KR20090068260A - 요각의 공진 공동들, 이러한 공동들을 포함하는 필터들 및 제조 방법 - Google Patents

요각의 공진 공동들, 이러한 공동들을 포함하는 필터들 및 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20090068260A
KR20090068260A KR1020097007891A KR20097007891A KR20090068260A KR 20090068260 A KR20090068260 A KR 20090068260A KR 1020097007891 A KR1020097007891 A KR 1020097007891A KR 20097007891 A KR20097007891 A KR 20097007891A KR 20090068260 A KR20090068260 A KR 20090068260A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cavity
stub
resonant
reentrant
cavities
Prior art date
Application number
KR1020097007891A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101110100B1 (ko
Inventor
잔 헤셀바르트
Original Assignee
루센트 테크놀러지스 인크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 루센트 테크놀러지스 인크 filed Critical 루센트 테크놀러지스 인크
Publication of KR20090068260A publication Critical patent/KR20090068260A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101110100B1 publication Critical patent/KR101110100B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/205Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
    • H01P1/2053Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities the coaxial cavity resonators being disposed parall to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/205Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P7/00Resonators of the waveguide type
    • H01P7/04Coaxial resonators

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Abstract

요각의 마이크로파 공진 공동은 스터브(6)를 포함한다. 원통형 벽(2), 제 1 단부 벽(3) 및 스터브(6)는 일체형으로 형성된다. 제 2 단부 벽(4)은 인쇄 회로 기판(9) 상에 증착된 금속화 층(8)에 의해 규정된다. 부분들은 표면 실장 납땜 처리들을 사용하여 접합된다. 스터브(6)의 단부(11)는 갭(12)을 규정한다. 로스트럼(14)은 스터브(6)의 단부와 면한다. 로스트럼(14)은 독립적으로 제조되고 그 다음 기판(9)에 고정된다. 유전체 구(16)는 스터브(6)의 단부(11)와 로스트럼(14) 사이에 배치된다. 유전체 구(16)는 사용 동안 갭 크기를 유지하고 제조 동안 부분들의 올바른 위치결정을 돕는다.
스터브, 금속화층, 로스트럼, 유전체 구

Description

요각의 공진 공동들, 이러한 공동들을 포함하는 필터들 및 제조 방법{RE-ENTRANT RESONANT CAVITIES, FILTERS INCLUDING SUCH CAVITIES AND METHOD OF MANUFACTURE}
본 발명은 요각(re-entrant) 공진 공동들, 이러한 공동들을 포함하는 필터들 및 이러한 공동들의 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 배타적이지 않게, 본 발명은 표면 실장 납땜(surface mount soldering)을 사용하여 제조에 적합한 요각의 공진 공동들에 관한 것이다.
공진 공동은 전기 전도성 표면들에 의해 경계가 형성되고 발진하는 전자기장들이 유지할 수 있는 밀봉된 체적을 갖는 디바이스(device)이다. 공진 공동들은 예를 들면, 필터들로서 사용될 수 있고 우수한 전력 핸들링(handling) 능력 및 낮은 에너지 손실들을 갖는다. 여러 공진 공동들은 정교한 주파수 선택 작용을 달성하기 위해 함께 결합될 수 있다.
공진 공동의 기하학적 모양이 공진 주파수를 결정하기 때문에, 높은 기계적 정확도는 요구되고 게다가 또는 선택적으로 포스트-생산 튜닝(post-production tuning)이 적용된다. 예를 들면, 큐닝 메커니즘들(tuning mechanisms)은 가변하는 양만큼 공동 체적으로 돌출하고 수동으로 조절되는 튜닝 스크류들(tuning screws) 처럼 제공될 수 있다. 동작 동안, 공진 공동의 구성요소 부분들의 열 팽창은 주변 온도 및/또는 자체-온도의 변화들로 인해 발생하여, 주파수 편차를 유도한다. 이것은 일반적으로 바람직하지 않은 효과이고 다양한 수단은 온도 변화들을 보상하기 위하여 존재한다.
공진 공동들은 종종 금속으로 밀링 또는 주조된다. 동작 주파수는 요구된 공동 크기를 결정하고, 마이크로파 범위에서 크기 및 무게는 크다.
공동 무게를 감소시키기 위한 하나의 공지된 방법은 플라스틱으로 제조하고 얇은 금속 필름을 갖는 표면을 커버(cover)하는 것이다. 만약 밀링이 플라스틱을 성형하기 위해 사용되면, 충분한 정확도를 달성하는 것은 어렵고, 표면 거칠기는 문제일 수 있다. 몰딩은 또 다른 접근법이지만, 툴링(tooling)은 비싸다. 또한, 플라스틱 재료는 금속보다 잠재적으로 더 높은 열 팽창 계수를 갖고, 이는 팽창 효과들로 인한 보다 큰 주파수 편차를 야기할 수 있다. 플라스틱으로부터 제조된 공진 공동은 금속과 비교하여 부족한 견고성(robustness)이 부족할 수 있다.
플라스틱 재료의 강도는 공진 공동을 정위치에 고정하고 에너지를 공동의 안팎으로 결합하기 위한 입력 및 출력 전송 수단을 접속하기 위해 사용될, 스크류 접속들 같은, 통상적인 수단들에 불충분할 수 있다. 금속 공동들이 사용된 통상적인 고정 수단에 대한 대안은 표면 실장 납땜이다. 그러나, 처리 동안 땜납 흐름(solder flow)의 비예측성은 공진 공동들의 정확한 배치를 달성하는데 바람직하지 않을 수 있다.
T.J.Mueller, "SMD-type 42 GHz waveguide filter", Proc. IEEE Intern. Microwave Symp., Philadelphia, 2003, pp. 1089-1092는 U-모양 금속 필터 부분이 도파관 벽들 중 하나를 규정하기 위해 기판 금속화를 사용하여, 인쇄 회로 기판(printed circuit board; PCB)상에 납땜되는 표면 실장 납땜을 사용하는 도파관 필터의 제조를 설명한다.
본 발명의 일 양태에 따라, 요각 공진 공동은: 하나의 체적을 규정하고 단부면(end face)을 갖는 요각 스터브(re-entrant stub)를 포함하는 전기적 전도성 표면으로서, 단부 표면 및 표면의 면하는 부분(facing portion) 사이에 용량성 갭이 있는, 상기 전기적 전도성 표면; 및 갭(gap)에 배치된 유전체 부재(dielectric member)를 포함한다.
요각 공진 공동에서, 공동 체적 내의 전자기장의 전기 및 자기 부분들은 필수적으로 기하학적으로 분리된다. 용량성 갭의 크기는 공진 주파수를 규정하는데 중요하다. 따라서, 금속화된 플라스틱이 요각 공진 공동을 위한 적합한 선택 재료가 아닌 것이 생각될 수 있다. 금속화된 플라스틱들 공동들은 일반적으로 특히 용량성 갭의 크기에 영향을 받는 큰 열 팽창 계수들을 갖는다. 게다가, 용량성 갭의 기하구조는 비록 금속 공동들이 특정 범위까지 또한 영향을 받을 수 있지만, 금속화된 플라스틱들로 이루어진 요각의 공동들에 대해 특히 문제인 디바이스의 강한 가속도 또는 진동에 의해 영향을 받을 수 있다.
본 발명에 따른 공동에서, 유전체 부재는 열적 변화들 동안에도 공동 갭이 요구된 크기로 보다 밀접하게 유지될 수 있게 한다. 유전체 부재는 작고 잘 지정된 열 팽창 계수들, 및 낮은 유전체 손실을 갖는 재료들로부터 우수한 기계적 허용오차들을 가지고 형성될 수 있어서, 공동 체적 또는 그것의 경계 금속 표면들 내의 전자기장들에 큰 영향을 미치지 않는다. 유전체 부재에 적합한 재료들은 예를 들면, 알루미나, 유리들 및 석영 같은 세라믹들을 포함한다.
유전체 부재 재료의 열 팽창 계수, 및 유전율의 온도-유도 변화의 계수의 적당한 선택에 의해, 공진 공동은 온도 보상될 수 있다. 게다가, 유전체 부재는 기계적 지원을 제공하여, 갭상에서 진동 및 가속도의 효과들을 감소시키고, 따라서 공진 공동이 운반되고 보다 도전적인 조건들에 사용되게 한다.
본 발명에 따른 공진 공동들은 예를 들면, 금속 또는 금속화된 플라스틱일 수 있다.
스터브가 연장하는 대향 벽이 실질적으로 편평할 수 있어서(planar), 스터브의 단부면과 면하고, 용량성 갭을 규정하는 공동 부분은 그 벽의 표면의 나머지와 다르지 않다. 또 다른 실시예에서, 표면의 면하는 부분은 스터브의 단부 표면과 대향하여 배치된 로스트럼(rostrum)이다. 로스트럼은 이를 둘러싸는 공동 벽의 표면의 나머지를 자랑하는 영역이고, 벽과 일체형이거나 비일체형일 수 있다. 로스트럼의 두께는 스터브 및 사이에 있는 유전체 부재와 관련하여 요구된 갭 크기를 제공하기 위해 선택된다.
본 발명의 일 실시예에서, 유전체 부재는 구이다. 이 모양은 정확하게 제조하기에 상대적으로 쉽다. 그러나, 다른 대안적인 기하구조들은 사용될 수 있다. 유전체 부재는 예를 들면 디스크, 럭비 공 모양 또는 봉(rod)일 수 있다. 만입부(indentation)는 스터브의 단부 표면에 포함될 수 있고, 유전체 부재는 만입부에 의해 배치 및 유지된다. 부가적으로, 또는 대안적으로, 만입부는 유전체 부재가 배치된 표면의 면하는 부분에 포함될 수 있다. 만입부, 또는 만입부들은 부가적인 기계적 안정성을 제공한다.
스터브가 연장하는 벽은 공동의 다른 벽들보다 얇은 재료로 만들어질 수 있다. 이것은 유전체 부재를 홀딩하기 위해 대향 벽쪽 방향으로 스터브를 강제하는(urge) 바이어스를 제공하기 위한 스프링 힘을 제공한다. 열 팽창 효과들로 인해, 스프링 힘은 가장 높은 온도에서 최소이고 가장 낮은 온도에서 최대이다.
본 발명의 일 실시예에서, 공진 공동은 원통형 벽; 스터브; 및 제 1 단부 벽을 포함하는 일체형 금속화 몰딩된 플라스틱 성분을 포함하고; 스터브는 원통형 벽에 의해 둘러싸이고 원통형 벽의 길이방향 축을 따르는 방향으로 제 1 단부 벽으로부터 연장한다.
본 발명의 또 다른 양태에 따른, 마이크로파 필터 배열은 본 발명에 따른 복수의 요각 공진 공동들을 포함한다. 복수의 공동들이 공통 인쇄 회로 기판 상에 제조되는 경우, 기판 상의 금속화부는 공동들의 벽들을 형성하고, 공동들 사이의 결합은 기판에 의해 유지되는 전도성 트랙들(conductive tracks)을 통하여 달성될 수 있다. 본 발명에 따른 필터 장치는 특히 예를 들면, 안테나 엘리먼트들(antenna elements)에 근접하여 하나 이상의 필터 장치들을 실장하기 위해 요구되는 전기통신 장치에 사용하기 위한 견고한 구조를 제공하면서, 무게 및 크기가 감소되어야 하는 애플리케이션들에 특히 장점을 제공한다.
본 발명의 또 다른 양태에 따른, 요각 공진 공동 장치를 제조하기 위한 방법은 단부면을 갖는 요각 스터브를 포함하는 제 1 공동 부분을 제공하는 단계; 제 2 공동 부분을 제공하는 단계; 제 1 및 제 2 부분들을 접합하는 단계; 및 스터브의 단부면과 제 2 공동 부분의 면하는 부분 사이에 유전체 부재를 제공하는 단계를 포함한다.
본 발명은 요각 공진 공동이 예를 들면, 그들 사이의 땜납을 사용하여 공동의 일부를 또 다른 부분에 배치 및 고정하기 위한 납땜을 사용하여 요각 공진 공동이 제조되게 한다. 납땜이 이 유형의 구성에 적합하지 않다는 것이 생각될 수 있다. 제조 동안 땜납 흐름이 예측할 수 없기 때문에 땜납의 두께를 제어하기 어렵고, 따라서 올바른 갭 크기를 달성하는 것은 불가능하다. 그러나, 본 발명에 따른 방법을 사용함으로써, 유전체 부재는 두 부분들 사이의 땜납으로 인한 갭 기하구조의 잠재적인 변화에도 불구하고, 올바른 간격이 스터브의 단부면과 면하는 금속 표면 사이에서 달성되는 것을 보장한다.
본 발명에 따른 하나의 방법에서, 만입부는 스터브의 단부면에 포함된다. 유전체 부재는 만입부에 배치 및 유지된다. 부가적으로, 또는 대안적으로, 만입부는 유전체 부재가 배치된 표면의 면하는 부분에 포함될 수 있다. 이러한 만입부들은 예를 들면 몰딩 동안 큰 정확도로 형성되고, 공동 부분들의 정확한 측면 상대적 배치가 제조 동안 달성되게 한다.
또한, 본 발명은 표면 실장 기술이 요각 공진 공동을 제조하는데 사용되게 한다. 제 2 공동 부분은 비록 다른 편평한 금속 또는 금속화된 표면들이 대안들로서 사용될 수 있지만, 금속화된 인쇄 회로 기판일 수 있다. 유전체 부재는 납땜 동안 공동 부분들을 배치하여 공동 부분들은 서로 올바르게 정렬되고, 또한 기판상에서 측면으로 배치된다.
본 발명에 따른 방법은 특히 공동이 금속화된 플라스틱인 경우 바람직하다. 이것은 반복성, 큰 체적들에 대해 상대적으로 값싼 제조를 제공하고, 공동들은 가볍고 우수한 주파수 제어를 달성할 수 있다. 그러나, 또한 예를 들면, 공동이 인쇄회로기판 또는 다른 적합한 기판 상에 납땜 또는 땜질될 수 있는 금속인 경우 사용될 수 있다.
방법은 로스트럼 없는 요각 공진 공동들 및 로스트럼을 포함하지 않는 것들에 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 하나의 방법에서, 복수의 상이한 크기의 로스트럼들이 이용가능하고, 이로부터 하나의 로스트럼은 공동에 포함되도록 선택된다. 플라스틱 부분들을 몰딩하기 위한 툴들(tools)에 대한 비용들은 크다. 스터브를 포함하는 보다 복잡한 부분에 대한 툴링은 로스트럼에 요구되는 것보다 더 비싸다. 요각 공동들은 제공될 수 있고 각각의 경우 동일한 보다 복잡한 부분을 사용하지만, 공동의 원하는 주파수 성능에 따라 상이한 로스트럼을 선택함으로써 상이한 공진 주파수들을 갖는다. 상이한 크기의 유전체 부재들은 이 방법에서 또한 이용가능하다.
본 발명에 따른 또 다른 방법은 복수의 공동들을 제조하고 필터 회로를 형성하기 위해 그들을 함께 결합하는 단계를 포함한다.
본 발명의 몇몇 방법들 및 실시예들은 이제 단지 예시적이고, 비례적이 아닌 첨부 도면들을 참조하여 설명될 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 공진 공동을 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 본 발명에 따른 또 다른 공진 공동을 개략적으로 도시한 도면.
도 3(a) 내지 3(d)는 도 1의 공진 공동을 제조하는 방법의 단계들을 개략적으로 도시한 도면.
도 4는 본 발명에 따른 또 다른 방법 단계를 개략적으로 도시한 도면.
도 1을 참조하여, 요각 마이크로파 공진 공동(1)은 일반적으로 제 1 및 제 2 벽들 사이에 원통형 체적(5)을 규정하기 위해 각 단부에, 각각 제 1 및 제 2 단부 벽들(3 및 4)을 갖는, 원통형 벽(2)을 포함한다. 스터브(6)는 제 1 단부 벽(3)으로부터 체적(5)으로 연장하고 원통형 벽(2)의 길이방향 축(X-X)을 따라 배치된다. 원통형 벽(2), 제 1 단부 벽(3) 및 스터브(6)는 단일 몰딩된 플라스틱 구성요소로서 일체형으로 형성되고, 그 내부 표면은 은의 층(7)으로 금속화된다. 제 1 단부 벽(3)은 원통형 벽(2)의 두께에 비해 상대적으로 얇다. 제 2 단부 벽(4)은 인쇄 회로 기판(9)에 의해 유지된(carried) 금속화 층(8)에 의해 규정된다. 원통형 벽(2)은 디바이스의 제조 동안 표면 실장 납땜 처리에서 아래 놓인 땜납(10)에 의해 금속화 층(8)에 접합된다.
스터브(6)의 단부면(11)은 스터브의 단부면과 제 2 단부 벽(4)의 면하는 부분(13) 사이에 갭(12)을 규정한다. 제 2 단부 벽(4)의 면하는 부분(13)은 로스트 럼(14)에 의해 형성되는데, 이는 이 실시예에서 실질적으로 스터브(6)와 동일한 직경이고 높이(15)를 갖는다. 로스트럼(14)은 공동(1)의 다른 부분들과 일체형이 아닌 금속화된 몰딩된 플라스틱 부분이고 기판(9) 상에 적소에 납땜된다. 유전체 구(16)는 프로브(6)의 단부(11) 및 로스트럼(14) 사이에 배치된다. 유전체 구(16)를 유지하고 배치하기 위해 스터브(6)의 단부면(11)의 만입부(11a) 및 로스트럼(14)의 만입부(14a)가 존재한다.
공동(1)은 기판(9)의 구리 트랙(17)을 통해 에너지를 시그널링(signaling)하기 위한 입력부 및 또 다른 구리 트랙(18)을 통한 출력부을 갖는다. 이들은 공동 체적(5)의 안팎으로 에너지를 결합하기 위해 사용되고, 공동(1)이 예를 들면, 필터를 형성하기 위해 다른 유사한 공동들에 쉽게 결합되게 한다.
동작 동안, 내부 팽창은 스터브(6)가 보다 유연한(flexible) 얇은 제 1 단부 벽(3)에 의해 유전체 구(16)쪽으로 강제되게 한다. 유전체 구(16)는 정확한 갭 거리(12)가 공진 공동(1)의 동작 동안 유지되게 하고 성능에 대한 진동 효과들을 감소시키기 위해 스터브(6)를 안정화시킨다.
도 2를 참조하여, 또 다른 요각 공진 공동은 인쇄 회로 기판(20)에 납땜된 금속화된 플라스틱 몰딩된 부분(19)을 포함하는, 도 1에 도시된 것과 유사하다. 그러나, 로스트럼은 이 설계에 포함되지 않는다. 스터브(24)의 단부(23)와 면하는 제 2 공동 단부 벽(22)의 부분(21)은 기판(20)과 스터브(24)의 단부(23) 사이에 갭(25)을 규정한다. 면하는 부분(21)은 기판(20) 상의 금속화 층(26)과 연속적이고, 일부이다. 유전체 구(27)는 면하는 일부(21)에서 금속화 층(26)과 스터브(24) 의 단부(23) 사이에 배치된다. 또한, 이 실시예에서, 스냅들(snaps)(28 및 29)은 제조 동안 기판(20)과 관련하여 몰딩된 부분(19)을 배치하는 것을 돕는다. 땜납(30)은 기판(20)에 몰딩된 부분(19)을 접합한다. 땜납은 유전체 구(27)와 금속화 층(26) 사이에 포함된다.
비록 도 1 및 도 2에 도시된 공진 공동들이 몰딩된 플라스틱의 구성요소들을 포함하지만, 그들은 또 다른 기술, 예를 들면 밀링에 의해 제조되거나, 또는 대안적으로 완전히 금속으로 만들어질 수 있다.
도 1의 공진 공동을 제조하기 위한 방법은 이제 도 3을 참조하여 설명된다.
주입 몰딩은 마무리된 공진 공동에 원통형 벽(2), 제 1 단부 벽(3) 및 단부면(11)에 만입부(11A)를 갖는 스터브(6)를 포함하는 도 3(a)에 도시된 플라스틱 구성요소(32)를 생성하기 위해 사용된다. 금속화는 마무리된 디바이스의 공동의 내부에 있을 표면들에 적용된다. 금속화는 비록 다른 방법들이 전기적 목적들을 위한 충분히 완전한 코팅을 달성하는 것을 또한 가능하게 하지만, 스프레이(spray)함으로써 적용된다.
스터브(6)의 단부면(11)과 제 2 단부 벽의 면하는 부분 사이의 갭은 커패시턴스(capacitance) 및 이에 따라 공동의 공진 주파수를 규정하는데 중요하다. 적합한 로스트럼은 도 3(b)에 도시된 바와 같이 직경 및/또는 높이가 가변하는 상이한 크기들의 세트(33)로부터 선택된다. 로스트럼의 크기들은 마무리된 디바이스의 용량성 갭(capacitive gap)을 규정한다. 이 경우, 3 개의 가능한 선택들 중 제 2 로스트럼(14)은 선택된다.
도 3(c)를 참조하여, 유전체 구(16)는 만입부(14a)에서 선택된 로스트럼(14)에 접착되고, 그 다음 로스트럼(14)은 인쇄 회로 기판(9) 상의 땜납 패드(34) 상에 배치된다. 온도는 증가되어 땜납은 흐르게 하고 정위치에 로스트럼(14)을 고정하게 한다. 그 다음 플라스틱 구성요소(32)는 유전체 구(16)를 수용하는 스터브(6)의 단부면(11)의 만입부(11a)를 갖는, 원통형 벽(2)에 대응하는 땜납 패드들 상의 정위치에 배치된다. 만입부들(14a 및 11a)은 유전체 구(16)를 유지 및 배치하여, 구성요소(32) 및 로스트럼(14)의 정확한 측면 상대적 배치를 가능하게 한다. 어셈블리는 구성요소(32)가 땜납(10)에 의해 기판(9)에 접합되는 도 1에 도시된 바와 같이 마무리된 공동을 획득하기 위해 납땜된다.
방법은 한번에 단일 공동을 제조하기 위해 사용될 수 있다. 그러나, 그것의 확장시, 복수의 공동들은 방법을 사용하여 동시에 제조된다. 도 3(d)는 필터 장치(38)를 제공하기 위해, 접속 트랙들(37)을 갖는 공통 기판(36) 상에 제조되는 여러 공진 공동들(35)의 배열을 도시한 도면이다. 접속 트랙들은 요구된 주파수 선택 작용을 획득하기 위해 필터 장치(38)에 포함된 공동들 사이에서 신호들에 대한 결합을 제공한다.
도 4(a)는 도 3(c)에 도시된 단계에 대한 일 대안적인 방법 단계를 도시한 도면이다. 유전체 구(16)는 표면 실장 납땜에 대한 기판까지 제공되기 전에 플라스틱 구성요소(32)에 접착된다. 이 단계는 로스트럼을 포함하는 양쪽 디바이스들에 적합하고 포함하지 않는 것들에 적합하다.
본 발명은 필수적인 특성들로부터 벗어나지 않고, 다른 특정한 형태들로 구 현될 수 있고, 다른 방법들에 의해 수행된다. 설명된 실시예들 및 방법들은 단지 도시되고 제한되지 않는 모든 측면들에서 고려되어야 한다. 그러므로, 본 발명의 범위는 상기 설명보다 오히려 첨부된 청구항들에 나타난다. 청구항들의 의미 및 등가의 범위 내의 모든 변화들은 그들의 이 범위 내에 포함되어야 한다.

Claims (15)

  1. 요각의 공진 공동(re-entrant resonant cavity)에 있어서:
    체적을 규정하고 단부면을 갖는 요각의 스터브(stub)를 포함하는 전기적 전도성 표면으로서, 상기 단부면 및 상기 표면의 면하는 부분(facing portion) 사이에 용량성 갭(capacitive gap)이 있는, 상기 전기적 전도성 표면; 및
    상기 갭에 배치된 유전체 부재를 포함하는, 요각의 공진 공동.
  2. 제 1 항에 있어서,
    원통형 벽;
    상기 스터브; 및
    제 1 단부 벽을 포함하는 일체형 몰딩 금속화된 플라스틱 구성요소를 포함하고, 상기 스터브는 상기 원통형 벽에 의해 둘러싸이고 상기 원통형 벽의 길이 방향 축을 따르는 방향으로 상기 제 1 단부 벽으로부터 연장하는, 요각의 공진 공동.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 전기적 전도성 표면은 상기 제 1 단부 벽과 대향하고 인쇄 회로 기판 상의 금속화 층에 의해 규정된 제 2 단부 벽을 포함하는, 요각의 공진 공동.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유전체 부재는 구인, 요각의 공진 공동.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 면하는 부분쪽 방향으로 스터브를 바이어스(bias)하도록 상기 공동의 다른 벽들보다 얇은 스터브가 연장하는 벽을 포함하는, 요각의 공진 공동.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 표면의 면하는 부분은 로스트럼(rostrum)의 표면이고, 상기 면하는 부분은 상기 면하는 부분을 둘러싸는 상기 전기적 전도성 표면과 상이한 평면에 있는, 요각의 공진 공동.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유전체 부재가 배치되는 상기 스터브의 단부면의 만입부(indentation)를 포함하는, 요각의 공진 공동.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유전체 부재가 배치되는 상기 표면의 면하는 부분의 만입부를 포함하는, 요각의 공진 공동.
  9. 필터 장치에 있어서,
    복수의 요각의 공진 공동들을 포함하며, 상기 복수의 요각의 공진 공동들 중 적어도 하나는 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 청구된 공진 공동인, 필터 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 복수의 요각의 공진 공동들은 공통 기판상에 유지되는(carried), 필터 장치.
  11. 요각의 공진 공동 장치(re-entrant cavity arrangement)를 제조하기 위한 방법에 있어서:
    단부면을 갖는 요각의 스터브를 포함하는 제 1 공동 부분을 제공하는 단계;
    제 2 공동 부분을 제공하는 단계;
    상기 제 1 및 제 2 부분들을 접합하는 단계; 및
    상기 스터브의 단부면과 상기 제 2 공동 부분의 면하는 부분 사이에 유전체 부재를 제공하는 단계를 포함하는, 요각의 공진 공동 장치 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 공동 부분은 금속화된 인쇄 회로 기판이고 표면 실장 납땜(surface mount soldering)은 상기 제 1 및 제 2 공동 부분들을 접합하기 위하여 사용되는, 요각의 공진 공동 장치 제조 방법.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    제 3 공동 부분을 제공하는 단계 및 상기 제 1 및 제 2 공동 부분들 사이에서 상기 스터브의 단부면과 대향하여 상기 제 3 공동 부분을 배치하는 단계를 포함하는, 요각의 공진 공동 장치 제조 방법.
  14. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 유전체 부재가 배치되는 상기 스터브의 단부면의 만입부를 포함하는, 요각의 공진 공동 장치 제조 방법.
  15. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 유전체 부재가 배치되는 상기 표면의 면하는 부분의 만입부를 포함하는, 요각의 공진 공동 장치 제조 방법.
KR1020097007891A 2006-09-20 2007-09-10 재진입 공진 공동들, 이러한 공동들을 포함하는 필터들 및 제조 방법 KR101110100B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/524,136 US7570136B2 (en) 2006-09-20 2006-09-20 Re-entrant resonant cavities, filters including such cavities and method of manufacture
US11/524,136 2006-09-20
PCT/US2007/019712 WO2008036178A1 (en) 2006-09-20 2007-09-10 Re-entrant resonant cavities, filters including such cavities and method of manufacture

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090068260A true KR20090068260A (ko) 2009-06-25
KR101110100B1 KR101110100B1 (ko) 2012-02-24

Family

ID=39015972

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097007891A KR101110100B1 (ko) 2006-09-20 2007-09-10 재진입 공진 공동들, 이러한 공동들을 포함하는 필터들 및 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7570136B2 (ko)
EP (1) EP2070151B1 (ko)
JP (1) JP4808272B2 (ko)
KR (1) KR101110100B1 (ko)
CN (1) CN101517821A (ko)
WO (1) WO2008036178A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101437796B1 (ko) * 2010-06-29 2014-09-03 알까뗄 루슨트 Pcb 장착 마이크로파 오목형 공진 공동을 위한 커플링 메커니즘

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2945673B1 (fr) * 2009-05-15 2012-04-06 Thales Sa Dispositif de paroi flexible multi-membranes pour filtres et multiplexeurs de technologie thermo-compensee
US7968876B2 (en) * 2009-05-22 2011-06-28 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell having vertical channel access transistor
GB201222320D0 (en) * 2012-12-12 2013-01-23 Radio Design Ltd Filter assembly
CN106841816A (zh) * 2016-12-23 2017-06-13 潍坊学院 一种微波材料介电常数及电调率的测试装置及方法
DE102017122406A1 (de) * 2017-09-27 2019-03-28 Micro-Epsilon Messtechnik Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur dickenmessung von beschichtungen
CN110350287B (zh) * 2018-04-08 2021-04-06 中国科学院理化技术研究所 一种准球形谐振腔闭合判别方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR961102A (ko) 1946-10-04 1950-05-05
US2504109A (en) * 1946-10-04 1950-04-18 Westinghouse Electric Corp Dielectric heating with cavity resonator
JPS57124902A (en) * 1981-01-26 1982-08-04 Toyo Commun Equip Co Ltd Filter for semicoaxial cavity resonator
US4679011A (en) * 1986-03-21 1987-07-07 Rca Corporation Waveguide directional coupler family with a common housing having different sets of conductive block insertable therein
JPS63145951A (ja) * 1986-12-09 1988-06-18 Daipoole:Kk 糸状材料の物性量測定装置
US5329687A (en) * 1992-10-30 1994-07-19 Teledyne Industries, Inc. Method of forming a filter with integrally formed resonators
IT1264648B1 (it) * 1993-07-02 1996-10-04 Sits Soc It Telecom Siemens Risonatore sintonizzzabile per oscillatori e filtri alle microonde
JPH0714702U (ja) * 1993-07-30 1995-03-10 アンリツ株式会社 半同軸形共振器
JP2001053512A (ja) * 1999-08-13 2001-02-23 Japan Radio Co Ltd 温度補償型高周波共振器および高周波フィルタ
EP1505687A1 (en) * 2003-08-04 2005-02-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dielectric resonator, dielectric filter, and method of supporting dielectric resonance element
DE102004010683B3 (de) * 2004-03-04 2005-09-08 Kathrein-Werke Kg Hochfrequenzfilter
DE102004045006B4 (de) 2004-09-16 2006-09-28 Kathrein-Austria Ges.M.B.H. Hochfrequenzfilter

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101437796B1 (ko) * 2010-06-29 2014-09-03 알까뗄 루슨트 Pcb 장착 마이크로파 오목형 공진 공동을 위한 커플링 메커니즘

Also Published As

Publication number Publication date
US7570136B2 (en) 2009-08-04
EP2070151A1 (en) 2009-06-17
CN101517821A (zh) 2009-08-26
JP2010504062A (ja) 2010-02-04
WO2008036178A1 (en) 2008-03-27
US20080068111A1 (en) 2008-03-20
KR101110100B1 (ko) 2012-02-24
JP4808272B2 (ja) 2011-11-02
EP2070151B1 (en) 2016-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101110100B1 (ko) 재진입 공진 공동들, 이러한 공동들을 포함하는 필터들 및 제조 방법
US7965251B2 (en) Resonant cavities and method of manufacturing such cavities
US8324989B2 (en) Re-entrant resonant cavities and method of manufacturing such cavities
JP5466340B2 (ja) Pcbに取り付けられたマイクロ波リエントラント型共振空洞のためのカップリング機構
TW201937996A (zh) 用於具有波導耦合裝置之雷達物位量測裝置的電路板
US11101535B2 (en) Transmission line-waveguide transition device comprising a waveguide having a ridge connected to the transmission line at a reduced width ground transition area
JP2019029898A (ja) バンドパスフィルタ及び多段バンドパスフィルタ
JP3506121B2 (ja) 誘電体共振器、フィルタ、デュプレクサおよび通信装置
US7109822B2 (en) Method and apparatus for rapid prototyping of monolithic microwave integrated circuits
TW200301585A (en) Dielectric resonance element, dielectric resonator, filter, resonator device, and communication device
FI97089C (fi) Dielektrinen resonaattori
JPH0728166B2 (ja) フィルタ及びその製造方法
JP2001028504A (ja) サーキュレータ
WO2012095933A1 (ja) 非可逆回路素子
JP2004072730A (ja) 誘電体フィルタ、通信機器、共振周波数を制御する方法
JP2001119214A (ja) 誘電体共振器装置及びその導電性ケーシングの製造方法
JPS594203A (ja) 誘電体フイルタ
JP5678673B2 (ja) 非可逆回路素子
EP2015449A1 (en) Packaging for piezoelectric resonator
JP2001339154A (ja) セラミック基板の保持治具および保持方法
EP3229312A1 (en) Microwave on-chip resonator and antenna structure
JPS594202A (ja) 誘電体フイルタ
JP2000323904A (ja) 高周波非可逆回路素子
JPH04188901A (ja) 誘電体帯域阻止フィルタ
JP2004304211A (ja) 非可逆回路素子及びそれに用いる磁気回転子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150109

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160108

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170106

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180112

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181226

Year of fee payment: 8