KR20070014561A - Liquid crystal display device - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 종래의 액정표시장치를 나타낸 도면.1 is a view showing a conventional liquid crystal display device.
도 2는 도 1의 액정표시장치에 인가되는 전압을 나타낸 파형도.2 is a waveform diagram illustrating a voltage applied to the liquid crystal display of FIG. 1.
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치를 나타낸 도면.3 is a view showing a liquid crystal display device according to the present invention.
도 4는 도 3의 게이트 드라이버를 상세히 나타낸 도면.4 is a detailed view of the gate driver of FIG.
도 5는 도 3의 게이트라인의 출력 파형을 나타낸 도면.5 illustrates an output waveform of the gate line of FIG. 3.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명><Brief description of the main parts of the drawing>
102:액정패널 104:게이트 드라이버102: liquid crystal panel 104: gate driver
105:쉬프트 레지스터 106:데이터 드라이버1105: Shift register 106:
107:논리곱 연산부 108:타이밍 컨트롤러107: logical product operation unit 108: timing controller
109:레벨 쉬프터 110:제 1 전원 공급부109: level shifter 110: first power supply
111:게이트 로우 전압 선택부 112:제 2 전원 공급부111: gate low voltage selector 112: second power supply
113:버퍼부113: buffer part
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 킥백전압(ㅿVp)을 보상하여 화 질을 향상시킬 수 있는 액정표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
정보화 사회가 발전함에 따라 표시장치에 대한 요구도 다양한 형태로 점증되고 있다. 이에 부응하여 근래에는 LCD(Liquid Crystal Display device), PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electro Luminescent Display) 등 여러가지 평판표시장치가 연구되어 왔고 일부는 이미 여러장비에서 표시장치로 활용되고 있다.As information society develops, the demand for display devices is increasing in various forms. In response to this, various flat panel display devices such as liquid crystal display (LCD), plasma display panel (PDP), and electro luminescent display (ELD) have been studied, and some of them have already been used as display devices in various devices.
그 중에, 현재 화질이 우수하고 경량, 박형, 저소비 전력의 장점으로 인하여 이동형 화상 표시장치의 용도로 브라운관(CRT)을 대체하면서 LCD(이하, '액정표시장치'라 함)가 가장 많이 사용되고 있으며, 노트북 컴퓨터의 모니터와 같은 이동형의 용도 이외에도 텔레비전 모니터 등으로 다양하게 개발되고 있다.Among them, LCD (hereinafter referred to as 'liquid crystal display device') is most commonly used to replace CRTs for mobile image display devices due to its excellent image quality, light weight, thinness, and low power consumption. In addition to mobile applications such as notebook computers, various monitors have been developed.
액정표시장치는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용하여 화상을 표시한다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다. A liquid crystal display device displays an image using the optical anisotropy and polarization property of the liquid crystal. Since the liquid crystal is thin and long in structure, the liquid crystal has directivity in the arrangement of molecules, and the direction of the molecular arrangement can be controlled by artificially applying an electric field to the liquid crystal.
따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자 배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의해 상기 액정의 분자배열 방향으로 빛의 편광상태를 변화시켜 화상정보를 표현할 수 있다.Therefore, if the molecular arrangement direction of the liquid crystal is arbitrarily adjusted, the molecular arrangement of the liquid crystal is changed, and the image information can be expressed by changing the polarization state of light in the molecular arrangement direction of the liquid crystal by optical anisotropy.
도 1은 종래의 액정표시장치를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a conventional liquid crystal display device.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 액정표시장치는 복수개의 게이트라인(GL0 ~ GLn)과 데이터라인(DL1 ~ DLm)이 배열되어 소정의 화상을 표시하는 액정패널(2)과, 상기 게이트라인(GL0 ~ GLn)으로 스캔신호를 공급하는 게이트 드라이버(4)와, 상기 데이터라인(DL1 ~ DLm)으로 데이터 전압을 공급하는 데이터 드라이버(6)와, 상기 게이트 드라이버(4) 및 데이터 드라이버(6)를 제어하는 제어신호를 생성하는 타이밍 컨트롤러(8)를 포함한다. As shown in FIG. 1, a conventional liquid crystal display device includes a
상기 액정패널(2)에는 복수의 게이트라인(GL0 ~ GLn)과 데이터라인(DL1 ~ DLm)이 배열되고 그 교차부에는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(TFT)가 형성된다. 또한, 전단 게이트라인과 상기 박막트랜지스터(TFT)와 연결된 화소전극(미도시) 사이에는 스토리지 캐패시터(Cst)가 형성된다. In the
상기 스토리지 캐패시터(Cst)는 상기 데이터라인(DL1 ~ DLm)을 통해 공급된 데이터 전압을 충전하는 역할을 한다. The storage capacitor Cst charges the data voltage supplied through the data lines DL1 to DLm.
상기 액정표시장치는 널리 공지된 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다. Since the liquid crystal display is a well known technique, a detailed description thereof will be omitted.
이와 같은 방식으로 구성되는 액정표시장치의 게이트라인(GL0 ~ GLn)에는 스캔신호 즉, 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL)이 공급된다. 여기서, 상기 게이트라인(GL0~ GLn)에 해당하는 수평기간(1H) 동안 게이트 하이 전압(VGH)을 공급하고, 나머지 기간에는 게이트 로우 전압(VGL)을 인가한다.The scan signals, that is, the gate high voltage VGH and the gate low voltage VGL, are supplied to the gate lines GL0 to GLn of the liquid crystal display configured in this manner. Here, the gate high voltage VGH is supplied during the horizontal period 1H corresponding to the gate lines GL0 to GLn, and the gate low voltage VGL is applied during the remaining period.
상기 게이트 하이 전압(VGH)은 상기 액정패널(2)상의 박막트랜지스터(TFT)를 턴-온(turn-on) 시키며 상기 박막트랜지스터(TFT)가 턴-온(turn-on) 되는 기간동안 상기 데이터 드라이버(6)로부터 공급된 데이터 전압(Vd)이 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된다. The gate high voltage VGH turns on the thin film transistor TFT on the
상기 게이트라인(GL0 ~ GLn)에 공급된 게이트 하이 전압(VGH)이 게이트 로우 전압(VGL)으로 전이될때, 상기 박막트랜지스터(TFT)는 턴-오프(turn-off)되고 그순 간 상기 화소전극에 충전된 데이터 전압(Vd)은 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 박막트랜지스터(TFT)의 게이트 전극과 소스전극 간에 발생된 기생 용량(Cgs)에 의해 킥백전압(ㅿVp) 만큼 전압강하된다.When the gate high voltage VGH supplied to the gate lines GL0 to GLn is transitioned to the gate low voltage VGL, the thin film transistor TFT is turned off and at that moment is applied to the pixel electrode. As shown in FIG. 2, the charged data voltage Vd drops as much as the kickback voltage? Vp by the parasitic capacitance Cgs generated between the gate electrode and the source electrode of the thin film transistor TFT.
상기 게이트라인(GL0 ~ GLn)으로 공급된 스캔신호는 라인저항 등으로 인해 신호왜곡이 발생하게 되는데, 상기 스캔신호의 왜곡현상으로 인해, 상기 킥백전압(ㅿVp)이 발생하게 된다. 상기 킥백전압(ㅿVp)으로 인해 상기 액정패널(2) 상에 표시되는 화상에는 플리커 및 잔상이 발생되어 화질이 저하되는 문제점을 초래하게 된다. Signal distortion occurs in the scan signals supplied to the gate lines GL0 to GLn due to line resistance, and the kickback voltage Vp is generated due to distortion of the scan signals. Due to the kickback voltage Vp, flicker and residual images are generated in the image displayed on the
본 발명은 킥백전압(ㅿVp)을 보상하여 플리커 및 잔상을 제거할 수 있는 액정표시장치를 제공함에 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device which can eliminate flicker and afterimage by compensating kickback voltage (Vp).
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치는 복수의 게이트라인과 데이터라인에 의해 정의된 화소가 배열된 액정패널과, 상기 각 게이트라인으로 게이트 하이 전압과 제 1 및 제 2 게이트 로우 전압을 공급하는 게이트 드라이버 및 상기 액정패널의 데이터라인으로 소정의 데이터 전압을 공급하는 데이터 드라이버를 포함하고, 상기 제 2 게이트 로우 전압은 상기 제 1 게이트 로우 전압보다 적어도 높은 것을 특징으로 한다. According to an exemplary embodiment of the present invention, a liquid crystal panel includes a liquid crystal panel in which pixels defined by a plurality of gate lines and data lines are arranged, and a gate high voltage and a first and second gate lines are provided to each gate line. And a gate driver for supplying a gate low voltage and a data driver for supplying a predetermined data voltage to a data line of the liquid crystal panel, wherein the second gate low voltage is at least higher than the first gate low voltage.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment according to the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치를 나타낸 도면이다.3 is a view showing a liquid crystal display according to the present invention.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 액정표시장치는 소정의 화상을 표시하며 복수의 게이트라인(GL0 ~ GLn)과 데이터라인(DL1 ~ DLm)이 배열된 액정패널(102)과, 상기 액정패널(102)을 구동하는 게이트 드라이버(104)와 데이터 드라이버(106)와, 상기 게이트 드라이버(104) 및 데이터 드라이버(106)를 제어하는 타이밍 컨트롤러(108)을 포함한다.As shown in FIG. 3, the liquid crystal display device displays a predetermined image and includes a
상기 액정표시장치는 상기 타이밍 컨트롤러(108)와 데이터 드라이버(106) 및 게이트 드라이버(104)를 구동시키는 구동전압과 게이트 하이 전압(VGH) 및 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)을 생성하는 제 1 전원 공급부(110)와 제 2 게이트 로우 전압(VGL-2)을 생성하는 제 2 전원 공급부(112)를 더 포함한다.The liquid crystal display device is configured to generate a driving voltage, a gate high voltage VGH, and a first gate low voltage VGL-1 driving the
상기 액정패널(102)에는 복수의 게이트라인(GL0 ~ GLn)과 데이터라인(DL1 ~ DLm)이 배열되고 상기 게이트라인(GL0 ~ GLn)과 데이터라인(DL1 ~ DLm)의 교차부에 박막트랜지스터(TFT)가 형성된다. A plurality of gate lines GL0 to GLn and data lines DL1 to DLm are arranged in the
상기 박막트랜지스터(TFT)는 상기 게이트 드라이버(104)로부터 공급된 게이트 하이 전압(VGH)으로 인해 턴-온(turn-on)되고 제 1 및 제 2 게이트 로우 전압(VGL-1, VGL-2)으로 인해 턴-오프(turn-off)된다.The thin film transistor TFT is turned on due to the gate high voltage VGH supplied from the
상기 제 1 전원 공급부(110)는 시스템(미도시)으로부터 공급된 입력전압을 이용하여 상기 타이밍 컨트롤러(108)와 데이터 드라이버(106) 및 게이트 드라이버(104)를 구동시키는 구동전압을 생성한다. 또한, 상기 제 1 전원 공급부(110)는 게이트 하이 전압(VGH) 및 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)을 생성하여 상기 게이트 드라이버(104)로 공급한다. The
상기 제 2 전원 공급부(112)는 상기 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)과 상이한 제 2 게이트 로우 전압(VGL-2)을 생성하여 상기 게이트 드라이버(104)로 공급한다. 이때, 상기 제 2 게이트 로우 전압(VGL-2)은 상기 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1) 보다 적어도 높은 전압을 갖는다. The
각 게이트라인(GL0 ~ GLn)에는 게이트 하이 전압(VGH), 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1) 및 제 2 게이트 로우 전압(VGL-2)이 일정 간격으로 연속으로 공급된다. The gate high voltage VGH, the first gate low voltage VGL-1, and the second gate low voltage VGL-2 are continuously supplied to each gate line GL0 to GLn at regular intervals.
즉, 게이트라인(GL0 ~ GLn)에 공급된 게이트 하이 전압(VGH)에 의해 상기 게이트라인(GL0 ~ GLn)에 연결된 박막트랜지스터(TFT)가 턴-온(turn-on)된다. 이러한 경우에 데이터라인(DL1 ~DLm)을 통해 공급된 소정의 데이터 전압(Vd)이 상기 박막트랜지스터(TFT)를 경유하여 화소전극(미도시)에 인가된다.That is, the thin film transistor TFT connected to the gate lines GL0 to GLn is turned on by the gate high voltage VGH supplied to the gate lines GL0 to GLn. In this case, a predetermined data voltage Vd supplied through the data lines DL1 to DLm is applied to the pixel electrode (not shown) via the thin film transistor TFT.
1 수평구간(1H) 동안 게이트라인(GL0 ~ GLn)으로 게이트 하이 전압(VGH)이 공급된다. 상기 1 수평구간(1H)이 지난 후 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)이 상기 게이트라인(GL0 ~ GLn)으로 공급되고, 이에 따라 상기 게이트라인(GL0 ~ GLn)에 연결된 박막트랜지스터(TFT)는 턴-오프(turn-off)된다. The gate high voltage VGH is supplied to the gate lines GL0 to GLn during one horizontal section 1H. After the first horizontal section 1H, a first gate low voltage VGL-1 is supplied to the gate lines GL0 to GLn, and accordingly, a thin film transistor TFT connected to the gate lines GL0 to GLn. Is turned off.
그러므로, 상기 데이터라인(DL1 ~ DLm)을 통해 공급된 데이터 전압(Vd)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)에 의해 차단되어 더 이상 화소전극(미도시)으로 인가되지 않게된다. Therefore, the data voltage Vd supplied through the data lines DL1 to DLm is blocked by the thin film transistor TFT and is no longer applied to the pixel electrode (not shown).
이때, 상기 게이트 하이 전압(VGH)에서 상기 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)으로 전이됨에 따라 기생용량(Cgs)에 영향을 주어 킥백전압(ㅿVp)이 유발된다. 따라서, 화소전극(미도시)에는 실제 데이터 전압(Vd)에서 상기 킥백전압(ㅿVp)만큼 강하된 전압이 충전되게 된다. At this time, the transition from the gate high voltage VGH to the first gate low voltage VGL-1 affects the parasitic capacitance Cgs, thereby causing a kickback voltage Vp. Accordingly, the pixel electrode (not shown) is charged with a voltage lowered by the kickback voltage Vp from the actual data voltage Vd.
본 발명에서는 이러한 킥백전압(ㅿVp)을 보상하기 위해 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)에서 이 전압 보다 높은 하이 전압으로 인가하여 준다. In the present invention, the first gate low voltage VGL-1 is applied to a high voltage higher than this voltage to compensate for the kickback voltage Vp.
즉, 상기 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)보다 적어도 높은 전압인 제 2 게이트 로우 전압(VGL-2)이 게이트라인(GL0 ~ GLn)으로 공급된다. 이에 따라 로우 전압을 갖는 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)에서 하이 전압을 갖는 제 2 게이트 로우 전압(VGL-2)으로 전이됨에 따라 소정의 전압만큼 증가된다. That is, the second gate low voltage VGL-2 which is at least higher than the first gate low voltage VGL-1 is supplied to the gate lines GL0 to GLn. Accordingly, as the voltage transitions from the first gate low voltage VGL-1 having the low voltage to the second gate low voltage VGL-2 having the high voltage, the voltage increases by a predetermined voltage.
이에 따라, 앞서 게이트 하이 전압(VGH)에서 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)으로 전이됨에 따라 전압 강하된 킥백전압(ㅿVp)을 상기 증가된 전압에 의해 킥백전압(ㅿVp)의 감소폭을 최대한 줄여 줄 수 있으므로, 플리커 및 잔상이 제거될 수 있다. Accordingly, as the voltage of the kickback voltage qVp decreased as the voltage transitions from the gate high voltage VGH to the first gate low voltage VGL-1, the decrease of the kickback voltage qVp is increased by the increased voltage. As much as possible, flicker and afterimages can be eliminated.
상기 제 1 및 제 2 게이트 로우 전압(VGL-1, VGL-2)에 대한 상세한 설명은 다음과 같다. Details of the first and second gate low voltages VGL-1 and VGL-2 are as follows.
상기 박막트랜지스터(TFT)는 게이트 하이 전압(VGH)이 공급되면 턴-온(turn-on)되고, 동시에 상기 데이터라인(DL1 ~ DLm)으로부터 데이터 전압(Vd)이 공급되어 화소전극(미도시) 상에 충전된다. The thin film transistor TFT is turned on when the gate high voltage VGH is supplied, and at the same time, the data voltage Vd is supplied from the data lines DL1 to DLm, thereby providing a pixel electrode (not shown). Is charged to the phase.
상기 박막트랜지스터(TFT)로 공급된 게이트 하이 전압(VGH)이 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)으로 바뀌는 순간 그에 영향을 받아서 화소전극(미도시) 상에 충전된 데이터 전압(Vd)이 변하게 된다. 상기 화소전극(미도시) 상에 충전된 데이터 전압(Vd)은 킥백전압(ㅿVp) 만큼의 전압강하가 발생한다.As soon as the gate high voltage VGH supplied to the thin film transistor TFT is changed to the first gate low voltage VGL-1, the data voltage Vd charged on the pixel electrode (not shown) is changed. do. The voltage drop charged on the pixel electrode (not shown) generates a voltage drop equal to the kickback voltage (Vp).
상기 킥백전압(ㅿVp)은 상기 박막트랜지스터(TFT)로 공급된 게이트 하이 전압(VGH)이 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)으로 바뀌는 순간에 발생하게 된다. 따라서 상기 박막트랜지스터(TFT)로 상기 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)보다 큰 전압인 제 2 게이트 로우 전압(VGL-2)을 공급하여 상기 화소전극 상에 충전된 데이터 전압(Vd)에 영향을 주어 상기 킥백전압(ㅿVp)을 보상한다. The kickback voltage Vp is generated when the gate high voltage VGH supplied to the thin film transistor TFT is changed to the first gate low voltage VGL-1. Therefore, the second gate low voltage VGL-2, which is greater than the first gate low voltage VGL-1, is supplied to the thin film transistor TFT to influence the data voltage Vd charged on the pixel electrode. To compensate for the kickback voltage (Vp).
즉, 상기 킥백전압(ㅿVp)만큼의 전압강하가 발생한 상기 데이터 전압(Vd)은 상기 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)에서 제 2 게이트 로우 전압(VGL-2)으로 바뀌는 순간에 이에 연동하여 소정 전압이 상승되는 효과가 발생한다. That is, the data voltage Vd having the voltage drop equal to the kickback voltage VVp is interlocked at the moment when the data voltage Vd is changed from the first gate low voltage VGL-1 to the second gate low voltage VGL-2. This results in an effect of raising the predetermined voltage.
상기 타이밍 컨트롤러(108)는 도시되지 않은 시스템으로부터 공급된 수직/수평동기신호(Vsync/Hsync)와 소정의 클럭신호 및 데이터 이네이블(DE) 신호를 이용하여 소정의 제어신호를 생성한다. 상기 소정의 제어신호는 상기 게이트 드라이버(104) 및 데이터 드라이버(106)로 공급되어 상기 게이트 드라이버(104) 및 데이터 드라이버(106)를 제어한다.The
상기 게이트 드라이버(104)는 상기 제 1 및 제 2 전원 공급부(110, 112)로부터 게이트 하이 전압(VGH)과, 제 1 및 제 2 게이트 로우 전압(VGL-1, VGL-2)을 공급받는다. 상기 게이트 하이 전압(VGH)과 제 1 및 제 2 게이트 로우 전압(VGL-1, VGL-2)은 상기 게이트라인(GL0 ~ GLn)으로 공급된다.The
상기 게이트 드라이버(104)는 도 4에 도시된 바와 같이, 쉬프트 레지스터(105)와, 상기 쉬프트 레지스터(105)의 출력신호와 게이트 출력 이네이블(GOE) 신호를 논리연산하는 논리곱 연산부(107)와, 상기 논리곱 연산부(107)의 출력 신호에 따라 게이트 하이 전압(VGH)과 제 1 및 제 2 게이트 로우 전압(VGL-1, VGL-2)을 선택하는 레벨 쉬프터(109)와, 상기 레벨 쉬프터(109)로부터 공급된 출력전압을 상기 게이트라인(GL0 ~ GLn)으로 공급하는 버퍼부(113)를 포함한다.As illustrated in FIG. 4, the
상기 쉬프터 레지스터(105)는 상기 타이밍 컨트롤러(108)로부터 공급된 게이트 제어신호들 중 게이트 스타트 펄스(GSP) 신호와 게이트 쉬프트 클럭(GSC) 신호에 따라 하이(High) 또는 로우(Low) 신호를 출력한다. 상기 게이트 쉬프트 클럭(GSC) 신호는 상기 게이트 스타트 펄스(GSP) 신호의 하이(High) 구간에 동기된다.The
상기 쉬프트 레지스터(105)로부터 출력된 하이(High) 또는 로우(Low) 신호는 상기 논리곱 연산부(107)로 공급된다.The high or low signal output from the
상기 논리곱 연산부(107)는 상기 쉬프트 레지스터(105)로부터 출력된 신호와 상기 타이밍 컨트롤러(108)로부터 공급된 게이트 출력 이네이블(GOE) 신호를 조합하여 하이(High) 또는 로우(Low) 신호를 출력한다. The AND
상기 쉬프트 레지스터(105)로부터 출력된 신호가 하이(High) 이고 상기 게이트 출력 이네이블(GOE) 신호가 하이(High) 인 경우, 상기 논리곱 연산부(107)는 하이(High) 신호를 출력하게 된다. 상기 논리곱 연산부(107)는 AND 게이트의 논리연산과 동일한 논리연산을 수행한다.When the signal output from the
또한, 상기 논리곱 연산부(107)로 상기 쉬프트 레지스터(105)에서 출력된 신호와 상기 게이트 출력 이네이블(GOE) 신호 중에 적어도 하나 이상 로우(Low) 신호가 공급되면, 상기 논리곱 연산부(107)는 로우(Low) 신호를 출력하게 된다.In addition, when at least one low signal between the signal output from the
상기 논리곱 연산부(107)에서 출력된 하이(High) 또는 로우(Low) 신호는 상 기 레벨 쉬프터(109)로 공급된다. The high or low signal output from the AND
상기 레벨 쉬프터(109)는 상기 논리곱 연산부(107)로부터 공급된 하이(High) 또는 로우(Low) 신호에 해당하는 전압값을 상기 버퍼부(113)로 공급하는 역할을 한다. 이때, 상기 레벨 쉬프터(109)로는 상기 제 1 및 제 2 전원 공급부(110, 112)에서 생성된 게이트 하이 전압(VGH)과 제 1 및 제 2 게이트 로우 전압(VGL-1, VGL-2)이 공급된다. The
상기 레벨 쉬프터(109)는 순차적으로 상기 제 1 및 제 2 게이트 로우 전압(VGL-1, VGL-2)을 선택하여 상기 버퍼부(113)로 공급하는 게이트 로우 전압 선택부(111)를 더 포함한다. The
상기 레벨 쉬프터(109)로 하이(High) 신호가 공급되면, 상기 레벨 쉬프터(109)는 상기 게이트 하이 전압(VGH)을 선택하여 상기 버퍼부(113)로 공급한다. 또한, 상기 레벨 쉬프터(109)로 로우(Low) 신호가 공급되는 순간 상기 게이트 로우 전압 선택부(111)는 상기 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)을 선택하여 상기 버퍼부(113)로 공급한다. When a high signal is supplied to the
연속하여, 상기 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)이 선택된 후 적어도 1 수평구간(1H) 이후에 상기 게이트 로우 전압 선택부(111)는 상기 제 2 게이트 로우 전압(VGL-2)을 선택하여 상기 버퍼부(113)로 공급한다. 이때, 상기 게이트 로우 전압 선택부(111)는 상기 타이밍 컨트롤러(108)로부터 공급된 소정의 제어신호에 따라 상기 제 1 및 제 2 게이트 로우 전압(VGL-1, VGL-2)을 선택하게된다.After the first gate low voltage VGL-1 is selected, the gate
상기 타이밍 컨트롤러(108)로부터 공급된 제어신호가 하이(High) 일 경우 상 기 게이트 로우 전압 선택부(111)는 상기 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)을 선택하여 버퍼부(113)로 상기 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)을 공급한다. When the control signal supplied from the
상기 타이밍 컨트롤러(108)로부터 공급된 제어신호가 로우(Low) 일 경우 상기 게이트 로우 전압 선택부(111)는 상기 제 2 게이트 로우 전압(VGL-2)을 선택하여 상기 버퍼부(113)로 상기 제 2 게이트 로우 전압(VGL-2)을 공급한다. 이때, 상기 타이밍 컨트롤러(108)로부터 생성된 제어신호는 1 수평구간 동안 하이(High) 신호를 갖고, 상기 1 수평구간을 제외한 나머지 수평구간 동안 로우(Low) 신호를 갖는다. When the control signal supplied from the
이로인해, 상기 게이트 로우 전압 선택부(111)는 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)을 선택하여 상기 버퍼부(113)로 공급한 후 적어도 1 수평구간(1H) 이후에 제 2 게이트 로우 전압(VGL-2)을 선택하여 상기 버퍼부(113)로 공급한다. Thus, the gate
상기 버퍼부(113)는 상기 게이트라인(GL0 ~ GLn)과 전기적으로 연결되어 있어서 상기 게이트 하이 전압(VGH)과 제 1 및 제 2 게이트 로우 전압(VGL-1, VGL-2)을 상기 게이트라인(GL0 ~ GLn)에 순차적으로 공급한다. The
결국, 상기 게이트라인(GL0 ~ GLn)에는 도 5에 도시된 바와 같이, 게이트 하이 전압(VGH)이 1 수평구간(1H) 동안 공급되고 이어서, 상기 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)이 상기 게이트라인(GL0 ~GLn)으로 공급된다. As a result, as shown in FIG. 5, the gate high voltage VGH is supplied to the gate lines GL0 to GLn for one horizontal period 1H, and then the first gate low voltage VGL-1 is applied to the gate lines GL0 to GLn. It is supplied to the gate lines GL0 to GLn.
연속하여, 상기 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)이 상기 게이트라인(GL0 ~ GLn)으로 공급된 후 적어도 1 수평구간(1H) 이후에 상기 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)보다 큰 제 2 게이트 로우 전압(VGL-2)이 상기 게이트라인(GL0 ~ GLn)으로 공급된다. Subsequently, the first gate low voltage VGL-1 is greater than the first gate low voltage VGL-1 after at least one horizontal section 1H after the first gate low voltage VGL-1 is supplied to the gate lines GL0 to GLn. The two gate low voltage VGL-2 is supplied to the gate lines GL0 to GLn.
상기 게이트라인(GL0 ~ GLn)과 연결된 박막트랜지스터(TFT)는 상기 게이트 하이 전압(VGH)이 공급되면 턴-온(turn-on)되고, 동시에 상기 데이터라인(DL1 ~ DLm)을 통해 데이터 전압이 화소전극(미도시)에 공급된다. The thin film transistor TFT connected to the gate lines GL0 to GLn is turned on when the gate high voltage VGH is supplied, and at the same time, the data voltage is increased through the data lines DL1 to DLm. It is supplied to a pixel electrode (not shown).
이어, 상기 게이트라인(GL0 ~ GLn)과 연결된 박막트랜지스터(TFT)는 상기 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)이 공급되면 턴-오프(turn-off)되고, 동시에 상기 화소전극(미도시)으로 공급된 데이터 전압이 킥백전압(ㅿVp) 만큼의 전압강하가 발생한다. Next, the thin film transistor TFT connected to the gate lines GL0 to GLn is turned off when the first gate low voltage VGL-1 is supplied, and at the same time, the pixel electrode (not shown). The voltage drop supplied by the controller generates a voltage drop equal to the kickback voltage (Vp).
연속하여, 상기 게이트라인(GL0 ~ GLn)으로 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)이 공급된 후 적어도 1 수평구간(1H) 이후에 상기 게이트라인(GL0 ~ GLn)으로 제 2 게이트 로우 전압(VGL-2)이 공급되면, 상기 박막트랜지스터(TFT)는 턴-오프(turn-off) 상태를 유지한다. Subsequently, after the first gate low voltage VGL-1 is supplied to the gate lines GL0 to GLn, the second gate low voltage (V1) to the gate lines GL0 to GLn after at least one horizontal section 1H. When the VGL-2) is supplied, the thin film transistor TFT maintains a turn-off state.
상기 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1) 보다 큰 제 2 게이트 로우 전압(VGL-2)이 박막트랜지스터(TFT)로 공급됨으로써, 이에 연동하여 상기 화소전극 상에 충전되어 킥백전압(ㅿVp)만큼의 전압강하가 발생한 데이터 전압은 소정 상승된다. The second gate low voltage VGL-2, which is greater than the first gate low voltage VGL-1, is supplied to the thin film transistor TFT so that the second gate low voltage VGL-2 is charged on the pixel electrode in association with the kickback voltage Vp. The data voltage at which the voltage drop occurs has risen by a predetermined amount.
상기 킥백전압(ㅿVp)은 이미 상술한 바와 같이, 상기 박막트랜지스터(TFT)가 턴-온(turn-on) 상태에서 턴-오프(turn-off) 상태로 변할때 이에 연동하여 발생하게 된다. 상기 킥백전압(ㅿVp)은 그 다음 수평구간에 게이트라인(GL0 ~ GLn)으로 제 2 게이트 로우 전압(VGL-2)을 공급함으로써 보상된다.As described above, the kickback voltage (Vp) is generated in association with the thin film transistor TFT when it is turned from a turn-on state to a turn-off state. The kickback voltage Vp is then compensated by supplying the second gate low voltage VGL-2 to the gate lines GL0 to GLn in the horizontal section.
즉, 게이트 하이 전압(VGH)에서 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)으로 바뀌는 순간에 킥백전압(ㅿVp)이 발생하게 되는데, 그 다음 수평구간에서 상기 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)보다 큰 제 2 게이트 로우 전압(VGL-2)을 공급함으로써 상기 킥백전압(ㅿVp)을 보상할 수 있다. That is, the kickback voltage VV-1 is generated at the moment when the gate high voltage VGH is changed from the first gate low voltage VGL-1 to the first gate low voltage VGL-1. The kickback voltage VVp may be compensated by supplying a larger second gate low voltage VGL-2.
상기 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)에서 상기 제 2 게이트 로우 전압(VGL-2)으로 바뀌는 순간에 이에 연동하여 상기 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된 데이터 전압이 영향을 받게 된다. 이로인해 킥백전압(ㅿVp)만큼의 전압강하가 발생하였던 상기 데이터 전압은 소정전압이 상승되는 효과가 발생하게 된다.In response to the change from the first gate low voltage VGL-1 to the second gate low voltage VGL-2, the data voltage charged in the storage capacitor Cst is affected. As a result, the data voltage, which has a voltage drop equal to the kickback voltage (Vp), is increased by a predetermined voltage.
상기 제 2 게이트 로우 전압(VGL-2)은 그 다음 프레임구간에서 게이트 하이 전압(VGH)이 공급되기 전까지 상기 게이트라인(GL0 ~ GLn)으로 계속 공급된다.The second gate low voltage VGL-2 is continuously supplied to the gate lines GL0 to GLn until the gate high voltage VGH is supplied in the next frame period.
위에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치는 게이트라인(GL0 ~ GLn)으로 게이트 하이 전압(VGH)과 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)을 공급하고 그 다음 수평구간부터 상기 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)보다 큰 제 2 게이트 로우 전압(VGL-2)을 공급함으로써 종래의 액정표시장치에서 발생한 플리커 등을 극복하여 화질을 향상시킬 수 있다. As described above, the liquid crystal display according to the present invention supplies the gate high voltage VGH and the first gate low voltage VGL-1 to the gate lines GL0 to GLn, and starts the first gate from the next horizontal section. By supplying the second gate low voltage VGL-2 greater than the low voltage VGL-1, the image quality may be improved by overcoming the flicker generated in the conventional liquid crystal display.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치는 제 1 게이트 로우 전압(VGL-1)이 공급된 후 일정 간격 뒤에 이보다 증가된 제 2 게이트 로우 전압(VGL-2)이 공급되어 킥백전압(ㅿVp)을 보상함으로써, 종래의 액정표시장치에서 발생한 킥백전압(ㅿVp)으로 인한 플리커 및 잔상등을 극복하여 화질을 향상시킬 수 있다.As described above, in the liquid crystal display according to the present invention, after the first gate low voltage VGL-1 is supplied, the second gate low voltage VGL-2 increased after a predetermined interval is supplied to the kickback voltage ( By compensating (Vp), the image quality can be improved by overcoming the flicker and the afterimage caused by the kickback voltage (Vp) generated in the conventional liquid crystal display.
Claims (7)
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020050069321A KR20070014561A (en) | 2005-07-29 | 2005-07-29 | Liquid crystal display device |
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KR1020050069321A KR20070014561A (en) | 2005-07-29 | 2005-07-29 | Liquid crystal display device |
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ID=38080317
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KR1020050069321A KR20070014561A (en) | 2005-07-29 | 2005-07-29 | Liquid crystal display device |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US9564096B2 (en) | 2013-05-27 | 2017-02-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of driving a display panel, display panel driving apparatus for performing the method and display apparatus having the display panel driving apparatus |
US9852707B2 (en) | 2014-02-03 | 2017-12-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
-
2005
- 2005-07-29 KR KR1020050069321A patent/KR20070014561A/en not_active Application Discontinuation
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