KR20110116901A - 서셉터 회전장치 및 이를 이용한 화학기상 증착장치 - Google Patents

서셉터 회전장치 및 이를 이용한 화학기상 증착장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20110116901A
KR20110116901A KR1020100036573A KR20100036573A KR20110116901A KR 20110116901 A KR20110116901 A KR 20110116901A KR 1020100036573 A KR1020100036573 A KR 1020100036573A KR 20100036573 A KR20100036573 A KR 20100036573A KR 20110116901 A KR20110116901 A KR 20110116901A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
susceptor
magnetic bodies
chamber
rotating
support
Prior art date
Application number
KR1020100036573A
Other languages
English (en)
Inventor
이창엽
Original Assignee
엘아이지에이디피 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘아이지에이디피 주식회사 filed Critical 엘아이지에이디피 주식회사
Priority to KR1020100036573A priority Critical patent/KR20110116901A/ko
Publication of KR20110116901A publication Critical patent/KR20110116901A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

피드스로를 구성하지 않고 챔버의 기밀을 유지시키며 서셉터를 회전시키도록 한 서셉터 회전장치 및 이를 이용한 화학기상 증착장치가 개시된다.
서셉터 회전장치는 챔버의 내벽과 상기 서셉터의 사이에 배치되어 상기 서셉터를 지지하는 지지판;상기 지지판으로부터 대향되어 상기 챔버의 외측에 배치되는 회전판;서로 이웃하는 극성이 반대의 극성을 가지도록 배치되어 상기 지지판에 결합되는 복수의 제1 자성체;복수의 상기 제1 자성체에 대향되고, 서로 이웃하는 극성이 반대의 극성을 가지도록 배치되어 상기 회전판에 결합되는 제2 자성체; 및 상기 회전판을 회전시키는 회전모터;를 포함한다.

Description

서셉터 회전장치 및 이를 이용한 화학기상 증착장치{Apparatus for rotating suscepter and apparatus for chemical vapor deposition using the same}
본 발명은 화학기상 증착장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 더욱 상세하게는 Ⅲ-V족 재료를 이용하여 질화물 층을 기판 상에 형성하는 데 사용되는 서셉터 회전장치 및 이를 이용한 화학기상 증착장치에 관한 것이다.
질화물 재료는 발광소자를 제조하기 위한 재료로 가장 잘 알려진 것이다. 질화물 재료를 이용한 발광소자의 적층구조는 일반적으로 사파이어와 같은 기판 상에 GaN 결정으로 이루어지는 버퍼층과, n형 GaN 결정으로 이루어지는 n형 도핑층과, InGaN 으로 이루어지는 활성층과, p형 GaN으로 형성되는 p형 도핑층이 순차적으로 적층된 구조로 되어 있다. 그리고 각각의 층은 화학기상 증착장치에서 차례로 적층된다.
도 1은 종래의 화학기상 증착장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 화학기상 증착장치(100)는 처리공간(111)을 제공하는 챔버(110), 원료가스와 캐리어가스가 혼합된 공정가스(G)를 챔버(110) 내부로 분사하는 샤워헤드(120) 및 샤워헤드(120)에 대향되어 기판(10)을 지지하는 서셉터(130)를 포함한다.
이러한 화학기상 증착장치(100)는 샤워헤드(120)를 통해 처리공간(111)으로 공정가스(G)를 분사하고, 서셉터(130)에 지지되는 기판(10) 상에 원료물질이 증착되도록 하여 기판(10)에 각 층을 성장한다. 이때, 복수의 기판(10)에 동일한 층을 성장시키며, 각 기판(10) 상에 성장되는 층의 두께를 균일하게 하기 위해서는 서셉터(130)를 회전시키며 증착공정을 수행한다.
이에 따라 종래의 화학기상 증착장치(100)는 챔버(110)의 외부에 회전모터(140)를 배치하고 회전모터(140)의 회전축이 챔버(110)의 하부벽을 관통하여 서셉터(130)를 지지하고 서셉터(130)를 회전시키도록 구성된다.
이와 같이 회전축이 챔버(110)의 하부벽을 관통함에 따라 챔버(110)의 하부벽과 회전축 사이의 기밀을 유지시키기 위해 피드스로(feedthrogh)를 설치한다. 특히, 화학기상 증착장치(100)는 챔버(110)의 고진공 상태가 요구되므로, 피드스로(150)는 내부에 자성을 띄는 유체인 자성유체씰(Ferro Fluids Seal)이 설치된다.
자성유체씰(151)은 정지되어있는 자석과 회전축사이의 간극에 주입된 자성유체가 자극(Stationary poles)과 회전축에 의해 형성된 자기장에 의해 일종의 액상 오링(O-ring)을 형성함으로써 씰링(sealing)작용 하는 것으로, 현재 고진공과 완벽한 씰링이 가능한 회전용 씰은 자성유체씰(151)이 유일하다.
하지만, 자성유체씰(151)은 일반 오링에 비해 고가이며, 챔버(110)의 하부벽에 관통홀을 형성하는 데 소비되는 가공비용으로 인한 설비투자비용이 증가되는 문제점이 있다.
또한, 자성유체씰(151)은 회전모터(140)의 회전축에 접촉되므로, 회전모터(140)의 회전속도에 간섭되어 일정 속도 이상으로 회전속도를 내기가 곤란한 문제점이 있다.
또한, 공정가스가 피드스로(150)의 내부로 유입됨에 따라 자성유체씰(151)은 그 수명이 단축되어 교체시기가 빈번하며, 피드스로(150)의 유지, 보수, 관리에 번거로운 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 피드스로를 구성하지 않고 챔버의 기밀을 유지시키며 서셉터를 회전시키도록 한 서셉터 회전장치 및 이를 이용한 화학기상 증착장치를 제공하기 위한 것이다.
서셉터 회전장치는 챔버의 내벽과 상기 서셉터의 사이에 배치되어 상기 서셉터를 지지하는 지지판;상기 지지판으로부터 대향되어 상기 챔버의 외측에 배치되는 회전판;서로 이웃하는 극성이 반대의 극성을 가지도록 배치되어 상기 지지판에 결합되는 복수의 제1 자성체;복수의 상기 제1 자성체에 대향되고, 서로 이웃하는 극성이 반대의 극성을 가지도록 배치되어 상기 회전판에 결합되는 복수의 제2 자성체; 및 상기 챔버의 외측에 배치되어 상기 회전판을 회전시키는 회전모터;를 포함할 수 있다.
복수의 상기 제1 자성체 및 복수의 상기 제2 자성체는 상기 회전모터의 회전축과 동심을 이루는 가상의 각 동심원 상에 각각 배치될 수 있다.
복수의 상기 제1 자성체 및 복수의 상기 제2 자성체는 각각 동일한 간격으로 이격될 수 있다.
상기 서셉터를 향한 상기 지지판의 일면에는 상기 서셉터를 지지하는 지지축이 결합되며, 상기 회전판을 향한 상기 지지판의 이면에는 복수의 상기 제1 자성체가 수용되는 복수의 제1 수용홈이 형성되며, 상기 지지판을 향한 상기 회전판의 일면에는 복수의 상기 제2 자성체가 수용되는 복수의 제2 수용홈이 형성되며, 복수의 상기 제1 자성체와 복수의 상기 제2 자성체는 복수의 상기 제1 수용홈과 복수의 상기 제2 수용홈에 각각 함입될 수 있다.
상기 서셉터 회전장치는 상기 챔버의 내벽에 결합되어 상기 지지판의 일면 및 이면을 구름지지하는 제1 베어링; 및 상기 챔버의 외벽에 결합되어 상기 회전판의 일면 및 이면을 구름지지하는 제2 베어링을 더 포함할 수 있다.
복수의 상기 제1 자성체 및 복수의 상기 제2 자성체는 네오디움 자석일 수 있다.
한편, 화학기상 증착장치는 기밀이 유지되는 기판의 처리공간을 제공하는 챔버;상기 처리공간의 일측에 배치되어 상기 처리공간으로 공정가스를 분사하는 샤워헤드;상기 샤워헤드에 대향되는 상기 처리공간의 타측에 배치되어 상기 기판을 지지하는 서셉터;상기 챔버의 내벽과 상기 서셉터의 사이에 배치되어 상기 서셉터를 지지하는 지지판;상기 지지판으로부터 대향되어 상기 챔버의 외측에 배치되는 회전판;서로 이웃하는 극성이 반대의 극성을 가지도록 배치되어 상기 지지판에 결합되는 복수의 제1 자성체;복수의 상기 제1 자성체에 대향되고, 서로 이웃하는 극성이 반대의 극성을 가지도록 배치되어 상기 회전판에 결합되는 복수의 제2 자성체;및상기 챔버의 외측에 배치되어 상기 회전판을 회전시키는 회전모터;를 포함한다.
