KR20090086096A - 광전지 모듈 및 그 사용 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 광전지 모듈에 관한 것이다. 광전지 모듈은 서로 접속되고 전기적으로 절연서인 본체 상에 배치되는 적어도 두 개의 구성 요소 셀 그룹(SCA)을 구비하고, 상기 그룹은 각각 열적으로 그리고 전기적으로 도전성을 띠는 캐리어 상에 인가되는 하나의 태양 전지 및 태양 전지에 거리를 두고 인가되는 바이패스 다이오드를 갖고, 전기적인 전도체를 경유하여 서로 접촉된다. 상기 바이패스 다이오드는 태양 전지에 반대되는 극성을 갖고, 태양 전지 및 바이패스 다이오드는 도전성 접속층을 경유하여 도전성 캐리어 상에 인가된다.

Description

광전지 모듈 및 그 사용 방법{PHOTOVOLTAIC MODULE AND ITS USE}
본 발명은 캐리어 기판(carrier substrate) 상에서의 태양 전지의 특별한 직렬 연결(series connection)에 의하여 특징지어지는 광전지 모듈에 관한 것이다. 이러한 광전지 모듈을 가능하게 하기 위하여, 절연층이 제공되어야 하며, 이 절연층은 본 발명에 있어서 다이오드에 의하여 생성된다. 상기 광전지 모듈에 있어서, 다이오드는 동시에 보호 또는 바이패스(bypass) 다이오드로서 작용한다. 이 경우, 하나의 시스템 내에 두 개의 기능이 통합되며, 이는 비용에 있어서 현저한 장점을 제공한다.
광전지에 있어서, 통상적으로 다수의 태양 전지가 조합되어 대형 유닛(어레이, 모듈)을 형성한다. 즉, 하나의 어레이 내에서, 다수의 태양 전지가 병렬 또는 직렬 연결된다. 이를 위하여, 하나의 태양 전지의 다음 태양 전지에 대한 전기적인 도전성 연결이 요구된다. 또한, 태양 전지의 보호를 위하여 모듈 또는 어레이 내에서 바이패스 다이오드를 사용하는 방안이 당업계에 공지되어 있다. 하나의 모듈 내의 각각의 태양 전지가 스톱 밴드(stop band)에서 전압의 인가를 받아, 이들 태양 전지의 파괴로 이어질 수 있는 상황이 발생될 수 있기 때문에, 이러한 방안은 필요하다.
광전지의 특별한 분야는 소위 "집중형 광전지(concentrator photovoltaics)"이고, 이러한 집중형 광전지에서는 햇빛이 광학 시스템(예를 들어, 렌즈, 거울)에 의하여 집중되고, 집중된 광 비임은 유닛의 형태에 따라 비교적 소형인 태양 전지 상에 충돌한다. 광 집중 때문에, 열이 국부적으로 생성되고 이러한 열은 방출되어야 한다. 상기 시스템에 따라, 열의 방출은 수동적으로 또는 예를 들어 물을 이용한 능동적인 냉각에 의하여 이루어진다.
이러한 집중형 모듈에서의 태양 전지의 직렬 연결을 위한 종래기술은 제이. 자우스(J. Jaus)에 의하여 공지되었다(J. Jaus, U. Fleischfresser, G. Peharz, F. Dimroth, H. Lerchenmuller, A. W. Bett, "HEAT SINK-SUBSTRATES FOR AUTOMATED ASSEMBLY OF CONCENTRATOR-MODULES", Proc. of 21st European Photovoltaic Conference and Exhibition, Dresden, September 2006 참조). 이 문헌에는, 소위 프리프레그 기술(prepreg technology) 및 금 도금된 회로 기판을 갖는 구리판의 사용이 상세히 제시되어 있다. 그러나, 이러한 공지 기술은 다음의 단점을 갖는다:
* 상기 기술에 따르면, 상당히 많은 개수의 개개의 부품이 요구되어, 생산에 있어서 그리고 또한 저장 및 생산 물류에 있어서 비용이 증가된다.
