description

플라즈마 처리 장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}Plasma Processing Equipment {PLASMA PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a plasma processing apparatus.

예를 들면, 하기 특허 문헌 1에는 한 쌍의 전극이 상하에 대향하여 배치된 플라즈마 처리 장치가 기재되어 있다. 상측의 전극은 전원이 접속되어 전계 인가 전극으로 되어 있다. 하측의 전극은 전기적으로 접지되어, 접지 전극으로 되어 있다. 이들 전극 사이에 전계가 인가되어 대기압 글로 방전이 생성됨과 동시에 처리 가스가 도입되어 플라즈마화되도록 되어 있다. 하측의 접지 전극에는 슬릿형의 분출구가 형성되어 있다. 이 분출구로부터 상기 처리 가스가 하측으로 분출된다. 접지 전극의 하측에는 피처리물이 배치되어 있다. 이 피처리물에 상기 분출구로부터의 처리 가스가 분무되고, 표면 처리가 이루어지도록 되어 있다.For example, Patent Document 1 below describes a plasma processing apparatus in which a pair of electrodes is disposed to face up and down. The upper electrode is connected to a power source to form an electric field application electrode. The lower electrode is electrically grounded to form a ground electrode. An electric field is applied between these electrodes to generate atmospheric glow discharge, and at the same time, a processing gas is introduced to make plasma. The slit-shaped jet opening is formed in the lower ground electrode. The processing gas is jetted downward from the jet port. The to-be-processed object is arrange | positioned under the ground electrode. The processing gas from the jet port is sprayed on the object to be treated, and the surface treatment is performed.

접지 전극의 상면(전계 인가 전극과의 대향면)에는 알루미나의 용사막을 포함하는 고체 유전체층이 형성되어 있다. On the upper surface of the ground electrode (opposed to the electric field applying electrode), a solid dielectric layer containing a thermal sprayed coating of alumina is formed.

특허 문헌 1: 일본 특허 공개 제2004-006211호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-006211

<발명의 개시><Start of invention>

<발명이 해결하고자 하는 과제>Problems to be Solved by the Invention

상기 구조의 플라즈마 처리 장치에서는 금속으로 이루어지는 접지 전극의 분출구의 내면이 노출되어 있으면, 여기에 아크가 발생할 우려가 있었다. 특히, 분출구의 전극 인가 전극측의 단부 가장자리에 전계가 집중하여, 그 단부 가장자리에 발광 강도가 보다 강한 방전이 일어나거나, 여기에 아크가 발생하였다. 그러면, 메탈 콘테미네이션이나 파티클이 발생하여 피처리물에 부착된다는 문제가 있었다.In the plasma processing apparatus of the above structure, if the inner surface of the ejection port of the ground electrode made of metal is exposed, an arc may be generated there. In particular, an electric field was concentrated at the end edge of the electrode application electrode side of the ejection opening, and a discharge with stronger emission intensity occurred at the end edge thereof, or an arc occurred therein. Then, there was a problem that metal contamination or particles are generated and adhered to the workpiece.

<과제를 해결하기 위한 수단>Means for solving the problem

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 처리 가스를 방전 공간에서 플라즈마화하여 분출하고, 상기 방전 공간의 외부의 피처리물 배치부에 배치된 피처리물에 접촉시켜 플라즈마 표면 처리를 행하는 장치에 있어서, MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said subject, this invention is the apparatus which plasma-processes and discharges a process gas in a discharge space, and makes plasma surface treatment by making it contact a to-be-processed object arrange | positioned in the to-be-processed object placement part of the said discharge space. ,

전원에 접속된 전계 인가 전극(핫 전극)과, An electric field applying electrode (hot electrode) connected to a power supply,

상기 전계 인가 전극을 향하는 방전면과 상기 피처리물 배치부를 향하는 처리면을 갖고, 전기적으로 접지된 접지 전극(어스 전극)과, An electrically grounded ground electrode (earth electrode) having a discharge surface facing the electric field application electrode and a processing surface facing the object placement portion;

상기 접지 전극의 방전면에 접촉됨과 동시에 상기 전계 인가 전극에 면하여 상기 방전 공간을 구획 형성하는 고체 유전체로 이루어지는 접지측의 유전 부재A dielectric member on the ground side made of a solid dielectric that contacts the discharge surface of the ground electrode and simultaneously partitions the discharge space facing the field applying electrode.

를 구비하고, 상기 유전 부재에는 상기 방전 공간에 연속해 있는 분출도공이 형성되고, The dielectric member is provided with a spray coating continuous to the discharge space.

상기 접지 전극에는 상기 분출도공에 연속해 있음과 동시에 상기 방전면으로부터 상기 처리면으로 관통하는 분출구가 형성되고, The ground electrode is provided with a jet port which is continuous with the jet coating and penetrates from the discharge surface to the processing surface,

상기 유전 부재에서의 상기 분출도공의 내면이, 상기 접지 전극에서의 상기 분출구의 내면의 상기 방전면측의 단부 가장자리로부터 분출구의 직경 방향 내측으로 돌출하고, An inner surface of the jet coating in the dielectric member protrudes radially inward of the jet port from an end edge of the discharge surface side of the internal surface of the jet port in the ground electrode,

상기 유전 부재가, 상기 접지 전극의 방전면과 접촉하는 접촉면과, 이 접촉면으로부터 동일면에 연장되어 상기 분출도공의 내면과 상기 분출구의 내면과의 사이의 단차를 형성하는 단차면을 갖고 있는 것을 특징으로 한다. The dielectric member has a contact surface in contact with the discharge surface of the ground electrode and a step surface extending from the contact surface to the same surface to form a step between the inner surface of the spray coating and the inner surface of the spray port. do.

이에 따라, 접지 전극에서의 분출구의 내면의 방전면측의 단부 가장자리에 아크 등의 이상 방전이 발생하는 것을 방지할 수 있어, 메탈 콘테미네이션 및 파티클의 발생을 저지할 수 있고, 이들 메탈 콘테미네이션이나 파티클이 피처리물에 부착되는 것을 방지할 수 있다. As a result, abnormal discharge such as an arc can be prevented from occurring at the edge of the discharging surface side of the inner surface of the ejection opening in the ground electrode, and the occurrence of metal contamination and particles can be prevented, and these metal contents can be prevented. Nation or particles can be prevented from adhering to the workpiece.

상기 분출구의 크기 및 형상이 상기 분출구의 관통 방향(접지 전극의 두께 방향)으로 일정할 수도 있다. 이에 따라, 분출구를 용이하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 분출구의 내면의 방전측의 단부 가장자리뿐만 아니라 내면의 어떤 개소에도 아크 등의 이상 방전이 발생하지 않도록 할 수 있다. The size and shape of the jet port may be constant in the penetrating direction (thickness direction of the ground electrode) of the jet port. As a result, the ejection opening can be easily formed, and abnormal discharge such as an arc can be prevented from occurring at any portion of the inner surface as well as the end edge of the discharge side of the inner surface of the ejection opening.

상기 분출도공의 크기 및 형상이 상기 분출도공의 관통 방향(유전 부재의 두께 방향)으로 일정할 수 있다. 이에 따라, 분출도공을 용이하게 형성할 수 있다. The size and shape of the jet coating may be constant in the penetration direction (thickness direction of the dielectric member) of the jet coating. Thereby, spray coating can be formed easily.

상기 분출구의 상기 처리면측의 단부에서의 크기가 상기 방전면측의 단부에서의 크기보다 작게 되어 있을 수 있다. 이에 따라, 접지 전극에서의 분출구의 내면의 방전면측의 단부 가장자리에 아크 등의 이상 방전이 발생하는 것을 방지할 수 있음과 동시에, 분출구 내로의 외부 분위기의 개입을 방지할 수 있고, 나아가 처리 가스의 분출 기세를 확보할 수 있어, 처리 효율을 향상시킬 수 있다. The magnitude | size at the edge part of the said process surface side of the said jet port may be smaller than the magnitude | size at the edge part at the said discharge surface side. As a result, an abnormal discharge such as an arc can be prevented from occurring at the end edge of the discharge surface side of the inner surface of the ejection opening at the ground electrode, and an intervention of an external atmosphere into the ejection opening can be prevented. The blowing moment of can be ensured, and the processing efficiency can be improved.

상기 분출구의 크기가 상기 처리면에 근접함에 따라 완만하게 작아지고 있을 수 있다. 이에 따라, 분출구의 내면에 전계 집중이 일어나는 것을 방지할 수 있어, 이상 방전이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있다. As the size of the jet port is close to the treatment surface, it may be gradually decreased. Thereby, electric field concentration can be prevented from occurring on the inner surface of the jet port, and it can reliably prevent abnormal discharge from occurring.

상기 분출구의 상기 처리면측의 단부에서의 크기 및 형상이 상기 분출도공의 크기 및 형상과 대략 일치할 수 있다. 이에 따라, 외부 분위기의 개입을 충분히 방지할 수 있어, 처리 가스의 기세를 충분히 확보할 수 있음과 동시에, 분출구의 내면에 이상 방전이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있다. The size and shape at the end of the jetting port at the treatment surface side may substantially match the size and shape of the jetting coating. As a result, the intervention of the external atmosphere can be sufficiently prevented, the momentum of the processing gas can be sufficiently secured, and the abnormal discharge can be reliably prevented from occurring on the inner surface of the jet port.

상기 유전 부재를, 상기 접지 전극에 대하여 상기 방전면과 평행한 면내에서 오차를 허용하면서 위치 규제하는 위치 규제 수단을 추가로 구비하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 유전 부재와 접지 전극을 서로 독립적으로 열팽창 가능하게 할 수 있어, 양자의 팽창 차이에 의해 유전 부재가 파손되는 것을 방지할 수 있다. It is preferable to further include position regulating means for positioning the dielectric member while allowing an error in a plane parallel to the discharge surface with respect to the ground electrode. Accordingly, the dielectric member and the ground electrode can be thermally expanded independently of each other, so that the dielectric member can be prevented from being damaged due to the expansion difference between them.

상기 유전 부재를 정규 위치에 위치시킨 상태에서의 상기 단차면의 상기 돌출 방향을 따르는 폭이 상기 오차의 허용량보다 큰 것이 바람직하다. 이에 따라, 유전 부재의 위치 결정 오차가 있더라도 이상 방전이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있다. It is preferable that the width | variety along the said protrusion direction of the said step surface in the state which positioned the said dielectric member in a normal position is larger than the allowable amount of the said error. As a result, even if there is a positioning error of the dielectric member, it is possible to reliably prevent the occurrence of abnormal discharge.

상기 유전 부재와는 별체의 절연체로 이루어지고, 상기 접지 전극의 분출구의 내면을 덮도록 설치된 피복 부재를 추가로 구비할 수 있다. 이에 따라, 분출구의 내면에 이상 방전이 발생하는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다. The dielectric member may be formed of an insulator separate from the dielectric member, and may further include a covering member provided to cover the inner surface of the blowout port of the ground electrode. As a result, it is possible to more reliably prevent the occurrence of abnormal discharge on the inner surface of the jet port.

상기 피복 부재의 두께가 상기 단차면의 상기 돌출 방향을 따르는 폭과 대략 동일한 것이 바람직하다. 이에 따라, 유전체의 분출도공의 내면과 피복 부재의 내벽을 동일면으로 할 수 있어, 피복 부재의 모서리부 등의 결손을 확실하게 방지할 수 있어, 파티클의 발생을 방지할 수 있다. It is preferable that the thickness of the covering member is approximately equal to the width along the protruding direction of the stepped surface. As a result, the inner surface of the dielectric spraying coating and the inner wall of the covering member can be the same surface, and defects such as corners of the covering member can be reliably prevented, and generation of particles can be prevented.

본 발명은 거의 대기압 근방하(상압하)에서의 플라즈마 처리에 적합하다. 여기서, 거의 대기압 근방하(거의 상압)란, 1.013×104 내지 50.663×104 Pa의 범위를 말하고, 압력 조정의 용이화나 장치 구성의 간편화를 고려하면, 1.333×104 내지 10.664×104 Pa가 바람직하고, 9.331×104 내지 10.397×104 Pa가 보다 바람직하다. The present invention is suitable for plasma treatment at about atmospheric pressure (at normal pressure). Here, the near atmospheric pressure (almost normal pressure) refers to the range of 1.013 × 10 4 to 50.663 × 10 4 Pa, and considering the ease of pressure adjustment and the simplified device configuration, 1.333 × 10 4 to 10.664 × 10 4 Pa Is preferable and 9.331 * 10 <4> -10.397 * 10 <4> Pa is more preferable.

<발명의 효과>Effect of the Invention

본 발명에 따르면, 접지 전극에서의 분출구의 내면의 방전면측의 단부 가장자리에 아크 등의 이상 방전이 발생하는 것을 방지할 수 있어, 파티클의 발생을 저지할 수 있다. According to the present invention, occurrence of abnormal discharge such as an arc can be prevented from occurring at the end edge of the discharge surface side of the inner surface of the ejection port on the ground electrode, thereby preventing the generation of particles.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 대기압 플라즈마 처리 장치를 도 2의 I-I선을 따라 나타내는 측면 단면도이다. 1 is a side sectional view showing an atmospheric pressure plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention along the line I-I of FIG. 2.

도 2는 도 1의 II-II선을 따른, 상기 대기압 플라즈마 처리 장치의 처리 헤드의 정면 단면도이다. FIG. 2 is a front sectional view of a processing head of the atmospheric pressure plasma processing apparatus along the line II-II of FIG. 1.

도 3은 상기 처리 헤드의 분해 사시도이다. 3 is an exploded perspective view of the processing head.

도 4는 (a)는 상기 처리 헤드의 전극부를 확대하여 나타내는 정면 단면도이고, (b)는 (a)의 IVb-1Vb선을 따르는 평면도이다. 4 is a front sectional view showing the electrode part of the processing head in an enlarged manner, and (b) is a plan view along the line IVb-1Vb of (a).

도 5는 도 4에 있어서 접지측 유전 부재가 위치 어긋나게 배치된 경우를 실 선으로 나타내고, 정규 위치를 가상선으로 나타낸 것으로, (a)는 상기 전극부의 확대 단면도이고, (b)는 (a)의 Vb-Vb선을 따르는 평면도이다. FIG. 5 shows a case where the ground-side dielectric member is displaced in FIG. 4 by a solid line, and shows a normal position by an imaginary line, (a) is an enlarged sectional view of the electrode portion, and (b) is (a) It is a top view along the Vb-Vb line of this.

도 6(a)는 상기 처리 헤드의 분출구 및 분출도공의 배열 구조의 일례를 나타내는 저면도이다. Fig. 6 (a) is a bottom view showing an example of an arrangement structure of the jet port and the jet coating of the processing head.

도 6(b)는 상기 처리 헤드의 분출구 및 분출도공의 배열 구조의 일례를 나타내는 저면도이다. Fig. 6 (b) is a bottom view showing an example of an arrangement structure of the jet port and the jet coating of the processing head.

도 7은 상기 전극부의 분출구의 변형예를 나타내고, (a)는 확대 단면도이고, (b)는 (a)의 Vlb-Vlb선을 따르는 평면도이다. FIG. 7: shows the modification of the ejection opening of the said electrode part, (a) is an expanded sectional view, (b) is a top view along the Vlb-Vlb line of (a).

도 8은 상기 전극부의 분출구의 변형예를 나타내는 확대 단면도이다.8 is an enlarged cross-sectional view showing a modification of the jet port of the electrode portion.

도 9는 상기 전극부의 분출구의 변형예를 나타내는 확대 단면도이다. 9 is an enlarged cross-sectional view showing a modification of the jet port of the electrode portion.

도 10은 상기 처리 헤드의 분출 구조의 변형예를 나타내는 단면도이다. 10 is a cross-sectional view showing a modification of the jet structure of the treatment head.

도 11은 상기 처리 헤드의 분출구 및 분출도공의 형상의 변형예를 나타내는 저면도이다.It is a bottom view which shows the modification of the shape of the jet opening of the said process head, and jet coating.

도 12는 상기 처리 헤드의 분출구 및 분출도공의 변형예를 나타내는 저면도이다.It is a bottom view which shows the modification of the ejection opening and ejection coating of the said processing head.

도 13은 상기 처리 헤드의 분출구 및 분출도공의 변형예를 나타내는 저면도이다.Fig. 13 is a bottom view showing a modification of the jet port and the jet coating of the treatment head.

도 14는 상기 처리 헤드의 분출구 및 분출도공의 변형예를 나타내는 저면도이다. Fig. 14 is a bottom view showing a modification of the jet port and the jet coating of the treatment head.

부호의 설명Explanation of the sign

W: 피처리물 W: To-be-processed object

1: 처리 헤드 1: treatment head

1a: 처리 공간1a: processing space

1p: 방전 공간1p: discharge space

2: 피처리물 배치부2: object to be processed

3: 전원3: power

20: 프레임(위치 규제 수단)20: frame (position control means)

30: 전계 인가 전극30: field applied electrode

40: 바닥판(접지 전극)40: bottom plate (grounding electrode)

41: 분출구41: spout

41a: 분출구의 방전면측의 단부 가장자리41a: end edge of the discharge surface of the jet port

41b: 분출구의 처리면측의 단부 가장자리41b: end edge of the treated surface side of the jet port

42: 방전면42: discharge surface

43: 처리면43: treatment surface

60: 접지측 유전 부재60: grounding dielectric member

62: 분출도공62: blowout coating

63: 접촉면63: contact surface

64: 단차면64: step surface

70: 피복 부재 70: covering member

이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 따라 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described according to drawing.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 제1 실시 형태를 나타낸 것이다. 대기압 플라즈마 처리 장치는 처리 헤드 (1)과 피처리물 배치부 (2)를 구비하고 있다. 피처리물 배치부 (2)는 스테이지나 컨베어로 구성되어 있고, 그의 상측에 피처리물 W가 배치되도록 되어 있다. 피처리물 W는, 예를 들면 유리 기판이나 반도체 기판이다. 1 to 3 show a first embodiment of the present invention. The atmospheric pressure plasma processing apparatus is provided with the process head 1 and the to-be-processed object part 2. The to-be-processed object placement part 2 is comprised by the stage and conveyor, and the to-be-processed object W is arrange | positioned above it. The to-be-processed object W is a glass substrate or a semiconductor substrate, for example.

피처리물 배치부 (2)는 피처리물 W를 도 1의 지면 직교 방향으로 반송할 수 있도록 되어 있다. 피처리물 W가 위치 고정되어 있을 수도 있고, 처리 헤드 (1)이 도 1의 지면 직교 방향으로 이동하도록 되어 있을 수도 있다. The to-be-processed object placement part 2 is able to convey the to-be-processed object W to the orthogonal direction of the paper of FIG. The to-be-processed object W may be fixed in position, and the process head 1 may be made to move in the orthogonal direction of the paper of FIG.

처리 헤드 (1)은 도시하지 않은 가대에 지지되고, 피처리물 배치부 (2)의 상측에 떨어져 위치하고 있다. 처리 헤드 (1)은 상부 덮개 부재 (10)과 프레임 (20)과 전계 인가 전극 (30)과 바닥판 (40)을 구비하고, 한 방향(도 1의 좌우 방향, 도 2의 지면 직교 방향)으로 연장되어 있다. The processing head 1 is supported by the mount which is not shown in figure, and is located in the upper side of the to-be-processed object placement part 2. As shown in FIG. The processing head 1 includes an upper cover member 10, a frame 20, an electric field applying electrode 30, and a bottom plate 40, and has one direction (left-right direction in FIG. 1 and paper-orthogonal direction in FIG. 2). Extends.

상부 덮개 부재 (10)은 내부식성이 높은 수지(절연체)로 구성되고, 처리 헤드 (1)의 긴 방향으로 연장되어 있다. The upper lid member 10 is made of a resin (insulator) having high corrosion resistance and extends in the longitudinal direction of the treatment head 1.

도 3에 나타낸 바와 같이, 프레임 (20)은 한 쌍의 장변 프레임부 (21)과 한 쌍의 단변 프레임부 (22)를 갖고, 내부가 개구된, 평면에서 보아 직사각형으로 되어 있다. 장변 프레임부 (21)은 처리 헤드 (1)의 장변을 구성하고 있다. 단변 프레임부 (22)는 처리 헤드 (1)의 단변을 구성하고 있다. 프레임 (20)의 상면에 상부 덮개 부재 (10)의 주연부가 재치되어 있다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 짧은 볼트 (91)가 상부 덮개 부재 (10)을 수직으로 관통하여 프레임 (20)에 비틀어 넣어져 있다. 볼트 (91)에 의해 상부 덮개 부재 (10)과 프레임 (20)이 연결되어 있다. 상부 덮개 부재 (10)이 프레임 (20)의 내부 공간을 상측으로부터 막고 있다. As shown in FIG. 3, the frame 20 has a pair of long side frame portions 21 and a pair of short side frame portions 22, and is rectangular in plan view with an open inside. The long side frame portion 21 constitutes the long side of the processing head 1. The short side frame portion 22 constitutes a short side of the processing head 1. The peripheral part of the upper lid member 10 is placed on the upper surface of the frame 20. As shown in FIG. 2, the short bolt 91 penetrates the upper lid member 10 vertically and is twisted into the frame 20. The upper cover member 10 and the frame 20 are connected by the bolt 91. The upper lid member 10 blocks the internal space of the frame 20 from above.

한 쌍의 장변 프레임부 (21)에는 각각 가스 도입로 (20a)가 형성되어 있다. 가스 도입로 (20a)는 처리 헤드 (1)의 긴 방향으로 연장되어 있다. 처리 가스원 (4)로부터의 가스 공급로 (4a)가 가스 도입로 (20a)의 일단부에 연속해 있다. 가스 도입로 (20a)의 측부로부터 가스 도입구 (20b)가 분기되어 있다. 가스 도입구 (20b)는 가스 도입로 (20a)의 연장 방향(도 2의 지면 직교 방향)으로 간격을 두고 복수 설치되어 있다. 각 가스 도입구 (20b)는 장변 프레임부 (21)의 내측면에 도달하여 개구되어 있다. The gas introduction passage 20a is formed in the pair of long side frame portions 21, respectively. The gas introduction passage 20a extends in the longitudinal direction of the processing head 1. The gas supply passage 4a from the processing gas source 4 is continuous at one end of the gas introduction passage 20a. The gas introduction port 20b branches off from the side of the gas introduction passage 20a. The gas inlet 20b is provided in multiple numbers at intervals in the extending direction (the orthogonal direction of the paper surface of FIG. 2) of the gas introduction path 20a. Each gas inlet 20b reaches the inner side surface of the long side frame part 21, and is open.

또한, 상기 처리 가스원 (4)에는 처리 목적에 맞는 처리 가스가 비축되어 있다. In addition, the processing gas source 4 stores a processing gas suitable for the processing purpose.

프레임 (20)의 내부의 가스 도입로 (20a)보다 하측에는 접지측 냉각로 (20c)가 형성되어 있다. 접지측 냉각로 (20c)에는 냉각 매체 공급 수단(도시 생략)으로부터의 냉각 매체가 통과되도록 되어 있다. 냉각 매체로서 예를 들면 물이 이용되고 있다. A ground side cooling passage 20c is formed below the gas introduction passage 20a inside the frame 20. The cooling medium from the cooling medium supply means (not shown) passes through the ground-side cooling path 20c. For example, water is used as the cooling medium.

처리 헤드 (1)의 내부에는 전계 인가측 유전 부재 (50)이 설치되어 있다. 유전 부재 (50)은 바닥판부 (51)과 한 쌍의 측벽부 (52, 52)를 일체로 갖고 있다. 바닥판부 (51)은 처리 헤드 (1)의 긴 방향으로 연장되어 있다. 한 쌍의 측벽부 (52, 52)는 바닥판부 (51)의 짧은 방향의 양측의 가장자리로부터 위로 돌출되어 있다. 이들 바닥판부 (51)과 측벽부 (52, 52)가 조합되어 유전 부재 (50)의 단면이 대략 U자형으로 되어 있다. An electric field application side dielectric member 50 is provided inside the processing head 1. The dielectric member 50 has the bottom plate part 51 and a pair of side wall parts 52 and 52 integrally. The bottom plate part 51 extends in the longitudinal direction of the processing head 1. The pair of side wall portions 52 and 52 protrude upward from the edges on both sides in the short direction of the bottom plate portion 51. These bottom plate portions 51 and side wall portions 52 and 52 are combined to form a substantially U-shaped cross section of the dielectric member 50.

바닥판부 (51)은 전극 (30)의 방전 생성면에 배치되어 방전을 안정화시키는 유전체층으로서의 역할을 담당하고 있고, 전극 (30)과는 별체로 분리 가능하게 되어 있다. The bottom plate portion 51 is disposed on the discharge generating surface of the electrode 30 and serves as a dielectric layer for stabilizing the discharge, and is separated from the electrode 30 separately.

도 2에 나타낸 바와 같이, 한 쌍의 측벽부 (52)와 장변 프레임부 (21)과의 사이에는 한 쌍의 측부 간극 (1c)가 형성되어 있다. 각 측부 간극 (1c)의 상단부에 가스 도입구 (20b)가 연속해 있다. As shown in FIG. 2, a pair of side gaps 1c are formed between the pair of side wall portions 52 and the long side frame portion 21. The gas inlet 20b is continuous in the upper end part of each side clearance gap 1c.

볼트 (93)(도 2)이 상부 덮개 부재 (10)을 수직으로 관통하고, 측벽부 (52)에 비틀어 넣어져 있다. 볼트 (93)에 의해 상부 덮개 부재 (10)과 유전 부재 (50)이 연결되어 있다. The bolt 93 (FIG. 2) penetrates the upper lid member 10 vertically and is screwed into the side wall portion 52. The upper cover member 10 and the dielectric member 50 are connected by the bolt 93.

유전 부재 (50)의 내부에 전계 인가 전극 (30)이 수용되어 있다. 전극 (30)은 스테인리스나 알루미늄 등의 금속으로 구성되어 있다. 전극 (30)은 긴 방향을 도 1의 좌우 방향(처리 헤드 (1)의 긴 방향과 동일 방향)으로 향하게 하고, 짧은 방향을 도 1의 지면 직교 방향으로 향하게 한 평판상을 이루고 있다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 전극 (30)은 급전선 (3a)를 통해 전원 (3)에 접속되어 있다. 이 전극 (30)이 유전 부재 (50)의 바닥판부 (51)의 상면에 재치되어 있다. 이에 따라, 전극 (30)의 하면(전계 인가측 방전면)이 고체 유전체층으로서의 판부 (51)로 덮여져 있다. The electric field application electrode 30 is accommodated in the dielectric member 50. The electrode 30 is comprised with metals, such as stainless steel and aluminum. The electrode 30 has a flat plate shape in which the long direction is oriented in the left and right direction (the same direction as the long direction of the processing head 1) in FIG. 1 and the short direction is in the orthogonal direction of the paper in FIG. As shown in FIG. 2, the electrode 30 is connected to the power supply 3 via the feed line 3a. This electrode 30 is placed on the upper surface of the bottom plate portion 51 of the dielectric member 50. As a result, the lower surface (the electric field application side discharge surface) of the electrode 30 is covered with the plate portion 51 as a solid dielectric layer.

전극 (30)의 내부에는 전계 인가측 냉각로 (32c)가 형성되어 있다. 냉각로 (32c)는 전극 (30)의 긴 방향으로 연장되어 있다. 냉각로 (32c)에는 도시하지 않 은 냉각 매체 공급 수단으로부터의 냉각 매체가 통과되도록 되어 있다. 냉각 매체로서 예를 들면 물이 이용되어 있다. An electric field application side cooling path 32c is formed inside the electrode 30. The cooling path 32c extends in the longitudinal direction of the electrode 30. In the cooling path 32c, a cooling medium from a cooling medium supply means (not shown) passes. For example, water is used as the cooling medium.

도 1에 나타낸 바와 같이, 전극 (30)의 긴 방향의 양단면과 단변 프레임부 (22)와의 사이에는 엔드피스 (35)가 설치되어 있다. 엔드피스 (35)는 알루미나 등의 세라믹(절연체)으로 구성되어 있다. 엔드피스 (35)에 의해 전극 (30)과 프레임 (20)이 절연되어 있다.As shown in FIG. 1, the end piece 35 is provided between the both ends of the longitudinal direction of the electrode 30, and the short side frame part 22. As shown in FIG. The end piece 35 is made of a ceramic (insulator) such as alumina. The electrode 30 and the frame 20 are insulated by the end piece 35.