복수의 상기 제1 자성체 및 복수의 상기 제2 자성체는 상기 회전모터의 회전축과 동심을 이루는 가상의 각 동심원 상에 각각 배치될 수 있다.
복수의 상기 제1 자성체 및 복수의 상기 제2 자성체는 각각 동일한 간격으로 이격될 수 있다.
상기 지지판의 이면에는 복수의 상기 제1 자성체가 수용되는 복수의 제1 수용홈이 형성되며, 상기 회전판의 일면에는 복수의 상기 제2 자성체가 수용되는 복수의 제2 수용홈이 형성되며, 복수의 상기 제1 자성체와 복수의 상기 제2 자성체는 복수의 상기 제1 수용홈과 복수의 상기 제2 수용홈에 각각 함입될 수 있다.
상기 화학기상 증착장치는 상기 챔버의 내벽에 결합되어 상기 지지판의 일면 및 이면을 구름지지하는 제1 베어링; 및 상기 챔버의 외벽에 결합되어 상기 회전판의 일면 및 이면을 구름지지하는 제2 베어링을 더 포함할 수 있다.
복수의 상기 제1 자성체 및 복수의 상기 제2 자성체는 네오디움 자석일 수 있다.
본 발명에 따른 서셉터 회전장치 및 이를 이용한 화학기상 증착장치는 설비투자비용이 절감되는 효과가 있다.
본 발명에 따른 서셉터 회전장치 및 이를 이용한 화학기상 증착장치는 서셉터의 회전속도에 자유로운 효과가 있다.
본 발명에 따른 서셉터 회전장치 및 이를 이용한 화학기상 증착장치는 설비의 유지, 보수, 관리가 간편한 효과가 있다.
도 1은 종래의 화학기상 증착장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치를 간략하게 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치 중 서셉터와 서셉터 회전부를 나타낸 분해사시도이다.
이하, 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
이하, 본 실시예에 따른 서셉터 및 이를 이용한 화학기상 증착장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
도 2는 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치를 간략하게 나타낸 단면도이며, 도 3은 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치 중 서셉터와 서셉터 회전부를 나타낸 분해사시도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 화학기상 증착장치(200)는 기판(10)의 처리공간(211)을 제공하는 챔버(210)를 포함한다. 처리공간(211)의 상부에는 샤워헤드(220)가 배치되며, 처리공간(211)의 하부에는 서셉터(230)가 배치된다.
챔버(210)는 처리공간(211)의 기밀이 유지되도록 구성되되, 기판(10)의 출입이 가능하게 마련되는 구성되는 것이 바람직하다. 즉, 챔버(210)는 상부챔버(212)와 하부챔버(213)로 분리되어 상부챔버(212)와 하부챔버(213) 중 어느 하나가 나머지 하나에 대해 승강가능하게 설치되어 처리공간(211)의 개폐가 가능하도록 구성된다. 도시되지 않았지만, 다른 실시예로 챔버(210)는 일측벽에 개구부가 형성되고 개구부에 게이트밸브를 설치하여 기판(10)의 출입이 가능하게 구성될 수 있다.
그리고 챔버(210)의 외부에는 처리공간(211)의 진공배기를 수행하는 진공펌프(240)가 배치되며, 챔버(210)의 하부벽에는 진공펌프(240)로부터 연장되는 배기관(250)이 관통하여 처리공간(211)에 연통된다.
샤워헤드(220)는 챔버(210)의 외부로부터 공급되는 공정가스(G)를 처리공간(211)으로 분사하는 것으로, 챔버(210)의 상부벽을 관통하는 공급관(221)에 연통되고 처리공간(211)을 향해 개구되는 복수의 분사구(222)가 형성된다. 이러한 샤워헤드(220)는 공정가스(G)를 처리공간(211)으로 균일하게 분사되도록 한다.
