KR20090088726A - A heater for pipeline gas refined of semiconductor fabrication - Google Patents
A heater for pipeline gas refined of semiconductor fabricationInfo
- Publication number
- KR20090088726A KR20090088726A KR1020080014179A KR20080014179A KR20090088726A KR 20090088726 A KR20090088726 A KR 20090088726A KR 1020080014179 A KR1020080014179 A KR 1020080014179A KR 20080014179 A KR20080014179 A KR 20080014179A KR 20090088726 A KR20090088726 A KR 20090088726A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate sheet
- heater
- gas
- fixed
- stitching
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Pipe Accessories (AREA)
- Filtering Materials (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 반도체의 제조 공정에서 사용되는 가스를 이송하는 가스관의 외면에 착설되어, 발열작용에 의해 이송되는 가스를 고청정 상태로 정제 시킬 수 있는 가스관 정제용 고열량 히터에 관한 것으로 이는 특히, 가스를 이송하는 가스관의 외면에 착설되는 발열체 히터의 기판 시이트상에 열선이 봉제선을 통하여 일정간격 스티칭(Stitching) 고정토록 하여, 상기 열선의 과열에 따른 단선의 발생시 상기 열선이 인접 열선으로 이동 및 이에 따른 합선을 미연에 예방할 수 있도록 함은 물론, 상기 열선의 열팽창을 봉제선을 통하여 효과적으로 흡수할 수 있도록 하며, 상기 기판 시이트 및 그 상측에 스티칭 고정되는 열선의 상측 및 하측에는 상기 기판 시이트와 같은 재질의 절연 시이트가 봉제에 의해 착설되어, 상기 열선을 안전하게 보호하면서 절연작용을 수행하여, 이송되는 가스를 고청정 상태로 정제 시킬 수 있도록한 반도체 설비의 가스관 가스정제용 고열량 히이터에 관한 것이다.The present invention relates to a high calorific value heater for gas pipe refining, which is installed on the outer surface of a gas pipe for transporting gas used in a semiconductor manufacturing process and can purify a gas transported by an exothermic action to a high clean state. The heating wire is fixed on the substrate sheet of the heating element heater, which is installed on the outer surface of the gas pipe to be transported, so that the heating wire is fixed to a predetermined distance through the sewing line, and when the disconnection occurs due to the overheating of the heating wire, the heating wire moves to an adjacent heating wire and thus a short circuit. It is possible to prevent in advance, as well as to effectively absorb the thermal expansion of the hot wire through the sewing wire, and the insulating sheet of the same material as the substrate sheet on the upper side and the lower side of the heating wire stitched and fixed to the substrate sheet and the upper side thereof. Is sewn by sewing and insulated while protecting the heating wire safely , To a high-calorie gas pipe heater for gas purification of the semiconductor equipment to be high the gas is conveyed to the purified clean state to perform.
일반적으로 알려져있는 반도체 설비의 가스관은, 반도체 제조공정에 필수적 인 요소로서 사용되는 초고순도의 원료 가스를 고청정 가스관을 이용하여 원하는 작업위치까지 순도를 저하시키지 않고 공급하는 것으로, 고순도의 원료가스가 공급될 수 있도록 가스정제기에 세라믹 히터등을 착설하여 가열 공정에 의해, 청정 가스가 공급될 수 있도록 하는 것이다.The gas pipe of a semiconductor equipment generally known is to supply ultra-high purity raw material gas, which is used as an essential element in a semiconductor manufacturing process, by using a high-purity gas pipe without lowering the purity to a desired working position. A ceramic heater and the like are installed in the gas purifier so that the clean gas can be supplied by the heating process.
그러나, 상기와 같은 종래의 가스관 가스정제기용 히이터는, 히이터의 발열시 발생되는 열팽창등에 의한 변형 방지를 위해 세라믹으로 몰딩하였지만 가열과 냉각과정에서 수분 흡수에 의한 누전 위험과 열선 부식에 의한 소선되는 경우 등으로, 상기 세라믹 히이터의 제작이 어렵게 되는 많은 문제점이 있었다. However, the conventional gas pipe purifier heater as described above is molded with a ceramic to prevent deformation due to thermal expansion generated when the heater generates heat, but when burned due to the risk of leakage due to moisture absorption and heating wire corrosion during heating and cooling For example, there have been many problems in that the manufacture of the ceramic heater becomes difficult.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점들을 개선시키기 위하여 안출된 것으로서 그 목적은, 반도체의 제조 공정에서 사용되는 가스를 이송하는 가스관의 외면에 착설되는 발열체 히이터의 기판 시이트상에 열선이 봉제선을 통하여 일정간격 스티칭(Stitching) 고정토록 하여, 상기 열선의 과열에 따른 단선의 발생시 상기 열선이 인접 열선으로 이동 및 이에 따른 합선을 미연에 예방할 수 있도록 함은 물론, 상기 열선의 열팽창을 봉제선을 통하여 효과적으로 흡수할 수 있도록 하며, 상기 기판 시이트 및 그 상측에 스티칭 고정되는 열선의 상측 및 하측에는 상기 기판 시이트와 같은 재질의 절연 시이트가 봉제에 의해 착설되어, 상기 열선을 안전하게 보호하면서 절연작용을 수행하여, 이송되는 가스를 고청정 상태로 정제 시킬 수 있 는 반도체 설비의 가스관 가스정제용 고열량 히이터를 제공하는데에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to improve the above-described problems, and an object thereof is that a heating wire is fixed through a seam line on a substrate sheet of a heating element heater mounted on an outer surface of a gas pipe for transporting gas used in a semiconductor manufacturing process. By fixing the stitching interval, the heating wire can be moved to the adjacent heating wire and the short circuit can be prevented in the event of disconnection due to the overheating of the heating wire, and the thermal expansion of the heating wire can be effectively absorbed through the sewing line. The insulating sheet of the same material as the substrate sheet is installed by sewing on the upper side and the lower side of the heating wire which is stitched and fixed on the substrate sheet and the upper side thereof. The availability of semiconductor equipment to purify the gas to a high clean state Tube gas cleaning is to to provide a heater for high-calorie.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 기술적인 수단으로서 본 발명은, 반도체 설비의 가스관 가스정제용 고열량 히이터에 있어서, As a technical means for achieving the above object, the present invention, in the high-heat calorific heater for gas pipe gas purification of semiconductor equipment,
가스관의 외면에 착설되는 발열체 히이터의 기판 시이트상에 열선이 봉제선을 통하여 일정간격 스티칭(Stitching)에 의해 고정토록 설치되며, 상기 기판 시이트 및 그 상측에 스티칭 고정되는 열선의 상측 및 하측에는 상기 기판 시이트와 같은 재질의 절연 시이트가 적어도 1층 이상 봉제에 의해 적층 형성토록 되며, 상기 기판 시이트상의 열선을 일정간격 스티칭하는 봉제선은 단열 및 고온에 견딜 수 있도록 테프론이 코팅된 실리카실로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 설비의 가스관 가스정제용 고열량 히이터를 마련함에 의한다.The heating wire is installed on the substrate sheet of the heating element heater, which is installed on the outer surface of the gas pipe, to be fixed by stitching at regular intervals through a sewing line, and the substrate sheet is disposed above and below the heating sheet that is stitched and fixed to the substrate sheet. Insulating sheet of the same material is laminated to form at least one or more layers, the sewing wire for stitching the hot wire on the substrate sheet at a predetermined interval is a semiconductor, characterized in that made of Teflon-coated silica chamber to withstand heat and high temperature By providing a high calorie heater for gas purification of gas pipe of the facility.
또한, 본 발명은 상기 열선이 스티칭에 의해 고정되는 기판 시이트는 유리섬유, 실리카 섬유, 유리섬유가 내장된 테프론 시트중 어느 하나가 선택되며, 상기 기판 시이트상의 열선을 일정간격 스티칭하는 봉제선은 단열 및 고온에 견딜 수 있도록 테프론이 코팅된 유리섬유실을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is the substrate sheet to which the hot wire is fixed by stitching is selected from any one of the glass fiber, silica fiber, Teflon sheet with a glass fiber embedded, the seam for stitching the hot wire on the substrate sheet at regular intervals is insulated and It is characterized in that it further comprises a glass fiber yarn coated with Teflon to withstand high temperatures.
본 발명인 반도체 설비의 가스관 가스정제기용 고열량 히이터에 의하면, 가스 정제기의 외면에 착설되는 발열체 히이터의 기판 시이트상에 열선이 봉제선을 통하여 일정간격 스티칭(Stitching) 고정토록 하여, 상기 열선의 과열에 따른 단선의 발생시 상기 열선이 인접 열선으로 이동 및 이에따른 합선을 미연에 예방할 수 있도록 함은 물론, 상기 열선의 열팽창을 봉제선을 통하여 효과적으로 흡수할 수 있도록 하며, 상기 기판 시이트 및 그 상측에 스티칭 고정되는 열선의 상측 및 하측에는 상기 기판 시이트와 같은 재질의 절연 시이트가 봉제에 의해 착설되어, 상기 열선을 안전하게 보호하면서 절연작용을 수행하여, 이송되는 가스를 고청정 상태로 정제 시킬 수 있는 우수한 효과가 있다. According to the high calorific value heater for gas pipe gas purifier of the semiconductor equipment of the present invention, the heating wire is fixed to the substrate sheet of the heating element heater which is installed on the outer surface of the gas purifier so that the stitching is fixed at a predetermined interval through the sewing line, and the disconnection due to the overheating of the heating wire In the occurrence of the heating wire to move to the adjacent heating wire and to prevent the short circuit in advance, as well as to effectively absorb the thermal expansion of the heating wire through the seam, and to the substrate sheet and the heating wire that is fixed stitching on the upper side On the upper side and the lower side, an insulating sheet made of the same material as the substrate sheet is installed by sewing to perform an insulating action while protecting the hot wire safely, thereby having an excellent effect of purifying the gas to be transported to a high clean state.
본 발명은 특정한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구의 범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 벗어나지 않는 한도내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진자는 용이하게 알수 있음을 밝혀두고자 한다.While the invention has been shown and described with respect to specific embodiments thereof, it will be appreciated that various changes and modifications can be made in the art without departing from the spirit or scope of the invention as set forth in the following claims. Those of ordinary skill will want to know easily.
이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 설비의 가스정제기에 착설되어 이송 가스를 정제하는 고열량 발열체 히이터의 적층 구조도이고, 도 2는 본 발명인 고열량 발열체 히이터의 설치상태 단면 구조도, 도 3은 본 발명의 발열체 히이터의 기판 시이트상에 열선이 봉제선을 통하여 일정간격 스티칭 고정토록 되는 상태를 나타내는 요부 구조도로서, 가스관(10)의 외면에 착설되는 발열체 히이터(100)의 기판 시이트(20)상에 열선(30)이 봉제선(40)을 통하여 일정간격 스티칭(Stitching)에 의해 고정토록 설치되며, 상기 기판 시이트(20) 및 그 상측에 스티칭 고정되는 열선(30)의 상측 및 하측에는 상기 기판 시이트(20)와 같은 재질의 절연 시이트(50)가 적어도 1층 이상 봉제(60)에 의해 적층 형성토록 된다.1 is a laminated structure diagram of a high calorific value heating element heater mounted on a gas purifier of a semiconductor device according to the present invention to purify transport gas, and FIG. 2 is a cross-sectional structural view of an installation state of the high calorific value heating element heater of the present invention, and FIG. 3 is a heating element of the present invention. A main structural diagram showing a state in which a heating wire is fixed to a fixed interval through the seam on the substrate sheet of the heater, and the
이때, 상기 기판 시이트(20)상의 열선(30)을 일정간격 스티칭하는 봉제선(40)은 단열 및 고온에 견딜 수 있도록 테프론이 코팅된 실리카실 또는 유리섬유실로 이루어지며, 또한 상기 열선(30)이 봉제선(40)의 스티칭에 의해 고정되는 기판 시이트(20)는 유리섬유, 실리카 섬유, 유리섬유가 내장된 테프론 시트중 어느 하나가 선택되는 구성으로 이루어진다.At this time, the
이와같은 구성으로 이루어진 본 발명의 작용 및 효과를 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation and effect of the present invention made of such a configuration as follows.
도1 내지 도 3에 도시한 바와같이, 반도체 제조공정에 사용되는 초고순도의 원료 가스를 고청정 가스관을 이용하여 원하는 작업위치까지 순도를 저하시키지 않고 공급할 경우 상기 가스정제기(10)의 외면에 착설되는 발열체 히이터(100)는, 발열체 히이터(100)의 내부에 설치되는 기판 시이트(20)의 상측으로 열선(30)이 봉제선(40)을 통하여 일정간격 스티칭(Stitching)에 의해 고정토록 설치된다. As shown in Figs. 1 to 3, when the ultra-high purity raw material gas used in the semiconductor manufacturing process is supplied to the desired work position without degrading the purity by using a high-purity gas pipe, it is installed on the outer surface of the
이때, 상기 기판 시이트(20)는 그 상측에 고정되는 열선(30)의 발열온도인 600~700℃에서 안전하게 견딜 수 있도록 유리섬유, 실리카 섬유, 유리섬유가 내장 된 테프론 시트등과 같으 내열성이 우수한 재료가 선택될 수 있다.At this time, the
또한, 상기 기판 시이트(20)상의 열선(30)을 일정간격 스티칭(Stitching)에 의해 고정토록 설치하는 봉제선(40)은 도 3에 도시한 바와같이, 열선(30)을 중심으로 지그재그 형상으로 스티칭되어, 과열에 의한 열선의 단선이 발생하더라도 인접 열선과 합선 발생을 미연에 예방함은 물론, 항상 일정한 간격이 유지될 수 있도록 한다.In addition, the
상기 열선(30)을 일정한 간격으로 스티칭하여 고정하는 봉제선(40)은, 절연 및 고온에 견딜 수 있도록 테프론이 코팅된 실리카실 또는 테프론이 코팅된 유리섬유실로 구성된다.The
계속해서, 상기 기판 시이트(20) 및 그 상측에 스티칭 고정되는 열선(30)의 상측 및 하측에는 상기 기판 시이트(20)와 같은 재질의 절연 시이트(50)가 적어도 1층 이상 봉제(60)에 의해 적층 형성토록 됨으로써, 상기 열선(30)을 안전하게 보호하면서 절연작용을 수행하여, 이송되는 가스를 고청정 상태로 정제 시킬 수 있는 것이다.Subsequently, an
도 1은 본 발명에 따른 반도체 설비의 가스정제기에 착설되어 이송 가스를 정제하는 고열량 발열체 히이터의 적층 구조도.1 is a laminated structure diagram of a high calorific value heating element heater installed in a gas purifier of a semiconductor device according to the present invention to purify a transport gas.
도 2는 본 발명인 고열량 발열체 히이터의 설치상태 단면 구조도.Figure 2 is a cross-sectional structure of the installation state of the high calorific heating element heater of the present invention.
도 3은 본 발명의 발열체 히이터의 기판 시이트상에 열선이 봉제선을 통하여 일정간격 스티칭 고정토록 되는 상태를 나타내는 요부 구조도.3 is a main structural diagram showing a state in which a heating wire is fixed to a fixed interval through a seam line on a substrate sheet of a heating element heater of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
10...가스관 20...기판 시트10
30...열선 40...봉제선30
50...절연 시트 60...봉제50.
100...발열체 히터100. Heating element heater
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080014179A KR100972544B1 (en) | 2008-02-15 | 2008-02-15 | A heater for pipeline gas refined of semiconductor fabrication |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080014179A KR100972544B1 (en) | 2008-02-15 | 2008-02-15 | A heater for pipeline gas refined of semiconductor fabrication |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090088726A true KR20090088726A (en) | 2009-08-20 |
KR100972544B1 KR100972544B1 (en) | 2010-07-28 |
Family
ID=41207280
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080014179A KR100972544B1 (en) | 2008-02-15 | 2008-02-15 | A heater for pipeline gas refined of semiconductor fabrication |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100972544B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102041591A (en) * | 2010-11-19 | 2011-05-04 | 淄博新力特种纤维科技有限公司 | High-temperature-resistant composite sewing thread |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06108823A (en) * | 1992-09-28 | 1994-04-19 | Toyota Autom Loom Works Ltd | Heat-resistant cylindrical filter |
JPH0644088U (en) * | 1992-11-24 | 1994-06-10 | 松下電工株式会社 | Planar heater structure |
KR100237828B1 (en) * | 1997-01-24 | 2000-02-01 | 윤종용 | Gas heating apparatus |
KR20060025672A (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-22 | 삼성전자주식회사 | Gas filtering apparatus for fabricating semiconductor device |
-
2008
- 2008-02-15 KR KR1020080014179A patent/KR100972544B1/en active IP Right Grant
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102041591A (en) * | 2010-11-19 | 2011-05-04 | 淄博新力特种纤维科技有限公司 | High-temperature-resistant composite sewing thread |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100972544B1 (en) | 2010-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5602219B2 (en) | Jacket heater and mounting method thereof | |
US8299403B2 (en) | Heat resisting vacuum insulating material and heating device | |
CN202955404U (en) | Pipeline preheater | |
KR101693376B1 (en) | Heating element of pipes, tanks and baths | |
CN104911565A (en) | Chemical vapor deposition apparatus | |
KR100972544B1 (en) | A heater for pipeline gas refined of semiconductor fabrication | |
KR102134645B1 (en) | Energy saving piping heating jacket | |
CN104112638B (en) | A kind of plasma-reaction-chamber and its electrostatic chuck | |
KR100726931B1 (en) | ??? susceptor established cooling pipe therein | |
KR102001294B1 (en) | heated wire pattern structure and sheet type heating element having the same | |
CN104562201A (en) | Thermal insulating device of sapphire processing furnace | |
KR101918492B1 (en) | Heating jacket | |
CN100395373C (en) | Growth appts. of Chemical gaseous phase deposition | |
CA3080927A1 (en) | Efficient fiber manufacturing | |
WO2013175562A1 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
KR100824338B1 (en) | Insulating cover | |
JPH05164472A (en) | Expansible fiber insulation material and high air tight insulation material | |
CN103409573B (en) | Masonry structure of refractory material in hot-blast stove warm-air pipe ripple compensator | |
CN203411560U (en) | Construction structure of fireproof material in air heating pipeline ripple compensator of air heating furnace | |
KR101103978B1 (en) | Apparatus for heating gas of high temperature and high pressure | |
KR100824334B1 (en) | Insulating cover | |
WO2024177146A1 (en) | Jacket heater, jacket heater manufacturing method, and heat insulation structure | |
CN204045554U (en) | A kind of water-cooled body of heater for High temperature diffusion oxidation furnace | |
CN214406961U (en) | Circular furnace burner for producing steel pipes | |
JP2010090970A (en) | Heat-insulating structure and exhaust gas treatment device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130709 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140715 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150817 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160516 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170516 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180514 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190514 Year of fee payment: 10 |