KR20090059841A - 액정표시장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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김동국
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Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 서로 마주하는 제 1 및 제 2 기판, 상기 제 1 및 제 2 기판사이에 개재된 액정층, 상기 제 1 기판상에 서로 교번하며 배치된 화소전극 및 공통전극, 상기 제 2 기판상에 배치되며, 상기 제 2 기판을 노출하는 개구를 갖는 블랙매트릭스, 적어도 상기 개구상에 배치된 컬러필터 패턴, 상기 블랙매트릭스 및 상기 컬러필터 패턴을 포함하는 제 2 기판상에 배치된 오버코트층, 및 상기 오버코트층상에 배치된 배향막을 포함하며, 상기 오버코트층은 상기 배향막에 비해 작은 비저항 값을 가짐에 따라 액정표시장치의 잔상 문제를 개선할 수 있다.
오버코트층, 전도성 고분자, 나노튜브, DC 전압, 잔상

Description

액정표시장치 및 이의 제조 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
액정표시장치에 관한 것으로, 더욱 구체적으로 잔상 문제를 개선하기 위한 액정표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
오늘날, 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display device ; LCD)는 소비전력이 낮고, 휴대성이 양호한 기술 집약적이며 부가가치가 높은 차세대 첨단 디스플레이(display) 소자로 각광받고 있다.
이와 같은 액정 표시 장치는 액정분자의 배열상태에 따른 변화되는 광의 투과율을 이용하여 사용자에게 영상을 제공한다. 주로 액정표시장치는 구조가 단순하며, 용이한 공정을 통해 형성할 수 있는 TN형 액정표시장치로 주로 이용되고 있다. 여기서, 상기 TN형 액정표시장치는 전압이 인가되었을 경우, 액정 분자가 기판에 대해 수평한 방향에서 수직한 방향으로 배향시킨다. 이때, 상기 액정 분자는 굴절률 이방성을 가지고 있어, 시야각 방향에 따라 광 투과율이 다르다. 즉, 상기 액정 분자가 구동될 경우, 시야각이 좁아지는 문제점이 있었다.
이와 같은 시야각 개선을 위해, IPS 모드 액정표시장치가 개발되었다. 상기 IPS 모드 액정표시장치는 서로 마주하는 제 1 및 제 2 기판, 상기 제 1 및 제 2 기판사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 제 1 기판상에는 박막트랜지스터, 다수개로 분기된 서브 화소전극들을 구비하는 화소전극, 다수개로 분기된 서브 공통전극들을 구비하는 공통전극을 포함한다. 이때, 상기 서브화소전극과 상기 서브 공통전극은 서로 교번하여 배치되어, 횡전계를 형성한다. 상기 제 2 기판상에는 블랙매트릭스, 컬러필터 패턴, 오버코트층 및 배향막이 배치되어 있다. 이로써, 상기 액정은 상기 횡전계의 전계방향과 평행하도록 배향됨에 따라 시야각을 개선할 수 있다.
그러나, 고온에서 상기 제 2 기판에 구비된 유기물질로 형성된 상기 배향막, 상기 컬러필터 패턴 및 상기 오버코트층으로부터 불순물, 예컨대 이온성 및 극성을 갖는 개시제 및 안료등을 배출시킬 수 있다. 여기서, 상기 배향막과 상기 오버코트층은 서로 동등한 수준의 비저항값, 예컨대 1014 내지 1015Ωcm을 갖는다. 예컨대, 상기 배향막은 폴리이미드계 수지로 이루어지고, 상기 오버코트층은 아크릴계수지 또는 에폭시계 수지로 이루어진다. 이로써, 상기 불순물들은 상기 배향막과 상기 오버코트층의 계면 사이를 이동하거나 흡착되어, 상기 각 계면에 기생 캐패시터를 형성할 수 있다.
이와 같은 기생 캐패시터는 상기 액정층에 인가되는 유효 전압의 차이를 발생시켜 잔상 문제를 초래할 수 있다. 다시 말해, 화상을 장시간 표시할 경우, 상기 기생 캐패시터는 상기 화상을 표시하기 위해 인가된 DC 전압을 충전하게 된다. 상기 충전된 DC 전압은 상기 액정층에 별도의 DC 전압을 인가하지 않았을 경우에도 상기 액정층의 액정분자를 재배열시킨다. 이로써, 화상을 변화시키기 위한 새로운 DC 전압을 상기 액정층에 인가할 지라도 상기 충전된 DC 전압에 의해 형성된 화상의 흔적이 남는 잔상 문제를 초래할 수 있다.
더욱이, IPS 모드 액정표시장치의 제 2 기판에는 상기 충전되는 DC전압이 방전되기 위한 도전층이 구비되지 않으므로, 상기와 같은 잔상 문제는 심각하다.
본 발명의 하나의 과제는 DC 전압이 잔류함에 따라 발생하는 잔상 문제를 해결할 수 있는 액정표시장치를 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 액정표시장치를 제공한다. 상기 액정표시장치는 서로 마주하는 제 1 및 제 2 기판, 상기 제 1 및 제 2 기판사이에 개재된 액정층, 상기 제 1 기판상에 서로 교번하며 배치된 화소전극 및 공통전극, 상기 제 2 기판상에 배치되며, 상기 제 2 기판을 노출하는 개구를 갖는 블랙매트릭스, 적어도 상기 개구상에 배치된 컬러필터 패턴, 상기 블랙매트릭스 및 상기 컬러필터 패턴을 포함하는 제 2 기판상에 배치된 오버코트층, 및 상기 오 버코트층상에 배치된 배향막을 포함하며, 상기 오버코트층은 상기 배향막에 비해 작은 비저항 값을 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 일 측면은 액정표시장치의 제조 방법을 제공한다. 상기 제조 방법은 서로 교번하는 화소전극 및 공통전극이 형성된 제 1 기판을 제공하는 단계, 상기 제 1 기판과 별도로 제 2 기판상에 개구를 갖는 블랙매트릭스를 형성하는 단계, 적어도 상기 개구상에 컬러필터 패턴을 형성하는 단계, 상기 블랙매트릭스 및 상기 컬러필터 패턴을 포함하는 제 2 기판상에 오버코트층을 형성하는 단계, 및 상기 오버코트층상에 배향막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 오버코트층은 상기 배향막에 비해 비저항이 낮은 것을 특징으로 한다.
본 발명의 액정표시장치는 비저항이 낮은 오버코트층을 구비함에 따라, 상기 오버코트층에 의해 구동 중 축적된 DC 전압을 방전할 수 있어 상기 축적 DC 전압에 의해 발생하는 잔상 문제를 개선할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예들은 액정표시장치의 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되 어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1 및 도 2들은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 설명하기 위해 도시한 도면들이다. 도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 Ⅰ-Ⅰ'와 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단한 단면도이다. 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치는 영상을 표시하기 위한 다수의 화소들을 포함하나, 설명의 편의상 도 1에서는 하나의 화소를 확대하여 도시하였다.
도 1 및 도 2들을 참조하면, 액정표시장치는 제 1 기판(100)상에 배치된 박막트랜지스터(Tr), 화소전극(125), 공통전극(135)과, 제 2 기판(200)상에 배치된 블랙매트릭스(210), 컬러필터 패턴(220), 오버코트층(230), 배향막(240)과, 상기 제 1 및 제 2 기판(100, 200)사이에 개재된 액정층(300)을 포함한다.
여기서, 상기 오버코트층(230)과 상기 배향막(240)은 유기물질로 이루어질 수 있다. 특히, 고온의 환경에서 상기 오버코트층(230)과 상기 배향막(240)으로부터 이온성 또는 극성을 갖는 불순물이 배출되어, 상기 오버코트층(230)과 상기 배향막(240)사이의 계면에서 흡착 및 이동될 수 있다. 상기 불순물에 의해 상기 오버코트층(230)과 상기 배향막(240)사이의 계면에서 기생캐패시터가 발생하여, 액정표시장치의 잔상 문제를 발생시킬 수 있다.
이로써, 상기 오버코트층(230)은 상기 배향막(240)에 비해 낮은 비저항을 가짐으로써, 상기 오버코트층(230)과 상기 배향막(240)사이의 계면에서 기생캐패시터 가 형성되는 것을 방지하거나, 상기 기생캐패시터에 충전되는 DC전압을 방전시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 배향막(240)의 비저항 값은 통상적으로 1014 내지 1015Ωcm을 가지므로, 상기 오버코트층(230)의 비저항은 1014 Ωcm를 초과하지 않아야 한다.
상기 오버코트층(230)의 비저항을 낮추기 위해, 상기 오버코트층(230)은 물리적으로 나노튜브 또는 전도성 고분자가 포함되어 있을 수 있다. 예컨대, 상기 나노튜브는 단층벽 탄소 나노튜브 또는 다층벽 탄소 나노튜브일 수 있다. 또한, 상기 전도성 고분자는 폴리에틸렌옥사이드, 폴리아세틸렌, 폴리피롤 및 폴리아닐린 중 어느 하나일 수 있다.
또는, 상기 오버코트층(230)의 비저항을 낮추기 위해, 상기 오버코트층(230)은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물로부터 형성할 수 있다.
Figure 112007088250914-PAT00001
여기서, k, l, m, n은 각각 1 내지 10의 정수일 수 있다. 또한, a는 3 내지 7의 정수일 수 있다. 또한, X는 벤젠기, 알킬기, 하이드록실기, 에스테르기, 아미드기 및 에폭시기 중 어느 하나일 수 있다.
즉, 상기 오버코트층(230)은 바인더 수지인 폴리아크릴레이트와 전도성 고부자인 폴리에틸렌옥사이드의 공중합체로 형성함에 따라, 상기 오버코트층(230)의 비저항을 낮출 수 있다. 더 나아가, 상기 폴리에틸렌옥사이드는 활성기를 가짐에 따라 상기 오버코트층(230)의 비저항을 더욱 낮출 수 있다.
구체적으로, 상기 제 1 기판(100)상에 서로 교차하는 게이트 배선(101)과 데이터 배선(102)에 의해 정의될 수 있다. 여기서, 상기 게이트 배선(101)과 데이터 배선(102)은 그 사이에 개재된 게이트 절연막(110)에 의해 서로 절연된다. 상기 게이트 배선(101)과 이격된 공통배선(103)이 배치되어 있다. 상기 공통배선(103)은 상기 게이트 배선(101)과 동일한 도전물질로 이루어질 수 있다.
상기 각 화소에 박막트랜지스터(Tr)가 배치되어 있다. 상기 박막트랜지스터(Tr)는 게이트 전극(104), 반도체 패턴(114), 게이트 절연막(110), 소스 전극(124) 및 드레인 전극(134)을 포함한다. 여기서, 상기 게이트 전극(104)은 상기 게이트 배선(101)과 전기적으로 연결되어 있다. 상기 소스 전극(124)은 상기 데이터 배선(102)과 전기적으로 연결되어 있다. 이로써, 상기 박막트랜지스터(Tr)는 상기 게이트 배선(101) 및 상기 데이터 배선(102)과 전기적으로 연결되어 있다. 또한, 상기 반도체 패턴(114)은 활성패턴(114a), 상기 활성패턴(114a)과 소스 전극(124) 및 드레인 전극(134)사이에 각각 개재된 오믹콘택 패턴(114b)을 포함할 수 있다.
상기 박막트랜지스터(Tr)를 포함하는 제 1 기판(100)상에 보호막(120)이 배치되어 있다. 상기 보호막(120)은 절연물질로 이루어질 수 있다.
상기 각 화소에 액정 구동을 위한 전계를 형성하는 화소전극(125)과 공통전극(135)이 배치되어 있다.
상기 화소전극(125)은 광을 투과할 수 있는 도전체로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 화소전극(125)은 광을 투과할 수 있는 ITO 또는 IZO로 이루어질 수 있다. 도면과 달리, 상기 화소전극(125)은 상기 드레인 전극(134)과 일체로 이루어질 수도 있다.
상기 화소전극(125)은 제 1 화소전극(125a)들과 제 2 화소전극(125b)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 화소전극(125a)들은 서로 일정한 간격으로 이격되어 있다. 상기 제 1 화소전극(125a)들은 바(bar)형태를 가질 수 있다. 상기 제 1 화소전극(125a)들은 도메인들을 구분하기 위해 꺽인 구조를 가질 수 있다. 이와 같이, 상기 화소는 서로 다른 방향의 전계를 형성하는 도메인들로 구분되어, 시야각을 더욱 개선할 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예에서, 상기 화소를 도메인으로 나누는 것으로 한정하는 것은 아니다. 상기 제 2 화소전극(125b)은 상기 제 1 화소전극(125a)들을 서로 전기적으로 연결한다. 상기 제 2 화소전극(125b)은 상기 제 1 화소전극(125a)들과 일체로 이루어질 수 있다. 상기 제 2 화소전극(125b)의 일부는 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(134)과 전기적으로 연결되어 있다. 상기 제 2 화소전극(125b)은 상기 공통배선(103)과 절연막, 예컨대 게이트 절연막(110), 보호막(120)을 사이에 두고 중첩되어 스토리지 캐패시턴스를 형성할 수 있다.
상기 공통전극(135)은 광을 투과할 수 있는 투명한 도전체로 이루어질 수 있다. 상기 공통전극(135)은 제 1 공통전극(135a)들과 제 2 공통전극(135b)을 포함한다. 상기 제 1 공통전극(135a)들은 일정한 간격을 유지하며, 상기 제 1 화소전극(125a)들과 각각 교대로 배치된다. 이로써, 상기 제 1 공통전극(135a)들은 상기 제 1 화소전극(125a)과 같이 꺽인 구조를 가질 수 있다. 상기 제 2 공통전극(135b)은 상기 제 1 공통전극(135a)들을 서로 전기적으로 연결시킨다. 상기 제 2 공통전극(135b)은 상기 공통배선(103)과 전기적으로 연결되어 있다.
상기 화소전극(125)에 상기 박막트랜지스터(Tr)의 전기적 신호가 인가되고, 상기 공통전극(135)에 공통전압을 인가할 경우, 상기 제 1 공통전극(135a)과 상기 제 1 화소전극(125a)사이에 횡전계가 형성된다.
도면에는 도시되지 않았으나, 상기 화소전극(125) 및 상기 공통전극(135)을 포함하는 제 1 기판상에 액정의 초기 배향을 위한 배향막이 더 배치될 수 있다.
상기 제 2 기판(200)상에 빛샘을 방지하기 위한 블랙매트릭스(210)가 배치되어 있다. 상기 블랙매트릭스(210)는 영상을 표시하기 위한 화소를 노출하는 개구부가 형성되어 있다. 상기 개구부, 즉 화소에 컬러필터 패턴(220)이 배치되어 있다. 상기 블랙매트릭스(210) 및 컬러필터 패턴(220)을 포함하는 제 2 기판(200)의 전면에 오버코트층(230)이 더 배치될 수 있다. 상기 오버코트층(230)은 평탄한 상면을 가짐에 따라 상기 블랙매트릭스(210) 및 컬러필터 패턴(220)에 의해 형성된 단차를 제거한다. 상기 오버코트층(230)상에 상기 액정층(300)의 액정 배향을 위한 배향 막(240)이 배치되어 있다.
여기서, 상기 오버코트층(230)은 상기 배향막(240)에 비해 낮은 비저항을 가짐에 따라, 상기 오버코트층(230)과 상기 배향막(240)사이의 계면에서 DC 전압이 충전되는 것을 방지할 수 있어, 액정표시장치의 잔상 문제를 개선할 수 있다.
도 3 내지 도 6들은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
도 3을 참조하면, 액정표시장치를 제공하기 위해, 다수의 화소들이 정의된 제 1 기판(100)을 제공한다. 여기서, 상기 제 1 기판(100)은 상기 화소를 정의하는 게이트 배선(101)과 데이터 배선(102)가 형성되어 있을 수 있다. 또한, 상기 각 화소에 상기 게이트 배선(101)과 데이터 배선(102)과 전기적으로 연결된 박막트랜지스터(Tr)와 상기 게이트 배선(101)과 이격된 공통 배선(103)이 형성되어 있을 수 있다. 또한, 상기 박막트랜지스터를 포함하는 제 1 기판상에 상기 박막트랜지스터의 일부를 노출하는 콘택홀을 구비하는 보호막(120)이 형성되어 있을 수 있다.
상기 보호막(120)상에 투명 도전막을 형성한 후, 상기 투명도전막을 식각하여 제 1 화소전극(125a)을 포함하는 화소전극(125)과 제 1 공통전극(135a)을 포함하는 공통전극(135)을 형성할 수 있다. 상기 투명도전막은 ITO 또는 IZO로 형성할 수 있다. 상기 투명도전막은 스퍼터링법을 통해 형성할 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 제 1 기판(100)을 제공하는 것과 별도로 제 2 기판(200)을 제공한다.
상기 제 2 기판(200)상에 다수의 개구부를 갖는 블랙매트릭스(210)를 형성한다. 즉, 상기 블랙매트릭스(210)는 상기 제 1 기판(100)의 게이트 배선 및 데이터 배선 및 박막트랜지스터(Tr)와 대응하여 상기 제 2 기판(200)상에 형성된다.
상기 블랙매트릭스(210)을 형성하기 위해, 먼저 상기 제 2 기판(200)상에 블랙 수지막을 형성한 후, 상기 블랙 수지막을 노광 및 현상하여 형성할 수 있다. 이와 달리, 상기 블랙매트릭스(210)가 크롬과 같은 무기물질로 형성될 경우, 포토레지스트를 이용한 식각 공정으로 형성할 수 있다.
상기 개구부에 컬러필터 패턴(220)을 형성한다. 상기 컬러필터 패턴(220)을 형성하기 위해, 상기 블랙매트릭스(210)를 포함하는 제 2 기판(200)상에 컬러필터 수지막을 형성한 후, 노광 및 현상 공정을 수행하여 상기 컬러필터 패턴(220)을 형성한다. 상기 컬러필터 패턴(220)의 양 끝단은 상기 블랙매트릭스(210)와 중첩되도록 형성할 수도 있다.
도 5를 참조하면, 상기 블랙매트릭스(210) 및 상기 컬러필터 패턴(220)을 포함하는 제 2 기판(200)상에 오버코트층(230)을 형성한다. 상기 오버코트층(230)을 형성하는 방법의 예로서는 슬릿 코팅법, 스프레이 코팅법, 잉크젯 프린팅법 및 스핀 코팅법등일 수 있다.
상기 오버코트층(230)은 바인더 수지 및 도펀트를 포함하는 조성액을 상기 블랙매트릭스(210) 및 상기 컬러필터 패턴(220)을 포함하는 제 2 기판(200)상에 도포하여 형성할 수 있다. 상기 도펀트는 상기 바인더 수지와 물리적으로 혼합되어 있다. 상기 도펀트는 상기 오버코트층(230)의 비저항을 낮추는 역할을 한다. 상기 도펀트의 예로서는 나노튜브 또는 전도성 고분자일 수 있다.
이와 달리, 상기 오버코트층(230)은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 조성액을 상기 블랙매트릭스(210) 및 상기 컬러필터 패턴(220)을 포함하는 제 2 기판(200)상에 도포하여 형성할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112007088250914-PAT00002
여기서, k, l, m, n은 각각 1 내지 10의 정수일 수 있다. 또한, a는 3 내지 7의 정수일 수 있다. 또한, X는 벤젠기, 알킬기, 하이드록실기, 에스테르기, 아미드기 및 에폭시기 중 어느 하나일 수 있다.
여기서, 상기 오버코트층(230)이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 조성액으로 형성할 경우, 상기 오버코트층(230)에 표면처리를 더 수행할 수 있다. 상기 표면처리의 예로서는 이온 빔법, UV 노광법 및 플라즈마법등 일 수 있다. 상기 표면처리를 통해, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물에 도입된 활성기, 즉 X를 활성화시켜 상기 오버코트층(230)의 비저항을 더욱 낮출 수 있다.
상기 오버코트층(230)상에 배향막(240)을 형성한다. 상기 배향막(240)을 형성하기 위해, 상기 오버코트층(230)상에 배향 물질을 도포한 뒤 배향 공정을 수행하여 배향막(240)을 형성한다. 상기 배향 공정은 광 배향법 및 러빙 배향 중 어느 하나의 방법을 통해 수행될 수 있으며, 본 발명의 실시예에서 한정하는 것은 아니다.
도 6을 참조하면, 상기 제 1 및 제 2 기판(100, 200)을 서로 마주하도록 합착 및 상기 제 1 및 제 2 기판(100, 200)사이에 액정층(300)을 형성하는 공정을 수행하여, 액정표시장치를 제조할 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에서, 상기 오버코트층(230)은 상기 배향막(240)에 비해 낮은 비저항을 가짐에 따라, 상기 오버코트층(230)과 상기 배향막(240)사이의 기생 캐패시터가 형성되는 것을 방지할 뿐만 아니라, 상기 기생 캐패시터에 충전될 수 있는 DC 전압을 방출하여, 상기 충전된 DC 전압에 의해 액정표시장치에 잔상 문제가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서, 상기 오버코트층(230)의 재질 변경을 통해 별도의 공정을 추가하지 않고 잔상문제를 해결할 수 있었다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 Ⅰ-Ⅰ'와 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3 내지 도 6들은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
(도면의 주요 부분에 대한 참조 부호의 설명)
100 : 제 1 기판
200 : 제 2 기판
210 : 블랙매트릭스
220 : 컬러필터 패턴
230 : 오버코트층
240 : 배향막
300 : 액정층

Claims (8)

  1. 서로 마주하는 제 1 및 제 2 기판;
    상기 제 1 및 제 2 기판사이에 개재된 액정층;
    상기 제 1 기판상에 서로 교번하며 배치된 화소전극 및 공통전극;
    상기 제 2 기판상에 배치되며, 상기 제 2 기판을 노출하는 개구를 갖는 블랙매트릭스;
    적어도 상기 개구상에 배치된 컬러필터 패턴;
    상기 블랙매트릭스 및 상기 컬러필터 패턴을 포함하는 제 2 기판상에 배치된 오버코트층; 및
    상기 오버코트층상에 배치된 배향막을 포함하며,
    상기 오버코트층은 상기 배향막에 비해 작은 비저항값을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 오버코트층은 전도성 고분자 및 나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 오버코트층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물로부터 형성된 것을 특 징으로 하는 액정표시장치.
    [화학식 1]
    Figure 112007088250914-PAT00003
    여기서, k, l, m, n은 각각 1 내지 10의 정수일 수 있다. 또한, a는 3 내지 7의 정수일 수 있다. 또한, X는 X는 벤젠기, 알킬기, 하이드록실기, 에스테르기, 아미드기 및 에폭시기로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 오버코트층의 비저항은 1014 Ωcm를 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  5. 서로 교번하는 화소전극 및 공통전극이 형성된 제 1 기판을 제공하는 단계;
    상기 제 1 기판과 별도로 제 2 기판상에 개구를 갖는 블랙매트릭스를 형성하 는 단계;
    적어도 상기 개구상에 컬러필터 패턴을 형성하는 단계;
    상기 블랙매트릭스 및 상기 컬러필터 패턴을 포함하는 제 2 기판상에 오버코트층을 형성하는 단계; 및
    상기 오버코트층상에 배향막을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 오버코트층은 상기 배향막에 비해 비저항이 낮은 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 오버코트층은 전도성 고분자 및 나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 오버코트층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물로부터 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.
    [화학식 1]
    Figure 112007088250914-PAT00004
    여기서, k, l, m, n은 각각 1 내지 10의 정수일 수 있다. 또한, a는 3 내지 7의 정수일 수 있다. 또한, X는 X는 벤젠기, 알킬기, 하이드록실기, 에스테르기, 아미드기 및 에폭시기로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 오버코트층을 형성하는 단계이후에 상기 오버코트층에 표면처리를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.
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