KR20090103202A - Methode for repairing photomask using defect repairing device - Google Patents

Methode for repairing photomask using defect repairing device

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KR20090103202A
KR20090103202A KR1020080028638A KR20080028638A KR20090103202A KR 20090103202 A KR20090103202 A KR 20090103202A KR 1020080028638 A KR1020080028638 A KR 1020080028638A KR 20080028638 A KR20080028638 A KR 20080028638A KR 20090103202 A KR20090103202 A KR 20090103202A
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송판돌
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주식회사 하이닉스반도체
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Abstract

PURPOSE: A method for repairing photomask using defect repairing device is provided to minimize a correction error rate by performing a correction process without a beam drift phenomenon. CONSTITUTION: The method for repairing photomask using defect repairing device comprises as follows. The mask pattern(305) is formed on the transparent substrate(300). The transparent substrate is arranged on the plate(213). The generated location of a defect is measured while forming the mask pattern. Voltage is applies from the voltage impressing part to the plate to distribute(-) electric charge on the transparency plate surface. The ion caused by the correction beam(+) is ejected to correct deformity and then induced(+) ions is extracted to outside.

Description

결함 수정 장치를 이용한 포토마스크 수정방법{Methode for repairing photomask using defect repairing device}Method for repairing photomask using defect repairing device

본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 빔 드리프트 현상을 개선할 수 있는 결함 수정 장치를 이용한 포토마스크 수정방법에 관한 것이다. The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to a photomask correction method using a defect correction apparatus that can improve a beam drift phenomenon.

포토마스크(Photomask)는 투명한 재질의 기판 상에 형성된 마스크 패턴에 빛을 조사하여 선택적으로 투과된 빛이 웨이퍼로 전사되면서 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성하는 역할을 한다. 이러한 포토마스크를 제작하는 과정 또는 포토마스크를 이용하여 웨이퍼 상에 노광 공정을 진행하는 과정에서 마스크 표면에 결함이 발생할 수 있다. 이 결함은 마스크 패턴을 형성하는 과정에서 생성된 잔여물 또는 불순물에 의해 발생되어 잔류하여 후속 공정에 영향을 미칠 수 있다. 마스크에 발생된 결함은 일반적으로 포토마스크 결함 수정 장치를 이용하여 수정하고 있다. 포토마스크 결함 수정 장치는 소스 빔(source beam)을 포토마스크 시료에 주사해서 방출되는 2차 전자를 검출하여 현미경으로 관찰 또는 시료 표면을 가공하여 마스크에 발생된 결함을 수정하고 있다. 마스크의 결함은 크게 두 가지 종류, 예를 들어 흑결함 및 백결함으로 나누어진다. 여기서 흑결함은 식각 수정을 하는데, 소스 빔의 조사량을 늘려 스퍼터링되는 원자의 양이 증가하는 것을 이용하여 결함이 발생된 표면을 식각하는 방법으로 수정하고 있다. 백결함의 경우에는 1차 이온을 결함 부분에 조사하여 발생된 2차 전자에 의해 형성된 고체 성분을 결함이 발생된 표면에 증착하여 수정하는 방법을 이용하고 있다. 그런데 이러한 결함 수정 작업을 하는데 있어서 가장 큰 문제 가운데 하나로 빔 드리프트(Beam drift) 현상이 있다. 빔 드리프트 현상은 소스 빔이 기판의 일정한 곳에 다량 조사되어 전자입자나 이온입자가 응집되면서 일차 빔의 경로를 휘어지게 함에 따라 원하는 곳에 수정이 안 되거나 이미지 해상력이 떨어지는 현상이다. A photomask serves to form a desired pattern on a wafer by irradiating light to a mask pattern formed on a transparent substrate and selectively transmitting light to the wafer. Defects may occur on the surface of the mask during the manufacturing of the photomask or during the exposure process on the wafer using the photomask. These defects can be generated and remain due to residues or impurities generated in the process of forming the mask pattern and affect subsequent processes. Defects generated in the mask are generally corrected using a photomask defect correction apparatus. The photomask defect correction apparatus detects secondary electrons emitted by scanning a source beam onto a photomask sample and observes a microscope or processes a sample surface to correct defects generated in a mask. The defects of the mask are largely divided into two types, for example, black defects and white ones. Here, the black defect is etched by using an increase in the amount of source beam sputtered to increase the amount of sputtered atoms. In the case of a white defect, the method of modifying by depositing the solid component formed by the secondary electron which generate | occur | produced the defect part by irradiating a primary ion on the defect surface is used. However, one of the biggest problems in this defect correction work is the beam drift phenomenon. The beam drift phenomenon is a phenomenon in which the source beam is irradiated with a large amount of a certain portion of the substrate and the electron beam or ion particles are aggregated to bend the path of the primary beam, thereby making it impossible to correct the desired position or the image resolution falls.

도 1a 내지 도 1c는 빔 드리프트 현상을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.1A to 1C are diagrams for explaining the beam drift phenomenon.

도 1a에 도시된 바와 같이, 기판(100) 위에 패턴(105)의 배열이 일정하고, 패턴의 종단부가 주변회로영역과 연결되어 있으면 소스 빔이 직선 형상으로 유지되면서 결함을 수정할 수 있다. 그러나 패턴의 배열이 일정하더라도 주변회로영역과 연결되지 않은 부분(A1)은 접지가 되지 않아, 이온이 누적되는 차지 업(charge up)에 의해 소스 빔이 휘어지는 빔 드리프트 현상이 발생하여 결함이 발생된 부분의 수정이 이루어지지 않는다. 도 1b를 참조하면, 패턴(110)과 기판(100)의 영역이 넓은 경우에는 이온이 패턴(110)과 기판(100)이 접하는 부분(A2)에 누적되면서 소스 빔이 패턴 방향으로 휘는 빔 드리프트 현상이 발생하며, 수정 영역이 기판(100)으로만 이루어진 경우에는, 도 1c에 도시된 바와 같이, 기판(100) 상에 축적되는 이온량이 증가하여(A3) 소스 빔이 휘어지는 빔 드리프트 현상이 발생하게 된다. 이러한 빔 드리프트 현상을 제거하지 않은 상태에서 수정 공정을 진행하면, 원하는 곳에 수정이 안되거나 이미지 해상력이 저하되고, 결국 포토마스크에 불량이 발생될 수 있다. 이에 따라 이러한 현상을 완화하기 위하여 여러 가지 방법이 제안되어 있으나, 반도체 소자의 집적도가 높아지면서 패턴 선폭이 축소됨에 따라 빔 드리프트 현상을 개선하기 어려운 실정이다.As shown in FIG. 1A, if the arrangement of the pattern 105 is constant on the substrate 100 and the terminal of the pattern is connected to the peripheral circuit region, the source beam may be maintained in a straight line and defects may be corrected. However, even if the arrangement of the patterns is constant, the portion A 1 which is not connected to the peripheral circuit region is not grounded, and thus a beam drift phenomenon occurs in which the source beam is bent due to charge up where ions accumulate, resulting in a defect. No modification is made. Referring to FIG. 1B, when the area of the pattern 110 and the substrate 100 is wide, a beam in which the source beam bends in the pattern direction while ions are accumulated in the portion A 2 where the pattern 110 and the substrate 100 contact each other. When the drift phenomenon occurs and the crystal region is composed of the substrate 100 only, as illustrated in FIG. 1C, the amount of ions accumulated on the substrate 100 increases (A 3 ) and the beam drift phenomenon causes the source beam to bend. This will occur. If the correction process is performed without removing the beam drift phenomenon, the correction may not be performed at a desired location or the image resolution may be degraded, which may cause a defect in the photomask. Accordingly, various methods have been proposed to alleviate this phenomenon. However, as the degree of integration of semiconductor devices increases and the pattern line width decreases, it is difficult to improve the beam drift phenomenon.

본 발명에 따른 결함 수정 장치를 이용한 포토마스크 수정방법은, 투명 기판 상에 웨이퍼에 전사할 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 투명 기판을 플레이트, 플레이트에 연결된 전압 인가부를 포함하는 카세트 및 수정 빔 주사장치를 포함하는 결함 수정 장치의 상기 플레이트 위에 배치하는 단계; 상기 마스크 패턴을 형성하면서 발생된 결함의 위치를 측정하는 단계; 상기 투명 기판 표면에 (-) 전하가 분포되게 상기 전압 인가부로부터 상기 플레이트에 전압을 인가하는 단계; 및 상기 마스크 패턴 상에 수정 빔을 주사하여 결함을 수정하면서 상기 수정 빔으로부터 유발된 (+) 이온을 외부로 배출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The photomask correction method using the defect correction apparatus according to the present invention comprises the steps of: forming a mask pattern to be transferred to a wafer on a transparent substrate; Disposing the transparent substrate on the plate, the cassette comprising a voltage application coupled to the plate, and the plate of the defect correction apparatus comprising a correction beam scanning device; Measuring a position of a defect generated while forming the mask pattern; Applying a voltage from the voltage applying unit to the plate such that negative charge is distributed on the surface of the transparent substrate; And ejecting (+) ions induced from the correction beam to the outside while correcting defects by scanning the correction beam on the mask pattern.

본 발명에 있어서, 상기 마스크 패턴은 상기 투명 기판의 노출 영역이 넓은 독립 패턴으로 형성되고, 상기 플레이트는 상하 이동이 가능하면서 알루미늄으로 형성된다.In the present invention, the mask pattern is formed in an independent pattern with a large exposed area of the transparent substrate, the plate is formed of aluminum while being able to move up and down.

상기 전압은, 상기 수정 빔의 가속전압과 대등한 크기의 전압으로 인가하는 며, 상기 전압은 상기 수정 빔이 갈륨(Ga+) 이온 베이스에서 15㎸의 가속전압으로 주사하는 경우 적어도 10㎸ 의 전압으로 인가하는 것이 바람직하다.The voltage is applied at a voltage equal to the acceleration voltage of the quartz beam, and the voltage is at least 10 mA when the quartz beam scans at an acceleration voltage of 15 mA at the gallium (Ga +) ion base. It is preferable to apply.

상기 수정 빔은 전자 빔 또는 이온 빔을 포함하는 것이 바람직하다. The crystal beam preferably comprises an electron beam or an ion beam.

도 1a 내지 도 1c는 빔 드리프트 현상을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.1A to 1C are diagrams for explaining the beam drift phenomenon.

도 2는 빔 드리프트 현상 개선을 위한 포토마스크 결함 수정장치를 개략적으로 나타내보인 도면이다. 2 is a view schematically showing a photomask defect correction apparatus for improving the beam drift phenomenon.

도 3 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 결함 수정 장치를 이용한 포토마스크 수정방법을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.3 to 7 are diagrams for explaining the photomask correction method using a defect correction apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

도 2는 빔 드리프트 현상 개선을 위한 포토마스크 결함 수정장치를 개략적으로 나타내보인 도면이다. 도 3 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 결함 수정장치를 이용한 포토마스크 수정방법을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.2 is a view schematically showing a photomask defect correction apparatus for improving the beam drift phenomenon. 3 to 7 are diagrams for explaining the photomask correction method using a defect correction apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명에서 적용하는 포토마스크 결함 수정장치는, 스테이지(200)와, 스테이지(200) 위에 배치되면서 마스크(또는 기판, 300)가 장착되는 카세트(cassette, 215)와, 마스크 상에 수정 빔(repairing beam)을 주사하는 수정 빔 주사장치(220)를 포함하여 이루어진다. 여기서 카세트는 마스크를 올려놓을 수 있는 플레이트(plate, 213), 카세트 몸체(205) 및 마스크를 고정할 수 있는 클램프(210)를 포함하여 구성된다. 이때, 플레이트(213)는 전도성을 갖는 물질, 예를 들어 알루미늄으로 이루어지며 상하로 이동 가능하다. 그리고 플레이트(213)에 전압을 인가하는 전압 인가부(217)를 더 포함한다. 수정 빔 주사장치(220)는 카세트(215) 상에 장착된 마스크(300)와 소정 거리만큼 이격된 위치에 배치된다. 포토마스크 결함 수정장치는 수정 빔 주사장치(220)로부터 주사된 소스 빔에 의해 발생된 2차 신호를 수집하여 화상데이터 메모리로 저장하는 집적장치(225) 및 화상데이터 메모리에 기억된 데이터를 이미지로 나타내는 화상부(230)를 더 포함하여 구성된다. 이하 도 3 내지 도 5를 참조하여, 포토마스크 결함 수정장치를 이용한 포토마스크 수정방법을 설명하기로 한다. Referring to FIG. 2, the photomask defect correcting apparatus applied in the present invention includes a stage 200, a cassette 215 disposed on the stage 200, on which a mask (or substrate) 300 is mounted, and a mask. And a correction beam scanning device 220 for scanning a repairing beam on the image. In this case, the cassette includes a plate on which a mask can be placed 213, a cassette body 205, and a clamp 210 that can fix the mask. At this time, the plate 213 is made of a conductive material, for example, aluminum and can be moved up and down. And a voltage applying unit 217 for applying a voltage to the plate 213. The quartz beam scanning device 220 is disposed at a position spaced apart from the mask 300 mounted on the cassette 215 by a predetermined distance. The photomask defect correction apparatus collects the secondary signals generated by the source beams scanned from the correction beam scanning apparatus 220 and stores the data stored in the image data memory and the integrated device 225 as an image. It is comprised further including the image part 230 which shows. Hereinafter, a photomask correction method using the photomask defect correction apparatus will be described with reference to FIGS. 3 to 5.

도 3을 참조하면, 기판(300) 상에 웨이퍼에 전사할 마스크 패턴(305)을 형성한다. 기판(300)은 석영(Quartz)을 포함하는 투명한 재질로 이루어진다. 마스크 패턴(305)은 이후 웨이퍼에 패턴을 전사하는 공정에서 광원이 선택적으로 투과할 수 있는 물질로 이루어진다. 여기서 마스크 패턴(305)은 빛을 차단하는 크롬(Cr)을 포함하는 광차단막 또는 수%의 투과율을 갖는 몰리브덴(Mo)계 위상반전막으로 형성할 수 있다. 이때, 마스크 패턴(305)을 형성하는 과정에서 생성된 잔여물 또는 불순물에 의해 결함(310)이 발생할 수 있다. Referring to FIG. 3, a mask pattern 305 to be transferred to a wafer is formed on the substrate 300. The substrate 300 is made of a transparent material including quartz. The mask pattern 305 is made of a material through which the light source can selectively transmit in the process of transferring the pattern onto the wafer. The mask pattern 305 may be formed of a light blocking film including chromium (Cr) that blocks light or a molybdenum (Mo) phase inversion film having a transmittance of several percent. In this case, the defect 310 may be caused by residues or impurities generated in the process of forming the mask pattern 305.

