KR20090102181A - 기판의 비접촉식 가공방법 및 그 장치 - Google Patents
기판의 비접촉식 가공방법 및 그 장치Info
- Publication number
- KR20090102181A KR20090102181A KR1020080027466A KR20080027466A KR20090102181A KR 20090102181 A KR20090102181 A KR 20090102181A KR 1020080027466 A KR1020080027466 A KR 1020080027466A KR 20080027466 A KR20080027466 A KR 20080027466A KR 20090102181 A KR20090102181 A KR 20090102181A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- glass
- heating
- stage
- cooling
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 42
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract description 9
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 11
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 7
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003280 down draw process Methods 0.000 description 4
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 229910011255 B2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
본 발명은 유리 기판의 가공방법 및 이를 수행하는 장치에 관한 것으로, Floating 제조공법으로 생산된 유리를 물리적으로 연마함에 있어서, Slurry와 패드, 이물 등에 의해 연마되는 표면의 상태가 현저하게 불량함을 극복하기 위해, 제작된 유리를 물리적으로 연마하지 않고, 고온을 사용하여 유리의 표면을 녹이고 급냉하는 방식으로 유리 표면의 평탄화를 꾀할 수 있는 기술에 관한 것이다. 이를 위해서 기판을 로딩하고 유기전이온도로 가열하는 단계 및 가열된 상기 기판을 유리결정화온도로 냉각하는 단계를 본 발명의 구성으로 한다.
본 발명에 따르면, 대량생산되는 Floating 공법으로 제작된 유리 등의 기판을 연마하지 않고 고온을 이용한 가열과 냉각을 통해 평탄화시킬 수 있도록 하여, 저렴한 비용을 투입하여 고품질의 유리를 가공할 수 있는 효과가 있다
Description
본 발명은 유리 등의 기판을 물리적으로 가공하지 않고 평탄화 가공을 수행할 수 있는 방법 및 그 장치에 관한 것으로, 고온 가열 및 급냉각 방식의 공정을 정밀하게 적어도 1회 이상 수행함으로써, 유리 표면의 평탄화의 정밀도를 높일 수 있도록 하는 기술에 관한 것이다.
평판디스플레이의 보급이 일반화되고 있는 가운데, LCD 등의 평판디스플레이 분야에서 사용되는 Glass는 그 표면에 고도의 정밀도와 평탄화가 요구되고 있다. 따라서 LCD 등에 사용되는 Glass는 연마기의 상정반에 고정되거나 하정반에 고정되고 난 후 연마(Polishing)을 진행하고, 연마 평탄도와 투명도를 향상시키기 위해 적절한 Siurry와 PAD 를 적용하여 연마를 반복하게 된다. 상정반과 하정반의 구동방식은 일반적으로 회전형이나, 최근에는 직선운동을 적용한 연마기도 활용되고 있다.
먼저, 상술한 평판디스플레이용을 사용되는 유리의 특성과 제조공정을 살펴보면, LCD용 기판 유리는 알루미노실리케이트(aluminosilicate)와 조성을 갖으며 저밀도, 내열성, 내구성과 내화학성 및 기계적 특성 등의 조건을 만족해야 하기 때문에, 망목형성산화물(SiO2, Al2O3, B2O3)의 함유량이 높고 알칼리 원소를 거의 포함하지 않는 것이 좋다. 아울러 용융온도가 일반 평판유리보다 높아 용해로의 수명이 짧아지게 되는바, 고도의 생산기술이 요구된다.
이러한 LCD용 기판의 생산제조공법으로는 우수한 표면품질과 박판 및 우수한 두께 균일성 등의 고도한 성형 및 가공기술이 요구되며, 제조법으로는 미국 코닝사에서 발명한 Advanced Fusion 공법과 Float 공법, Down draw 공법 등이 있다.
이 중 Slide유리와 같은 박판유리를 생산하기 위해 개발된 Slot Bushing Down Draw공법은 백금 bushing에 설계된 틈(slot)을 통해 유리가 인출되어 drawing roll에 의해 판형으로 성형되나, 성형과정에서 slot와 접촉하여 표면상태가 우수한 판유리를 생산하기에는 부적합한 공법이다.
