KR20090078045A - Apparatus of manufacturing silicon single crystal ingot - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 실리콘 단결정 잉곳 생산장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 쵸크랄스키 방법을 사용하여 실리콘 단결정 잉곳을 생산하는 실리콘 단결정 잉곳 생산장치에 관한 것이다.The present invention relates to a silicon single crystal ingot production apparatus, and more particularly, to a silicon single crystal ingot production apparatus for producing a silicon single crystal ingot using the Czochralski method.
실리콘 단결정 잉곳은 쵸크랄스키(CZ) 방법에 의해 생산된다. 도 1은 쵸크랄스키 방법을 이용하여 실리콘 단결정 잉곳을 생산하는 종래의 실리콘 단결정 잉곳 생산장치의 단면도이다.Silicon single crystal ingots are produced by the Czochralski (CZ) method. 1 is a cross-sectional view of a conventional silicon single crystal ingot production apparatus for producing a silicon single crystal ingot using the Czochralski method.
도 1을 참조하면, 실리콘 단결정 잉곳 생산장치(9)는 챔버(1)와, 챔버 내부에 설치된 도가니(2)와, 도가니를 가열하는 히터(3)와, 도가니(2)의 상측에 승강 가능하게 설치되는 케이블(4)을 구비한다. Referring to FIG. 1, the silicon single crystal
상술한 바와 같이 구성된 실리콘 단결정 잉곳 생산장치(9)를 사용하여 실리콘 단결정 잉곳을 생산하는 과정은 다음과 같다. The process of producing the silicon single crystal ingot using the silicon single crystal
먼저, 도가니(2)에 실리콘 단결정 잉곳을 장입한 후, 히터(3)로 가열하여 실리콘 융액을 형성한다. 그런 다음, 시드(5)를 실리콘 융액에 접촉한 후 서서히 인 상하면 실리콘 단결정 잉곳이 성장된다. 이후, 도 1에 가상선으로 도시된 바와 같이 성장 완료된 실리콘 단결정 잉곳을 인상한 상태에서 적절한 온도까지 냉각시킨다. 이때, 도가니(2)에 남아있는 실리콘 융액이 굳는 것을 방지하기 위하여 도가니(2)를 지속적으로 가열한다. 그런 다음, 냉각된 실리콘 단결정 잉곳을 챔버(1)에서 꺼내며, 이후 동일한 과정을 통해 새로운 실리콘 단결정 잉곳을 생산하게 된다. First, a silicon single crystal ingot is charged into the
하지만, 종래의 경우 상술한 바와 같이 실리콘 단결정 잉곳을 챔버(1) 내에서 냉각시키므로, 냉각과정 동안 새로운 실리콘 단결정 잉곳을 생산하는 공정을 수행할 수가 없다. 따라서, 실리콘 단결정 잉곳 생산장치(9)의 생산효율이 저하되는 문제점이 있다.However, in the related art, since the silicon single crystal ingot is cooled in the
그리고, 도가니(2)를 가열하는 열이 실리콘 단결정 잉곳으로도 전달되므로 실리콘 단결정 잉곳의 냉각과정에 소요되는 시간이 길어지게 되며, 그 결과 전체 공정 시간이 길어지게 된다. In addition, since the heat for heating the
또한, 실리콘 단결정 잉곳의 냉각과정 동안에도 도가니(2)에 남아있는 실리콘 융액에 의해 도가니(2)가 지속적으로 식각되는데, 상술한 바와 같이 냉각과정에 소요되는 시간이 길어지는 경우 실리콘 단결정 잉곳을 생산하는 동안에 도가니가 많이 식각되게 되며, 그 결과 도가니(2)의 내구성이 약화되는 문제점이 있다. In addition, the
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 실리콘 단결정 잉곳의 생산효율 및 내구성이 향상되도록 구조가 개선된 실리콘 단결정 잉곳 생산장치를 제공하는 것이다. The present invention has been made to solve the above problems, it is an object of the present invention to provide a silicon single crystal ingot production apparatus having an improved structure to improve the production efficiency and durability of the silicon single crystal ingot.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 실리콘 단결정 잉곳 생산장치는 내부에 수용부가 마련되어 있는 제1챔버와, 내부에 공간부가 마련되어 있으며, 상기 제1챔버의 상측에 분리가능하게 교대로 결합되는 복수 개의 제2챔버와, 상기 복수 개의 제2챔버가 상기 제1챔버에 교대로 결합되도록 상기 복수 개의 제2챔버를 이동시키는 구동유닛과, 상기 제1챔버의 수용부에 배치되며, 실리콘 융액이 수용되는 도가니와, 상기 도가니를 감싸도록 상기 수용부에 배치되며, 상기 실리콘 융액을 가열하는 히터와, 상기 도가니의 상측에 승강 가능하게 배치되며, 그 단부에 시드가 결합되어 있는 케이블을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the silicon single crystal ingot production apparatus according to the present invention is provided with a first chamber having an accommodating portion therein, and a space portion provided therein, a plurality of which are alternately coupled to an upper side of the first chamber. Two chambers, a drive unit for moving the plurality of second chambers such that the plurality of second chambers are alternately coupled to the first chambers, and disposed in a receiving portion of the first chamber, and containing a silicon melt A crucible to be disposed, the heater disposed to enclose the crucible, a heater for heating the silicon melt, and a cable disposed to be elevated on an upper side of the crucible and having a seed coupled to an end thereof. It is done.
본 발명에 따르면, 상기 구동유닛은, 상기 복수 개의 제2챔버에 결합되는 회전바와, 상기 회전바에 결합되며, 그 구동시 상기 회전바 및 상기 복수 개의 제2챔버를 회전시키는 모터를 포함하는 것이 바람직하다.According to the present invention, the drive unit, the rotary bar is coupled to the plurality of second chambers, and is coupled to the rotary bar, it is preferable to include a motor for rotating the rotary bar and the plurality of second chambers when the drive. Do.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 제2챔버의 공간부를 개방하는 개방위치와, 상기 공간부를 폐쇄하는 폐쇄위치 사이에서 이동가능하며, 그 이동시 상기 공간부를 개폐하는 개폐부재를 더 포함하는 것이 바람직하다.Further, according to the present invention, it is preferable to further include an opening and closing member which is movable between an open position for opening the space part of the second chamber and a closed position for closing the space part, and opening and closing the space part during the movement.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 개폐부재는, 상기 제2챔버에 대하여 회전가능하게 결합되며, 그 회전시 상기 공간부를 개폐하는 것이 바람직하다.In addition, according to the present invention, the opening and closing member is rotatably coupled to the second chamber, it is preferable to open and close the space portion during the rotation.
또한 본 발명에 따르면, 상기 제2챔버는 두 개 구비되는 것이 바람직하다.In addition, according to the present invention, it is preferable that two second chambers are provided.
상기한 구성의 본 발명에 따르면, 성장 완료된 실리콘 단결정 잉곳을 냉각시키는데 소요되는 시간이 절감되며, 또한 실리콘 단결정 잉곳의 냉각공정 중에도 새로운 실리콘 단결정 잉곳의 생산과정을 진행할 수 있다. 따라서, 실리콘 단결정 잉곳 생산장치의 생산효율이 향상된다. 또한, 실리콘 단결정 잉곳을 생산하는 전체 공정의 시간이 감축되므로, 도가니 내에 잔존하는 실리콘 융액에 의해 도가니가 식각되는 현상을 줄일 수 있으며, 그 결과 실리콘 단결정 잉곳 생산장치의 내구성이 향상된다.According to the present invention having the above-described configuration, the time required to cool the grown silicon single crystal ingot can be reduced, and the new silicon single crystal ingot can be produced during the cooling process of the silicon single crystal ingot. Therefore, the production efficiency of the silicon single crystal ingot production apparatus is improved. In addition, since the time of the entire process of producing the silicon single crystal ingot is reduced, the phenomenon in which the crucible is etched by the silicon melt remaining in the crucible can be reduced, and as a result, the durability of the silicon single crystal ingot production apparatus is improved.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 단결정 잉곳 생산장치에 관하여 설명하기로 한다. 다음에 설명되는 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술되는 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.Hereinafter, a silicon single crystal ingot production apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The embodiments described below may be modified in many different forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 단결정 잉곳 생산장치의 단면도이며, 도 4는 도 2에 도시된 제2챔버의 사시도이다.2 and 3 are cross-sectional views of the silicon single crystal ingot production apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a perspective view of the second chamber shown in FIG.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 실리콘 단결정 잉곳 생산장 치(100)는 제1챔버(110)와, 제2챔버(120)와, 개폐부재(130)와, 구동유닛(140)과, 도가니(150)와, 히터(160)와, 보온벽(170)과, 케이블(180)을 포함한다.2 to 4, the silicon single crystal
제1챔버(110)는 바닥부(111)와 측면부(112)를 포함한다. 바닥부(111)는 원형의 판상으로 형성된다. 측면부(112)는 바닥부(111)의 둘레를 따라 상방향으로 연장 형성되며, 측면부(112)의 상측은 그 직경이 점차적으로 작아지도록 형성된다. 바닥부(111)와 측면부(112)에 의해 형성되는 수용부(113)에는 후술할 도가니(150), 히터(160) 및 보온벽(170)이 배치된다. The
제2챔버(120)는 복수 구비되며 제1챔버(110)의 상측에 분리가능하게 결합된다. 특히 본 실시예에서는 제2챔버(120)는 2개 구비되며, 도 2에 도시된 바와 같이, 2개의 제2챔버(120) 중 어느 하나는 제1챔버(110)의 상단에 결합되며, 다른 하나는 제1챔버(110)로부터 분리되어 있다. 2개의 제2챔버(120)는 성장위치, 즉 제1챔버(110)의 상단에 결합되어 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키기 위한 위치와, 냉각위치, 즉 제1챔버(110)로부터 분리되어 성장완료된 실리콘 단결정 잉곳을 냉각시키기 위한 위치 사이에서 이동되면서, 제1챔버(110)의 상단에 교대로 결합된다. The
각 제2챔버(120)는 천장부(121)와 둘레부(122)를 포함한다. 천장부(121)는 원형의 판상으로 형성되며, 그 중심에는 후술할 케이블(180)이 통과되는 관통공(121a)이 형성된다. 둘레부(122)는 천장부(121)의 둘레를 따라 하방향으로 연장 형성된다. 천장부(121)와 둘레부(122)에 의해 형성되는 공간부(123)에는, 도 2의 가상선으로 도시된 바와 같이 성장완료된 실리콘 단결정 잉곳이 배치된다. Each
개폐부재(130)는 제2챔버(120)의 공간부(123)를 개방 및 폐쇄하는 것으로, 공간부(123)를 개방하는 개방위치 및 공간부(123)를 폐쇄하는 폐쇄위치 사이에서 이동가능하게 배치된다. 특히, 본 실시예의 개폐부재(130)는 원형의 판상으로 형성되며, 제2챔버의 둘레부(122)에 회전가능하게 결합된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 개폐부재(130)는 그 회전시 제2챔버의 공간부(123)를 개방 및 폐쇄한다. The opening /
구동유닛(140)은 2개의 제2챔버(120)를 성장위치와 냉각위치 사이에서 이동시키기 위한 것으로서, 본 실시예에서는 회전바(141)와, 회전축(142)과, 모터(미도시)를 포함한다. 회전바(141)는 가로 방향으로 길게 형성되며, 회전가능하게 배치된다. 회전바(141)의 양단은 2개의 제2챔버(120)의 상측에 각각 결합된다. 회전축(142)은 상하 방향으로 길게 형성되며, 그 하단은 회전바(141)의 가운데에 결합된다. 모터는 회전축의 상단에 결합되며, 그 구동시 회전축(141) 및 회전바(142)를 회전시킨다.The
도가니(150)는 제1챔버의 수용부(113)에 배치되며, 그 내부에 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키기 위한 실리콘 융액이 수용된다. 도가니(150)의 하단에는 회전축(K)이 결합되어 있으며, 회전축(K)의 회전시 도가니(150)가 승강 및 회전된다.The
히터(160)는 중공의 원통형으로 형성되며, 제1챔버의 수용부(113)에 배치된다. 히터(160)의 내부에는 도가니(150)가 배치된다. 히터(160)는 전원 인가시 도가니를 가열하여 그 내부에 존재하는 다결정 실리콘을 융해시키며, 융해된 실리콘 융액을 가열한다.The
보온벽(170)은 중공의 원통형으로 형성되며, 그 내부에 히터(160)와 도가니(150)가 배치된다. 보온벽(170)은 히터(160)에서 발산되는 열이 제1챔버(110) 및 제2챔버(120)의 내벽 쪽으로 확산되는 것을 방지하여 열효율을 향상시키며, 고온의 복사열로부터 제1챔버(110) 및 제2챔버(120)의 내벽을 보호한다.The
케이블(180)은 복수 구비되며, 특히 본 실시예에서는 제2챔버(120)의 수와 동일하게 2개 구비된다. 각 케이블(180)은 제2챔버의 관통공(121a)을 통과하며, 승강 가능하게 배치된다. 각 케이블(180)은 구동수단(미도시)과 연결되어 회전 및 승강가능하며, 제2챔버(120)의 이동시 제2챔버(120)와 함께 이동된다. 그리고 각 케이블의 일단에는 시드(181)가 결합되어 있다. 시드(181)는 실리콘 융액에 접촉된 후, 케이블(180)과 함께 회전 및 상승하면서 실리콘 단결정 잉곳으로 성장하게 된다.The
이하, 상술한 바와 같이 구성된 실리콘 단결정 잉곳 생산장치(100)를 사용하여 실리콘 단결정 잉곳을 생산하는 과정에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a process of producing a silicon single crystal ingot using the silicon single crystal
먼저, 도가니(150)에 다결정 실리콘을 장입하고, 히터(160)로 가열하여 실리콘 융액을 형성한다. 이후, 실리콘 융액에 시드(181)를 접촉한 후 서서히 인상시키면 실리콘 단결정이 성장되며, 성장완료된 실리콘 단결정 잉곳을 인상하여 도 2에 가상선으로 도시된 바와 같이 제2챔버의 공간부(123)에 배치시킨다. 그런 다음, 모터를 구동하여 회전바(141)를 회전시키면, 회전바(141)와 함께 두 개의 제2챔버(120)가 회전하게 되며, 그 결과 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 성장위치에 배치되어 있던 제2챔버(120)는 냉각위치로 이동되며, 냉각위치에 있던 제2챔버(120)는 결합위치로 이동하게 된다. 이후, 개폐부재(130)를 이용하여 냉각위치에 배치된 제2챔버(120)의 공간부(123)를 폐쇄하고, 이 상태에서 실리콘 단결정 잉 곳을 적정 온도로 냉각시킨다. 그리고, 이와 동시에 성장위치에 배치된 제2챔버(120)를 제1챔버(110)에 결합한 뒤, 새로운 실리콘 단결정 잉곳을 성장시킨다. 냉각위치에 배치된 실리콘 단결정 잉곳의 냉각이 완료되면, 실리콘 단결정 잉곳을 제2챔버(120)에서 꺼낸다. 이후, 새로운 실리콘 단결정 잉곳이 성장완료되면 이를 성장 위치에 배치된 제2챔버(120)의 공간부(123)로 인상하고, 다시 2개의 제2챔버(120)의 위치를 전환한다. 이후 상술한 과정을 반복함으로써 실리콘 단결정 잉곳을 연속적으로 생산할 수 있다.First, polycrystalline silicon is charged into the
상술한 바와 같이, 본 실시예에 따른 실리콘 단결정 잉곳 생산장치(100)를 사용하면, 성장완료된 실리콘 단결정 잉곳을 냉각위치에서 냉각시킬 수 있다. 따라서, 실리콘 단결정 잉곳을 냉각시키는 동안에도 새로운 실리콘 단결정 잉곳을 연속적으로 생산할 수 있으며, 그 결과 실리콘 단결정 잉곳 생산장치의 생산수율이 향상된다.As described above, by using the silicon single crystal
그리고, 실리콘 단결정 잉곳이 히터(160)로부터 떨어진 냉각위치에서 냉각되므로 실리콘 단결정 잉곳을 더욱더 효율적으로 냉각할 수 있으며, 그 결과 실리콘 단결정 잉곳을 냉각시키는데 소요되는 시간을 절감할 수 있다. In addition, since the silicon single crystal ingot is cooled at a cooling position away from the
또한, 이와 같이 실리콘 단결정 잉곳을 냉각시키는데 소요되는 시간이 절감되므로, 실리콘 단결정 잉곳의 생산과정 중 도가니가 식각되는 양이 감소하게 되며, 그 결과 실리콘 단결정 잉곳 생산장치(100)의 내구성이 향상된다. In addition, since the time required to cool the silicon single crystal ingot is reduced, the amount of crucible etching during the production process of the silicon single crystal ingot is reduced, and as a result, the durability of the silicon single crystal
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.Although the preferred embodiments of the present invention have been shown and described above, the present invention is not limited to the specific preferred embodiments described above, and the present invention belongs to the present invention without departing from the gist of the present invention as claimed in the claims. Various modifications can be made by those skilled in the art, and such changes are within the scope of the claims.
도 1은 종래 실리콘 단결정 잉곳 생산장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional silicon single crystal ingot production apparatus.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 단결정 잉곳 생산장치의 단면도이다.2 and 3 are cross-sectional views of the silicon single crystal ingot production apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 4는 도 2에 도시된 제2챔버의 사시도이다.4 is a perspective view of the second chamber shown in FIG. 2.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
100...실리콘 단결정 잉곳 생산장치 110...제1챔버100 ... silicon single crystal
120...제2챔버 130...개폐부재120.2
140...구동유닛 150...도가니140
160...히터 170...보온벽160 ...
180...케이블 181...시드180 ...
K...회전축K ... rotary shaft
Claims (5)
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080003807A KR20090078045A (en) | 2008-01-14 | 2008-01-14 | Apparatus of manufacturing silicon single crystal ingot |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1020080003807A KR20090078045A (en) | 2008-01-14 | 2008-01-14 | Apparatus of manufacturing silicon single crystal ingot |
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KR1020080003807A KR20090078045A (en) | 2008-01-14 | 2008-01-14 | Apparatus of manufacturing silicon single crystal ingot |
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KR (1) | KR20090078045A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101119188B1 (en) * | 2009-12-15 | 2012-03-19 | 서동욱 | A curve electric power delivery device |
KR20160121991A (en) * | 2015-04-13 | 2016-10-21 | (주)에스테크 | Ingot growing apparatus |
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2008
- 2008-01-14 KR KR1020080003807A patent/KR20090078045A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101119188B1 (en) * | 2009-12-15 | 2012-03-19 | 서동욱 | A curve electric power delivery device |
KR20160121991A (en) * | 2015-04-13 | 2016-10-21 | (주)에스테크 | Ingot growing apparatus |
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Legal Events
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |