KR20090031724A - Ｅｍｉ 흡수 갭 필링 물질 - Google Patents

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magnetic
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magnetic filler
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로버트 에이치. 포스터
마이클 에이치. 버니언
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파커-한니핀 코포레이션
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Abstract

전자 장치로부터 방출된 전자기(EM) 방사선의 흡수를 위한 열 전도성 갭 필링 물질을 제공한다. 갭 필링 물질은 전자 장치에 의해 발생된 과량의 열을 방열 장치로 전도하는 것을 용이하게 한다. 방열 장치는 과량의 열을 주변 환경에 소산시킨다. 갭 필링 물질은 결합제 물질 및 자성 충전제를 포함한다. 자성 충전제는 결합제 물질에 분산된다. 자성 충전제는 EM 방사선을 흡수하고 갭 필링 물질이 열 전도성이 되게 한다.
갭 필링 물질, 전자기 방사선, 방열 장치, 자성 충전제, 전자기 방사선 흡수

Description

ＥＭＩ 흡수 갭 필링 물질{EMI ABSORBING GAP FILLING MATERIAL}
<관련 출원의 교차 참조>
본 출원은 본원에 그 전문을 참고로 인용하는, 2006년 7월 13일자로 출원된 미국 가출원 제60/807,216호의 우선권의 이익을 주장한다.
본 발명은 전자 장치에 의해 발생된 열의 열전도를 위한 갭 필링 물질(gap filling material)에 관한 것이다. 보다 특히, 본 발명은 전자 장치에 의해 방출된 전자기(EM) 방사선의 흡수를 위한 갭 필링 물질, 및 이를 제공하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 모든 전자 부품은 작동시 열이 발생한다. 이러한 장치의 전자 부품으로부터 발생된 과량의 열은 전자 부품의 온도 증가를 일으킨다. 온도는 거의 모든 반도체 전자 장치 및 다른 전자 부품의 성능 및 작동을 제어하는 중요한 매개변수 중 하나이다. 온도 상승은 전자 장치의 성능, 작동 및 효율에 악영향을 미친다. 따라서, 전자 장치를 일반적인 방식으로 기능하게 유지하고, 전자 장치에 임의의 손상을 피하기 위해, 전자 부품의 온도가 안전 한계 내에서 유지될 수 있도록 전자 장치로부터 과량의 열을 제거하는 것이 필요하다.
통상적으로, 전자 부품에 의해 발생된 과량의 열을 소산시키는데 다양한 방 법이 사용된다. 이들 방법 중 하나는 전자 부품 또는 장치에 방열기 (heat sink)을 배치하는 것이다. 전자 부품 또는 장치에 의해 발생된 과량의 열은 방열기에 의해 흡수된다. 방열기는 최종적으로 과량의 열을 주변에 방출한다. 열 전도성 물질을 방열기와 전자 부품 또는 장치의 계면에 배치함으로써 계면을 가로지르는 열 전도를 증가시킨다.
또한, 일반적으로, 전자 장치는 전자기(EM) 방사선의 발생원이다. 전자 부품, 예를 들어 송신기(transmitter), 트랜스시버(transceiver), 마이크로콘트롤러(microcontroller), 마이크로프로세서(microprocessor) 등은 EM 방사선과 같이 회로를 통해 전개되는 전기 신호의 일부를 방사한다. 이러한 방식으로 발생된 EM 방사선을 EM 노이즈라고 부른다. 전자 부품의 보다 높은 작동 주파수 범위는 주로 라디오 주파수(RF) 방사선을 포함하는 EM 노이즈를 유도한다. 이들 RF 방사선을 통상적으로 RF 노이즈라고 부른다. 본원에서 사용된 EM 노이즈 및 RF 노이즈는 단순히 전자 장치로부터 방사된 EM 방사선을 나타내는데 사용된다. 또한, EM 노이즈 및 RF 노이즈는 달리 지시가 없는 한 명세서 전체에 걸쳐 상호교환적으로 사용된다. EM 방사선은 또한 인접한 전자 장치로부터 방사될 수 있다.
일반적으로, 상업적인 전자제품, 예를 들어 LCD, TFT, 플라즈마 표시장치, 랩톱, 고속 개인용 컴퓨터, 비디오 게임 콘솔(console), 이동전화 등은 EM 노이즈의 발생원이다. EM 노이즈 또는 RF 노이즈는 인접한 전자 장치를 간섭할 수 있다. EM 노이즈는 인접한 전자 장치의 회로에서 목적하지 않은 전기 신호를 유도한다. 결과적으로 EM 노이즈는 인접한 전자 장치의 유효한 성능 및 작동을 단속하고 차단 하고 저하시키고 제한할 수 있다.
통상적으로, 전자 장치는 EM 노이즈의 방출을 지연시키도록 차폐되고 있다. 구체적으로 전자 장치는 차폐물에 둘러싸여져 있을 수 있다. 차폐물은 다양한 물질, 예를 들어 금속 시트, 플라스틱 복합물, 전도성 중합체 스프레이, 금속 충전 에폭시 페이스트(paste) 등으로 이루어질 수 있다. 차폐물은 EM 방사선을 흡수함으로써 전자 장치와 차폐물의 조립품으로부터 EM 노이즈 방출을 지연시킨다. 그러나, 통상적인 차폐물은 전자 장치로부터 발생된 과량의 열을 흡수하게 되는 경우 전형적으로 기능이 떨어진다. 또한, 열 전도성 물질, 예를 들어 열 전도성 갭 필링 물질이 전자 장치에 의해 발생된 열의 전도를 용이하게 하는데 사용되는 경우, 이들 열 전도성 물질은 전자 장치로부터 방사된 EM 노이즈를 흡수하는 기능이 떨어진다.
따라서, 과량의 열을 발생하고 EM 노이즈를 방출하는 전자 장치에 있어서, 과량의 열을 제거할 수 있고 또한 전자 장치로부터의 EM 노이즈 방사를 방해하는 차폐물을 제공할 수 있는 물질에 대한 필요가 있다.
<발명의 개요>
본 발명의 양태에 따르면, 전자기(EM) 방사선의 흡수를 위한 갭 필링 물질은 결합제 물질 및 1종 이상의 자성 충전제 물질을 포함한다. 1종 이상의 자성 충전제 물질은 결합제 물질에 분산된다. 갭 필링 물질은 주로 라디오 주파수(RF) 방사선을 흡수한다. 본 발명의 다양한 양태에 따르면, 갭 필링 물질은 그리스(grease), 시트, 접착제, 필름, 테이프 등과 같은 다양한 형태를 가질 수 있다.
본 발명의 상술한 이점 및 특징 및 다른 이점 및 특징은 하기 상세한 설명 및 하기의 도면을 참조하면 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 다양한 실시양태에 따른 갭 필링 물질을 포함하는 조립체를 도시한다.
도 2는 본 발명의 다양한 실시양태에 따른 금속 서브-샤시(sub-chassis) 및 마이크로프로세서를 포함하는 조립체를 도시한다.
도 3은 본 발명의 다양한 실시양태에 따른 자성 충전제 및 결합제 물질을 포함하는 갭 필링 물질을 도시한다.
도 4는 본 발명의 다양한 실시양태에 따른 갭 필링 물질 내의 입자의 조합을 나타내는 자성 충전제를 도시한다.
도 5A, 5B 및 5C는 본 발명의 다양한 실시양태에 따른 자성 충전제의 다양한 실시양태를 나타낸 갭 필링 물질의 단면도를 나타낸다.
본원에서 사용된 "전자 장치"라는 용어는 하나 이상의 전자 부품을 나타내고, 달리 언급되지 않는 한, "전자 장치" 및 "전자 부품"은 명세서 전체에 걸쳐서 상호교환적으로 사용된다. 본원에서 사용된 "EM 노이즈" 및 "RF 노이즈"는 단순히 전자 장치로부터 방사된 "전자기 (EM) 방사선"을 나타낸다. 또한, EM 노이즈 및 RF 노이즈는, 달리 진술되지 않는 한, 명세서 전체에 걸쳐 상호교환적으로 사용된다.
도 1은 본 발명의 다양한 실시양태에 따라 갭 필링 물질(102)를 포함하는 조립체(100)을 도시한다. 조립체(100)는 방열 장치(heat dissipater) (104) 및 전자 장치(106)를 추가로 포함한다. 갭 필링 물질(102)는 열 전도성 물질이다. 갭 필링 물질(102)은 또한 전자기(EM) 방사선을 흡수한다. 구체적으로, 갭 필링 물질(102)은 EM 노이즈를 흡수한다. EM 노이즈는 전자 장치, 예를 들어 전자 장치(106)에 의해 발생된 목적하지 않는 EM 방사선을 나타낸다. 전자 장치의 보다 높은 작동 주파수 범위는 주로 라디오 주파수 (RF) 방사선을 포함하는 EM 노이즈를 유도한다. 이 RF 방사선을 통상적으로 RF 노이즈라고 부른다. 전자 장치(106)의 대략적인 장비 목록은 송신기, 트랜스시버, 마이크로콘트롤러, 및 마이크로프로세서 등을 포함한다.
전자 장치(106)는 다양한 전자 기기, 예를 들어 LCD, TFT, 플라즈마 표시장치, 랩톱, 고속 개인용 컴퓨터, 비디오 게임 콘솔, 이동전화 등의 1종 이상의 부품을 포함할 수 있다. EM 방사선을 방사하는 것 이외에, 전자 장치(106)는 작동시 열을 생성한다. 방열 장치(104)는 전자 장치(106) 위에 위치시켜 과량의 열을 주변 환경에 소산시킨다. 방열 장치(104)는 다양한 고정 도구, 예를 들어 기계적 패스너, 예를 들어 클립, 스크류, 리벳, 클램프 너트 및 볼트, 납땜, 접착제 등을 사용하여 전자 장치(106)에 고정될 수 있다. 그러나, 방열 장치(104) 또는 전자 장치(106)의 표면은 완벽하게 매끈하지는 않다. 결과적으로 방열 장치(104) 및 전자 장치(106)의 계면은 실질적으로 보다 작은 갭 (도면에 나타내지 않음)을 함유할 수 있다. 이들 보다 작은 갭은 공기로 채워진다. 공기가 상당하게 열적으로 비전도성이기 때문에, 이러한 보다 작은 갭은 방열 장치(104) 및 전자 장치(106)의 계면을 통한 열 전도를 방해한다.
본 발명의 양태에 따르면, 갭 필링 물질(102)을 방열 장치(104)와 전자 장치(106) 사이의 계면에 유리하게 배치한다. 갭 필링 물질(102)을 보다 작은 갭에 충전시킴으로써 방열 장치(104)와 전자 장치(106)의 접촉 면적을 증가시킨다. 갭 필링 물질(102)은 방열 장치(104)와 전자 장치(106)의 계면을 가로지르는 열 전도를 용이하게 한다. 갭 필링 물질(102)은 또한 전자 장치(106)에 의해 발생된 EM 노이즈의 적어도 일부를 흡수한다. 따라서, 갭 필링 물질(102)은 전자 장치(106)로부터 EM 노이즈의 방사를 지연시킨다. 갭 필링 물질(102)은 다양한 형태 및 구성으로 존재할 수 있다. 갭 필링 물질(102)의 이러한 형태 및 구성의 대략적인 목록은 그리스, 접착제, 화합물, 필름, 엘라스토머 테이프, 시트, 패드 등을 포함한다.
또한, 다양한 실시양태에 따르면, 본 발명은 계면으로부터 공기를 제거하는 수단(도면에 도시되지 않음)을 포함한다. 공기를 제거하는 수단은 다양한 유형의 엠보싱 및 관통 구멍으로부터 선택될 수 있다. 구체적으로, 임의의 갭 필링 물질(102), 방열 장치(104) 및 전자 장치(106)는 하나 이상의 홈, 하나 이상의 채널, 물질을 통과하는 일련의 구멍, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 공기 갭은 갭 필링 물질(102) 및 전자 장치(106)의 제1 계면에서 또는 갭 필링 물질(102) 및 방열 장치(104)의 제2 계면에서, 또는 제1 및 제2 계면 둘다에서 포획될 수 있다. 홈, 채널 및 구멍은 제1 및 제2 계면 둘다에서 포획된 임의의 공기를 방출하는데 도움을 준다. 공기는 압력을 제1 및 제2 계면에서 적용할 경우 홈, 채널 또는 구멍을 통해 계면으로부터 방출될 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 다양한 실시양태에 따라 금속 서브-샤시(204) 및 마이크로프로세서(206) 사이에 배치된 갭 필링 물질(102)를 포함하는 조립체를 도시한다. 금속 서브-샤시(204)는 마이크로프로세서(206) 위에 배치된다. 금속 서브-샤시(204)는 다양한 고정 수단, 예를 들어 기계적 패스너, 접착제 등을 사용하여 마이크로프로세서(206)에 고정될 수 있다. 갭 필링 물질(102)은 금속 서브-샤시(204) 및 마이크로프로세서(206) 사이에 배치된다. 갭 필링 물질(102)은 금속 서브-샤시(204) 및 마이크로프로세서(206)의 계면을 가로지르는 열 전도를 용이하게 한다. 갭 필링 물질(102)는 또한 마이크로프로세서(206)에 의해 생성된 EM 노이즈를 흡수한다. 따라서, 갭 필링 물질(102)은 마이크로프로세서(206)로부터의 EM 노이즈 방출을 지연시켜 인접한 전자 장치에 대한 EM 간섭을 회피한다.
도 3은 본 발명에 따른 다양한 실시양태에 따라 결합제 물질(308) 및 자성 충전제(310)를 포함하는 갭 필링 물질(102)의 단면도를 도시한다. 자성 충전제(310)는 자성 물질의 분말화된 형태이다. 본질적으로, 자성 충전제(310)는 자성 물질의 입자를 포함한다. 자성 충전제(310)는 결합제 물질(308)에 분산될 수 있다. 자성 충전제(310)는 실질적으로 높은 열 전도성을 가질 수 있다. 결합제 물질(308)에 분산된 자성 충전제(310)는 갭 필링 물질(102)에 열 전도성을 제공한다. 과량의 열은 여러 수단, 예를 들어, 자성 충전제(310)의 입자의 분자 진동에 의해, 자성 충전제(310)의 입자를 가로지르는 높은 에너지 전자의 움직임에 의해, 갭 필링 물질(102)를 통해 전달될 수 있다. 갭 필링 물질(102)은 주로 전도에 의해 자성 충전제(310)을 통해 과량의 열을 전달한다.
열 전도성을 제공하는 것 이외에, 갭 필링 물질(102)은 전자 장치(106) (도 1에 나타낸 바와 같이)에 의해 발생된 EM 노이즈를 흡수한다. 갭 필링 물질은 자성 충전제(310)와 EM 노이즈의 자기장 성분의 자기 결합에 의해 EM 노이즈를 흡수한다. 자성 충전제(310)의 입자에 의한 EM 노이즈의 흡수는 자성 충전제의 입자에서 발생하는 와전류 (eddy current), 히스테리시스(hysteresis) 및 강자성 공진 손실(ferromagnetic resonance loss)과 연관되어 있다. 본 발명의 특성 실시양태에서, 갭 필링 물질은 또한 외부 EM 방사선에 대해 전자 장치에 차폐를 제공하는데 사용될 수 있다.
당업자에게 명백한 바와 같이, 자성 충전제(310)는 다양한 자성 물질, 복합물, 합금 또는 유사 물질의 혼합물로부터 얻어질 수 있다. 자성 물질, 복합물 및 합금의 대략적인 목록은 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 철산화물(Ferrite), 알링코(Alinco), 아와루아이트 (Ni3Fe), 와이라우아이트(CoFe), MnBi, MnSb, CrO2, MnAs, Gd 등을 포함한다. 자성 물질은 또한 다양한 물리적 형태 및 화학적 형태를 가질 수 있다. 임의의 이들 다양한 물리적 또는 화학적 형태가 자성 충전제(310)을 제조하는데 사용될 수 있다. 철(Fe) 기재 자성 충전제는 예를 들어 연질 등급 카르보닐 철, SiO2 또는 FePO4로 코팅된 연질 등급 카르보닐 철, 센더스트(Sendust) FeAlSi, 또는 퍼멀로이(Permalloy) Fe-Ni 등을 포함할 수 있다. 본 발명의 특정 실시양태에서, 자성 충전제(310)는 다양한 자성 물질로부터 자성 입자의 혼합물을 포함할 수 있다.
일반적으로, 자성 충전제(310)는 갭 필링 물질(102)에 열 전도성을 부여한다. 그러나, 갭 필링 물질(102)의 열 전도성을 더 증가시키기 위해, 높은 열 전도성을 갖는 물질의 충전제를 결합제 물질(308)에 분산시킬 수 있다. 이들 충전제는 자성 물질, 비자성 물질 또는 이들의 혼합물로부터 수득될 수 있다. 비자성 열 전도성 물질의 대략적인 목록은 알루미늄, 구리, 규소 카바이드, 티탄 디보라이드 등을 포함한다.
본 발명의 특정 실시양태에 따르면, 결합제 물질(308)은 갭 필링 물질 (102)의 형태에 따라 다양한 물질로부터 구성될 수 있다. 갭 필링 물질(102)의 다양한 형태의 대략적인 목록은 그리스, 접착제, 화합물, 필름, 엘라스토머성 테이프, 시트, 패드 등을 포함한다. 당업자에게 명백한 바와 같이, 결합제 물질(308)은 예를 들어 실리콘 엘라스토머, 열가소성 고무, 우레탄, 아크릴 등을 포함할 수 있다. 실리콘 엘라스토머는 촉매를 사용하여 가교된 실리콘 검(gum)으로부터 구성된다. 열가소성 고무는 전형적으로 열가소성 블록 중합체, 예를 들어 스티렌/고무 비가 13/87인 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 공중합체이다.
별법으로, 적합한 관능기, 예를 들어 카르복실 기, 에톡시실란올 기 등을 갖는 스티렌/올레핀 중합체의 가교된 블록 공중합체와 같은 열가소성 플라스틱이 있다. 가교결합을 형성하기 위해, 가교제 및 가교 촉매를 가교성 공중합체와 배합한다. 본 발명의 특정 실시양태에서, 갭 필링 물질(102)이 필름의 형태인 경우, 결합제 물질(308)은 폴리올레핀, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리에스테르 등을 포함할 수 있다. 이 필름들은 불충분한 열전도성을 갖고, 열 전도성 충전제, 예를 들어 티탄 디보라이드, 보론 니트리드, 알루미늄 옥시드 등 또는 이들의 혼합물의 첨가가 필름의 열적 특성을 향상시킨다.
본 발명의 특정 실시양태에서, 갭 필링 물질(102)이 테이프 또는 접착제의 형태로 있는 경우, 결합제 물질(308)은 감압성 접착제 물질, 예를 들어 실리콘, 우레탄 또는 아크릴 접착제 수지일 수 있다.
또한, 본 발명의 특정 실시양태에서, 갭 필링 물질(102)이 그리스의 형태로 있는 경우, 결합제 물질(308)은 가교되지 않은 실리콘일 수 있다. 엘라스토머성 또는 테이프 구성에서, 전도성 지지 물질의 하나 이상의 층이 결합제 물질(308)에 혼입되어 갭 필링 물질(102)의 인성(toughness), 내연신성, 및 내인열성을 증가시킬 수 있다. 지지 물질의 대략적인 목록은 합성 및 비합성 섬유, 예를 들어 유리 섬유, 유리 메쉬(mesh), 유리 천(cloth), 플라스틱 섬유, 플라스틱 메쉬, 플라스틱 천, 플라스틱 필름, 금속 섬유, 금속 메쉬, 금속 천, 금속 포일 등을 포함한다. 지지 물질의 일부는 열적으로 전도성이고 다른 것들은 열적으로 비전도성이다. 당업자에게 명백한 바와 같이, 하나 이상의 유형의 열 전도성 충전제를 열적으로 비전도성 지지 물질에 첨가하여 열 전도성을 갖게 할 수 있다.
도 3은 본 발명의 다양한 실시양태에 따른 박편으로서 자성 충전제(310)를 나타내는 갭 필링 물질(102)의 단면도를 도시한다. 입자는 자성 물질로부터의 박편의 형태로 수득된다. 박편의 형태의 자성 충전제(310)는 결합제 물질(308)에 분산되어 갭 필링 물질(102)를 형성한다.
도 4는 본 발명의 다양한 실시양태에 따라 갭 필링 물질(402) 내에 입자의 조합을 나타내는 자성 충전제(410)를 도시한다. 일반적으로, 생성된 갭 필링 물질(402)이 균일하도록 결합제 물질(408)에 자성 충전제(410)을 분산시키고, 자성 충전제(410)의 임의의 덩어리(lump) 형성을 피하는 것이 바람직하다. 당업자에게 명백한 바와 같이, 자성 충전제(410)를 다양한 방법, 예를 들어 기계적 인라인(in-line) 분산기 방법, 스핀닝 휠(spinning wheel) 방법, 적하법(dropping method) 등을 사용하여 결합제 물질(408)에 분산시킬 수 있다.
도 5A, 5B 및 5C는 본 발명의 다양한 실시양태에 따른 자성 충전제의 다양한 실시양태를 나타내는 갭 필링 물질의 단면도를 도시한다.
도 5A는 자성 충전제의 구형 웨이퍼를 포함하는 갭 필링 물질의 단면도를 도시한다. 본 발명의 특정 실시양태에서,자성 충전제는 원형 웨이퍼를 갖는 입자를 포함한다.
도 5B는 보다 작은 입자 크기를 갖는 자성 충전제를 포함하는 갭 필링 물질의 단면도를 도시한다. 자성 충전제의 입자 크기는 대략 마이크로미터 미만으로부터 대략 수 밀리미터까지의 범위일 수 있다. 또한, 보다 작은 입자 크기를 갖는 자성 충전제는 구형 입자 형상으로 나타난다. 그러나, 자성 충전제가 다양한 형태, 예를 들어, 규칙적인 또는 불규칙적인 박편, 그레인, 정육면체, 장방형(oblong) 등을 갖는 입자를 포함할 수 있다.
도 5C는 보다 큰 입자 크기를 갖는 자성 충전제를 포함하는 갭 필링 물질의 단면도를 도시한다.
도 5A, 5B 및 5C에 나타낸 각각의 갭 필링 물질은 자성 충전제의 다양한 실시양태를 포함한다. 특정 실시양태에서, 갭 필링 물질은 입자의 형상 및 크기의 관점에서 자성 충전제의 다양한 실시양태의 혼합물을 함유할 수 있다.
다양한 실시양태에 따르면, 본 발명은 이전에 논의된 바와 같이 갭 필링 물질을 제공하는 방법으로서 사용될 수 있다. 방법은 결합제 물질을 제공하고 1종 이상의 자성 충전제를 결합제 물질에 분산시키는 것을 포함한다. 방법은 제1 표면 및 제2 표면의 계면을 가로지르는 열을 전도시키는데 사용될 수 있다. 방법은 또한 제1 표면 및/또는 제2 표면으로부터 방사된 EM 방사선을 흡수하는데 사용될 수 있다. 이 방법은 결합제 물질을 제공하고 1종 이상의 자성 충전제를 결합제 물질에 분산시킴으로써 갭 필링 물질을 형성하는 것을 포함한다. 이 방법은 계면에 갭 필링 물질을 배치하는 것을 추가로 포함한다. 갭 필링 물질은 전자 장치에 의해 발생한 과량의 열을 전도한다. 동시에, 갭 필링 물질은 전자 장치로부터 방사된 EM 노이즈의 방출을 지연시킨다.
당업자에게 명백할 다른 이점으로서, 갭 전극 물질은 방열 장치 및 전자 장치 사이의 계면에서 열 전도를 제공하고, 동시에 전자 장치에 의해 방사된 EM 노이즈를 흡수한다. 또한, 갭 필링 물질은 특정 분야 및 요건에 따라 많은 편리한 형태, 예를 들어, 그리스, 접착제, 화합물, 필름, 엘라스토머성 테이프, 시트, 패트 등으로 사용하는 것이 가능하다. 또한, 갭 필링 물질은 전자 장치를 차폐하는데 사용될 수 있다. 또한, 갭 필링 물질은 제조가 용이하고 비용 면에서 효과적이다.
본 발명은 다양한 변형 및 대안 형태가 될 수도 있지만, 특정 실시양태를 도면에 예시로써 나타내고 본원에서 상세하게 기술하였다. 그러나, 본 발명은 개시된 특정 형태에만 제한되도록 의도되지 않았다는 것을 이해해야 한다. 오히려, 본 발명은 하기 첨부된 청구항에 의해서 정의된 본 발명의 취지와 범위 내에 포함되는 모든 변형물, 등가물 및 대안물을 포괄하도록 의도된다.

Claims (19)

  1. 결합제 물질 및 결합제 물질에 분산된 1종 이상의 자성 충전제를 포함하고 열 전도성인, 전자기(EM) 방사선을 흡수하기 위한 갭 필링 물질(gap filling material).
  2. 제1항에 있어서, 그리스(grease) 형태인 갭 필링 물질.
  3. 제1항에 있어서, 크림 형태인 갭 필링 물질.
  4. 제1항에 있어서, 시트 형태인 갭 필링 물질.
  5. 제1항에 있어서, 테이프 형태인 갭 필링 물질.
  6. 제5항에 있어서, 테이프가 각각 테이프 상에 절단된 하나 이상의 홈을 포함하는 것인 갭 필링 물질.
  7. 제5항에 있어서, 테이프가 각각 테이프 상에 절단된 하나 이상의 채널을 포함하는 것인 갭 필링 물질.
  8. 제5항에 있어서, 테이프가 각각 테이프 상에 절단된 하나 이상의 구멍을 포함하는 갭 필링 물질.
  9. 제1항에 있어서, 결합제 물질에 분산된 비자성 열 전도성 충전제를 더 포함하는 갭 필링 물질.
  10. 제9항에 있어서, 열 전도성 충전제가 알루미늄, 구리 및 티탄 디보라이드로 이루어진 물질의 군으로부터 선태된 것인 갭 필링 물질.
  11. 제1항에 있어서, 결합제 물질이 실리콘 결합제, 열가소성 고무 결합제, 우레탄, 폴리올레핀 및 감압성 접착제 물질로 이루어진 물질의 군으로부터 선택된 것인 갭 필링 물질.
  12. 제1항에 있어서, 하나 이상의 자성 충전제가 철 입자를 포함하는 것인 갭 필링 물질.
  13. 제1항에 있어서, 1종 이상의 자성 충전제가 니켈, 코발트, 퍼멀로이 Fe-Ni, 카르보닐 철, SiO2로 코팅된 카르보닐 철, 및 FePO4로 코팅된 카르보닐 철로 이루어진 자성 물질의 군으로부터 선택된 것인 갭 필링 물질.
  14. 제1항에 있어서, 자성 충전제의 입자가 규칙적이거나 불규칙적인 박편, 구, 원형 웨이퍼 및 정육면체로 이루어진 형상의 군으로부터 선택된 형상을 갖는 것인 갭 필링 물질.
  15. 제1항에 있어서, 자성 충전제의 크기가 약 1 마이크로미터 내지 약 1 mm의 범위인 갭 필링 물질.
  16. 결합제 물질을 제공하고,
    결합제 물질에 1종 이상의 자성 충전제를 분산시키는 것
    을 포함하는, 전자기(EM) 방사선의 흡수를 위한 열 전도성 갭 필링 물질을 제공하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 결합제 물질에 열 전도성 충전제인 1종 이상의 비자성 충전제를 분산시키는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  18. 결합제 물질을 제공하고,
    결합제 물질에 1종 이상의 자성 충전제를 분산시켜 갭 필링 물질을 형성하고,
    계면에 갭 필링 물질을 배치하는 것
    을 포함하는, 계면을 가로지르는 열을 전도하고 전자기(EM) 방사선을 흡수하기 위한 방법.
  19. 결합제 물질을 제공하고,
    결합제 물질에 1종 이상의 자성 충전제를 분산시켜 갭 필링 물질을 형성하고,
    계면에 갭 필링 물질을 배치하는 것
    을 포함하며, 전자 장치에 의해 방사된 전자기(EM) 방사선을 흡수하는데 사용되는, 전자 장치 및 전자 장치 위에 배치된 방열 장치 사이의 계면을 가로질러 열을 전도하는 방법.
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10303974A1 (de) 2003-01-31 2004-08-05 Abbott Gmbh & Co. Kg Amyloid-β(1-42)-Oligomere, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung
CN102898519B (zh) 2005-11-30 2015-10-28 Abbvie公司 抗淀粉样β蛋白的单克隆抗体及其用途
EP2289909B1 (en) 2005-11-30 2014-10-29 AbbVie Inc. Screening method, process for purifying of non-diffusible a-beta oligomers, selective antibodies against said non-diffusible a-beta oligomers and a process for manufacturing of said antibodies
US8455626B2 (en) 2006-11-30 2013-06-04 Abbott Laboratories Aβ conformer selective anti-aβ globulomer monoclonal antibodies
US8895004B2 (en) 2007-02-27 2014-11-25 AbbVie Deutschland GmbH & Co. KG Method for the treatment of amyloidoses
WO2011130377A2 (en) 2010-04-15 2011-10-20 Abbott Laboratories Amyloid-beta binding proteins
US8664745B2 (en) * 2010-07-20 2014-03-04 Triune Ip Llc Integrated inductor
WO2012018585A1 (en) * 2010-07-26 2012-02-09 Applied Nanotech Holdings, Inc. Transparent electrode for parallel solar cell tandems
CA2808187A1 (en) 2010-08-14 2012-02-23 Abbvie Inc. Amyloid-beta binding proteins
JP5906140B2 (ja) * 2012-06-22 2016-04-20 日東電工株式会社 輻射熱伝導抑制シート
US9318450B1 (en) * 2014-11-24 2016-04-19 Raytheon Company Patterned conductive epoxy heat-sink attachment in a monolithic microwave integrated circuit (MMIC)
US11229147B2 (en) * 2015-02-06 2022-01-18 Laird Technologies, Inc. Thermally-conductive electromagnetic interference (EMI) absorbers with silicon carbide
US9901009B2 (en) 2015-03-10 2018-02-20 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
EP3348124B1 (en) * 2015-10-16 2021-05-26 Laird Technologies, Inc. Thermally-conductive electromagnetic interference (emi) absorbers positioned or positionable between board level shields and heat sinks
GB2592786A (en) * 2018-09-21 2021-09-08 Skyworks Solutions Inc Low frequency shield solutions with sputtered/sprayed absorber materials and/or absorber materials mixed in mold compound
US20230119856A1 (en) * 2020-03-31 2023-04-20 3M Innovative Properties Company Thermally conductive electromagnetically absorptive material
KR102542423B1 (ko) 2020-09-23 2023-06-12 라이르드 테크놀로지스, 아이엔씨 열전도성 전자파 장해(emi) 흡수체

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4894293A (en) * 1988-03-10 1990-01-16 Texas Instruments Incorporated Circuit system, a composite metal material for use therein, and a method for making the material
US5213868A (en) * 1991-08-13 1993-05-25 Chomerics, Inc. Thermally conductive interface materials and methods of using the same
US6962753B1 (en) * 1996-09-09 2005-11-08 Nec Tokin Corporation Highly heat-conductive composite magnetic material
CN1639866B (zh) * 2001-12-14 2010-04-28 莱尔德技术公司 包括有损耗的介质的电磁干扰屏蔽件
WO2003067658A2 (en) * 2002-02-06 2003-08-14 Parker Hannifin Corporation Thermal management materials having a phase change dispersion
US7173334B2 (en) * 2002-10-11 2007-02-06 Chien-Min Sung Diamond composite heat spreader and associated methods

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