전극 (30)의 긴 방향의 양단면과 엔드피스 (35)와의 사이에는 전극 (30)의 신장 변형을 허용하는 약간의 클리어런스가 설치되어 있다. 엔드피스 (35)와 전계 인가측 유전 부재 (50)와의 이음매는 접착제 등으로 완전히 코킹되어 있다. A slight clearance is provided between the end face 35 of the longitudinal direction of the electrode 30 and the end piece 35 to allow elongation deformation of the electrode 30. The joint between the end piece 35 and the field application side dielectric member 50 is completely caulked with an adhesive or the like.

도 2에 나타낸 바와 같이, 전극 (30)의 짧은 방향의 양측면은 유전 부재 (50)의 측벽부 (52)와 대향하고 있다. 이들 전극 (30)과 측벽부 (52)와의 사이에는 측부 절연 간극 (1d)가 형성되어 있다. As shown in FIG. 2, both side surfaces in the short direction of the electrode 30 face the side wall portion 52 of the dielectric member 50. The side insulation clearance gap 1d is formed between these electrodes 30 and the side wall portion 52.

전극 (30)의 상측에 상부 덮개 부재 (10)이 씌워져 있다. 전극 (30)과 상부 덮개 부재 (10)과의 사이에는 상부 절연 간극 (1e)가 형성되어 있다. 상부 절연 간극 (1e)와 측부 절연 간극 (1d)는 서로 연속해 있다.The upper lid member 10 is covered on the upper side of the electrode 30. An upper insulating gap 1e is formed between the electrode 30 and the upper lid member 10. The upper insulation gap 1e and the side insulation gap 1d are continuous with each other.

도 1 내지 도 3에 나타낸 바와 같이, 처리 헤드 (1)의 바닥부에는 바닥판 (40)이 설치되어 있다. 바닥판 (40)은 긴 방향을 도 1의 좌우 방향(처리 헤드 (1)의 긴 방향과 동일 방향)으로 향하게 하고, 짧은 방향을 도 1의 지면 직교 방향으로 향하게 한 평판상을 이루고 있다. 바닥판 (40)의 주연부가 프레임 (20)의 하면에 접촉됨과 동시에, 약간 긴 볼트 (92)(도 2)가 상부 덮개 부재 (10) 및 프레임 (20)을 수직으로 관통하여 바닥판 (40)의 주연부에 비틀어 넣어져 있다. 볼트 (92)에 의해 바닥판 (40)이 프레임 (20)에 연결되어 있다. 바닥판 (40)이 프레임 (20)의 내부 공간을 하측으로부터 막고 있다.1 to 3, the bottom plate 40 is provided at the bottom of the processing head 1. The bottom plate 40 has a flat plate shape in which the long direction is directed in the left and right direction (the same direction as the long direction of the processing head 1) in FIG. 1 and the short direction is in the orthogonal direction of the paper in FIG. While the periphery of the bottom plate 40 is in contact with the lower surface of the frame 20, a slightly longer bolt 92 (FIG. 2) vertically penetrates the top cover member 10 and the frame 20 so that the bottom plate 40 Is twisted around the periphery. The bottom plate 40 is connected to the frame 20 by bolts 92. The bottom plate 40 blocks the internal space of the frame 20 from below.

바닥판 (40)은 스테인리스 등의 내열성 및 내부식성이 높은 금속으로 구성되어 있다. 바닥판 (40)은 접지선 (3b)(도 2)를 통해 전기적으로 접지되어 있다. 이에 따라, 바닥판 (40)은 전계 인가 전극 (30)에 대한 접지 전극으로 되어 있다. 이하, 바닥판 (40)을 적절히 "접지 전극 (40)"이라 칭한다. The bottom plate 40 is made of a metal having high heat resistance and corrosion resistance, such as stainless steel. The bottom plate 40 is electrically grounded through the ground wire 3b (FIG. 2). As a result, the bottom plate 40 serves as a ground electrode for the electric field application electrode 30. Hereinafter, the bottom plate 40 is appropriately referred to as "ground electrode 40".

접지 전극 (40)의 상면은 전계 인가 전극 (30)을 향하는 접지측 방전면 (42)(전계 인가 전극 (30)과의 사이에 방전을 생성해야 할 면)로 되어 있다. The upper surface of the ground electrode 40 is a ground-side discharge surface 42 facing the electric field application electrode 30 (a surface on which discharge must be generated between the electric field application electrode 30).

접지 전극 (40)은 피처리물 배치부 (2), 나아가서는 피처리물 W와 대향하고, 피처리물 W와의 사이에 처리 공간 (1a)를 형성하도록 되어 있다. 접지 전극 (40)의 하면(방전면 (42)와는 반대측의 면)은 피처리물 W를 향하는 처리면 (43)(피처리물 W와의 사이에 처리 공간 (1a)를 구획 형성해야할 면)으로 되어 있다. The ground electrode 40 faces the object to be processed portion 2 and further, the object W, and forms a processing space 1a between the object W. The lower surface of the ground electrode 40 (the surface opposite to the discharge surface 42) is the treatment surface 43 facing the object W (the surface where the treatment space 1a should be partitioned between the object W). It is.

접지 전극 (40)의 방전면(상면) (42)에는 접지측 유전 부재 (60)이 설치되어 있다. 유전 부재 (60)은 알루미나 등의 세라믹(고체 유전체)으로 구성되어 있다. 유전 부재 (60)은 접지 전극 (40)과 동일 방향으로 연장되는 평판상을 이루고 있다. 유전 부재 (60)은 접지 전극 (40)의 방전면 (42)를 덮어, 방전을 안정화시키는 유전체층으로서의 역할을 담당하고 있다. The ground side dielectric member 60 is provided on the discharge surface (upper surface) 42 of the ground electrode 40. The dielectric member 60 is made of a ceramic (solid dielectric) such as alumina. The dielectric member 60 has a flat plate shape extending in the same direction as the ground electrode 40. The dielectric member 60 covers the discharge surface 42 of the ground electrode 40 and serves as a dielectric layer to stabilize the discharge.

유전 부재 (60)은 프레임 (20)의 내부에 수용되어 있다. 유전 부재 (60)의 외주연과 프레임 (20)의 내주면과의 사이에는 유전 부재 (60)의 팽창을 허용하거 나, 유전 부재 (60)을 프레임 (20)에 수납하는 데 충분한 클리어런스가 형성되어 있다. 클리어런스의 크기 d1은 유전 부재 (60)의 수용 조작을 가능하게 하는 정도이고, 예를 들면 d1= 1 mm 미만이다. 프레임 (20)은 접지 전극 (40)의 상면 (42)에 대한 유전 부재 (60)의 위치를 규제하는 위치 규제 수단으로 되어 있다. 유전 부재 (60)의 위치는 상기 클리어런스의 크기 d1(<1 mm)에 대응하는 분의 오차가 허용되어 있다(도 5 참조). The dielectric member 60 is housed inside the frame 20. Clearance is formed between the outer periphery of the dielectric member 60 and the inner peripheral surface of the frame 20 to allow expansion of the dielectric member 60 or to accommodate the dielectric member 60 in the frame 20. have. The magnitude d1 of the clearance is such as to allow the accommodation operation of the dielectric member 60, for example, d1 = less than 1 mm. The frame 20 is a position regulating means for regulating the position of the dielectric member 60 with respect to the upper surface 42 of the ground electrode 40. The position of the dielectric member 60 allows an error of the minute corresponding to the clearance size d1 (<1 mm) (see Fig. 5).

도 1에 나타낸 바와 같이, 유전 부재 (60)의 긴 방향의 양단부 가장자리에는 각각 위로 돌출하는 볼록부 (61)이 형성되어 있다. 볼록부 (61)은 유전 부재 (60)의 긴 방향의 단부 가장자리를 따라 연장되어 있다. 이들 볼록부 (61)에 상기 전계 인가측 유전 부재 (50)의 바닥판부 (51)의 긴 방향의 양단부가 재치되어 있다.As shown in FIG. 1, the convex part 61 which protrudes upward is formed in the edge of the both ends of the longitudinal direction of the dielectric member 60, respectively. The convex portion 61 extends along the longitudinal edge of the dielectric member 60. Both ends of the longitudinal direction of the bottom plate part 51 of the said electric field application side dielectric member 50 are mounted in these convex parts 61.

전계 인가측 유전 부재 (50)의 바닥판부 (51)과 접지측 유전 부재 (60)과의 사이에는 좁은 하부 간극 (1b)가 형성되어 있다. 후술하는 바와 같이, 이 하부 간극 (1b)의 중앙부가 방전 공간 (1p)가 된다. 접지측 유전 부재 (60)의 상면은 전계 인가측 유전 부재 (50), 나아가서는 전계 인가 전극 (30)에 면해 있다. 접지측 유전 부재 (60)의 상면은 방전 공간 (1p)를 구획 형성하는 구획 형성면으로 되어 있다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 하부 간극 (1b)의 짧은 방향의 양단부는 측부 간극 (1c)의 하단부에 각각 연속해 있다.A narrow lower gap 1b is formed between the bottom plate portion 51 of the field application side dielectric member 50 and the ground side dielectric member 60. As will be described later, the central portion of the lower gap 1b becomes the discharge space 1p. The upper surface of the ground side dielectric member 60 faces the field application side dielectric member 50, and further, the field application electrode 30. The upper surface of the ground-side dielectric member 60 is a partition formation surface for partitioning the discharge space 1p. As shown in FIG. 2, the both ends of the short direction of the lower clearance gap 1b continue in the lower end part of the side clearance gap 1c, respectively.

처리 헤드 (1)의 분출 구조에 대하여 설명한다.The ejection structure of the processing head 1 is demonstrated.

접지측 유전 부재 (60)에는 다수의 분출도공 (62)가 형성되어 있다. 분출도공 (62)는 유전 부재 (60)의 상면(방전 공간 (1p)의 구획 형성면)으로부터 하면(접 지 전극 (40)에 씌워지는 면)으로 두께 방향으로 관통하고 있다. 분출도공 (62)는 방전 공간 (1p)에 연속해 있다. 분출도공 (62)의 크기 및 형상은 관통 방향(상하 방향)으로 일정하게 되어 있다. 예를 들면, 분출도공 (62)는 직경 1 mm 정도의 일정한 크기의 원형 단면으로 되어 있다. A plurality of blowout coatings 62 are formed in the ground-side dielectric member 60. The jet coating 62 penetrates in the thickness direction from the upper surface of the dielectric member 60 (the partitioning surface of the discharge space 1p) to the lower surface (surface covered by the ground electrode 40). The spray coating 62 is continuous in the discharge space 1p. The size and shape of the spray coating 62 is constant in the penetrating direction (up and down direction). For example, the spray coating 62 has a circular cross section of a constant size of about 1 mm in diameter.

접지 전극 (40)에는 다수의 분출구 (41)이 형성되어 있다. 분출구 (41)은 접지 전극 (40)의 상면(방전면 (42))으로부터 하면(처리면 (43))으로 두께 방향으로 관통하고 있다. 분출구 (41)의 크기 및 형상은 관통 방향(상하 방향)으로 일정하게 되어 있다. 예를 들면, 분출구 (41)은 직경 3 mm 정도의 일정한 크기의 원형 단면으로 되어 있다. 분출구 (41)은 접지측 유전 부재 (60)의 분출도공 (62)와 일대일로 대응하도록 배열되고, 각각 대응하는 분출도공 (62)에 연속해 있는 동시에, 처리 공간 (1a)에 연속해 있다.The ground electrode 40 is provided with a plurality of jet holes 41. The jet port 41 penetrates from the upper surface (discharge surface 42) of the ground electrode 40 to the lower surface (processing surface 43) in the thickness direction. The size and shape of the jet port 41 are constant in the penetrating direction (up and down direction). For example, the jet port 41 has a circular cross section of a constant size of about 3 mm in diameter. The jet port 41 is arranged in one-to-one correspondence with the jet coating 62 of the ground-side dielectric member 60, and is continuous to the corresponding jet coating 62, respectively, and is continuous to the processing space 1a.

분출구 (41) 및 분출도공 (62)는 규칙적으로 배열되어 있다. 예를 들면, 도 6(a)에 나타낸 바와 같이, 분출구 (41) 및 분출도공 (62)는 사각격자형으로 배열될 수 있다. 또는, 도 6(b)에 나타낸 바와 같이, 분출구 (41) 및 분출도공 (62)는 삼각격자형 등으로 배열될 수도 있다. The jet port 41 and the jet coating 62 are regularly arranged. For example, as shown in Fig. 6A, the jet port 41 and the jet coating 62 may be arranged in a square grid shape. Alternatively, as shown in Fig. 6B, the jet port 41 and the jet coating 62 may be arranged in a triangular grid or the like.

도 4(a)에 확대하여 나타낸 바와 같이, 각 분출구 (41)은 분출도공 (62)보다 크다. 분출도공 (62)의 내면은 분출구 (41)의 내면보다 분출구 (41)의 직경 방향의 내측으로 돌출되어 있다. 유전 부재 (60)의 하면은 접촉면 (63)과 단차면 (64)를 포함하고 있다. 접촉면 (63)은 유전 부재 (60)의 하면 중, 접지 전극 (40)의 방전면 (42)에 닿아 접하는 부분이다. 단차면 (64)는 접촉면 (63)과 동일한 평면 을 구성하고, 접촉면 (63)으로부터 분출구 (41)의 직경 방향 내측으로 동일면으로 연장되어 있다. 단차면 (64)가 분출도공 (62)의 내면과 분출구 (41)의 내면과의 사이의 단차를 형성하고 있다. 단차면 (64)는 분출구 (41) 및 분출도공 (62)의 주연을 따르는 환형으로 되어 있다. 도 4(b)에 나타낸 바와 같이, 상측(전계 인가 전극 (30)의 측)에서 보면, 유전 부재 (60)의 분출도공 (62)의 주연 부분이 접지 전극 (40)의 분출구 (41)의 상단부 가장자리 (41a)(방전면 (42)측의 단부 가장자리)를 전체 둘레에 걸쳐 덮고 있다. As shown in an enlarged view in FIG. 4A, each jet port 41 is larger than the jet coating 62. The inner surface of the jetting coating 62 protrudes inward in the radial direction of the jetting opening 41 than the inner surface of the jetting opening 41. The lower surface of the dielectric member 60 includes a contact surface 63 and a stepped surface 64. The contact surface 63 is a portion of the lower surface of the dielectric member 60 that contacts and contacts the discharge surface 42 of the ground electrode 40. The step surface 64 constitutes the same plane as the contact surface 63, and extends from the contact surface 63 to the same surface inward in the radial direction of the jet port 41. The stepped surface 64 forms a step between the inner surface of the spray coating 62 and the inner surface of the spray port 41. The stepped surface 64 has an annular shape along the periphery of the jet port 41 and the jet coating 62. As shown in FIG. 4 (b), when viewed from the upper side (side of the electric field applying electrode 30), the peripheral portion of the jet coating 62 of the dielectric member 60 is formed of the jet opening 41 of the ground electrode 40. The upper edge 41a (the edge of the edge on the discharge face 42 side) is covered over the entire circumference.

분출구 (41)의 직경은 분출도공 (62)의 직경보다 바람직하게는 0.5 내지 4 mm 정도 크고, 보다 바람직하게는 2 mm 정도 크다.The diameter of the jet port 41 is preferably about 0.5 to 4 mm larger than the diameter of the jet coating 62, and more preferably about 2 mm larger.

단차면 (64)의 폭 w1(분출구 (41)의 단부 가장자리로부터의 돌출량)은 w1=1 mm 정도이다. 단차면 (64)의 폭 w1은 유전 부재 (60)의 위치 결정 오차의 허용량 d1(<1 mm)보다 크다(w1>d1).The width w1 (protrusion amount from the end edge of the jet port 41) of the step surface 64 is about w1 = 1 mm. The width w1 of the step surface 64 is larger than the allowable amount d1 (<1 mm) of the positioning error of the dielectric member 60 (w1> d1).

처리 헤드 (1)의 조립 절차를 설명한다. The assembling procedure of the treatment head 1 will be described.

바닥판, 즉 접지 전극 (40) 위에 프레임 (20)을 배치한다. 프레임 (20)의 내측에 접지측 유전 부재 (60)을 수용한다. 이 유전 부재 (60)을 접지 전극 (40)의 상면 (42)에 재치한다. 이에 따라, 유전 부재 (60)의 분출도공 (62)와 접지 전극 (40)의 분출구 (41)이 연통한다. 분출도공 (62)의 내면은 분출구 (41)의 내면보다 내측으로 돌출하고, 이들 분출도공 (62)의 내면 및 분출구 (41)의 내면끼리 사이에 단차 (64)가 형성된다. 유전 부재 (60)과 프레임 (20) 사이에는 클리어런스가 설정되어 있어, 유전 부재 (60)을 용이하게 수용할 수 있다. 이 클리어런스 는 매우 작기 때문에(d1<1 mm), 유전 부재 (60)을 접지 전극 (40)에 대하여 거의 정확하게 위치 결정할 수 있다. 도 5(a)에 나타낸 바와 같이, 설령 유전 부재 (60)의 위치 결정 오차가 있더라도 오차의 허용량 d1이 정규 위치 결정 상태에서의 단차면 (64)의 폭 w1(도 4(a))보다 작기 때문에(d1<w1), 분출도공 (62)의 내면의 전체 둘레가 반드시 분출구 (41)의 내면보다 내측으로 돌출된다. 따라서, 도 5(b)에 나타낸 바와 같이, 상측에서 보아 분출구 (41)의 상단부 가장자리 (41a)의 전체 둘레가 유전 부재 (60)의 분출도공 (62)의 주연부로 반드시 덮이게 된다.The frame 20 is disposed on the bottom plate, that is, the ground electrode 40. The ground side dielectric member 60 is housed inside the frame 20. The dielectric member 60 is placed on the upper surface 42 of the ground electrode 40. As a result, the ejection coating 62 of the dielectric member 60 and the ejection opening 41 of the ground electrode 40 communicate with each other. The inner surface of the spray coating 62 protrudes inward from the inner surface of the spray opening 41, and a step 64 is formed between the inner surface of the spray coating 62 and the inner surfaces of the spray opening 41. A clearance is set between the dielectric member 60 and the frame 20, so that the dielectric member 60 can be easily accommodated. Since this clearance is very small (d1 <1 mm), the dielectric member 60 can be positioned almost accurately with respect to the ground electrode 40. As shown in Fig. 5 (a), even if there is a positioning error of the dielectric member 60, the allowable amount d1 of the error is smaller than the width w1 (Fig. 4 (a)) of the stepped surface 64 in the normal positioning state. Therefore, the entire circumference of the inner surface of the ejection coating 62 necessarily protrudes inwardly from the inner surface of the ejection opening 41 (d1 <w1). Therefore, as shown in FIG. 5 (b), the entire circumference of the upper edge 41a of the jet port 41 as seen from the upper side is necessarily covered with the peripheral edge of the jet coating 62 of the dielectric member 60.

또한, 프레임 (20)의 내부에 전계 인가측 유전 부재 (50)을 삽입한다. 이 전계 인가측 유전 부재 (50)의 긴 방향의 양단부를 볼록부 (61) 위에 재치한다. 전계 인가측 유전 부재 (50)의 바닥판부 (51) 위에는 전계 인가 전극 (30)을 재치한다. 전계 인가 전극 (30)의 긴 방향의 양단부에는 엔드피스 (35)를 배치한다. 엔드피스 (35)와 전계 인가측 유전 부재 (50)과의 이음매는 접착제 등으로 완전히 코킹한다. In addition, the electric field application side dielectric member 50 is inserted into the frame 20. Both ends of the longitudinal direction of this electric field application side dielectric member 50 are mounted on the convex part 61. The field application electrode 30 is placed on the bottom plate portion 51 of the field application side dielectric member 50. End pieces 35 are disposed at both ends of the electric field applying electrode 30 in the longitudinal direction. The joint between the end piece 35 and the field application side dielectric member 50 is completely caulked with an adhesive or the like.

이어서, 상부 덮개 부재 (10)을 부재 (20, 30, 50) 위에 씌우고, 짧은 볼트 (91)로 프레임 (20)을 상부 덮개 부재 (10)에 고정하고, 긴 볼트 (92)로 접지 전극 (40)을 프레임 (20)에 고정하고, 중간 길이의 볼트 (93)으로 전계 인가측 유전 부재 (50)을 상부 덮개 부재 (10)에 고정한다. 이들 볼트 (91, 92, 93)은 모두 동일 방향(수직)으로 향해져 있기 때문에, 동시 병행하여 조여 갈 필요가 없고, 임의의 순서로 용이하게 볼트 체결할 수 있다.Subsequently, the top cover member 10 is covered over the members 20, 30, 50, the frame 20 is fixed to the top cover member 10 with a short bolt 91, and the ground electrode ( 40 is fixed to the frame 20, and the electric field applying side dielectric member 50 is fixed to the upper cover member 10 with a bolt 93 of a medium length. Since these bolts 91, 92, and 93 are all oriented in the same direction (vertical), there is no need to tighten them in parallel, and bolts can be easily tightened in any order.

상기 구성의 플라즈마 처리 장치에서 표면 처리를 행할 때에는 피처리물 W를 피처리물 배치부 (2) 위에 세팅한다.When surface treatment is performed in the plasma processing apparatus having the above-described configuration, the workpiece W is set on the workpiece placement unit 2.

그리고, 처리 가스원 (4)로부터의 처리 가스를 가스 공급로 (4a)를 거쳐 처리 헤드 (1)의 가스 도입로 (20a)에 공급한다. 이 처리 가스는 복수의 가스 도입구 (20b)로부터 측부 간극 (1c)에 균일하게 유입되고, 또한 하부 간극 (1b)에 도입된다. Then, the processing gas from the processing gas source 4 is supplied to the gas introduction passage 20a of the processing head 1 via the gas supply passage 4a. This processing gas is uniformly introduced into the side gap 1c from the plurality of gas inlets 20b and is also introduced into the lower gap 1b.

병행하여, 전원 (3)으로부터 전계 인가 전극 (30)에 전압을 공급한다. 이에 따라, 전계 인가 전극 (30)과 접지 전극 (40)과의 사이에 대기압 글로 방전이 생성되고, 하부 간극 (1b)의 중앙부가 방전 공간 (1p)가 되고, 상기 공간 (1p)의 처리 가스가 플라즈마화(분해, 여기, 활성화, 라디칼화, 이온화를 포함함)된다. In parallel, a voltage is supplied from the power supply 3 to the electric field application electrode 30. As a result, an atmospheric pressure glow discharge is generated between the electric field application electrode 30 and the ground electrode 40, the central portion of the lower gap 1b becomes the discharge space 1p, and the processing gas of the space 1p. Is plasmatized (including decomposition, excitation, activation, radicalization, ionization).

플라즈마화된 처리 가스가 분출도공 (62)를 거쳐 분출구 (41)로부터 하측의 처리 공간 (1a)로 분출되고, 피처리물 W에 접촉된다. 이에 따라, 피처리물 W의 표면 상에서 반응이 일어나, 원하는 표면 처리가 행해진다. 또한, 피처리물 배치부 (2)를 좌우에 스캔함으로써, 피처리물 W의 전체를 처리할 수 있다. The plasma-processed processing gas is blown out from the blowing port 41 to the processing space 1a of the lower side via the blowing coating 62, and it contacts the to-be-processed object W. FIG. Thereby, reaction occurs on the surface of the to-be-processed object W, and desired surface treatment is performed. Moreover, the whole to-be-processed object W can be processed by scanning the to-be-processed object placement part 2 from side to side.

접지측 유전 부재 (60)의 분출도공 (62)의 내면이 접지 전극 (40)의 분출구 (41)의 내면보다 내측으로 돌출되어 있기 때문에, 전계 인가 전극 (30) 측에서 보면, 유전 부재 (60)의 분출도공 (62)의 주연부가 분출구 (41)의 내면을 덮게 된다. 이 때문에, 아크 등의 이상 방전이 분출구 (41)의 내면의 특히 상단부 가장자리 (41a)에 발생하는 것을 방지할 수 있다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 설령 유전 부재 (60)의 위치 결정 오차가 있더라도 분출구 (41)의 상단부 가장자리 (41a)의 전체 둘레가 반드시 유전 부재 (60)으로 덮이도록 할 수 있다. 따라서, 이상 방전을 확실하게 방지할 수 있다. 이에 따라, 메탈 콘테미네이션 및 파티클의 발생을 저지할 수 있고, 이들 메탈 콘테미네이션이나 파티클이 피처리물 W에 부착되는 것을 방지할 수 있다. Since the inner surface of the spray coating 62 of the ground-side dielectric member 60 protrudes inwardly than the inner surface of the spray port 41 of the ground electrode 40, the dielectric member 60 is viewed from the field application electrode 30 side. ), The periphery of the spray coating 62 covers the inner surface of the spray opening 41. For this reason, abnormal discharge, such as an arc, can be prevented from generate | occur | producing in especially the upper-edge edge 41a of the inner surface of the blower outlet 41. FIG. As shown in FIG. 5, even if there is a positioning error of the dielectric member 60, the entire circumference of the upper edge 41a of the jet port 41 can be covered with the dielectric member 60. Therefore, abnormal discharge can be reliably prevented. Thereby, generation | occurrence | production of metal contamination and particle | grains can be prevented, and these metal contamination or particle | grains can be prevented from adhering to the to-be-processed object W. FIG.

다음으로, 본 발명의 다른 실시 형태를 설명한다. 이하의 실시 형태에 있어서 이미 상술한 구성에 관해서는 도면에 동일 부호를 붙여 설명을 적절히 생략한다.Next, another embodiment of the present invention will be described. In the following embodiment, about the structure already mentioned above, the same code | symbol is attached | subjected to drawing, and description is abbreviate | omitted suitably.

도 7은 분출구 (41)의 형상의 변형예를 나타낸 것이다. 동 도(a)에 나타낸 바와 같이, 이 변형예에 있어서는 접지 전극 (40)에서의 분출구 (41)의 상단부 가장자리 (41a)의 내경이 분출도공 (62)의 내경보다 커지면서 분출구 (41)이 밑을 향하여 직경이 축소되는 테이퍼형으로 되어 있다. 따라서, 분출구 (41)의 크기가 접지 전극 (40)의 하면(처리면 (43))에 근접함에 따라 완만하게 작아지고 있다. 분출구 (41)의 하단부 가장자리 (41b)의 내경(처리면 (43)측의 단부의 크기)은 상단부 가장자리 (41a)의 내경(방전면 (42)측의 단부의 크기)보다 작게 되어 있다. 7 shows a modification of the shape of the jet port 41. As shown in the figure (a), in this modification, the inner diameter of the upper edge 41a of the blower outlet 41 in the ground electrode 40 becomes larger than the inner diameter of the blower coating 62, and the blower outlet 41 is lowered. It has a tapered shape whose diameter is reduced toward. Therefore, as the size of the jet port 41 approaches the lower surface (processing surface 43) of the ground electrode 40, it becomes small gradually. The inner diameter of the lower end edge 41b of the jet port 41 (the size of the end on the treatment surface 43 side) is smaller than the inner diameter of the upper end edge 41a (the size of the end on the discharge surface 42 side).

또한, 도 7(b)에 나타낸 바와 같이, 분출구 (41)의 하단부 가장자리 (41b)의 내경은 분출도공 (62)의 내경과 동일하게 되어 있다. 즉, 분출구 (41)의 처리면측의 단부 (41b)의 크기 및 형상이 분출도공 (62)의 크기 및 형상과 대략 일치하고 있다. In addition, as shown in FIG.7 (b), the inner diameter of the lower end edge 41b of the spray port 41 is made the same as the inner diameter of the spray coating 62. As shown in FIG. That is, the magnitude | size and shape of the edge part 41b of the process surface side of the jet port 41 correspond substantially with the magnitude | size and shape of the jet coating 62. As shown in FIG.

이에 따라, 분출구 (41)의 내면의 특히 상하의 단부 가장자리 (41a, 41b)에 아크 등의 이상 방전이 발생하는 것을 방지할 수 있음과 동시에, 분출구 (41) 내로의 외부 분위기의 개입을 방지할 수 있다. 나아가, 방전 공간 (1p)에서 플라즈마 화된 처리 가스가 분출도공 (62)를 거쳐 분출구 (41)을 통과할 때 점차로 조여져, 분출구 (41)로부터 기세 좋게 분출되도록 할 수 있다. 이 결과, 처리 효율을 향상시킬 수 있다. As a result, abnormal discharge such as an arc can be prevented from occurring at the upper and lower end edges 41a and 41b of the inner surface of the ejection opening 41, and at the same time, the intervention of an external atmosphere into the ejection opening 41 can be prevented. have. Further, the processing gas that has been plasma-formed in the discharge space 1p gradually tightens when passing through the spray port 41 through the spray coating 62, so that the spray gas can be ejected from the spray port 41 with high force. As a result, processing efficiency can be improved.

도 8에 나타낸 바와 같이, 분출구 (41)을 테이퍼 구멍으로 하는 대신에, 분출구 (41)의 상측(방전면측)의 부분 (44)를 대직경으로 하고, 분출구 (41)의 하측(처리면측)의 부분 (45)를 소직경으로 하여, 상측 부분 (44)와 하측 부분 (45) 사이에 단차 (46)을 형성하고, 분출구 (41)을 계단형으로 할 수 있다. 상측 부분 (44)는 분출도공 (62)보다 대직경으로 되어 있다. 하측 부분 (45)는 분출도공 (62)와 거의 동일 직경으로 되어 있다.As shown in FIG. 8, instead of making the ejection opening 41 into a taper hole, the part 44 of the upper side (discharge surface side) of the ejection opening 41 is made into large diameter, and the lower side (processing surface side) of the ejection opening 41 is shown. By making the part 45 of () a small diameter, the step 46 can be formed between the upper part 44 and the lower part 45, and the jet port 41 can be stepped. The upper portion 44 has a larger diameter than the spray coating 62. The lower portion 45 has a diameter substantially the same as that of the spray coating 62.

도 9에 나타내는 변형예에서는 제1 실시 형태(도 1 내지 도 5)와 동일한 분출구 (41)의 내면에 피복 부재 (70)(부시)가 설치되어 있다. 피복 부재 (70)은 접지측 유전 부재 (60)과는 별체의 절연체로 구성되어 있다. 피복 부재 (70)이 되는 절연체는 내플라즈마성 및 내열성이 높은 재질인 것이 바람직하고, 예를 들면 불소계 수지, 석영, 유리 등이 바람직하다. In the modification shown in FIG. 9, the covering member 70 (bush) is provided in the inner surface of the jet nozzle 41 similar to 1st Embodiment (FIGS. 1-5). The covering member 70 is comprised from the insulator separate from the ground side dielectric member 60. As shown in FIG. It is preferable that the insulator used as the coating member 70 is a material with high plasma resistance and heat resistance, for example, a fluorine resin, quartz, glass, etc. are preferable.

피복 부재 (70)은 통 형상을 이루고 있다. 피복 부재 (70)의 외주면이 분출구 (41)의 내면에 밀착되어 있다. The covering member 70 has comprised the cylinder shape. The outer peripheral surface of the covering member 70 is in close contact with the inner surface of the jet port 41.

피복 부재 (70)의 두께는 단차면 (64)의 폭 w1과 동일하게 되어 있다. 따라서, 피복 부재 (70)의 내주면이 분출도공 (62)의 내면과 동일면으로 되어 있다. 분출구 (41) 중 피복 부재 (70)의 내부 공간이 분출도공 (62)에 연속해 있다. 방전 공간 (1p)에서 플라즈마화된 처리 가스는 분출도공 (62)를 거쳐 피복 부재 (70) 의 내부 공간을 통과하여 분출되도록 되어 있다.The thickness of the coating member 70 is equal to the width w1 of the step surface 64. Therefore, the inner peripheral surface of the coating member 70 is the same surface as the inner surface of the spray coating 62. The internal space of the covering member 70 in the jet port 41 is continuous with the jet coating 62. The processing gas plasma-formed in the discharge space 1p is ejected through the internal space of the coating member 70 via the spray coating 62.

이 양태에 따르면, 접지 전극 (40)의 분출구 (41)의 금속으로 이루어지는 내면이 피복 부재 (70)으로 덮여져 있기 때문에, 이상 방전을 보다 확실하게 방지할 수 있다. 피복 부재 (70)의 내주면이 분출도공 (62)의 내면과 동일면으로 되어 있기 때문에, 피복 부재 (70)의 내주면의 상단부 가장자리 등으로부터 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있다.According to this aspect, since the inner surface made of the metal of the jet port 41 of the ground electrode 40 is covered with the covering member 70, abnormal discharge can be prevented more reliably. Since the inner circumferential surface of the coating member 70 is flush with the inner surface of the spray coating 62, particles can be prevented from being generated from the upper edge of the inner circumferential surface of the covering member 70 or the like.

도 10에 나타낸 바와 같이, 분출구 (41) 및 분출도공 (62)를 각각 접지 전극 (40) 및 유전 부재 (60)의 폭 방향의 중앙부에만 설치하도록 할 수 있다. As shown in FIG. 10, the jet port 41 and the jet coating 62 can be provided only in the center part of the width direction of the ground electrode 40 and the dielectric member 60, respectively.

분출구 (41)의 단면 형상은 가공성 등을 고려하면 진원(眞圓)이 바람직하지만, 여기에 한정되는 것은 아니고, 타원형이나 장원형일 수도 있고, 사각형 등의 다각 형상일 수도 있고, 슬릿형일 수도 있다.The cross-sectional shape of the jet port 41 is preferably a round shape in consideration of workability and the like, but is not limited thereto, and may be an elliptical shape, an oblong shape, a polygonal shape such as a square shape, or a slit shape.

도 11에 나타내는 실시 형태에서는 분출구 (41) 및 분출도공 (62)가 장공형으로 되어 있다. 분출구 (41) 및 분출도공 (62)의 장경끼리는 서로 동일 방향(여기서는 처리 헤드 (1)의 긴 방향)을 향하고 있다. 분출구 (41)의 장경은 분출도공 (62)의 장경보다 크다. 분출구 (41)의 단경은 분출도공 (62)의 단경보다 크다. 분출도공 (62)의 내부 공간 전체가 분출구 (41)에 연속해 있다. 분출구 (41)의 내면과 분출도공 (62)의 내면과의 사이에는 단차면 (64)가 형성되어 있다. 단차면 (64)는 분출구 (41) 및 분출도공 (62)의 주연을 따라 긴 환형으로 되어 있다. 복수의 장공형의 분출구 (41) 및 분출도공 (62)가 처리 헤드 (1)의 긴 방향으로 일렬로 배열되어 있다. 처리 헤드 (1)의 짧은 방향에 인접하는 분출구 (41) 및 분출도 공 (62)의 열끼리는 처리 헤드 (1)의 긴 방향으로 어긋나 있지만, 이들 열끼리가 처리 헤드 (1)의 긴 방향으로 모여 있을 수 있다.In the embodiment shown in FIG. 11, the jet port 41 and the jet coating 62 have a long hole shape. The major diameters of the jet port 41 and the jet coating 62 face each other in the same direction (here, the longitudinal direction of the processing head 1). The major diameter of the jet port 41 is larger than the major diameter of the jet coating 62. The short diameter of the jet port 41 is larger than the short diameter of the jet coating 62. The entire inner space of the spray coating 62 is continuous to the spray opening 41. A stepped surface 64 is formed between the inner surface of the jet port 41 and the inner surface of the jet coating 62. The stepped surface 64 has an elongated annular shape along the periphery of the jet port 41 and the jet coating 62. A plurality of long hole ejection openings 41 and ejection coating 62 are arranged in a line in the longitudinal direction of the processing head 1. Although the rows of the jetting port 41 and the jetting ball 62 adjacent to the short direction of the processing head 1 are shifted in the long direction of the processing head 1, these rows are arranged in the long direction of the processing head 1. Can be gathered

도 12에 나타내는 실시 형태에서는 분출구 (41) 및 분출도공 (62)가 도 11의 장공형 분출구 (41) 및 분출도공 (62)보다 처리 헤드 (1)의 긴 방향으로 충분히 길게 연장되는 슬릿형으로 되어 있다. 슬릿형 분출구 (41)의 길이는 슬릿형 분출도공 (62)의 길이보다 크다. 슬릿형 분출구 (41)의 폭은 슬릿형 분출도공 (62)의 폭보다 크다. 슬릿형 분출도공 (62)의 내부 공간의 전체가 슬릿형 분출구 (41)에 연속해 있다. 슬릿형 분출구 (41)의 내면과 슬릿형 분출도공 (62)의 내면과의 사이에는 단차면 (64)가 형성되어 있다. 단차면 (64)는 슬릿형의 분출구 (41) 및 분출도공 (62)의 주연을 따라 긴 환형으로 되어 있다. In the embodiment shown in FIG. 12, the ejection opening 41 and the ejection coating 62 have a slit shape extending longer in the longer direction of the treatment head 1 than the long hole ejection opening 41 and the ejection coating 62 of FIG. 11. It is. The length of the slit-shaped jet port 41 is larger than the length of the slit-shaped jet coating 62. The width of the slit-shaped jet port 41 is larger than the width of the slit-shaped jet coating 62. The entire internal space of the slit-shaped spray coating 62 is continuous to the slit-shaped spray opening 41. A stepped surface 64 is formed between the inner surface of the slit-shaped spray port 41 and the inner surface of the slit-shaped spray coating 62. The stepped surface 64 has a long annular shape along the periphery of the slit-shaped jet port 41 and the jet coating 62.

슬릿형의 분출구 (41) 및 분출도공 (62)는 처리 헤드 (1)의 짧은 방향의 중앙에 1 세트만 배치되어 있지만, 복수의 슬릿형의 분출구 (41) 및 분출도공 (62)가 처리 헤드 (1)의 짧은 방향으로 간격을 두고 배치될 수 있다.Only one set of the slit-shaped jet port 41 and the jet coating 62 is arranged at the center of the processing head 1 in the short direction, but the slit-shaped jet port 41 and the jet coating 62 are the processing head. It may be arranged at intervals in the short direction of (1).

도 13에 나타낸 바와 같이, 장공형 내지는 슬릿형의 분출구 (41) 및 분출도공 (62)가 처리 헤드 (1)의 짧은 방향으로 연장되어 있을 수 있다. 도 13에서는 복수의 분출구 (41) 및 분출도공 (62)가 각각 처리 헤드 (1)의 짧은 방향으로 연장되고, 또한 서로 처리 헤드 (1)의 긴 방향으로 간격을 두고 배치되어 있다. As shown in FIG. 13, the long hole type or the slit type ejection port 41 and the ejection coating 62 may extend in the short direction of the treatment head 1. In FIG. 13, the plurality of jet ports 41 and the jet coating 62 extend in the short direction of the treatment head 1, respectively, and are arranged at intervals in the longitudinal direction of the treatment head 1.

도 14에 나타낸 바와 같이, 장공형 내지는 슬릿형의 분출구 (41) 및 분출도공 (62)가 처리 헤드 (1)의 긴 방향 및 짧은 방향에 대하여 비스듬하게 연장되어 있을 수 있다. 도 14에서는 경사를 이루는 분출구 (41) 및 분출도공 (62)가 처리 헤드 (1)의 긴 방향으로 간격을 두고 복수 배치되어 있다. As shown in Fig. 14, the long hole or slit-shaped jet port 41 and the jet coating 62 may extend obliquely with respect to the long direction and the short direction of the treatment head 1. In FIG. 14, a plurality of inclined jetting ports 41 and jetting coatings 62 are arranged at intervals in the longitudinal direction of the treatment head 1.

본 발명은 상기 실시 형태로 한정되는 것은 아니고, 당업자에게 자명한 범위 내에서 다양한 개변을 이룰 수 있다. The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made within a range apparent to those skilled in the art.

예를 들면, 분출도공 (62)의 단면 형상은 분출구 (41)의 단면 형상과 상사형으로 하는 것이 바람직하지만, 평면에서 보아 분출도공 (62)의 내측에 접지 전극 (40)이 노출되지 않는 한, 분출도공 (62)가 분출구 (41)과는 다른 형상이 될 수도 있다. For example, the cross-sectional shape of the spray coating 62 is preferably similar to the cross-sectional shape of the spray opening 41, but as long as the ground electrode 40 is not exposed inside the spray coating 62 in plan view, The jet coating 62 may have a shape different from the jet port 41.

프레임 (20)을 유전 부재 (60)의 위치 규제 수단으로서 이용하는 대신에, 접지 전극 (40)이나 유전 부재 (50)에 볼록부 등을 설치하고, 이 볼록부를 유전 부재 (60)의 위치를 규제하는 위치 규제 수단으로서 이용할 수도 있고, 처리 헤드 (1)에 유전 부재 (60)의 위치를 규제하기 위한 전용의 부재를 위치 규제 수단으로서 조립할 수도 있다. Instead of using the frame 20 as the position regulating means of the dielectric member 60, a convex portion or the like is provided in the ground electrode 40 or the dielectric member 50, and the convex portion regulates the position of the dielectric member 60. It can also be used as a position regulating means, or a dedicated member for regulating the position of the dielectric member 60 in the processing head 1 can be assembled as the position regulating means.

복수의 실시 형태를 서로 조합할 수 있다. 예를 들면, 도 11 내지 도 14의 장공형 또는 슬릿형의 분출구 (41)을, 도 7의 실시 형태와 같이 밑을 향하여 폭이 좁아지도록 할 수도 있다. 상기 장공형 또는 슬릿형의 분출구 (41)의 내면에, 도 8의 실시 형태와 같이 단차를 형성할 수도 있다. 상기 장공형 또는 슬릿형의 분출구 (41)에, 긴 환형의 절연성의 피복 부재(도 9 참조)를 끼워 넣을 수도 있고, 이 긴 환형의 피복 부재의 내주면의 전체 둘레가 장공형 또는 슬릿형의 분출도공 (62)의 내주면과 동일면이 될 수도 있다. A plurality of embodiments can be combined with each other. For example, the long-hole or slit-shaped spout 41 shown in Figs. 11 to 14 may be made narrower in width, as in the embodiment of Fig. 7. Steps may be formed on the inner surface of the long hole or slit jet port 41 as in the embodiment of FIG. 8. The long annular insulating coating member (see Fig. 9) may be inserted into the long hole-type or slit-shaped jet opening 41, and the entire circumference of the inner circumferential surface of the long annular coating member may be a long-shaped or slit-shaped jet. It may be the same surface as the inner peripheral surface of the coating 62.

본 발명은 세정, 표면 개질(친수화, 발수화 등), 에칭, 성막 등의 다양한 표 면 처리에 적용 가능하다. 대기압 근방하에서의 플라즈마 처리로 한정되지 않고, 진공하에서의 플라즈마 처리에도 적용 가능하다. The present invention is applicable to various surface treatments such as cleaning, surface modification (hydrophilization, water repellency, etc.), etching, and film formation. It is not limited to the plasma process in the vicinity of atmospheric pressure, but it is applicable also to the plasma process in vacuum.

본 발명은 예를 들면 평면 디스플레이용의 유리 기판이나 반도체 기판의 제조 공정에서의 표면 처리에 적용 가능하다. This invention is applicable to the surface treatment in the manufacturing process of the glass substrate and semiconductor substrate for flat display, for example.

Claims (8)

처리 가스를 방전 공간에서 플라즈마화하여 분출하고, 상기 방전 공간의 외부의 피처리물 배치부에 배치된 피처리물에 접촉시켜 플라즈마 표면 처리를 행하는 장치에 있어서, An apparatus for performing plasma surface treatment by causing a processing gas to be plasma-discharged in a discharge space and contacting a workpiece disposed on an object to be disposed outside of the discharge space to perform a plasma surface treatment. 전원에 접속된 전계 인가 전극과, An electric field applying electrode connected to a power supply, 상기 전계 인가 전극을 향하는 방전면과 상기 피처리물 배치부를 향하는 처리면을 갖고, 전기적으로 접지된 접지 전극과, An electrically grounded ground electrode having a discharge surface facing the electric field application electrode and a processing surface facing the object placement portion; 상기 접지 전극의 방전면에 접촉됨과 동시에 상기 전계 인가 전극에 면하여 상기 방전 공간을 구획 형성하는 고체 유전체로 이루어지는 유전 부재A dielectric member made of a solid dielectric in contact with the discharge surface of the ground electrode and partitioning the discharge space facing the field applying electrode. 를 구비하고, 상기 유전 부재에는 상기 방전 공간에 연속해 있는 분출도공이 형성되고, The dielectric member is provided with a spray coating continuous to the discharge space. 상기 접지 전극에는 상기 분출도공에 연속해 있음과 동시에 상기 방전면으로부터 상기 처리면으로 관통하는 분출구가 형성되고, The ground electrode is provided with a jet port which is continuous with the jet coating and penetrates from the discharge surface to the processing surface, 상기 유전 부재에서의 상기 분출도공의 내면이, 상기 접지 전극에서의 상기 분출구의 내면의 상기 방전면측의 단부 가장자리로부터 분출구의 직경 방향 내측으로 돌출되고, An inner surface of the jetting coating in the dielectric member protrudes radially inward of the jetting port from an end edge of the discharge surface side of the inner surface of the jetting hole in the ground electrode; 상기 유전 부재가, 상기 접지 전극의 방전면과 접촉하는 접촉면과, 이 접촉면으로부터 동일면에 연장되어 상기 분출도공의 내면과 상기 분출구의 내면과의 사이의 단차를 형성하는 단차면을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장 치. The dielectric member has a contact surface in contact with the discharge surface of the ground electrode and a step surface extending from the contact surface to the same surface to form a step between the inner surface of the spray coating and the inner surface of the spray port. Plasma processing device. 제1항에 있어서, 상기 분출구의 크기 및 형상이 상기 분출구의 관통 방향으로 일정한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치. The plasma processing apparatus of claim 1, wherein a size and a shape of the jet port are constant in a penetration direction of the jet port. 제1항에 있어서, 상기 분출구의 상기 처리면의 단부에서의 크기가 상기 방전면측의 단부에서의 크기보다 작은 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein a size at an end of the processing surface of the jet port is smaller than a size at an end of the discharge surface side. 제3항에 있어서, 상기 분출구의 크기가 상기 처리면에 근접함에 따라 완만하게 작아지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치. 4. The plasma processing apparatus of claim 3, wherein the size of the jet port is gently reduced as it approaches the processing surface. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 분출구의 상기 처리면측의 단부에서의 크기 및 형상이 상기 분출도공의 크기 및 형상과 대략 일치하고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치. The plasma processing apparatus according to claim 3 or 4, wherein the size and shape at the end of the jetting port at the end of the processing surface side substantially coincide with the size and shape of the jetting coating. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유전 부재를, 상기 접지 전극에 대하여 상기 방전면과 평행한 면내에서 오차를 허용하면서 위치 규제하는 위치 규제 수단을 추가로 구비하고, A position regulating means according to any one of claims 1 to 5, further comprising a position regulating means for positioning the dielectric member while allowing an error in a plane parallel to the discharge surface with respect to the ground electrode, 상기 유전 부재를 정규 위치에 위치시킨 상태에서의 상기 단차면의 상기 돌출 방향을 따르는 폭이 상기 오차의 허용량보다 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치. And a width along the protruding direction of the stepped surface in a state where the dielectric member is positioned at a normal position is larger than an allowable amount of the error. 제1항에 있어서, 상기 유전 부재와는 별체의 절연체로 이루어지고, 상기 접지 전극의 분출구의 내면을 덮도록 설치된 피복 부재를 추가로 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치. The plasma processing apparatus according to claim 1, further comprising a coating member made of an insulator separate from the dielectric member and provided to cover an inner surface of the blowout port of the ground electrode. 제7항에 있어서, 상기 피복 부재의 두께가 상기 단차면의 상기 돌출 방향을 따르는 폭과 대략 동일한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.8. The plasma processing apparatus of claim 7, wherein a thickness of the covering member is approximately equal to a width along the protruding direction of the stepped surface.
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