KR20090084559A - 무연솔더 페이스트용 초미세 무연 솔더 분말의 제조방법과제조장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 전자부품의 고밀도 실장과 고신뢰성 접합기술에 사용되는 솔더페이스트용 무연솔더분말을 제공하는 것을 목적으로 하며, 특히, 높은 미세한 피치를 지니는 패턴(Fine Pitch Pattern)으로의 인쇄가 가능하고, 배선부에 있어서도 충분한 접합을 할 수 있는, 납(Pb)이 함유 안 된 무연솔더 페이스트용 초미세 무연 솔더 분말의 제조방법과 제조장치를 제공한다.

그 초미세 무연 솔더 분말의 제조방법은, 분산매 1000g에, 분산매의 중량%로서 무연솔더합금 인고트 5∼15%, 계면활성제 1.5~2.5% 및 산화방지제 0.1~0.2%를 혼합하는 단계; 그 혼합된 분산매중에 불활성가스(질소가스)를 흘려주면서 분산매의 온도가 무연솔더합금의 용융점+(10~50℃) 범위의 온도로 가열하는 단계; 그 가열단계중에 계면활성제와 산화방지제가 용해될 수 있고 무연솔더합금 인고트의 표면이 산화되지 아니하는 분산매의 온도범위에서 계면활성제와 산화방지제가 용해되도록 프로펠러형 교반기로 1차 교반시키는 단계; 상기 가열단계후 분산매의 온도가 무연솔더합금의 용융점+(10~50℃) 범위의 온도로 유지하면서 프로펠러형 교반기를 이용하여 상기 분산매를 900-2000rpm으로 2차 교반시키는 단계; 상기 2차 교반단계 후, 상온의 분산매가 담긴 출탕용기에 출탕하여 냉각시키는 단계; 상기 교반단계와 출탕단계중 적어도 하나의 단계에서 20KHz이상의 주파수의 초음파를 가하는 단계; 상기 냉각단계후 상층액을 제거하여 침강물을 분리하고, 분산매를 제거하여 무연솔더분말을 얻는 단계; 그리고, 그 얻어진 무연솔더분말을 진공 건조로에서 건조시키 는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

고밀도 실장, 솔더페이스트, 무연솔더분말, 프로펠러교반, 초음파발생

Description

무연솔더 페이스트용 초미세 무연 솔더 분말의 제조방법과 제조장치{method and apparatus for manufacturing ultrafine lead-free solder powder for lead-free solder paste}

본 발명은, 전자부품의 고밀도 실장과 고신뢰성 접합기술에 사용되는 솔더페이스트용 무연솔더분말에 관한 것으로, 특히, 높은 미세한 피치를 지니는 패턴(Fine Pitch Pattern)으로의 인쇄가 가능하고, 배선부에 있어서도 충분한 접합을 할 수 있는, 납(Pb)이 함유 안 된 무연솔더 페이스트용 초미세 무연 솔더 분말의 제조방법과 제조장치에 관한 것이다.

정보통신과 디지털 기술의 발전으로 높은 주파수 영역에서 사용되고 빠른 데이터처리속도를 가지는 새로운 재료, 부품 및 모듈, 기판에 대한 관심이 커지고 있다.

특히, 이동통신 분야에서는 이동통신기기의 소형화, 다중밴드화, 고주파화 추세에 따라 부품분야에서도 고집적화 및 소형화가 요구되고 있다. 이에 따라 칩 제조분야에서는 칩 자체의 미세화, 집적화가 진행되고 있으며 패키지분야에서는 경박단소화 된 새로운 패키지와 실장방법이 개발되고 있다. 도 1에서 보듯이 부품의 패키지형태는 Dual In-line Package(DIP), System On a Panel(SOP), Quad Flat Package(QFP), Ball Grid Array (BGA)로부터 Chip Size Package(CSP), Wafer Level Package(WLP), Bare Chip, Flip Chip 패키지로 점차 발전해가고 있다. 패키지내부에서는 종래의 다이 본딩과 와이어 본딩 후 몰딩하는 종래의 조립방식에서 칩에 범프를 형성하고 플립한 후 본딩용 Au Wire를 사용하지 않고 범프를 통하여 칩과 패키지가 연결되도록 하여 칩과 패키지간의 연결거리를 짧게하고 I/O count수를 높인 와이어리스 패키지의 적용이 확대되고 있다. 후자의 방법을 Flip Chip In Package(FCIP)라고 하며 실장에 적용되었을 경우 Flip Chip On Board (FCOD) 또는 Direct Chip Attach(DCA) 라고 부른다.

디지털화 추세에 따라서 점점 많은 정보를 빠른 속도로 주고 받아야 하는 필요성이 커짐에 따라서 와이어리스패키지의 수요는 증대될 것이며 이에 따라 향후 솔더페이스트, 솔더볼, 도금용액과 같은 범핑재료시장, 언더필, 이방성도전성테이프 등과 같은 플립칩용 재료시장이 크게 성장할 것으로 예상된다.

이에 따라 고밀도 실장과 고신뢰성 접합기술에 사용되는 무연솔더페이스트는 높은 미세한 피치를 지니는 패턴(Fine Pitch Pattern)으로의 인쇄가 가능하고, 배선부에 있어서도 충분한 접합을 할 수 있는, 납(Pb)이 함유 안 된 Type 6급(5~15㎛가 90%이상) 분말이 요구되고 있는 실정이다.

따라서, 본 발명은, 상술한 요구를 만족시키기 위한 것으로, 전자부품의 고밀도 실장과 고신뢰성 접합기술에 사용되는 솔더페이스트용 초미세 무연솔더분말(1~30㎛)을 얻는 것을 목적으로 하며, 특히, 높은 미세한 피치를 지니는 패턴(Fine Pitch Pattern)으로의 인쇄가 가능하고, 배선부에 있어서도 충분한 접합을 할 수 있는, 납(Pb)이 함유 안 된 무연솔더 페이스트용 초미세 무연 솔더 분말의 제조방법과 제조장치를 제공하는 데에 그 목적이 있다.

상술한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일실시예에 따른 무연솔더 페이스트용 초미세 무연 솔더 분말의 제조방법은, 높은 미세한 피치를 지니는 패턴(Fine Pitch Pattern)으로의 인쇄가 가능하고, 배선부에 있어서도 충분한 접합을 할 수 있는, 전자부품의 실장을 위한 무연솔더 페이스트용 초미세 무연 솔더 분말의 제조방법에 있어서: 분산매 1000g에, 분산매의 중량%로서 무연솔더합금 인고트 5∼15%, 계면활성제 1.5~2.5% 및 산화방지제 0.1~0.2%를 혼합하는 단계; 그 혼합된 분산매중에 불활성가스(질소가스)를 흘려주면서 분산매의 온도가 무연솔더합금의 용융점+(10~50℃) 범위의 온도로 가열하는 단계; 그 가열단계중에 계면활성제와 산화방지제가 용해될 수 있고 무연솔더합금 인고트의 표면이 산화되지 아니하는 분산매의 온도범위에서 계면활성제와 산화방지제가 용해되도록 프로펠러형 교반기로 1차 교반시키는 단계; 상기 가열단계후 분산매의 온도가 무연솔더합금의 용융점+(10~50℃) 범위의 온도로 유지하면서 프로펠러형 교반기를 이용하여 상기 분산매를 900-2000rpm으로 2차 교반시키는 단계; 상기 2차 교반단계 후, 상온의 분산매가 담긴 출탕용기에 출탕하여 냉각시키는 단계; 상기 교반단계와 출탕단계중 적어도 하나의 단계에서 20KHz이상의 주파수의 초음파를 가하는 단계; 상기 냉각단계후 상층액을 제거하여 침강물을 분리하고, 분산매를 제거하여 무연솔더분말을 얻는 단계; 그리고, 그 얻어진 무연솔더분말을 진공 건조로에서 건조시키는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은, 높은 미세한 피치를 지니는 패턴(Fine Pitch Pattern)으로의 인쇄가 가능하고, 배선부에 있어서도 충분한 접합을 할 수 있는, 전자부품의 실장을 위한 무연솔더 페이스트용 초미세 무연 솔더 분말의 제조장치에 있어서: 분산매, 무연솔더합금 인고트, 계면활성제 및 산화방지제를 혼합가열하기 위한 반응탱 크; 반응탱크의 내부에 설치되고 그 반응탱크의 내부에서 계면활성제 및 산화방지제를 분산매에 혼합시키고 무연솔더합금 인고트의 용융물을 그 분산매중에 분산시키기 위한 프로펠러형 교반기; 상기 무연솔더합금이 분산된 분산매를 냉각시키기 위한 상온의 분산매가 담긴 포집탱크; 상기 반응탱크로부터 포집탱크로 혼합교반된 분산매, 무연솔더합금 인고트, 계면활성제 및 산화방지제을 출탕시키기 위한 출탕관; 그리고, 상기 반응탱크 및 출탕관중 적어도 하나에서 내부의 분산매, 무연솔더합금 인고트, 계면활성제 및 산화방지제에 20KHz이상의 주파수의 초음파를 가하기 위한 초음파발생기를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 무연솔더 페이스트용 초미세 무연 솔더 분말의 제조장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.

위 본 발명의 과제해결수단에 의하면, 전자부품의 고밀도 실장과 고신뢰성 접합기술에 사용되는 플립칩 범핑용 솔더페이스트용 무연 초미세분말(1~30㎛)을 효과적으로 얻을 수 있는 등의 효과가 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예(들)를 상세히 설명하면 다음과 같다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

본 발명은, 플립칩 범핑용 솔더페이스트에 사용되는 무연 초미세분말을 분산매 중에서 교반기의 rpm변화, 초음파 발생장치 개수변화 등의 공정변수에 따른 분말의 평균입도 및 입도분포, 형상에 대하여 이루어진 것으로, 그 구체적인 실시예들은 다음과 같다.

먼저, 본 발명에서 분산매는, 실리콘오일, 석유정제광유, 공업용윤활유, 식물유, 동물유, 합성윤활유 및 유기열매체중 하나를 포함하며, 무연솔더합금(용융점)은, In-49Sn(119.59℃), Bi-43Sn(140.11℃), In(156.61℃), Sn-1.0Ag-0.5Cu(217-227℃), Sn-2.0Ag-0.5Cu(217-223℃), Sn-3.0Ag-0.5Cu(217-220℃), Sn-3.5Ag(221℃), Sn-4.0Ag-0.5Cu(217-231℃)중 하나이며, 계면활성제는, 로진(rosin)류, 지방산류, 알코올류중 하나이상을 포함하며, 산화방지제는 폐놀계 산화 방지제, 비스페놀계 산화 방지제, 폴리머형 폐놀계 산화방지제, 인계 산화 방지제중 하나 또는 그 하나와 이미다졸류와의 혼합한 것일 수 있다.

다음 실시예들의 표1 내지 표4에 나타난 데이터들은, 무연솔더합금으로 Sn96.5Ag3.5Cu0.5(일본특허 제3,027,441호 및 미국특허 제5,527,628호), 분산매로 정제 피마자유(Refined Castor Oil), 계면활성제로 스테아린산 주석(C36H70O4Sn), 산화방지제로 Vanlube81(천경실업)을 이용한 데이터들이지만, 위에 기재된 분산매, 무연솔더합금 인고트, 계면활성제 및 산화방지제들에 대해서도 유사한 결과들 이 얻어졌다. 즉, 900-2000rpm에서 모두 90%이상이 30㎛이하의 평균입도를 얻었다.

<실시예 1>

먼저, 본 실시예에서는 도 2 및 도 3에 도시된 제조장치가 채용되었다. 도 2 및 도 3에서 본 발명의 제조장치는, 반응탱크(10), 프로펠러형 교반기(20), 및 초음파발생기(30)를 포함하여 구성되고 도시되며, 기타 종래의 공지된 반응탱크(10) 및 출탕 관련구성으로서, 히터(11), 온도조절장치(12), 열전대(13), 에어실린더와 같은 작동기(15), 스토퍼 또는 플러쉬밸브와 같은 출탕용 개폐밸브(16) 및 출탕관(17)을 포함하여 구성된다. 또한, 본 발명은 도 2에서와 같이 포집탱크(50), 세척탱크(60) 및 진공건조로(70)를 분리하여 구비할 수도 있으며, 하나의 탱크에서 교대로 3가지 공정이 이루어지도록 구성될 수도 있다. 또한 질소가스를 분산매 중에 흘려주는 종래의 공지된 구성을 포함하여 구성된다.

상기 초음파발생기(30)는, 본 실시예에서는 반응탱크(10) 내부의 분산매, 무연솔더합금 인고트, 계면활성제 및 산화방지제에 20KHz이상의 주파수의 초음파를 대향하여 가하도록 한쌍이 배치된다.

위와 같은 장치를 이용한 본 발명의 제조방법의 일실시예를 설명하면 다음과 같다.

분산매, 무연솔더합금, 계면활성제 및 산화방지제는 상술한 것들을 사용하여 실험하였으며, 다양한 성분비로 혼합하여, 질소가스를 분산매 중에 흘려주면서 가열하였으며, 중간에 계면활성제와 산화방지제의 용해를 위해 1차 교반한 후, 무연 솔더합금의 용융점이상에서 2차교반하였다. 그 2차 교반중에 초음파발생기(30)를 작동시켜 반응을 시켰으며, 이러한 반응이 끝난 후, 냉각을 위한 상온의 분산매가 담긴 포집탱크(50)에 출탕하여 냉각시켰다.

냉각이 끝난 후 상층액을 제거하여 침강물을 분리하고, 아세톤 등을 이용하여 분산매를 세척하였으며, 그 뒤, 진공 건조로에서 건조하여 무연솔더분말을 얻었다. 이와 같이 진공 건조에 의하지 아니하고는 미세입자들이 비표면적이 넓어 산화되는 현상이 나타났다.

얻어진 무연솔더분말의 평균입도 및 입도분포를 레이저를 이용한 입도분석기(LPSA)로 분석 한 결과 중 우수한 실시예들을 표1에 나타내었고, 전계방사주사전자현미경(FE-SEM)으로 관찰한 결과(배율 : 500배)를 도 8에 나타내었다. 그리고, 입도분포를 나타내기 위해서 ε값[(d90-d10)/d50]을 구했다(여기서 d90, d10, d50는 각각 전체 입자들에 대한 미세한 분말들측의 입자백분율이 90%, 10%, 50%인 때의 입자의 직경이다).

위 표1에서와 같은 조건의 무연분말금속은, 다음 조건에서 얻어졌다. 즉, 상술한 결과는, 분산매 1000g에 대해 그 1000g을 기준으로 무연솔더합금 인고트(Ingot) 5∼15wt%, 계면활성제 1.5~2.5wt% 및 산화방지제 0.1~0.2wt%을 혼합하여 얻어졌으며, 무연솔더합금 인고트가 5%이하일 경우 생산성이 너무 작아 문제가 있었고, 15%이상일 경우 분산이 잘 되지 않아 무연솔더분말 입자의 입도가 증가하는 문제가 있었다.

또, 계면활성제는 1.5%이하일 경우 무연솔더분말 제조시 분말에 적셔지는, 즉 도포되는 계면활성제 양의 부족으로 입자가 조대해졌으며, 2.5%이상에서는 분산매의 산가(acid value)가 증가하여 이로 인해 제조되는 무연 솔더 입자의 입도가 증가되고 또한 분말형상이 구형을 유지하지 못하게 되는 문제가 있었다.

또한, 산화방지제는 0.1%이하에서는 오일이 산화되어 무연 솔더 분말의 산소함량이 증가하여 플립칩 패키지 형성에 부적절하였으며, 0.2%이상에서는 오일의 점도를 증가시키기 때문에 분말크기를 조절하기가 힘들어지는 문제가 있었다.

또한, 2차 교반을 위한 가열온도는, 무연솔더합금의 용융점으로부터 10 내지 50℃사이의 온도로 가열하였다. 분산매의 최종 가열온도가 무연솔더합금 인고트의 용융점보다 10℃미만에서는 무연솔더의 점도가 증가되어 입도가 조대하게 되었으며, 무연솔더합금 인고트의 용융점보다 50℃이상으로 가열한 때에는 무연솔더의 점도는 감소되어 입자는 미세화되나 플립칩 범핑에 필요한 분말의 크기로 적절치 못한 결과를 가져왔다.

또, 계면활성제와 산화방지제의 용해를 위한 1차 교반 시점은, 계면활성제와 산화방지제가 용해될 수 있고 무연솔더합금 인고트의 표면이 산화되지 아니하는 분산매의 온도범위, 즉 120-180℃가 바람직한 것으로 나타났으며, 120℃이하에서는 산화방지제와 계면활성제가 분산매에 녹지 아니하였고, 180℃이상에서는 산화방지제를 넣기 전에 이미 분산매가 산화되어 무연 솔더 분말의 산소함량이 증가하게 되는 문제점들이 나타났다. 한편, 1차 교반은 프로펠러형 교반기(20)를 저속으로 하여 5-15분간 교반시키는 것으로도 충분히 혼합이 이루어졌다.

또한, 2차 교반시 프로펠러형 교반기(20)를 900, 1500, 2000rpm으로 교반하여 상술한 결과를 얻은 것으로, 900rpm이하로 교반했을 때에는 분말 분쇄효과가 감소되어 입도가 조대화 되었으며, 2000rpm이상으로 교반했을 때는 넓은 입도 분포가 나타났다. 2차 교반시간은, 비중 등에 따라 상이하게 나타났지만, 통상 20 내지 40분으로 충분하였다.

한편, 초음파발생기(30)의 경우, 2차 교반과 함께 이루어졌으며, 특히, 180도 방향에서 한쌍의 초음파발생기(30)(20KHz이상, 3KW이상)를 작동시킴으로써 입자 미세화와 분산효과에 더욱 큰 효과가 있었다. 이와 같이 한쌍의 초음파발생기(30)를 180ㅀ로 마주보고 있을 때 두 개의 초음파 발생기 사이에서 정재파(standing wave)가 발생하게 되어 이로 인하여 입자 미세화와 분산효과가 더욱 우수하게 나타났다.

<실시예 2>

상기 실시예 1에서 초음파발생장치(20KHz이상, 3KW이상) 4개를 사방(90ㅀ방향)에서 반응시킨 것이외에는 실시예1에서와 동일한 조건하에서 무연솔더분말을 제조하고, 실시예 1과 마찬가지로 분석 한 결과를 표 2에 나타내었다. 따라서, 본 실시예의 장치에서는 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 초음파발생기(30)가 서로 직각으로 2쌍이 배치되며, 각 쌍의 각 초음파발생기(30)는 180도로 대향되게 설치된다.

얻어진 무연솔더분말의 평균입도 및 입도분포를 레이저를 이용한 입도분석기(LPSA)로 분석 한 결과 중 우수한 실시예들을 표2에 나타내었고, 전계방사주사전자현미경(FE-SEM)으로 관찰한 결과(배율 : 500배)를 도 9에 나타내었다.

위 표2에서와 같은 조건의 무연분말금속은, 초음파발생기(30)의 수와 배치를 제외하고는 상술한 실시예 1에서와 같은 조건에서 얻어졌으며, 그 결과는 표 1에서보다 더욱 평균입도가 미세한 것으로 나타났으며, 입도분포도 우수한 것으로 나타났다.

따라서, 초음파발생기(30)를 단순히 180도로 배치한 것보다 90도로 4개 배치함으로써 서로 마주보는 두 쌍의 초음파 발생기에 의해 입자 미세화와 분산효과가 더욱 배가되는 것을 알 수 있었다.

<실시예 3>

본 실시예에서는 도 6에 도시된 제조장치가 사용되었다. 도 6에서의 제조장치도, 도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같이 반응탱크(10), 프로펠러형 교반기(20), 초음파발생기(30) 등을 포함하여 구성되지만, 초음파발생기(30)가 출탕관(17)에 설치되어 교반된 후 출탕되는 분산혼합물에 초음파가 가하여지는 점에서 상이하다.

위와 같은 장치를 이용한 본 실시예에서도 실시예1에서와 동일한 조건하에서 무연솔더분말을 제조하고, 실시예 1과 마찬가지로 분석한 결과를 표 3 및 도 10에 나타내었다.

본 실시예에서는 실시예1 및 실시예2에서보다 평균입도와 분포도가 크게 나타났지만, 그래도 900rpm에서 30㎛이하의 입도가 얻어졌으며, 분포도가 80%이하로 나타났다.

<실시예 4>

상기 실시예 3에서 초음파발생기(30)를 4개 사용한 것(도 7) 이외에는 실시예3에서와 유사하다. 즉, 도 7에서의 제조장치도, 도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같이 반응탱크(10), 프로펠러형 교반기(20), 초음파발생기(30) 등을 포함하여 구성되지만, 초음파발생기(30)가 출탕관(17)에 설치되어 교반된 후 출탕되는 분산혼합물에 초음파가 가하여지는 점에서 실시예 1 및 2와는 상이하고 초음파발생기(30) 4개를 배치시킨 점은 실시예 2에서와 유사하다.

위와 같은 장치를 이용한 본 실시예에서도 실시예1에서와 동일한 조건하에서 무연솔더분말을 제조하고, 실시예 1과 마찬가지로 분석한 결과를 표 4 및 도 11에 나타내었다.

본 실시예에서는 실시예1 및 실시예2에서보다 평균입도와 분포도가 크게 나타났지만, 실시예3에서보다는 평균입도가 낮았으며, 900rpm에서도 30㎛이하의 입도가 얻어졌고, 분포도도 90%이하로 나타났다.

상술한 실시예들에 의해 얻어진 결과들은, 모두 90%이상이 30㎛이하의 평균입도를 얻게 되어 전자부품의 고밀도 실장과 고신뢰성 접합기술에 사용되는 플립칩 범핑용 솔더페이스트용 무연 초미세분말로 채용될 수 있는 장점을 지닌다.

도 1은 반도체 패키지 및 실장방법의 추이를 나타내는 그래프이다.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 무연솔더 페이스트용 초미세 무연 솔더 분말의 제조장치의 개략구성도이다.

도 3은 도 2의 평면구성도이다.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 무연솔더 페이스트용 초미세 무연 솔더 분말의 제조장치의 개략구성도이다.

도 5는 도 4의 평면구성도이다.

도 6은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 무연솔더 페이스트용 초미세 무연 솔더 분말의 제조장치의 개략구성도이다.

도 7은 본 발명의 더욱 또다른 실시예에 따른 무연솔더 페이스트용 초미세 무연 솔더 분말의 제조장치의 개략구성도이다.

도 8 내지 도 11은 실시예들에 따른 무연분말금속의 전자현미경사진들이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>

10: 반응탱크 11: 히터

12: 온도조절장치 13: 열전대

15: 작동기 16: 개폐밸브(스토퍼 또는 플러쉬밸브)

17: 출탕관 20: 프로펠러형 교반기

30: 초음파발생기 50: 포집탱크

60: 세척탱크 70: 진공건조로

Claims (5)

1. 높은 미세한 피치를 지니는 패턴(Fine Pitch Pattern)으로의 인쇄가 가능하고, 배선부에 있어서도 충분한 접합을 할 수 있는, 전자부품의 실장을 위한 무연솔더 페이스트용 초미세 무연 솔더 분말의 제조방법에 있어서:

   분산매 1000g에, 분산매의 중량%로서 무연솔더합금 인고트 5∼15%, 계면활성제 1.5~2.5% 및 산화방지제 0.1~0.2%를 혼합하는 단계;

   그 혼합된 분산매중에 불활성가스(질소가스)를 흘려주면서 분산매의 온도가 무연솔더합금의 용융점+(10~50℃) 범위의 온도로 가열하는 단계;

   그 가열단계중에 계면활성제와 산화방지제가 용해될 수 있고 무연솔더합금 인고트의 표면이 산화되지 아니하는 분산매의 온도범위에서 계면활성제와 산화방지제가 용해되도록 프로펠러형 교반기로 1차 교반시키는 단계;

   상기 가열단계후 분산매의 온도가 무연솔더합금의 용융점+(10~50℃) 범위의 온도로 유지하면서 프로펠러형 교반기를 이용하여 상기 분산매를 900-2000rpm으로 2차 교반시키는 단계;

   상기 2차 교반단계 후, 상온의 분산매가 담긴 출탕용기에 출탕하여 냉각시키는 단계;

   상기 교반단계와 출탕단계중 적어도 하나의 단계에서 20KHz이상의 주파수의 초음파를 가하는 단계;

   상기 냉각단계후 상층액을 제거하여 침강물을 분리하고, 분산매를 제거하여 무연솔더분말을 얻는 단계; 그리고,

   그 얻어진 무연솔더분말을 진공 건조로에서 건조시키는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 무연솔더 페이스트용 초미세 무연 솔더 분말의 제조방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 분산매는, 실리콘오일, 석유정제광유, 공업용윤활유, 식물유, 동물유, 합성윤활유 및 유기열매체중 하나를 포함하며, 상기 무연솔더합금(용융점)은, In-49Sn(119.59℃), Bi-43Sn(140.11℃), In(156.61℃), Sn-1.0Ag-0.5Cu(217-227℃), Sn-2.0Ag-0.5Cu(217-223℃), Sn-3.0Ag-0.5Cu(217-220℃), Sn-3.5Ag(221℃), Sn-4.0Ag-0.5Cu(217-231℃)중 하나이며, 계면활성제는, 로진(rosin)류, 지방산류, 알코올류중 하나이상을 포함하며, 상기 산화방지제는 폐놀계 산화 방지제, 비스페놀계 산화 방지제, 폴리머형 폐놀계 산화방지제, 인계 산화 방지제중 하나 또는 그 하나와 이미다졸류와의 혼합물인 것을 특징으로 하며, 상기 1차 교반단계에서의 온도범위는 120-180℃인 것을 특징으로 하는 무연솔더 페이스트용 초미세 무연 솔더 분말의 제조방법.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 초음파를 가하는 단계에서 초음파가 한쌍 또는 서로 직각인 2쌍이 각각 180도로 대향하여 가하여지는 것을 특징으로 하는 무연솔더 페이스트용 초미세 무연 솔더 분말의 제조방법.
4. 높은 미세한 피치를 지니는 패턴(Fine Pitch Pattern)으로의 인쇄가 가능하고, 배선부에 있어서도 충분한 접합을 할 수 있는, 전자부품의 실장을 위한 무연솔더 페이스트용 초미세 무연 솔더 분말의 제조장치에 있어서:

   분산매, 무연솔더합금 인고트, 계면활성제 및 산화방지제를 혼합가열하기 위한 반응탱크(10);

   반응탱크(10)의 내부에 설치되고 그 반응탱크(10)의 내부에서 계면활성제 및 산화방지제를 분산매에 혼합시키고 무연솔더합금 인고트의 용융물을 그 분산매중에 분산시키기 위한 프로펠러형 교반기(20);

   상기 무연솔더합금이 분산된 분산매를 냉각시키기 위한 상온의 분산매가 담긴 포집탱크(50);

   상기 반응탱크(10)로부터 포집탱크(50)로 혼합교반된 분산매, 무연솔더합금 인고트, 계면활성제 및 산화방지제을 출탕시키기 위한 출탕관(17); 그리고,

   상기 반응탱크(10) 및 출탕관(17)중 적어도 하나에서 내부의 분산매, 무연솔더합금 인고트, 계면활성제 및 산화방지제에 20KHz이상의 주파수의 초음파를 가하기 위한 초음파발생기(30)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 무연솔더 페이스트용 초미세 무연 솔더 분말의 제조장치.
5. 제 4 항에 있어서, 상기 초음파발생기(30)는, 한쌍 또는 서로 직각인 2쌍이 각각 180도로 대향하여 설치되는 것을 특징으로 하는 무연솔더 페이스트용 초미세 무연 솔더 분말의 제조장치.

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