샤워헤드(220)를 통해 처리공간(211)으로 분사되는 공정가스(G)에는 Ⅲ족 가스(트리메탈갈륨(Trimethyl-gallium;TMGa), 트리메탈인듐(Trimethyl-Indium;TMI), 트리메탈알루미늄(Trimethyl-aluminium;TMA) 가스 중 어느 하나가 포함될 수 있으며, Ⅴ족 가스(암모니아(NH3) 가스)가 포함될 수 있다.
따라서 공급관(221)은 Ⅲ족 가스가 포함된 공정가스(G)와 Ⅴ족 가스가 포함된 공정가스(G)를 각각 별도의 경로로 샤워헤드(220)로 공급하기 위해 복수개로 마련되며, 샤워헤드(220)는 Ⅲ족 가스가 포함된 공정가스(G)와 Ⅴ족 가스가 포함된 공정가스(G)를 각각 별도의 경로로 처리공간(211)으로 분사하기 위한 복층구조를 가질 수 있다.
서셉터(230)의 상면에는 기판(10)이 수용되는 지지홈(231)이 형성된다. 지지홈(231)은 서셉터(230)에 복수의 기판(10)을 함께 지지하도록 복수개로 형성될 수 있다. 도시되지 않았지만, 지지홈(231)에는 진공력에 의해 기판(10)을 지지하는 진공척, 정전력에 의해 기판(10)을 지지하는 정전척, 점착력에 의해 기판(10)을 지지하는 점착척 등과 같은 기판 지지수단이 설치되어 지지홈(231)에 안치된 기판(10)을 보다 안정적으로 지지하는 것이 바람직하다. 진공척, 정전척 및 점착척은 이미 널리 알려진 공지의 기술이므로 상세한 설명은 생략하도록 한다.
그리고 도시되지 않았지만, 챔버(210)의 내벽과 서셉터(230)의 내부에는 각각 히터가 설치되는 것이 바람직하다. 챔버(210)의 내벽에 설치되는 히터는 처리공간(211)을 가열하고, 서셉터(230)의 내부에 설치되는 히터는 서셉터(230)를 가열함으로써 가열된 서셉터(230)에 의해 기판(10)이 가열되도록 한다.
한편, 서셉터(230)의 하측에는 서셉터(230)를 회전시키는 서셉터 회전부(260)가 배치된다.
서셉터 회전부(260)는 서셉터(230)와 챔버(210) 내벽의 사이에 배치되는 지지판(261)을 포함한다. 서셉터(230)는 일단부가 서셉터(230)의 중심부에 결합되고, 타단부가 지지판(261)의 일면 중심부에 결합는 지지축(262)에 의해 지지판(261)에 지지된다. 도 2 및 도 3에서 지지축(262)은 하나로 마련되어 서셉터(230)의 중심부와 지지판(261)의 중심부를 연결하는 것으로 도시하고 있지만, 서셉터(230)의 회전시 편심되지 않도록 서로 대칭되게 서셉터(230)의 테두리부와 지지판(261)의 테두리부를 연결하도록 복수개로 마련될 수 있다.
지지판(261)의 이면에는 복수의 제1 수용홈(261a)이 형성된다. 복수의 제1 수용홈(261a)에는 복수의 제1 자성체(263)가 함입된다. 복수의 제1 자성체(263)는 서로 이웃하는 극성이 반대의 극성을 가지도록 배치된다.
그리고 서셉터 회전부(260)는 지지판(261)으로부터 대향되어 챔버(210)의 외측에 배치되는 회전판(265)을 포함한다. 지지판(261)을 향한 회전판(265)의 일면에는 복수의 제2 수용홈(265a)이 형성된다. 복수의 제2 수용홈(265a)에는 복수의 제2 자성체(266)가 함입된다. 복수의 제2 자성체(266)는 서로 이웃하는 극성이 반대의 극성을 가지도록 배치된다.
복수의 제1 자성체(263) 및 복수의 제2 자성체(266)는 네오디움 자석으로 마련되는 것이 바람직하다. 네오디움 자석은 일반 영구자석에 비해 자성이 강하며, 공정가스에 화학적으로 적게 잔응하는 장점이 있다.
그리고 서셉터 회전부(260)는 회전판(265)의 하부에 배치되어 회전판(265)을 회전시키는 회전모터(267)를 포함하며, 회전판(265)은 회전모터(267)의 회전축에 의해 지지된다.