* 개개의 부품의 조립에 있어서, "표면의 준비", "접속 재료(접착제, 납땜) 의 인가", "부품의 파지 및 배치", "접착층의 세팅" 또는 "납땜 공정의 시행"과 같은 많은 작업 단계가 필요하고, 종종 공정에 수반되는 다른 단계가 필요하게 된다.
* 이러한 다수의 작업 단계는 사이클 시간을 증가시키고, 생산 라인의 처리능력을 감소시키고, 재료 소비를 증가시킨다. 따라서, 궁극적으로 높은 비용이 발생된다.
* 예를 들어, 개개의 태양 전지 칩을 접촉하는 개개의 단계는 높은 공정(납땜 공정) 비용 및 취급 비용을 유발한다.
* 프리프레그 기술은 실제로 결함에 민감한 것으로 입증되었다: 생산 중, 버어(burrs)가 생성되고 이는 단락(short circuits)으로 이어질 수 있다. 이에 따라, 복잡한 시험이 필요하게 되고 개개의 프리프레그가 비교적 비싸게 된다.
그러나, 광전지 모듈은 경제적으로 생산되어야 한다. 저렴한 비용을 달성하기 위하여, 조립될 부품의 개수는 적어야 하고, 구성 부품 자체도 동시에 경제적이어야 한다. 특히, 하나의 구성 부품이 다수의 기능성을 가질 수 있다면, 비용 감소에 도움이 될 것이다.
본 발명의 목적은, 구성이 간단하고 경제적이며 동시에 직렬 연결의 경우에 있어서 안전한 작업을 가능하게 하는 광전지 모듈을 제공하는 것이다.
상기 목적은 청구항 1의 특징을 갖는 광전지 모듈에 의하여 달성된다. 종속 항은 바람직한 본 발명의 실시형태를 나타낸다. 사용을 위한 가능성은 청구항 20에 제시된다.
본 발명에 따라 광전지 모듈이 제공되고, 이 광전지 모듈은 서로 접속되고 전기적으로 절연성인 본체 상에 배치되는 적어도 두 개의 구성 요소 셀 그룹(SCA)을 구비하고, 상기 그룹은 각각 도전성 캐리어 상에 인가되는 하나의 태양 전지 및 상기 태양 전지에 거리를 두고 인가되는 바이패스 다이오드를 갖고, 전기적인 전도체를 경유하여 서로 접촉되며, 이 경우 상기 바이패스 다이오드는 태양 전지에 반대되는 극성을 갖고, 태양 전지 및 바이패스 다이오드는 도전성 접속층을 경유하여 도전성 캐리어 상에 인가된다.
본 발명에 따른 모듈은 그 특별한 디자인으로 인하여 다수의 기능을 갖는 것이 가능하고, 종래 기술에서는 이러한 기능을 위하여 다수의 서로 다른 구성 요소가 필요하였다.
따라서, 본 발명은 예를 들어 다음과 같은 많은 장점이 얻어진다:
* 작업 준비, 저장 및 조립에 있어서의 낮은 물류 지출,
* 재료의 소량 사용,
* 낮은 기계적인 그리고 인건적인 경비,
* 작은 비용.
예를 들어 FLAT-CON-시스템(J. Jaus의 문헌 참조)과 같은 실제의 집중형 시스템에 있어서, 열은 금속 냉각체를 경유하여 방출된다. 태양 전지의 조립시, 후면 (rear-side) 및 정면(front-side) 접촉은 태양 전지의 단락을 피하기 위하여 서로 절연된 상태로 접촉되어야 한다. 이를 위하여, 전기적으로 비도전성의 중간층이 사용되고, 그러나 이 중간층은 열전달을 제한하도록 의도되지 않는다.