도 4를 참조하면, 결함(310)이 발생된 기판(300)을 도 2의 포토마스크 결함 수정 장치에 로딩시킨다. 기판(300)은 카세트(215)의 플레이트(213) 위에 배치되어 있으며, 플레이트(213)는 상하 이동이 가능하다. 여기서 플레이트(213)는 마스크(또는 기판)를 로딩시킬 때는 카세트(215) 하부에 내려가 있다가, 로봇에 의해 마스크가 로딩된 후에는, 플레이트(213)가 상승한다. 이때 플레이트(213)는 마스크를 고정하는 클램프(210)까지 상승시킨다. 이와 같이 플레이트(213)가 상하로 이동하는 것은 빔 장비 특성상 마스크 초점 위치를 일정하게 유지시키기 위한 것이다. Referring to FIG. 4, the substrate 300 on which the defect 310 is generated is loaded into the photomask defect correction apparatus of FIG. 2. The substrate 300 is disposed on the plate 213 of the cassette 215, and the plate 213 is movable up and down. Here, the plate 213 is lowered below the cassette 215 when loading the mask (or substrate). After the mask is loaded by the robot, the plate 213 is raised. At this time, the plate 213 is raised to the clamp 210 for fixing the mask. The movement of the plate 213 up and down in this manner is to keep the mask focus position constant due to the characteristics of the beam equipment.

도 5를 참조하면, 마스크 패턴(305)을 형성하면서 발생된 결함(310)의 위치를 측정한다. 포토마스크 결함 수정 장치는 소스 빔, 예를 들어 전자빔(electron beam)이나 이온빔(ion beam)을 마스크 패턴에 주사하여 발생된 2차 전자를 검출하여 현미경상을 관찰 또는 마스크 패턴 표면을 가공하는 장치를 수정 장비에서의 빔 장비로 통칭한다. 포토마스크 결함 수정 장치는 소스 빔의 종류에 따라 포커스 이온빔 장치 또는 전자빔 장치로 구분할 수 있다. 이러한 포토마스크 결함 수정 장치의 구동 원리는 먼저 광원, 예를 들어 갈륨(Ga+) 이온 또는 전자로부터 발생한 빛을 어퍼쳐(aperture) 또는 집속렌즈로 모아서 빔을 형성시킨다. 다음에 대물렌즈로 마스크 패턴 표면에 초점을 맞춘 후, 초점을 맞춘 빔을 수정 빔 주사장치(220)로 마스크 패턴(305) 표면에 주사한다. 그리고 수정 빔을 조사하여 마스크 패턴(305) 표면으로부터 발생된 2차 신호(a)를 집적장치(225)로 검출 및 수집하여 2차 신호(a)에 대응한 데이터를 수정 빔 조사 위치의 좌표에 대응한 화상데이터 메모리에 저장시킨다. 그리고 화상데이터 메모리에 저장된 검사 데이터를 화상부(230), 예컨대 컴퓨터 화면 상에 표시하고, 수정 빔을 조사한 영역의 현미경 상을 관찰하여 결함(310)의 위치를 측정할 수 있다. 다음에 그라운드 팁 건(230)을 마스크 패턴(305)의 결함(310) 위치로 이동시킨다. Referring to FIG. 5, the position of the defect 310 generated while forming the mask pattern 305 is measured. The photomask defect correcting apparatus detects secondary electrons generated by scanning a source beam, for example, an electron beam or an ion beam, onto a mask pattern to observe a microscope image or to process a mask pattern surface. Commonly referred to as beam equipment in crystal equipment. The photomask defect correcting apparatus may be classified into a focus ion beam apparatus or an electron beam apparatus according to the type of the source beam. The driving principle of the photomask defect correcting apparatus first forms a beam by collecting light generated from a light source, for example, gallium (Ga +) ions or electrons, into an aperture or focusing lens. Next, after focusing on the mask pattern surface with the objective lens, the focused beam is scanned on the surface of the mask pattern 305 with a quartz beam scanning device 220. The irradiated beam is then irradiated with the integrated device 225 to collect and collect the secondary signal a generated from the surface of the mask pattern 305 with the integrated device 225, and the data corresponding to the secondary signal a is adjusted to the coordinate of the corrected beam irradiation position. The image data is stored in the corresponding image data memory. The inspection data stored in the image data memory may be displayed on the image unit 230, for example, a computer screen, and the position of the defect 310 may be measured by observing a microscope image of the area irradiated with the correction beam. Next, the ground tip gun 230 is moved to the defect 310 position of the mask pattern 305.

도 6을 참조하면, 전압 인가부(217)로부터 플레이트(213)에 (-) 전압을 인가한다. 그러면 플레이트 위에 배치된 기판(300) 표면은 전체적으로 (-) 전하 성분이 분포된다. 여기서 플레이트(213)에 인가되는 전압은 최소 10㎸로 인가한다. 일반적으로 사용하는 가속전압인 30㎸가 갈륨(Ga+) 이온에 의한 마스크 표면 손상을 최소화하기 위해 15㎸로 낮게 적용되고 있다. 이에 따라 이후 기판(300) 상에 인가할 소스 빔, 예컨대 갈륨 이온빔에 의한 (+) 전하 성분이 누적되는 것을 방지할 수 있다. Referring to FIG. 6, a negative voltage is applied to the plate 213 from the voltage applying unit 217. Then, the negative charge component is distributed on the entire surface of the substrate 300 disposed on the plate. Here, the voltage applied to the plate 213 is applied at a minimum of 10 kW. In general, an acceleration voltage of 30 kV, which is generally used, is applied as low as 15 kV to minimize mask surface damage caused by gallium (Ga +) ions. Accordingly, it is possible to prevent accumulation of a positive charge component due to a source beam to be applied on the substrate 300, for example, a gallium ion beam.

도 7을 참조하면, 마스크 패턴(305) 상에 소스 빔을 주사하여 결함(310)을 수정하면서 이온이 마스크 패턴(305) 표면에 누적되기 전에 스테이지(200)에 연결된 그라운드를 통해 외부로 배출시킨다. 상술한 바와 같이, 소스 빔을 주사하기 전에 플레이트(213) 위에 배치된 기판(300) 표면은 전체적으로 (-) 전하 성분이 분포되어 있다. 이와 같이 (-) 전하 성분이 분포되어 있는 상태에서 (+) 이온의 소스 빔, 예컨대 갈륨(Ga+) 이온을 주사하면, (+) 이온이 응집되지 않고 분산된다. 여기서 그라운드(ground)가 스테이지(200) 연결되어 있어, 이온 빔은 마스크 패턴(305) 표면에 누적되기 전에 외부로 배출된다.Referring to FIG. 7, the source beam is scanned on the mask pattern 305 to correct defects 310 and is discharged to the outside through the ground connected to the stage 200 before ions accumulate on the mask pattern 305 surface. . As described above, the surface of the substrate 300 disposed on the plate 213 before scanning the source beam has a negative charge component therein. When a source beam of (+) ions, such as gallium (Ga +) ions, is scanned in a state where the negative charge component is distributed in this manner, the (+) ions are dispersed without being aggregated. Here, the ground is connected to the stage 200 so that the ion beam is discharged to the outside before accumulating on the surface of the mask pattern 305.

마스크의 결함은 크게 흑결함과 백결함으로 나눌 수 있다. 흑결함의 경우에는 식각 수정을 하는데, 먼저 수정 빔의 조사량을 증가시키면 스퍼터링되는 원자의 양이 늘어나는 것을 이용해서 패턴 표면을 식각하여 수정할 수 있다. 백결함의 경우에는 증착 수정을 하는데, 1차 이온을 마스크 패턴에 조사하면 2차 전자가 발생한다. 이 2차 전자가 화합물 가스의 분해에 기여하면서 화합물 가스는 기체 성분과 고체 성분으로 분리된다. 여기서 기체 성분은 진공 배기되지만, 고체 성분은 패턴 표면에 퇴적된다. 이 현상에 의해 전자빔이나 이온빔 조사 영역에 대해 선택적으로 증착을 수행함으로써 결함을 수정한다. 그런데 이러한 방식으로 수정 작업을 하는데 있어서 가장 큰 문제 가운데 하나가 빔 드리프트 현상이다. 빔 드리프트 현상은 소스 빔인 전자빔이나 이온빔이 석영 재질의 기판의 일정한 곳에 다량 조사되면, 전자 입자나 이온 입자가 응집됨에 따라 1차 빔의 경로가 휘어져 원하는 곳에 수정이 되지 않거나 이미지 해상력이 떨어지는 현상이 발생하게 된다. The defects of the mask can be divided into black defects and white ones. In the case of black defects, etch correction is performed. First, by increasing the irradiation dose of the correction beam, the pattern surface can be etched by using an increase in the amount of sputtered atoms. In the case of white defects, the deposition correction is performed. Secondary electrons are generated when the primary ions are irradiated onto the mask pattern. As these secondary electrons contribute to the decomposition of the compound gas, the compound gas is separated into a gas component and a solid component. Here the gas component is evacuated but the solid component is deposited on the pattern surface. By this phenomenon, defects are corrected by selectively performing deposition on the electron beam or ion beam irradiation area. However, one of the biggest problems in making corrections in this way is the beam drift phenomenon. The beam drift phenomenon is that when the electron beam or ion beam, which is the source beam, is irradiated in a large portion on a quartz substrate, the path of the primary beam is bent as the electron particles or the ion particles are agglomerated, so that the correction is not made where desired or the image resolution falls. Done.

이러한 빔 드리프트 현상을 완화하기 위하여 전자 건(electron gun)을 설치하여 중화시키거나 그라이드 건(gride gun)을 설치하여 강제적으로 접지시키는 방법이 제안되어 있다. 전자 건을 이용한 중화 방법은, 전자 건을 사용하여 마스크 패턴에 전자(-)를 공급함으로써 (+)이온을 중화시켜 빔 드리프트 현상을 감소시키는 방법이다. 그러나 패턴의 선폭이 점점 작아지면서 중화 기능만으로는 빔 드리프트 현상 문제를 해결하기 어려운 실정이다. 또한, 일반적으로 사용하는 가속전압인 30㎸가 최근에는 갈륨 이온(Ga+) 이온에 의한 마스크 표면 손상을 최소화하기 위해 15㎸로 낮게 적용되고 있다. 이에 따라 빔 드리프트 현상이 가중되어 문제가 되고 있다. 또한, 그라이드 건을 이용하는 방법은 (+) 이온 응집을 강제적으로 접지시키는 기술이다. 그러나 그라이드 건은 마스크 패턴과 소정 간격만큼 이격하여 위치하고 있어 빔 드리프트 현상을 제어하기 어렵다. In order to alleviate this beam drift phenomenon, a method of neutralizing by installing an electron gun or installing a grid gun is forcibly grounded. The neutralization method using an electron gun is a method of neutralizing (+) ions by supplying electrons (−) to a mask pattern using an electron gun to reduce beam drift. However, as the line width of the pattern becomes smaller, it is difficult to solve the beam drift problem only by the neutralization function. In addition, an acceleration voltage of 30 kV, which is generally used, has been recently applied as low as 15 kV in order to minimize mask surface damage caused by gallium ions (Ga +) ions. As a result, the beam drift phenomenon is aggravated and becomes a problem. In addition, the method using a glide gun is a technique of forcibly grounding (+) ion aggregation. However, since the glide gun is positioned at a predetermined distance from the mask pattern, it is difficult to control the beam drift phenomenon.

이에 따라 본 발명에서는 다시 도 7을 참조하면, 마스크 패턴(305) 상에 소스 빔을 주사하여 결함(310)을 수정하면서 이온이 마스크 패턴(305) 표면에 누적되기 전에 스테이지(200)에 연결된 그라운드를 통해 외부로 배출시킨다. 이와 같이 마스크 패턴(305) 상에 (-) 전하를 분포시킨 상태에서 소스 빔, 예를 들어 이온 빔 또는 전자 빔을 주사하면 마스크 패턴(305)에서 (+) 이온 응집에 의해 소스 빔의 방향이 틀어지지 않고 직진성을 유지할 수 있다. 이에 따라 빔 드리프트 현상 없이 수정 작업을 실시하여 수정 에러율을 최소화시킬 수 있다. Accordingly, referring to FIG. 7 again, in the present invention, the source beam is scanned on the mask pattern 305 to correct the defect 310, and the ground connected to the stage 200 before the ions accumulate on the mask pattern 305 surface. Discharge to the outside through. When the source beam, for example, the ion beam or the electron beam is scanned in the state in which the negative charge is distributed on the mask pattern 305 as described above, the direction of the source beam is changed by the positive ion aggregation in the mask pattern 305. It can keep straight without being twisted. Accordingly, the correction error rate can be minimized by performing the correction operation without the beam drift phenomenon.

Claims (6)

투명 기판 상에 웨이퍼에 전사할 마스크 패턴을 형성하는 단계;Forming a mask pattern to be transferred to the wafer on the transparent substrate; 상기 투명 기판을 플레이트, 플레이트에 연결된 전압 인가부를 포함하는 카세트 및 수정 빔 주사장치를 포함하는 결함 수정 장치의 상기 플레이트 위에 배치하는 단계;Disposing the transparent substrate on the plate, the cassette comprising a voltage application coupled to the plate, and the plate of the defect correction apparatus comprising a correction beam scanning device; 상기 마스크 패턴을 형성하면서 발생된 결함의 위치를 측정하는 단계;Measuring a position of a defect generated while forming the mask pattern; 상기 투명 기판 표면에 (-) 전하가 분포되게 상기 전압 인가부로부터 상기 플레이트에 전압을 인가하는 단계; 및Applying a voltage from the voltage applying unit to the plate such that negative charge is distributed on the surface of the transparent substrate; And 상기 마스크 패턴 상에 수정 빔을 주사하여 결함을 수정하면서 상기 수정 빔으로부터 유발된 (+) 이온을 외부로 배출하는 단계를 포함하는 결함 수정 장치를 이용한 포토마스크 수정방법.A method of correcting a photomask using a defect correction apparatus comprising scanning a correction beam on the mask pattern and correcting a defect while releasing (+) ions induced from the correction beam to the outside. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 마스크 패턴은 상기 투명 기판의 노출 영역이 넓은 독립 패턴으로 형성된 결함 수정 장치를 이용한 포토마스크 수정방법.The mask pattern is a photomask correction method using a defect correction device formed in an independent pattern having a large exposed area of the transparent substrate. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 플레이트는 상하 이동이 가능하면서 알루미늄으로 형성된 결함 수정 장치를 이용한 포토마스크 수정방법.The plate may be moved up and down, while using a defect correction device formed of aluminum photomask correction method. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 전압은, 상기 수정 빔의 가속전압과 대등한 크기의 전압으로 인가하는 결함 수정 장치를 이용한 포토마스크 수정방법.And the voltage is applied to a voltage having a magnitude equal to the acceleration voltage of the correction beam. 제4항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 전압은 상기 수정 빔이 갈륨(Ga+) 이온 베이스에서 15㎸의 가속전압으로 주사하는 경우 적어도 10㎸ 의 전압으로 인가하는 결함 수정 장치를 이용한 포토마스크 수정방법.And the voltage is applied at a voltage of at least 10 kW when the quartz beam is scanned at an acceleration voltage of 15 kW from a gallium (Ga +) ion base. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 수정 빔은 전자 빔 또는 이온 빔을 포함하는 결함 수정 장치를 이용한 포토마스크 수정방법.The correction beam is a photomask correction method using a defect correction apparatus comprising an electron beam or an ion beam.
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