KR20090073355A - 기판처리장치 - Google Patents

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KR20090073355A
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주성엔지니어링(주)
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Abstract

본 발명의 기판처리장치는 챔버와, 상기 챔버 내에 마련되어 반응 가스를 분사하는 인젝터와, 상기 인젝터를 회전시키는 회전축을 포함하는 가스 분사부와, 상기 가스 분사부와 대향 마련되어 서로 대면하는 면의 수평 길이가 가스 분사부의 회전 반경보다 작은 지지대를 포함하고, 상기 지지대의 측부와 이격된 챔버 내측벽들 사이의 길이는 인젝터의 측부와 이격된 챔버 내측벽들 사이의 길이보다 작은 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 발명은 내부 공간을 최소화하도록 챔버를 구성함으로써, 공정 생산성 및 공정 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
챔버, 인젝터, 지지대, 증착, 가열 부재

Description

기판처리장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 챔버 내부 공간의 크기를 최소화시키기 위한 기판처리장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위한 공정에서 기판의 표면에서 반응 기체를 반응시켜 필요한 재질의 막을 형성하는 공정을 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition; 이하 'CVD'라 한다) 공정이라 한다.
종래 증착 공정은 밀폐된 챔버 내에 기판 지지대와 회전 가능한 가스 분사부를 대향 배치하고, 사각 형상의 유리 기판을 기판 지지대에 안착시킨 후, 반응 가스를 회전되는 가스 분사부를 거쳐 기판에 분사함으로써, 기판의 상부면에 원하는 박막을 형성한다.
하지만, 가스 분사부는 사각 형상의 유리 기판 상부 전체면에 반응 가스를 균일하게 분사하기 위해 회전하는 가스 분사부의 직경이 기판의 대각선의 길이만큼 커져야 하기 때문에 기판과 대향하여 배치된 가스 분사부의 길이는 기판을 지지하는 기판 지지대의 대면하는 면의 길이보다 커지게 된다.
상기와 같이 가스 분사부의 길이가 기판 지지대의 길이보다 커지게 되면, 가 스 분사부와 기판 지지대를 수납하는 챔버의 내부 공간의 크기는 가스 분사부의 길이에 대응하도록 그 크기가 커지게 되어 챔버 내부의 전체 용량이 증가한다. 특히, 가스 분사부의 길이보다 작도록 형성된 기판 지지대와 기판 지지대의 측부와 이격 배치된 챔버의 내측벽 사이에는 공정에 불필요한 공간들이 형성되게 되어 챔버 내부의 용량을 증가시킨다.
이러한 상태에서 공정이 시작되면, 공정의 원활한 진행을 위해서 챔버 내부의 불필요한 공간에도 반응 가스를 분사해야되기 때문에 챔버 내부에 분사되는 반응 가스의 양이 늘어나는 문제점을 발생시킨다. 또한, 내부 용량이 증가된 챔버 내를 진공으로 형성하기 위해서는 펌프의 용량도 종래보다 커져야 되는 문제점이 발생된다. 따라서, 불필요한 내부 공간이 많은 챔버 내부에는 많은 양의 반응 가스가 공급되어야 하고, 챔버 내부에 진공을 형성하기 위해서는 용량이 큰 펌프를 사용해야 하기 때문에 공정 원가를 상승시키는 문제점을 야기시킨다.
또한, 내부 용량이 증가한 챔버 내부에 반응 가스를 분사하는 시간과, 진공 조건을 형성하기 위한 펌핑 시간도 상당히 소요되기 때문에 공정 전체의 시간이 상당히 늘어나 공정 효율을 떨어뜨리는 문제점을 야기시킨다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 챔버 내부의 불필요한 공간을 줄일 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 기판처리장치는 챔버와, 상기 챔버 내에 마련되어 반응 가스를 분사하는 인젝터와, 상기 인젝터를 회전시키는 회전축을 포함하는 가스 분사부와, 상기 가스 분사부와 대향 마련되어 서로 대면하는 면의 수평 길이가 가스 분사부의 회전 반경보다 작은 지지대를 포함하고, 상기 지지대의 측부와 이격된 챔버 내측벽들 사이의 길이는 인젝터의 측부와 이격된 챔버 내측벽들 사이의 길이보다 작은 것을 특징으로 한다.
상기 챔버는 챔버 리드와, 상기 챔버 리드의 하부에 마련된 하부 챔버를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 챔버 리드는 평면부와, 상기 평면부의 하부면 가장자리를 따라 결합되는 제 1 측벽부와, 상기 제 1 측벽부의 하부면 가장자리를 따라 결합되는 제 2 측벽부를 포함하고, 제 2 측벽부의 내측벽은 인젝터의 측부와 이격 배치될 수 있다. 상기 하부 챔버는 바닥부와, 상기 바닥부의 상부면 가장자리를 따라 결합되는 수직부를 포함하고, 수직부의 내측벽은 지지대의 측부와 이격 배치될 수 있다. 상기 수직부의 상부면 일부는 하부 챔버의 외측을 향해 절곡 형성될 수 있다.
본 발명은 내부 공간을 최소화하도록 챔버를 구성함으로써, 챔버 내에 공급되는 반응 가스의 양을 줄일 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 챔버 내에 적은 양의 반응 가스를 공급함으로써, 반응 가스의 양과 반응 가스가 챔버 내로 공급되는 시간을 줄일 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 챔버 내부에 진공을 형성하는 펌프의 용량과 챔버의 내부 공간에 진공을 형성하는 시간을 줄일 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 생산성 및 공정 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치를 나타낸 개략 단면도이고, 도 3은 본 발명에 따른 기판처리장치를 나타낸 수평 절단면도이고, 도 3은 본 발명에 따른 기판처리장치의 챔버의 구조를 나타낸 개략 단면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 챔버의 구조를 형성하는 방법을 나타낸 단면도이고, 도 5는 본 발명에 따른 챔버의 변형예를 나타낸 단면도이고, 도 6은 본 발명의 변형예에 따른 챔버의 구조를 형성하는 방법을 나타낸 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 기판처리장치는 챔버(100)와, 상기 챔버(100) 내의 상부에 마련된 가스 분사부(200)와, 상기 가스 분사부(200)와 대향 배치된 기판 지지부(300)를 포함한다.
챔버(100)는 사각 박스 형상으로 형성되고, 내부에는 기판(S)을 처리할 수 있도록 소정 공간이 마련된다. 이러한 챔버(100)는 챔버 리드(110)와, 상기 챔버 리드(110)의 하부에 마련되는 하부 챔버(120)를 포함한다. 챔버 리드(110)는 하부가 개방된 사각 박스 형상으로 형성되고, 챔버 리드(110)의 내측에는 가스 분사부(200)가 배치된다. 또한, 하부 챔버(120)는 상부가 개방된 사각 박스 형상으로 형성되고, 하부 챔버(120)의 내측에는 기판 지지부(300)가 배치된다. 여기서, 가스 분사부(200)의 인젝터(220)는 회전축(210)을 중심으로 동심을 이루어 회전하고, 회전하는 인젝터(220)의 직경은 기판(S)을 지지하는 지지대(310)의 대면하는 면의 두 변 사이의 길이보다 크도록 형성된다. 따라서, 인젝터(220)의 측부와 이격 배치된 챔버 리드(110)의 내측벽들 사이의 거리는 지지대(310)의 측부와 이격 배치된 하부 챔버(120)의 내측벽들 사이의 거리보다 크게 형성된다. 상기 챔버(100)의 구조에 대해서는 이후에 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
챔버(100)의 일측벽 즉, 챔버 리드(110)의 일측벽에는 기판(S)이 인입 및 인출되는 기판 출입구(130)가 형성되며, 이러한 기판 출입구(130)는 챔버 리드(110)의 타측벽에도 형성될 수 있다. 또한, 챔버(100)의 하부면 즉, 하부 챔버(120)의 하부면에는 챔버(100)의 내부를 배기하기 배기부(140)가 마련되며, 이러한 배기부(140)에는 진공 펌프와 같은 배기 수단(150)이 연결된다.
가스 분사부(200)는 챔버(100) 내의 상부, 구체적으로 챔버 리드(110)의 내측에 마련되어 있으며, 기판(S)의 상부에서 기판(S)을 향해 반응 가스를 공급하는 역할을 한다. 가스 분사부(200)는 회전축(210)과, 상기 회전축(210)에 연결된 다수의 인젝터(220)를 포함한다. 회전축(210)은 챔버 리드(110)의 상부 내측면에 연결되어 회전축(210)에 연결된 다수의 인젝터(220)를 수평으로 회전시키는 역할을 한다. 여기서, 회전축(210)을 지지하기 위해 챔버(100)의 상부 외측으로 돌출되어 회전축(210)을 감싸는 하우징(250)과, 하우징(250)과 회전축(210) 사이를 밀봉하는 실링 부재(240)를 더 구비할 수 있다. 여기서, 실링 부재(240)로는 마그네트 시일을 사용하는 것이 효과적이다. 도시되지는 않았지만, 회전축(210)을 회전시키는 구동 부재(미도시) 예를 들어, 모터 등을 더 구비할 수 있다. 회전축(210)의 하부에는 회전축(210)의 수직 방향으로 방사상으로 연장 형성된 다수의 인젝터(220)가 연결된다. 인젝터(220)는 바 형상으로 형성되어 내부에 소정 공간이 마련되고, 소정 공간과 연통되도록 인젝터(220)의 하부면에는 다수의 분사홀(222)이 형성된다. 여기서, 인젝터(220)의 내부에 형성된 소정 공간에 반응 가스를 공급하기 위해 챔버(100)의 외측에는 인젝터(220)의 소정 공간과 연통되도록 연결된 가스 공급부(230)가 더 마련된다. 여기서, 도 2에 도시된 바와 같이, 회전하는 인젝터(220)의 직경은 사각 형상의 기판(S)의 상부면 전체에 반응 가스를 균일하게 분사하기 위해 기판(S)의 대각선 길이의 대응하도록 형성되는 바람직하며, 이에 위해 인젝터(220)의 길이가 결정될 수 있다. 본 실시예에서의 인젝터는 1개의 인젝터가 회전축의 하부에 회전축과 수직으로 연결될 수 있으며, 2개의 인젝터가 교차되어 형성 될 수도 있다. 이하에서는 회전하는 인젝터의 직경과 인젝터의 길이가 동일하다는 전제하에서 본 실시예를 설명한다.
기판 지지부(300)는 챔버(100) 내의 하부에 마련되고, 챔버(100) 내로 인입된 기판(S)을 안착시켜 기판(S)을 증착 위치로 이동시키는 역할을 하며, 기판(S)이 안착되는 지지대(310)와, 상기 지지대(310)의 하부에 연결된 구동 부재(320)를 포함한다. 지지대(310)는 통상 기판(S)의 형상과 대응하는 형상으로 형성되고, 본 실시예에서는 사각 기판(S)이 안착되도록 사각 형상을 가지도록 형성된다. 지지대(310)의 내부에는 지지대(310)에 안착된 기판(S)을 가열시키기 위한 가열 부재(312)가 설치되고, 이러한 가열 부재(312)로는 예를 들어, 저항 발열식 히터가 사용된다. 또한, 지지대(310)의 하부에는 구동 부재(320)가 지지대(310)와 수직으로 연결되고, 이러한 구동 부재(320)는 지지대(310)를 승하강 또는 회전시키는 역할을 한다.
한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 챔버(100)는 챔버 리드(110)와, 상기 챔버 리드(110)의 하부에 마련된 하부 챔버(120)를 포함한다.
챔버 리드(110)는 평면부(112)와, 상기 평면부(112)의 하부에 결합되는 제 1 측벽부(114)와, 상기 제 1 측벽부(114)의 하부에 결합되는 제 2 측벽부(116)를 포함한다. 평면부(112)는 기판(S)의 형상에 대응하는 사각 플레이트 형상으로 형성되고, 평면부(112)의 하부 중심부에는 가스 분사부(200)의 회전축(210)이 연결된다. 평면부(112)의 하부에는 중심 영역이 상하 절개된 사각 플레이트 형상의 제 1 측벽부(114)가 마련되며, 제 1 측벽부(114)의 상부면은 평면부(112)의 하부면 가장자리 를 따라 결합된다. 여기서, 제 1 측벽부(114)의 내측에는 평면부(112)의 하부에 결합된 회전축(210)이 배치되며, 제 1 측벽부(114)의 내측벽은 회전축(210)의 측부와 이격 배치된다. 제 1 측벽부(114)의 하부에는 중심 영역이 상하 절개된 사각 플레이트 형상의 제 2 측벽부(116)가 마련되며, 제 2 측벽부(116)의 상부면은 제 1 측벽부(114)의 하부면 가장자리를 따라 결합된다. 여기서, 제 2 측벽부(116)의 내측벽들 사이의 거리(D1)는 제 1 측벽부(114)의 내측벽들 사이의 거리(D3)보다 크게 형성된다. 즉, 제 2 측벽부(116)의 내측에는 가스 분사부(200)의 인젝터가 배치되며, 제 2 측벽부(116)의 내측벽은 인젝터(220)의 측부와 이격되도록 배치된다. 여기서, 제 2 측벽부(116)의 내측벽들 사이(D1)의 거리는 인젝터(220)가 회전할 때, 인젝터(220)의 측부와 간섭되지 않도록 회전하는 인젝터(220)의 직경에 따라 변경될 수 있으며, 바람직하게는 인젝터(220)의 측부와 간섭되지 않는 한도 내에서 제 2 측벽부(116)의 내측벽들 사이의 거리(D1)가 가장 가깝게 형성되는 것이 바람직하다. 여기서, 평면부(112), 제 1 측벽부(114) 및 제 2 측벽부(116)는 나사 등과 같은 결합 수단에 의해 결합될 수 있으며, 접착 부재에 의해 결합될 수 있음은 물론이다.
하부 챔버(120)는 챔버 리드(110)의 하부 구체적으로는 제 2 측벽부(116)의 하부면과 결합되며, 바닥부(122)와, 상기 바닥부(122)의 상부에 마련된 수직부(124)를 포함한다. 바닥부(122)는 사각 기판(G)의 형상에 대응하는 사각 플레이트 형상으로 형성되고, 바닥부(122)의 상부면 중심부에는 기판 지지부(300)의 구동 부재(320)가 연결된다. 바닥부(122)의 상부에는 중심 영역이 상하 관통된 사각 플 레이트 형상의 수직부(124)가 마련되며, 수직부(124)는 바닥부(122)의 상부면 가장자리를 따라 결합된다. 여기서, 수직부(124)의 내측에는 기판 지지부(300)가 배치되고, 수직부(124)의 내측벽은 지지대(310)의 측부와 소정 간격 이격되도록 배치된다. 여기서, 수직부(124)의 내측벽들 사이에 마련된 지지대(310)의 대향하는 면의 길이는 챔버 리드(110)의 제 2 측벽부(116)의 내측벽들 사이에 마련된 인젝터(220)의 길이보다 작으며, 이에 의해 지지대(310)의 측부에 이격 배치된 수직부(124)의 내측벽들 사이의 거리(D2)는 인젝터(220)의 측부에 이격 배치된 제 2 측벽부(116)의 내측벽들 사이의 거리(D1)보다 작도록 형성될 수 있다. 여기서, 기판 지지부(300)의 구동 부재(320)와 이격 배치된 수직부(124)의 내측벽들 사이의 거리는 구동 부재(320)의 측부와 최소한의 거리로 이격되도록 지지대(124)의 측부와 이격 배치된 수직부(124)의 내측벽들 사이의 거리보다 작도록 형성할 수 있으며, 이때, 바닥부(122)에 형성되는 배기구(140)를 덮지 않도록 형성하는 것이 바람직하다. 여기서, 바닥부(122)와 수직부(124)는 나사 등과 같은 결합 수단에 의해 결합될 수 있으며, 접착 부재에 의해 결합될 수 있음은 물론이다.
종래에는 챔버의 내부 공간을 지지대의 크기보다 크게 형성된 인젝터의 크기에 대응하도록 챔버의 내부 공간을 형성함으로써, 챔버의 내부 용량이 커지게 되었으며, 이에 의해 챔버 내에 불필요한 공간이 많이 생겼다. 상기와 같이 챔버 내의 불필요한 공간은 챔버 내로 분사되는 반응 가스의 양을 증가시켰으며, 내부 공간이 커진 챔버 내에 진공을 형성하기가 쉽지 않은 문제점이 발생되었다.
이와 대조적으로 본 발명은 인젝터가 수납되는 챔버 리드의 내측벽 사이의 거리를 지지대가 배치되는 하부 챔버의 내측벽 사이의 거리와 서로 상이하게 구성함으로써, 서로 다른 크기를 가지는 인젝터와 지지대에 대응하도록 챔버의 내부 공간을 형성하였다. 이로부터 챔버 내의 내부 공간을 최소화시켰으며, 챔버 내에 불필요한 공간을 제거할 수 있었다. 따라서, 내부 공간이 최소화된 챔버 내에 분사되는 반응 가스의 양을 최소화시킬 수 있으며, 이에 의해 공정 원가를 낮출 수 있는 효과가 있었다. 또한, 용량이 작은 진공 펌프를 사용하여 내부 공간이 최소화된 챔버 내에 진공을 쉽게 형성할 수 있는 효과가 있다.
상기에서는 설명의 편의상 챔버 리드(110) 및 하부 챔버(120)의 각각의 구성을 분리하여 설명하였지만, 각각을 이루고 있는 구성품이 일체로 형성될 수 있음은 물론이다. 또한, 챔버 리드(110)와 하부 챔버(120) 각각의 구성품이 일체로 형성된다면, 도 4에 도시된 방법으로 챔버 리드(110)와 하부 챔버(120)의 내부 공간을 형성할 수 있다.
먼저, 챔버 리드(110) 및 하부 챔버(120)에 내부 공간을 형성하기 위해 도 4a에 도시된 바와 같이, 사각 박스 형상의 챔버 리드(110)와 하부 챔버(120)를 준비한다. 이어서, 챔버 리드(110)와 하부 챔버(120)의 대면하는 면에 내측으로 오목한 홈을 형성하도록 챔버 리드(110) 및 하부 챔버(120)의 대면하는 면을 사각으로 파내 도 4b에 도시된 바와 같이, 일면이 개방된 사각 박스 형상으로 형성한다. 이때, 하부 챔버(120)의 내측벽들 사이에는 기판 지지부(300)가 배치될 수 있도록 하부 챔버(120)의 내측벽들 사이의 거리를 지지대(310)의 크기보다 약간 더 크게 형성한다. 이어서, 가스 분사부(200)의 인젝터(220)가 배치되는 챔버 리드(110)의 내 측벽을 챔버 리드(110)의 외측을 향해 소정 면적을 절개하여 인젝터(220)가 수납되도록 챔버 리드(110)를 도 4c에 도시된 바와 같이 형성한다. 이어서, 상기와 같이 제조된 챔버 리드(110)와 하부 챔버(120)를 결합시켜 내부에 처리 공간이 마련된 챔버(100)를 형성한다.
본 발명에 따른 챔버는 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이 구성될 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 챔버(400)는 챔버 리드(410)와, 상기 챔버 리드(410)의 하부에 마련된 하부 챔버(420)를 포함한다. 챔버 리드(410)는 하부가 개방된 사각 박스 형상으로 형성되고, 챔버 리드(410)의 하부에는 하부 챔버(420)가 결합된다. 여기서, 하부 챔버(420)는 상부가 개방된 박스 형상으로 형성되고, 하부 챔버(420)의 외측면을 따라 소정 부분이 절개되어 형성된다. 여기서, 하부 챔버(420)의 외측면은 일체로 절개될 수 있으며, 일부를 절개하여 하부 챔버(420)의 외벽이 요철형으로 형성될 수 있다.
즉, 하부 챔버(420)는 상부가 개방된 박스 형상으로 형성되고, 하부 챔버(420)의 상부면은 하부 챔버(420)의 외측을 향해 절곡된 형상을 가진다. 여기서, 하부 챔버(420)의 내측벽들 사이의 거리는 챔버 리드(410)의 내측벽들 사이의 거리보다 짧게 형성된다.
이러한 챔버(400)를 형성하기 위해 도 6에 도시된 바와 같이, 먼저, 도 6a에 도시된 바와 같이, 사각 박스 형상의 챔버 리드(410)와 하부 챔버(420)를 준비한다. 이어서, 챔버 리드(410)와 하부 챔버(420)의 대면하는 면을 사각으로 파내 도 6b에 도시된 바와 같이, 일면이 개방된 사각 박스 형상으로 형성한다. 챔버 리 드(410)의 내측벽들 사이에는 가스 분사부(200)가 배치되며, 하부 챔버(420)의 내측벽들 사이에는 기판 지지부(300)가 배치된다. 여기서, 하부 챔버(420)의 내측벽들 사이의 거리는 챔버 리드(410)의 내측벽들 사이의 거리보다 작게 형성한다. 이어서, 하부 챔버(420)의 외측면을 따라 소정 간격을 절개하여 하부 챔버(420)의 상부면이 챔버(400)의 외측을 향해 절곡된 형상을 가지도록 형성한다.
상기와 같은 구성은 챔버(400)의 내부 공간을 최소화시키면서, 챔버(400)를 경량화시킬 수 있는 효과가 있다.
이하에서는 도 1을 참조하여, 본 발명에 따른 기판처리장치의 동작을 살펴본다.
먼저, 기판(S)이 챔버 리드(110)의 측벽에 형성된 기판 출입구(130)를 거쳐 챔버(100) 내에 인입되면, 챔버(100) 내에 인입된 기판(S)은 지지대(310)의 상부면에 안착된다. 이어서, 구동 부재(320)는 기판(S)을 증착 위치로 배치하도록 기판(S)이 안착된 지지대(310)를 상승시킨다. 여기서, 기판(S)의 증착 위치는 하부 챔버(120)의 상부 수평면 보다 높은 위치에 배치될 수 있다. 이때, 지지대(310)의 내측에 마련된 가열 부재(312)에 의해 지지대(310)에 안착된 기판(S)에 소정의 열을 가해 일정한 온도를 유지시킨다. 이후, 하부 챔버(120)의 하부에 마련된 배기구(140) 및 배기 장치(150)에 의해 챔버(100) 내에 공정 분위기를 조성하고, 가스 공급부(230)로부터 증착용 반응 가스를 가스 분사부(200)에 공급한다. 이와 동시에 가스 분사부(200)의 인젝터(220)는 회전축(210)에 의해 수평으로 회전하게 되고, 가스 분사부(200)에 공급된 반응 가스를 기판(S)의 상부면을 향해 분사함으로써, 기판(S)의 상부면에 원하는 박막을 형성하여 증착을 마친다. 여기서, 챔버(100)는 내부 공간이 최소한의 공간만 남도록 제조하였기 때문에 공정 시 사용되는 증착용 반응 가스가 분사되는 양을 줄일 수 있으며, 챔버(100) 내에 진공을 형성할 경우, 용량이 작은 배기 장치를 사용하여 단시간 내에 챔버(100) 내에 진공을 형성할 수 있는 효과가 있다.
상기에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명은 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음은 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치를 나타낸 개략 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 기판처리장치를 나타낸 수평 절단면도.
도 3은 본 발명에 따른 기판처리장치의 챔버의 구조를 나타낸 개략 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 챔버의 구조를 형성하는 방법을 나타낸 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 챔버의 변형예를 나타낸 단면도.
도 6은 본 발명의 변형예에 따른 챔버의 구조를 형성하는 방법을 나타낸 단면도.
< 도면 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100: 챔버 110: 챔버 리드
120: 하부 챔버 210: 회전축
220: 인젝터 300: 기판 지지부
310: 지지대 320: 구동 부재

Claims (5)

  1. 챔버와,
    상기 챔버 내에 마련되어 반응 가스를 분사하는 인젝터와, 상기 인젝터를 회전시키는 회전축을 포함하는 가스 분사부와,
    상기 가스 분사부와 대향 마련되어 서로 대면하는 면의 수평 길이가 가스 분사부의 회전 반경보다 작은 지지대를 포함하고,
    상기 지지대의 측부와 이격된 챔버 내측벽들 사이의 길이는 인젝터의 측부와 이격된 챔버 내측벽들 사이의 길이보다 작은 기판처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 챔버는 챔버 리드와, 상기 챔버 리드의 하부에 마련된 하부 챔버를 포함하는 기판처리장치.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 챔버 리드는 평면부와, 상기 평면부의 하부면 가장자리를 따라 결합되는 제 1 측벽부와, 상기 제 1 측벽부의 하부면 가장자리를 따라 결합되는 제 2 측벽부를 포함하고, 제 2 측벽부의 내측벽은 인젝터의 측부와 이격 배치되는 기판처리장치.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 하부 챔버는 바닥부와, 상기 바닥부의 상부면 가장자리를 따라 결합되는 수직부를 포함하고, 수직부의 내측벽은 지지대의 측부와 이 격 배치되는 기판처리장치.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 수직부의 상부면 일부는 하부 챔버의 외측을 향해 절곡 형성되는 기판처리장치.
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