본 발명에 따른 모듈은, 어레이를 형성하기 위하여 바이패스 다이오드에 의하여 보호되는 전지의 접속 및 최적의 열전달 모두를 허용한다는 점에서 구별된다. 따라서 기본적으로, 본 발명에 따른 모듈의 사용은 양호한 열방출과 함께 전기적인 접속이 필요한 모든 시스템에서(예를 들어, 위성 어레이에 있어서 조차도) 사용 가능하다.
본 발명에 따른 모듈의 경우에, 상기 SCA의 전기적 도전성 캐리어는 바람직하게는 구리, 구리를 함유하는 합금, 아연-도금 강 및/또는 알루미늄으로 제조되는 평면형 캐리어이다. 따라서, 상기 도전성 캐리어가 20 내지 1,000 ㎛의 두께를 갖는 것이 바람직하다.
또한, 상기 도전성 접속층은 바람직하게는 납땜(solder) 및/또는 도전성 접착제로 형성된다. 그러나, 본 발명은 또한 도전성 접속의 생성을 위하여 당업계에 공지된 모든 가능성을 포함한다.
본 발명의 또 다른 유리한 실시예는, 금, 니켈, 티타늄 및/또는 팔라듐 층이 최소한 바이패스 다이오드 및/또는 태양 전지의 영역에서 도전성 캐리어 상에 인가되는 것을 포함한다.
이러한 실시예의 장점은, 각각의 도전체와의 접촉이 결과적으로 향상된다는 데에 있다. 따라서, 상기 기술한 부가적인 코팅은 또한 바이패스 다이오드의 도전체가 다음 SCA 상에 접촉하게 되는 캐리어의 영역에서도 인가될 수 있다.
본 발명에서 특정의 태양 전지가 태양 전지로서 사용될 수 있지만, III-V 반도체 또는 Si 태양 전지가 사용되는 것이 바람직하다. 따라서, 당업계에 공지된 바와 같이 모놀리식(monolithic) 태양 전지가 바람직하다. 본 발명은 또한 다중 전지를 포함한다.
마찬가지로, 당업계에 공지된 모든 다이오드가 본 발명을 실시하기 위하여 사용될 수 있다. 바이패스 다이오드를 위한 유리한 다이오드는 평면형 pn-반도체 다이오드이다.
다이오드의 표면은 바람직하게는 금, 니켈, 은, 티타늄, 팔라듐 및/또는 알루미늄 층을 구비한다.
태양 전지 및 바이패스 다이오드를 접속시키는 전도체가 금, 알루미늄 또는 구리로 제조되는 와이어인 것이 특히 유리하고, 알루미늄은 0 내지 2 중량% 실리콘 및/또는 0 내지 2 중량% 마그네슘을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에서 적어도 두 개의 SCA의 접속이 제1 SCA의 바이패스 다이오드로부터 제2 캐리어 SCA의 도전성 캐리어로 이어지는 도전체에 의하여 이루어지는 것이 필수적이다. 따라서, 상기 도전체는 순차적으로 특히, 금, 알루미늄 또는 구리로 제조되는 와이어이며, 알루미늄은 0 내지 2 중량% 실리콘 및/또는 0 내지 2 중량% 마그네슘을 포함할 수 있다.
상기 도전성 캐리어 상에서의 태양 전지의 기하학적 배열과 관련하여, 어떠한 위치도 가능하며, 특히 태양 전지가 금속제 캐리어 상에서 본질적으로 중심에 배치되는 것이 유리하다.
상기 금속제 캐리어도 마찬가지로 어떠한 특별한 실시형태로 한정되지 않는다. 바람직하게는, 금속제 캐리어는 다각형(polygonal)이며 바람직하게는 장방형 (rectangular)이다. 더욱 바람직한 형상은, 예를 들어 육각형(hexagonal) 구조이며, 이러한 육각형 구조는 정방형(square) 또는 장방형 실시형태와 같이 공간-절약적인 배열을 가능하게 한다.
상기 바이패스 다이오드는 금속제 캐리어 상의 어느 곳에나 배치될 수 있다. 상기 바이패스 다이오드는 바람직하게는 태양 전지 바로 가까이에 배치된다. 태양 전지로부터의 거리는 예를 들어 0.5 내지 50 mm, 바람직하게는 1 내지 10 mm 일 수 있다.
대체로, 최대 1,000 까지의 특정 개수의 SCA가 서로 직렬 연결될 수 있다. 바람직하게는 40 내지 200 개의 전지가 접속된다.
상기 절연 본체는 특정의 절연 재료로 제조될 수 있다. 바람직하게는, 절연 재료는 절연 유전층으로 코팅된 금속 판 또는 유리 판으로부터 선택된다. 상기 절연 유전층의 층 두께는 바람직하게는 0.05 내지 0.1 mm 이고, 절연 본체는 바람직하게는 0.1 내지 5 mm의 두께를 갖는다.
본 발명에 따라, 상기 광전지 모듈은 특히 고집중형 광전지 모듈에 사용된다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 모듈은, 구리 판, 평면적인 방식으로 접촉되는 다이오드 및 태양 전지와 같은 간단하고 경제적인 구성 요소만이 요구된다는 점에서 구별된다.
본 발명의 특별한 특징은, 모듈 접속에서 요구되는 바이패스 다이오드가 현저한 열 전도와 함께 절연 접촉층의 기능성을 동시에 갖는다는 데에 있다. 이러한 특징은, 현장 시험에서 관측되는 바와 같이, 회로 기판 재료에 기초한 접촉 패드(contact pad)의 탄화(carbonizing)를 방지한다. 이것은 트랙킹 유닛 (tracking unit) 상의 모듈의 "오프-포인트(off-point)" 위치의 결과이다.
이 경우(시스템 내의 결함 발생시), 빛이 태양 전지 상에 집속되지 않고 모듈 내의 정의되지 않은 구역에 집속된다. 이러한 오류는 실제로 발생할 수 있으며, 그러므로 IEC 표준 "IEC 62108 Draft 8d: Concentrator Photovoltaic (CPV) Modules and Assemblies- Design Qualification and Type Approval"에 따라 시험된다. 집속된 광 비임은 예를 들어 회로 기판의 절단된 모서리(edge) 상에 충돌할 수 있다. 높은 에너지 밀도에 기인하여, 회로 기판의 유기 재료의 연소(combustion)가 일어날 수 있고, 이는 절연층으로서의 기능성을 손상시킨다. 만약 바이패스 다이오드가 접촉 패드로서 작용하면, 유기 재료가 존재하지 않으며 열은 Si 다이오드에 의하여 매우 잘 방출된다. 따라서, 결함에 대한 발생도(susceptibility)가 현저히 낮아지게 된다. 또한, 회로 기판 자체가 제거될 수 있고, 이는 비용을 더욱 감소시킨다.
따라서, 본 발명의 주제는 간단한 구리 판에 기초한 서브-조립체의 구성을 가능하게 한다. 본 명세서의 배경기술 란에서 설명된 프리프레그 기술과 비교하여, 본 발명에 따른 구성에 의하여 접속부의 더욱 경제적인 생성이 가능하게 된다. 본 발명에 따른 모듈의 장점은 다음과 같이 요약된다.
* 태양 전지 후면의 냉각 본체 상에 대한 직접적인 전기적인 접촉은 양호한 열적 접속을 허용한다.
* 태양 전지의 전면 접촉은 평면적인 방식으로 접촉되는 바이패스 다이오드 상에서 안내된다.
* 바이패스 다이오드의 후방 접촉은 구리 판 상에서 직접적으로 접촉되고, 이는 양호한 열 방출을 가능하게 한다.
* 유기 재료가 사용되지 않는 바이패스 다이오드의 pn-접합에 의하여 전기적인 절연 기능이 보장된다.
* 태양 전지 서브-조립체의 생성을 위하여 가능한 가장 작은 개수의 구성 요소가 사용되며, 이는 제조에 있어서 높은 출력으로 이어진다.
* 시스템 내에 결함이 발생되는 경우(오프-포인팅)에도 기능성이 유지되며, 집중형 시스템의 결함 발생도는 저하된다.
따라서, 본 발명에 따른 해결책은 다수의 이들 기능을 하나의 구성 요소 내에 통합하는 것을 가능하게 하고, 그 결과로서, 통합(감소된 공정 단계, 적은 양의 재료 사용 등)의 경우에 통상적으로 예상되는 (비용 상의) 장점이 얻어진다.
본 발명은 이하 첨부되는 도면을 참조하여 본 발명의 특징을 제한하지 않고 더 상세히 설명한다.
도 1은 광전지 모듈의 본 발명에 따른 구성을 나타내는 도면이고,
도 2는 종래기술에 따른 회로 기판 기술의 광전지 모듈을 개략적으로 나타낸도면이다.
도 1은 본 발명에 따른 접속부의 전형적인 구성을 나타낸다.
전기적 구성 요소(2), 예를 들어 태양 전지는 예를 들어 구리로 제조되는 캐리어 기판(1) 상에 인가된다. 태양 전지(2)의 후면은, 전기적으로 그리고 열적으로 도전성인 접속부(3), 예를 들어 납땜 또는 은으로 된 도전성 접착제에 의하여 접속된다. 상기 구성 요소(2)의 전면은 예를 들어 결합(bonding) 또는 용접(welding) 기술에 의하여 전도체(4)에 접촉된다. 와이어 길이는 제한되며, 캐리어 기판(1)에 대하여 절연되는 접촉 패드(5) 상에서 안내된다. 본 발명을 위하여, 상기 접촉 패드(5)는 태양 전지(2)와 비교하여 반대의 극성을 갖는 평면 다이오드를 포함한다. 상기 전체 구성 요소(1 내지 5)는 구성 요소 셀 그룹(SCA)으로서 명명된다.
도 1에 따른 실시예에서, Au/Ni 도금층(6, 7)이 상기 캐리어(1) 상에 인가된다. 이것은 더욱 양호한 접촉을 위한 작용을 한다. 다수의 구성 요소 셀 그룹 (SCAs)이 전기적으로 절연성인 본체, 예를 들어 유리 판(본 명세서에 도시되지 않음) 상에 인가될 수 있다. 상기 구성 요소 셀 그룹(SCAs)은, 접촉 패드 상면(5)에 의하여 상기 SCA의 다음 캐리어에, 예를 들어 와이어(9)의 납땜 또는 두꺼운 와이 어 결합 기술을 통하여 접속된다. 이러한 배열의 결과로서, 서브-조립체(SCAs)가 직렬로 접속된다. 각각의 서브-조립체 내에서, 병렬로 접속된 바이패스 다이오드(5)는 접촉 패드로서 태양 전지(2)를 특정의 가능한 역방향 부하로부터 보호한다.
광전지 모듈의 당업계에 공지된 구성을 도 2에 도시한다.
캐리어 기판(1)은, 주로 열 전달을 위하여 그리고 또한 태양 전지 후면의 전기적인 접속을 위하여 작용하는, 1 mm 두께의 구리 판으로 형성된다. 에폭시 수지-함침된 얇은 유리 섬유 매트(mat)가 상기 구리 판(1) 상에 유전층(8)으로서 인가된다. 순차적으로, 태양 전지의 전방 접촉의 전기적인 접속을 위하여 작용하는 구리 호일(9)이 상기 유전층(8) 상에 인가된다. 상기 상부 구리 층(9)은 다른 니켈 층 (7) 및 금 층(6)을 갖는다. 양호한 열전달을 보장하기 위하여, 태양 전지(2) 및 바이패스 다이오드(5)가 상기 구리 기저층 상에 직접적으로 인가되는 것이 필요하다. 전기적인 도전성을 갖는 캐리어 기판(1)을 위한 열적 접촉은 열적인 도전성을 갖는 납땜(3)에 의하여 가능하게 된다.
본 발명과 대조적으로, 당업계에 공지된 광전지 모듈의 경우에(예를 들어, 도 2에 나타난 바와 같이), 상기 태양 전지(2)는 와이어(4)를 경유하여 바이패스 다이오드(5)에 직접적으로 접속되지 않고, 대신에 전기적인 접촉 생성부가 캐리어 기판(1) 상에 인가된 구조물(10) 상부로 연장된다. 광전지 모듈의 서로간의 전기적인 접속은 마찬가지로 상기 접촉부(9)를 경유하여 이루어지며, 바이패스 다이오드로부터 직접 시작되지 않고 항상 구조물(10)을 경유하여 간접적으로 시작된다. 따 라서, 광전지 모듈의 실질적으로 더욱 복잡한 구성은 생산 방법 및 생산 비용에 있어서 불리한 효과를 갖는 대체적(all in all)인 방식으로 생성되었다. 본 발명에 따른 광전지 모듈의 실질적으로 간단한 구성에 기인하여, 도 1에 도시한 바와 같은, 이들 결점을 회피하는 것이 가능하게 된다.
본 발명의 상기한 바와 같은 주제에 의하여, 생산 방법을 현저히 가속화하고, 더욱 적은 개수의 구성 요소를 사용하고 그리고 신뢰성을 획기적으로 증가시키는 것이 가능하게 된다. 요약컨대, 비용이 상당히 감소될 수 있다.

Claims (20)

  1. 서로 접속되고 전기적으로 절연성인 본체 상에 배치되는 적어도 두 개의 구성 요소 셀 그룹(SCA)을 구비하고, 상기 그룹은 각각 열적으로 그리고 전기적으로 도전성인 캐리어 상에 인가되는 하나의 태양 전지 및 상기 태양 전지에 거리를 두고 인가되는 바이패스 다이오드를 갖고, 전기적인 전도체를 경유하여 서로 접촉되는 광전지 모듈에 있어서,
    상기 바이패스 다이오드가 태양 전지에 반대되는 극성을 갖고, 태양 전지 및 바이패스 다이오드가 도전성 접속층을 경유하여 도전성 캐리어 상에 인가되는 것을 특징으로 하는 광전지 모듈.
  2. 제1항에 있어서, 상기 SCA의 전기적으로 도전성인 캐리어가 구리, 구리를 함유하는 합금, 아연-도금 강 및/또는 알루미늄으로 제조되는 평면형 캐리어인 것을 특징으로 하는 광전지 모듈.
  3. 제2항에 있어서, 상기 도전성 캐리어가 20 내지 1,000 ㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 광전지 모듈.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도전성 접속층이 납땜 및/또는 도전성 접착제로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전지 모듈.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 금, 니켈, 티타늄 및/또는 팔라듐 층이 최소한 바이패스 다이오드 및/또는 태양 전지의 영역에서 상기 도전성 캐리어 상에 인가되는 것을 특징으로 하는 광전지 모듈.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 태양 전지가 III-V 반도체 또는 Si 태양 전지인 것을 특징으로 하는 광전지 모듈.
  7. 제6항에 있어서, 상기 태양 전지가 모놀리식 태양 전지인 것을 특징으로 하는 광전지 모듈.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 바이패스 다이오드가 평면형 pn-반도체 다이오드인 것을 특징으로 하는 광전지 모듈.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다이오드의 표면이 금, 니켈, 은, 티타늄, 팔라듐 및/또는 알루미늄 표면인 것을 특징으로 하는 광전지 모듈.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 태양 전지 및 바이패스 다이오드를 접속시키는 전도체가 금, 알루미늄 또는 구리로 제조되는 와이어인 것을 특징으로 하는 광전지 모듈.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 두 개의 SCA의 접속이, 제1 SCA의 바이패스 다이오드로부터 제2 SCA의 도전성 캐리어로 이어지는 도전체에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광전지 모듈.
  12. 제11항에 있어서, 상기 도전체가 금, 알루미늄 또는 구리로 제조되는 와이어인 것을 특징으로 하는 광전지 모듈.
  13. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도전체가 0 내지 2 중량%의 실리콘 및/또는 0 내지 2 중량%의 마그네슘을 갖는 알루미늄으로 제조되는 와이어인 것을 특징으로 하는 광전지 모듈.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 태양 전지가 실제적으로 금속제 캐리어 상에서 중심에 배치되는 것을 특징으로 하는 광전지 모듈.
  15. 제14항에 있어서, 상기 금속제 캐리어가 다각형, 바람직하게는 장방형인 것을 특징으로 하는 광전지 모듈.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 2 내지 1,000 개의 SCA이 직렬 연결되는 것을 특징으로 하는 광전지 모듈.
  17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연성 본체는 절연 유전층으로 코팅된 금속 판 또는 유리 판인 것을 특징으로 하는 광전지 모듈.
  18. 제17항에 있어서, 상기 절연 유전층의 층 두께가 0.05 내지 0.1 mm인 것을 특징으로 하는 광전지 모듈.
  19. 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연성 본체가 0.1 내지 5 mm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 광전지 모듈.
  20. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 따른 광전지 모듈을 고집중형 광전지 모듈에서 사용하는 것을 특징으로 하는 용도.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100976583B1 (ko) * 2010-02-03 2010-08-17 솔라비토(주) 태양광 발전장치
KR101349847B1 (ko) * 2012-06-13 2014-01-27 희성전자 주식회사 바이패스 다이오드 일체형 태양전지 패키지
KR20140015341A (ko) * 2011-02-24 2014-02-06 소이텍 솔라 게엠베하 집광형 태양광발전 모듈들을 위한 태양 전지 어레이들
KR20150036356A (ko) * 2012-07-06 2015-04-07 샌디아 코포레이션 바이패스 다이오드가 없는 태양광 발전 시스템

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10416425B2 (en) * 2009-02-09 2019-09-17 X-Celeprint Limited Concentrator-type photovoltaic (CPV) modules, receiver and sub-receivers and methods of forming same
RU2395136C1 (ru) 2009-06-15 2010-07-20 Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Фотоэлектрический модуль
EP2362432B1 (en) * 2010-02-25 2017-06-07 Saint-Augustin Canada Electric Inc. Solar cell assembly
EP2362431B1 (en) 2010-02-25 2018-01-10 Saint-Augustin Canada Electric Inc. Solar cell assembly
US20120291836A1 (en) * 2010-11-17 2012-11-22 E.I. Du Pont De Nemours And Company Array of thin-film photovoltaic cells having an etchant-resistant electrode an an integrated bypass diode associated with a plurality of cells and a panel incorporating the same
US20120295395A1 (en) * 2010-11-17 2012-11-22 E.I. Du Pont De Nemours And Company Method for producing an array of thin-film photovoltaic cells having a totally separated integrated bypass diode associated with a plurality of cells and method for producing a panel incorporating the same
US8604330B1 (en) 2010-12-06 2013-12-10 4Power, Llc High-efficiency solar-cell arrays with integrated devices and methods for forming them
DE102011012582A1 (de) * 2011-02-28 2012-08-30 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Photovoltaisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung
RU2475888C1 (ru) * 2011-08-02 2013-02-20 Российская Федерация, От Имени Которой Выступает Министерство Промышленности И Торговли Российской Федерации Конструкция фотоэлектрического модуля
FR2983346B1 (fr) * 2011-11-25 2016-12-09 Soitec Silicon On Insulator Procede de prevention d'une panne electrique dans un empilement de couches semi-conductrices, cellule photovoltaïque a concentration a substrat mince, et assemblage de cellule solaire
US8581242B2 (en) * 2012-02-21 2013-11-12 Atomic Energy Council—Institute of Nuclear Energy Research Apparatus combining bypass diode and wire
WO2013179287A1 (en) 2012-05-29 2013-12-05 Essence Solar Solutions Ltd. Photovoltaic module assembly
CN110707110B (zh) * 2013-02-15 2023-11-03 瑞吉恩资源有限公司 电池模块
CN103560158B (zh) * 2013-11-05 2015-10-21 深圳市昂特尔太阳能投资有限公司 一种边侧型高倍聚光太阳能热电分离接收器
US10418501B2 (en) 2015-10-02 2019-09-17 X-Celeprint Limited Wafer-integrated, ultra-low profile concentrated photovoltaics (CPV) for space applications
DE102017108223B4 (de) 2017-04-18 2024-05-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Photovoltaisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung
US10615744B2 (en) * 2017-08-13 2020-04-07 The Aerospace Corporation Intelligent solar cell carrier system for flight and laboratory measurement applications

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4577051A (en) * 1984-09-28 1986-03-18 The Standard Oil Company Bypass diode assembly for photovoltaic modules
JP2912496B2 (ja) * 1991-09-30 1999-06-28 シャープ株式会社 太陽電池モジュール
US5391235A (en) * 1992-03-31 1995-02-21 Canon Kabushiki Kaisha Solar cell module and method of manufacturing the same
US6248948B1 (en) * 1998-05-15 2001-06-19 Canon Kabushiki Kaisha Solar cell module and method of producing the same
US6252158B1 (en) * 1998-06-16 2001-06-26 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic element and solar cell module
US6103970A (en) * 1998-08-20 2000-08-15 Tecstar Power Systems, Inc. Solar cell having a front-mounted bypass diode
JP4201241B2 (ja) * 2001-05-17 2008-12-24 株式会社カネカ 集積型薄膜光電変換モジュールの作製方法
US6690041B2 (en) * 2002-05-14 2004-02-10 Global Solar Energy, Inc. Monolithically integrated diodes in thin-film photovoltaic devices
US8067687B2 (en) * 2002-05-21 2011-11-29 Alliance For Sustainable Energy, Llc High-efficiency, monolithic, multi-bandgap, tandem photovoltaic energy converters
JP2004103959A (ja) * 2002-09-11 2004-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 太陽電池およびその製造方法
US6784358B2 (en) * 2002-11-08 2004-08-31 The Boeing Co. Solar cell structure utilizing an amorphous silicon discrete by-pass diode
FR2863775B1 (fr) * 2003-12-15 2006-04-21 Photowatt Internat Sa Module photovoltaique avec un dispositif electronique dans l'empilage lamine.

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100976583B1 (ko) * 2010-02-03 2010-08-17 솔라비토(주) 태양광 발전장치
KR20140015341A (ko) * 2011-02-24 2014-02-06 소이텍 솔라 게엠베하 집광형 태양광발전 모듈들을 위한 태양 전지 어레이들
KR20180082623A (ko) * 2011-02-24 2018-07-18 생-어거스틴 캐나다 일렉트릭 아이엔씨. 집광형 태양광발전 모듈들을 위한 태양 전지 어레이들
KR20190112202A (ko) * 2011-02-24 2019-10-02 생-어거스틴 캐나다 일렉트릭 아이엔씨. 집광형 태양광발전 모듈들을 위한 태양 전지 어레이들
US10804420B2 (en) 2011-02-24 2020-10-13 Saint-Augustin Canada Electric Inc. Solar cell arrays for concentrator photovoltaic modules
KR101349847B1 (ko) * 2012-06-13 2014-01-27 희성전자 주식회사 바이패스 다이오드 일체형 태양전지 패키지
KR20150036356A (ko) * 2012-07-06 2015-04-07 샌디아 코포레이션 바이패스 다이오드가 없는 태양광 발전 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
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EP1930954A1 (de) 2008-06-11
DE502006004401D1 (de) 2009-09-10
US7977567B2 (en) 2011-07-12
ES2327864T3 (es) 2009-11-04
WO2008068006A1 (de) 2008-06-12
PT1930954E (pt) 2009-09-01

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