KR20090068663A - 불휘발성 메모리 장치의 파라미터 독출 방법 - Google Patents

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Abstract

본원 발명의 불휘발성 메모리 장치의 파라미터 독출 방법은 파라미터 독출 명령어가 입력되는 단계와, 파라미터 저장소의 시작 어드레스가 입력되는 단계와, 상기 시작 어드레스에 저장된 값부터 파라미터가 독출되는 단계와, 파라미터 어드레스 변경 명령어가 입력되는 단계와, 파라미터 저장소의 목적지 어드레스가 입력되는 단계와, 상기 목적지 어드레스에 저장된 값부터 파라미터가 독출되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
파라미터, FSM

Description

불휘발성 메모리 장치의 파라미터 독출 방법{Method for parameter reading out of non volatile memory device}
본원 발명은 불휘발성 메모리 장치의 각종 파라미터를 독출하기 위한 방법에 관한 것이다.
최근 들어 전기적으로 프로그램(program)과 소거(erase)가 가능하고, 일정 주기로 데이터를 재작성해야하는 리프레시(refresh) 기능이 필요 없는 불휘발성 메모리 소자에 대한 수요가 증가하고 있다.
상기 불휘발성 메모리 장치는 통상적으로 데이터가 저장되는 셀들이 매트릭스 형태로 구성된 메모리 셀 어레이, 상기 메모리 셀 어레이의 특정 셀들에 대하여 메모리를 기입하거나 특정 셀에 저장되었던 메모리를 독출하는 페이지 버퍼를 포함한다. 상기 페이지 버퍼는 특정 메모리 셀과 접속된 비트라인 쌍, 메모리 셀 어레이에 기록할 데이터를 임시저장하거나, 메모리 셀 어레이로부터 특정 셀의 데이터를 독출하여 임시 저장하는 레지스터, 특정 비트라인 또는 특정 레지스터의 전압 레벨을 감지하는 감지노드, 상기 특정 비트라인과 감지노드의 접속여부를 제어하는 비트라인 선택부를 포함한다.
이러한 불휘발성 메모리 장치의 동작에서 있어서 해당 칩의 각종 파라미터를 읽어올 필요가 있다. 즉, 호스트(host)가 불휘발성 메모리 장치가 포함된 칩을 사용하는데 있어서, 불휘발성 메모리 장치가 SLC 방식에 의한 것인지, MLC 방식에 의한 것인지, 용량은 어떻게 되는지, 각종 AC 특성들은 어떻게 되는지 등에 관한 정보를 필요로 하게 된다. 따라서, 이러한 여러 가지 파라미터를 읽어 오는 동작을 최적화할 필요가 있다.
전술한 필요성에 따라, 본원 발명이 해결하고자 하는 과제는 불휘발성 메모리 장치의 파라미터 독출 동작중에 독출 대상이 되는 파라미터의 어드레스를 변경할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.
전술한 과제를 해결하기 위한 본원 발명의 불휘발성 메모리 장치의 파라미터 독출 방법은 파라미터 독출 명령어가 입력되는 단계와, 파라미터 저장소의 시작 어드레스가 입력되는 단계와, 상기 시작 어드레스에 저장된 값부터 파라미터가 독출되는 단계와, 파라미터 어드레스 변경 명령어가 입력되는 단계와, 파라미터 저장소의 목적지 어드레스가 입력되는 단계와, 상기 목적지 어드레스에 저장된 값부터 파라미터가 독출되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
전술한 본원 발명의 구성에 따라, 불휘발성 메모리 장치의 파라미터를 독출하는데 소요되는 시간을 단축시킬 수 있다. 즉, 종전과는 달리 특정 파라미터를 순차적이 아닌 랜덤하게 독출할 수 있게 되는바, 그에 따라 필요한 파라미터만을 독출할 수 있게 되었다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본원 발명의 바람직한 실시예를 상세히 살펴보기로 한다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본원 발명의 일 실시예에 따른 유한 상태 기계도(FSM, finite state machine)를 도시한 도면이다.
상기 도면에 따르면 총 여섯 가지의 상태를 가질 수 있으며, 상태 변이 조건은 화살표에 표시된 바와 같다.
즉, ‘0’, ‘1’, ‘2’, ‘3’ 상태에서 다음 상태로 변환되기 위한 조건은 어드레스클럭(ADDCLK)이 하강할 때, 비지신호(BUSY)가 로우레벨을 갖는 경우이다.
‘3’ 상태에서 ‘4’상태로 변환되기 위한 조건은 상기 조건에 더하여, 디바이스의 용량이 2G 인 조건을 포함한다.
블록소거 명령어가 인가된 상태인 경우(BLOCKERASE='H') ‘2’ 상태에서 ‘5’ 상태로 변환되며, 랜덤데이터 입출력 상태(RANDUMDOUT/IN='H')이거나, 파라미터 어드레스 변경 상태(CHANG_PARA_COL='H')인 경우 상기 ‘1’ 상태에서 ‘5’ 상태로 변환된다.
실제 불휘발성 메모리 장치의 동작시에 상기 상태 변화를 살펴보기로 한다.
프로그램 동작이나 독출 동작의 경우 프로그램 대상이 되는 페이지의 어드레스, 또는 독출 대상이 되는 페이지의 어드레스를 필요로 하는데, 컬럼 어드레스의 입력을 위해 2개의 사이클, 페이지 어드레스의 입력을 위해 1개의 사이클, 블록 어드레스의 입력을 위해 1개의 사이클을 필요로 한다. 즉, 총 네 개의 사이클을 필요로 하는바, 도시된 바와 같이 0->1->2->3->5의 시퀀스를 따르게 된다.
만약, 불휘발성 메모리 장치의 용량이 2G 이상인 경우에는 필요한 어드레스가 더 커지게 되므로, 그에 따라 하나의 사이클을 더 추가한 시퀀스(0->1->2->3->4->5)를 따르게 된다.
소거 동작의 경우 페이지 단위가 아닌 블록 전체가 소거되므로, 페이지 어드레스를 위한 사이클을 필요로 하지 않는다. 따라서, 0->1->2->5의 시퀀스를 따르게 된다.
상기 시퀀스 외에 본원 발명의 일 실시예에 따라, 파라미터 독출을 위한 시퀀스를 더 포함한다.
즉, 파라미터가 순차적으로 독출되고 있는 상황에서 필요한 파라미터 독출을 위해 특정 어드레스로 점프하는 동작을 필요로 한다.
이를 위해서는, 특정 파라미터가 저장된 어드레스를 다시 입력받는 동작이 필요하다. 즉, 파라미터 어드레스 변경 명령어가 입력되는 경우(CHANG_PARA_COL='H')에는 이동하고자 하는 어드레스 만을 입력받기 위하여 두 개의 사이클만 있으면 되므로, 0->1->5의 시퀀스를 따르게 된다.
도 2는 불휘발성 메모리 장치의 파라미터 독출 동작에 따른 타이밍 도를 도시한 도면이다.
먼저, 명령어 래치 인에이블 신호(CLE)가 활성화된 상태에서 파라미터 독출 명령어(ECh)가 입력된다.
다음으로, 어드레스 래치 인에이블 신호(ALE)가 활성화된 상태에서 파라미터 저장소의 시작 어드레스가 입력된다.
그에 따라, 각종 파라미터가 저장된 저장소에서 복수의 파라미터들(P0, P1, ..., Pn-1, Pn)이 순차적으로 독출된다.
이때, 이와 같이 순차적으로 독출되는 동작외에 필요한 파라미터를 독출하기 위해 해당 어드레스로 이동하는 동작이 필요하다.
도 3은 본원 발명의 일실시예에 따른 불휘발성 메모리 장치의 파라미터 어드레스 변경 동작에 따른 타이밍 도를 도시한 도면이다.
먼저, 명령어 래치 인에이블 신호(CLE)가 활성화된 상태에서 파라미터 독출 명령어(ECh)가 입력된다.
다음으로, 어드레스 래치 인에이블 신호(ALE)가 활성화된 상태에서 파라미터 저장소의 시작 어드레스가 입력된다.
그에 따라, 각종 파라미터가 저장된 저장소에서 복수의 파라미터들(P0, P1)이 순차적으로 독출된다.
이때, 외부 호스트의 제어에 따라 명령어 래치 인에이블 신호(CLE)가 활성화되고, 파라미터 어드레스 변경 명령어(05h)가 입력된다.
그에 따라, 어드레스 래치 인에이블 신호(ALE)가 활성화된 상태에서 파라미터 저장소의 목적지 어드레스가 입력된다. 상기 도면에서는, 변경되는 목적지의 어드레스를 모두 입력받기 위하여 두 개의 사이클을 필요로 하는 것으로 도시되어 있으나, 이는 어드레스 자체의 용량에 따라 변경가능하다. 즉, 불휘발성 메모리 장치의 용량이 작아 어드레스 값이 작아지는 경우에는 하나의 사이클만으로도 목적지 어드레스를 입력받을 수 있다.
이와 같이 변경된 어드레스에 따라, 해당 어드레스에 저장된 파라미터들(Pn, Pn+1,..)을 우선적으로 독출할 수 있게 된다.
정리하면, 본원 발명에 의하여 순차적으로 독출되는 불휘발성 메모리 장치의 파라미터를 랜덤하게 독출할 수 있게 된다.
도 1은 본원 발명의 일 실시예에 따른 유한 상태 기계도(FSM, finite state machine)를 도시한 도면이다.
도 2는 불휘발성 메모리 장치의 파라미터 독출 동작에 따른 타이밍 도를 도시한 도면이다.
도 3은 본원 발명의 일실시예에 따른 불휘발성 메모리 장치의 파라미터 어드레스 변경 동작에 따른 타이밍 도를 도시한 도면이다.

Claims (1)

  1. 파라미터 독출 명령어가 입력되는 단계와,
    파라미터 저장소의 시작 어드레스가 입력되는 단계와,
    상기 시작 어드레스에 저장된 값부터 파라미터가 독출되는 단계와,
    파라미터 어드레스 변경 명령어가 입력되는 단계와,
    파라미터 저장소의 목적지 어드레스가 입력되는 단계와,
    상기 목적지 어드레스에 저장된 값부터 파라미터가 독출되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 파라미터 독출 방법.
KR1020070136367A 2007-12-24 2007-12-24 불휘발성 메모리 장치의 파라미터 독출 방법 KR20090068663A (ko)

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