이와 같이 구성되는 서셉터 회전부(260)는 회전모터(267)가 회전판(265)을 회전시킴에 따라 복수의 제1 자성체(263)와 복수의 제2 자성체(266)의 자기력에 의해 지지판(261)이 회전되도록 하여 서셉터(230)를 회전시킨다.
따라서, 회전판(265) 및 지지판(261)은 챔버(210)의 내, 외벽에 간섭되지 않고 원활하게 회전되도록 챔버(210)의 내, 외벽으로부터 이격되도록 설치되는 것이 바람직하다. 즉, 챔버(210)의 내벽에는 지지판(261)의 일면 및 이면을 구름지지하는 제1 베어링(264)이 설치되며, 챔버(210)의 외벽에는 회전판(265)의 일면 및 이면을 구름지지하는 제2 베어링(268)이 설치된다.
그리고 회전모터(267)에 의해 회전판(265)이 회전됨에 따라 지지판(261)에 편심이 발생되지 않도록, 복수의 제1 자성체(263) 및 복수의 제2 자성체(266)는 회전모터(267)의 회전축과 동심을 이루는 가상의 각 동심원 상에 각각 배치되는 것이 바람직하다.
그리고 회전모터(267)에 의해 회전판(265)이 회전됨에 따라 지지판(261)에 정확한 회전비가 전달되도록, 복수의 제1 자성체(263) 및 복수의 제2 자성체(266)는 각각 동일한 간격으로 이격되는 것이 바람직하다.
이하, 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 작동에 대해 설명하도록 한다.
먼저, 기판(10)은 챔버(210)의 내부로 반입되어 서셉터(230)에 안치된다. 즉, 기판(10)은 지지홈(231)에 수용되고, 기판 지지수단(미도시)에 의해 지지홈(231) 내부에 견고하게 지지된다. 이때, 복수의 기판에는 동일한 층을 함께 증착할 수 있도록, 서셉터(230)에는 복수의 기판이 함께 지지될 수 있다. 이와 같이 기판(10)이 서셉터(230)에 안치되면 처리공간(211)은 밀폐된다.
계속해서, 히터(미도시)에 의해 챔버(210)의 내벽과 서셉터(230)가 가열되며, 공정가스(G)는 공급관(221)을 통해 샤워헤드(220)로 공급된다. 공급가스(G)는 샤워헤드(220)의 내부에서 확산되며, 샤워헤드(220)를 통해 처리공간(211)으로 분사된다.
이와 함께 진공펌프(240)는 배기관(250)을 통해 챔버(210) 내부를 진공 배기시킨다. 공정가스(G)는 샤워헤드(220)에 의한 분사력에 진공펌프(240)의 진공배기력이 더해져 서셉터(230)에 지지되는 기판(10)으로 원활하게 전송되며, 공정가스(G)에 포함된 원료물질은 기판(10)의 표면에 반응하여 기판(10) 상에 증착된다.
이때, 서셉터(230)에 지지되는 복수의 기판(10)에 형성되는 동일한 층을 성장시키며, 각 기판(10) 상에 성장되는 각 층의 두께를 균일하게 하기 위해 서셉터 회전부(260)는 서셉터(230)를 회전시킨다. 즉, 회전모터(267)는 회전판(265)을 회전시키고, 회전판(265)의 회전에 따라 지지판(261)이 회전됨으로써 서셉터(230)는 회전된다.
좀 더 상세하게, 회전판(265)의 회전에 따라 복수의 제2 자성체(266)가 함께 회전된다. 상술한 바와 같이 복수의 제2 자성체(266)와 복수의 제2 자성체(266)는 각각 서로 이웃하는 극성이 반대의 극성을 가지도록 배치되어 있다. 따라서 회전되는 복수의 제2 자성체(266)에서는 서로 반대 극성의 자기력이 교번되어 발생되고, 복수의 제1 자성체(263)는 복수의 제2 자성체(266)로부터 발생되는 극성 중 같은 극성에 대해 밀어내는 힘을 힘을 발생시키며, 반대 극성에 대해서는 당기는 힘을 발생시킨다.
이와 같이 서셉터 회전부(260)는 자기력에 의해 서셉터(230)를 회전시킴으로써, 회전모터(267)의 회전축을 챔버(210)에 관통시키지 않고도 서셉터(230)를 회전시킬 수 있다. 따라서 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치(200)는 설비투자비용을 절감할 수 있으며, 서셉터(230)의 회전속도에 자유로울 수 있다. 또한, 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치(200)는 설비를 간편하게 유지, 보수, 관리할 수 있다.
한편, 상술된 서셉터 회전부(260)는 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치(200) 이외에, 기판(10)을 회전시키며 기판(10)에 소정의 처리를 가하는 장치(예를 들어, 기판 식각장치 등)에 사용될 수 있다.

Claims (12)

  1. 기밀이 유지되는 챔버의 내부에 배치되어 기판을 지지하는 서셉터를 회전시키는 서셉터 회전장치에 있어서,
    상기 챔버의 내벽과 상기 서셉터의 사이에 배치되어 상기 서셉터를 지지하는 지지판;
    상기 지지판으로부터 대향되어 상기 챔버의 외측에 배치되는 회전판;
    서로 이웃하는 극성이 반대의 극성을 가지도록 배치되어 상기 지지판에 결합되는 복수의 제1 자성체;
    복수의 상기 제1 자성체에 대향되고, 서로 이웃하는 극성이 반대의 극성을 가지도록 배치되어 상기 회전판에 결합되는 제2 자성체;및
    상기 챔버의 외측에 배치되어 상기 회전판을 회전시키는 회전모터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 서셉터 회전장치.
  2. 제1 항에 있어서, 복수의 상기 제1 자성체 및 복수의 상기 제2 자성체는 상기 회전모터의 회전축과 동심을 이루는 가상의 각 동심원 상에 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 서셉터 회전장치.
  3. 제1 항에 있어서, 복수의 상기 제1 자성체 및 복수의 상기 제2 자성체는 각각 동일한 간격으로 이격되는 것을 특징으로 하는 서셉터 회전장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 서셉터를 향한 상기 지지판의 일면에는 상기 서셉터를 지지하는 지지축이 결합되며,
    상기 회전판을 향한 상기 지지판의 이면에는 복수의 상기 제1 자성체가 수용되는 복수의 제1 수용홈이 형성되며,
    상기 지지판을 향한 상기 회전판의 일면에는 복수의 상기 제2 자성체가 수용되는 복수의 제2 수용홈이 형성되며,
    복수의 상기 제1 자성체와 복수의 상기 제2 자성체는 복수의 상기 제1 수용홈과 복수의 상기 제2 수용홈에 각각 함입되는 것을 특징으로 하는 서셉터 회전장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 챔버의 내벽에 결합되어 상기 지지판의 일면 및 이면을 구름지지하는 제1 베어링; 및
    상기 챔버의 외벽에 결합되어 상기 회전판의 일면 및 이면을 구름지지하는 제2 베어링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 서셉터 회전장치.
  6. 제1 항에 있어서, 복수의 상기 제1 자성체 및 복수의 상기 제2 자성체는 네오디움 자석인 것을 특징으로 하는 서셉터 회전장치.
  7. 기밀이 유지되는 기판의 처리공간을 제공하는 챔버;
    상기 처리공간의 일측에 배치되어 상기 처리공간으로 공정가스를 분사하는 샤워헤드;
    상기 샤워헤드에 대향되는 상기 처리공간의 타측에 배치되어 상기 기판을 지지하는 서셉터;
    상기 챔버의 내벽과 상기 서셉터의 사이에 배치되어 상기 서셉터를 지지하는 지지판;
    상기 지지판으로부터 대향되어 상기 챔버의 외측에 배치되는 회전판;
    서로 이웃하는 극성이 반대의 극성을 가지도록 배치되어 상기 지지판에 결합되는 복수의 제1 자성체;
    복수의 상기 제1 자성체에 대향되고, 서로 이웃하는 극성이 반대의 극성을 가지도록 배치되어 상기 회전판에 결합되는 제2 자성체;및
    상기 챔버의 외측에 배치되어 상기 회전판을 회전시키는 회전모터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  8. 제7 항에 있어서, 복수의 상기 제1 자성체 및 복수의 상기 제2 자성체는 상기 회전모터의 회전축과 동심을 이루는 가상의 각 동심원 상에 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  9. 제7 항에 있어서, 복수의 상기 제1 자성체 및 복수의 상기 제2 자성체는 각각 동일한 간격으로 이격되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  10. 제7 항에 있어서,
    상기 지지판의 이면에는 복수의 상기 제1 자성체가 수용되는 복수의 제1 수용홈이 형성되며,
    상기 회전판의 일면에는 복수의 상기 제2 자성체가 수용되는 복수의 제2 수용홈이 형성되며,
    복수의 상기 제1 자성체와 복수의 상기 제2 자성체는 복수의 상기 제1 수용홈과 복수의 상기 제2 수용홈에 각각 함입되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  11. 제7 항에 있어서,
    상기 챔버의 내벽에 결합되어 상기 지지판의 일면 및 이면을 구름지지하는 제1 베어링;및
    상기 챔버의 외벽에 결합되어 상기 회전판의 일면 및 이면을 구름지지하는 제2 베어링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  12. 제7 항에 있어서, 복수의 상기 제1 자성체 및 복수의 상기 제2 자성체는 네오디움 자석인 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
KR1020100036573A 2010-04-20 2010-04-20 서셉터 회전장치 및 이를 이용한 화학기상 증착장치 KR20110116901A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100036573A KR20110116901A (ko) 2010-04-20 2010-04-20 서셉터 회전장치 및 이를 이용한 화학기상 증착장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100036573A KR20110116901A (ko) 2010-04-20 2010-04-20 서셉터 회전장치 및 이를 이용한 화학기상 증착장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110116901A true KR20110116901A (ko) 2011-10-26

Family

ID=45031118

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100036573A KR20110116901A (ko) 2010-04-20 2010-04-20 서셉터 회전장치 및 이를 이용한 화학기상 증착장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20110116901A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016182299A1 (ko) * 2015-05-11 2016-11-17 주성엔지니어링(주) 공정챔버 내부에 배치되는 기판 처리장치 및 그 작동방법
KR20170101988A (ko) * 2015-01-02 2017-09-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 처리 챔버
US10229849B2 (en) 2015-05-11 2019-03-12 Jusung Engineering Co., Ltd. Substrate processing apparatus arranged in process chamber and operating method thereof

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170101988A (ko) * 2015-01-02 2017-09-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 처리 챔버
WO2016182299A1 (ko) * 2015-05-11 2016-11-17 주성엔지니어링(주) 공정챔버 내부에 배치되는 기판 처리장치 및 그 작동방법
US10229849B2 (en) 2015-05-11 2019-03-12 Jusung Engineering Co., Ltd. Substrate processing apparatus arranged in process chamber and operating method thereof
US10818534B2 (en) 2015-05-11 2020-10-27 Jusung Engineering Co., Ltd. Substrate processing apparatus arranged in process chamber and operating method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20110116901A (ko) 서셉터 회전장치 및 이를 이용한 화학기상 증착장치
KR20150098456A (ko) 기판 처리 장치
KR20110116900A (ko) 서셉터 및 이를 이용한 화학기상 증착장치
KR101208005B1 (ko) 금속 유기물 화학기상 증착장치
KR101281124B1 (ko) 화학기상 증착장치
KR101139697B1 (ko) 화학기상 증착장치
KR101139696B1 (ko) 화학기상 증착장치
KR101226249B1 (ko) 피드 스루 및 이를 이용한 화학기상 증착장치
KR101340615B1 (ko) 화학기상 증착장치
KR101097160B1 (ko) 화학기상 증착장치
KR20120008795A (ko) 화학기상증착장치
KR102007866B1 (ko) 원자층 증착 장치 및 이를 이용한 원자층 증착 방법
KR101395206B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101369452B1 (ko) 화학기상 증착장치
KR20140102854A (ko) 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법
KR101473403B1 (ko) 샤워헤드 어셈블리 및 이를 갖는 화학기상 증착장치
KR101202437B1 (ko) 화학기상 증착장치
KR101543692B1 (ko) 기판 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101227673B1 (ko) 화학기상 증착장치
KR101929525B1 (ko) 가스 분사 장치
KR101543694B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101255646B1 (ko) 화학기상 증착장치
KR20140006646A (ko) 기판처리장치
KR20240007595A (ko) 가스 분사 장치, 기판 처리 장치 및 박막 증착 방법
KR101605716B1 (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment