KR20090027898A - 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물 및 이를 이용한플라즈마 디스플레이 패널 및 이를 이용한 플라즈마디스플레이 패널의 제조 방법 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물 및 이를 이용한플라즈마 디스플레이 패널 및 이를 이용한 플라즈마디스플레이 패널의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 Pb을 함유하지 않은 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, Pb를 사용하지 않기 때문에 환경 규제로부터도 자유롭고, 단가가 비교적 저렴하여 플라즈마 디스플레이 패널의 가격 경쟁력을 크게 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법{Dielectric composition for plasma display panel and Plasma display panel using the same and Method for fabricating the same}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물 및 그와 같은 유전체 조성물을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 및 제조 방법에 관한 것이다.
멀티 미디어 시대의 도래와 함께 더 세밀하고, 더 크고, 더욱 자연색에 가까운 색을 표현해줄 수 있는 디스플레이 장치의 등장이 요구되고 있다. 그런데, 40인치 이상의 큰 화면을 구성하기에는 현재의 CRT(Cathode Ray Tube)는 한계가 있어서, LCD(Liquid Crystal Display)나 PDP(Plasma Display Panel) 및 프로젝션 TV(Television) 등이 고화질 영상의 분야로 용도확대를 위해 급속도로 발전하고 있다.
플라즈마 디스플레이 패널은 플라즈마 방전을 이용하여 화상을 표시하는 전자 장치로서, PDP의 방전 공간에 배치된 전극에 소정의 전압을 인가하여 이들 사이 에서 플라즈마 방전이 일어나도록 하고, 이 플라즈마 방전 시 발생되는 진공자외선(VUV)에 의해 소정의 패턴으로 형성된 형광체층을 여기시켜 화상을 형성한다.
여기서, 플라즈마 디스플레이 패널은 전면기판 및 배면기판으로서 PD-200의 고왜점 유리가 사용되고 있지만 소다-라임 유리(Soda-Lime Glass)의 사용이 적극적으로 고려되고 있다.
왜냐하면, 소다-라임 유리가 PD-200에 비해 약 1/6 배로 저렴하기 때문에 단가 면에서 유리하기 때문이다. 따라서, 전체적인 플라즈마 디스플레이 패널의 가격 경쟁력을 향상시키기 위하여 소다-라임 유리 기판의 사용에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
한편, 전면기판 상에 형성되는 유전층을 위해서는 납(Pb)을 함유한 재료가 사용되었다. 하지만, Pb으로 인한 환경오염 등의 문제가 대두되면서 Pb을 함유한 재료에 대한 규제가 나날이 강화되고 있는 실정이다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, Pb을 함유하지 않은 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물은, 25 내지 40 중량%의 ZnO와; 35 내지 50 중량%의 B2O3와, 10 내지 25 중량%의 SiO2와, 5 내지 15 중량%의 K2O를 포함하여 이루어진다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은, 서스테인 전극이 형성된 기판과; 상기 전극을 덮도록 상기 기판상에 형성된 유전층을 포함하되, 상기 유전층은 25 내지 40 중량%의 ZnO와, 35 내지 50 중량%의 B2O3와, 10 내지 25 중량%의 SiO2와, 5 내지 15 중량%의 K2O를 포함하여 이루어진다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은, 기판과; 상기 기판상에 형성된 격벽을 포함하되, 상기 격벽은 25 내지 40 중량%의 ZnO와, 35 내지 50 중량%의 B2O3와, 10 내지 25 중량%의 SiO2와, 5 내지 15 중량%의 K2O를 포함하여 이루어진다.
또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은, 어드레스 전극이 형성된 기판과; 상기 기판상에 형성된 백색 유전층을 포함하되, 상기 격벽은 25 내지 40 중량%의 ZnO와, 35 내지 50 중량%의 B2O3와, 10 내지 25 중량%의 SiO2와, 5 내지 15 중량%의 K2O를 포함하여 이루어진다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은, 25 내지 40 중량%의 ZnO와, 35 내지 50 중량%의 B2O3와, 10 내지 25 중량%의 SiO2와, 5 내지 15 중량%의 K2O의 혼합물과, 비히클 및 바인더가 포함된 유전층 재료를 준비하는 단계와; 상기 유전층 재료를 서스테인 전극이 형성된 기판상에 도포하는 단계와; 상기 유전층 재료를 소성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은, 25 내지 40 중량%의 ZnO와, 35 내지 50 중량%의 B2O3와, 10 내지 25 중량%의 SiO2와, 5 내지 15 중량%의 K2O의 혼합물과, 비히클 및 바인더가 포함된 격벽 재료를 준비하는 단계와; 상기 격벽 재료를 전극이 형성된 기판상에 도포하는 단계와; 상기 격벽 재료를 소성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은, 25 내지 40 중량%의 ZnO와, 35 내지 50 중량%의 B2O3와, 10 내지 25 중량%의 SiO2와, 5 내지 15 중량%의 K2O의 혼합물과, 비히클 및 바인더가 포함된 백색 유전층 재료를 준비하는 단계와; 상기 백색 유전층 재료를 어드레스 전극이 형성된 기판상에 도포하는 단계와; 상기 백색 유전층 재료를 소성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은, Pb를 사용하지 않기 때문에 환경 규제로부터도 자유롭고, 단가가 비교적 저렴하여 플라즈마 디스플레이 패널의 가격 경쟁력을 크게 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 다른 목적, 특성 및 이점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
이하, 상기 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예가 첨부된 도면을 참조하여 설명된다.
첨부된 도면에서는 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타냈으며, 도면에 나타난 각 층간의 두께 비가 실제 두께 비를 나타내는 것은 아니다.
한편, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 형성 또는 위치한다고 할 때, 이는 다른 부분의 바로 위에 형성되어 직접 접촉하는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 존재하는 경우도 포함하는 것을 이해하여야 한다.
도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 전 면기판(110) 상에 일방향으로 통상 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 한 쌍의 투명전극(120a, 130a)과 통상 금속 재료로 이루어지는 버스전극(120b, 130b)으로 구성되는 표시전극(120, 130)이 형성되고, 상기 표시전극(120, 130)을 덮으면서 전면기판(110) 전면에 유전층(140)과 보호막(150)이 순차적으로 형성되어 이루어진다.
전면 기판(110)은 디스플레이 기판용 글라스의 밀링(milling) 및 클리닝(cleaning) 등의 가공을 통하여 형성된다.
상기 투명 전극(120a, 120b)은 ITO(Indium-Tin-Oxide) 또는 SnO2 등을, 스퍼터링(sputtering)에 의한 포토에칭(photoetching)법 또는 CVD에 의한 리프트 오프(lift-off)법 등으로 형성된 것이다.
상기 버스 전극(120b, 130b)은 은(Ag) 등을 포함하여 이루어진다. 또한, 서스테인 전극쌍에는 블랙 매트릭스가 형성될 수 있는데, 저융점 유리와 흑색 안료 등을 포함하여 이루어진다.
그리고, 투명 전극과 버스 전극이 형성된 전면 기판(110) 상에는, 상판 유전층(140)이 형성된다.
상기 상판 유전층(140)은 투명한 저융점 유리를 포함하여 이루어지며, 구체적인 조성은 이후 상세하게 설명한다. 그리고, 상판 유전층(140) 상에는 산화 마그네슘 등으로 이루어진 보호막(150)이 형성되어, 방전시 (+) 이온의 충격으로부터 상판 유전층(140)을 보호하고, 2차 전자 방출을 증가시키기도 한다.
상판 유전층(140)의 형성 과정을 도 2를 참조하여 보다 구체적으로 상세하게 설명한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 먼저 25 내지 40 중량%의 ZnO와, 35 내지 50 중량%의 B2O3와, 10 내지 25 중량%의 SiO2와, 5 내지 15 중량%의 K2O를 혼합한다(S100).
상기 ZnO는 25 내지 40 중량%의 함량을 갖는 것이 바람직한데, 이는 25 중량% 미만이면 유전체 조성물의 내수성이 저하되고, 40 중량%를 초과하면 유리 형성 능력이 저하되기 때문이다.
B2O3는 유리 형성 능력을 향상시키기 위한 것으로 35 내지 50 중량%의 함량을 갖는 것이 바람직한데, 이는 B2O3가 유전체 조성물의 유리화 온도를 높이기 때문에 50 중량%를 초과할 경우 유전체 조성물의 유리화 온도를 원하는 범위로 낮추기 어렵게 되고 조성물의 내수성이 저하되며, 35 중량% 미만일 경우에는 유전체 조성물의 유리 형성이 어렵게 되기 때문이다.
SiO2는 유전체 조성물의 결정화 방지를 위한 첨가제로써, 15 내지 25 중량%의 함량을 갖는 것이 바람직하다.
K2O는 상기 유전체 조성물의 소성 온도를 낮추기 위한 첨가제로써, 5 내지 15 중량%의 함량을 갖는 것이 바람직하다.
또한, 상기 S100 단계의 유전체 조성물에는 0 내지 10 중량%의 함량을 갖는 Na2O 또는 Li2O가 더 혼합될 수 있다.
상기 Na2O 또는 Li2O는 망목수식의 역할을 하면서 비가교 산소를 증가시키므로 유전체 조성물의 유리화 온도를 낮추는 기능을 한다.
또한, 상기 S100 단계의 유전체 조성물에는 0 내지 5 중량%의 함량을 갖는 Al2O3가 더 혼합될 수 있다.
또한, 상기 S100 단계의 유전체 조성물에는 TiO2, MgO, SrO, CaO, 또는 P2O5를 소량 첨가함으로써 유리화 온도 및 열팽창 계수를 미세하게 조정할 수 있다. 상기 열팽창 계수의 미세 조정은 소다-라임 유리 기판의 열팽창 계수와 매칭시킴으로써 온도 변화에 따른 뒤틀림을 방지하기 위한 것이다.
상기 S100 단계의 유전체 조성물에는 전이원소 산화물인 CoO, CuO, Cr2O3, MnO, FeO, 또는 NiO 및/또는 희토류 원소 산화물인 CeO2, Er2O3, Nd2O3, 또는 Pr2O3를 소량 첨가함으로써 유전층의 착색과 전극 반응성을 억제할 수 있다.
이렇게 혼합된 유전체 조성물을 도가니에서 용융시키고(S200), 상기 용융된 유전체 조성물의 유리를 냉각시켜 얇은 플레이트 형상으로 형성시키고, 상기 형성된 플레이트 형상을 분쇄하여 유리 분말을 얻는다(S300).
상기와 같이 얻어진 유리 분말을 비히클(vehicle) 및/또는 바인더(binder)와 혼합하여 페이스트(paste)를 만들고(S400), 상기 페이스트를 이용하여 통상의 인쇄법에 의해 전면기판(110) 상에 유전층(140)을 형성한다(S500).
한편, 상기 페이스트를 기초로 하여 필름(dry film)을 제조하고 이를 라미네 이팅(laminating)함으로써 상기 전면기판(110) 상에 유전층(140)을 형성할 수도 있다. 이렇게 유전층(140)이 형성되면 570 내지 600℃에서 소성 공정을 거침으로써 유전층(140) 형성을 마무리하게 된다(S600).
상술한 조성과 공정으로 형성된 유전층(140) 상에 MgO 등을 이용하여 보호막(150)을 형성한다.
한편, 배면 기판(210)의 일면에는 상기 표시전극(120, 130)과 교차하는 방향을 따라 어드레스 전극(220)이 형성되고, 상기 어드레스 전극(220)을 덮으면서 배면기판(210)의 전면에 백색 유전층(230)이 형성된다.
배면기판(210)의 전면에 형성되는 백색 유전층(230)은 전면기판(110) 상에 형성되는 유전층(140)을 위한 본 발명의 유전체 조성물의 조성 및 조성비를 갖는 모상 유리로 하여 제조되는 것이 바람직하다.
배면기판(210)의 전면에 형성되는 백색 유전층(230)도 역시 인쇄법 또는 필름 라미네이팅(laminating) 방법에 의하여 형성된 후 소성 공정이 뒤따르게 된다.
상기 백색 유전층(230) 위로 각 어드레스 전극(220) 사이에 배치되도록 격벽(240)이 형성되는데, 격벽(240)도 상기와 같이 본 발명의 전면기판(110) 상에 형성되는 유전층(140)을 위한 유전체 조성물의 조성 및 조성비를 갖는 것을 모상 유리로 하여 제조되는 것이 바람직하다.
도 1에는 스트라이프형(stripe-type) 격벽(240)이 도시되어 있으나, 그 밖에도 웰형(well-type), 또는 델타형(delta-type)일 수 있다. 각각의 격벽(240) 사이에 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 형광체층(250)이 형성된다.
배면기판(210) 상의 어드레스 전극(220)과 전면기판(110) 상의 표시전극(120, 130)이 교차하는 지점이 각각 방전셀을 구성하는 부분이 된다.
어드레스 전극(220)과 하나의 표시전극(120 또는 130) 사이에 어드레스 전압을 인가하여 어드레스 방전을 행함으로써 방전이 일어난 셀에 벽전압을 형성하고 다시 한 쌍의 표시전극(120, 130) 사이에 유지전압을 인가함으로써 벽전압이 형성된 셀에 유지 방전을 발생시킨다.
상기 유지 방전에 의해 발생하는 진공 자외선이 해당 형광체를 여기 및 발광시킴으로써 투명한 전면기판(110)을 통하여 가시광이 방출되어 플라즈마 디스플레이 패널의 화면이 구현된다.
이하에서는 본 발명의 구체적 실시예를 비교예와 비교함으로써 본 발명의 효과를 구체적으로 살펴보도록 한다.
실시예 1
본 유전체 조성물을 제조하기 위하여 ZnO, B2O3, SiO2, Al2O3, K2O의 중량비가 28 : 41 : 15 : 4 : 12가 되도록 혼합하였다.
상기와 같이, ZnO, B2O3, SiO2, Al2O3, K2O를 혼합하였을 경우, 전이점 온도(Tg)는 490.1℃가 되고, 열팽창 계수는 87×10-7/℃가 되고, 소성온도는 580℃ 이하가 되고, 유전율은 7 이하가 된다.
실시예 2
또한, 본 유전체 조성물을 제조하기 위하여 ZnO, B2O3, SiO2, Al2O3, K2O의 중 량비가 35.6 : 33.3 : 12.1 : 4 : 15가 되도록 혼합하였다.
상기와 같이, ZnO, B2O3, SiO2, Al2O3, K2O를 혼합하였을 경우, 전이점 온도(Tg)는 479.2℃가 되고, 열팽창 계수는 94.5×10-7/℃가 되고, 소성온도는 580℃ 이하가 되고, 유전율은 7.6 이하가 된다.
실시예 3
또한, 본 유전체 조성물을 제조하기 위하여 ZnO, B2O3, SiO2, Al2O3, K2O의 중량비가 28 : 36.25 : 21.25 : 2.5 : 12가 되도록 혼합하였다.
상기와 같이, ZnO, B2O3, SiO2, Al2O3, K2O를 혼합하였을 경우, 전이점 온도(Tg)는 499.8℃가 되고, 열팽창 계수는 86.2×10-7/℃가 되고, 소성온도는 580℃ 이하가 되고, 유전율은 7.1 이하가 된다.
실시예 4
또한, 본 유전체 조성물을 제조하기 위하여 ZnO, B2O3, SiO2, Al2O3, K2O, Na2O의 중량비가 28 : 41 : 15 : 4 : 8 : 4가 되도록 혼합하였다.
상기와 같이, ZnO, B2O3, SiO2, Al2O3, K2O, Na2O를 혼합하였을 경우, 전이점 온도(Tg)는 485.2℃가 되고, 열팽창 계수는 86.5×10-7/℃가 되고, 소성온도는 580℃ 이하가 되고, 유전율은 7 이하가 된다.
실시예 5
또한, 본 유전체 조성물을 제조하기 위하여 ZnO, B2O3, SiO2, Al2O3, K2O, Li2O의 중량비가 28 : 41 : 15 : 4 : 8 : 6이 되도록 혼합하였다.
상기와 같이, ZnO, B2O3, SiO2, Al2O3, K2O, Li2O를 혼합하였을 경우, 전이점 온도(Tg)는 480.2℃가 되고, 열팽창 계수는 77.2×10-7/℃가 되고, 소성온도는 580℃ 이하가 되고, 유전율은 7 이하가 된다.
이와 같이 제조된 실시예 1 내지 5의 샘플들 각각에 대하여 전이점 온도(Tg), 열팽창 계수(CTE), 소성온도(℃), 유전율(ε)을 측정한 결과가 아래의 표 1에 나타나 있다.
ZnO B2O3 SiO2 Al2O3 K2O Na2O Li2O Tg CTE ℃ ε
실시예1 28 41 15 4 12 0 0 490.1 87 >580 7.0
실시예1 35.6 33.3 12.1 4 15 0 0 479.2 94.5 >580 7.6
실시예1 28 36.25 21.25 2.5 12 0 0 499.8 86.2 >580 7.1
실시예1 28 41 15 4 8 4 0 485.2 86.5 >580 7.0
실시예1 28 41 15 4 6 0 6 480.2 77.2 >580 7.0
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법의 일실시예를 설명하면 다음과 같다.
먼저, 전면 기판(110)상에 투명 전극(120a, 130a)과 버스 전극(120b, 130b)을 형성한다. 여기서, 전면 기판은 디스플레이 기판용 글래스 또는 소다라임 유리를 밀링(milling) 및 클리닝(cleaning)하여 제조된다.
그리고, 투명 전극(120a, 130a)은 ITO 또는 SnO2 등을, 스퍼터링에 의한 포토에칭법(photoetching) 또는 CVD에 의한 리프트 오프(lift-off)법 등으로 형성한다. 그리고, 버스 전극(120b, 130b)은 은(Ag) 등의 재료를, 스크린 인쇄법 또는 감광성 페이스트법 등으로 형성한다.
이어서, 투명 전극(120a, 130a)과 버스 전극(120b, 130b)이 형성된 전면 기판(110) 상에 상판 유전층(140)을 형성한다. 여기서, 상판 유전층(140)은 본 발명에 따른 조성을 갖는 재료를 스크린 인쇄법이나 코팅법 또는 그린 시트를 라미네이팅하는 방법 등으로 적층한다.
이어서, 상판 유전층(140) 상에 보호막(150)을 증착한다. 여기서, 보호막(150)은 산화 마그네슘 등을 전자빔 증착법, 스퍼터링법 또는 이온 도금법 등의 방법으로 형성할 수 있다.
그리고, 배면 기판(210) 상에 어드레스 전극(220)을 형성한다. 여기서, 배면 기판(210)은 디스플레이 기판용 글래스 또는 소다리임 유리를 밀링(milling) 또는 클리닝(cleaning) 등의 가공을 통하여 형성한다.
상기 어드레스 전극(220)은 은(Ag) 등을 스크린 인쇄법, 감광성 페이스트법 또는 스퍼터링 후 포토에칭법 등으로 형성한다. 그리고, 상기 어드레스 전극(220)이 형성된 배면 기판(210) 상에 하판 유전층(230)을 형성한다.
하판 유전층(230)은 본 발명에 따른 조성을 갖는 재료를 스크린 인쇄법 또는 그린 시트의 라미네이팅 등의 방법으로 형성한다. 여기서, 하판 유전층(230)은 플라즈마 디스플레이 패널의 휘도를 증가시키기 위하여 백색을 나타내는 것이 바람직하다.
이어서, 각각의 방전 셀을 구분하기 위한 격벽(240)을 형성한다. 이때, 격벽(240)의 재료는, 모상 유리와 충진재(filer)를 포함하여 이루어진다. 상기 모상 유리는 PbO와 SiO2와 B2O3 및 Al2O3를 포함하여 이루어지고, 상기 충진재는 TiO2 및 Al2O3를 포함하여 이루어질 수 있다. 또한, 격벽(240)의 재료는 본 발명에 따른 조성을 갖는 재료를 포함하여 이루어질 수 있다.
그리고, 상기 격벽(240) 재료 상에 블랙 탑 재료를 도포한다. 여기서, 블랙 탑 재료는, 솔벤트와 무기 파우더 및 첨가제를 포함하여 이루어진다. 그리고, 무기 파우더는 글래스 프릿과 블랙 안료를 포함하여 이루어진다. 이어서, 격벽(240) 재료와 블랙 탑 재료를 패터닝하여, 격벽과 블랙 탑을 형성한다.
이때, 상기 패터닝 공정은 마스크를 씌우고 노광한 후, 현상하여 수행된다. 즉, 어드레스 전극(220)과 대응되는 부분에 마스크를 위치시키고 노광하면, 현상 및 소성 공정 후에는 빛을 조사받은 부분만이 남아서 격벽과 블랙 탑을 형성한다. 여기서, 블랙 탑 재료에 포토 레지스트(photoresist) 성분을 포함하면, 격벽 및 블랙 탑 재료의 패터닝을 용이하게 수행할 수 있다. 또한, 블랙 탑 재료와 격벽 재료를 함께 소성하면, 격벽 재료 내의 모상 유리는 블랙 탑 재료 내의 무기 파우더 등과 결합력이 증대되어 내구성의 강화를 기대할 수 있다.
이어서, 상기 하판 유전층(230) 중 방전 공간에 접하는 면과, 격벽(240)의 측면에 형광체(250)를 도포한다.
상기 형광체(250)는 각각의 방전 셀에 따라 R,G,B의 형광체가 차례로 도포되는데, 스크린 인쇄법이나 감광성 페이스트법으로 도포된다.
그리고, 상부 패널을 격벽(240)을 사이에 두고 하부 패널과 접합하고 실링한 후, 내부의 불순물 등을 배기한 후 방전 가스를 주입한다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의하여 정해져야 한다.
도 1은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 일 실시예 구조도이다.
도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 과정을 나타낸 일 실시예 흐름도이다.
<도면의 주요 부호에 대한 설명>
110 : 전면기판 120, 130 : 표시전극
120a, 130a : 투명전극 120b, 130b : 버스전극
140 : 상판 유전층 150 : 보호층
210 : 배면기판 220 : 어드레스 전극
230 : 하판 유전층 240 : 격벽
250 : 형광체

Claims (18)

  1. 25 내지 40 중량%의 ZnO;
    35 내지 50 중량%의 B2O3;
    10 내지 25 중량%의 SiO2; 및
    5 내지 15 중량%의 K2O를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 유전층은,
    0 내지 15 중량%의 Na2O 또는 Li2O를 더 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 유전층은,
    0 내지 5 중량%의 Al2O3를 더 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 유전층은,
    CoO, CuO, Cr2O3, MnO, FeO 및 NiO 중 적어도 하나를 더 포함하여 이루어지 는 플라즈마 디스플레이 패널.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 유전층은,
    TiO2, MgO, SrO, CaO, 및 P2O5 중 적어도 하나를 더 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 유전층은,
    CeO2, Er2O3, Nd2O3 및 Pr2O3 중 적어도 하나를 더 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널.
  7. 서스테인 전극이 형성된 기판; 및
    상기 전극을 덮도록 상기 기판상에 형성된 유전층을 포함하되,
    상기 유전층은 25 내지 40 중량%의 ZnO와, 35 내지 50 중량%의 B2O3와, 10 내지 25 중량%의 SiO2와, 5 내지 15 중량%의 K2O를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널.
  8. 기판; 및
    상기 기판상에 형성된 격벽을 포함하되,
    상기 격벽은 25 내지 40 중량%의 ZnO와, 35 내지 50 중량%의 B2O3와, 10 내지 25 중량%의 SiO2와, 5 내지 15 중량%의 K2O를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널.
  9. 어드레스 전극이 형성된 기판; 및
    상기 기판상에 형성된 백색 유전층을 포함하되,
    상기 격벽은 25 내지 40 중량%의 ZnO와, 35 내지 50 중량%의 B2O3와, 10 내지 25 중량%의 SiO2와, 5 내지 15 중량%의 K2O를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널.
  10. 25 내지 40 중량%의 ZnO와, 35 내지 50 중량%의 B2O3와, 10 내지 25 중량%의 SiO2와, 5 내지 15 중량%의 K2O의 혼합물과, 비히클 및 바인더가 포함된 유전층 재료를 준비하는 단계;
    상기 유전층 재료를 서스테인 전극이 형성된 기판상에 도포하는 단계; 및
    상기 유전층 재료를 소성하는 단계를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 유전층 재료는,
    0 내지 15 중량%의 Na2O 또는 Li2O를 더 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  12. 제 10항에 있어서, 상기 유전층 재료는,
    0 내지 5 중량%의 Al2O3를 더 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  13. 제 10항에 있어서, 상기 유전층 재료는,
    CoO, CuO, Cr2O3, MnO, FeO 및 NiO 중 적어도 하나를 더 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  14. 제 10항에 있어서, 상기 유전층 재료는,
    TiO2, MgO, SrO, CaO, 및 P2O5 중 적어도 하나를 더 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  15. 제 10항에 있어서, 상기 유전층 재료는,
    CeO2, Er2O3, Nd2O3 및 Pr2O3 중 적어도 하나를 더 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  16. 제 10항에 있어서,
    상기 소성 단계는, 570 내지 600℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  17. 25 내지 40 중량%의 ZnO와, 35 내지 50 중량%의 B2O3와, 10 내지 25 중량%의 SiO2와, 5 내지 15 중량%의 K2O의 혼합물과, 비히클 및 바인더가 포함된 격벽 재료를 준비하는 단계;
    상기 격벽 재료를 전극이 형성된 기판상에 도포하는 단계; 및
    상기 격벽 재료를 소성하는 단계를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  18. 25 내지 40 중량%의 ZnO와, 35 내지 50 중량%의 B2O3와, 10 내지 25 중량%의 SiO2와, 5 내지 15 중량%의 K2O의 혼합물과, 비히클 및 바인더가 포함된 백색 유전층 재료를 준비하는 단계;
    상기 백색 유전층 재료를 어드레스 전극이 형성된 기판상에 도포하는 단계; 및
    상기 백색 유전층 재료를 소성하는 단계를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
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