KR20090051541A - 이미지 센서 및 그의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 최상층 금속배선의 양측 또는 일측의 층간 절연막 내에 폴리막(Poly layer)을 형성하여, 다크(Dark) 특성을 개선하기 위한 열처리 시, 금속 배선의 열적 스트레스를 감소시키므로 보호막이 파괴됨을 방지할 수 있는 이미지 센서 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 센싱부, 주변 구동부로 정의된 반도체 기판의 센싱부에 형성되는 다수개의 포토다이오드 및 각종 트랜지스터; 상기 다수개의 포토다이오드 및 각종 트랜지스터를 포함한 반도체 기판 전면에 형성되는 절연막; 상기 절연막 위에 형성되는 적어도 하나의 층간 절연막 및 상기 각 층간 절연막상에 형성되는 적어도 하나의 금속배선; 상기 금속배선을 포함한 기판의 전면에 형성되는 최종 층간 절연막; 상기 최종 층간 절연막 상에 형성되는 최종 금속배선; 상기 최종 금속배선의 일측 또는 양측의 최종 층간 절연막상에 형성되는 폴리막; 그리고, 상기 폴리막 및 최종 금속 배선층을 포함한 최종 층간 절연막상에 형성되는 보호막을 포함하여 구성된 것이다.
이미지 센서, 금속배선 스트레스, 보호막 파괴, 폴리막
Description
본 발명은 이미지 센서(Image sensor)에 관한 것으로 특히, 다크(Dark) 특성을 개선하고자 열 공정을 실시하면 금속의 열적 스트레스에 의해 보호막이 파괴됨을 방지하기 위한 이미지 센서 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지 센서(Image sensor)라 함은 광학 영상(optic image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자로서, 전하 결합 소자(Charge Coupled Device; CCD)와 씨모스 이미지 센서(Complementary MOS image sensor)로 구분된다.
그러나, 상기 전하 결합 소자는 구동 방식이 복잡하고, 전력 소비가 클 뿐만아니라, 다단계의 포토 공정이 요구되므로 제조 공정이 복잡한 단점을 갖고 있다. 또한, 상기 전하 결합 소자는 제어회로, 신호처리회로, 아날로그/디지털 변환회로(A/D converter) 등을 전하 결합 소자 칩에 집적시키기가 어려워 제품의 소형화가 곤란한 단점을 갖는다.
최근에는 상기 전하 결합 소자의 단점을 극복하기 위한 차세대 이미지 센서로서 씨모스(CMOS) 이미지 센서가 주목을 받고 있다. 상기 씨모스 이미지 센서는 제어회로 및 신호처리회로 등을 주변회로로 사용하는 씨모스 기술을 이용하여 단위 화소의 수량에 해당하는 모스 트랜지스터들을 반도체 기판에 형성함으로써 상기 모스 트랜지스터들에 의해 각 단위 화소의 출력을 순차적으로 검출하는 스위칭 방식을 채용한 소자이다. 즉, 상기 씨모스 이미지 센서는 단위 화소 내에 포토 다이오드와 모스 트랜지스터를 형성시킴으로써 스위칭 방식으로 각 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 영상을 구현한다.
상기 씨모스 이미지 센서는 씨모스 제조 기술을 이용하므로 적은 전력 소모, 적은 포토공정 스텝에 따른 단순한 제조공정 등과 같은 장점을 갖는다. 또한, 상기 씨모스 이미지 센서는 제어회로, 신호처리회로, 아날로그/디지털 변환회로 등을 씨모스 이미지 센서 칩에 집적시킬 수가 있으므로 제품의 소형화가 용이하다는 장점을 갖고 있다. 따라서, 상기 씨모스 이미지 센서는 현재 디지털 정지 카메라(digital still camera), 디지털 비디오 카메라 등과 같은 다양한 응용 부분에 널리 사용되고 있다.
일반적인 씨모스 이미지 센서를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 1개의 포토다이오드(PD)와 4개의 MOS트랜지스터로 구성된 일반적인 씨모스 이미지 센서의 단위 화소(Unit Pixel)의 등가 회로도이다.
즉, 일반적인 씨모스 이미지 센서의 단위화소는, 빛을 받아 광전하를 생성하는 포토다이오드(Photo Diode : PD)와, 상기 포토다이오드(PD)에서 모아진 광전하를 플로팅 확산영역(Floating Diffusion : FD)으로 운송하기 위한 트랜스퍼 트랜지 스터(Tx)와, 원하는 값으로 플로팅 확산영역(FD)의 전위를 셋팅하고 전하를 배출하여 플로팅 확산영역(FD)을 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터(Rx)와, 소스 팔로워 버퍼 증폭기(Source Follow Buffer Amplifier) 역할을 하는 드라이브 트랜지스터(Dx) 및 스위칭(Switching) 역할로 어드레싱(Addressing)할 수 있도록 하는 셀렉트 트랜지스터(Sx)로 구성된다. 단위 화소 밖에는 출력신호(Output Signal)를 읽을 수 있도록 로드(load) 트랜지스터가 형성되어 있다.
도 2는 일반적인 씨모스 이미지 센서의 단면도이다.
종래 씨모스 이미지 센서는, 도 2에 도시한 바와 같이, 센싱부와 주변 구동부로 정의된 반도체 기판(11)상에 액티브 영역을 정의하기 위한 필드 산화막(도시되지 않음)이 형성되어 있고, 상기 액티브 영역의 반도체 기판(11)내에 다수개의 포토다이오드(PD)(12)가 형성되고, 상기 액티브 영역의 반도체 기판(11)위에 복수개의 트랜지스터(13)들이 형성된다.
상기 포토다이오드(12)와 트랜지스터(13)를 포함하는 센싱부 및 주변 구동부를 포함한 기판 전면에 제 1 층간 절연막(14)이 형성되고, 상기 제 1 층간 절연막(14)상에는 제 1 금속 배선(M1)이 형성된다.
그리고, 상기 제 1 금속 배선(M1)위에 제 2 층간절연막(15), 제 2 금속 배선(M2), 제 3 층간절연막(16), 제 3 금속 배선(M3), 제 4 층간절연막(17), 제 4 금속 배선(M4), 및 보호막(18)이 차례로 형성된다. 상기 보호막(18)은 산화막으로 형성한다.
물론, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 각 금속 배선 사이의 각 층간 절연 막에서는 금속 배선들을 전기적으로 연결하기 위한 콘택홀과 콘택 플러그가 형성된다.
여기서, 상기 제 2, 제 3, 제 4 금속배선(M2,M3,M4)은 주변 구동부에 형성되어 상기 포토다이오드(12)로 입사되는 빛에 영향을 주지 않도록 배치되어 있다.
또한, 상기 센싱부의 보호막(18)상에는 컬러 이미지(Color Image) 구현을 위한 R, G B 컬러 필터층(19)이 형성되어 있고, 상기 각 컬러 필터층(19)상에는 마이크로 렌즈(micro-lens)(20)가 형성되어 있다.
여기서, 상기 마이크로 렌즈(20)는 포토레지스트(photo resist)를 도포하고 상기 포토다이오드(12) 상부에 남도록 패터닝한 후에 베이킹(backing)을 통해 포토레지스트를 리플로우하여 원하는 곡률을 얻고 있다.
상기와 같은 마이크로 렌즈(20)는 입사광을 포토다이오드(12)까지 집약시켜 보내주는 중요한 역할을 하고 있다.
그러나, 상기와 같은 구조를 갖는 이미지 센서 제조 과정에서 상기 보호막(18)을 형성하고 상기 칼라필터층(19) 및 마이크로 렌즈(20) 형성 전에, 다크(Dark) 특성을 개선하기 위하여 약 450℃의 온도로 열처리를 한다.
즉, 어두운 화면을 촬영했을 때 점 모양의 화이트가 생성될 수 있다. 그 원인을 분석해 보면, 상기 포토다이오드는 불순물 이온을 주입하여 형성하게 되고, 박막트랜지스터 및 금속 배선을 형성할 때, 식각 공정 등에서 이온 빔을 사용하게 되는데, 상기 불순물 이온 주입 또는 이온 빔 사용으로 인하여 실리콘 기판 표면에 전자(electron)가 차지되어 있을 수 있다. 이와 같이 전자가 충전되어 있을 경우 블랙 화면에 점 모양의 화이트를 생성하게 된다. 이를 다크 결함(Dark defect)이라 한다.
따라서, 상기와 같은 다크 결함(defect)을 해소하기 위해, 상기 보호막(18)을 형성하고, 상기 칼라필터층(19) 및 마이크로 렌즈(20) 형성 전에, 약 450℃의 온도로 열처리를 한다. 이와 같이 열처리를 하면, 상기 층간 절연막 등의 증착시에 사용된 가스(SiH4)이 수소 원자가 상기 실리콘 기판의 표면에 차지된 전자를 밀어내고 그 부분을 채워주게 되므로 다크 특성을 개선하게 된다.
그러나, 이와 같은 종래의 이미지 센서 제조 방법에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
즉, 상기와 같이 다크 특성을 개선하기 위하여 열처리 공정을 진행하면, 금속 배선과 층간 절연막 및 보호막 등이 혼합되어 있는 구조에서 상기 금속 배선에 열적 스트레스가 발생하므로 상기 최상층 금속 배선위에 형성된 보호막이 파괴되어 소자를 보호하고자 하는 보호막의 기능을 상실하게 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 최상층 금속배선의 양측 또는 일측의 층간 절연막 내에 폴리막(Poly layer)을 형성하여, 다크(Dark) 특성을 개선하기 위한 열처리 시, 금속 배선의 열적 스트레스를 감소시키므로 보호막이 파괴됨을 방지할 수 있는 이미지 센서 및 그의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 이미지 센서는, 센싱부, 주변 구동부로 정의된 반도체 기판의 센싱부에 형성되는 다수개의 포토다이오드 및 각종 트랜지스터; 상기 다수개의 포토다이오드 및 각종 트랜지스터를 포함한 반도체 기판 전면에 형성되는 절연막; 상기 절연막 위에 형성되는 적어도 하나의 층간 절연막 및 상기 각 층간 절연막상에 형성되는 적어도 하나의 금속배선; 상기 금속배선을 포함한 기판의 전면에 형성되는 최종 층간 절연막; 상기 최종 층간 절연막 상에 형성되는 최종 금속배선; 상기 최종 금속배선의 일측 또는 양측의 최종 층간 절연막상에 형성되는 폴리막; 그리고, 상기 폴리막 및 최종 금속 배선층을 포함한 최종 층간 절연막상에 형성되는 보호막을 포함하여 구성됨에 그 특징이 있다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 이미지 센서의 제조 방법은, 센싱부, 주변 구동부로 정의된 반도체 기판의 센싱부에 다수개의 포토다이오드 및 각종 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 다수개의 포토다이오드 및 각종 트랜지스터를 포함한 반도체 기판 전면에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 전면에 적어도 하나의 층간 절연막을 형성하고 상기 각 층간 절연막상에 적어도 하나의 금속배선을 형성하는 단계; 상기 금속배선을 포함한 기판의 전면에 최종 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 최종 층간 절연막에 최종 금속배선을 형성하는 단계; 상기 최종 금속배선의 일측 또는 양측의 최종 층간 절연막에 트렌치를 형성하는 단계; 상기 트렌치내에 폴리막을 형성하는 단계; 그리고 상기 폴리막 및 최종 금속 배선층을 포함한 최종 층간 절연막상에 보호막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐에 그 특징이 있다.
상기와 같은 본 발명의 이미지 센서 및 그의 제조 방법에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.
즉, 최상층의 금속배선의 일측 또는 양측에 폴리막을 형성한다. 따라서, 다크 특성을 개선하기 위한 열처리 공정을 실시하더라도, 상기 폴리막이 상기 최상위 금속배선의 열적 스트레스를 흡수하므로, 보호막이 파괴됨을 방지할 수 있다.
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 이미지 센서 및 그의 제조 방법을 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명에 따른 이미지 센서의 단면도이다.
본 발명에 따른 이미지 센서는, 도 3에 도시한 바와 같이, 센싱부와 주변 구동부로 정의된 반도체 기판(100)의 상기 센싱부에 형성되는 다수개의 포토다이오드(101) 및 각종 트랜지스터(102)와, 상기 포토다이오드(101) 및 트랜지스터(102)를 포함한 반도체 기판(100)의 전면에 형성되는 절연막(103)과, 상기 절연막(103)위에 형성되는 1 층간 절연막(104)과, 상기 제 1 층간 절연막(104)상의 센싱부와 주변 구동부에 형성되는 제 1 금속배선(M1)과, 상기 제 1 금속배선(M1)을 포함한 반도체 기판(100)의 전면에 형성되는 제 2 층간 절연막(105)과, 상기 제 2 층간 절연막(105)상의 센싱부와 주변 구동부에 형성되는 제 2 금속배선(M2)과, 상기 제 2 금속배선(M2)을 포함한 반도체 기판(100)의 전면에 형성되는 제 3 층간 절연 막(106)과, 상기 제 3 층간 절연막(106)상에 형성되는 제 3 금속배선(M3)과, 상기 제 3 금속배선(M3)을 포함한 상기 반도체 기판(100)의 주변 구동부에 형성되는 제 4 층간 절연막(107)과, 상기 제 4 층간 절연막(107)상에 형성되는 제 4 금속배선(M4)과, 상기 제 4 금속배선(M4) 양측 또는 일측에 형성되는 폴리막(110a)과, 상기 제 4 금속배선(M4) 및 폴리막(110a)을 포함한 제 4 층간 절연막(107)위에 형성되는 보호막(108)을 포함하여 구성된다.
도 3에서는 제 4 금속배선(M4) 양측에 폴리막(110a)이 형성됨을 도시하였다. 상기 폴리막(110a)의 폭과 깊이는 상기 제 4 금속배선(M4)의 폭과 깊이의 약 1/100 내지 1/300로 형성함이 바람직하고, 상기 폴리막(110a)으로는 폴리 이미드 계열의 고분자 물질이 적당하다.
상기에서 상기 각 층간 절연막(104, 105, 106, 107)상에 형성되는 금속 배선(M1,M2, M3, M4)은 각 층간 절연막에 트렌치(trench) 및 비어 콘택 홀(via contact hole)의 구조를 갖는 두얼 다마신 구조가 형성되고, 상기 두얼 다마신 내에 금속층을 형성하는 방법으로 형성된다. 이는 다음에서 설명할 이미지 센서의 제조 방법에서 보다 구체적으로 설명한다.
본 발명의 이미지 센서는, 상기 도 3에서 설명한 바와 같이, 제 4 금속배선(M4)의 양측 또는 일측에 폴리막을 형성하므로, 상기 보호막(108) 형성 후 다크 특성을 개선하기 위하여 열처리를 하더라도, 상기 금속배선(M4)의 열적 스트레스로부터 기인하는 힐록(Hillock)을 상기 폴리막으로 유도할 수 있으므로 상기 보호막(108)이 파괴됨을 방지할 수 있다.
상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4 금속 배선은, 알루미늄, 구리, 몰리브덴, 티타늄, 탄탈륨 등의 물질을 단일층 또는 적어도 2개의 물질이 적층되어 형성될 수 있다.
상기 보호막(108)은 산화막으로 형성된다.
상기와 같은 구조를 갖는 본 발명에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 4a에 도시한 바와 같이, 센싱부와 주변 구동부로 정의된 반도체 기판(100)에 액티브 영역을 정의하기 위한 필드 산화막(도시되지 않음)을 형성하고, 상기 반도체 기판(100)의 액티브 영역에 다수개의 포토다이오드(101)와 트랜지스터(102)들을 형성한다. 이어, 상기 각 포토다이오드(101) 및 트랜지스터(102)를 포함한 반도체 기판(100)의 전면에 절연막(103)을 형성한다.
도 4b에 도시한 바와 같이, 상기 절연막(103)상에 제 1 층간 절연막(104)을 형성하고, 사진 식각(Photo lithograph and etching) 공정으로 금속배선이 형성될 부분을 선택적으로 제거하여 두얼 다마신 구조의 트렌치를 형성한다.
그리고, 상기 트렌치가 채워지도록 상기 제 1 층간 절연막(104)상에 제 1 금속막을 증착한 후, 화학 기계적 연마(CMP; Chemical mechanical polishing) 공정으로 상기 제 1 층간 절연막(104)의 표면이 노출되도록 상기 제 1 금속막을 제거하여 상기 트렌치내에 제 1 금속배선(M1)을 형성한다.
그리고, 상기 제 1 금속배선(M1)을 포함한 제 1 층간 절연막(104) 전면에 제 2 층간 절연막(105)을 형성하고, 상기 제 1 금속 배선(M1) 형성 방법과 동일한 방법으로 제 2 금속배선(M2)을 형성한다.
상기 제 2 금속배선(M2)을 포함한 제 2 층간 절연막(105)위에 제 3 층간 절연막(106)을 형성하고, 상기에서 설명한 방법과 동일한 방법으로 상기 제 3 층간 절연막(106)상에 제 3 금속배선(M3)을 형성한다.
도 4c에 도시한 바와 같이, 상기 제 3 금속배선(M3)을 포함한 제 3 층간 절연막(106) 전면에 제 4 층간 절연막(107)을 형성한다. 그리고, 상술한 바와 같이, 사진 식각 공정으로 제 4 금속배선이 형성될 부분을 선택적으로 제거하여 두얼 다마신 구조의 트렌치를 형성한다.
그리고, 상기 트렌치가 채워지도록 상기 제 4 층간 절연막(107)상에 금속막(109)을 증착한다.
도 4d에 도시한 바와 같이, 화학 기계적 연마(CMP; Chemical mechanical polishing) 공정으로 상기 제 4 층간 절연막(107)의 표면이 노출되도록 상기 금속막(109)을 제거하여 상기 트렌치 내에 제 4 금속배선(M4)을 형성한다.
그리고 사진 식각(Photo lithograph and etching) 공정으로 상기 제 4 금속배선(M4)의 양측 또는 일측의 상기 제 4 층간 절연막(107)을 소정 깊이로 제거하여 트렌치를 형성한다. 상기 트렌치의 폭 및 깊이는 상기 제 4 금속배선(M4)의 폭 및 깊이의 1/100 내지 1/300으로 형성한다.
도 4e에 도시한 바와 같이, 상기 트렌치에 채워지도록 상기 제 4 금속배 선(M4)을 포함한 제 4 층간 절연막(107)위에 폴리막(110)을 형성한다. 상기 폴리막(110)으로는 폴리 이미드 계열의 고분자 물질로 한다.
도 4f에 도시한 바와 같이, 상기 화학 기계적 연마(CMP; Chemical mechanical polishing) 공정으로 상기 제 4 층간 절연막(107) 및 제 4 금속배선(M4)의 표면이 노출되도록 상기 폴리막(110)을 제거하여 상기 wp 4 금속배선(M4)의 양측 또는 일측에 폴리막(110a)을 형성한다.
그리고, 상기 제 4 금속배선(M4) 및 폴리막(110a)을 포함한 제 4 층간 절연막(107)의 전면에 보호막(108)을 형성한다.
상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4 금속 배선은, 알루미늄, 구리, 몰리브덴, 티타늄, 탄탈륨 등의 물질을 단일층 또는 적어도 2개의 물질을 적층하여 형성하고, 상기 보호막(108)은 산화막으로 형성한다.
그 후, 다크 특성을 개선하기 위하여 약 450℃의 온도로 열처리 한다.
그리고 도면에는 도시되지 않았으나, 상기 센싱부의 포토다이오드(101) 상측의 보호막(108)위에 가염성 레지스트를 패터닝하여 각각의 파장대별로 빛을 필터링하는 칼라 필터층들을 일정한 간격을 갖도록 형성하고, 상기 칼라 필터층을 포함한 반도체 기판(100)의 전면에 마이크로 렌즈 형성용 물질층을 도포한 후, 노광 및 현상 공정으로 상기 물질층을 패터닝하여 상기 칼라 필터층상에 마이크로 렌즈 패턴을 형성한다.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
도 1은 일반적인 이미지 센서의 단위 화소(Unit Pixel)를 도시한 회로도
도 2는 종래 기술에 따른 이미지 센서를 나타낸 단면도
도 3은 본 발명에 따른 이미지 센서를 나타낸 단면도
도 4a 내지 도 4f는 본 발명에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
100 : 반도체 기판 101 : 포토다이오드
102 : 트랜지스터 103 : 절연막
104 : 제 1 층간 절연막 105 : 제 2 층간 절연막
106 : 제 3 층간 절연막 107 : 제 4 층간 절연막
108 : 보호막 109 : 금속층
110, 110a : 폴리막
Claims (12)
- 센싱부, 주변 구동부로 정의된 반도체 기판의 센싱부에 형성되는 다수개의 포토다이오드 및 각종 트랜지스터;상기 다수개의 포토다이오드 및 각종 트랜지스터를 포함한 반도체 기판 전면에 형성되는 절연막;상기 절연막 위에 형성되는 적어도 하나의 층간 절연막 및 상기 각 층간 절연막상에 형성되는 적어도 하나의 금속배선;상기 금속배선을 포함한 기판의 전면에 형성되는 최종 층간 절연막;상기 최종 층간 절연막 상에 형성되는 최종 금속배선;상기 최종 금속배선의 일측 또는 양측의 최종 층간 절연막상에 형성되는 폴리막; 그리고상기 폴리막 및 최종 금속 배선층을 포함한 최종 층간 절연막상에 형성되는 보호막을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 폴리막의 폭 및 깊이는 상기 최종 금속 배선의 폭 및 깊이의 1/100 내지 1/300으로 형성됨을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 폴리막은 폴리 이미드 계열의 고분자 물질로 형성됨을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 보호막은 산화막으로 형성됨을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 적어도 하나의 금속 배선 및 최총 금속 배선은, 알루미늄, 구리, 몰리브덴, 티타늄, 탄탈륨 등의 물질을 단일층 또는 적어도 2개의 물질로 형성됨을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 센싱부, 주변 구동부로 정의된 반도체 기판의 센싱부에 다수개의 포토다이오드 및 각종 트랜지스터를 형성하는 단계;상기 다수개의 포토다이오드 및 각종 트랜지스터를 포함한 반도체 기판 전면에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 전면에 적어도 하나의 층간 절연막을 형성하고 상기 각 층간 절연막상에 적어도 하나의 금속배선을 형성하는 단계;상기 금속배선을 포함한 기판의 전면에 최종 층간 절연막을 형성하는 단계;상기 최종 층간 절연막에 최종 금속배선을 형성하는 단계;상기 최종 금속배선의 일측 또는 양측의 최종 층간 절연막에 트렌치를 형성 하는 단계;상기 트렌치내에 폴리막을 형성하는 단계; 그리고상기 폴리막 및 최종 금속 배선층을 포함한 최종 층간 절연막상에 보호막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 트렌치의 폭 및 깊이는 상기 최종 금속 배선의 폭 및 깊이의 1/100 내지 1/300으로 형성함을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 폴리막은 폴리 이미드 계열의 고분자 물질로 형성함을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 보호막은 산화막으로 형성함을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 적어도 하나의 금속 배선 및 최총 금속 배선은, 알루미늄, 구리, 몰리브덴, 티타늄, 탄탈륨 등의 물질을 단일층 또는 적어도 2개의 물질을 적층하여 형 성함을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 폴리막을 형성하는 방법은, 상기 트렌치를 채우도록 폴리 이미드 계열의 고분자 물질을 증착하는 단계와,상기 트렌치내에만 남도록 상기 폴리 이미드 계열의 고분자 물질을 화학 기계적 연마(CMP)하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 보호막을 형성한 후, 이미지 센의 다크 특성을 개선하기 위하여 열처리하는 단계를 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
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