KR20090104839A - 기판의 제어된 클리빙 처리 및 클리빙 장치 - Google Patents

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KR20090104839A
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신씨아 메르텐
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비에트 팜
안쏘니 팔러
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실리콘 제너시스 코포레이션
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Abstract

접합된 기판들을 클리빙하는 방법 및 장치는 국소적인 클리빙을 개시하기 위한 블레이드와 함께, 암(arm)으로부터 접합된 기판들에 인가되는 인장력을 이용한다. 이러한 국소적 클리빙의 개시에 이어서 상기 암의 부하가 떨어지는 것이 감지되면, 모터에 의한 상기 암의 움직임이 조심스럽게 제어되어 상기 부하를 감소시키고, 이에 따라 그 이후의 전체적인 클리빙 속도는 초기의 국소적 클리빙의 속도와 실질적으로 부합된다. 이러한 클리빙을 수행하는 툴은 접합된 제1 기판을 기부(base)에 고정시키도록 된 흡입 부재, 상기 기부에 대하여 선회하도록 된 제1 단부 및 접합된 제2 기판과 접촉하도록 된 흡입 부재를 포함하는 제2 단부를 포함하는 암을 포함할 수 있다. 모터는 상기 접합된 웨이퍼 쌍을 가로질러 인가되는 인장력으로 변환되는 힘을 상기 암에 인가한다. 상기 모터는, 블레이드로 일단 클리빙이 개시되면, 인가되는 상기 인장력을 감소시키기 위해 조심스럽게 제어된 방식으로 상기 암을 움직인다.
Figure P1020097015799
클리빙, 접합, 웨이퍼, 인장력, 블레이드, 모터, 선회, 암, 부하 셀.

Description

기판의 제어된 클리빙 처리 및 클리빙 장치{CONTROLLED SUBSTRATE CLEAVE PROCESS AND APPARATUS}
본 발명은 기판의 제조와 관련된다. 보다 구체적으로, 본 발명은 반도체 집적 회로 디바이스의 제조를 위한 접합 기술을 사용하여 다층 기판 구조물을 형성하는 방법 및 구조를 포함하는 기술을 제공한다. 이러한 접합 기술은 불완전함, 결함, 그 외 특정 실시예에 따라 나타나는 바람직하지 못한 특성들로부터 실질적으로 자유로운 접합된 경계면을 구축하기 위한 열 처리의 사용을 포함한다. 바람직한 실시예에서, 상기 열 처리는 산소종이 접합 쌍 사이의 제거되어야 하는 경계 영역으로부터 외측 영역으로 이동되도록 한다. 그러나, 본 발명은 보다 넓은 범위의 응용 가능성을 갖는다는 점이 인식될 것이다; 즉, 본 발명은, 집적된 반도체 디바이스의 3차원적 패키징, 광양자(photonic) 디바이스, 압전기(piezoelectronic) 디바이스, 평판 디스플레이, 마이크로 전자기계 시스템(microelectromechanical system; "MEMS"), 나노 기술 구조물, 센서, 액츄에이터, 태양 전지, 생물학 및 생의학적 디바이스 등을 위한 다른 타입의 기판에도 적용될 수 있다.
아주 일찍부터, 인류는 유용성이 낮은 물질을 사용하여 유용성이 높은 물품, 도구 또는 디바이스들을 오랜 기간 만들어 왔다. 어떤 경우에는, 작은 구성요소들 또는 토막들에 의해 물품들이 조립된다. 또는, 덜 유용한 물품들이 작은 조각들로 분리되어 유용성이 향상되기도 한다. 분리될 수 있는 이러한 물품들의 일반적인 예는 유리판, 다이아몬드, 반도체 기판, 평판 디스플레이 등과 같은 기판 구조물들을 포함한다. 이들 기판 구조물들은 종종 다양한 기술들을 사용하여 쪼개지거나 분리된다. 어떤 경우에는, 톱질 작업을 사용하여 기판이 분리될 수 있다. 이러한 톱질 작업은 일반적으로, 기판 물질을 통과하여 절삭함으로써 이 기판 물질을 두 조각으로 분리시키는 회전 블레이드 또는 툴에 의존한다. 이 기술은, 그러나, 종종 매우 조잡하고, 정밀 툴 및 조립품의 제조를 위한 기판의 정교한 분리를 제공하는데는 일반적으로 이용될 수 없다. 또한, 톱질 작업은 유리나 다이아몬드와 같은 극도로 딱딱하거나 깨지기 쉬운 물질을 분리시키거나 절삭하는데 어려움이 있다. 이러한 톱질 작업은 집적 회로 디바이스 등을 포함하는 마이크로 전자 디바이스의 제조를 위해서도 효과적으로 사용될 수 없다.
이에 따라, 통상 반도체 집적 회로라고 불리는 마이크로 전자 디바이스를 제작하기 위한 기술들이 개발되어 왔다. 이러한 집적 회로는 종종, 반도체 제조의 초창기에 개발된 "평면 공정(planar process)"이라고 불리는 기술을 사용하여 개발된다. 초기의 반도체 기술 중 하나의 예는 집적 회로의 아버지 중 한 명으로 알려진 로버트 노이스(Robert Noyce)의 미국특허 제2,981,877호에 개시되어 있다. 집적 회로들은 소량의 전자 소자로부터 작고 얇은 실리콘 조각 위에 제조되는 수백만 내지 수십억개의 소자로 진화되어 왔다. 이러한 집적 회로들은 컴퓨터, 휴대전화, 장난감, 자동차, 및 모든 종류의 의료 장비와 같은 오늘날의 디바이스들의 다수에 결합되고 이들을 제어한다.
종래의 집적 회로들은 당초의 상상을 뛰어넘는 성능과 복잡도를 제공한다. 복잡도 및 회로 밀도(즉, 주어진 칩 면적 상에 패키징될 수 있는 디바이스의 수)를 향상시키기 위해, "지오메트리(geometry)"라고도 알려진 최소 디바이스 형상의 크기가 집적 회로의 각 세대에 걸쳐 점점 작아지고 있다. 회로 밀도의 증가는 집적 회로의 복잡도와 성능을 향상시켜 왔을 뿐만 아니라 고객에게 더 낮은 비용을 선사해 왔다.
디바이스를 더 작게 만드는 것은 매우 어려운데, 이는 집적 회로 제조에 사용되는 각 공정에 한계가 있기 때문이다. 다시 말해서, 소정의 공정은 전형적으로 일정한 형상 크기까지만 작동하므로, 공정과 디바이스 설계 중 하나는 변경되어야 한다. 또한, 디바이스들이 점점 더 빠른 설계를 요구함에 따라, 소정의 종래 공정 및 물질로 인해 처리 한계가 존재한다. 이러한 공정의 일 예는 기판 상의 집적 회로 디바이스를 제조한 후에 상기 기판의 두께를 얇게 만드는 기능이다. 이러한 디바이스 층을 얇게 만들기 위해 자주 사용되는 종래의 공정은 "뒷면 연마(back grinding)"라고도 불리는데, 이는 종종 번거롭고 디바이스에 결함을 일으키기 쉬우며 디바이스 층을 일정한 두께까지만 얇게 만들 수 있다. 상당한 발전이 있어 왔음에도 불구하고, 이러한 뒷면 연마 공정은 여전히 많은 한계를 갖는다.
따라서, 더 큰 도너(donor) 기판부로부터 결정질의 박막을 클리빙하는 기술 들이 개발되어 왔다. 이러한 기술들은 통상적으로 "층 이전(layer transfer)" 처리라고 불린다. 이러한 층 이전 처리는 실리콘 온 인슐레이터(silicon on insulator) 또는 디스플레이 기판과 같은 특정 기판 구조물의 제조에 유용하게 사용되어 왔다. 단지 일 예로서, 물질막을 클리빙하기 위한 선도 기술은 프랑소와 제이 헨리(Francois J. Henley)와 네이든 정(Nathan Chung)에 의해 개발되었다. 이러한 기술은 캘리포니아 산호세 소재의 실리콘 제너시스 코포레이션(Silicon Genesis Corporation)에 양도된 "제어된 클리빙 처리"라는 명칭의 미국특허 제6,013,563호에 개시되어 있으며, 여하한 목적으로 참조에 의해 본 명세서에 편입된다. 이 기술은 성공적이지만, 다층 구조를 제조하는 더욱 향상된 방법에 대한 요구는 여전히 존재한다.
상기로부터, 비용면에서 효과적이고 효율적인 대형 기판 제조 기술이 요구됨을 알 수 있다.
본 발명의 실시예들은 접합된 기판들을 분리하기 위해 제어된 클리빙 처리를 수행하는 장치 및 방법을 개시한다. 특정 실시예들은 국소적인 클리빙을 개시하기 위해 블레이드를 사용함과 함께, 암(arm)으로부터 접합된 기판들에 인가된 인장력을 사용하여 상기 기판들을 클리빙하는 처리 및 장치와 관련이 있다. 이러한 국소 클리빙의 개시에 이어서 상기 암에 걸리는 부하(load)가 떨어지는 것이 감지되면, 모터에 의한 상기 암의 움직임이 조심스럽게 제어되어 상기 부하를 감소시키고, 이에 따라 그 이후의 전체적인 클리빙 속도가 초기의 국소 클리빙의 속도와 실질적으로 부합된다. 이러한 클리빙을 수행하는 툴은 접합된 제1 기판을 기부(base)에 고정시키도록 된 흡입 부재, 상기 기부에 대하여 선회하도록 된 제1 단부 및 접합된 제2 기판과 접촉하도록 된 흡입 부재를 포함하는 제2 단부를 포함하는 암을 포함할 수 있다. 모터는 상기 접합된 웨이퍼 쌍을 가로질러 인가되는 인장력으로 변환되는 힘을 상기 암에 인가한다. 상기 모터는, 블레이드로 일단 클리빙이 개시되면, 인가되는 상기 인장력을 감소시키기 위해 조심스럽게 제어된 방식으로 상기 암을 움직인다.
실시예에 따라서는, 하나 또는 그 이상의 이점들이 성취될 수 있다. 본 발명의 다양한 이점들은 본 명세서 전반에 걸쳐, 특히, 이하에 상세히 설명될 것이다.
도 1은 본 발명에 의한 클리빙을 수행하는 툴의 실시예를 도시하는 단순화된 단면도이다.
도 2는 클리빙 처리의 개시 및 클리빙의 진행을 도시하는 개념도이다.
도 3은 본 발명에 의한 클리빙 처리의 일 실시예에 대해서 힘과 시간의 관계를 도시한 그래프이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 클리빙 처리의 단계들을 도시하는 단순화된 흐름도이다.
도 5는 실제 클리빙 과정 중, 도 1의 툴의 부하 셀(load cell)로부터의 카운트를 시간에 대하여 도시한 그래프이다.
도 6은 도 1의 툴의 모터의 실제 각 위치 및 프로그램된 각 위치를 시간의 함수로서 도시한 그래프이다.
도 7A는 본 발명의 일 실시예에 의하여 클리빙된 기판의 원자 현미경(Atomic Force Microscopy)에 의한 거칠기 분석 결과이다.
도 7B는 본 발명의 일 실시예에 의하여 클리빙된 기판의 원자 현미경에 의한 단면 분석 결과이다.
접합된 기판들을 클리빙하는 본 발명의 방법과 장치는, 국소적인 클리빙을 개시하는 블레이드와 함께, 암(arm)으로부터 상기 접합된 기판들에 인가되는 인장력을 이용한다. 이러한 국소 클리빙의 개시에 이어서 상기 암에 걸리는 부하가 떨어지는 것이 감지되면, 모터에 의한 상기 암의 움직임이 조심스럽게 제어되어 상기 부하를 감소시키고, 이에 따라 그 이후의 전체적인 클리빙 속도가 초기의 국소 클리빙의 속도와 실질적으로 부합된다. 이러한 클리빙을 수행하는 툴은 접합된 제1 기판을 기부(base)에 고정시키도록 된 흡입 부재, 상기 기부에 대하여 선회하도록 된 제1 단부 및 접합된 제2 기판과 접촉하도록 된 흡입 부재를 포함하는 제2 단부를 포함하는 암을 포함할 수 있다. 모터는 상기 접합된 웨이퍼 쌍을 가로질러 인가되는 인장력으로 변환되는 힘을 상기 암에 인가한다. 상기 모터는, 블레이드로 클리빙이 일단 개시되면, 인가되는 상기 인장력을 감소시키기 위해 조심스럽게 제어된 방식으로 상기 암을 움직인다.
본 발명의 일 실시예에 의한 클리빙 처리는 도 1에 그 단면도가 도시된 툴 100을 이용하여 수행될 수 있다. 구체적으로, 접합된 웨이퍼 쌍 102는 흡입 컵 104 및 106에 의해 적절한 위치에 고정된다. 하측의 흡입 컵 104는 툴의 기부 108에 고정된다. 상측의 흡입 컵 106은 Z축을 따라서 모터 111과 연결되어 선회하는 연장 암(extension arm) 110에 고정된다. 프로세서 113은 모터 111의 동작을 제어하도록 구성된다. 부하 셀 115는 상기 암에 걸리는 힘을 검출하도록 구성된다.
선형 가변 미분 변환기(Linear Variable Differential Transducer; LVDT) 119는 상기 기부 108 위에 위치되고 뾰족한 끝 부분을 갖는데, 상기 도면에서는 이 끝부분이 수축된 상태로 도시되어 있다. LVDT 119는 상기 접합된 웨이퍼 쌍의 수직 방향 위치를 검출하기 위해 연장된다. 블레이드 112는, 클리빙 처리를 개시하기 위해서, 상기 접합된 웨이퍼 쌍 102의 한 측면 상의 정확한 위치에 접촉된다.
본 발명에 의한 툴의 일 실시예는 다음의 치수를 갖는다: 40"(인치)W×40"D×94"H(178cmW×152cmD×203cmH). 상기 툴은 다음의 전기 접속을 이용한다: 208V 3φ; 20Amps(암페어); 60Hz. 상기 툴은 스텝 모터를 이용하고, 25 내지 28" Hg / 8cfm(cubic feet per minute) / 224liters/min(리터/분)의 진공을 채택한다. 상기 툴은 배기를 수용하기 위해 배기 매니폴드(exhaust pressure manifold)를 포함한다. 상기 시스템의 공압(pneumatic pressure)은 60 내지 100psi(즉, 4.1 내지 6.9bar)이다. 상기 툴은 8"(즉, 200mm)의 접합된 웨이퍼 쌍을 시간당 30개 클리빙 하도록 구성된다. 상기 툴은 2개의 카세트 스테이션(1은 반출, 2는 분리 후 반입)인 카세트 구성을 갖는 로봇 조작 시스템을 이용하는데, 여기서 상기 로봇은 ASYST 모델 21, 정렬기(pre-aligner)는 비접촉 통합 시스템이고, 순서 및 속도는 일괄 프로그래밍이 가능(recipe programmable)하며 상기 정렬기의 각도는 일괄 프로그래밍이 가능하다.
도 2는 클리빙 처리의 개시 및 클리빙의 진행을 도시하는 개념도이다. 구체적으로, 도 2는 접합 경계면 130을 따라서 조작 웨이퍼 102b에 접합된 도너(donor) 기판 102a의 형태로 웨이퍼 쌍 102를 도시한다. Z축 주위로 선회하는 연장 암 110으로부터 인장력을 인가하는 동안 화살표로 지시된 것처럼 블레이드 112를 인가하면 쪼개짐 면(cleave plane) 132를 따라서 상기 도너 기판 102a의 쪼개짐이 시작되어, 실리콘 온 인슐레이터(silicon-on-insulator; SOI) 기술이 요구하는 방식으로 열 산화물을 보유하는 조작 웨이퍼 및 그 위에 놓인 반도체 층을 산출한다.
클리빙 처리의 일 실시예는 힘과 시간의 관계를 도시하는 도 3의 단순화된 그래프와 도 4의 단순화된 흐름도에 개시되어 있다. 구체적으로, 접합 처리 후, 상기 도너 웨이퍼로부터 상기 조작 웨이퍼 위로 막(film)이 이전된 상태에서 접합된 웨이퍼 쌍들이 기계적으로 분리되어야 한다.
처리 흐름 400의 첫 번째 단계 402에서는, 상기 접합된 웨이퍼 쌍이 상기 툴 내에 위치된다. 진공이 흡입 컵에 인가되어 상기 접합된 웨이퍼 쌍을 적절한 위치에 고정시킨다.
두 번째 단계 404에서는, 초기 인장력의 설정값 A를 얻기 위해 상기 연장 암 을 회전시킴으로써 시간 T0에서 클리빙을 일으키기에 충분한 크기의 정해진 인장력이 상기 접합된 웨이퍼 쌍에 인가된다. 어떤 실시예에서는, 상기 인장력의 설정값 A가 5 파운드(lb) 정도가 된다.
상기 인장력 설정값 A가 얻어지고 나면, 세 번째 단계 406에서는, 시간 T1에서 상기 블레이드가 정밀하게 정해진 거리 및 위치로 상기 접합 쌍의 경계면으로 삽입된다. 상기 블레이드의 정확한 위치 결정은 컴퓨터 제어에 의해 이루어진다.
상기 블레이드를 상기 경계면에 인가하면 국소 영역에서 클리빙 처리가 개시된다. 도 3에 상세히 도시된 바와 같이, 클리빙의 개시가 진행됨에 따라 상기 연장 암 위의 힘은 시간 T2에서 레벨 B로 떨어진다. 단계 408에서, 인장력이 초기 설정값 아래로 정해진 수의 카운트(count)만큼, 예를 들어 레벨 B까지 감소한 것으로 관찰되면, 상기 툴의 모터가 어떤 특정한 움직임을 나타내도록 프로그램된다. 단계 410에서 볼 수 있는 바와 같이, 상기 모터는 접합된 웨이퍼 쌍의 분리가 완성될 때까지 상기 프로그램에 의해 정해진 대로 계속 회전한다.
도 5에 도시된 구체적인 예에서, 상기 연장 암에 어떠한 장력(스트레인)도 가해지지 않은 상태는 대략 부하 셀 카운트(count) F=-30,000에 대응된다. 부하 셀 카운트 F=-19,000은 인장력 설정값 A를 나타내고, 대략 5.5 파운드의 인장력과 균등하다. 도 5의 그래프는 본 발명의 기본적인 동작을 도시한다: 즉, 장력의 빠른 감소가 개시 단계(t=0.4)에서 일어나고, 이어서 모터의 움직임에 의한 더 느리고, 제어된 혹은 한정된 주(主) 클리빙이 일어난다.
상기와 같이, 균일한 클리빙 표면을 얻기 위해서는, 클리빙의 개시 단계를 전체적인 클리빙과 적절히 결합시키는 것이 중요하다. 이는 사용자에 의해 미리 프로그램된 모터의 동작에 의해 이루어질 수 있다. 도 6은 도 1의 툴의 모터의 실제 각 위치 및 프로그램된 각 위치를 임의 단위(arbitrary unit; AU)의 시간의 함수로서 도시하는 그래프이다.
클리빙의 개시 단계와 전체적인 클리빙의 바람직한 결합은 클리빙 개시 단계가 완료되기 전에, 즉, 웨이퍼 분리가 시작됨으로 인하여 인장력이 계속하여 감소되는 동안에, 프로그램된 모터의 동작을 개시함으로써 달성될 수 있다. 상기 클리빙 개시 단계가 완료되기 전에 프로그램된 모터의 동작을 시작하기 위해, 다음의 단계들이 수행될 수 있다.
1) 프로그램된 모터 동작을 일으키는 인장력(Strain delta 파라미터)을 초기 설정값보다 ~10% 작게(즉, 개시 단계가 완료된 후에 모터가 움직이기 시작하는 것을 피하기 위한 최소값이 되지 않도록) 설정한다;
2) 상기 개시 단계가 완료된 후에도, 매우 빠른 상기 개시 단계에 필적하는 속도로 클리빙이 계속되어 상기 개시 단계와 주 클리빙 단계 사이에 부드러운 전환이 보장되도록, 충분히 높은 각 가속도(Acel 파라미터)를 인가한다.
그 결과, 상기 두 영역에서의 클리빙된 표면의 거칠기가 거의 동등하게 될 것이다.
앞서 언급한 바와 같이, 상기 각 가속도, Acel(상기 조작 웨이퍼와 도너의 수직 방향의 분리)는 개시 단계와 주 클리빙 단계 사이의 부드러운 전환을 달성할 수 있다. 결과적으로, 상기 각 가속도 파라미터는 클리빙 처리에 있어서 중요한 입력 파라미터이다.
다른 파라미터들도 상기 클리빙 처리를 제어하기 위해 조정될 수 있다. 이들은 상기 툴의 소프트웨어 제어 동작으로 나타낸 아래의 표 1에 열거되어 있다. 일정한 파라미터들은 특정한 관련성을 갖고, 이하에서 더 상세히 논의된다. 대표적인 설정값들은 200mm 웨이퍼 쌍의 클리빙에 대한 것이다.
클리빙 처리 파라미터 명칭 클리빙 처리 파라미터 정의 대표적 설정값
Strain (스트레인) 지속적으로 클리빙 개시를 일으키는데 충분한 인장력 -5,000 카운트
Strain increments (스트레인 증가) 클리빙 장치의 오프 상태로부터 스트레인 카운트를 얻기 위한 각도의 증가 0.001 라디안
Number of pulls (풀링 횟수) Strain을 얻기 위한 회전각 증가의 누적 횟수 Strain increment에서 40
Strain delta (스트레인 델타) 스트레인설정값-개시후스트레인 = 프로그램된 모터 동작을 시작하기 위한 설정값 2000 카운트
Move_after_split (쪼개짐 후 이동) 웨이퍼 분리를 완성하기 위한 총 각 이동 0.099314 라디안
Split speed (쪼개짐 속도) 가속 단계 이후의 최종 속도 3.1 라디안/초
Instantaneous_Move (일시 이동) 개시 단계에서 연장 암이 소량 휘어짐으로 인한 모터 위치의 소량 보정 0.001 라디안
Acel (가속도) 모터 각 가속도 310 라디안/초2
Decel (감속도) 일정 속도 단계가 끝난 후의 모터 감속도 108 라디안/초2
Maximum time (최대 시간) 클리빙이 일어나지 않을 경우 시간 초과 5초
Strain Delta 및 Acel 파라미터들은 개시 및 주 클리빙의 적절한 통합을 달성하도록 설정된다. 상기 가속은 Split Speed 설정에 도달했을 때 또는 Acel, Decel, 및 Move_After_Split 파라미터 설정에 의해 부과된 제약이 주어졌을 때 얻을 수 있는 최대 속도에서 종료된다.
상기 Split Speed는 주 클리빙 중에 클리빙 라인을 최소화하기 위해 조정되어야 하는 주요한 공정 파라미터이다. 일반적으로, 상기 Split Speed 파라미터는 최소 클리빙 라인을 얻기 위한 문턱값보다 높은 충분히 빠른 속도로 조정된다. 만약 상기 Split Speed 파라미터가 너무 빠른 속도로 조정되면, 웨이퍼가 부서질 수도 있다. 이러한 두 개의 경계 조건 사이에, 웨이퍼의 파손없이 결과적인 클리빙 라인이 최소화되는 프로세스 윈도우가 존재한다.
상기 Decel 파라미터는 상기 연장 암의 동작을 느리게 하므로, 상기 Move_After_Split 명령에서 상기 접합 쌍이 완전히 분리되고 상기 모터가 멈추게 될 것이다. 상기 연장 암을 너무 느리게 하면 상기 클리빙의 단부에서 너무 많은 클리빙 라인이 생기게 되므로, 상기 Decel 파라미터는 주의깊게 선택되어야 한다.
앞서 도 6과 관련하여 살펴본 바와 같이, 모터 동작 전압은 폐루프 프로그램에 의한 것이므로, 상기 모터의 실제 동작은 달라질 수 있다. 따라서, 프로그램된 동작과 실제 동작을 구분할 필요가 있다. 비례 적분 미분(Proportional-Integral-Derivative; PID) 회로가 T0 이후의 어떤 순간에 상기 암의 프로그램된 위치와 실제 위치 간의 차이(ferr=결과 에러)를 최소화할 수 있다.
아래의 단계들은 상기 모터의 프로그램 동작의 순서를 나타낸다. 먼저, 클리빙 절차가 시작되고 나서 플리퍼(flipper)가 닫히고, 웨이퍼 쌍을 고정시키기 위해 흡입 컵에 진공이 인가된다.
상기 모터는 한 단계의 각 증가량(예컨대, 0.001 라디안)만큼 이동함으로써 웨이퍼를 당기기 시작하고 스트레인(장력)을 결정하기 위해 부하 셀이 체크된다. 만약 부하 셀에 표시된 스트레인이 Strain count(예컨대, -5000 카운트)에 있지 않으면, 또 다른 증가량만큼 이동하도록 모터가 프로그램되고 스트레인이 다시 체크된다. 상기 Strain 설정값에 도달될 때까지 또는 Pull Count(Pull Increment, 즉,당김의 증가에 의해 모터가 스텝 운동하는 횟수)에 도달될 때까지 이 사이클은 계속된다.
다음으로, 상기 LVDT는 상기 웨이퍼의 바닥에 접촉할 때까지 상승하고 다시 수축한다. 인장 스트레인 설정값(예컨대, -5000 카운트)에 도달되면 블레이드가 동작을 시작한다. 이 시간은 T0 후 0.35초 이내일 수 있다. 경계면에 블레이드를 인가하면 클리빙 처리가 개시된다.
스트레인 게이지가 미리 설정된 수의 카운트(Strain_Window 파라미터 레벨(예컨대, 2000 카운트 델타 또는 -8000 카운트))만큼 힘이 감소되었음을 나타내면, 프로그램된 모터의 동작이 시작된다(0→1). 미리 결정된 상대적 각 위치(Instantaneous_Move 또는 Boost(부스트) 파라미터, 예컨대, 0.01 라디안)로 이동하도록 모터로 신호가 송신된다. 모터는 임의의 가속 설정에 우선하여 상기 지점으로 가능한 빨리 이동한다. 이는, 웨이퍼의 시작부에서 장력이 갑자기 해제됨으로 인하여 연장 암이 갑자기 튀어오르는 것을 교정하기 위해 엔코더가 상기 모터를 반대 방향으로 구동하는 것을 막는다.
이 각 위치에 도달하면, 모터는 정해진 가속도(split_acel(쪼개짐 가속도), 예컨대, 400 라디안/초2)로 move_after_split 위치(예컨대, 0.099314 라디안)으로 이동하라는 명령을 받고, 상기 각(angular) 위치에 접근하면서 규정된 일정한 split_speed(예컨대, 4 라디안/초)에 도달하려고 할 것이다. 총 거리, x는a1t1 2/2+vt2-a2t3 2/2=move_after_split 거리이기 때문에, 프로그램된 상기 동작은 속도 일정 단계를 이미 포함하거나 또는 배제한다. 가장 중요한 설정값은 속도가 아니라 상대적인 각 거리(예컨대, 0.099314 라디안)이기 때문에, 모터가 먼저 상기 move_after_split 위치에 도달한다면 상기 모터는 결코 일정한 속도에 도달할 수 없다. 다시, move_after_split, split_acel, 및 규정된 감속도(Decel, 예컨대, 140 라디안/초2)가 주어지면 프로그램된 동작은 이미 속도가 일정하게 되는 기간, 즉, t2를 결정한다. 실제 동작은 상당히 다를 수 있다.
예를 들어, 왁스 처리 웨이퍼에서 생길 수 있는 경우와 같이, 블레이드 개시 전에 웨이퍼 쌍이 분리되기 시작하여 스트레인이 Strain_Window(스트레인 윈도우) 설정만큼 떨어지면, 소프트웨어가 진공을 해제하고 플리퍼를 멈추게 하며, 경보가 울릴 것이다. 따라서, 왁스 처리 웨이퍼에 대해서는, Strain_Pull_fixed를 갖는 상기 Strain_Window가 더 커진다(예컨대, 왁스 처리 300mm 웨이퍼 쌍에 대해서 2000→5000 카운트).
본 발명의 일 실시예에 의한 클리빙 처리의 여러 국면들은 일정한 상호의존성을 나타낼 수 있다. 예를 들어, 클리빙 처리 조건들은 쪼개짐 면 내의 유효 표면 에너지에 의존적이다. 그리고, 이 쪼개짐 면의 표면 에너지는 주입(implant) 조건 및 접합 처리의 함수이다. 클리빙 결과의 다양성은 주로 초기 인장력(Strain cleaving 파라미터)의 조정에 의해 조절된다.
본 발명의 일 실시예에 따라서 상기 클리빙 처리가 수행되면, 클리빙 후의 특성 부여 및 웨이퍼 검사가 다양한 방법으로 실행될 수 있다. 하나의 방법은 밝은 불빛 아래서 육안으로 웨이퍼를 검사하는 것이다. 관찰 결과는 검사 시트에 기록된다. 다른 방법은 현미경으로 웨이퍼를 검사하는 것이다. 웨이퍼들의 표면에 실리콘 결함 및 미시적인 공동(void)이 있는지 검사한다. 아래의 표 2는 눈에 띌 수 있는 결함들의 형태를 요약한다.
용어 정의 검토
공동(Void) 밝은 빛 또는 광학 현미경으로 검출가능한 SOI 구역 내의 구형 결함. 공동은 가장 일반적으로 클리빙 처리 중에 생성되는데, 공동으로부터의 SOI 물질이 조작 표면에 남게 된다. 공동은 클리빙 후의 열처리 후에도 나타날 수 있다.
LPD 광점 결함(Light Point Defect). 밝은 빛 아래서 또는 SP1으로 검출할 때 가장 밝게 보이는 작은 결함. LPD는 입자, 공동 또는 흠집과 같은 고립된 형상이며, 웨이퍼 표면 내 또는 표면 상에 존재하고 주변의 웨이퍼 표면에 비해 빛의 산란 강도를 증가시킨다.
찢김(Tear) 클리빙 시에 SiGe 층 또는 Si 캡 층이 찢겨 나간 구역이며, 색상 변화를 일으킴. 찢김은 확산(형광등) 조명 또는 밝은 빛 아래서, 또는 광학 현미경으로 볼 수 있다.
디본드(De-bond) 도너와 조작 웨이퍼 접합의 실패. 디본드는 일반적으로, SOI 물질이 보이지 않는 웨이퍼의 에지에서 일어난다. 베어(bare) 조작 웨이퍼에 있어서, 디본드는 실리콘 조작 웨이퍼와 도너 산화물의 분리이다.
산화물 이전 (Oxide transfer) 클리빙 후 최상부 SOI 층이 제거되어 박스(BOX)가 노출된 구역. 보여지는 색상은 박스의 색상이며, 그 두께를 나타낸다. 산화물 이전은 웨이퍼의 어떤 구역에서든 일어날 수 있지만, 주로 에지에서 시작된다. 산화물 이전은 클리빙 처리 동작의 뒤에 일어난다. 산화물 이전은 매우 작을 수도 있고 매우 광범위할 수도 있다. "산화물 이전"은 잘못된 명칭이다. 산화물이 아니라 실리콘 캡(SOI)이 제거된다.
클리브 마크 (Cleave mark) 밝은 빛, Accumap 필름 두께맵, 광학 현미경 하에서 볼 수 있는 쪼개짐 면의 가파른 변화. 클리브 마크는 스크래치와 유사해 보이지만, 곡선 형태이다. 일부 클리브 마크는, 연무와 함께 관찰되는 최상부 SOI 층의 표면 거칠기에 있어서의 가파른 변화를 정의한다.클리브 마크는 클리빙 방법의 산물이다. 일반적으로 클리빙 후 세정 또는 에피택시 평탄화에 의해 제거된다.
에지 스크래치 (Edge scratches) CI 블레이드 또는 CCP 블레이드에 기인한 에지 제외부의 스크래치. 에지 스크래치는 확산(형광등) 조명 또는 밝은 빛 아래서, 또는 광학 현미경으로 볼 수 있다.
연무(Haze) 특정 정도의 밝은 빛 아래서 볼 수 있는 혼탁 또는 퇴색. 연무는 특정 정도의 밝은 빛 아래서, 자동 표면 스캐너 및 광학 현미경으로 볼 수 있다. 연무는 표면의 미세 거칠기 또는 표면이나 표면 부근 결함의 밀집으로부터 일어나는 광범위한 산란에 기인한다.
티끌(Particle) 티끌은 최상면에 또는 최상면 층 내에 존재하는 점 결함이다. 티끌은 확산(형광등) 조명, 밝은 빛, 광학 현미경, 또는 자동 표면 스캐너에 의해 검출가능하다. 그 존재는 자동 표면 스캐너 상에서 LPD로서 정량화된다.
흠집(Pits) 실리콘 표면의 얕은 오목부. 흠집은 밝은 빛 아래서 봤을 때 개별적으로 식별가능하고 제거할 수 없는 표면처럼 보인다. 과도한 흠집은 연무처럼 보일 수 있다.
오정렬된 웨이퍼 (Misaligned wafers) 도너 웨이퍼와 조작 웨이퍼의 접합시 오정렬. 오정렬로 분류된 웨이퍼들은 폐기되어야 한다.
슬립(Slip) 슬립 라인들은, 결정학 면을 따라 원자가 이동하여 발생하는 선형 결함이고, 웨이퍼 노치/평탄부와 웨이퍼의 결정 방향에 수직 또는 평행하다. 슬립은 확산(형광등) 조명, 밝은 빛, 광학 현미경, 또는 자동 표면 스캐너에 의해 검출가능하다. 슬립 라인들은 웨이퍼의 에지 상에서 또는 에지로부터 먼 곳에서 발생할 수 있다.
줄무늬(Streaks) 불규칙한 연속적 표면 결함. 줄무늬는 LPD 또는 흠집으로 구성될 수 있다.
적층 결함 (Stacking Fault) 결정 내에서의 원자의 정상적인 적층 순서가 변경됨으로써 일어나는 2차원적 결함. 결정 덩어리 내에 존재하거나, 에피택시 증착 과정에 성장하거나, 산화 중에 발달할 수 있다. 적층 결함은 현미경으로 관찰하면 볼 수 있다.
스크래치 (Scratch) 웨이퍼 표면의 안정된 평면 아래에 존재하는, 눈에 보이는 길이의 얕은 홈 또는 절삭부. 마이크로 스크래치는 확산 조명(형광등 빛) 아래서 육안으로는 볼 수 없지만, 밝은 빛 아래에서는 육안으로 볼 수 있다. 매크로 스크래치는 확산 조명(형광등 빛) 아래에서 육안으로도 볼 수 있다.
에지 칩 (Edge Chip) 웨이퍼의 에지로부터 제거된 물질의 작은 구역. 웨이퍼의 에지로부터 또는 SOI 층으로부터 제거되고 상기 웨이퍼의 표면으로 이동된 물질의 작은 구역이며, 확산 조명(형광등), 밝은 빛, 광학 현미경, 또는 자동 표면 스캐너로 볼 수 있음.
또 다른 방법은 원자 현미경(Atomic Force Microscopy; AFM)을 이용하여 웨이퍼를 검사하는 것이다. 도 7A는 본 발명의 일 실시예에 의하여 클리빙된 기판의 에 대한 AFM 거칠기 분석 결과이다. 클리빙된 웨이퍼 표면의 제곱 평균 제곱근(RMS) 표면 거칠기는 일반적으로 30 내지 60Å이다. 도 7B는 본 발명의 일 실시예에 의하여 클리빙된 기판의 원자 현미경에 의한 단면 분석 결과이다.
위에서는 구체적인 실시예들을 상세히 설명하였지만, 다양한 변형, 대안 및 등가물들이 사용될 수 있다. 상기 기재는 선택된 순서의 단계들을 사용하여 설명되었지만, 상기 단계들의 구성요소들 뿐만 아니라 다른 구성요소들과의 임의의 조합이 사용될 수도 있다. 또한, 실시예에 따라서는 일정한 단계들이 조합되거나 제거될 수 있다. 또한, 다른 실시예에 의하면, 수소 입자들이 헬륨 및 수소 이온의 이종 주입(co-implantation)을 사용하여 대체되어, 변경된 주입량과 클리빙 특성의 모두 또는 어느 하나를 갖는 쪼개짐 면을 형성할 수 있다. 물론, 다른 변형, 변경 및 대안들이 존재할 수 있다. 따라서, 상기 기재 및 도시는 본 발명의 범위를 제한해서는 안 되며, 본 발명의 범위는 첨부된 청구항들에 의해 정의된다.

Claims (11)

  1. 기판의 클리빙(cleaving) 방법에 있어서,
    제2 기판에 접합된 제1 기판을 제공하는 단계;
    부재(部材)로 하여금 상기 제1 및 상기 제2 기판에 제1 크기의 인장력을 인가하게 하는 단계;
    상기 부재에 걸리는 부하가 제1 레벨에 도달한 것으로 검출되면, 상기 제2 기판으로부터 상기 제1 기판을 국소적으로 클리빙하는 국소 클리빙을 개시하는 단계; 및
    상기 부재에 걸리는 부하가 제2 레벨에 도달한 것으로 검출되면, 상기 제2 기판으로부터 상기 제1 기판을 전체적으로 클리빙하기 위해 상기 인장력의 크기를 감소시키는 단계를 포함하는 클리빙 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 인장력은 상기 기판 중 하나와 물리적으로 연결된 암(arm)에 의해 인가되는 클리빙 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 암과 기계적으로 소통하는 모터는, 상기 인장력의 크기를 감소시키도록 연산된 방식으로 상기 암을 움직일 수 있게 프로그램되는 클리빙 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 모터는 상기 부하가 상기 제2 레벨로 변하기 전에 상기 암의 움직임을 시작하도록 프로그램되는 클리빙 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 암의 움직임은 상기 전체적인 클리빙의 속도가 실질적으로 상기 국소 클리빙의 속도가 되도록 하는 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 모터에 의한 상기 암의 움직임은, 상기 암의 실제 위치와 상기 암의 프로그램된 위치의 차이를 줄이는 비례 적분 미분(proportional-integral-derivative; PID) 회로에 의해 제어되는 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 국소 클리빙은 블레이드(blade)의 사용에 의하여 개시되는 방법.
  8. 접합된 기판을 클리빙하는 장치에 있어서,
    기부(base);
    상기 기부에 연결되고, 제2 기판에 접합된 제1 기판을 고정시키는 제1 흡입 부재;
    선회할 수 있도록 상기 기부에 연결된 제1 단부 및 상기 제2 기판에 접촉하는 제2 흡입 부재를 포함하는 제2 단부를 포함하는 암;
    상기 암과 물리적으로 소통하고, 상기 제1 기판으로부터 멀어지는 방향으로 상기 암을 선회시킬 수 있는 모터;
    상기 암과 소통하고 상기 암의 물리적 부하를 검출하는 부하 셀(load cell); 및
    상기 제1 및 상기 제2 기판의 국소적인 클리빙을 개시하기 위해 상기 접합된 기판 쌍에 대해서 접촉되는 블레이드를 포함하는 클리빙 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 모터와 전기적으로 소통하고, 상기 암의 실제 위치와 상기 암의 프로그 램된 위치의 차이를 줄일 수 있는 비례 적분 미분(proportional-integral-derivative; PID) 회로를 더 포함하는 클리빙 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제1 및 상기 제2 흡입 부재는 흡입 컵(suction cup)을 포함하는 클리빙 장치.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 부하 셀 및 상기 모터와 전기적으로 소통하는 프로세서를 더 포함하되,
    상기 프로세서는 상기 모터로 하여금 상기 국소적인 클리빙의 개시 후 상기 부하 셀에 의하여 검출되는 감소된 부하에 따라 상기 암을 움직이게 하는 클리빙 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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FR2823373B1 (fr) * 2001-04-10 2005-02-04 Soitec Silicon On Insulator Dispositif de coupe de couche d'un substrat, et procede associe
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