KR20090055649A

KR20090055649A - Ｉｔｏ 스크랩으로부터의 유가 금속의 회수 방법

Info

Publication number: KR20090055649A
Application number: KR20097008191A
Authority: KR
Inventors: 유이치로 신도; 고우이치 다케모토
Original assignee: 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤
Priority date: 2006-10-24
Filing date: 2007-06-27
Publication date: 2009-06-02
Also published as: CA2667245A1; WO2008053616A1; JP4647695B2; EP2078768A4; JPWO2008053616A1; CN101528988A; CN101528988B; US8012337B2; EP2078768A1; US20100084281A1; CA2667245C

Abstract

ITO 스크랩을 전해시킴으로써 금속 인듐으로서 회수하는 것을 특징으로 하는 ITO 스크랩으로부터의 유가 금속의 회수 방법. 격막 또는 이온 교환막으로 구획한 전해조에서 ITO 스크랩을 전해시키고, 다음으로 애널라이트를 일단 추출하여 이것을 중화법 또는 치환법 등에 의해 애널라이트에 함유되는 주석을 제거하고, 이 주석을 제거한 액을 다시 캐소드측에 넣고 전해시켜, 금속 인듐을 선택적으로 회수하는 방법 또는 ITO 전해조에서 In, Sn 의 용액을 얻어, 이 액 중의 Sn 을 제거한 후, 회수조에서 In 을 회수하는 ITO 스크랩으로부터의 유가 금속의 회수 방법. 인듐-주석산화물 (ITO) 스퍼터링 타겟 또는 제조시에 발생되는 ITO 단재 등의 ITO 스크랩으로부터 금속 인듐을 효율적으로 회수하는 방법을 제공한다.

Description

ＩＴＯ 스크랩으로부터의 유가 금속의 회수 방법{METHOD FOR COLLECTION OF VALUABLE METAL FROM ITO SCRAP}

본 발명은, 사용이 완료된 인듐-주석 산화물 (ITO) 스퍼터링 타겟 또는 제조시에 발생되는 ITO 단재 (端材) 등의 ITO 스크랩 (본원 명세서에 있어서는, 이들을「ITO 스크랩」이라고 총칭한다) 으로부터의 유가 금속의 회수 방법에 관한 것이다.

최근, 인듐-주석 산화물 (In₂O₃-SnO₂ : 일반적으로 ITO 로 불린다) 스퍼터링 타겟은 액정 표시 장치의 투명 도전성 박막이나 가스 센서 등에 널리 사용되고 있는데, 대부분의 경우 스퍼터링법에 의한 박막 형성 수단을 이용하여 기판 등의 위에 박막이 형성되어 있다.

이 스퍼터링법에 의한 박막 형성 수단은 우수한 방법이지만, 스퍼터링 타겟을 이용하여, 예를 들어 투명 도전성 박막을 형성해 가면, 그 타겟은 균일하게 소모되어 가는 것은 아니다. 이 타겟 일부의 소모가 심한 부분을 일반적으로 에로전(erosion)부라고 부르는데, 이 에로전부의 소모가 진행되어 타겟을 지지하는 배킹 플레이트가 노출되기 직전까지 스퍼터링 조작을 속행시킨다. 그리고, 그 후에는 새로운 타겟으로 교환하였다.

따라서, 사용이 완료된 스퍼터링 타겟에는 많은 비(非)에로전부, 즉 사용하지 않은 타겟 부분이 잔존하게 되고, 이들은 모두 스크랩이 된다. 또, ITO 스퍼터링 타겟의 제조시에도, 단재나 연마분·절삭분으로부터 스크랩이 발생된다. 일반적으로, 산화주석 (SnO₂) 이 9.7wt% 전후 함유되어 있는데, 대부분은 산화인듐 (In₂O₃) 이다.

ITO 스퍼터링 타겟 재료에는 고순도재가 사용되었고, 특히 인듐은 가격도 비싸기 때문에, 일반적으로 이와 같은 스크랩재로부터 인듐을 회수하는 것이, 그리고 또한, 동시에 주석을 회수하는 것이 이루어졌다. 이 인듐 회수 방법으로서, 종래 산 용해법, 이온 교환법, 용매 추출법 등의 습식 정제를 조합한 방법이 이용되었다.

예를 들어, ITO 스크랩을 세정 및 분쇄 후, 염산·질산 등의 산에 용해시키고, 용해액에 황화수소를 통과시켜 아연, 주석, 납, 구리 등의 불순물을 황화물로서 침전 제거한 후, 이것에 암모니아를 첨가하고 중화시켜 수산화인듐으로서 회수하는 방법이다.

그러나, 이 방법에 의해 얻어진 수산화인듐은 여과성이 나빠 조작에 장시간이 걸리고, Si, Al 등의 불순물이 많고, 또 생성되는 수산화인듐은 그 중화 조건 및 숙성 조건 등에 의해 입경이나 입도 분포가 변동되기 때문에, 그 후 ITO 타겟을 제조할 때에 ITO 타겟의 특성을 안정적으로 유지할 수 없다는 문제가 있었다.

이하에, 종래 기술과 그 이해 득실을 소개한다.

그 하나로서, 기판 상에 피착된 ITO 막을 전해액 중에서 전기 화학적 반응에 의해 환원시키고, 다시 이 환원된 투명 도전막을 전해액에 용해시키는 투명 도전막의 에칭 방법이 있다 (특허문헌 1 참조). 단, 목적이 마스크 패턴을 고정밀도로 얻는 방법으로, 회수 방법과는 상이한 기술이다.

ITO 로부터의 유가 금속을 회수하기 위한 사전 처리로서, 배킹 플레이트와의 접합에 이용했던 In 계의 납재에 함유되는 불순물을 전해액 중에서 분리하는 기술이 있다 (특허문헌 2 참조). 그러나, 이것은 ITO 로부터 유가 금속을 회수하는 직접적인 기술에 관한 것은 아니다.

아연 정련 공정의 부산물로서 얻어지는 중간물 또는 ITO 스크랩으로부터 인듐을 회수할 때에, 주석을 할로겐화 주석산염으로서 분리한 후, 염산 또는 질산 수용액으로 환원 처리하고, 이어서 이 수용액의 pH 를 2 ∼ 5 로 조정하고, 철, 아연, 구리, 탈륨 등의 금속 이온을 환원시켜 침전시키기 어려운 물질로 하여, 수용액 중의 인듐 성분을 분리하는 기술이 개시되어 있다 (특허문헌 3 참조). 이 기술은 정제 공정이 복잡하고, 정제 효과도 그다지 기대할 수 없다는 문제가 있다.

또, 고순도 인듐의 회수 방법으로서, ITO 를 염산으로 용해시키고, 이것에 알칼리를 첨가하여 pH 가 0.5 ∼ 4 가 되도록 하고, 주석을 수산화물로서 제거하고, 이어서 황화수소 가스를 불어넣어 구리, 납 등의 유해물을 황화물로서 제거하고, 이어서 이 용해액을 이용하여 전해에 의해 인듐 메탈을 전해 채취하는 기술이 개시되어 있다 (특허문헌 4 참조). 이 기술도 정제 공정이 복잡하다는 문제가 있다.

ITO 인듐 함유 스크랩을 염산으로 용해시켜 염화인듐 용액으로 하고, 이 용액에 수산화나트륨 수용액을 첨가하여 주석을 수산화주석으로서 제거하고, 제거 후 다시 수산화나트륨 수용액을 첨가하고 수산화인듐으로 하여 이것을 여과하고, 여과 후의 수산화인듐을 황산인듐으로 하고, 이것을 이용하여 전해 채취에 의해 인듐으로 하는 방법이 있다 (특허문헌 5 참조). 이것은 정제 효과가 커 유효한 방법이지만, 공정이 복잡하다는 불리한 점이 있다.

ITO 인듐 함유 스크랩을 염산으로 용해시키고 염화인듐 용액으로 하는 공정, 그 염화인듐 용액에 수산화나트륨 수용액을 첨가하여 스크랩 중에 함유되는 주석을 수산화주석으로서 제거하는 공정, 그 수산화주석을 제거한 후 액으로부터 아연에 의해 인듐을 치환, 회수하는 공정으로 이루어지는 인듐의 회수 방법이 있다 (특허문헌 6 참조). 이 방법도, 정제 효과가 커 유효한 방법이지만, 공정이 복잡하다는 불리한 점이 있다.

용융 금속 인듐 상에 부상되는 아산화물 함유 주조 스크랩을 꺼내어 분위기로에 삽입하고, 1 번 노를 진공으로 한 후 아르곤 가스를 도입하여 소정 온도로 가열해 아산화물 함유 주조 스크랩을 환원시키는 금속 인듐의 회수 방법을 개시한다 (특허문헌 7 참조).

이 자체는 유효한 방법이지만, ITO 스크랩의 기본적인 회수 방법은 아니라는 결점이 있다.

이상으로부터, 효율적이면서 또한 회수 공정에 범용성이 있는 방법이 요구되 고 있다.

특허문헌 1 : 일본 공개특허공보 소62-290900호

특허문헌 2 : 일본 공개특허공보 평8-41560호

특허문헌 3 : 일본 공개특허공보 평3-82720호

특허문헌 4 : 일본 공개특허공보 2000-169991호

특허문헌 5 : 일본 공개특허공보 2002-69684호

특허문헌 6 : 일본 공개특허공보 2002-69544호

특허문헌 7 : 일본 공개특허공보 2002-241865호

발명의 개시

발명이 해결하고자 하는 과제

본 발명은, 상기의 문제를 해결하기 위해, 인듐-주석 산화물 (ITO) 스퍼터링 타겟 또는 제조시에 발생되는 ITO 단재 등의 ITO 스크랩으로부터 인듐을 효율적으로 회수하는 방법을 제공하는 것에 있다.

과제를 해결하기 위한 수단

본 발명은, ITO 스크랩을 애노드로 하여 전해시킴으로써 인듐으로서 회수하는 것을 특징으로 하는 ITO 스크랩으로부터의 유가 금속의 회수 방법을 제공한다. ITO 스크랩으로부터 유가 금속을 회수하는 경우의 전해액으로서, 주로 황산, 염산, 질산 용액 등을 사용한다. 또, 필요에 따라 황산암모늄, 질산암모늄, 염화나트륨, 황산나트륨 등의 전해질을 첨가한 전해액을 사용할 수 있다. 또, 알칼리성 용액의 전해질을 사용할 수도 있다. 이들 전해질 용액은, 특별히 제한되는 것이 아니고, 효율적으로 회수할 수 있는 조건을 임의로 선택할 수 있다.

단재 등의 스크랩이기 때문에 일의적으로 결정할 수 있는 것이 아니고, 전류 밀도는 그 단재의 양이나 재료의 성질에 따라 적절히 선택하여 실시한다. 전해질 용액의 액온은 통상적으로 0 ∼ 100℃ 의 범위로 하는데, 바람직하게는 20 ∼ 50℃ 의 범위로 한다.

이상의 본 발명의 전해에 의한 인듐의 회수 방법은, ITO 스크랩을 애노드로 하여 전해시킬 뿐이므로 매우 간편한 방법이다. 그러나, 종래 기술에서 이와 같은 수법을 채용한 예는 없다.

본 발명은, 또한 격막 또는 이온 교환막으로 구획한 전해조에서 ITO 스크랩을 전해시키고, 다음으로 애널라이트를 일단 추출하여, 이것을 중화법 또는 치환법 등에 의해 애널라이트에 함유되는 주석을 제거하고, 이 주석을 제거한 애널라이트를 다시 캐소드측에 넣어 전해시켜 금속 인듐을 선택적으로 회수할 수 있다.

ITO 의 전해조와 인듐 회수조를 별도로 형성하고, 용해조에서 ITO 를 용해시킨 후, 인듐 회수조에서 인듐을 회수할 수도 있다. 회수 방법으로서는, 전해법, 중화법 등이 있다. 일단, ITO 로부터 인듐으로서 회수할 수 있으면, 이 인듐을 원료로 하여 재생 ITO 를 제조하는 것도 용이하다. 본원 발명은 이들을 모두 포함한다.

발명의 효과

인듐-주석 산화물 (ITO) 스퍼터링 타겟 또는 제조시에 발생되는 ITO 단재 등의 ITO 스크랩을 사용하고, 이것을 애노드로 하여 전해시킬 뿐이므로, 매우 간편하게 인듐을 효율적으로 회수할 수 있다는 우수한 방법이다.

발명을 실시하기 위한 최선의 형태

본 발명은, ITO 타겟의 인듐 함유 스크랩으로부터, 전해에 의해 간편하게 금속 인듐을 회수하는 방법을 제공하는 것이다.

전해액으로서는, 황산, 염산, 질산 등의 산성 용액을 사용할 수 있고, 또한 황산암모늄, 질산암모늄, 염화나트륨, 황산나트륨 등을 첨가하여 전해질로 할 수 있다. 이 밖에, 전류 효율을 높이기 위해, 일반적으로 알려져 있는 공지된 첨가재를 사용할 수도 있다. 그 경우에는, 첨가제가 제품의 순도를 저하시키지 않는 것이 전제가 될 뿐이다.

또, 전해시킬 수 있으면, 본원 발명의 목적을 달성할 수 있으므로, 알칼리성의 전해액을 사용할 수도 있다. 본원 발명은 이들을 포함한다.

전해 장치로서 특별한 것은 필요로 하지 않는다. 예를 들어 전해시킬 ITO 를 애노드로 하고, 캐소드 모판으로서 카본 등의 내식성 있는 전극을 이용하여 전해시키면 된다. 이로써, 애노드 중의 불순물의 증가 또는 혼입을 피할 수 있다.

금속 인듐을 단독으로 얻기 위해서는, 애노드와 캐소드를 격막 또는 음이온 교환막으로 전해 욕조를 구획하고, 전해시킨 후 애널라이트를 일단 추출하여, 이 후 애널라이트로부터 주석 (Sn) 을 제거하고, In 을 함유하는 액을 다시 캐소드측에 넣어 전해시키고, 인듐을 캐소드에 전착시켜 금속 인듐을 회수할 수 있다. 또, ITO 의 전해조에서 In, Sn 을 용해시키고, 그 액을 추출하여 Sn 을 제거한 후, In 회수조에서 회수해도 된다. 회수 방법은 전해법, 중화법 등이 있다.

애널라이트로부터 주석 (Sn) 을 제거하는 방법으로서는, 중화법, 치환법, 메타주석산법, 가수 분해법 등에 의해 Sn 을 제거할 수 있다. 중화법은, 산성욕을 사용하여 전해시킨 경우에는 수산화나트륨, 수산화칼륨, 암모니아 등의 알칼리성 액으로 중화시키고, 알칼리성의 전해욕을 사용한 경우에는 산성액으로 중화시킴으로써 달성할 수 있다. 치환법은, 예를 들어 인듐 스펀지 분말 등을 이용하여 치환함으로써 달성할 수 있다. 메타주석산법은 질산에 의해 Sn 을 메타주석산으로서 제거할 수 있다. 가수 분해법은, 공기 버블링 또는 H₂O₂ 등의 산화제를 첨가함으로써 Sn²⁺ 를 Sn⁴⁺ 로 하여, Sn(OH)₄ 를 생성시킴으로써 달성할 수 있다. 중화법, 치환법, 메타주석산법, 가수 분해법도 이미 공지된 방법을 채용할 수 있고, 특히 이들을 이용하는 것에 제한은 없다.

이 경우, 약간의 Sn 이 애널라이트 중에 잔존하는 경우도 있는데, 이 Sn 자체도 고순도이므로, 이와 같이 하여 얻은 In 을 회수하여 ITO 를 재생하는 경우에는, 이와 같이 하여 얻은 재료 중의 Sn 양을 분석하고, 그 양을 파악하여 다시 Sn 양을 조정하여 소정의 ITO 를 제조할 수 있다.

전류 밀도는 원료의 종류에 따라 적절히 조정하는 것이 바람직하다. 이 경우에 조정하는 요소는 생산 효율뿐이다. 또, 전해 온도도 특별히 제한은 없는데, 0 ∼ 100℃ 로 조정하여 전해시키는 것이 바람직하다. 전해 온도 0℃ 미만이면 전류 효율이 저하되는 점, 반대로 전해 온도가 100℃ 를 초과하면 전해액의 증발이 많아진다는 점인데, 보다 바람직한 전해 온도는 20 ∼ 50℃ 이다.

다음으로, 실시예에 대해 설명한다. 또한, 본 실시예는 발명의 일례를 나타내기 위한 것으로, 본 발명은 이들 실시예에 제한되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 기술 사상에 포함되는 다른 양태 및 변형을 포함하는 것이다.

(실시예 1)

ITO (산화인듐-산화주석) 의 사용이 완료된 스크랩 2㎏ 을 원료로 하였다. 이 원료 중의 성분은 산화주석 (SnO₂) 이 9.7wt%, 잔부 산화인듐 (In₂O₃) 이었다. 이 원료를 애노드로 하고, 온도 20℃, pH2 의 질산욕 중에서 전해를 실시하였다. 이 결과, Sn 은 메타주석산으로서 침전 제거되었다. In 은 캐소드측에 전착되었다.

이로써, ITO (산화인듐-산화주석) 의 단재로부터 약 1.40㎏ 의 In 을 회수할 수 있었다.

(실시예 2)

실시예 1 과 동일한 사용이 완료된 스크랩 2㎏ 을 원료로 하였다. 이 원료를 애노드로 하고, 온도 : 20℃, 1N 의 질산욕 중에서 전해 정제를 실시하였다. 전해 조건은 다음과 같다. 이 결과, Sn 은 메타주석산으로서 침전 제거되었다. In 은 캐소드측에 전착되었다.

이로써, ITO (산화인듐-산화주석) 의 단재로부터 약 1.30㎏ 의 In 을 회수할 수 있었다.

(실시예 3)

ITO (산화인듐-산화주석) 의 단재 2㎏ 을 원료로 하였다. 이 원료 중의 성분은 산화주석 (SnO₂) 이 9.7wt%, 잔부 산화인듐 (In₂O₃) 이었다.

이 원료를 애노드로 하고, 음이온 교환막으로 캐소드측과 애노드측을 구획하여, 온도 30℃, 4N 의 황산욕 중에서 전해시켰다. 다음으로, 애널라이트의 액을 추출하고 수산화나트륨 (NaOH) 으로 중화시켜 pH2 로 함으로써 애널라이트 중의 Sn 을 수산화물로서 제거하였다. 이 Sn 을 제거한 액을 캐소드측에 넣어 다시 전해시켜 In 을 캐소드에 전착시켰다.

이로써, Sn 함유량이 낮은 In 을 얻을 수 있었다. 이로써, ITO (산화인듐-산화주석) 의 단재로부터 약 1.35㎏ 의 금속 In 을 회수할 수 있었다.

(실시예 4)

실시예 3 과 동일한 단재 2㎏ 을 원료로 하였다. 이 원료를 애노드로 하고, 음이온 교환막으로 캐소드측과 애노드측을 구획하여, 온도 20℃, pH2 의 황산에 황산암모늄 50g/ℓ 를 첨가한 욕 중에서 전해시켰다.

다음으로, 애널라이트의 액을 추출하고, 공기 버블링에 의해 Sn 의 2 가 이온을 4 가 이온으로 하여 가수 분해에 의해 수산화물로서 침전시켰다. 이 수산화물을 제거한 In 함유액을 캐소드측에 넣고 다시 전해시켜 In 을 캐소드에 전착시 켰다.

이로써, Sn 함유량이 낮은 In 을 얻을 수 있었다. 이상으로, ITO (산화인듐-산화주석) 의 단재로부터 약 1.4㎏ 의 금속 In 을 회수할 수 있었다.

(실시예 5)

실시예 1 과 동일한 사용이 완료된 스크랩 2㎏ 을 원료로 하였다. 이 원료를 애노드로 하고, 격막으로 캐소드측과 애노드측을 구획하여, 온도 25℃, 4N 의 염산욕 중에서 전해시켰다. 다음으로, 애널라이트의 액을 추출하여 In 스펀지를 첨가함으로써 애널라이트 중의 Sn 을 치환 석출하여 제거하였다.

이 Sn 을 제거한 액을 캐소드측에 넣고 다시 전해시켜 In 을 캐소드에 전착시켰다. 이로써, Sn 함유량이 낮은 In 을 얻을 수 있었다. 이로써, ITO (산화인듐-산화주석) 의 단재로부터 약 1.4㎏ 의 금속 In 을 회수할 수 있었다.

또한, 전해욕으로서 염산욕 중에 염화나트륨을 첨가한 경우에도 동일한 결과가 얻어졌다.

(실시예 6)

실시예 1 과 동일한 사용이 완료된 스크랩 2㎏ 을 원료로 하였다. 이 원료를 애노드로 하고, 음이온 교환막으로 캐소드측과 애노드측을 구획하여 온도 25℃, 1N 의 질산에 질산암모늄 50g/ℓ 를 첨가한 욕 중에서 전해시켰다. 다음으로, 애널라이트의 액을 추출하였는데, Sn 은 메타주석산으로서 침전시켜 제거하였다.

이 Sn 을 제거한 In 함유액을 캐소드측에 넣고 다시 전해시켜 In 을 캐소드 에 전착시켰다. 이로써, Sn 함유량이 낮은 In 을 얻을 수 있었다.

이상에 의해, ITO (산화인듐-산화주석) 의 단재로부터 약 1.4㎏ 의 금속 In 을 회수할 수 있었다.

(실시예 7)

용해조의 애노드 박스측에 ITO (산화인듐-산화주석) 의 스크랩 2㎏ 을 넣고 3N 의 황산 용액에 의해 용해시켜 In, Sn 의 혼합 용액을 제조하였다. 이 원료 중의 성분은 산화주석 (SnO₂) 이 9.7wt%, 잔부 산화인듐 (In₂O₃) 이었다. 캐소드 박스측은 마찬가지로 3N 의 황산 용액이고, 이 캐소드에 전착되지 않도록 음이온 교환막으로 구획하였다.

다음으로, In, Sn 의 혼합 용액을 pH2 로 조정하고, Sn 을 수산화물로서 제거하였다. Sn 을 제거한 In 함유 용액을 회수조에서 전해시켜 In 을 얻었다. 이로써, ITO (산화인듐-산화주석) 스크랩으로부터 약 1.45㎏ 의 금속 In 을 회수할 수 있었다.

(실시예 8)

다음으로, In, Sn 의 혼합 용액에 산화제 (H₂O₂) 를 넣고 Sn 을 Sn²⁺ 내지 Sn⁴⁺ 로 하여 가수 분해시켜 Sn 을 수산화물로서 제거하였다. 이 액을 회수조에 넣고, 전해에 의해 약 1.4㎏ 의 In 을 회수하였다.

상기의 실시예에 있어서는, 모두 산화주석 (SnO₂) 이 9.7wt%, 잔부 산화인듐 (In₂O₃) 인 ITO (산화인듐-산화주석) 단재 또는 스크랩을 사용하였는데, In₂O₃ 및 SnO₂ 의 성분량에 따라 전류 밀도, pH 등의 전해 조건을 임의로 바꿀 수 있고, 이 원료의 성분량에 특별히 제한될 필요가 없는 것은 말할 필요도 없다. 특히, ITO 는 산화주석 (SnO₂) 의 함유량을 5wt% ∼ 30wt% 까지 변화시키는 경우가 있는데, 이와 같은 경우에도 본 발명은 충분히 적용할 수 있다.

또, ITO 에 추가로 소량의 부성분을 첨가한 것도 있는데, 기본적으로 ITO 가 기본 성분이면, 본원 발명은 이들에도 적용할 수 있는 것은 말할 필요도 없다.

본 발명은, 인듐-주석 산화물 (ITO) 스퍼터링 타겟 또는 제조시에 발생되는 ITO 단재 등의 ITO 스크랩을 사용하고, 이것을 애노드로 하여 전해시킬 뿐이므로, 매우 간편하게 고순도인 금속 인듐을 효율적으로 회수할 수 있으므로, 고가인 인듐을 재이용하는 점에서 큰 산업상의 이점이 있다.

Claims

ITO 스크랩을 애노드로 하여 전해시킴으로써 인듐으로서 회수하는 것을 특징으로 하는 ITO 스크랩으로부터의 유가 금속의 회수 방법.
제 1 항에 있어서,

격막 또는 이온 교환막으로 구획한 전해조에서 ITO 스크랩을 전해시키고, 다음으로 애널라이트를 일단 추출하여 애널라이트에 함유되는 주석을 제거하고, 다시 캐소드측에 넣고 전해시켜 금속 인듐을 선택적으로 회수하는 것을 특징으로 하는 ITO 스크랩으로부터의 유가 금속의 회수 방법.
ITO 의 전해조와 인듐 회수조를 형성하고, 전해조에서 ITO 를 용해시킨 후, 인듐 회수조에서 인듐을 회수하는 것을 특징으로 하는 ITO 스크랩으로부터의 유가 금속의 회수 방법.