KR20090070253A - Liquid crystal display device and driving method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 The present invention relates to a liquid crystal display device, in particular
정보화 사회의 발달로 인해, 정보를 표시할 수 있는 표시 장치가 활발히 개발되고 있다. 표시 장치는 액정표시장치(liquid crystal display device), 유기전계발광 표시장치(organic electro-luminescence display device), 플라즈마 표시장치(plasma display panel) 및 전계 방출 표시장치(field emission display device)를 포함한다.Due to the development of the information society, display devices capable of displaying information have been actively developed. The display device includes a liquid crystal display device, an organic electro-luminescence display device, a plasma display panel, and a field emission display device.
이 중에서, 액정표시장치는 경박 단소, 저 소비 전력 및 풀 컬러 동영상 구현과 같은 장점이 있어, 모바일 폰, 네비게이션, 모니터, 텔레비전에 널리 적용되고 있다.Among these, the liquid crystal display device has advantages such as light weight, small size, low power consumption, and full color video, and is widely applied to mobile phones, navigation, monitors, and televisions.
액정표시장치는 액정 패널 상의 액정셀들의 광 투과율을 조절함으로써 비디오신호에 해당하는 영상을 표시한다. The LCD displays an image corresponding to a video signal by adjusting the light transmittance of the liquid crystal cells on the liquid crystal panel.
도 1은 종래의 액정표시장치의 액정패널을 도시한 도면이다. 설명의 편의를 위해 도 1은 액정패널에 정의된 다수의 화소 영역들 중에서 하나의 화소 영역을 도 시하였다.1 is a view showing a liquid crystal panel of a conventional liquid crystal display device. For convenience of description, FIG. 1 illustrates one pixel area among a plurality of pixel areas defined in the liquid crystal panel.
액정패널은 제1 기판, 제2 기판 및 이들 기판들 사이에 게재된 액정층을 포함한다.The liquid crystal panel includes a first substrate, a second substrate, and a liquid crystal layer interposed between these substrates.
제1 기판은 도 1에 도시된 바와 같이, 화소 영역은 게이트라인(GL)과 데이터라인(DL)에 의해 정의된다. As illustrated in FIG. 1, the first substrate has a pixel area defined by a gate line GL and a data line DL.
박막트랜지스터(TFT)는 상기 게이트라인(GL)과 상기 데이터라인(DL)에 전기적으로 연결된다. 도시되지 않은 화소전극은 상기 박막트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결된다. 상기 화소전극과 전단의 게이트라인에 의해 스토리지 캐패시턴스(Cst)가 형성된다. 액정 캐패시턴스(Clc)는 상기 화소전극과 제2 기판에 형성된 공통전극(Vcom) 사이에 게재된 액정층에 형성된다.The thin film transistor TFT is electrically connected to the gate line GL and the data line DL. The pixel electrode, not shown, is electrically connected to the thin film transistor TFT. The storage capacitance Cst is formed by the pixel electrode and the gate line of the front end. The liquid crystal capacitance Clc is formed in the liquid crystal layer interposed between the pixel electrode and the common electrode Vcom formed on the second substrate.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 게이트라인(GL)으로 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL)이 공급된다. 상기 게이트 하이 전압(VGH)에 의해 상기 박막트랜지스터(TFT)가 턴온되고, 데이터라인(DL)으로 공급된 데이터 전압(Vd)이 화소전극을 경유하여 스토리지 캐패시턴스(Cst)에 충전된다.As shown in FIG. 2, a gate high voltage VGH and a gate low voltage VGL are supplied to the gate line GL. The thin film transistor TFT is turned on by the gate high voltage VGH, and the data voltage Vd supplied to the data line DL is charged to the storage capacitance Cst via the pixel electrode.
상기 게이트라인(GL)에는 상기 게이트 하이 전압(VGH)는 1 수평 기간(1H) 동안 공급되고, 1 수평 기판(1H) 이후에는 게이트 로우 전압(VGL)이 공급된다.The gate high voltage VGH is supplied to the gate line GL for one horizontal period 1H, and the gate low voltage VGL is supplied after one horizontal substrate 1H.
이러한 경우, 상기 게이트라인(GL)에 공급된 게이트 하이 전압(VGH)이 게이트 로우 전압(VGL)으로 전이될 때, 상기 박막트랜지스터(TFT)는 턴-오프(turn-off)되고 그 순간 상기 화소전극에 충전된 데이터 전압(Vd)은 상기 박막트랜지스터(TFT)의 게이트 전극과 소스전극 간에 발생된 기생 용량(Cgs)에 의해 킥백전압 (ㅿVp) 만큼 전압 강하된다. 이러한 킥백 전압은 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL) 사이의 전위차의 크기에 영향을 많이 받는다. 따라서, 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL) 사이의 전위차의 크기를 줄이는 것이 킥백전압(ㅿVp)을 줄이기 위해 필수적이다.In this case, when the gate high voltage VGH supplied to the gate line GL is transitioned to the gate low voltage VGL, the thin film transistor TFT is turned off and the pixel is instantaneously. The data voltage Vd charged in the electrode is dropped by the kickback voltage? Vp by the parasitic capacitance Cgs generated between the gate electrode and the source electrode of the thin film transistor TFT. This kickback voltage is greatly affected by the magnitude of the potential difference between the gate high voltage VGH and the gate low voltage VGL. Therefore, reducing the magnitude of the potential difference between the gate high voltage VGH and the gate low voltage VGL is essential to reduce the kickback voltage Vp.
종래의 액정표시장치는 이러한 킥백전압(ㅿVp)으로 인해 상기 액정패널 상에 표시되는 영상에 플리커 및 잔상이 발생되어 화질이 저하되는 문제점을 초래하게 된다.In the conventional liquid crystal display, flicker and residual images are generated in the image displayed on the liquid crystal panel due to the kickback voltage (Vp), resulting in a problem of deterioration in image quality.
본 발명은 제1 게이트 하이 전압보다 낮은 제2 게이트 하이 전압을 이격시켜 공급시켜 줌으로써, 킥백전압을 최소화하여 화질을 향상시킬 수 있는 액정표시장치 및 그 구동 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device and a method of driving the same, which can improve the image quality by minimizing the kickback voltage by supplying the second gate high voltage lower than the first gate high voltage.
본 발명의 제1 실시예에 따르면, 액정표시장치는, 액정패널; 상기 액정패널에 1수평 기간 단위로 하이 레벨을 갖는 제1 및 제2 게이트전압들을 이격시켜 공급하는 게이트 드라이버; 및 상기 액정패널에 데이터전압을 공급하는 데이터 드라이버를 포함하고, 상기 제2 게이트 전압은 상기 제1 게이트 전압보다 적어도 낮아질 수 있다.According to a first embodiment of the present invention, a liquid crystal display device includes: a liquid crystal panel; A gate driver spaced apart from each other and supplying the first and second gate voltages having a high level to the liquid crystal panel in units of one horizontal period; And a data driver for supplying a data voltage to the liquid crystal panel, wherein the second gate voltage may be at least lower than the first gate voltage.
본 발명의 제2 실시예에 따르면, 액정표시장치의 구동 방법은, 액정패널에 1 수평 기간 단위로 하이 레벨을 갖는 제1 및 제2 게이트전압들을 이격시켜 공급하는 단계; 및 상기 액정패널에 데이터전압을 공급하는 단계를 포함하고, 상기 제2 게이트 전압은 상기 제1 게이트 전압보다 적어도 낮아질 수 있다.According to a second exemplary embodiment of the present invention, a method of driving a liquid crystal display includes: supplying first and second gate voltages having a high level to a liquid crystal panel in units of one horizontal period; And supplying a data voltage to the liquid crystal panel, wherein the second gate voltage may be at least lower than the first gate voltage.
본 발명은 게이트라인으로 제1 게이트전압보다 낮은 제2 게이트전압을 이격시켜 공급하여 줌으로써, 킥백 전압을 최소화하여 화질을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, the second gate voltage lower than the first gate voltage is supplied to the gate line to be spaced apart, thereby minimizing the kickback voltage and improving image quality.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치를 도시한 블록도이다.3 is a block diagram illustrating a liquid crystal display according to the present invention.
도 3을 참조하면, 액정표시장치는 액정패널(50), 게이트전압 발생부(20), 게이트 드라이버(30), 데이터 드라이버(40) 및 타이밍 콘트롤러(10)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the LCD includes a
상기 액정패널(50)은 제1 기판, 제2 기판 및 상기 제1 및 제2 기판 사이에 게재된 액정층을 포함한다.The
상기 제1 기판은 다수의 게이트라인들(GL0 내지 GLn)과 다수의 데이터라인들(DL1 내지 DLm)이 교차하여 배치된다. 각 게이트라인(GL0 내지 GLn)과 각 데이터라인(DL1 내지 DLm)의 교차에 의해 화소 영역들이 정의될 수 있다.A plurality of gate lines GL0 to GLn and a plurality of data lines DL1 to DLm cross each other on the first substrate. Pixel regions may be defined by intersections of the gate lines GL0 to GLn and the data lines DL1 to DLm.
상기 각 게이트라인(GL0 내지 GLn)과 상기 각 데이터라인(DL1 내지 DLm)에 연결되어 박막트랜지스터(TFT)가 배치되고, 상기 박막트랜지스터(TFT)에 연결되어 화소전극이 배치된다. 상기 박막트랜지스터(TFT)와 상기 화소전극은 각 화소 영역에 배치될 수 있다. 상기 화소전극과 이전 게이트라인과의 오버랩에 의해 스토리지 캐패시턴스(Cst)가 형성된다. 상기 화소전극과 이후에 설명될 공통전극 사이의 액정층에 의해 액정 캐패시턴스(Clc)가 형성된다. A thin film transistor TFT is connected to each of the gate lines GL0 to GLn and the data lines DL1 to DLm, and a pixel electrode is connected to the thin film transistor TFT. The thin film transistor TFT and the pixel electrode may be disposed in each pixel area. The storage capacitance Cst is formed by the overlap between the pixel electrode and the previous gate line. A liquid crystal capacitance Clc is formed by the liquid crystal layer between the pixel electrode and the common electrode to be described later.
상기 제2 기판은 상기 제1 기판의 각 화소 영역에 대응되어 적색 컬러필터, 녹색 컬러필터 및 청색 컬러필터를 포함하는 컬러필터층이 배치되고, 각 컬러필터 사이에 블랙 매트릭스가 배치되며, 상기 컬러필터와 상기 블랙 매트릭스 상에 공통전극이 배치될 수 있다.The second substrate corresponds to each pixel area of the first substrate, and a color filter layer including a red color filter, a green color filter, and a blue color filter is disposed, and a black matrix is disposed between each color filter. A common electrode may be disposed on the black matrix.
상기 타이밍 콘트롤러(10)는 상기 게이트 드라이버(30)와 상기 데이터 드라이버(40)를 제어하기 위한 제어신호들을 생성한다. 즉, 상기 타이밍 콘트롤러(10)는 상기 게이트 드라이버(30)를 제어하기 위해 게이트 스타트 펄스(GSP), 제1 게이트 시프트 클럭(GSC1), 제2 게이트 시프트 클럭(GSC2), 게이트 아웃 이네이블(GOE), 레벨 시프터 제어신호(LSC) 등을 생성하고, 상기 데이터 드라이버(40)를 제어하기 위해 소오스 스타트 펄스(SSP), 소오스 시프트 클럭(SSC), 소오스 아웃 이네이블(SOE), POL 등을 생성한다.The
본 실시예에서, 상기 게이트 드라이버(30)를 제어하기 위해 생성된 게이트 스타트 펄스(GSP), 제1 게이트 시프트 클럭(GSC1), 제2 게이트 시프트 클럭(GSC2), 게이트 아웃 이네이블(GOE) 및 레벨 시프터 제어신호(LSC)에 의해 상기 게이트 드라이버(30)는 제1 게이트 전압(VGH1)과 상기 제1 게이트 전압(VGH1)과 이격되어 공급되는 제2 게이트 전압(VGH2)을 생성하여 상기 액정패널(50)의 각 게이트라인(GL0 내지 GLn)으로 공급한다.In the present embodiment, the gate start pulse GSP, the first gate shift clock GSC1, the second gate shift clock GSC2, the gate out enable GOE, and the like are generated to control the
상기 게이트전압 발생부(20)는 제1 내지 제3 게이트 전압들(VGH1, VGH2, VGL)을 생성하여 상기 게이트 드라이버(30)로 공급한다. The
상기 제1 게이트 전압(VGH1)은 하이 레벨을 갖는 전압으로서, 액정패널(50)의 각 게이트 라인(GL0 내지 GLn)을 충분히 활성화시킬 수 있는 전압이다. The first gate voltage VGH1 is a voltage having a high level, and is a voltage capable of sufficiently activating each gate line GL0 to GLn of the
상기 제2 게이트 전압(VGH2)은 상기 제1 게이트 전압(VGH1)보다 낮은 하이 레벨을 갖는 전압으로서, 액정패널(50)의 각 게이트 라인(GL0 내지 GLn)을 적어도 활성화시킬 수 있는 전압이다. 상기 제2 게이트 전압(VGH2)은 상기 제1 게이트 전압(VGH1)에 비해 40% 내지 90%의 범위로 낮아질 수 있다. The second gate voltage VGH2 is a voltage having a high level lower than the first gate voltage VGH1 and is a voltage capable of activating at least each gate line GL0 to GLn of the
상기 제3 게이트 전압(VGL)은 로우 레벨을 갖는 전압으로서, 상기 액정패널(50)의 각 게이트라인(GL0 내지 GLn)을 비활성화시킬 수 있는 전압이다.The third gate voltage VGL is a voltage having a low level, and is a voltage capable of deactivating the gate lines GL0 to GLn of the
상기 게이트전압 발생부(20)에서 생성된 제1 내지 제3 게이트 전압들(VGH1, VGH2, VGL)은 상기 게이트 드라이버(30)로 공급되고, 상기 게이트 드라이버(30)에 의해 상기 제1 내지 제3 게이트 전압들(VGH1, VGH2, VGL)이 선택적으로 상기 액정패널(50)의 게이트라인으로 공급될 수 있다.The first to third gate voltages VGH1, VGH2, and VGL generated by the
상기 게이트 드라이버(30)는 도 4에 도시된 바와 같이, 시프트 레지스터(32), 논리곱 연산부(34) 및 레벨 시프터(36)를 포함한다. 상기 게이트 드라이버(30)는 상기 레벨 시프터(36)의 출력을 버퍼링하는 버퍼부(미도시)를 더 포함할 수 있다.As shown in FIG. 4, the
상기 시프트 레지스터(32)는 게이트 스타트 펄스(GSP)와 제1 게이트 시프트 클럭(GSC1)에 의해 제어되어 순차적으로 출력신호(Sout)를 출력한다. The
도 6에 도시된 바와 같이, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 한 프레임 중에서 1 수평 기간(1H) 동안만 하이 레벨을 갖고, 그 이외에는 로우 레벨을 갖는다. 즉, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 매 프레임의 시작 시점에서 1수평 기간(1H) 동안만 하이 레벨을 가질 수 있다.As shown in FIG. 6, the gate start pulse GSP has a high level only for one horizontal period 1H of one frame, and has a low level otherwise. That is, the gate start pulse GSP may have a high level only for one horizontal period 1H at the start of every frame.
상기 제1 게이트 시프트 클럭(GSC1)은 1 수평 기간(1H)을 제1 및 제2 구간으로 나누어, 제1 구간 동안 하이 레벨을 가지고 제2 구간 동안 로우 레벨을 가진다. 제1 및 제2 구간은 동일한 폭을 가질 수 있다. 상기 제1 게이트 시프트 클럭(GSC1)은 1 수평 기간(1H) 단위로 이와 같이 하이 레벨과 로우 레벨을 반복적으로 가진다.The first gate shift clock GSC1 divides one horizontal period 1H into first and second periods, has a high level during the first period, and has a low level during the second period. The first and second sections may have the same width. The first gate shift clock GSC1 repeatedly has a high level and a low level in units of one horizontal period 1H.
따라서, 상기 제1 게이트 시프트 클럭(GSC1)에 의해 게이트 스타트 펄스(GSP)가 출력신호(Sout)로 출력된다.Therefore, the gate start pulse GSP is output as the output signal Sout by the first gate shift clock GSC1.
상기 시프트 레지스터(32)는 상기 액정패널(50)의 게이트라인 수만큼 출력신호들을 출력할 수 있다. The
상기 논리곱 연산부(34)는 상기 시프트 레지스터(32)로부터 출력된 출력신호(Sout), 게이트 아웃 이네이블(GOE) 및 제2 게이트 시프트 클럭(GSC2)을 논리곱 연산하여 출력신호(ORout)를 출력한다.The AND
도 5에 도시된 바와 같이, 상기 논리곱 연산부(34)는 논리곱 게이트(38)일 수 있다.As illustrated in FIG. 5, the AND
도 6에 도시된 바와 같이, 출력신호(Sout)는 게이트 스타트 펄스(GSP)와 동일한 하이 베렐 폭을 가질 수 있다. As illustrated in FIG. 6, the output signal Sout may have the same high barrel width as the gate start pulse GSP.
상기 게이트 아웃 이네이블(GOE)은 1 수평 기간(1H) 동안 거의 하이 레벨을 가지고, 1수평 기간(1H)의 끝단의 일부 구간에서 로우 레벨을 가질 수 있다. 즉, 게이트 아웃 이네이블(GOE)은 1 수평 구간(1H)들 사이의 일부 구간에 매우 좁은 폭으로 로우 레벨을 가질 수 있다.The gate out enable GOE may have a substantially high level during one horizontal period 1H, and may have a low level in some sections of the end of the one horizontal period 1H. That is, the gate out enable GOE may have a low level with a very narrow width in some sections between the one horizontal sections 1H.
제2 게이트 시프트 클럭(GSC2)은 1 수평 구간(1H)의 적어도 1/2 이상의 구간 동안 하이 레벨을 갖는 제1 하이 레벨 신호와, 1 수평 구간(1H)의 적어도 1/10 이하의 구간 동안 로우 레벨을 갖는 제1 로우 레벨 신호와, 제1 수평 구간(1H)의 적어도 1/4 이하의 구간 동안 하이 레벨을 갖는 제2 하이 레벨 신호와, 제1 수평 구간(1H)의 적어도 1/100 이하의 구간 동안 로우 레벨을 갖는 제2 로우 레벨 신호를 포함할 수 있다.The second gate shift clock GSC2 is the first high level signal having a high level for at least 1/2 or more of the 1 horizontal section 1H and the low level for at least 1/10 or less of the 1 horizontal section 1H. A first low level signal having a level, a second high level signal having a high level during at least one quarter or less of the first horizontal section 1H, and at least 1/100 of a first horizontal section 1H It may include a second low level signal having a low level during the interval of.
상기 논리곱 게이트(38)는 제2 게이트 시프트 클럭(GSC2)의 제1 하이 레벨 신호, 게이트 아웃 이네이블(GOE) 및 출력신호(Sout)에 의해 하이 레벨을 갖는 출력신호(ORout)가 출력되고, 제2 게이트 시프트 클럭(GSC2)의 제1 로우 레벨 신호, 게이트 아웃 이네이블(GOE) 및 출력신호(Sout)에 의해 로우 레벨을 갖는 출력신호(ORout)가 출력되고, 제2 게이트 시프트 클럭(GSC2)의 제2 하이 레벨 신호, 게이트 아웃 이네이블(GOE) 및 출력신호(Sout)에 의해 하이 레벨을 갖는 출력신호(ORout)가 출력되며, 제2 게이트 시프트 클럭(GSC2)의 제2 로우 레벨 신호, 게이트 아웃 이네이블(GOE) 및 출력신호(Sout)에 의해 로우 레벨을 갖는 출력신호(ORout)가 출력된다. The AND
따라서, 상기 논리곱 게이트(38)로부터 출력된 출력신호(ORout)는 상기 제2 게이트 시프트 클럭(GSC2)과 동일한 신호이다.Therefore, the output signal ORout output from the AND
상기 레벨 시프터(36)는 레벨 시프터 제어신호(LSC)에 의해 상기 논리곱 연산부(34)로부터 출력된 출력신호(ORout)에 상응하는 게이트 전압을 제1 내지 제3 게이트 전압들(VGH1, VGH2, VGL)에서 선택하여 출력한다.The
상기 제1 내지 제3 게이트 전압들(VGH1, VGH2, VGL)은 상기 게이트전압 발생부(20)에서 생성되어 상기 게이트 드라이버(30)의 상기 레벨 시프터(36)로 공급된다.The first to third gate voltages VGH1, VGH2, and VGL are generated by the
상기 레벨 시프터(36)는 레벨 시프터 제어신호(LSC)를 상기 타이밍 콘트롤러(10)로부터 공급받는다. 상기 레벨 시프터 제어신호(LSC)는 상기 논리곱 연산부(34)로부터 출력된 출력신호(ORout)와 제1 내지 제2 게이트 전압들(VGH1, VGH2, VGL)을 매칭시켜 주는 제어신호일 수 있다.The
상기 레벨 시프터 제어신호(LSC)는 2진 비트로 이루어질 수 있다. 따라서, 상기 레벨 시프터 제어신호(LSC)는 '00', '01', '10', '11'의 순서로 상기 레벨 시프터(36)로 공급될 수 있다.The level shifter control signal LSC may be composed of binary bits. Accordingly, the level shifter control signal LSC may be supplied to the
상기 레벨 시프터 제어신호(LSC)가 '00'일 경우, 상기 논리곱 연산부(34)로부터 출력된 제1 하이 레벨 신호의 출력신호(ORout)에 상응하는 제1 게이트 전압(VGH1)이 레벨 시프터(36)로부터 출력된다.When the level shifter control signal LSC is '00', the first gate voltage VGH1 corresponding to the output signal ORout of the first high level signal output from the AND
상기 레벨 시프터 제어신호(LSC)가 '01'일 경우, 상기 논리곱 연산부(34)로부터 출력된 제1 로우 레벨 신호의 출력신호(ORout)에 상응하는 제3 게이트 전압(VGL)이 레벨 시프터(36)로부터 출력된다.When the level shifter control signal LSC is '01', the third gate voltage VGL corresponding to the output signal ORout of the first low level signal outputted from the AND
상기 레벨 시프터 제어신호(LSC)가 '10'일 경우, 상기 논리곱 연산부(34)로 부터 출력된 제2 하이 레벨 신호의 출력신호(ORout)에 상응하는 제2 게이트 전압(VGH2)이 레벨 시프터(36)로부터 출력된다.When the level shifter control signal LSC is '10', the second gate voltage VGH2 corresponding to the output signal ORout of the second high level signal output from the AND
상기 레벨 시프터 제어신호(LSC)가 '11'일 경우, 상기 논리곱 연산부(34)로부터 출력된 제2 로우 레벨 신호의 출력신호(ORout)에 상응하는 제3 게이트 전압(VGL)이 레벨 시프터로(36)부터 출력된다.When the level shifter control signal LSC is '11', the third gate voltage VGL corresponding to the output signal ORout of the second low level signal output from the AND
따라서, 상기 게이트 드라이버(30)는 제1 및 제2 게이트전압(VGH1, VGH2)을 상기 액정패널(50)의 각 게이트라인(GL0 내지 GLn)으로 공급한다. 상기 제1 및 제2 게이트 전압들(VGH1, VGH2) 사이에는 제3 게이트 전압(VGL)이 공급될 수 있다.Therefore, the
상기 데이터 드라이버(40)는 상기 타이밍 콘트롤러(10)에서 공급된 제어신호들에 따라 데이터 전압을 액정패널(50)로 공급한다.The
도 7을 참조하여 본 발명의 동작을 설명하면, 1수평 기간(1H) 동안 게이트 드라이버(30)에서 제1 및 제2 게이트 전압들(VGH1, VGH2)을 생성하여 액정패널(50)의 게이트라인으로 공급한다. 상기 제1 및 제2 게이트 전압들(VGH1, VGH2) 사이에 제3 게이트 전압(VGL)이 공급될 수 있다. 상기 제1 및 제2 게이트전압들(VGH1, VGH2)은 하이 레벨을 가지고, 상기 제3 게이트 전압(VGL)은 로우 레벨을 가질 수 있다. 상기 제2 게이트 전압(VGH2)은 상기 제1 게이트전압(VGH1)의 40% 내지 90%의 범위로 낮아질 수 있다.Referring to FIG. 7, the first and second gate voltages VGH1 and VGH2 are generated by the
먼저, 제1 게이트 전압(VGH1)에 의해 상기 액정패널(50)의 게이트라인에 연결된 박막트랜지스터가 턴온된다. 이에 따라 데이터 드라이버(40)에서 데이터 전압(Vd)이 상기 액정패널(50)의 데이터라인으로 공급된다. 상기 데이터 전압(Vd)은 상기 데이터라인에 연결된 상기 박막트랜지스터를 경유하여 화소전극에 인가된다. 화소전극에는 스토리지 캐패시턴스(Cst)가 형성되어 있으므로, 상기 화소전극으로 인가된 데이터 전압은 서서히 스토리지 캐패시턴스(Cst)에 충전되게 된다.First, the thin film transistor connected to the gate line of the
상기 제1 게이트 전압(VGH1) 이후에 상기 제3 게이트 전압(VGL)이 상기 액정패널(50)의 게이트라인으로 공급된다. 상기 제3 게이트 전압(VGL)은 로우 레벨이므로, 상기 게이트라인에 연결된 박막트랜지스터는 턴오프된다. 이러한 경우, 상기 제1 게이트 전압(VGH1)의 하이 레벨에서 상기 제3 게이트 전압(VGL)의 로우 레벨로 전이될 때, 1차 킥백 전압이 발생될 수 있다. 상기 제3 게이트전압(VGL)의 폭은 매우 작기 때문에 킥백 전압이 크지는 않게 된다. 이러한 킥백 전압에 의해 화소전극에 충전된 전압은 감소하게 된다.The third gate voltage VGL is supplied to the gate line of the
제3 게이트전압(VGL) 이후에 제2 게이트전압(VGH2)이 상기 액정패널(50)의 게이트라인으로 공급된다. 이에 따라, 상기 게이트라인에 연결된 박막트랜지스터가 하이 레벨을 갖는 상기 제2 게이트전압(VGH2)에 의해 다시 턴온된다. 이에 따라, 데이터라인으로 공급된 데이터전압(Vd)이 박막트랜지스터를 경유하여 화소전극으로 다시 인가되게 되므로, 상기 화소전극의 전압은 다시 증가되게 된다. 따라서, 상기 화소전극의 전압은 데이터전압(Vd)으로 완전하게 충전될 수 있다.After the third gate voltage VGL, the second gate voltage VGH2 is supplied to the gate line of the
상기 제2 게이트전압(VGH2) 이후 상기 제3 게이트전압(VGL)이 상기 액정패널(50)의 게이트라인으로 공급된다. 이에 따라, 상기 게이트라인에 연결된 박막트랜지스터는 턴오프된다.After the second gate voltage VGH2, the third gate voltage VGL is supplied to the gate line of the
상기 제2 게이트전압(VGH2)은 상기 제1 게이트전압(VGH1)보다 상대적으로 낮 은 전압을 가지므로, 상기 제2 게이트전압(VGH2)에서 상기 제3 게이트전압(VGL)으로 전이가 발생되더라고, 킥백 전압(ΔVp)이 매우 작게 된다. Since the second gate voltage VGH2 has a voltage that is relatively lower than the first gate voltage VGH1, a transition occurs from the second gate voltage VGH2 to the third gate voltage VGL. Kickback voltage [Delta] Vp becomes very small.
따라서, 본 실시예는 게이트라인으로 제1 게이트전압보다 낮은 제2 게이트전압을 이격시켜 공급하여 줌으로써, 킥백 전압을 최소화하여 화질을 향상시킬 수 있다.Therefore, the present embodiment can improve the image quality by minimizing the kickback voltage by supplying the second gate voltage lower than the first gate voltage to the gate line.
도 1은 종래의 액정표시장치의 액정패널을 도시한 도면.1 is a view showing a liquid crystal panel of a conventional liquid crystal display device.
도 2는 종래의 액정표시장치에서 킥백전압의 발생을 도시한 도면.2 is a view showing generation of a kickback voltage in a conventional liquid crystal display.
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치를 도시한 블록도.3 is a block diagram showing a liquid crystal display device according to the present invention;
도 4는 도 3의 게이트 드라이버를 도시한 블록도.4 is a block diagram illustrating the gate driver of FIG. 3.
도 5는 도 4의 논리곱 게이트를 도시한 도면.FIG. 5 illustrates the AND gate of FIG. 4. FIG.
도 6은 도 3의 액정표시장치의 신호 파형도.6 is a signal waveform diagram of the liquid crystal display of FIG. 3.
도 7은 본 발명의 액정표시장치에서 킥백전압의 발생을 도시한 도면.7 is a view showing generation of a kickback voltage in the liquid crystal display of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10: 타이밍 콘트롤러 20: 게이트전압 발생부10: timing controller 20: gate voltage generator
30: 게이트 드라이버 32: 시프트 레지스터30: gate driver 32: shift register
34: 논리곱 연산부 36: 레벨 시프터34: logical product operation unit 36: level shifter
38: 논리곱 게이트 40: 데이터 드라이버38: AND gate 40: data driver
50: 액정패널50: liquid crystal panel
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