JP2010090970A - Heat-insulating structure and exhaust gas treatment device - Google Patents

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Toyoji Shinohara
豊司 篠原
Tetsuo Komai
哲夫 駒井
Kaori Yoshida
香里 吉田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heat-insulating structure which can be applied to high temperature (600-800°C), and is reduced in thickness and cost, compared with a heat-insulating material having a heat insulating effect nearly equal thereto. <P>SOLUTION: The heat-insulating structure 11 includes a high temperature-side wall 22 disposed on a high temperature space 21 side; a low temperature-side wall 26 disposed on a low temperature space 27 side to form a heat insulating area 20 between the high temperature-side wall 22; a barrier wall 24 disposed between the high temperature-side wall 22 and the low temperature-side wall 26, which divides the heat insulating area 20 to form a high temperature area 23 with the high temperature-side wall 22 and to form a low temperature area 25 with the low temperature-side wall 26; and a reflecting plate 41 disposed in the high temperature area 23, which reflects radiant heat from the high temperature-side wall 2 to reduce heat conduction to the barrier wall 24. The high temperature area 23 is evacuated, and the low temperature area 25 is evacuated or a low-heat conductivity gas is encapsulated therein. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、断熱性を向上させる断熱構造体に関する。特に、断熱構造体を2つの領域に分け、それぞれの温度領域に適した断熱構造をとることにより断熱性を向上させた断熱構造体およびその断熱構造体を用いた排ガス処理装置に関する。   The present invention relates to a heat insulating structure that improves heat insulating properties. In particular, the present invention relates to a heat insulating structure in which the heat insulating property is improved by dividing the heat insulating structure into two regions and adopting a heat insulating structure suitable for each temperature region, and an exhaust gas treatment apparatus using the heat insulating structure.

半導体の製造過程で排出される排ガス中には、フッ素を含有する難分解性ガスが含まれる。この難分解性ガスを分解するために、触媒式、加熱分解式、乾式等の排ガス処理装置が用いられるが、これらの装置の反応槽内は600〜800℃にもなる。そのため、反応槽の周りに厚さが60mm以上の断熱材を配置して伝熱を抑制すべく断熱を行っている。   The exhaust gas discharged in the semiconductor manufacturing process contains a hardly decomposable gas containing fluorine. In order to decompose this hardly decomposable gas, an exhaust gas treatment apparatus such as a catalytic type, a thermal decomposition type, or a dry type is used, but the inside of the reaction tank of these apparatuses reaches 600 to 800 ° C. For this reason, a heat insulating material having a thickness of 60 mm or more is arranged around the reaction tank to insulate the heat transfer.

また、高温断熱の一例として燃焼式排ガス処理装置では、炉内の温度が約1300℃まで加熱されるが、その炉の外側には多孔質セラミック断熱材として、無機質ファイバー(SiO55%、Al15%、CaO17%、B8%、その他酸化物5%)で補強したセラミック粉末(SiO60〜65%、TiO20〜35%、Al2〜3%、その他酸化物<1%)等が使用される。この場合の多孔質セラミック断熱材の厚さは約30mmであるが、高価なものである。さらに、冷却効果を高めるために、装置の外筒と断熱材の間にパージ空気を供給する(例えば、特許文献1参照)。 As an example of high-temperature heat insulation, in a combustion exhaust gas treatment apparatus, the temperature in the furnace is heated to about 1300 ° C., but outside the furnace, as a porous ceramic heat insulating material, inorganic fiber (SiO 2 55%, Al Ceramic powder reinforced with 2 O 3 15%, CaO 17%, B 2 O 3 8%, other oxide 5% (SiO 2 60-65%, TiO 20-35%, Al 2 O 3 2-3%, others Oxides <1%) are used. In this case, the thickness of the porous ceramic heat insulating material is about 30 mm, but it is expensive. Further, in order to enhance the cooling effect, purge air is supplied between the outer cylinder of the apparatus and the heat insulating material (see, for example, Patent Document 1).

一方で、真空断熱、及びキセノン等の低熱伝導率ガスを用いた断熱構造は、例えば特許文献2または特許文献3で提案されているが、特許文献2は魔法瓶内部の熱が外部へ伝わるのを断熱する構造に関するものであり、特許文献3は冷蔵冷凍庫、恒温庫等または構造物の壁体に適した断熱構造に関するものである。したがって、真空断熱または低熱伝導率ガスを用いた断熱体において、600〜800℃の熱を断熱し、外表面の温度を約50℃程度に抑える技術については開示されていなかった。
国際公開第00/32990号パンフレット Fig1 特開平8−224178号公報 特開2001−311233号公報
On the other hand, the heat insulation structure using vacuum heat insulation and low thermal conductivity gas such as xenon is proposed in, for example, Patent Document 2 or Patent Document 3, but in Patent Document 2, the heat inside the thermos is transmitted to the outside. Patent Document 3 relates to a heat insulating structure suitable for a wall of a refrigerated freezer, a thermostatic chamber or the like or a structure. Therefore, in a heat insulating body using vacuum heat insulation or a low thermal conductivity gas, there has been no disclosure of a technique for insulating heat of 600 to 800 ° C. and suppressing the temperature of the outer surface to about 50 ° C.
International Publication No. 00/32990 Pamphlet Fig1 JP-A-8-224178 JP 2001-311233 A

本発明は、高温(600〜800℃)に適用でき、断熱後の温度を約50℃程度に抑えることができる断熱構造体を提供することを目的とする。また、同程度の断熱効果を有する断熱材よりも薄くすることができる断熱構造体、および、安価な断熱構造体を提供することを目的とする。さらに、この断熱構造体を備える排ガス処理装置を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the heat insulation structure which can be applied to high temperature (600-800 degreeC), and can suppress the temperature after heat insulation to about 50 degreeC. Moreover, it aims at providing the heat insulation structure which can be made thinner than the heat insulating material which has the heat insulation effect of the same grade, and an inexpensive heat insulation structure. Furthermore, it aims at providing the waste gas processing apparatus provided with this heat insulation structure.

上記課題を解決するため、本発明の第1の態様に係る断熱構造体は、例えば図2に示すように、高温空間21からその高温空間21よりも温度の低い低温空間27への熱を断熱する断熱構造体11であって、高温空間21側に配置された高温側壁22と、低温空間27側に配置され、高温側壁22との間に断熱領域20を形成する低温側壁26と、高温側壁22と低温側壁26の間に配置され、断熱領域20を分離して高温側壁22との間に高温領域23を形成し前記低温側壁26との間に低温領域25を形成する隔壁24と、高温領域23に配置され、高温側壁22からの放射熱を反射し隔壁24への伝熱を抑制する反射板41とを備え、高温領域23は真空にされ、低温領域25は真空にされまたは低熱伝導率ガスが封入される。   In order to solve the above problems, the heat insulating structure according to the first aspect of the present invention insulates heat from the high temperature space 21 to the low temperature space 27 having a temperature lower than that of the high temperature space 21, as shown in FIG. A high-temperature side wall 22 disposed on the high-temperature space 21 side, a low-temperature side wall 26 disposed on the low-temperature space 27 side and forming the heat-insulating region 20 between the high-temperature side wall 22 and the high-temperature side wall A partition wall 24 disposed between the low temperature side wall 26 and the low temperature side wall 26, separating the heat insulating region 20 to form a high temperature region 23 between the high temperature side wall 22 and forming a low temperature region 25 between the low temperature side wall 26; And a reflector 41 that reflects radiant heat from the high temperature side wall 22 and suppresses heat transfer to the partition wall 24, and the high temperature region 23 is evacuated and the low temperature region 25 is evacuated or has low heat conduction. Rate gas is enclosed.

このように構成すると、高温領域内に配置された反射板により、高温空間から高温側壁に伝わった熱が、熱放射により隔壁に伝わるのを抑制することができる。さらに、高温領域内を真空に維持することにより、気体の対流による熱伝達や熱伝導により熱が隔壁に伝わるのを抑制することができる。さらに、低温領域内は真空に維持され、または低熱伝導率ガスが封入されるため、高温領域から隔壁を介して伝わった熱が、気体の対流による熱伝達や熱伝導により低温側壁へ伝わるのを抑制することができる。このように、高温領域と低温領域を異なる断熱構造とすることにより効果的に断熱を行うとともに、安価で薄い断熱構造体を構成することができる。なお、「真空」とは、内圧が1〜10Torr(絶対圧、1Torr≒133.322Paabs)の場合をいう。また、「低熱導電率ガス」とは、キセノン、クリプトン、塩素、臭化メチル、三塩化ホウ素、およびこれらのうち2以上を混合した混合ガスからなる群から選択されたいずれかのガスをいう。   If comprised in this way, it can suppress that the heat | fever transmitted from the high temperature space to the high temperature side wall is transmitted to a partition by a thermal radiation with the reflecting plate arrange | positioned in a high temperature area | region. Furthermore, by maintaining the inside of the high-temperature region in a vacuum, it is possible to suppress heat from being transferred to the partition due to heat transfer or heat conduction by gas convection. Furthermore, since the low temperature region is maintained in a vacuum or a low thermal conductivity gas is enclosed, the heat transferred from the high temperature region through the partition wall is transferred to the low temperature side wall by heat transfer or heat conduction by gas convection. Can be suppressed. As described above, it is possible to effectively insulate by making the high temperature region and the low temperature region different from each other, and it is possible to configure an inexpensive and thin heat insulating structure. “Vacuum” refers to a case where the internal pressure is 1 to 10 Torr (absolute pressure, 1 Torr≈133.322 Paabs). The “low thermal conductivity gas” refers to any gas selected from the group consisting of xenon, krypton, chlorine, methyl bromide, boron trichloride, and a mixed gas obtained by mixing two or more thereof.

また、本発明の第2の態様に係る断熱構造体は、例えば図4に示すように、高温空間21からその高温空間21よりも温度の低い低温空間27への熱を断熱する断熱構造体11であって、高温空間21側に配置された高温側壁22と、低温空間27側に配置され、高温側壁22との間に断熱領域20を形成する低温側壁26と、高温側壁22と低温側壁26の間に配置され、断熱領域20を分離して高温側壁22との間に高温領域23を形成し前記低温側壁26との間に低温領域25を形成する隔壁24と、高温領域23に配置され、高温側壁22からの熱を断熱し隔壁24への伝熱を抑制する断熱材61を備え、高温領域23は低熱伝導率ガスが封入され、低温領域25は真空にされまたは低熱伝導率ガスが封入される。   Moreover, the heat insulation structure according to the second aspect of the present invention is, for example, as shown in FIG. 4, the heat insulation structure 11 that insulates heat from the high temperature space 21 to the low temperature space 27 whose temperature is lower than that of the high temperature space 21. The high temperature side wall 22 disposed on the high temperature space 21 side, the low temperature side wall 26 disposed on the low temperature space 27 side and forming the heat insulating region 20 between the high temperature side wall 22, and the high temperature side wall 22 and the low temperature side wall 26. And a partition wall 24 that separates the heat insulating region 20 to form a high temperature region 23 between the high temperature side wall 22 and forms a low temperature region 25 between the low temperature side wall 26 and a high temperature region 23. And a heat insulating material 61 that insulates heat from the high temperature side wall 22 and suppresses heat transfer to the partition wall 24, the high temperature region 23 is filled with a low thermal conductivity gas, and the low temperature region 25 is evacuated or the low thermal conductivity gas is Enclosed.

このように構成すると、高温領域内に配置された断熱材により、高温側壁から隔壁に熱が伝わるのを抑制することができ、かつ、高温領域内には低熱伝導率ガスが封入されているため、気体の熱伝導により熱が伝わるのを抑制することができる。低温領域内は真空にされ、または低熱伝導率ガスが封入されているため、高温領域から隔壁を介して伝わった熱が、気体の対流による熱伝達や熱伝導により低温側壁へ伝わるのを抑制することができる。このように、高温領域と低温領域を異なる断熱構造とすることにより効果的に断熱を行うとともに、安価で薄い断熱構造体を構成することができる。   If comprised in this way, it can suppress that a heat insulating material arrange | positioned in a high temperature area | region transfers heat to a partition from a high temperature side wall, and since low thermal conductivity gas is enclosed in the high temperature area | region. It is possible to suppress the heat from being transmitted by the heat conduction of the gas. Since the low-temperature region is evacuated or filled with low thermal conductivity gas, the heat transferred from the high-temperature region through the partition is prevented from being transferred to the low-temperature side wall due to heat transfer or heat conduction by gas convection. be able to. As described above, it is possible to effectively insulate by making the high temperature region and the low temperature region different from each other, and it is possible to configure an inexpensive and thin heat insulating structure.

また、本発明の第3の態様に係る断熱構造体では、上記本発明の第1または第2の態様に係る断熱構造体11において、低熱伝導率ガスは、キセノン、クリプトン、塩素、臭化メチル、三塩化ホウ素、およびこれらのうち2以上を混合した混合ガスからなる群から選択されたいずれかのガスである。   Further, in the heat insulating structure according to the third aspect of the present invention, in the heat insulating structure 11 according to the first or second aspect of the present invention, the low thermal conductivity gas is xenon, krypton, chlorine, methyl bromide. , Boron trichloride, and any gas selected from the group consisting of a mixed gas of two or more thereof.

また、本発明の第4の態様に係る断熱構造体では、例えば図2に示すように、上記本発明の第1乃至第3の態様のいずれか1つの態様に係る断熱構造体11において、低温領域25には、低温領域25内で対流による熱伝達が起こることを抑制する対流防止板51を備える。   In the heat insulation structure according to the fourth aspect of the present invention, as shown in FIG. 2, for example, in the heat insulation structure 11 according to any one of the first to third aspects of the present invention, the low temperature The region 25 includes a convection prevention plate 51 that suppresses heat transfer due to convection in the low temperature region 25.

このように構成すると、低温領域内に配置された対流防止板により、隔壁に伝わった熱が対流による熱伝達で低温側壁に伝わるのを抑制することができる。なお、低温領域内を真空とした場合でも、わずかに残る気体により対流による熱伝達が生ずるため、対流防止板を設置することで伝熱を抑制することができる。   If comprised in this way, it can suppress that the heat transmitted to the partition is transmitted to a low temperature side wall by the heat transfer by a convection by the convection prevention board arrange | positioned in a low temperature area | region. Even if the inside of the low temperature region is evacuated, heat transfer by convection occurs due to the slight remaining gas, so heat transfer can be suppressed by installing a convection prevention plate.

また、本発明の第5の態様に係る断熱構造体では、対流防止板51は、ベローズ状に形成され、低温側壁26側に配置されるベローズ状の波のそれぞれの頂上、および隔壁24側に配置されるベローズ状の波のそれぞれの頂上が、低温側壁26および隔壁24のそれぞれから1mm以下の間隔を隔てて配置される。ここでベローズ状に形成された波板は波の頂上にあたる稜線が水平方向に向くように配置される。   Moreover, in the heat insulation structure which concerns on the 5th aspect of this invention, the convection prevention board 51 is formed in bellows shape, and each top of the bellows-like wave arrange | positioned at the low temperature side wall 26 side, and the partition 24 side. The tops of the bellows-like waves to be arranged are arranged at a distance of 1 mm or less from each of the cold side wall 26 and the partition wall 24. Here, the corrugated plate formed in a bellows shape is arranged such that the ridge line corresponding to the top of the wave is directed in the horizontal direction.

また、本発明の第6の態様に係る排ガス処理装置では、例えば図1に示すように、600〜800℃で排ガスを処理する反応槽12と、反応槽12を取り囲むように設置され、反応槽12から外部へ伝わる熱を断熱し伝熱を抑制する上記本発明の第1乃至第5の態様のいずれか1つの態様に係る断熱構造体11とを備える。   In the exhaust gas treatment apparatus according to the sixth aspect of the present invention, for example, as shown in FIG. 1, a reaction tank 12 for treating exhaust gas at 600 to 800 ° C. and a reaction tank 12 are provided so as to surround the reaction tank 12. The heat insulation structure 11 which concerns on any one aspect of the said 1st thru | or 5th aspect of this invention which insulates the heat | fever transmitted from 12 to the outside, and suppresses heat transfer is provided.

このように構成すると、排ガスを処理する排ガス処理装置において、反応槽内の温度が600〜800℃の場合でも、断熱構造体の断熱効果により、効果的に断熱することができ、低温側壁の外表面の温度を約50℃にすることができる。   If comprised in this way, in the exhaust gas processing apparatus which processes exhaust gas, even when the temperature in a reaction tank is 600-800 degreeC, it can thermally insulate effectively with the heat insulation effect of a heat insulation structure, and it is outside the low temperature side wall. The surface temperature can be about 50 ° C.

本発明によれば、断熱構造体を温度勾配が生じる方向を分離するように高温領域と低温領域の2つに分け、高温領域では主に熱放射を抑制しかつ熱伝導と対流による熱伝達を低減させるような構造とし、低温領域では主に熱伝導と対流による熱伝達を抑制するような構造とすることで、600〜800℃の熱を断熱し、低温側壁の外表面の温度を約50℃まで下げることができる。また、同程度の効果を有する断熱材を用いた場合よりも厚さを薄くすることができ、かつ安価に断熱構造体を構成することができる。   According to the present invention, the heat insulating structure is divided into a high temperature region and a low temperature region so as to separate the direction in which the temperature gradient occurs. In the high temperature region, heat radiation is mainly suppressed and heat transfer by heat conduction and convection is performed. In a low temperature region, a structure that suppresses heat transfer mainly by heat conduction and convection is used to insulate heat of 600 to 800 ° C., and to reduce the temperature of the outer surface of the low temperature side wall to about 50. Can be lowered to ° C. Further, the thickness can be reduced as compared with the case where a heat insulating material having the same effect is used, and the heat insulating structure can be configured at a low cost.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。なお、各図において互いに同一または相当する部材には同一あるいは類似の符号を付し、重複した説明は省略する。また、本発明は、以下の実施の形態に制限されるものではない。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding members are denoted by the same or similar reference numerals, and redundant description is omitted. Further, the present invention is not limited to the following embodiments.

図1(a)は、本発明の実施の形態に係る排ガス処理装置10の縦断面図である。排ガス処理装置10は、その内部に反応槽12を備え、反応槽12の周囲に断熱構造体11を備える。断熱構造体11は、内部温度が600〜800℃になる反応槽12から熱が外部に伝わるのを断熱するために設置される。図1(a)では、断熱構造体11は反応槽12の側面全周を取り囲むように配置されている。したがって、図1(b)に示すように、水平断面(BB断面)における断熱構造体11は、反応槽12を囲むドーナツ型となっている。ただし、断熱構造体11は、反応槽12から外部に伝わる熱を断熱できればよく、上記形状に限定されるものではない。なお、反応槽12内の上部空間には、円盤形状の上部ヒータ15が設けられており、被処理ガスを加熱する。ヒータ15の下面には、シースヒータ(不図示)をはわせている。   Fig.1 (a) is a longitudinal cross-sectional view of the exhaust gas processing apparatus 10 which concerns on embodiment of this invention. The exhaust gas treatment apparatus 10 includes a reaction tank 12 therein, and includes a heat insulating structure 11 around the reaction tank 12. The heat insulating structure 11 is installed in order to insulate heat from being transmitted from the reaction vessel 12 having an internal temperature of 600 to 800 ° C. to the outside. In FIG. 1A, the heat insulating structure 11 is disposed so as to surround the entire side surface of the reaction tank 12. Therefore, as shown in FIG. 1B, the heat insulating structure 11 in the horizontal section (BB section) has a donut shape surrounding the reaction tank 12. However, the heat insulation structure 11 is not limited to the above shape as long as it can insulate heat transmitted from the reaction tank 12 to the outside. In the upper space in the reaction tank 12, a disk-shaped upper heater 15 is provided to heat the gas to be processed. A sheath heater (not shown) is put on the lower surface of the heater 15.

図2は、本発明の第1の実施の形態に係る断熱構造体11を示す図である。断熱構造体11は、高温側壁としての反応槽壁22と、低温側壁としての外壁26と、反応槽壁22と外壁26により形成される空間である断熱領域20の上下面としての上面28と下面29を備える。さらに、断熱領域20を高温領域23と低温領域25に分割する隔壁24とを備える。反応槽壁22と隔壁24により形成される高温領域23には反射板41(本実施の形態では3枚)を備え、高温領域23は真空にされる。外壁26と隔壁24により形成される低温領域25は、真空にされるかまたは低熱伝導率ガスが封入される。なお、反応槽壁22は、図1に示す反応槽12の外壁と一体に形成される。そうすると、材料を節約することができる。または、反応槽12の外壁の周囲に反応槽壁22を別途形成してもよい。そうすると、より断熱効果を高めることができる。   FIG. 2 is a view showing the heat insulating structure 11 according to the first embodiment of the present invention. The heat insulation structure 11 includes a reaction vessel wall 22 as a high temperature side wall, an outer wall 26 as a low temperature side wall, and an upper surface 28 and a lower surface as upper and lower surfaces of a heat insulation region 20 which is a space formed by the reaction vessel wall 22 and the outer wall 26. 29. Furthermore, the partition 24 which divides the heat insulation area | region 20 into the high temperature area | region 23 and the low temperature area | region 25 is provided. The high temperature region 23 formed by the reaction vessel wall 22 and the partition wall 24 is provided with a reflector 41 (three in this embodiment), and the high temperature region 23 is evacuated. The low temperature region 25 formed by the outer wall 26 and the partition wall 24 is evacuated or filled with a low thermal conductivity gas. The reaction tank wall 22 is formed integrally with the outer wall of the reaction tank 12 shown in FIG. This saves material. Alternatively, the reaction tank wall 22 may be separately formed around the outer wall of the reaction tank 12. If it does so, the heat insulation effect can be heightened more.

断熱構造体11の反応槽壁22は、反応槽12(図1参照)から伝わる熱により高温となる高温空間21側に配置される。断熱構造体11の外壁26は、高温空間21から断熱構造体11により隔てられた、高温空間21よりも低温である低温空間27側に配置される。隔壁24は、反応槽壁22と外壁26により形成される空間である断熱領域20を温度勾配が生ずる方向を分離するように、反応槽壁22と外壁26の間に配置される。
反応槽壁22には、耐熱、耐腐食性の高いニッケル系合金が好ましい。また、隔壁24、外壁26、上面28、下面29には、耐熱、耐腐食性に優れたステンレスが好ましい。ただし、同様の効果を備えるものであれば、材料は特に限定されない。
The reaction tank wall 22 of the heat insulating structure 11 is disposed on the high temperature space 21 side that becomes high temperature by heat transmitted from the reaction tank 12 (see FIG. 1). The outer wall 26 of the heat insulating structure 11 is arranged on the low temperature space 27 side that is separated from the high temperature space 21 by the heat insulating structure 11 and that is at a lower temperature than the high temperature space 21. The partition wall 24 is disposed between the reaction vessel wall 22 and the outer wall 26 so as to separate the heat insulating region 20, which is a space formed by the reaction vessel wall 22 and the outer wall 26, from the direction in which the temperature gradient is generated.
The reaction vessel wall 22 is preferably a nickel-based alloy having high heat resistance and corrosion resistance. The partition wall 24, the outer wall 26, the upper surface 28, and the lower surface 29 are preferably made of stainless steel having excellent heat resistance and corrosion resistance. However, the material is not particularly limited as long as it has the same effect.

反射板41は、反応槽壁22の側面全周を取り囲むように円環形状に構成される。また、反射板41は、一枚であってもよく複数枚であってもよい。反射板41には、その表面が鏡面仕上げされた例えばステンレスのような合金板が好ましい。なお、鏡面仕上げすることにより、熱の反射率をさらにあげることができる。ただし、反射板41は、反応槽壁22に伝わった熱の熱放射を反射し、隔壁24に熱が伝わるのを抑制する構造・素材であればよい。また、表面を鏡面仕上げする代わりに金、銀、アルミ合金のような熱反射率の高い金属でメッキしてもよい。
また、反射板41(例えば図2では3枚)は、互いに離間させて配置し、それぞれの鉛直方向上下の端部を反射板固定用ピン42で、上面28および下面29と接続固定される。そうすると、反射板41と上面28および下面29との接触面積を極力小さくすることができるので、反射板41から上記上下面への熱伝導を抑えることができる。このことから、反射板固定用ピン42の数は、より少ないほうが好ましい。反射板固定用ピン42には、耐熱、耐腐食性に優れたステンレスが好ましい。ただし、同様の効果を備えるものであれば、材料は特に限定されない。
The reflection plate 41 is configured in an annular shape so as to surround the entire circumference of the side surface of the reaction vessel wall 22. Moreover, the reflection plate 41 may be one sheet or a plurality of sheets. The reflecting plate 41 is preferably an alloy plate such as stainless steel whose surface is mirror-finished. In addition, the heat reflectivity can be further increased by mirror finishing. However, the reflection plate 41 may be any structure / material that reflects the heat radiation of the heat transmitted to the reaction tank wall 22 and suppresses the heat from being transmitted to the partition wall 24. Alternatively, the surface may be plated with a metal having a high heat reflectance such as gold, silver or aluminum alloy instead of mirror finishing.
Further, the reflecting plates 41 (for example, three in FIG. 2) are arranged so as to be separated from each other, and the vertical upper and lower ends thereof are connected and fixed to the upper surface 28 and the lower surface 29 by the reflecting plate fixing pins 42. As a result, the contact area between the reflecting plate 41 and the upper surface 28 and the lower surface 29 can be made as small as possible, so that heat conduction from the reflecting plate 41 to the upper and lower surfaces can be suppressed. For this reason, it is preferable that the number of reflection plate fixing pins 42 is smaller. The reflecting plate fixing pin 42 is preferably made of stainless steel having excellent heat resistance and corrosion resistance. However, the material is not particularly limited as long as it has the same effect.

さらに、高温領域23は真空にされる。「真空」とは、内圧が1〜10Torr(絶対圧、1Torr≒133.322Paabs)の場合をいう。なお、内圧が1Torr未満の場合は、金属壁で形成された空間内において、1.金属表面に吸着している気体の離脱、2.金属材料中に溶解、吸収されている気体の拡散放出、3.ガスの透過等が生ずる。そのため、上記空間内を1Torr未満の状態に保つのが難しくなり、金属表面の加工などの対策が必要になる。
なお、本実施の形態である断熱構造体11において、各領域を1Torr未満の状態に保つ代わりに、一旦各領域内の気体を低熱伝導率ガスで置換しその後、または置換しながら1〜10Torrの真空にすることで、上記1Torr未満の状態とほぼ同じ断熱効果を得ることができる。なお、置換しながら真空にすると低熱伝導率ガスの使用量を節約することができる。
Further, the high temperature region 23 is evacuated. “Vacuum” refers to a case where the internal pressure is 1 to 10 Torr (absolute pressure, 1 Torr≈133.322 Paabs). In the case where the internal pressure is less than 1 Torr, in the space formed by the metal wall, 1. 1. separation of gas adsorbed on the metal surface; 2. Diffuse release of gas dissolved and absorbed in metal material Gas permeation occurs. For this reason, it is difficult to keep the space in a state of less than 1 Torr, and measures such as processing of the metal surface are required.
In the heat insulating structure 11 according to the present embodiment, instead of maintaining each region in a state of less than 1 Torr, the gas in each region is temporarily replaced with a low thermal conductivity gas, and thereafter or while replacing, 1 to 10 Torr By making a vacuum, it is possible to obtain the same heat insulation effect as in the state of less than 1 Torr. Note that the use of a low thermal conductivity gas can be saved by evacuating while replacing.

外壁26と隔壁24により形成される低温領域25は、真空にされる。または、低熱導電率ガスが封入される。「低熱導電率ガス」とは、キセノン、クリプトン、塩素、臭化メチル、三塩化ホウ素、およびこれらのうち2以上を混合した混合ガスからなる群から選択されたいずれかのガスをいう。化学的安定性、安全性を考慮すると、キセノン、クリプトンが好ましい。   The low temperature region 25 formed by the outer wall 26 and the partition wall 24 is evacuated. Alternatively, a low thermal conductivity gas is enclosed. “Low thermal conductivity gas” refers to any gas selected from the group consisting of xenon, krypton, chlorine, methyl bromide, boron trichloride, and a mixed gas of two or more thereof. In view of chemical stability and safety, xenon and krypton are preferable.

なお、各種気体の熱伝導率κ(mW/(m・K)(25℃、1atm))は、キセノン:5.54、臭化メチル:7.66、塩素:8.9、三塩化ホウ素:8.95、クリプトン:9.35である。一方で、空気の熱伝導率κは、26(mW/(m・K)(25℃、1atm))である。
また、本発明者らの研究により、300℃における断熱効果は、キセノン、アルゴン、窒素の順に高いことが解った。この順は、これらの物質の熱伝導率の数値の順(低い順)と一致する。さらに、300℃において、約1〜約10Torrの状態においてもキセノンを封入することにより1Torr未満の状態とほぼ同等の断熱効果が得られることが解った。
In addition, thermal conductivity (kappa) (mW / (m * K) (25 degreeC, 1 atm)) of various gas is xenon: 5.54, methyl bromide: 7.66, chlorine: 8.9, boron trichloride: 8.95, krypton: 9.35. On the other hand, the thermal conductivity κ of air is 26 (mW / (m · K) (25 ° C., 1 atm)).
In addition, according to the study by the present inventors, it was found that the heat insulating effect at 300 ° C. is higher in the order of xenon, argon, and nitrogen. This order is consistent with the numerical order of the thermal conductivity of these materials (lowest order). Furthermore, it was found that the heat insulation effect almost equal to the state of less than 1 Torr can be obtained by enclosing xenon at 300 ° C. even in the state of about 1 to about 10 Torr.

高温領域23および低温領域25を真空にする、または低熱伝導率ガスを封入する場合は、図2に示すように、それぞれの領域に配管72を接続するポートを少なくとも2箇所ずつ設け、ポートに接続された配管72上に封止用バルブ71をそれぞれ2箇所取り付ける。それぞれの領域において配管72の一方を真空ポンプに接続し、他方を低熱伝導率ガス供給源に接続することにより、それぞれの領域を真空、低熱伝導率ガスの封入等、所望の状態にすることができる。なお、それぞれの領域を真空に引いたまたは低熱伝導率ガスを封入した後は、配管72を接続したポートを密封しかつ配管72をつぶしてもよい。   When the high-temperature region 23 and the low-temperature region 25 are evacuated or filled with low thermal conductivity gas, as shown in FIG. 2, at least two ports for connecting the pipes 72 are provided in each region and connected to the ports. Two sealing valves 71 are attached on the pipe 72 thus formed. In each region, one of the pipes 72 is connected to a vacuum pump, and the other is connected to a low thermal conductivity gas supply source, whereby each region can be brought into a desired state such as vacuum, low thermal conductivity gas sealing, or the like. it can. Note that after the respective regions are evacuated or filled with the low thermal conductivity gas, the port to which the pipe 72 is connected may be sealed and the pipe 72 may be crushed.

図1(a)および図2に示すように、排ガス処理装置10において、反応槽12と断熱構造体11を覆う上部断熱材31には、セラミックファイバーモールドまたは超微細ヒュームドシリカ粉末成分体を用いることが好ましい。さらに、上部断熱材31の上部断熱材上面31aには、高機能断熱材32が配置される。高機能断熱材32としては、厚さ10mmのアルミナ系またはシリカ系の断熱ボードが好ましい。ただし、これらの断熱材は、同程度の断熱効果を有する物であれば、材質および厚さは特に限定されない。なお、図2では、上部断熱材31は、低温領域25の上面のみと接触しているが、低温領域25の上面だけでなく、高温領域23の上面の一部または全部と接触させて配置してもよい。
また、反応槽12と断熱構造体11の下側部分を覆う断熱材33には、上部断熱材31および高機能断熱材32と同様に、セラミックファイバーモールド、超微細ヒュームドシリカ粉末成分体、アルミナ系またはシリカ系の断熱ボードが用いられることが好ましい。
As shown in FIGS. 1A and 2, in the exhaust gas treatment apparatus 10, a ceramic fiber mold or an ultrafine fumed silica powder component is used for the upper heat insulating material 31 that covers the reaction tank 12 and the heat insulating structure 11. It is preferable. Further, a high-functional heat insulating material 32 is disposed on the upper heat insulating material upper surface 31 a of the upper heat insulating material 31. As the high-functional heat insulating material 32, an alumina-based or silica-based heat insulating board having a thickness of 10 mm is preferable. However, the material and thickness of these heat insulating materials are not particularly limited as long as they have a similar heat insulating effect. In FIG. 2, the upper heat insulating material 31 is in contact with only the upper surface of the low temperature region 25, but is disposed not only on the upper surface of the low temperature region 25 but also with part or all of the upper surface of the high temperature region 23. May be.
In addition, the heat insulating material 33 covering the reaction tank 12 and the lower portion of the heat insulating structure 11 is similar to the upper heat insulating material 31 and the high-functional heat insulating material 32, ceramic fiber mold, ultrafine fumed silica powder component, alumina. It is preferable to use a heat insulating board based on silica or silica.

図1(b)および図3に示すように、反応槽12の外部ヒータ14を断熱構造体11の高温領域23内に設置してもよい。その場合には加熱が均等に行われるように、ヒータ14は複数の棒状のヒータが円周方向に均等分散されて配置されるのが好ましい(図1(b)参照)。また、ヒータ14は、断熱構造体11にステンレスケーシングにより固定されるのが好ましい。   As shown in FIG. 1B and FIG. 3, the external heater 14 of the reaction tank 12 may be installed in the high temperature region 23 of the heat insulating structure 11. In that case, it is preferable that the heaters 14 are arranged in such a manner that a plurality of rod-shaped heaters are uniformly dispersed in the circumferential direction so that heating is performed uniformly (see FIG. 1B). The heater 14 is preferably fixed to the heat insulating structure 11 with a stainless steel casing.

なお、断熱効果をより高めるために、図1(b)に示すように、断熱構造体11の外周にさらに薄い断熱材13を設けてもよい。断熱材13には、セラミックファイバーモールド、超微細ヒュームドシリカ粉末成分体、アルミナ系またはシリカ系の断熱ボードが用いられることが好ましい。   In order to further enhance the heat insulating effect, a thinner heat insulating material 13 may be provided on the outer periphery of the heat insulating structure 11 as shown in FIG. As the heat insulating material 13, it is preferable to use a ceramic fiber mold, an ultrafine fumed silica powder component body, an alumina-based or silica-based heat insulating board.

上記のように、本発明の第1の実施の形態に係る断熱構造体11を構成すると、反応槽壁22から熱放射により伝わる熱は、反射板41で熱反射され、隔壁24へ伝わるのを抑制することができる。また、高温領域23内は真空であるため、高温領域内の気体の熱伝導や対流による熱伝達により熱が隔壁24へ伝わるのを抑制することができる。したがって、反応槽12の内部温度が600〜800℃であっても、高温領域23内の隔壁24の周辺温度を約300℃にすることができる。   As described above, when the heat insulating structure 11 according to the first embodiment of the present invention is configured, the heat transmitted from the reaction vessel wall 22 by heat radiation is reflected by the reflection plate 41 and transmitted to the partition wall 24. Can be suppressed. Moreover, since the inside of the high temperature region 23 is a vacuum, it is possible to suppress heat from being transferred to the partition wall 24 by heat conduction of gas in the high temperature region or heat transfer by convection. Therefore, even if the internal temperature of the reaction vessel 12 is 600 to 800 ° C., the ambient temperature of the partition wall 24 in the high temperature region 23 can be set to about 300 ° C.

さらに、低温領域25内は、真空にされるかまたは低熱伝導率ガスが封入されているため、隔壁24に伝わった熱が対流による熱伝達または熱伝導により外壁26へ伝わるのを抑制することができる。したがって、隔壁の温度が約300℃であっても、外壁26の外表面付近の温度を約50℃にすることができる。   Further, since the low temperature region 25 is evacuated or filled with a low thermal conductivity gas, it is possible to suppress the heat transmitted to the partition wall 24 from being transmitted to the outer wall 26 by heat transfer or heat conduction by convection. it can. Therefore, even if the temperature of the partition wall is about 300 ° C., the temperature near the outer surface of the outer wall 26 can be set to about 50 ° C.

このように高温領域23と低温領域25で異なる断熱構造を組み合わせることによって、600〜800℃の熱を断熱し、低温側壁26の外表面付近の温度を約50℃にすることができる。さらに高温領域23の厚さは約30mm以下とすることができ、また低温領域25の厚さは約5mmとすることができる。その結果、同程度の断熱効果を有する断熱材を用いた場合よりも薄い断熱構造体を構成することができる。   Thus, by combining different heat insulation structures in the high temperature region 23 and the low temperature region 25, heat of 600 to 800 ° C. can be insulated and the temperature near the outer surface of the low temperature side wall 26 can be set to about 50 ° C. Furthermore, the thickness of the high temperature region 23 can be about 30 mm or less, and the thickness of the low temperature region 25 can be about 5 mm. As a result, a thinner heat insulating structure can be configured than when a heat insulating material having a similar heat insulating effect is used.

図4に示すように、本発明の第2の実施の形態に係る断熱構造体11では、上記第1の実施の形態において、高温領域23に断熱材61が配置される。この断熱材61には、セラミックファイバーモールド、超微細ヒュームドシリカ粉末成分体、アルミナ系またはシリカ系の断熱ボードを用いるのが好ましい。ただし、反応槽壁22を介して伝わる熱が隔壁24へ伝わることを抑制する断熱材であればよく、材質は特に限定されない。なお、高機能断熱材であるアルミナ系またはシリカ系の断熱ボードは、空気よりも断熱効果が高く、反応槽壁22に接触して取り囲むように設置される。また、この高機能断熱材と隔壁24は、熱伝導を抑制するため離間(1mm以下)して設置する。さらに、高温領域23には、前述の低熱伝導率ガスが封入される。その結果、反応槽壁22から伝わる熱の熱伝導、対流による熱伝達、熱放射を抑制することができる。また、第1の実施の形態と同様に、高温領域23の厚さを約30mm以下とすることができる。   As shown in FIG. 4, in the heat insulating structure 11 according to the second embodiment of the present invention, the heat insulating material 61 is disposed in the high temperature region 23 in the first embodiment. As the heat insulating material 61, it is preferable to use a ceramic fiber mold, an ultrafine fumed silica powder component, and an alumina or silica heat insulating board. However, any heat insulating material that suppresses heat transmitted through the reaction vessel wall 22 from being transmitted to the partition wall 24 may be used, and the material is not particularly limited. In addition, the alumina-based or silica-based heat insulating board, which is a high-functional heat insulating material, has a higher heat insulating effect than air, and is installed so as to be in contact with and surround the reaction vessel wall 22. In addition, the high-performance heat insulating material and the partition wall 24 are spaced apart (1 mm or less) in order to suppress heat conduction. Further, the low thermal conductivity gas is sealed in the high temperature region 23. As a result, heat conduction of heat transmitted from the reaction vessel wall 22, heat transfer by convection, and heat radiation can be suppressed. Further, similarly to the first embodiment, the thickness of the high temperature region 23 can be set to about 30 mm or less.

上記のように、本発明の第2の実施の形態に係る断熱構造体11を構成すると、反応槽壁22から隔壁24への伝熱を断熱材61で断熱することができる。また、高温領域23内は低熱伝導率ガスが封入されているため、高温領域23内の気体の熱伝導により熱が隔壁24へ伝わるのを抑制することができる。したがって、反応槽12の内部温度が600〜800℃であっても、高温領域23内の隔壁24の表面付近の温度を約300℃にすることができる。   As described above, when the heat insulating structure 11 according to the second embodiment of the present invention is configured, heat transfer from the reaction vessel wall 22 to the partition wall 24 can be insulated by the heat insulating material 61. Moreover, since the low thermal conductivity gas is enclosed in the high temperature region 23, it is possible to suppress heat from being transmitted to the partition wall 24 due to heat conduction of the gas in the high temperature region 23. Therefore, even if the internal temperature of the reaction vessel 12 is 600 to 800 ° C., the temperature near the surface of the partition wall 24 in the high temperature region 23 can be set to about 300 ° C.

図2乃至図4に示すように、本発明の第3の実施の形態に係る断熱構造体11では、上記第1または第2の実施の形態において、低温領域25に対流防止板51を備える。対流防止板51は、耐温性の優れたステンレスの金属板が好ましい。また、対流防止版51はベローズに形成され、隔壁24を囲むように配置される。その場合、図2乃至図4に示すように、対流防止版51の縦断面が波状になるように配置される。このように配置すると、効果的に対流を防止することができる。または、対流防止版51の横断面が波状になるように配置されてもよい。このように配置すると、ベローズ状の対流防止版51で隔壁24を囲みやすく製作が容易となる。
なお、対流防止板51は、低温領域25内の対流による熱伝達を防止できればよく、材質・形状は特に限定されない。
また、対流防止板51は、外壁26側に配置されるベローズ状の波のそれぞれの頂上、および隔壁24側に配置されるベローズ状の波のそれぞれの頂上が、外壁26および隔壁24のそれぞれから1mm以下の間隔を隔てて配置されることが好ましい。間隔が1mm以下であると、対流による熱伝達をより効果的に抑制できる。
As shown in FIGS. 2 to 4, the heat insulating structure 11 according to the third embodiment of the present invention includes the convection prevention plate 51 in the low temperature region 25 in the first or second embodiment. The convection prevention plate 51 is preferably a stainless metal plate having excellent temperature resistance. The convection prevention plate 51 is formed in a bellows and is disposed so as to surround the partition wall 24. In that case, as shown in FIGS. 2 to 4, the convection prevention plate 51 is disposed so that the longitudinal section thereof is wavy. With this arrangement, convection can be effectively prevented. Or you may arrange | position so that the cross section of the convection prevention plate 51 may become wavy. With this arrangement, the partition wall 24 can be easily surrounded by the bellows-shaped convection prevention plate 51, and the manufacture becomes easy.
The convection prevention plate 51 is not particularly limited as long as it can prevent heat transfer due to convection in the low temperature region 25.
Further, the convection prevention plate 51 has the tops of the bellows-like waves arranged on the outer wall 26 side and the tops of the bellows-like waves arranged on the partition wall 24 side from the outer wall 26 and the partition wall 24, respectively. It is preferable to arrange them at intervals of 1 mm or less. When the distance is 1 mm or less, heat transfer due to convection can be more effectively suppressed.

さらに、対流防止板51は、複数の対流防止板固定用ピン52で、外壁26および隔壁24に固定される。その結果、外壁26および隔壁24との接触面積が極力小さくなるため、対流防止板固定用ピン52を介しての熱伝導を抑えることができる。このことから、対流防止板固定用ピン52の数は、より少ないほうが好ましい。
なお、図5に示すように、対流防止板51を外壁26と接触させて固定してもよい。この場合、対流防止版の厚さを十分薄く(例えば0.1〜0.5mm)すると、熱伝導による伝熱を低く抑えることができ、かつ製造も容易となる。なお、対流防止板51から熱伝導により外壁26に熱が伝わることを考慮し、外壁26の一部を低熱伝導材で構成してもよい。または、外壁26の外側にさらに低熱伝導材(断熱材13)を設置してもよい(図1(b)参照)。低熱伝導材には、セラミックファイバーモールド、超微細ヒュームドシリカ粉末成分体、アルミナ系またはシリカ系の断熱ボードが好ましい。
Further, the convection prevention plate 51 is fixed to the outer wall 26 and the partition wall 24 by a plurality of convection prevention plate fixing pins 52. As a result, the contact area between the outer wall 26 and the partition wall 24 becomes as small as possible, so that heat conduction via the convection prevention plate fixing pin 52 can be suppressed. For this reason, it is preferable that the number of convection prevention plate fixing pins 52 is smaller.
As shown in FIG. 5, the convection prevention plate 51 may be fixed in contact with the outer wall 26. In this case, if the thickness of the convection prevention plate is sufficiently thin (for example, 0.1 to 0.5 mm), heat transfer due to heat conduction can be suppressed to a low level, and manufacture is facilitated. Considering that heat is transferred from the convection prevention plate 51 to the outer wall 26 by heat conduction, a part of the outer wall 26 may be made of a low heat conductive material. Or you may install a low heat conductive material (heat insulating material 13) further in the outer side of the outer wall 26 (refer FIG.1 (b)). As the low heat conductive material, a ceramic fiber mold, an ultrafine fumed silica powder component, and an alumina-based or silica-based heat insulating board are preferable.

上記のように、本発明の第3の実施の形態に係る断熱構造体11を構成すると、低温領域25内での対流による熱伝達を抑制することができ、隔壁24から外壁26への伝熱をさらに抑制することができる。なお、低温領域25に対流防止板51を備えた場合でも、低温領域25の厚さは約5mmとすることができる。   As described above, when the heat insulating structure 11 according to the third embodiment of the present invention is configured, heat transfer due to convection in the low temperature region 25 can be suppressed, and heat transfer from the partition wall 24 to the outer wall 26 can be suppressed. Can be further suppressed. Even when the convection prevention plate 51 is provided in the low temperature region 25, the thickness of the low temperature region 25 can be about 5 mm.

さらに、本発明の実施の形態に係る断熱構造体11を排ガス処理装置、例えば乾式排ガス処理装置に用いると、断熱構造部分の厚さを薄くすることができるため、装置全体の設置面積を変えることなく内部の反応槽の容量を大きくすることができる。そのため、排ガス処理剤を多く充填でき、結果として排ガス処理装置の処理効率を上げることが可能となった。
また、本発明の実施の形態に係る断熱構造体11では、断熱手段に水を一切使用していないため、貴重な資源である水を用いることなく高温に適した断熱が可能となるだけでなく、工場のレイアウト上水を使用できない場合であっても、効果的に断熱することができるようになった。
Furthermore, when the heat insulation structure 11 according to the embodiment of the present invention is used in an exhaust gas treatment device, for example, a dry exhaust gas treatment device, the thickness of the heat insulation structure can be reduced, so that the installation area of the entire device is changed. In addition, the capacity of the internal reaction tank can be increased. Therefore, it was possible to fill a large amount of the exhaust gas treatment agent, and as a result, it became possible to increase the treatment efficiency of the exhaust gas treatment device.
Moreover, in the heat insulation structure 11 which concerns on embodiment of this invention, since water is not used at all for a heat insulation means, the heat insulation suitable for high temperature is attained without using water which is a valuable resource. Even if the factory layout cannot use water, it can be effectively insulated.

本発明の実施の形態である断熱構造体を備える排ガス処理装置の断面図であり、(a)は縦断面図、(b)は図(a)のBB断面における断熱構造体の断面図である。It is sectional drawing of the waste gas processing apparatus provided with the heat insulation structure which is embodiment of this invention, (a) is a longitudinal cross-sectional view, (b) is sectional drawing of the heat insulation structure in BB cross section of Fig. (A). . 本発明の実施の形態である断熱構造体を示す図であり、図1の断熱構造体の部分を拡大したものである。It is a figure which shows the heat insulation structure which is embodiment of this invention, and expands the part of the heat insulation structure of FIG. 本発明の実施の形態である断熱構造体を示す図であり、図2の断熱構造体にさらにヒータが追加されたものである。It is a figure which shows the heat insulation structure which is embodiment of this invention, and the heater is further added to the heat insulation structure of FIG. 本発明の実施の形態である断熱構造体を示す図であり、高温領域に断熱材を配置したものである。It is a figure which shows the heat insulation structure which is embodiment of this invention, and has arrange | positioned the heat insulating material in the high temperature area | region. 本発明の実施の形態である断熱構造体を示す図であり、対流防止板の部分を拡大したものである。It is a figure which shows the heat insulation structure which is embodiment of this invention, and expands the part of a convection prevention board.

符号の説明Explanation of symbols

10 排ガス処理装置
11 断熱構造体
12 反応層
13 断熱材、低熱伝導材
14 ヒータ
15 上部ヒータ
20 断熱領域
21 高温空間
22 高温側壁、反応槽壁
23 高温領域
24 隔壁
25 低温領域
26 低温側壁、外壁
27 低温空間
28 上面
29 下面
31 上部断熱材
31a上部断熱材上面
32 高機能断熱材
33 断熱材
41 反射板
42 反射板固定用ピン
51 対流防止板
52 対流防止板固定用ピン
61 断熱材
71 封止用バルブ
72 配管
10 Exhaust gas treatment equipment
11 Thermal insulation structure
12 Reaction layer
13 Heat Insulation Material, Low Thermal Conductivity Material 14 Heater 15 Upper Heater
20 Thermal insulation area
21 High temperature space
22 High temperature side wall, reaction vessel wall 23 High temperature region
24 Bulkhead 25 Low temperature region
26 Low temperature side wall, outer wall 27 Low temperature space
28 Upper surface 29 Lower surface 31 Upper heat insulating material
31a Upper insulation top surface
32 High-performance heat insulating material 33 Heat insulating material 41 Reflecting plate 42 Reflecting plate fixing pin
51 Convection Prevention Plate 52 Convection Prevention Plate Fixing Pin 61 Heat Insulating Material 71 Sealing Valve
72 Piping

Claims (6)

高温空間から前記高温空間よりも温度の低い低温空間への熱を断熱する断熱構造体であって;
前記高温空間側に配置された高温側壁と;
前記低温空間側に配置され、前記高温側壁との間に断熱領域を形成する低温側壁と;
前記高温側壁と前記低温側壁の間に配置され、前記断熱領域を分離して前記高温側壁との間に高温領域を形成し前記低温側壁との間に低温領域を形成する隔壁と;
前記高温領域に配置され、前記高温側壁からの放射熱を反射し前記隔壁への伝熱を抑制する反射板とを備え;
前記高温領域は、真空にされ;
前記低温領域は、真空にされまたは低熱伝導率ガスが封入された;
断熱構造体。
A heat insulating structure for insulating heat from a high temperature space to a low temperature space having a temperature lower than that of the high temperature space;
A high temperature side wall disposed on the high temperature space side;
A low temperature side wall which is disposed on the low temperature space side and forms a heat insulating region with the high temperature side wall;
A partition wall disposed between the high temperature side wall and the low temperature side wall, separating the heat insulating region to form a high temperature region between the high temperature side wall and forming a low temperature region between the low temperature side wall;
A reflective plate disposed in the high temperature region and reflecting radiant heat from the high temperature side wall to suppress heat transfer to the partition;
The hot zone is evacuated;
The cold region is evacuated or encapsulated with a low thermal conductivity gas;
Thermal insulation structure.
高温空間から前記高温空間よりも温度の低い低温空間への熱を断熱する断熱構造体であって;
前記高温空間側に配置された高温側壁と;
前記低温空間側に配置され、前記高温側壁との間に断熱領域を形成する低温側壁と;
前記高温側壁と前記低温側壁の間に配置され、前記断熱領域を分離して前記高温側壁との間に高温領域を形成し前記低温側壁との間に低温領域を形成する隔壁と;
前記高温領域に配置され、前記高温側壁からの熱を断熱し前記隔壁への伝熱を抑制する断熱材を備え;
前記高温領域は、低熱伝導率ガスが封入され;
前記低温領域は、真空にされまたは低熱伝導率ガスが封入された;
断熱構造体。
A heat insulating structure for insulating heat from a high temperature space to a low temperature space having a temperature lower than that of the high temperature space;
A high temperature side wall disposed on the high temperature space side;
A low temperature side wall which is disposed on the low temperature space side and forms a heat insulating region with the high temperature side wall;
A partition wall disposed between the high temperature side wall and the low temperature side wall, separating the heat insulating region to form a high temperature region between the high temperature side wall and forming a low temperature region between the low temperature side wall;
A heat insulating material that is disposed in the high temperature region and that insulates heat from the high temperature side wall and suppresses heat transfer to the partition;
The high temperature region is filled with a low thermal conductivity gas;
The cold region is evacuated or encapsulated with a low thermal conductivity gas;
Thermal insulation structure.
前記低熱伝導率ガスは、キセノン、クリプトン、塩素、臭化メチル、三塩化ホウ素、およびこれらのうち2以上を混合した混合ガスからなる群から選択されたいずれかのガスである;
請求項1または請求項2に記載の断熱構造体。
The low thermal conductivity gas is any gas selected from the group consisting of xenon, krypton, chlorine, methyl bromide, boron trichloride, and a mixed gas in which two or more thereof are mixed;
The heat insulation structure of Claim 1 or Claim 2.
前記低温領域には、前記低温領域内で対流による熱伝達が起こることを抑制する対流防止板を備える;
請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の断熱構造体。
The low temperature region includes a convection prevention plate that suppresses heat transfer due to convection in the low temperature region;
The heat insulation structure of any one of Claim 1 thru | or 3.
前記対流防止板はベローズ状に形成され、前記低温側壁側に配置される前記ベローズ状の波のそれぞれの頂上、および前記隔壁側に配置される前記ベローズ状の波のそれぞれの頂上が、前記低温側壁および前記隔壁のそれぞれから1mm以下の間隔を隔てて配置される;
請求項4に記載の断熱構造体。
The convection prevention plate is formed in a bellows shape, and the tops of the bellows waves disposed on the low temperature side wall and the tops of the bellows waves disposed on the partition side are the low temperature. Disposed at a distance of 1 mm or less from each of the side wall and the partition;
The heat insulating structure according to claim 4.
600〜800℃で排ガスを処理する反応槽と;
前記反応槽を取り囲むように設置され、前記反応槽から外部へ伝わる熱を断熱し伝熱を抑制する請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の断熱構造体とを備える;
排ガス処理装置。
A reaction vessel for treating exhaust gas at 600-800 ° C .;
The heat insulating structure according to any one of claims 1 to 5, wherein the heat insulating structure is installed so as to surround the reaction tank, and heat transmitted from the reaction tank to the outside is insulated to suppress heat transfer.
Exhaust gas treatment equipment.
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