이에 반해 Fusion Down Draw Process는 Slot Down Draw Process의 약점인 slot와 유리와의 접촉에 의한 유리표면의 질저하(optical distortion)를 개선한 것으로 slot대신에 trough(말구유)모양의 내화물을 사용하여 유리를 overflow시킨 후 front와 back flow가 합치면서 다른 물질과 접촉되지 않은 순수한 판유리로 성형시키는 방법이다.
특히 평판유리의 제조방식 중 많이 사용되는 방법 중에 Float 공법은, 1959년도 영국의 Pilkington Brothers에 의해 상업화된 판유리 성형공법으로 용해로로부터 한 쌍의 롤러 사이를 지나 인출된 판은 용융주석 위로 흘러들어가며 유리판은 유리보다 비중이 크고 유리에 젖지 않는 주석 표면을 지나도록 하여 유리를 제조하는 방식이다. 즉 도 1a에 도시된 바처럼 유리물(110)을 용융금속(주석)(120) 위로 떠오르게 하여 용융금속표면과 완전평면을 이룬 상태에서 판상으로 인출하는 방식으로 유리를 제조하게 되는 방법이다.
이러한 공정으로 제조되는 유리는 초기의 유리 두께(t)는 유리의 표면장력 때문에 5∼7 mm이었으나 현재는 LCD용 유리와 같은 박판 유리로부터 15 mm 이상의 두꺼운 유리까지 제조가 가능하며, 길이는 임의로 조절이 가능하며 폭은 3 m 이상도 가능하다. 이렇게 판형으로 성형된 유리(glass ribbon이라 부름)의 평형두께 t를 결정하는 중요한 물리적인 성질은, 성형 온도에서 유리의 밀도, 성형온도에서 주석의 밀도, 용융유리와 용융주석 간의 계면장력, 용융유리와 기체간의 표면장력, 용융주석과 기체의 표면장력이다. 수소와 질소의 환원분위기에서 soda lime silica 유리의 평형두께는 약 7 mm에 달하며, 다른 두께의 유리를 생산하기 위해서는 공정상의 특수한 설비가 요구된다.
그러나, 상술한 Floating 공법으로 제조된 유리는 용융주석에 접촉되는 부분의 오염도가 높기 때문에 LCD 기판으로 사용하기 위해서는 주석의 접촉부분을 연마하는 작업이 필연적으로 필요하게 된다. 연마작업은 도 1b에 도시된 것처럼 Glass는 연마기의 상정반(130)에 고정되거나 하정반(140)에 고정되고 난 후 연마(Polishing)을 진행하게 된다.
이러한 연마를 통해 오염물을 제거하고, 표면의 품질과 투명도 이물을 조정하여 맞추게 되며, 이를 위해서는 반복적인 연마작업 수행되어야 하며, 이로 인해 제조공정의 시간손실(Loss time)이 발생하여 비용의 증가를 초래하게 되며, 반복되는 연마로 인한 불량률의 증가도 피할 수 없게 되는 문제가 발생하게 되었다.
본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 대량생산되는 Floating 공법으로 제작된 유리 등의 기판을 연마하지 않고 고온을 이용한 가열과 냉각을 통해 평탄화시킬 수 있도록 하여, 저렴한 비용을 투입하여 고품질의 유리를 가공하는 평탄화 가공법의 제공 및 그 장치를 제공함에 있다.
본 발명은 Floating 제조공법으로 생산된 유리를 물리적으로 연마함에 있어서, Slurry와 패드, 이물 등에 의해 연마되는 표면의 상태가 현저하게 불량함을 극복하기 위해, 제작된 유리를 물리적으로 연마하지 않고, 고온을 사용하여 유리의 표면을 녹이고 급냉하는 방식으로 유리 표면의 평탄화를 꾀하여 상술한 문제를 해결한다.
본 발명에 따르면, 대량생산되는 Floating 공법으로 제작된 유리 등의 기판을 연마하지 않고 고온을 이용한 가열과 냉각을 통해 평탄화시킬 수 있도록 하여, 저렴한 비용을 투입하여 고품질의 유리를 가공할 수 있는 효과가 있다.
도 1a 및 도 1b는 종래의 Floating 제조공법과 연마작업을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명에 따른 기판의 가공공정 및 가열공정을 각각 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 가열과 냉각에 따른 반응을 설명하기 위한 그래프이다.
본 발명은, 1) 기판을 로딩하고 유기전이온도로 가열하는 단계; 및 2) 가열된 상기 기판을 유리결정화온도로 냉각하는 단계; 를 포함하여 이루어지는 기판의 비접촉식 가공방법을 제공하여, 물리적 방식이 아닌 비접촉식 평탄화를 구현할 수 있도록 한다.
또한, 본 발명은 상술한 상기 2)단계 이후에 냉각된 기판을 진공흡착방식으로 언로딩하는 3) 단계를 더 포함하는 기판의 비접촉식가공방법을 제공하여 유리의 로딩 또는 언로딩 시 물리적 접촉에 의한 파손을 방지할 수 있도록 한다.
또한, 본 발명은 상술한 상기 1)단계의 기판의 가열온도는 500~1000℃ 인 것을 특징으로 하는 기판의 비접촉식 가공방법을 제공하여, 제조된 유리의 표면을 최적의 조건으로 녹이고, 이를 통해 불균일한 유리표면의 평탄화를 효율적으로 구현할 수 있도록 한다.
또한, 본 발명은 상술한 가열된 기판을 냉각하는 상기 2) 단계의 기판의 냉각온도는 200~300℃ 인 것을 특징으로 하는 기판의 비접촉식 가공방법을 제공하여, 가열 후 급속한 냉각을 통해 표면의 평탄화를 꾀할 수 있도록 한다.
또한, 본 발명은 상기 기판의 비접촉식 가공방법은 상기 1) 단계 및 2) 단계를 적어도 1 회 이상 반복하는 것을 특징으로 하는 기판의 비접촉식 가공방법을 제공하여, 평탄화의 정밀도를 높일 수 있도록 한다.
또한, 본 발명은 기판을 로딩하는 로딩 스테이지; 상기 로딩 스테이지에서 순차로 이송되는 기판을 유리전이온도로 가열하는 가열스테이지; 상기 히팅스테이지에서 가열된 상기 기판을 유리 결정화 온도로 냉각하는 냉각스테이지; 및 상기 기판을 언로딩하는 언로딩 스테이지; 를 포함하여 이루어지는 기판의 비접촉식 가공장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 로딩스테이지 또는 상기 언로딩 스테이지는 상기 기판을 진공흡착방식에 의해 로딩 또는 언로딩 구동을 수행하는 것을 특징으로 하는 기판의 비접촉식 가공장치를 제공하여 기판의 파손을 최소화할 수 있도록 한다.
또한, 본 발명은 상기 가열 또는 냉각스테이지는 기판의 이송 단계에 의해 적어도 1 회 이상의 가열 및 냉각이 이루어질 수 있도록 왕복이송수단을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판의 비접촉식 가공장치를 제공하여 기판의 평탄화의 정밀도를 높일 수 있도록 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 구체적으로 설명한다.
도 2a를 참조하면, 도시된 바와 같이 평판 유리 등의 기판(10)을 로딩하고 이를 연마기를 사용하지 않고 순간 용융로를 사용하여 유리 전이온도까지 가열한다. 상기 기판의 이동은 수평 또는 수직, 사선으로 이송 가능하도록 하며, 가열 수단으로는 레이저 장치, 온풍기, 순간 가열기 등의 가열 장치를 이용하여 유리의 성질을 유지하면서 순간적으로 표면을 녹임으로써, 평탄도를 높일 수 있도록 하는 것이다.
상기 로딩을 위해서는 체인화된 콘베어와 같은 이송수단(20) 위에 기판(10)을 자동으로 올릴 수 있도록 로딩 스테이지가 형성된 로딩유닛(L)을 구비하며, 상기 로딩유닛은 로봇 등에 의해 진공흡착방식으로 로딩하는 방식으로 구현될 수 있다. 물론 이러한 방법 이외에도 자동으로 카세트 방식으로 유리가 1매씩 반출되는 구조의 유닛으로 구성될 수 있다.
이후 이송수단(20)을 통해 기판을 순간 가열하는 공정을 위해 가열장치가 구비된 가열스테이지(H)로 이동시켜 가열을 하게 된다.
이 경우 가열은 유리전이온도까지 급속 가열하게 된다. 유리 전이온도(Glass Transition Temperature; Tg)란 도 3에 도시된 바와 같이 가열이 진행되는 경우, 기판에서는 일정부분 흡열반응이 진행되고, 이후 일정온도에서 heat flow 가 변화하는 부분이 생기게 되는데 이 경우의 온도를 유리전이온도라고 한다. 본 발명에서는 이러한 유리전이온도로서의 유리 표면을 녹이는 온도를 500~1000℃ 까지 순간 가열함이 바람직하다.
다음으로, 상술한 바와 같이 순간 가열되어 표면이 어느 정도 녹아있는 상태의 유리 기판을 냉각스테이지(C)로 이송하며, 상기 냉각스테이지에서는 가열된 상태의 기판을 순식간에 급속냉동하여 유리결정화 온도까지 냉각시킨다. 유리 결정화 온도(Crystalline Tenperture;Tc)란 도 3에 도시된 바와 같이, 일반적으로 결정성 고분자에서 결정화를 이루는 온도의 범위중 피크(peak) 점을 이루는 온도를 말한다. 즉 고온에서 일정한 속도로 온도를 내릴 때 특정온도에서는 발열반응이 일어나게되며, 온도의 하강곡선에서의 피크를 이루는 지점의 온도를 유리결정화 온도라고 한다. 본 발명에서는 기판의 냉각온도는 200~300℃ 까지 급속냉각하여 무정형의 상태로 실온에서 존재시킴으로써, 투명도를 유지할 수 있도록 함이 바람직하다. 보통 이 경우의 급속냉각은 다양한 냉매를 이용하여 냉각을 수행할 수 있으며, 일 예로는 액체 질소를 이용하여 냉각시킬 수 있다.
위의 가열과 급속냉각과정은 1회에 한하지 않고, 반복적으로 수행될 수 있다. 이는 가열과 냉각을 반복함으로 인해, 글라스 표면의 평탄화를 보다 정밀하게 구현할 수 있게 한다.
아울러 언로딩 스테이지를 구비한 언로딩 유닛(U)에서는 냉각이 수행되어 작업이 완료된 기판을 로딩의 경우처럼 진공흡착방식을 통해 비접촉식으로 언로딩 시킴으로써, 물리적 접촉에 의한 결함의 발생을 최소화할 수 있도록 함이 바람직하다.
도 2b는 가열스테이지에서 기판(10)을 가열하는 방식을 예시한 것이다. (a)는 가열장치로서의 히터(20)가 기판의 상부에서 급속한 가열을 수행하는 과정을 도시한 것이며, (b)는 기판 한 면만을 가열하여 표면을 평탄화하기 위한 것이며, (c)는 기판의 양쪽 면에서 가열을 실시하여 기판의 양면 모두를 평탄화하기 위한 가열작업을 도시한 것이다. 가열방법은 기본적으로 수평으로 이송하는 기판의 상하면에서 가열을 할 수 있으며, 경우에 따라서 기판을 수직으로 세워서 이송하는 경우에는 가열장치 내부에서도 기판의 좌우면에서 가열하는 것도 가능하다. 또한 가열장치 내에서 상기 가열 히터 등을 상하 좌우, 대각선 방향으로 움직일 수 있도록 설계함이 가능하다. 반대로 히터는 그대로 두고 기판이 상하, 좌우로 움직이는 구조로 형성할 수 도 있다. 이러한 이동은 고른 가열을 통하여 균일한 기판 면의 평탄화를 효율적으로 구현하기 위함이다.
상술한 본 발명의 요지는 대량생산이 가능한 Floating 공법으로 제작된 유리의 연마를 물리적 연마과정을 거치지 않고, 고온을 사용하여 유리의 표면을 약간 녹였다가, 급속냉각을 시행함으로써, 유리표면의 평탄화를 고도하게 구현할 수 있으며, 나아가 유리생산에 있어서의 투입 비용을 낮추며, 간이한 공정으로 정밀한 품질의 유리를 대량으로 생산할 수 있는 장점을 구현할 수 있게 된다.
전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 기술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
Claims (8)
1) 기판을 로딩하고 유기전이온도로 가열하는 단계; 및
2) 가열된 상기 기판을 유리결정화온도로 냉각하는 단계;
를 포함하여 이루어지는 기판의 비접촉식 가공방법.
청구항 1에 있어서,
상기 2)단계 이후에 냉각된 기판을 진공흡착방식으로 언로딩하는 3) 단계를 더 포함하는 기판의 비접촉식가공방법.
청구항 1에 있어서,
상기 1)단계의 기판의 가열온도는 500~1000℃ 인 것을 특징으로 하는 기판의 비접촉식 가공방법.
청구항 3에 있어서,
상기 2) 단계의 기판의 냉각온도는 200~300℃ 인 것을 특징으로 하는 기판의 비접촉식 가공방법.
청구항 1 내지 3 중 어느 한항에 있어서,
상기 기판의 비접촉식 가공방법은 상기 1) 단계 및 2) 단계를 적어도 1 회이상 반복하는 것을 특징으로 하는 기판의 비접촉식 가공방법.
기판을 로딩하는 로딩 스테이지;
상기 로딩 스테이지에서 순차로 이송되는 기판을 유리전이온도로 가열하는 가열스테이지;
상기 히팅스테이지에서 가열된 상기 기판을 유리 결정화 온도로 냉각하는 냉각스테이지; 및
상기 기판을 언로딩하는 언로딩 스테이지;
를 포함하여 이루어지는 기판의 비접촉식 가공장치.
청구항 6에 있어서,
상기 로딩스테이지 또는 상기 언로딩 스테이지는 상기 기판을 진공흡착방식에 의해 로딩 또는 언로딩 구동을 수행하는 것을 특징으로 하는 기판의 비접촉식 가공장치.
청구항 7에 있어서,
상기 가열 또는 냉각스테이지는 기판의 이송 단계에 의해 적어도 1회 이상의 가열 및 냉각이 이루어질 수 있도록 왕복이송수단을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판의 비접촉식 가공장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080027466A KR20090102181A (ko) | 2008-03-25 | 2008-03-25 | 기판의 비접촉식 가공방법 및 그 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080027466A KR20090102181A (ko) | 2008-03-25 | 2008-03-25 | 기판의 비접촉식 가공방법 및 그 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090102181A true KR20090102181A (ko) | 2009-09-30 |
Family
ID=41359687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080027466A KR20090102181A (ko) | 2008-03-25 | 2008-03-25 | 기판의 비접촉식 가공방법 및 그 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20090102181A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019189594A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | Hoya株式会社 | 中間体ガラス板の製造方法、ガラス板の製造方法、及び中間体ガラス板 |
-
2008
- 2008-03-25 KR KR1020080027466A patent/KR20090102181A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019189594A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | Hoya株式会社 | 中間体ガラス板の製造方法、ガラス板の製造方法、及び中間体ガラス板 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5733639B2 (ja) | ガラス基板 | |
| TWI520917B (zh) | Glass substrate manufacturing method and glass substrate | |
| US20190002329A1 (en) | Strengthened glass and related systems and methods | |
| JP5428288B2 (ja) | ガラス板の製造方法及び製造設備 | |
| US11891324B2 (en) | Thermally strengthened consumer electronic glass and related systems and methods | |
| US10246365B2 (en) | Apparatus and method for forming thin glass articles | |
| JP2019514827A (ja) | 高強度の超薄ガラスおよびその製造方法 | |
| US20140373573A1 (en) | Apparatus and method for manufacturing 3d glass | |
| TW200934735A (en) | Manufacturing method and apparatus for glass plate | |
| WO2017020041A1 (en) | Thermally strengthened glass and related systems and methods | |
| KR101798292B1 (ko) | 디스플레이용 글래스 기판의 제조 방법 | |
| KR20090102181A (ko) | 기판의 비접촉식 가공방법 및 그 장치 | |
| US20190047893A1 (en) | Thermally strengthened photochromic glass and related systems and methods | |
| JP2001328827A (ja) | ガラス成形品の製造方法及び装置、ガラス基板の製造方法、情報記録媒体 | |
| EP3365750A2 (en) | Strengthened glass and related systems and methods | |
| JP6454188B2 (ja) | ガラス基板の製造方法 | |
| KR101769670B1 (ko) | 유리 기판의 제조 방법 및 유리 기판 | |
| JP2002348134A (ja) | ガラス成形品の製造方法、光学部品の製造方法、ガラス成形品の製造装置 | |
| US20240140852A1 (en) | Thermally strengthened consumer electronic glass and related systems and methods | |
| TWI690498B (zh) | 玻璃基板的熱處理方法 | |
| JP6078414B2 (ja) | 磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 | |
| JP2022098453A (ja) | フロートガラス製造装置、フロートガラス製造方法、及びフロートガラス | |
| JP2016124747A (ja) | ガラス基板の製造方法、及び、ガラス基板の製造装置 | |
| JP2016124746A (ja) | ガラス基板の製造方法、及び、ガラス基板の製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |