KR20090024114A - 열전사용의 말레산 무수물 기재의 중합체를 포함하는 도너 요소 - Google Patents

Abstract

본 발명은 도너 요소로부터 리시버 요소로의 물질의 광-유도된 전사를 위한 이미지화 조립체에서 리시버 요소와 함께 사용하기 위한 도너 요소에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 스티렌 및 말레산 무수물을 기재로 하는 공중합체를 포함하는 그러한 도너 요소에 관한 것이다.

열전사, 도너, 리시버, 이미지화, 말레산, 무수물

Description

열전사용의 말레산 무수물 기재의 중합체를 포함하는 도너 요소{DONOR ELEMENT WITH MALEIC ANHYDRIDE BASED POLYMERS FOR THERMAL TRANSFER}

본 발명은 도너 요소(donor element)로부터 리시버 요소(receiver element)로의 물질의 광-유도된 전사(light-induced transfer)를 위한 이미지화 조립체(imageable assemblage)에서 리시버 요소와 함께 사용하기 위한 도너 요소에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 말레산 무수물 기재의 중합체를 포함하는 그러한 도너 요소에 관한 것이다.

도너 요소로부터 리시버 요소로의 물질의 광-유도된 전사를 위한 이미지화 조립체에서, 리시버 요소와 함께 사용하기 위한 도너 요소는 전형적으로 다중층을 포함한다. 이 층은 지지층, 광열 변환층(light-to-heat conversion(LTHC) layer) 및 전사층을 포함할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 전형적으로, 50 ㎛ 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름과 같은 지지층은 광열 변환층 전구체로 순차적으로 코팅된다. 이어서, 상기 전구체는 건조에 의해 최종 광열 변환층으로 변환되고, 후속적으로, 전사층 전구체는 지지층에 대향하여 광열 변환층 위에 코팅되고 건조에 의해 전사층으로 변환된다.

재료들은 선택적으로 열전사되어, 전자 디스플레이와 기타 소자 및 물체에서 유용한 요소를 형성할 수 있다. 구체적으로, 컬러 필터, 스페이서, 편광기, 전도층, 트랜지스터, 형광체 및 유기 전기발광 재료의 선택적 열전사가 모두 제안되었었다. 착색제와 같은 물질은 선택적으로 열전사되어, 기준 이미지(reference image)의 교정본(proof copy)과 같은 물체를 형성할 수 있다.

열전사 이미지 형성용의 도너 요소, 도너 요소로부터 전사가능한 물질의 이동의 유효성 및 선택성, 및 전사가능한 물질의 침착 및 부착과 전사된 물질의 리시버 요소에의 고정의 유효성 및 선택성의 개선에 대한 필요성이 남아있다. 리시버 요소로의 층들의 비의도적 전사를 감소시키는 열전사식 이미지 형성 도너 요소의 개선이 추구된다. 도너 요소의 취급 특성 및 내손상성을 향상시키는 열전사식 이미지 형성 도너 요소의 개선이 추구된다.

열전사 효율, 가열의 임의의 변동으로부터의 열전사 효율의 독립성, 습도 및 온도와 같은 환경 조건의 임의의 변동으로부터의 열전사 효율의 독립성, 물질 전사의 완성도, 의도하지 않은 물질 전사의 부재, 도너 요소의 물질-전사된 영역과 이미지 형성되지 않은 영역들의 완전한 분리, 및 물질-전사된 재료의 표면 및 에지의 평활도 중 적어도 하나를 개선하기 위하여, 열전사 도너 요소를 개선하고 이미지화 조립체에서 열전사 도너 요소를 리시버 요소와 함께 사용하는 것을 개선하는 것에 대한 필요성이 남아있다.

미국 특허 제5,922,512호 (도민(DoMinh))에는, 감열성 비닐 중합체와, 선택적으로 광열 변환 재료로 이루어진 감열성 이미지 형성 층을 이용하여, 네가티브-작용 인쇄판(negative-working printing plate)과 같은 이미지 형성 부재를 제조하 는 것이 개시되어 있다. 감열성 중합체는 (적외선 조사로부터와 같은) 열에너지의 인가시 데카르복실화되는 환형 무수물을 포함하는 순환 단위(recurring unit)를 가져서, 이 중합체는 그러한 적외선 노출 영역에서 소수성이 더 커지게 된다. 중성 또는 산성 pH 용액과 접촉하면, 상기 중합체는 미노출 영역에서 친수성이 더 커지게 된다.

반면에, 본 발명은 적외선 노출 영역을 선택적으로 더 소수성이 되게 하기보다는 오히려 도너 요소의 전사층으로부터 리시버 요소로의 물질의 실제 전사에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 네가티브 판 상에 이미지를 생성하기 위하여 용매를 사용하는 '512 특허와는 달리 건식 공정을 이용한다. '512 특허에는 오일 및 물의 불혼화성을 기반으로 한다는 점에서 완전히 상이한 기술이 개시되어 있다. 유성 물질 또는 잉크는 소수성 영역에 의해 보유된다. 소수성 영역은 이미지 형성층의 적외선 방사에의 노출에 의해 생성된다.

또한, 도너 요소의 광열 변환층에의 환형 무수물계 중합체의 혼입에 의해, 본 발명은 보다 높은 민감성과, 전사층으로부터 리시버 요소로의 재료의 전사에 있어서의 제어를 제공하는, 그리고 또한 보다 낮은 에너지 소모율의 도너 요소를 개시한다. 조사시, 상기 무수물의 루프는 폐쇄되어, 전사 비히클로서 작용하는 작은 분자를 방출하고, 전사할 물질을 도너 요소로부터 리시빙 요소로 전사하게 된다고 생각된다.

마지막으로, 본 발명은 예를 들어 디스플레이 기술에서 그러한 도너 요소의 제조와, 그러한 도너 요소의 사용을 또한 개시한다.

발명의 개요

본 발명은 광-유도된 전사를 위한 도너 요소에 관한 것이며, 이 도너 요소는

(a) 지지층;

(b) 상기 지지층의 한 면에 인접하여 배치되며, 광 흡수제를 포함하고, 말레산 무수물 기재의 중합체를 포함하는 광열 변환층; 및

(c) 상기 지지층에 대향하여 상기 광열 변환층에 인접하여 배치되며, 상기 광열 변환층이 광에 선택적으로 노출될 때 상기 도너 요소로부터 인접한 리시버 요소로 이미지 방식으로 전사될 수 있는 물질을 포함하는 전사층을 포함한다.

또한, 본 발명은, 상기 말레산 무수물 기재의 중합체가

(i) 말레산 무수물 단일중합체;

(ii) 말레산 단일중합체;

(iii) 푸마르산 단일중합체;

(iv) 말레산의 모노에스테르의 단일중합체;

(v) 푸마르산의 모노에스테르의 단일중합체;

(vi) 말레산 무수물 공중합체;

(vii) 말레산 공중합체;

(viii) 푸마르산 공중합체;

(ix) 말레산의 모노에스테르의 공중합체;

(x) 푸마르산의 모노에스테르의 공중합체;

(xi) 그의 화학적 조합;

(xii) 그의 물리적 혼합물; 및

(xiii) 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 중합체를 포함하고,

상기 말레산 무수물 반복 단위는

으로 나타내어진 3가지의 배위(configuration) 중 적어도 하나로부터 선택되며, 상기 말레산 반복 단위는

으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되고, 상기 푸마르산 반복 단위는

으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되며, 말레산의 모 노에스테르의 상기 반복 단위는

으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되고, 푸마르산의 모노에스테르의 상기 반복 단위는

으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되며, 여기서, R₃₁, R₃₂, R_33, R₄₁, R₄₂, R₄₃은 동일하거나 상이한 기로서, 수소 또는 탄소 원자수 1 내지 약 5의 알킬일 수 있고;

R₅₀은

(a) 1 내지 약 20개의 탄소 원자를 포함하는 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼;

(b) 각각의 옥시알킬렌 기에서 약 2 내지 약 4개의 탄소 원자를 포함하며, 1 내지 약 20개의 반복 단위의 것일 수 있는, 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼의 옥시알킬화 유도체;

(c) 각각의 옥시알킬렌 기에서 약 2 내지 약 4개의 탄소 원자를 포함하며, 1 내지 약 6개의 반복 단위의 것일 수 있는, 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼의 옥시알킬화 유도체;

(d) 적어도 하나의 불포화 부분;

(e) 적어도 하나의 헤테로원자 부분;

(f) Li, Na, K 및 NH₄ ⁺로부터 선택되는 염을 형성할 수 있는 알칼리 분자; 및

(g) 그 조합으로부터 선택되는 작용기인, 상기에 상술된 도너 요소에 관한 것이다.

또한, 본 발명은 도너 요소의 제조 방법에 관한 것이며, 본 방법은

(a) 지지층을 제공하는 단계;

(b) 상기 지지층의 한 면에 인접하여 배치되며, 광 흡수제를 포함하고, 말레산 무수물 기재의 중합체를 포함하는 광열 변환층을 제공하는 단계; 및

(c) 상기 지지층에 대향하여 상기 광열 변환층에 인접하여 배치되며, 상기 광열 변환층이 광에 선택적으로 노출될 때 상기 도너 요소로부터 인접한 리시버 요소로 이미지 방식으로 전사될 수 있는 물질을 포함하는 전사층을 제공하는 단계를 포함한다.

또한, 본 발명은, 상기 말레산 무수물 기재의 중합체가

(i) 말레산 무수물 단일중합체;

(ii) 말레산 단일중합체;

(iii) 푸마르산 단일중합체;

(iv) 말레산의 모노에스테르의 단일중합체;

(v) 푸마르산의 모노에스테르의 단일중합체;

(vi) 말레산 무수물 공중합체;

(vii) 말레산 공중합체;

(viii) 푸마르산 공중합체;

(ix) 말레산의 모노에스테르의 공중합체;

(x) 푸마르산의 모노에스테르의 공중합체;

(xi) 그의 화학적 조합;

(xii) 그의 물리적 혼합물; 및

(xiii) 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 중합체를 포함하고,

상기 말레산 무수물 반복 단위는

으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되며, 상기 말레산 반복 단위는

으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되고, 상기 푸마르산 반복 단위는

으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되며, 말레산의 모노에스테르의 상기 반복 단위는

으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되고, 푸마르산의 모노에스테르의 상기 반복 단위는

으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되며, 여기서, R₃₁, R₃₂, R_{33 ,} R₄₁, R₄₂, R₄₃은 동일하거나 상이한 기로서, 수소 또는 탄소 원자수 1 내지 약 5의 알킬일 수 있고;

R₅₀은

(a) 1 내지 약 20개의 탄소 원자를 포함하는 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼;

(b) 각각의 옥시알킬렌 기에서 약 2 내지 약 4개의 탄소 원자를 포함하며, 1 내지 약 20개의 반복 단위의 것일 수 있는, 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼의 옥시알킬화 유도체;

(c) 각각의 옥시알킬렌 기에서 약 2 내지 약 4개의 탄소 원자를 포함하며, 1 내지 약 6개의 반복 단위의 것일 수 있는, 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼의 옥시알킬화 유도체;

(d) 적어도 하나의 불포화 부분;

(e) 적어도 하나의 헤테로원자 부분;

(f) Li, Na, K 및 NH₄ ⁺로부터 선택되는 염을 형성할 수 있는 알칼리 분자; 및

(g) 그 조합으로부터 선택되는 작용기인, 상기에 상술된 방법에 관한 것이다.

또한, 본 발명은 열전사 공정에서 도너 요소를 이용하여 이미지를 형성하는 방법에 관한 것이며, 본 방법은

(I) 도너 요소 및 리시버 요소의 조립체를 제공하는 단계 - 상기 도너 요소는

(a) 지지층;

(b) 상기 지지층의 한 면에 인접하여 배치되며, 광 흡수제를 포함하고, 말레산 무수물 기재의 중합체를 포함하는 광열 변환층; 및

(c) 상기 지지층에 대향하여 상기 광열 변환층에 인접하여 배치되며, 상기 광열 변환층이 광에 선택적으로 노출될 때 상기 도너 요소로부터 인접한 리시버 요소로 이미지 방식으로 전사될 수 있는 물질을 포함하는 전사층을 포함함 - 와;

(II) 상기 조립체를 광에 이미지 방식으로 노출시키고, 이로써 상기 이미지 방식으로 노출된 전사층의 적어도 일부분을 상기 리시버 요소에 전사시켜 이미지를 형성하는 단계와;

(III) 상기 도너 요소를 상기 리시버 요소로부터 분리하고, 그럼으로써 상기 이미지가 상기 리시버 요소 상에 나타나게 하는 단계를 포함한다.

또한, 본 발명은,

상기 말레산 무수물 기재의 중합체가

(i) 말레산 무수물 단일중합체;

(ii) 말레산 단일중합체;

(iii) 푸마르산 단일중합체;

(iv) 말레산의 모노에스테르의 단일중합체;

(v) 푸마르산의 모노에스테르의 단일중합체;

(vi) 말레산 무수물 공중합체;

(vii) 말레산 공중합체;

(viii) 푸마르산 공중합체;

(ix) 말레산의 모노에스테르의 공중합체;

(x) 푸마르산의 모노에스테르의 공중합체;

(xi) 그의 화학적 조합;

(xii) 그의 물리적 혼합물; 및

(xiii) 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 중합체를 포함하고,

상기 말레산 무수물 반복 단위는

으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되며, 상기 말레산 반복 단위는

으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되고, 상기 푸마르산 반복 단위는

으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되며, 말레산의 모노에스테르의 상기 반복 단위는

으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되고, 푸마르산의 모노에스테르의 상기 반복 단위는

으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되며, 여기서, R₃₁, R₃₂, R_33, R₄₁, R₄₂, R₄₃은 동일하거나 상이한 기로서, 수소 또는 탄소 원자수 1 내지 약 5의 알킬일 수 있고;

R₅₀은

(a) 1 내지 약 20개의 탄소 원자를 포함하는 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼;

(b) 각각의 옥시알킬렌 기에서 약 2 내지 약 4개의 탄소 원자를 포함하며, 1 내지 약 20개의 반복 단위의 것일 수 있는, 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼의 옥시알킬화 유도체;

(c) 각각의 옥시알킬렌 기에서 약 2 내지 약 4개의 탄소 원자를 포함하며, 1 내지 약 6개의 반복 단위의 것일 수 있는, 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼의 옥시알킬화 유도체;

(d) 적어도 하나의 불포화 부분;

(e) 적어도 하나의 헤테로원자 부분;

(f) Li, Na, K 및 NH₄ ⁺로부터 선택되는 염을 형성할 수 있는 알칼리 분자; 및

(g) 그 조합으로부터 선택되는 작용기인, 상기에 상술된 방법에 관한 것이다.

도 1은 스티렌 및 말레산 무수물을 기재로 하는 중합체를 포함하는 광열 변환층을 포함하는 도너 요소의 일 실시 형태의 개략적 단면도.

도 2는 말레산 무수물 반복 단위를 기재로 하는 3가지의 배위에 상응하는 도면.

도 3은 말레산 무수물 산 반복 단위를 기재로 하는 3가지의 배위에 상응하는 도면.

도 4는 푸마르산 반복 단위를 기재로 하는 3가지의 배위에 상응하는 도면.

도 5는 말레산의 모노에스테르의 반복 단위를 기재로 하는 3가지의 배위에 상응하는 도면.

도 6은 푸마르산의 모노에스테르의 반복 단위를 기재로 하는 3가지의 배위에 상응하는 도면.

도 7은 치환, 이미드화, 및 중화와 같이, 스티렌 말레산 무수물 기재의 중합체가 겪을 수도 있는 예시적인 반응을 도시한 도면.

도 8은 이미지화 조립체가 광에 의해 이미지 형성된 경우, 리시버 요소에 인 접한 도너 요소의 이미지화 조립체의 상이한 실시 형태들의 개략적 단면도.

도 9는 리시버 기층(base layer) 상에 두어진 이전에 전사된 물질의 표면을 따라 도너 요소의 전사층이 리시버 요소와 단속적 접촉 상태로 있는 이미지화 조립체의 실시 형태를 도시한 도면.

도 10은 이미지 형성되고 분리된 이미지화 조립체의 이미지 형성된 도너 요소 및 이미지 형성된 리시버 요소의 개략 단면도.

일 실시 형태에서, 본 발명은 이미지화 조립체, 즉, 도너 요소와 리시버 요소의 조합을 포함한다. 본 발명의 도너 요소는 제1 면 및 제2 면을 갖는 지지층과, 제1 면 및 제2 면을 갖는 광열 변환층과, 제1 면 및 제2 면을 갖는 전사층을 포함한다.

상기 광열 변환층의 제1 면은 상기 지지체의 상기 제2 면에 인접하여 배치된다. 상기 전사층의 제1 면은 상기 광열 변환층의 상기 제2 면에 인접하여 배치된다. 본 발명의 조립체에서, 리시버 요소는 지지층의 대향면 상에, 전사층에 인접하여 위치된다.

"층이 인접하여 배치되는"이라는 것은, 상기 층이 인접해 있다고 생각되는 다른 층의 다른 면보다는 오히려 상기 층이 인접해 있다고 생각되는 상기 다른 층의 특정 면에 보다 근접하여 있음을 의미한다.

본 발명에 따르면, "인접한"이라는 것은 두 층이 반드시 물리적 접촉 상태로 있을 필요가 있음을 시사하는 것은 아니다.

광열 변환층은 광 흡수제를 포함한다. 광열 변환층은 스티렌 및 말레산 무수물을 기재로 하는 공중합체를 또한 포함한다.

전사층은 상기 광열 변환층이 광에 선택적으로 노출될 때 상기 도너 요소로부터 상기 전사층의 상기 제2 면 상에 배치된 인접한 리시버 요소로 이미지 방식으로 전사될 수 있는 물질을 포함한다.

본 발명에서, 지지층 및 전사층은 사이에 광열 변환층을 개재한다. 예를 들어, 도너 요소는 지지층과 전사층 사이에 배치되는 다른 층 (예를 들어, 중간층), 지지층의 제1 면 상에 배치되는 다른 층 (예를 들어, 정전기 방지층), 및 광열 변환층에 대향하여 전사층의 제2 면 상에 배치되는 다른 층 (예를 들어, 접착제층)을 선택적으로 포함할 수도 있다.

도 1에는 지지층(110), 광열 변환(LTHC)층(120), 및 전사층(130)을 포함하는 도너 요소(100)가 도시되어 있다. 본 발명에서, 말레산 무수물 기재의 중합체는 도 1에서 광열 변환층(120) 내에 배치된다.

지지층

지지층(110)은, 예를 들어 제조 동안, 이미지화 조립체의 제조에서, 그리고 조립체의 이미지 형성 후 이미지 형성된 리시버 요소로부터의 사용된 도너 요소의 제거에서, 기능층을 포함하는 도너 요소의 실제 취급 수단을 제공한다. 그러한 태양에서, 지지층은 통상적인 것이며, 이는 이미지 형성 동안 사실상 변화(예를 들어, 생성, 이동, 분해, 융해 등)될 수도 있는 층의 기재로서 작용한다.

지지층(110)은 중합체 필름일 수 있다. 하나의 적합한 유형의 중합체 필름은 폴리에스테르 필름, 예를 들어, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 또는 폴리에틸렌 나프탈레이트 필름이다. 그러나, 특정 응용에 있어서 충분한 기계적 및 열적 안정성과, 선택적으로, 특정 파장에서의 높은 광투과율을 포함하는 충분한 광학 특성을 갖는 기타 필름이 사용될 수 있다. 지지층에 적합한 중합체의 예에는 폴리카르보네이트, 폴리올레핀, 폴리비닐 수지 또는 폴리에스테르가 포함된다. 일 실시 형태에서, 합성 선형 폴리에스테르가 지지층용으로 사용된다.

지지층으로서 유용한 합성 선형 폴리에스테르는 하나 이상의 다이카르복실산 또는 그의 저급 알킬 (최대 6개의 탄소 원자) 다이에스테르, 예를 들어, 테레프탈산, 아이소프탈산, 프탈산, 2,5-, 2,6- 또는 2,7-나프탈렌다이카르복실산, 석신산, 세바식산, 아디프산, 아젤라산, 4,4'-다이페닐다이카르복실산, 헥사하이드로-테레프탈산 또는 1,2-비스-p-카르복시페녹시에탄 (선택적으로 모노카르복실산, 예를 들어 피발산을 포함함)을, 하나 이상의 글리콜, 특히 지방족 또는 지환족 글리콜, 예를 들어, 에틸렌 글리콜, 1,3-프로판다이올, 1,4-부탄다이올, 네오펜틸 글리콜 및 1,4-사이클로헥산다이메탄올과 축합시킴으로써 얻어질 수 있다. 방향족 다이카르복실산이 바람직하다. 지방족 글리콜이 바람직하다. 하이드록시카르복실산 단량체, 예를 들어 ω-하이드록시알칸산 (전형적으로 C₃-C₁₂), 예를 들어 하이드록시프로피온산, 하이드록시부티르산, p-하이드록시벤조산, m-하이드록시벤조산, 또는 2-하이드록시나프탈렌-6-카르복실산으로부터 유도되는 단위를 포함하는 폴리에스테르 또는 코폴리에스테르가 또한 사용될 수도 있다. 일 실시 형태에서, 폴리에스테르는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 및 폴리에틸렌 나프탈레이트로부터 선택된다.

지지층은 상기 필름 형성 물질의 하나 이상의 불연속 층을 포함할 수도 있다. 각각의 층의 중합체성 물질은 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들어, 지지층은 1개, 2개, 3개, 4개 또는 5개 또는 그 이상의 층을 포함할 수도 있으며, 전형적인 다층 구조체는 AB, ABA, ABC, ABAB, ABABA 또는 ABCBA형의 것일 수 있다.

지지층의 형성은 통상적인 기술에 의해 성취될 수 있다. 편리하게는, 지지층의 형성은 압출에 의해 행해진다. 개괄적으로, 당해 방법은 융해된 중합체의 층을 압출하는 단계, 압출물을 켄칭(quenching)하는 단계, 및 켄칭된 압출물을 적어도 한 방향으로 배향시키는 단계를 포함할 수 있다.

지지층은 배향되지 않거나, 임의의 횟수로 배향될 수 있는데, 예를 들어 단축 배향되거나 이축 배향될 수 있다. 배향은 배향된 필름의 제조에 있어서 당업계에 공지된 임의의 공정, 예를 들어 관상 또는 평탄 필름 공정에 의해 행해질 수 있다. 이축 배향은, 기계적 및 물리적 특성의 만족스러운 조합이 달성되도록 필름의 평면에서 상호 수직인 두 방향으로 연신함으로써 행해질 수 있다.

동시 이축 배향은 열가소성 중합체 튜브를 압출하고, 그 후 이를 켄칭하고, 재가열하고, 이어서 내부 가스 압력에 의해 팽창시켜 횡방향 배향을 유도하고, 소정 속도로 연신 - 이는 종방향 배향을 유도할 것임 - 함으로써 행해질 수 있다.

지지층 형성 중합체는 슬롯 다이(slot die)를 통하여 압출되고, 냉각된 주조 드럼 상에서 신속하게 켄칭되어, 상기 중합체가 비결정 상태로 켄칭되는 것을 보장할 수 있다. 이어서, 켄칭된 압출물을 폴리에스테르의 유리 전이 온도 초과의 온도에서 적어도 한 방향으로 신장시킴으로써 배향을 행할 수 있다. 순차적 배향은, 평탄한 켄칭된 압출물을 먼저 한 방향으로, 일반적으로 종방향으로, 즉, 필름 신장기(stretching machine)를 통과하는 전진 방향으로, 그리고 이어서 횡방향으로 신장시킴으로써 행해질 수 있다. 압출물의 전진 방향 신장은 회전 롤 세트에 걸쳐서 또는 두 쌍의 닙 롤 사이에서 편리하게 행해질 수 있으며, 그 후 횡방향 신장은 스텐터(stenter) 장치에서 행해진다. 대안적으로, 주조된 필름은 이축 스텐터에서 전진 방향 및 횡방향 둘 모두로 동시에 신장될 수 있다. 신장은 중합체의 성질에 의해 결정되는 범위에서 행해지는데, 예를 들어 폴리에틸렌 테레프탈레이트는 일반적으로 배향된 필름의 치수가 각각의 신장 방향에서 그의 원래 치수의 2 내지 5배, 더 바람직하게는 2.5 내지 4.5배가 되도록 신장된다. 전형적으로, 신장은 70 내지 125℃ 범위의 온도에서 행해진다. 단지 한 방향으로의 배향이 필요할 경우, 보다 큰 연신비(예를 들어, 최대 약 8배)가 사용될 수도 있다. 각각의 방향으로 동등하게 신장시키는 것이 필요한 것은 아니지만, 각각의 방향으로 동등하게 신장시키는 것이 일반적이다.

지지층 그 자체가 하나 초과의 층을 포함할 경우, 지지층의 제조는, 다중-오리피스 다이의 독립적인 오리피스들을 통하여 각각의 필름 형성층들을 동시에 공압출하고 그 후 여전히 용융된 층들을 일체화시킴에 의해, 또는 다르게는 각각의 중합체의 용융된 스트림들이 다이 매니폴드로 이어지는 채널 내에서 먼저 일체화되고 그 후에 혼합 없이 유선 유동의 조건 하에 다이 오리피스로부터 함께 압출되고 그럼으로써 본 명세서에 설명된 바와 같이 배향 및 열고정될 수 있는 다층 중합체 필름을 생성하는 단일 채널 공압출에 의해, 공압출에 의하여 편리하게 행해질 수 있다. 또한, 다층형 지지층의 형성은 종래의 적층 기술에 의해, 예를 들어 사전 형성된 제1 층 및 사전 형성된 제2 층을 함께 적층시킴에 의해, 또는 예를 들어 제1 층을 사전 형성된 제2 층 상에 주조함으로써 행해질 수도 있다.

지지층은 전형적으로 얇고 코팅가능하여서, 균일한 코팅이 편리하게 도포되어 후속 층으로 집중될 수 있으며, 최종 다층 도너 요소는 시트 또는 롤 형태로 편리하게 취급될 수 있다. 지지층 조성물은 또한 전형적으로 이미지 형성 동안 광열 변환층의 가열에도 불구하고 안정하게 남아있는 물질로부터 선택된다. 지지층의 전형적인 두께는 약 0.005 내지 약 0.5 ㎜ 범위일 수 있으며, 예를 들어 약 15 ㎛, 약 25 ㎛, 약 50 ㎛, 약 100 ㎛, 또는 약 250 ㎛ 두께의 필름일 수 있지만, 더 두껍거나 더 얇은 지지층이 사용될 수도 있다. 지지층의 폭 및 길이의 치수는 취급의 편리함, 및 이미지 형성될 리시버 요소의 치수에 대하여 선택되는데, 예를 들어 약 0.1 내지 약 5 m의 폭, 및 약 0.1 내지 약 10,000 m의 길이가 선택된다.

가장 가까운 인접 층(예를 들어, 하층(underlayer) 또는 광열 변환층)과 접촉하는 지지층의 제2 면 상에 최외측 표면들을 형성하기 위해 사용되는 물질은 지지층과 인접 층 사이의 부착성을 향상시키고, 지지층과 인접 층 사이의 온도 수송(temperature transport)을 제어하고, 광열 변환층으로의 이미지 형성 광의 수송을 제어하고, 도너 요소의 취급을 향상시키는 것 등을 하도록 선택될 수 있다. 선택적인 프라이밍층(priming layer)은 후속 층의 지지층 상에의 코팅 동안 균일성을 증가시키고, 또한 지지층과 인접 층들 사이의 접합 강도를 증가시키기 위해 사용될 수 있다. 프라이머층을 포함하는 적합한 지지층의 일례가 테이진 리미티드(Teijin Ltd.)(제품 번호 HPE100, 일본 오사카 소재)로부터 입수가능하다.

지지층은 듀퐁(DuPont)과 테이진 리미티드의 합작 기업인 듀퐁 테이진 필름즈(DuPont Teijin Films)(등록상표)가 제조한 멜리넥스(MELINEX)(등록상표) 계열의 폴리에스테르 필름과 같이, 인접한 접촉 층을 수용하도록 플라즈마 처리될 수도 있다. 지지층의 제1 면 상의 배킹층이 지지체 상에 선택적으로 제공될 수도 있다. 이들 배킹층은 지지층의 제1 면(배면), 즉, 전사층으로부터 대향한 면 상에 조도화된(roughened) 표면을 제공하기 위하여 충전재를 포함할 수도 있다. 대안적으로, 지지층 그 자체는 지지층의 제1 면(배면) 상에 조도화된 표면을 제공하기 위하여 지지층 매트릭스 내로 혼입된 충전재, 예를 들어 실리카를 포함할 수도 있다. 대안적으로, 지지층은 지지층의 일 표면 또는 양 표면 상에 조도화된 표면을 제공하기 위하여 물리적으로 조도화될 수도 있다. 물리적 조도화 방법의 몇몇 예는 샌드블라스팅, 금속 브러시를 이용한 충격 등을 포함한다. 광 감쇠 층(light attenuated layer)은 조도화된 지지층 표면 또는 표면 층으로부터 생길 수 있으며, 이는 또한 흡수제 또는 확산제와 같은 광-감쇠제를 포함할 수 있다.

지지층은 중합체 필름의 제조에서 통상적으로 이용되는 임의의 첨가제, 예를 들어, 공극 형성제(voiding agent), 윤활제, 산화방지제, 라디칼 포착제, UV 흡수제, 난연제, 열안정제, 블로킹 방지제, 표면 활성제, 슬립 조제(slip aid), 형광 발광제(optical brightener), 광택 향상제, 프로-데그라덴트(pro-degradent), 점도 조절제 및 분산 안정제를 포함할 수도 있다. 당업계에 잘 알려진 바와 같이, 특히 충전재는 중합체 필름에 있어서 일반적인 첨가제이며, 필름 특징의 조정에 유용하다. 당업계에 잘 알려져 있는 바와 같이 그리고 예를 들어 본 명세서에 참고로 포함된 국제특허 공개 WO-03/078512-A호에 개시되어 있는 바와 같이, 전형적인 충전재는 미립자형 무기 충전재 (예를 들어, 금속 또는 반금속(metalloid) 산화물, 점토 및 알칼리 금속 염, 예를 들어 칼슘 및 바륨의 탄산염 및 황산염) 또는 비상용성 수지 충전재 (예를 들어, 폴리아미드 및 폴리올레핀) 또는 두 가지 이상의 그러한 충전재의 혼합물을 포함한다. 층의 조성물의 성분들은 통상적인 방식으로 함께 혼합될 수 있다. 예를 들어, 층 중합체가 유도되는 단량체성 반응물들과 혼함함으로써, 또는 텀블(tumble) 또는 건식 블렌딩에 의해 또는 압출기에서의 컴파운딩에 의해 당해 성분들이 상기 중합체와 혼합되고, 이어서 냉각되고, 일반적으로는 과립 또는 칩으로 분쇄될 수 있다. 마스터배칭(Masterbatching) 기술이 또한 이용될 수도 있다.

지지층은 바람직하게는 비충전되거나 단지 약간 충전되는데, 즉, 임의의 충전재는 단지 소량으로, 지지층 중합체의 중량을 기준으로 일반적으로는 0.5%를 초과하지 않는 양으로, 바람직하게는 0.2% 미만의 양으로 존재한다. 이러한 실시 형태에서, 지지층은 전형적으로 광학적으로 투명할 것이며, 바람직하게는 표준 방법 ASTM D 1003에 따라 측정할 경우, 산란되는 가시광의 백분율(탁도(haze))이 약 6% 미만, 더 바람직하게는 약 3.5% 미만, 그리고 특히 약 2% 미만이다.

금속화된 필름이 도너 요소용 지지층으로서 사용될 수 있다. 구체예에는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 또는 폴리올레핀 필름을 포함하는 단층 또는 다층 필름이 포함된다. 유용한 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름은 멜리넥스(등록상표) 473 (100 ㎛의 두께), 멜리넥스(등록상표) 6442 (100 ㎛의 두께), 멜리넥스(등록상표) LJX111 (25 ㎛의 두께), 및 멜리넥스(등록상표) 453 (50 ㎛의 두께)을 포함하며, 이들 모두는 미국 버지니아주 마틴스빌 소재의 씨피 필름즈(CP Films)에 의해 금속성 크롬을 이용하여 50% 가시광 투과율로 금속화되었다.

지지층은 일반적으로 이미지 형성 광에 대하여 적당하게 투시성인데, 상기 광은 광열 변환층에 도달하기 전에 상기 지지층에 충돌하며, 예를 들어 지지층은 이미지 형성 파장에서의 광투과율이 약 90% 이상이다. 지지층은 단층 또는 다층일 수 있다. 또한, 반사 방지층은 일반적으로 광 반사의 감소를 위하여 지지층의 제1 면 상에 형성될 수 있다.

광열 변환층

도 1에 도시된 바와 같이, 이미지 형성 단계 동안, 광열 변환층(LTHC layer)(120)은 적어도 광열 변환층에서 하나 이상의 광 흡수제에 의해 흡수된 광을 열에너지로 변환시키는 작용을 한다. 이러한 열에너지는 전사층의 일부 성분 또는 다량의 전사층이 조립체의 리시버 요소에 전사되게 하기에 충분하다. 조립체의 리시버 요소는 본 명세서에서 이후에 설명된다. 본 출원에서 광흡수제에 대한 언급은 적어도 하나의 광흡수제를 의미한다. 바꾸어 말하면, 광흡수제는 사실상 유사한 화학 조성의 하나의 광흡수제 또는 하나 초과의 광흡수제의 조합일 수 있다.

전형적으로, 광열 변환층 내의 광흡수제는 전자기 스펙트럼의 적외선, 가시선 및/또는 자외선 영역의 광을 흡수하여, 흡수된 광을 열로 변환시킨다. 광흡수제는 전형적으로 선택된 이미지 형성 광에 대하여 고도로 흡수성이어서, 이미지 형성 광의 파장에서의 흡광도가 약 0.1 내지 약 3 또는 그 이상의 범위(대략적으로, 특정 파장에서 입사광의 20 내지 99.9% 이상의 흡광)인 광열 변환층을 제공한다. 전형적으로, 이미지 형성 광의 파장에서의 광열 변환층의 흡광도는 대략 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.6, 0.8, 1.0, 1.25, 1.5, 2, 2.5, 또는 10 또는 그 사이의 어느 값, 또는 그 이상이다.

"흡광도"는 a) (전형적으로 최단 방향으로) 층을 투과하는 광의 강도 및 b) 층에 입사하는 광의 강도의 비의 대수(logarithm) (밑은 10임)의 절대값이다. 예를 들어, 1의 흡광도는 입사광 강도의 대략 10%의 투과율에 상응하며; 0.4 초과의 흡광도는 입사광 강도의 대략 39.8% 미만의 투과율에 상응한다.

일 실시 형태에서, 광열 변환층은 이미지 형성에 사용되는 파장 영역 또는 특정 파장의 광에 대하여 고도로 흡수성이지만, 광열 변환층은 다른 파장 영역 또는 특정 파장에서는 훨씬 덜 흡수성이다 (예를 들어, 투시성, 반투시성, 또는 반투명성). 예를 들어, 대략 830 ㎚에서 최대 출력을 갖는 레이저로 이미지 형성되는 광열 변환층은 750 내지 950 ㎚의 파장 영역에서 최대 흡광도를 가짐과 동시에, 적어도 5배 더 작은, 400 내지 750 ㎚의 영역에서의 최대 흡광도를 가질 수 있다 (예를 들어, 750 내지 900 ㎚에서의 최고 흡광도는 840 ㎚에서의 것이며, 흡광도 (840 ㎚)는 0.5인 반면, 400 내지 750에서의 최고 흡광도는 650 ㎚에서의 것이며, 흡광도 (650 ㎚)는 0.09임).

일 실시 형태에서, 이미지 비형성 영역(non-imaging region)에 대한 이미지 형성 영역의 흡광도의 이러한 영역적 비는 이미지 비형성 영역이 상대적으로 투시성이 되도록 전형적으로 1 초과일 것이며, 예를 들어, 비는 2, 4, 8, 12, 16, 32, 또는 그 이상으로부터 선택되는 것보다 크다. 주어진 파장 영역에서의 흡광도의 이러한 비는 광열 변환층, 그리고 또한 광열 변환층 내의 임의의 유의한 흡수제에 적용될 수 있다 (예를 들어, 임의의 특정 흡수제, 예컨대, 이미지 형성 광의 흡수의 적어도 10%를 점하는 것, 예를 들어 2-(2-(2-클로로-3-(2-(1,3-다이하이드로-1,1-다이메틸-3-(4-설포부틸)-2H-벤즈[e]인돌-2-일리덴)에틸리덴)-1-사이클로헥센-1-일)에테닐)-1,1-다이메틸-3-(4-설포부틸)-1H-벤즈[e]인돌륨, 분자내 염, (1,3-다이하이드로-1,1-다이메틸-3-(4-설포부틸)-2H-벤즈[e]인돌-2-일리덴)에틸리덴)-1-사이클로헥센-1-일)에테닐)-1,1-다이메틸-3-(4-설포부틸)-1H-벤즈[e]인돌륨, 분자내 염, 유리 산 - CAS 번호 [162411-28-1]을 가짐 - 은 상기 비에 의해 특징지워질 수 있다).

일 실시 형태에서, 광열 변환층은 소정의 이미지 형성 파장에서 명백하게 광 흡수성이지만, 몇몇 다른 파장에서는 명백하게 광 투과성이다. 예를 들어, 예언적인 일 실시 형태에서, 832 ㎚의 파장에서 광의 90%를 흡수하는 반면 (적외선 레이저에 의한 이미지 형성에 사용되는 파장에서 흡광도 1), 440 ㎚의 파장에서는 광의 20.6%만이 흡수되어서 (청색 파장에서 흡광도 0.10), 도너가 적외선의 이미지 형성 파장에서보다 가시 파장에서 훨씬 더 많은 광을 투과시키는 것을 허용한다. 이 경우 흡광도 비 (기타 파장에 대한 이미지 형성 파장)는 10이다.

이미지 비형성 파장에서의 투과는 완전할 필요는 없지만, 향상되어야 하며, 3만큼 낮은 것으로부터 100 또는 그 이상만큼 높은 것까지 다양한 흡광도 비가 유용할 수 있다. 예를 들어, 시각적 검사에서, 선택적으로 투과되는 파장에 있어서 가시 파장에 유리한, 5, 10, 15, 30, 및 60 또는 그 이상의 비로부터 선택되는 비가 유용할 것이다. 광열 변환층을 통과하는 광의 투과에 유용한 파장은 자외 스펙트럼에서 300 및 350 ㎚, 가시 스펙트럼에서 400, 450, 500, 550, 600, 650, 670, 700, 및 750 ㎚, 그리고 적외 스펙트럼에서 770, 800, 850, 900, 1000, 및 1200 ㎚를 포함한다. 열이 발생되게 하기 위한 흡광도에 유용한 파장은 예를 들어 레이저 출력 파장에 상응하는 671, 780, 785, 815, 830, 840, 850, 900, 946, 1047, 1053, 1064, 1313, 1319, 및 1340 ㎚와 같은 파장을 포함한다. 주어진 파장에서 광의 20% 이상을 투과시키는 층은 그 파장에서 (상대적으로) 투시성이라고 말할 수 있다. 투명도는, 주어진 파장에서 투과율이 예컨대 20%로부터 30%로, 40%로, 50%로, 60%로, 70%로, 80%로, 90%로, 95%로, 또는 그 이상의 투과율로 개선될 때 향상되며, 투명도는 광열 변환층에서 향상된다. 또한, 광의 산란은, 후방 산란 및 산란 손실을 최소화함으로써 투명도를 향상시키도록 최소화되어야 한다.

이미지 형성 방사선에 대하여 고흡수성인 물질의 사용은 매우 얇은 광열 변환층이 구성되게 한다. 얇은 광열 변환층은, 광 흡수에 의한 국소적인 높은 온도의 생성에 유용할 수 있다. 일 실시 형태에서, 광열 변환층의 두께는 약 500 ㎚ 이하이다. 다른 유용한 두께는 약 400 ㎚, 약 300 ㎚, 약 200 ㎚, 약 150 ㎚, 약 100 ㎚, 약 75 ㎚, 약 50 ㎚, 및 약 30 ㎚ 이하를 포함한다.

보다 얇은 광열 변환층이 바람직하지만, 보다 두꺼운 층, 일반적으로 최대 약 5 ㎛의 두께가 또한 사용될 수 있다. 예를 들어, 일 실시 형태에서, 전형적인 광열 변환층의 두께는 50 ㎚ 내지 250 ㎛ 범위이다. 두께는 실험에 의해 용이하게 최적화된다. 때로는, 매우 얇은 필름에 의해서는 적당하게 높은 그리고 일정한 양의 광 흡수가 달성되지 않을 수도 있다. 관리가능한 양의 열에너지 및 온도를 이미지 형성 과정 동안 달성하기 위하여, 상기 두께는 전형적으로 존재하는 광 흡수제의 농도 및 유효성에 따라 변한다. 이는 전사층으로부터의 수용층 상으로의 물질의 필요한 전사를 유해한 부작용 없이 허용한다.

흔히, 단지 얇은 광열 변환층에 의해 상당한 양의 광을 흡수할 수 있는 광흡수제를 선택하는 것이 유용하다. 예를 들어, 0.2 ㎛ 두께의 광열 변환층이 830 ㎚의 파장의 광에 대하여 0.2의 흡광도를 가질 경우, 이 층은 830 ㎚에서 1/㎛의 흡광 계수를 갖는다고 말할 수 있다. 일 실시 형태에서, 광열 변환층은 750 내지 1400 ㎚의 파장에서 0.01, 0.1, 0.5, 1.0, 2.0, 4, 8, 16, 32, 64, 및 125 /㎛로부터 선택되는 두 개의 흡광 계수들 사이의 적어도 하나의 흡광 계수를 갖는다. 일 실시 형태에서, 광열 변환층의 광 흡수제는 광의 가시선 파장 대역, 단파장 중간-적외선 파장 대역 및 장파장 중간-적외선 파장 대역 중 적어도 하나에서 적어도 하나의 파장에 대해 0.1 단위 초과의 흡광도에 기여한다.

광열 변환층은 하나 이상의 말레산 무수물 기재 중합체를 추가로 포함한다. 광열 변환층은 또한 다른 중합체, 공중합체, 중합체 블렌드, 및 중합체 혼합물을 포함할 수 있음을 또한 알아야 한다.

말레산 무수물 기재의 중합체

도너 요소는 광열 변환층에 말레산 무수물 기재의 중합체를 포함한다.

말레산 무수물 기재의 중합체는

(1) 말레산 무수물 단일중합체;

(2) 말레산 단일중합체;

(3) 푸마르산 단일중합체;

(4) 말레산의 모노에스테르의 단일중합체;

(5) 푸마르산의 모노에스테르의 단일중합체;

(6) 말레산 무수물 공중합체;

(7) 말레산 공중합체;

(8) 푸마르산 공중합체;

(9) 말레산의 모노에스테르의 공중합체; 및

(10) 푸마르산의 모노에스테르의 공중합체를 포함한다.

용어 "말레산 무수물 기재의 중합체"는 말레산 무수물, 말레산, 푸마르산, 말레산의 모노에스테르, 및 푸마르산의 모노에스테르 중 하나의 부가 중합에 의해 제공되는 것과 등가인 적어도 하나의 반복 단위를 포함하는 중합체를 포함한다. 이들 반복 단위는 각각 말레산 무수물 반복 단위, 말레산 반복 단위, 푸마르산 반복 단위, 말레산의 모노에스테르 반복 단위, 및 푸마르산의 모노에스테르 반복 단위라고 불린다.

용어 "말레산 무수물 단일중합체"는 말레산 무수물이 아닌 다른 단량체의 부가 중합에 의해 제공되는 것과 등가인 임의의 반복 단위를 5 중량% 미만으로 포함하는, 말레산 무수물 반복 단위를 갖는 말레산 무수물 기재의 중합체를 포함한다.

용어 "말레산 무수물 공중합체"는 말레산 무수물이 아닌 다른 단량체의 부가 중합에 의해 제공되는 것과 등가인 임의의 반복 단위를 5 중량% 이상으로 포함하는 말레산 무수물 기재의 중합체를 포함한다.

용어 "말레산 단일중합체"는 말레산이 아닌 다른 단량체의 부가 중합에 의해 제공되는 것과 등가인 임의의 반복 단위를 5 중량% 미만으로 포함하는, 말레산 반복 단위를 갖는 말레산 무수물 기재의 중합체를 포함한다.

용어 "말레산 공중합체"는 말레산이 아닌 다른 단량체의 부가 중합에 의해 제공되는 것과 등가인 임의의 반복 단위를 5 중량% 이상으로 포함하는 말레산 무수물 기재의 중합체를 포함한다.

용어 "푸마르산 단일중합체"는 푸마르산이 아닌 다른 단량체의 부가 중합에 의해 제공되는 것과 등가인 임의의 반복 단위를 5 중량% 미만으로 포함하는, 푸마르산 반복 단위를 갖는 말레산 무수물 기재의 중합체를 포함한다.

용어 "푸마르산 공중합체"는 푸마르산이 아닌 다른 단량체의 부가 중합에 의해 제공되는 것과 등가인 임의의 반복 단위를 5 중량% 이상으로 포함하는 말레산 무수물 중합체를 포함한다.

용어 "말레산의 모노에스테르의 단일중합체"는 말레산의 모노에스테르가 아닌 다른 단량체의 부가 중합에 의해 제공되는 것과 등가인 임의의 반복 단위를 5 중량% 미만으로 포함하는, 말레산의 모노에스테르 반복 단위를 갖는 말레산 무수물 기재의 중합체를 포함한다.

용어 "말레산의 모노에스테르의 공중합체"는 말레산의 모노에스테르가 아닌 다른 단량체의 부가 중합에 의해 제공되는 것과 등가인 임의의 반복 단위를 5 중량% 이상으로 포함하는 말레산 무수물 중합체를 포함한다.

용어 "푸마르산의 모노에스테르의 단일중합체"는 푸마르산의 모노에스테르가 아닌 다른 단량체의 부가 중합에 의해 제공되는 것과 등가인 임의의 반복 단위를 5 중량% 미만으로 포함하는, 푸마르산의 모노에스테르 반복 단위를 갖는 말레산 무수물 기재의 중합체를 포함한다.

용어 "푸마르산의 모노에스테르의 공중합체"는 푸마르산의 모노에스테르가 아닌 다른 단량체의 부가 중합에 의해 제공되는 것과 등가인 임의의 반복 단위를 5 중량% 이상으로 포함하는 말레산 무수물 중합체를 포함한다.

바람직한 실시 형태에서, 말레산 무수물 기재의 중합체는 추가의 에틸렌계 불포화 단량체의 부가 중합에 의해 제공되는 것과 등가인 하나 이상의 반복 단위를 또한 포함할 수 있다. 예시적인 에틸렌계 불포화 단량체는 중합 동안, 하기에 설명되는 3가지의 상이한 배위의 순환 단위에 직접적으로 부착하게 되는 탄소 원자 상에 적어도 하나의 유리 수소를 갖는 것을 포함한다. 대표적인 유용한 단량체는 비닐 알킬 에테르, 스티렌, 비닐 아세테이트, 에틸렌, 프로필렌, 1,3-부타디엔, 및 아이소부틸렌을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 바람직하게는, 그러한 단량체는 하기에 논의되는 3가지의 배위의 순환 단위에 직접적으로 부착하게 되는 탄소에 부착된 2개의 수소를 갖는다. 그러나, 상기 수소 원자 중 하나 또는 둘 모두는 치환기로 대체될 경우, 상기 치환기는 바람직하게는 탄소 원자수가 10 이하이며, 더 바람직하게는 상기 치환기는 탄소 원자수가 6 이하이며, 더 바람직하게는 탄소 원자수가 3 이하여서, 상기 단량체에 의해 공중합체에 기여되는 친유성이 한정되게 된다. 다양한 치환기는 메틸, 에틸, 아이소프로필, 아세틸, 에테닐, 아세톡시, 메톡시, 에톡시 및 스티렌을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 하나 초과의 추가의 단량체는 공중합되어 공중합체 내로 혼입될 수 있다.

특히 유용한 단량체는 에틸렌, 1,3-부타디엔, 비닐 아세테이트, 스티렌, 비닐 메틸 에테르 및 비닐 에틸 에테르 또는 임의의 그의 조합을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 에틸렌, 1,3-부타디엔 및 비닐 아세테이트가 더 바람직하며, 에틸렌이 또한 바람직하다. 그와 같이, 예시적인 실시 형태에서, 추가로 바람직한 공중합체는 사실상 등몰 기준의 말레산 무수물 및 에틸렌 (약 40 몰% 내지 약 60 몰%의 말레산 무수물)으로부터 유도된다.

상기에 정의된 반복 단위는 도 2 - 도 6에 도시된 3가지의 상이한 배위로 존재할 수 있다. 도 2는 말레산 무수물 반복 단위에 상응한다. 도 3은 말레산 반복 단위에 상응한다. 도 4는 푸마르산 반복 단위에 상응한다. 도 5는 말레산의 모노에스테르 반복 단위에 상응한다. 도 6은 푸마르산의 모노에스테르 반복 단위에 상응한다.

각각의 도면은 특정 반복 단위에 상응하는 3가지의 배위를 도시한다.

배위 1은, 2개의 카르보닐기에 결합된 2개의 탄소 (알파 탄소) 중 어느 것도 말레산 무수물 기재의 중합체의 골격의 일부분이 아니며, 상기 2개의 탄소 중 하나는 말레산 무수물 기재의 중합체의 골격 내의 탄소에 대하여 펜던트임을 의미한다.

배위 2는, 2개의 카르보닐기에 결합된 2개의 탄소 (알파 탄소) 둘 모두가 말레산 무수물 기재의 중합체의 골격의 일부분임을 의미한다.

배위 3은, 2개의 카르보닐기에 결합된 2개의 탄소 (알파 탄소) 중 하나만이 말레산 무수물 기재의 중합체의 골격의 일부분임을 의미한다.

본 발명의 말레산 무수물 기재의 중합체는 3가지의 배위 중 적어도 하나를 갖는다.

도 2 - 도 6의 구조에서,

R₃₁, R₃₂ 및 R₃₃은 동일하거나 상이한 기로서, 수소 또는 탄소 원자수 1 내지 약 5의 알킬일 수 있다. 바람직하게는, R₃₁, R₃₂ 및 R₃₃은 개별적으로 수소 또는 메틸이며;

R₄₁, R₄₂ 및 R₄₃은 동일하거나 상이한 기로서, 수소 또는 탄소 원자수 1 내지 약 5의 알킬일 수 있다. 바람직하게는, R₄₁, R₄₂ 및 R₄₃은 개별적으로 수소 또는 메틸이며;

R₅₀은 임의의 유기 작용기일 수 있다. 예를 들어, 이것은 1 내지 약 20개의 탄소 원자를 포함하는 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼, 및 각각의 옥시알킬렌기 내에 약 2 내지 약 4개의 탄소 원자를 포함하며 1 내지 약 20개의 반복 단위, 바람직하게는 1 내지 약 6개의 반복 단위의 것일 수 있는 그러한 라디칼의 옥시알킬화 유도체일 수 있다. 몇몇 실시 형태에서, R₅₀은 하나 이상의 불포화 부분 및/또는 하나 이상의 헤테로원자 부분을 포함할 수 있다. 또한, R₅₀은 유기물이 아닌 기타 작은 분자, 예를 들어, 무수물이 형성될 경우 염을 형성할 수 있는 알칼리 분자일 수 있다. 그러한 알칼리 분자는 Li, Na, K 및 NH₄ ⁺를 포함한다. 그러한 염은 카르복실레이트 음이온을 포함하는 양이온, 예를 들어, -COONa⁺, -COOLi⁺, COOK⁺, 및 COONH₄ ⁺로서 존재할 수 있다.

바람직한 실시 형태에서, 말레산 무수물 기재의 중합체는 스티렌 또는 스티렌 유도체로부터 유도되는 것과 등가인 반복 단위, 예를 들어, 스티렌-말레산 무수물 중합체를 포함한다. 용어 "스티렌-말레산 무수물 중합체"는 스티렌 및 스티렌 유도체 중 하나의 부가 중합에 의해 제공되는 것과 등가인 적어도 하나의 반복 단위를 추가로 포함하는 말레산 무수물 기재의 중합체를 포함한다. 바람직한 실시 형태에서, 스티렌 유도체는 스티렌 알킬 유도체, 예를 들어 알파-메틸 스티렌 또는 4-메틸 스티렌이다.

바람직하게는, 스티렌-말레산 무수물 중합체는 스티렌 및 말레산 무수물의 모노에스테르 공중합체이다.

스티렌 및 말레산 무수물의 적합한 모노에스테르 공중합체는 하기 화학식 I로 나타내어지는 공중합체를 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다:

여기서, x 및 z는 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, . . . 20, . . . 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100 등과 같은 임의의 양의 정수이며, y는 0, 또는 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100 등과 같은 임의의 양의 정수이다. 그러한 공중합체는 블록 공중합체, 교호 공중합체, 또는 랜덤 공중합체일 수 있다.

이 화학식에서, R₂₁ 및 R₂₂는 동일하거나 상이할 수 있으며, 개별적으로 수소, 탄소 원자수 1 내지 10의 알킬, 아릴, 아르알킬, 사이클로알킬, 및 할로겐 (예를 들어, 염소, 불소 또는 브롬)이되, 단, R₂₁ 및 R₂₂ 중 하나는 페닐 또는 치환 페닐기와 같은 방향족 기이다. 바람직하게는, R₂₁ 및 R₂₂는 개별적으로 수소, 메틸, 페닐, 벤질, 또는 탄소 원자수 4 내지 6의 사이클로알킬이다.

R₃₁ 및 R₃₂와 R₄₁ 및 R₄₂는 동일하거나 상이한 기로서, 수소 또는 탄소 원자수 1 내지 약 5의 알킬일 수 있다. 바람직하게는, R₃₁ 및 R₃₂와, R₄₁ 및 R₄₂는 개별적으로 수소 또는 메틸이다.

R₅₀은 임의의 유기 작용기일 수 있다. 예를 들어, 이것은 1 내지 약 20개의 탄소 원자를 포함하는 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼, 및 각각의 옥시알킬렌기 내에 약 2 내지 약 4개의 탄소 원자를 포함하며 1 내지 약 20개의 반복 단위, 바람직하게는 1 내지 약 6개의 반복 단위의 것일 수 있는 그러한 라디칼의 옥시알킬화 유도체일 수 있다. 몇몇 실시 형태에서, R₅₀은 하나 이상의 불포화 부분 및/또는 하나 이상의 헤테로원자 부분을 포함할 수 있다. 또한, R₅₀은 유기물이 아닌 기타 작은 분자, 예를 들어, 무수물이 형성될 경우 염을 형성할 수 있는 알칼리 분자일 수 있다. 그러한 알칼리 분자는 Li, Na, K 및 NH₄ ⁺를 포함한다_.

당해 모노에스테르 공중합체는 반복 단위의 3개의 블록을 포함하는 블록 공중합체로서 예시되지만, 모노에스테르 공중합체는 블록 공중합체일 필요는 없다. 예를 들어, 3개의 반복 단위는 중합체 쇄의 골격 전체에 걸쳐 랜덤하게 분포될 수 있다. 또한, 이것은 교호 공중합체일 수 있다.

용어 "모노에스테르"의 사용은 다이에스테르 작용체 및/또는 말레산 무수물 작용체의 존재를 배제하지 않는다. 몇몇 실시 형태에서, 적합한 공중합체는 스티렌 및 말레산 무수물의 모노에스테르 공중합체와, 스티렌 및 말레산 무수물의 다이에스테르 공중합체의 혼합물일 수 있다. 용어 "스티렌 및 말레산 무수물의 공중합체" 또는 "스티렌 및 말레산 무수물 공중합체"는 스티렌 또는 그 유도체를 말레산 무수물 또는 그 유도체와 공중합함으로써 얻어지는 공중합체 부류를 말한다. 따라서, 상기 용어는 스티렌 및 말레산 무수물로부터 얻어지는 공중합체뿐만 아니라 스티렌 및 말레산 무수물 공중합체 패밀리의 유도체도 말한다.

일반적으로, 스티렌 및 말레산 무수물의 모노에스테르 공중합체는, 그의 분자량에 따라 광열 변환층 내로의 분산에 적합한 과립, 펠렛 또는 분말과 같은 자유 유동 고체 또는 액체일 수 있다. 이들 모노에스테르 공중합체는 그의 수평균 분자량(M_n), 그의 중량 평균 분자량(M_w), 그의 산가(acid number), 및 그의 유리 전이 온도(T_g)에 의해 특성화된다. 구체적으로, 상기 모노에스테르 공중합체는 약 500 내지 약 20,000, 바람직하게는 약 1,000 내지 약 10,000, 더 바람직하게는 약 2,000 내지 약 7,000, 그리고 바람직하게는 약 6,200의 수평균 분자량을 그 특징으로 한다. 본 발명의 모노에스테르 공중합체는 또한 약 1,000 내지 30,000, 바람직하게는 약 5,000 내지 약 20,000, 그리고 더 바람직하게는 약 15,000의 중량 평균 분자량을 그 특징으로 한다. 모노에스테르는 또한 약 30℃ 내지 약 150℃, 바람직하게는 약 40℃ 내지 약 150℃, 그리고 더 바람직하게는 약 150℃의 유리 전이 온도를 갖는다.

적합한 모노에스테르 공중합체는 적합한 알코올을 스티렌 말레산 무수물 공중합체(styrene maleic anhydride copolymer)("SMA 공중합체")와 반응시킴으로써 얻어질 수 있다. 또한, 상기 공중합체는 추가의 반응 없이 적절한 단량체들의 공중합에 의해 제조될 수 있다. 임의의 SMA 공중합체를 알코올과의 반응에 사용할 수 있다.

SMA 공중합체와 반응하여 에스테르 작용체를 형성할 수 있는 알코올 화합물은 헥산올, 아이소헥산올, 2-에틸헥산올, t-옥탄올, 아이소옥탄올, 데칸올, 옥타데 칸올 (라우릴 알코올), 테트라데실 알코올, 세틸 알코올, 올레일 알코올, 스테아릴 알코올, 및 노닐벤질 알코올을 포함하지만 이에 한정되는 것은 아닌 C₆ 또는 그 이상의 1차, 2차 및 3차 알코올과, 그러한 알코올의 옥시알킬렌 유도체 - 여기서, 적어도 1,2-알킬렌 옥사이드, 예를 들어 에틸렌 옥사이드, 1,2-프로필렌 옥사이드, 및 1,2-부틸렌 옥사이드가 알코올과 축합됨 - 를 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 더욱이, 불포화 부분 및/또는 헤테로원자 부분을 포함하는 알코올도 SMA 공중합체의 에스테르화를 위하여 사용될 수 있다. 스티렌 및 말레산 무수물의 적합한 모노에스테르 공중합체와 관련한 상기 설명은 단지 예시적인 것임을 이해하여야 한다. 염기, 예를 들어 NaOH, LiOH, KOH 및 NH₄OH도 사용될 수 있다.

SMA의 모노에스테르 공중합체는 당업계에서 스티렌 말레산 무수물 공중합체 및 지방 알코올의 부분 모노에스테르 ("MSMA") - 이는 MSMA 및 MSMA의 유도체 (예를 들어, 설포네이트화(sulfonated) MSMA의 나트륨염)를 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아님 - 로 지칭되는 것을 포함한다. 그러한 화합물은 전형적으로 수지 형태로 입수가능하며, 본 발명의 실시 형태에서 수성 유체 형태의 다른 성분들과의 직접적 조합에 의해, 또는 수성계 용매 중에 사전 용해시킴에 의해 이용될 수 있다.

적합한 MSMA 기재의 화합물 중에는 스티렌 말레산 무수물 공중합체로부터 형성되는 화합물이 있다. 몇몇 실시 형태에서, m (스티렌 반복 단위)은 약 1 내지 약 3의 범위이며; n (공중합체 반복 단위)은 약 6 내지 약 8의 범위이다. m 및 n 의 값은 이들 범위를 벗어나 다양할 수 있음을 이해하여야 한다.

적합한 MSMA 화합물은 하기와 같이 하나 이상의 지방 알코올을 이용한 스티렌 말레산 무수물 공중합체의 에스테르화에 의해 형성되는 것들을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다:

여기서, m 및 n은 상기에 정의되어 있다. 몇몇 실시 형태에서, ROH (이는 에스테르화를 위한 알코올임)는 지방 알코올을 나타내는데, 여기서, R은 포화 또는 불포화될 수 있고 약 8 내지 약 20개의 탄소 원자, 약 10 내지 약 25개의 탄소 원자, 또는 약 6 내지 약 38개의 탄소 원자를 가질 수 있는 분지쇄형 또는 직쇄형 탄 소쇄로서, 상기 분지쇄 알코올은 적어도 하나의 카르복실 작용체를 포함할 수 있다. 그러한 MSMA 화합물의 에스테르화 정도는 상대적으로 적은 에스테르화로부터 거의 완전한 에스테르화까지, 예를 들어 약 15%로부터 약 90%까지, 그리고 더 바람직하게는 약 35%로부터 약 90%까지 다양할 수 있다.

MSMA 에스테르화를 위한 지방 알코올의 구체예에는 지글러(Ziegler), 변경된 지글러, 이데미츠 및 옥소(Idemitsu and Oxo) (문헌[Ullmann's Encyclopedia of Industrial Chemistry, 5^th Ed, Vol. A1; pages 290-293] 참조) 공정, 나트륨을 사용한 식물유 및 지방산의 환원, 상승된 온도 및 압력에서의 촉매적 수소화, 및 비누화 및 진공 분별 증류에 의한 경랍(spermacetia) 및 향유고래 기름(sperm oil)의 가수분해에 의해 생성되는 것을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 포화 지방 알코올의 구체예에는 옥틸, 데실, 라우릴, 미리스틸, 세틸 및 스테아릴 알코올 등이 포함되지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 불포화 지방 알코올의 구체예에는 올레일 알코올, 리놀레일 알코올, 리놀레닐 알코올 등이 포함되지만, 이에 한정되는 것은 아니다.

상기에 기재된 몇몇 MSMA 화합물이 1작용성 알코올로부터 형성되지만, 다작용성 지방 알코올 (2작용성, 3작용성, 분지형 등)로부터 형성되는 MSMA 화합물도 가능하다는 것을 이해하여야 한다. 본 발명의 MSMA 화합물에서 사용하기에 적합한 분지쇄 알코올은 카르복실 작용체를 갖는 분지쇄 알코올을 포함하고자 하지만, 이로 한정하고자 하는 것은 아니다. 스티렌 말레산 무수물과, 지방 알코올 이외의 알코올의 부분 에스테르를 사용하는 것이 또한 가능하다. 게다가, 하나 이상의 카르복실 작용체가 형성된 다른 유기 탄소쇄를 포함하는 스티렌 말레산 무수물의 부분 에스테르가 형성될 수 있다.

MSMA 화합물의 유도체가 MSMA 화합물 외에 또는 그 대신에 또한 이용될 수 있다. 그러한 MSMA 유도체의 예에는 치환되거나 부분적으로 치환된 아릴기를 갖는 MSMA 화합물을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시 형태에서, 하기 화학식 III의 구조로 형성된 설포네이트화 MSMA 유도체가 사용된다:

여기서, m, n, 및 R은 MSMA 화합물에 대하여 상기에 정의되어 있다.

유도체화 및 치환 반응은 단지 하나의 배위, 즉, 골격의 2개의 탄소 원자가 사용되는 배위에 대하여, 그리고 스티렌-말레산 무수물 중합체에 대하여 나타내어짐을 알아야 한다. 그러나, 반응 도식은 또한 다른 배위에 그리고 다른 말레산 무수물 기재의 중합체에 대해 적용된다.

도 7에는 치환, 이미드화, 및 중화와 같이, 스티렌 말레산 무수물 기재의 중합체가 겪을 수도 있는 예시적인 반응이 도시되어 있다.

광열 변환층 또는 그의 전구체는, 예를 들어 바아 코팅(bar coating), 그라 비어 롤 코팅, 압출 코팅, 증착, 라미네이션, 역 롤 코팅, 침지 코팅, 비드 코팅, 슬롯 코팅, 정전 스프레이 코팅 및 기타 그러한 기술과 같은 임의의 적합한 물질 코팅 기술에 의해 적용될 수 있다.

LTHC층 중의 광 흡수제 물질

광열 변환층에 적합한 광 흡수 물질은, 예를 들어 염료 (예를 들어, 가시 염료, 자외 염료, 근적외 염료를 비롯한 적외 염료, 형광 염료, 및 방사-편광(radiation-polarizing) 염료), 안료, 금속, 금속 화합물, 금속 필름, 및 기타 적합한 흡수 물질을 포함할 수 있다.

광열 변환층에서 광 흡수제로서 사용하기에 적합한 염료는, 안료에서와 같이 실질적으로 전적으로 (>80%) 미립자 형태로 존재한다기보다는 오히려, 적어도 부분적으로 (>5%) 용해된 형태로, 또는 적어도 부분적으로 분산된 형태로 존재할 수 있다. 일 실시 형태에서, 이미지 형성 파장에서 흡광도에 가장 책임이 있는 광 흡수제는 광열 변환층에 완전히 또는 부분적으로 (>5%) 용해된 염료이다. 일 실시 형태에서, 이미지 형성 파장에서 흡광도에 가장 책임이 있는 광 흡수제는, 도너 요소 구성에 적용될 때 제형에 실질적으로 용해되고 (>80%), 이후에 부분적으로 분산되게 된다.

광열 변환층에서 광 흡수제로서 적합한 염료 및 안료의 예에는 다중치환된 프탈로시아닌 화합물 및 금속 함유 프탈로시아닌 화합물; 금속 착물 화합물, 벤즈옥사졸 화합물, 벤즈[e,f, 또는 g]인돌륨 화합물, 인도시아닌 화합물, 시아닌 화합물; 스쿠아릴륨 화합물; 칼코게노피릴로아크릴리덴 화합물; 크로코늄 및 크로코네 이트 화합물; 금속 티올레이트 화합물; 비스(칼코게노피릴로) 폴리메틴 화합물; 옥시인돌리진 화합물; 인돌리진 화합물; 피릴륨 및 금속 다이티올렌 화합물, 비스(아미노아릴) 폴리메틴 화합물; 메로시아닌 화합물; 티아진 화합물; 아줄레늄 화합물; 잔텐 화합물; 및 퀴노이드 화합물이 포함된다. 또한, 하기 참고 문헌에 개시된 광 흡수 물질이 적절한 광원과 함께 사용될 때 본 발명에서 적합하며, 이는 참고로 포함된다:

(1) 미국 특허 제5,108,873호, "IR선 흡수성 화합물 및 그의 사용에 의한 광학 기록 매체(IR-ray absorptive compound and optical recording medium by use thereof)";

(2) 미국 특허 제5,036,040호, "레이저-유도된 열적 염료 전사에 사용되는 염료-도너 요소용의 적외선 흡수 니켈-다이티올렌 염료 착물(Infrared absorbing nickel-dithiolene dye complexes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer)";

(3) 미국 특허 제5,035,977호, "레이저-유도된 열적 염료 전사에 사용되는 염료-도너 요소용의 적외선 흡수 옥소놀 염료(Infrared absorbing oxonol dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer)";

(4) 미국 특허 제5,034,303호, "레이저-유도된 열적 염료 전사에 사용되는 염료-도너 요소용의 적외선 흡수 3핵 시아닌 염료(Infrared absorbing trinuclear cyanine dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer)";

(5) 미국 특허 제5,024,923호, "적외선 흡수 조성물(Infrared absorbent compositions)";

(6) 미국 특허 제5,019,549호, "적외선 흡수 스쿠아릴륨 화합물을 포함하는 열적 이미지 형성용 도너 요소(Donor element for thermal imaging containing infra-red absorbing squarylium compound)";

(7) 미국 특허 제5,019,480호, "레이저-유도된 열적 염료 전사에 사용되는 염료-도너 요소용의 적외선 흡수 인덴-가교된-폴리메틴 염료(Infrared absorbing indene-bridged-polymethine dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer)";

(8) 미국 특허 제4,973,572호, "레이저-유도된 열적 염료 전사에 사용되는 염료-도너 요소용의 적외선 흡수 시아닌 염료(Infrared absorbing cyanine dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer)";

(9) 미국 특허 제4,952,552호, "레이저-유도된 열적 염료 전사에 사용되는 염료-도너 요소용의 적외선 흡수 퀴노이드 염료(Infrared absorbing quinoid dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer)";

(10) 미국 특허 제4,950,640호, "레이저-유도된 열적 염료 전사에 사용되는 염료-도너 요소용의 적외선 흡수 메로시아닌 염료(Infrared absorbing merocyanine dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer)";

(11) 미국 특허 제4,950,639호, "레이저-유도된 열적 염료 전사에 사용되는 염료-도너 요소용의 적외선 흡수 비스(아미노아릴)폴리메틴 염료(Infrared absorbing bis(aminoaryl)polymethine dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer)";

(12) 미국 특허 제4,948,778호, "레이저-유도된 열적 염료 전사에 사용되는 염료-도너 요소용의 적외선 흡수 옥시인돌리진 염료(Infrared absorbing oxyindolizine dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer)";

(13) 미국 특허 제4,948,777호, "레이저-유도된 열적 염료 전사에 사용되는 염료-도너 요소용의 적외선 흡수 비스(칼코게노피릴로)폴리메틴 염료(Infrared absorbing bis(chalcogenopyrylo)polymethine dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer)";

(14) 미국 특허 제4,948,776호, "레이저-유도된 열적 염료 전사에 사용되는 염료-도너 요소용의 적외선 흡수 칼코게노피릴로-아릴리덴 염료(Infrared absorbing chalcogenopyrylo-arylidene dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer)";

(15) 미국 특허 제4,942,141호, "레이저-유도된 열적 염료 전사에 사용되는 염료-도너 요소용의 적외선 흡수 스쿠아릴륨 염료(Infrared absorbing squarylium dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer)";

(16) 미국 특허 제4,923,638호, "근적외선 흡수 조성물(Near infrared absorbing composition)";

(17) 미국 특허 제4,921,317호, "2개의 티올라토 두자리 리간드를 포함하는 금속 착물 화합물을 포함하는 적외선 흡수제(Infrared absorbent comprising a metal complex compound containing two thiolato bidentate ligands)";

(18) 미국 특허 제4,913,846호, "적외선 흡수 조성물(Infrared absorbing composition)";

(19) 미국 특허 제4,912,083호, "레이저-유도된 열적 염료 전사에 사용되는 염료-도너 요소용의 적외선 흡수 철 착물(Infrared absorbing ferrous complexes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer)";

(20) 미국 특허 제4,892,584호, "수용성의 적외선 흡수 염료 및 그를 포함하는 잉크젯 잉크(Water soluble infrared absorbing dyes and ink-jet inks containing them)";

(21) 미국 특허 제4,791,023호, "적외선 흡수제 및 그를 사용한 광학 재료(Infrared absorbent and optical material using the same)";

(22) 미국 특허 제4,788,128호, "열전사 염료 및 프탈로시아닌 적외 방사선 흡수제를 포함하는 전사 인쇄 매체(Transfer Printing Medium with Thermal Transfer Dye and Infra-Red Radiation Phthalocyanine Absorber)";

(23) 미국 특허 제4,767,571호, "적외선 흡수제(Infrared absorbent)";

(24) 미국 특허 제4,675,357호, "근적외선 흡수성 중합생성물(Near infrared absorbing polymerizate)";

(25) 미국 특허 제4,508,811호, "피릴륨 또는 티오피릴륨-스쿠아릴륨 염료층을 갖는 기록 요소 및 새로운 피릴륨 또는 티오피릴륨-스쿠아릴륨 화합 물(Recording element having a pyrylium or thiopyrylium-squarylium dye layer and new pyrylium or thiopyrylium-squarylium compounds)";

(26) 미국 특허 제4,446,223호, "옥소인돌리진 및 옥소인돌리지늄 염료를 포함하는 기록 및 정보 기록 요소(Recording and information record elements comprising oxoindolizine and oxoindolizinium dyes)";

(27) 미국 특허 제4,315,983호, "2,6-다이-tert-부틸-4-치환 티오피릴륨염, 그의 제조 방법, 및 그를 함유하는 광전도성 조성물(2,6-Di-tert-butyl-4-substituted thiopyrylium salt, process for production of same, and a photoconductive composition containing same)"; 및

(28) 미국 특허 제3,495,987호, "광중합성 생성물(Photopolymerizable Products)".

적합한 적외선 흡수 염료 (근적외선, 중간 적외선 및 원적외선 흡수 염료 포함)의 공급처는 미국 플로리다주 주피터 소재의 에이치. 더블유. 샌즈 코포레이션(H. W. Sands Corporation)이다. 적합한 염료는, CAS 번호 [162411-28-1]를 가지며, 에이치. 더블유. 샌즈 코포레이션으로부터 SDA-4927로 입수가능한 2-(2-(2-클로로-3-(2-(1,3-다이하이드로-1,1-다이메틸-3-(4-설포부틸)-2H-벤즈[e]인돌-2-일리덴)에틸리덴)-1-사이클로헥센-1-일)에테닐)-1,1-다이메틸-3-(4-설포부틸)-1H-벤즈[e]인돌륨, 분자내 염, 유리 산; 분자식 C₄₁H₄₇N₄Na₁O₆S₃을 가지며, 분자량이 약 811 g/몰이고, 에이치. 더블유. 샌즈 코포레이션으로부터 SDA-5802로 입수가능한 2-[2-[2-(2-피리미디노티오)-3-[2-(1,3-다이하이드로-1,1-다이메틸-3-(4-설포부틸)-2H-벤즈[e]인돌-2-일리덴)]에틸리덴-1-사이클로펜텐-1-일]에테닐]-1,1-다이메틸-3-(4-설포부틸)-1H-벤즈[e]인돌륨, 분자내 염, 나트륨염; CAS 번호 [3599-32-4]를 가지며, 분자량이 약 775 g/몰이고, 에이치. 더블유. 샌즈 코포레이션으로부터 SDA-8662로 입수가능한 인도시아닌 그린, C₄₃H₄₇N₂Na₁O₆S₂; CAS 번호 [128433-68-1]를 가지며, 분자량이 약 619 g/몰이고, 미국 코네티컷주 스트래트퍼드 소재의 햄포드 리서치, 인크.(Hampford Research, Inc)로부터 또는 미국 노스캐롤라이나주 피스가 포리스트 소재의 피스가 래버러토리즈(Pisgah Laboratories)로부터 TIC-5C로서 입수가능한 3H-인돌륨, 2-[2-[2-클로로-3-[(1,3-다이하이드로-1,3,3-트라이메틸-2H-인돌-2-일리덴)에틸리덴]-1-사이클로펜텐-1-일]에테닐]-1,3,3-트라이메틸-, 트라이플루오로메탄설폰산과의 염(1:1)을 포함한다. 다른 그러한 염료의 예를 문헌[Matsuoka, M., Infrared Absorbing Materials, Plenum Press, New York, 1990] 및 문헌[Matsuoka, M., Absorption Spectra of Dyes for Diode Lasers, Bunshin Publishing Co., Tokyo, 1990]에서 찾아볼 수 있다. 미국 뉴저지주 웨인 소재의 아메리칸 사이나미드 컴퍼니(American Cyanamid Co.); 미국 뉴저지주 웨스트 패터슨 소재의 사이텍 인더스트리즈(Cytec Industries) 또는 미국 플로리다주 레이크랜드 소재의 글렌데일 프로텍티브 테크놀로지스, 인크.(Glendale Protective Technologies, Inc.)에 의해 상표명 사이아소브(CYASORB IR-99) (CAS 번호 [67255-33-8]), IR-126 (CAS 번호 [85496-34-0]) 및 IR-165 (N,N'-2,5-사이클로헥사다이엔 -1,4-다이일리덴비스[4-(다이부틸아미노)-N-[4-(다이부틸아미노)페닐]벤젠아미늄 비스[(OC-6-11)-헥사플루오로안티모네이트(1-)], CAS 번호 [5496-71-9])로 시판되는 IR 흡수제가 사용될 수도 있다.

광열 변환층의 특정 결합제 및/또는 코팅 용매에서의 용해도 및 그와의 양립가능성과, 광열 변환층에 있어서 필요한, 요망되는, 요망되지 않는, 그리고 금지된 흡수 파장 범위와 같은 요인에 기초하여 특정 염료가 선택될 수 있다.

안료 물질이 광 흡수제로서 광열 변환층에서 또한 사용될 수도 있다. 적합한 안료의 예에는 카본 블랙 및 흑연과, 프탈로시아닌, 니켈 다이티올렌 및 기타 안료가 포함된다. 게다가, 예를 들어, 피라졸론 옐로우, 다이아니시딘 레드, 및 니켈 아조 옐로우의, 구리 또는 크롬 착물을 기재로 하는 블랙 아조 안료가 유용하다. 무기 안료도 유익하다. 예에는 알루미늄, 비스무트, 주석, 인듐, 아연, 티타늄, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐, 코발트, 이리듐, 니켈, 팔라듐, 백금, 구리, 은, 금, 지르코늄, 철, 납 또는 텔루륨과 같은 금속의 산화물 및 황화물이 포함된다. 금속 붕화물, 탄화물, 질화물, 탄질화물, 청동-구조화 산화물(bronze-structured oxides), 및 청동 패밀리와 구조적으로 관련된 산화물도 유용하다.

다른 적합한 광열 전환층은 박막으로서 형성된 금속 또는 금속/금속 산화물, 예를 들어 블랙 알루미늄 (즉, 흑색의 시각적 외양을 갖는 부분적으로 산화된 알루미늄) 또는 크롬을 포함한다. 금속성 및 금속 화합물 필름은 예를 들어 스퍼터링 및 증착(evaporative deposition)과 같은 기술에 의해 형성될 수 있다. 미립자형 코팅은 결합제 및 임의의 적합한 건식 또는 습식 코팅 기술을 이용하여 형성시킬 수도 있다.

광열 변환층에 적합한 재료는 무기 또는 유기 물질일 수 있으며, 이는 근본적으로 이미지 형성 광을 흡수하거나 필름 형성 또는 부착성 변경과 같은 다른 목적에 알맞을 수 있다.

관심 대상인 파장에서 미미한 광열 변환제인, 그러나 다른 기능을 돕는 적합한 광열 변환층의 성분의 예는 전형적인 결합제, 중합체, 및 코팅 조제, 예를 들어 계면활성제와, 이미지 형성 광 파장에서 무의미한 흡광도를 갖는 안료 및 염료와 같은 부(minor) 광 흡수제를 포함한다.

광열 변환층에서 사용하기에 적합한 결합제는, 필름 형성 중합체, 예를 들어 페놀계 수지 (즉, 노볼락(Novolak)™ 및 레졸 수지), 폴리비닐 부티랄 수지, 폴리비닐아세테이트, 폴리비닐 아세탈, 폴리비닐리덴 클로라이드, 폴리아크릴레이트, 셀룰로오스 에테르 및 에스테르, 니트로셀룰로오스, 폴리에스테르, 설포폴리에스테르, 폴리스티렌 및 폴리카르보네이트를 포함한다. 바람직한 결합제는, 이스텍(Eastek) 1200으로도 공지된 폴리에스테르 설포네이트이다. 결합제가 존재할 때, 광열 변환제 대 결합제의 비는 일반적으로 어떤 유형의 광열 변환제 및 결합제가 사용되는지에 따라 중량 기준으로 약 5:1 내지 1:1000의 범위일 수 있다. 통상적인 코팅 조제, 예를 들어 계면활성제 및 분산제가 코팅 공정을 돕기 위하여 첨가될 수 있다. 광열 변환층은 당업계에 공지된 다양한 코팅 방법을 사용하여 지지층 상에 코팅될 수 있다. 결합제-함유 광열 변환층은 전형적으로 약 10 ㎚ 내지 약 5000 ㎚, 예를 들어 10 ㎚, 100 ㎚, 300 ㎚, 1000 ㎚, 또는 5000 ㎚의 두께로 코팅 된다.

단일한 광열 변환층을 갖는 것이 전형적이지만, 하나 초과의 광열 변환층을 갖는 것이 또한 가능하며, 상이한 층들은 이들 모두가 본 명세서에 개시된 바와 같이 기능하는 한, 동일하거나 상이한 조성을 가질 수 있다. 중요한 주 광열 변환층은 광열 변환의 결과로서 이미지 형성에 가장 유의하게 기여하는 것, 전형적으로는 이미지 형성 동안 가장 높은 온도를 달성하는 층이다. 다른 층들은 원래의 이미지 형성 빔 강도의 약간의 작은 흡광을 가질 수 있지만, 이미지 형성 현상에 대한 미미하거나 무시할 수 있는 이들 층에 의한 흡광 기여는, 상기 층들이 좀처럼 광열 변환층으로 간주되지 않음을 의미한다.

바람직하게는, 스티렌 및 말레산 무수물을 기재로 하는 공중합체는 주 광열 변환층에 위치한다. 또한, 상기 공중합체는 이미지 형성 동안 전사에 대한 영향에 따라 다양한 정도의 농도로 여러 광열 변환층에 분산될 수 있다.

일 실시 형태에서, 도너 요소는 카본 블랙과 같은 적어도 하나의 미립자형 광 흡수제를 갖는 광열 변환층을 갖는다.

일 실시 형태에서, 도너 요소는 염료와 같은 적어도 하나의 비-미립자형 광 흡수제를 갖는 광열 변환층을 포함한다. 용해된 광 흡수제의 이득은, 입자 응집이 없는 균질한 층이 형성될 수 있어서, 매우 얇은 층이 광을 균일하게 흡수하게 된다는 것이다. 용해된 광 흡수제의 다른 이득은, 광 산란이 더 적다는 것이다. 용해된 광 흡수제에는 동일한 광 흡수제의 비용해된 형태가 수반되는 것이 가능하다. 일 실시 형태에서, 용해된 (비-미립자) 형태의 광 흡수제는 질량 기준으로 이 흡수 제의 대부분을 구성한다.

일 실시 형태에서, 도너 요소는 적외선 염료와 같은 적어도 하나의 스펙트럼-선택적 비-미립자형 광 흡수제를 갖는 광열 변환층을 포함한다. 스펙트럼-선택적 광 흡수제의 이득은, 흡수 스펙트럼이 이미지 형성 광원에서의 유용성에 대하여 선택될 수 있으며, 투과 스펙트럼은 초점 레이저에서의 또는 인간 또는 기계에 의한 검사 절차에서의 유용성에 대하여 선택될 수 있다는 것이다.

전사층

도 1의 전사층(130)은 전사가능한 물질을 보유하는 역할을 한다. 전형적인 도너 요소에서, 적어도 하나의 전사층이 존재한다. 전사층은 제1 면 및 제2 면을 갖는다. 상기 전사층의 제2 면은 광에 의한 이미지 방식 전사(image-wise transfer)를 위한 이미지화 조립체의 리시버 요소에 인접하여 두어진다. 전사층은 선택적으로 전사될 수 있는 결합제를 포함하거나 포함하지 않는, 하나 이상의 층으로 배치된 임의의 적합한 물질 또는 물질들을 포함할 수 있다. 전사는 임의의 적합한 전사 메카니즘에 의해 한번에, 일부씩, 또는 부분적으로 일어날 수 있다. 전사는, 도너 요소가 광열 변환층에 의해 흡수될 수 있는 이미지 형성 광에 노출되고 전자기 광 에너지가 열로 변환될 때 일어난다. 이미지 방식 전사에서, 전사되는 물질은 전사층 전체 물질일 필요는 없다. 단일 부분에서의 전사층의 성분들이 리시버 요소에 선택적으로 전사될 수 있는 반면, 다른 성분은 도너 요소에 의해 보유된다 (예를 들어, 승화가능한 염료는 전사될 수 있는 반면, 이 염료를 보유하고 있는 내열성의 가교결합된 중합체 매트릭스는 전사되지 않은 채 남아있을 수 있다).

전사층은 리시버 요소로의 전사를 위한 기능을 다하는 것으로 유지되고 리시버 요소 또는 도너 요소에 대한 필요한 기능을 충족시키기 위한 임의의 두께의 것일 수 있다. 전사층의 전형적인 두께는 약 0.1 ㎛ 내지 약 20 ㎛; 예를 들어 0.2, 0.5, 0.8, 1, 2, 4, 6, 8, 10, 15, 또는 20 ㎛일 수 있다.

전사층은 유기, 무기, 유기금속 또는 중합체 물질을 포함하는 다수의 성분을 포함할 수도 있다. 전사층으로서 및/또는 전사층에 혼입되는 물질로서 도너 요소로부터 선택적으로 패턴화될 수 있는 물질의 예에는 착색제 (예를 들어, 결합제 중에 분산된 안료 및/또는 염료), 편광기, 액정 재료, 입자 (예를 들어, 액정 디스플레이용 스페이서, 자성 입자, 절연 입자, 전도성 입자), 발광 물질 (예를 들어, 형광체 및/또는 유기 전기발광 물질), 발광 소자 (예를 들어, 전기발광 소자) 내로 혼입될 수도 있는 비-발광 물질, 소수성 물질 (예를 들어, 잉크젯 수용체용 파티션 뱅크(partition bank)), 친수성 물질, 다층 적층체 (예를 들어, 유기 전기발광 소자와 같은 다층 소자 구성), 미세구조화된 또는 나노구조화된 층, 에치-레지스트(etch-resist), 금속, 금속 성분을 갖는 물질, 중합체, 접착제, 결합제, 및 생체 재료와, 기타 적합한 물질 또는 그러한 물질들의 조합이 포함된다.

전사층은 광열 변환층의 제2 면 상에, 또는 광열 변환층에 인접한 기타 적합한 도너 요소 층 상에 코팅될 수 있다. 전사층 또는 그의 전구체는, 예를 들어, 바아 코팅, 그라비어 코팅, 압출 코팅, 증착, 라미네이션 및 기타 그러한 기술과 같은 임의의 적합한 물질 코팅 기술에 의해 도포될 수 있다. 코팅 이전에, 코팅 이후에, 또는 코팅과 동시에, 가교결합성 전사층 물질 또는 그의 부분은, 이 물질 에 따라 예를 들어 가열, 방사선에의 노출, 및/또는 화학적 경화제에의 노출에 의해 가교결합될 수도 있다.

일 실시 형태에서, 전사층은 디스플레이 응용에서 유용한 물질을 포함한다. 본 발명에 따른 열전사는 포토리소그래피 기반의 패턴화 기술보다 더 적은 처리 단계를 이용하여 높은 정밀도 및 정확도로 리시버 요소 상에 하나 이상의 물질을 패턴화하기 위하여 실시될 수 있으며, 따라서 디스플레이 제조와 같은 응용에서 특히 유용할 수 있다. 예를 들어, 전사층은, 수용체로의 열전사시에, 전사된 물질이 컬러 필터, 블랙 매트릭스, 스페이서, 장벽, 파티션, 편광기, 지연층, 파장판(wave plate), 유기 도체 또는 반도체, 무기 도체 또는 반도체, 유기 전기발광 층, 형광체 층, 유기 전기발광 소자, 유기 트랜지스터, 및 단독으로, 또는 유사한 방식으로 패턴화될 수도 있고 패턴화되지 않을 수도 있는 다른 요소와 조합되어 디스플레이에서 유용할 수 있는 기타 그러한 요소, 소자 또는 그의 부분을 형성하도록 제조될 수 있다.

특정 실시 형태에서, 전사층은 착색제를 포함할 수 있다. 예를 들어, 안료 또는 염료가 착색제로서 사용될 수도 있다. 일 실시 형태에서, 문헌[NPIRI Raw Materials Data Handbook, Volume 4 ( Pigments )]에 개시된 것과 같이 우수한 색 영속성 및 투명도를 갖는 안료가 사용된다. 적합한 투시성 착색제의 예에는 시바 가이기(Ciba-Geigy)의 크로모프탈 레드(Cromophtal Red) A2B(등록상표), 다이니치-세이카(Dainich-Seika)의 ECY-204(등록상표), 제네카(Zeneca)의 모나스트랄 그린(Monastral Green) 6Y-CL(등록상표), 및 바스프(BASF)의 헬리오겐 블루(Heliogen Blue) L6700(등록상표)이 포함된다. 다른 적합한 투시성 착색제에는 선(Sun)의 RS 마젠타(Magenta) 234-007(등록상표), 훽스트(Hoechst)의 GS 옐로우(Yellow) GG 11-1200(등록상표), 선의 GS 시안(Cyan) 249-0592(등록상표), 선의 RS 시안 248-061, 시바-가이기의 BS 마젠타 RT- 333D(등록상표), 시바-가이기의 마이크로리쓰 옐로우(Microlith Yellow) 3G-WA(등록상표), 시바-가이기의 마이크로리쓰 옐로우 2R- WA(등록상표), 시바-가이기의 마이크로리쓰 블루(Blue) YG-WA(등록상표), 시바-가이기의 마이크로리쓰 블랙(Black) C-WA(등록상표), 시바-가이기의 마이크로리쓰 바이올렛(Violet) RL-WA(등록상표), 시바-가이기의 마이크로리쓰 레드(Red) RBS-WA(등록상표), 휴코테크(Heucotech)의 아퀴스(Aquis) II(등록상표) 시리즈들 중 임의의 것, 휴코스퍼스(Heucosperse)의 아퀴스 III 시리즈 중 임의의 것 등이 포함된다. 본 발명에서 착색제용으로 사용될 수 있는 다른 부류의 안료로는 시바-가이기로부터 입수가능한 것과 같은 다양한 잠재적 안료가 있다. 열 이미지 형성에 의한 착색제의 전사는 미국 특허 제5,521,035호; 미국 특허 제5,695,907호; 및 미국 특허 제5,863,860호에 개시되어 있으며, 이는 본 명세서에 참고로 포함된다.

몇몇 실시 형태에서, 전사층은 유기 전기발광 디스플레이 및 소자, 또는 형광체-기반의 디스플레이 및 소자와 같은 발광 디스플레이에 유용한 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전사층은, 가교결합된 발광 중합체 또는 가교결합된 전하 수송 물질뿐만 아니라, 가교결합되든지 아니든지 간에 기타 유기 전도성 또는 반전도성 물질을 포함할 수 있다. 중합체성인 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)에 있어서, 최종 OLED 소자의 안정성의 향상을 위하여 유기 층들 중 하나 이상을 가교결합시키는 것이 바람직할 수도 있다. 열전사 이전에 OLED 소자용의 하나 이상의 유기 층들을 가교결합시키는 것이 또한 요구될 수도 있다. 전사 이전의 가교결합은 보다 안정한 도너 매체, 보다 우수한 전사에 이를 수 있는 필름 형태에 대한 보다 우수한 제어 및/또는 OLED 소자에서의 보다 우수한 성능 특성을 제공하고/하거나, 그 소자 층(들)에서의 가교결합이 열전사 이전에 실시될 때 더욱 용이하게 제조될 수 있는 OLED 소자 및/또는 특유한 OLED 소자를 구성할 수 있게 한다.

발광 중합체의 예에는 폴리(페닐렌비닐렌)(PPV), 폴리-파라-페닐렌(PPP), 및 폴리플루오렌(PF)이 포함된다. 본 발명의 전사층에서 유용할 수 있는 가교결합성 발광 물질의 구체예에는 문헌[Li, et al., Synthetic Metals 84, pp. 437-438 (1997)]에 개시된 청색광 발광 폴리(메타크릴레이트) 공중합체, 문헌[Chen, et al., Synthetic Metals 107, pp. 203-207 (1999)]에 개시된 가교결합성 트라이페닐아민 유도체(TPA), 문헌[Klarner, et al., Chem. Mat. 11, pp. 1800-1805 (1999)]에 개시된 가교결합성 올리고- 및 폴리(다이알킬플루오렌), 문헌[Farah and Pietro, Polymer Bulletin 43, pp. 135-142 (1999)]에 개시된 부분적으로 가교결합된 폴리(N-비닐카르바졸-비닐알코올) 공중합체, 및 문헌[Hiraoka, et al., Polymers for Advanced Technologies 8, pp. 465-470 (1997)]에 개시된 산소-가교결합된 폴리실란이 포함된다.

본 발명의 전사층에서 유용할 수 있는 OLED 소자용의 가교결합성 수송층 재료의 구체예에는 실란 작용화된 트라이아릴아민, 문헌[Bellmann, et al., Chem. Mater. 10, pp. 1668-1678 (1998)]에 개시된 바와 같이 펜던트 트라이아릴아민을 포함하는 폴리(노르보르넨), 문헌[Bayerl, et al., Macromol. Rapid Commun. 20, pp. 224-228 (1999)]에 개시된 비스-작용화 정공(hole) 수송 트라이아릴아민, 미국 특허 제6,030,550호에 개시된 다양한 가교결합된 전도성 폴리아닐린 및 기타 중합체, 국제특허 공개 WO 97/33193호에 개시된 가교결합성 폴리아릴폴리아민, 및 일본 특허 공개 (평)9-255774호에 개시된 가교결합성 트라이페닐 아민-함유 폴리에테르 케톤이 포함된다.

본 발명의 전사층에서 사용되는 발광, 전하 수송, 또는 전하 주입 물질 내에는 열전사 이전에 또는 그 후에 도펀트(dopant)가 또한 혼입될 수도 있다. 도펀트는 발광 특성, 전하 수송 특성 및/또는 기타 그러한 특성의 변경 또는 향상을 위하여 OLED용 재료에 혼입될 수도 있다.

발광 디스플레이 및 소자 응용을 위한 리시버 요소로의 도너 요소로부터의 물질의 열전사는 미국 특허 제5,998,085호 및 미국 특허 제6,114,088호와, 국제특허 공개 WO 00/41893호에 개시되어 있다.

전사층은 다양한 첨가제를 선택적으로 포함할 수 있다. 적합한 첨가제는 IR 흡수제, 분산제, 계면활성제, 안정제, 가소제, 가교결합제 및 코팅 조제를 포함할 수 있다. 전사층은 염료, 가소제, UV 안정제, 필름 형성 첨가제 및 접착제를 포함하지만 이에 한정되는 것은 아닌 다양한 첨가제를 또한 포함할 수도 있다.

결합제를 포함하는 전사층에 있어서, 결합제 중합체는 열 노출 동안 달성되는 온도에서 자가 산화되거나, 분해되거나 열화되지 않아서, 전사층의 노출된 영역 이 손상되지 않도록 하는 것이 전형적이지만, 이는 필요한 것은 아니다. 적합한 결합제의 예에는, 스티렌과 (메트)아크릴레이트 에스테르 및 산의 공중합체, 예를 들어 스티렌/메틸-메타크릴레이트 및 스티렌/메틸-메타크릴레이트/아크릴산, 스티렌 및 올레핀 단량체의 공중합체, 예를 들어 스티렌/에틸렌/부틸렌과, 스티렌 및 아크릴로니트릴의 공중합체를 포함하는 스티렌 중합체 및 공중합체; 플루오로중합체; 에틸렌 및 일산화탄소를 갖는 것을 포함한, (메트)아크릴산 및 상응하는 에스테르의 중합체 및 공중합체; 폴리카르보네이트; 폴리설폰; 폴리우레탄; 폴리에테르; 및 폴리에스테르가 포함된다. 상기 중합체의 단량체는 치환되거나 비치환될 수 있다. 중합체의 혼합물도 사용될 수 있다. 다른 적합한 결합제는 비닐 클로라이드 중합체, 비닐 아세테이트 중합체, 비닐 클로라이드-비닐 아세테이트 공중합체, 비닐 아세테이트-크로톤산 공중합체, 스티렌 말레산 무수물 하프 에스테르(half ester) 수지, (메트)아크릴레이트 중합체 및 공중합체, 폴리(비닐 아세탈), 무수물 및 아민으로 개질된 폴리(비닐 아세탈), 하이드록시 알킬 셀룰로오스 수지 및 스티렌 아크릴 수지를 포함한다.

도 1은 스티렌 및 말레산 무수물 기재의 공중합체가 광열 변환층(120) 내로 혼입된 도너 요소 실시 형태(100)를 도시한다.

스티렌 및 말레산 무수물을 기재로 하는 공중합체를 사용하는 것에 대한 개선된 유용성의 기본적인 메카니즘은 확실하게 결정된 것은 아니지만, 본 발명을 한정하거나 제한함이 없이, 그러한 공중합체가 처리 환경에서 상대적으로 광범한 범위의 주위 습도에 걸쳐 소정의 적절한 수준 내에서 도너 요소의 층의 수분 함량 또 는 작은 분자 함량을 유지하는 것으로 추측할 수 있다. 적절한 수준의 내부 수분 함량은 이미지 형성 공정 동안 층간 부착성 또는 열 전도성과 같은 몇몇 특성에 유리하게 영향을 주는 것으로 추측될 수 있다.

본 발명을 한정하거나 제한하고자 하는 의도 없이 주창되는, 광열 변환층에서 스티렌 및 말레산 무수물을 기재로 하는 공중합체를 사용하는 것에 대한 개선된 유용성의 다른 추측되는 메카니즘은, 상기 공중합체가 층 내에서 또는 층들 사이에서 응집 에너지 또는 점착 에너지 또는 열 유동 중 하나를 저하시키는 작용을 하여, 스티렌 및 말레산 무수물을 기재로 하는 공중합체의 부재 하에서보다 더 적은 양의 흡광도에서, 또는 유사하게는 더 광범한 범위의 흡광도에 걸쳐 또는 상이한 위치에서 물질 전사가 일어나도록 한다는 것이다.

중간층, 이형층, 배출층, 및 열 절연층을 포함하지만 이에 한정되지 않는 하나 이상의 다른 통상적인 열전사 도너 요소 층이 본 발명의 도너 요소에 포함될 수 있다.

본 발명의 도너 요소는 이미지화 조립체에서 리시버 요소 상으로의 열전사 이미지 형성에 이용될 수 있다. 전사 후, 소비된 도너 요소 (이미지의 네가티브) 및 이미지 형성된 리시버 요소 (이미지의 포지티브) 중 어느 하나 또는 이들 둘 모두가 기능성 물체로서 유용할 수 있다.

도 8은 도너 요소(100)의 전사층(130)이 리시버 요소(410)와 접촉 상태로 있는 이미지화 조립체(400)의 실시 형태를 도시한다. 광(420)은 지지층(110) 및 광열 변환층(120)에 충돌할 수 있으며, 광열 변환층(120)에 의해 흡수될 수 있다. 충분한 광이 흡수되어 적절한 가열을 발생시킬 때, 적절하게 가열된 광열 변환층에 인접한 전사층(130)의 선택된 부분은 리시버 요소로 전사될 것이다.

도 9는 리시버 기층(410) 상에 두어진 이전에 전사된 물질(430)의 표면을 따라 도너 요소(100)의 전사층(130)이 리시버 요소(460)와 단속적 접촉 상태로 있는 이미지화 조립체(450)의 실시 형태를 도시한다. 리시버 층(410)은 예를 들어 공기(480)에 의해 전사층(130)으로부터 짧은 거리만큼 분리될 수 있다.

리시버 요소(460)와 같은 텍스처 형성된 리시버는 도 10에 도시된 바와 같이 사전 열전사 및 분리 단계에 의해 얻어질 수 있다. 이미지화 조립체(450)에서, 도너 요소는 리시버 요소(460)와 접촉 상태로 있다. 이 접촉은 연속적이라기보다는 오히려 단속적이다. 도너 요소의 층들은 층(410)과 인접해 있지만 층(410)과 접촉 상태로 있는 것은 아니며, "인접한"이라는 용어는 접촉을 요구하는 것은 아니다.

도 10은 일 실시 형태에 있어서 충분한 광에의 이미지 방식 노출 후 조립체(400)의 분리의 생성물을 도시하는데, 이 경우, 충분히 조명된 영역에서는 전체 양의 전사층이 전사된다(물질 전사). 분리 후, 소비된 도너 요소(500)는 광열 변환층(120) 아래의 지지층(110) 및 전사층의 보유된 부분(530)을 가진다. 이미지 형성된 리시버 요소(520)는 원래의 리시버(410) 상에서, 조명에 상응하는 영역에서 전사층으로부터 전사된 새로운 물질(540)을 갖는다.

리시버 요소

리시버 요소는 유리, 투시성 필름, 반사 필름, 금속, 반도체, 다양한 종이 및 플라스틱을 포함하지만 이에 한정되는 것은 아닌, 특정 응용에 적합한 임의의 품목일 수 있다. 예를 들어, 리시버 요소는 디스플레이 응용에 적합한 임의의 유형의 기판 또는 디스플레이 요소일 수 있다. 액정 디스플레이 또는 발광 디스플레이와 같은 디스플레이에서 사용하기에 적합한 리시버 요소는 가시광에 대하여 사실상 투과성인 강성 또는 가요성 기판을 포함한다. 강성 리시버 요소의 예에는 유리, 인듐-주석 산화물 코팅된 유리, 저온 폴리실리콘(low temperature polysilicon, LTPS), 및 강성 플라스틱이 포함된다. 적합한 가요성 기판은 사실상 투명하고 투과성인 중합체 필름, 반사 필름, 비-복굴절성 필름, 반투과 필름(transflective film), 편광 필름, 다층 광학 필름 등을 포함한다. 적합한 중합체 기판은 폴리에스테르 베이스(base) (예를 들어, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트), 폴리카르보네이트 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리비닐 수지 (예를 들어, 폴리비닐 클로라이드, 폴리비닐리덴 클로라이드, 폴리비닐 아세탈 등), 셀룰로오스 에스테르 베이스 (예를 들어, 셀룰로오스 트라이아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트), 및 다양한 이미지 형성 기술 분야에서 지지체로서 사용되는 다른 통상적인 중합체 필름을 포함한다. 0.05 내지 5 ㎜ (약 2 내지 약 200 밀(mil))의 투시성 중합체 필름 베이스가 바람직하다.

유리 리시버 요소에 있어서, 전형적인 두께는 약 0.2 내지 2.0 ㎜이다. 흔히, 두께가 약 1.0 ㎜ 이하, 또는 심지어 두께가 0.7 ㎜ 이하인 유리 기판을 사용하는 것이 바람직하다. 보다 얇은 기판은 보다 얇고 보다 경량인 디스플레이가 얻어지게 한다. 그러나, 특정한 처리, 취급 및 조립 조건은 보다 두꺼운 기판을 사용할 것을 제안할 수도 있다. 예를 들어, 몇몇 조립 조건은 기판들 사이에 배치된 스페이서들의 위치를 고정하기 위하여 디스플레이 조립체의 압축을 필요로 할 수도 있다. 보다 경량의 디스플레이를 위한 얇은 기판과 신뢰성 있는 취급 및 처리를 위한 두꺼운 기판에 대한 경쟁적 관심은 특정 디스플레이의 치수에 있어서 바람직한 구성의 달성을 위하여 균형을 이룰 수 있다.

리시버 요소가 중합체 필름일 경우, 이 필름은 비-복굴절성이어서 그가 일체화될 디스플레이의 작동의 방해를 사실상 방지하는 것이 바람직할 수 있거나, 이 필름은 복굴절성이어서 요망되는 광학 효과를 달성하는 것이 바람직할 수 있다. 예시적인 비-복굴절성 리시버 요소는 용매 주조된 폴리에스테르이다. 이것의 전형적인 예로는 9,9-비스-(4-하이드록시페닐)-불소 및 아이소프탈산, 테레프탈산 또는 그 혼합물로부터 유도되는 혼성중합된(interpolymerized) 반복 단위로 이루어지거나 상기 단위로 본질적으로 이루어진 중합체로부터 유도되는 것이 있는데, 상기 중합체는 균일한 필름의 형성을 허용하기 위하여 올리고머 (즉, 분자량이 약 8000 이하인 화학종) 함량이 충분히 낮다. 이 중합체는 본 명세서에 참고로 포함된 미국 특허 제5,318,938호의 열전사 수용 요소의 한 성분으로서 개시되었다. 다른 부류의 비-복굴절성 기판으로는 비결정성 폴리올레핀 (예를 들어, 상표명 제오넥스(Zeonex TM)로 니폰 제온 컴퍼니, 리미티드(Nippon Zeon Co., Ltd.)로부터 판매되는 것)이 있다. 예시적인 복굴절성 중합체성 리시버 요소는 본 명세서에 참고로 포함된 미국 특허 제5,882,774호 및 미국 특허 제5,828,488호와, 국제특허 공개 WO 95/17303호에 개시된 것과 같은 다층 편광기 또는 미러를 포함한다.

도너 요소는, 지지층, 광열 변환층, 전사층 및 리시버 요소를 순서대로 포함 하는 고정된 공간적 관계로 리시버 요소에 인접하여 두어진다. 이미지화 조립체는 이미지 형성 광에 이미지 방식으로 노출되어, 도너 요소의 전사층으로부터 리시버 요소를 향하여 물질이 국소적으로 이동하게 한다. 이미지 형성 후, 조립체는 이미지 형성된 조립체라고 칭해진다. 이미지 형성된 조립체의 이미지 형성된 도너 요소 (소비된 도너 요소라고도 함) 및 이미지 형성된 리시버 요소는 그 후 분리된다.

본 발명의 도너 요소는 다양한 방법으로 제조될 수 있다. 일 실시 형태에서, 광열 변환층 코팅 조성물 또는 그의 전구체-희석된 코팅 조성물은 지지층 상에 코팅되고 선택적으로 농축될 수 있다. 코팅 조성물은 임의의 적합한 통상적인 코팅 기술, 예를 들어 그라비어 롤 코팅, 리버스 롤(reverse roll) 코팅, 침지 코팅, 비드(bead) 코팅, 슬롯 코팅 또는 정전기적 스프레이 코팅에 의해 지지층에 도포될 수 있다.

코팅 조성물의 지지층 상으로의 침착 이전에, 그의 노출된 표면은 필요하다면 화학적 또는 물리적 표면 개질 처리를 하여 상기 표면과 후속적으로 도포되는 코팅 조성물 사이의 접합을 향상시킬 수 있다. 일 실시 형태는 지지층의 노출된 표면을 코로나 방전을 수반하는 고전압 전기 응력에 처하도록 하는 것이다. 대안적으로, 지지층은 지지층 중합체에 대하여 용매 또는 팽윤 작용을 갖는 것으로 당업계에 공지된 제제(agent)를 이용하여 사전 처리될 수도 있다. 폴리에스테르 지지층의 처리에 특히 적합한 그러한 제제의 예에는 일반적인 유기 용매에 용해된 할로겐화 페놀, 예를 들어 아세톤 또는 메탄올 중 p-클로로-m-크레졸, 2,4-다이클로로페놀, 2,4,5- 또는 2,4,6-트라이클로로페놀 또는 4-클로로레소르시놀의 용액을 포함한다. 코로나 방전에 의한 처리는, 바람직하게는 약 1 내지 약 100 ㎸의 전위에서 약 1 내지 약 20 ㎾의 전력 출력을 갖는 고주파 고전압 발생기를 사용하는 통상적인 장비를 이용하여 대기압에서 공기 중에서 행할 수 있다. 통상적으로, 방전은 바람직하게는 0.01 내지 10 m/s의 선속도로 방전 스테이션에서 유전성 지지 롤러 위에서 필름을 통과시킴으로써 성취된다. 방전 전극은 이동하는 필름 표면으로부터 약 0.1 내지 약 10.0 ㎜에 위치될 수 있다.

진공 및/또는 압력을 이용하여 이미지화 조립체에서 도너 및 리시버 요소들을 함께 유지할 수 있다. 한 가지 대안으로서, 열적 이미지화 도너 및 리시버 요소들은 주변부에서 층들의 융합에 의해 함께 유지될 수 있다. 다른 대안으로서, 열적 이미지화 도너 및 리시버 요소들이 함께 테이프로 부착되어 이미지 형성 장치에 테이프로 부착되거나, 핀/클램핑 시스템이 사용될 수 있다. 또 다른 대안으로서, 열적 이미지화 도너 요소는 리시버 요소에 라미네이션되어 레이저 이용가능한(laserable) 조립체를 생성할 수 있다. 레이저 이용가능한 조립체는 편리하게는 레이저 이미지 형성을 용이하게 하기 위하여 드럼 상에 탑재되거나, 평탄한 가동 스테이지 상에 탑재될 수 있다. 당업자라면, 평탄 베드(flatbed), 내부 드럼, 캡스턴 드라이브(capstan drive) 등과 같은 다른 엔진 구조가 본 발명에서 또한 사용될 수 있음을 인지할 것이다.

도 9의 광열 변환층(120)은, 리시버 요소로의 전사층의 적어도 일부 성분의 전사를 야기시키도록, 충돌 광의 흡수에 의해 도너 요소의 적절한 영역으로 상당한 비율의 열 발생이 국소화되도록 이미지 형성 동안 작용한다. 본 발명에서, 광열 변환층에 스티렌 및 말레산 무수물을 기재로 하는 공중합체가 존재하는 것은 전사층으로부터 리시버 요소 상으로 전사될 성분들의 물질 전사를 돕는다. 입사광은 말레산 무수물의 단량체성 반복 단위에 상응하는 공중합체 상의 펜던트 기에 따라, 물 및/또는 기타 작은 분자, 예를 들어 메탄올의 방출을 돕는 것으로 여겨진다. 작은 분자는 리시버 요소로 전사될 것이 요구되는 전사층의 성분들의 전사를 돕는다. 즉, 작은 분자가 전사를 돕는 전사 메카니즘은 한 가지의 가능성일 뿐이다. 역할을 할 수 있는 다른 전사 메카니즘이 존재할 수도 있다. 본 특허 명세서는 상기 전사를 그러한 작은 분자에 의한 것으로 설명하거나 한정하고자 하지 않는다. 그러한 메카니즘은 단지 예시 목적으로 순이론적으로 제안된 것이며, 본 발명의 범주를 당해 전사 메카니즘으로 한정하고자 하는 것은 아니다.

승화 전사, 확산 전사, 물질 전사, 제거식(ablative) 물질 전사, 용융 전사 등과 같은 그러나 그에 한정되는 것은 아닌 다양한 다른 전사 메카니즘이 일어날 수 있다. 열적 물질 전사에 의해 작동하는 실시 형태에서, 전사층의 전적인 또는 부분적인 온전한 부피(질량)의 전사는, 이 부피의 성분들의 상당한 격리 없이, 광이 충돌하는 영역에서 일어난다. 사실상 모든 성분을 포함하는 온전한 부피가 아닌 소정 부피의 혼합물의 적어도 하나의 성분의 전사가 승화 전사 및 확산 전사와 같은 다른 경우에 일어날 수 있는데, 여기서, 전사가능한 물질을 유지하는 매트릭스 물질은 사실상 전사되지 않는다.

다양한 발광원을 사용하여 열전사 도너 요소를 가열할 수 있다. 아날로그 기술 (예를 들어, 마스크를 통한 노출)에 있어서, 고출력 광원 (예를 들어, 제논 섬광 램프 및 레이저)이 유용하다. 디지털 이미지 형성 기술에 있어서, 적외선, 가시선 및 자외선 레이저가 특히 유용하다.

본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "광"은 약 200 ㎚ 내지 약 300 ㎛의 파장을 갖는 방사선을 포함하고자 하는 것이다. 이러한 광 스펙트럼은 약 200 ㎚ 내지 약 400 ㎚의 자외선(UV) 범위, 약 400 내지 약 750 ㎚의 가시선 범위, 및 약 750 ㎚ 내지 약 300 ㎛의 적외선(IR) 범위로 나눌 수 있다. 근적외선 스펙트럼은 약 750 내지 약 2,500 ㎚를 포함하며, 중간 적외선 스펙트럼은 약 2,500 내지 약 12,500 ㎚를 포함하고, 원적외선 스펙트럼은 약 12,500 ㎚ 내지 약 300 ㎛ (300,000 ㎚ 또는 0.3 ㎜)를 포함한다. 단파장 근적외선 스펙트럼은 약 750 ㎚ 내지 약 1200 ㎚의 파장을 포함하며, 장파장 근적외선 스펙트럼은 약 1,200 ㎚ 내지 약 2,500 ㎚의 파장을 포함한다.

일 실시 형태에서, 노출 단계는 약 600 mJ/㎠ 이하, 가장 전형적으로는 약 250 내지 약 440 mJ/㎠의 레이저 플루언스(laser fluence)에서의 이미지 형성 레이저를 이용하여 성취된다. 다른 광원 및 조사 조건은, 특히, 도너 요소 구성, 전사층 재료, 열전사 모드, 및 기타 그러한 요인에 기초하여 적합하게 될 수 있다.

높은 스폿(spot) 배치 정확도가 큰 기판 영역에 걸쳐 (예를 들어, 대량 정보 풀 컬러 디스플레이(high information full color display) 응용에 있어서) 필요할 때, 레이저가 광원으로서 특히 유용하다. 또한, 레이저원은 큰 강성 기판 (예를 들어, 1 m x 1 m x 1.1 ㎜, 그리고 컬러 필터 유리와 같은 보다 큰 기판) 및 연속형 또는 시트형 필름 기판 (예를 들어, 100 ㎛ 두께의 폴리이미드 시트) 둘 모두와 상용가능하다.

다이오드 레이저, 예를 들어 약 750 내지 약 870 ㎚, 그리고 최대 1200 ㎚까지의 영역에서 발광하는 다이오드 레이저가 특히 유리하며, 상기 레이저는 그의 작은 크기, 저비용, 안정성, 신뢰성, 내구성(ruggedness) 및 변조의 용이성 견지에서 상당한 이점을 제공한다. 그러한 레이저는, 예를 들어 스펙트라 다이오드 래버러토리즈(Spectra Diode Laboratories) (미국 캘리포니아주 새너제이 소재)로부터 입수가능하다. 이미지를 이미지 수용층에 적용하는 데 사용되는 한 가지 장치로는 크레오 스펙트럼 트렌드세터(Creo Spectrum Trendsetter) 3244F가 있으며, 이는 830 ㎚ 근처에서 발광하는 레이저를 이용한다. 이 장치는 대략 830 ㎚의 레이저 다이오드 어레이로부터의 5-50와트 출력을 분할 및 변조하기 위하여 공간 광 변조기(Spatial Light Modulator)를 이용한다. 관련된 광학 기기는 이 광의 초점을 이미지화 요소에 맞춘다. 이는, 대략 10 x 10 내지 2 x 10 마이크로미터의 스폿에서 각각이 10-200 ㎽의 광을 갖는 50 내지 240개의 개개의 빔의 어레이에 초점이 맞추어진 0.1 내지 30 와트의 이미지 형성 광을 도너 요소 상에 생성한다. 유사한 노출이, 미국 특허 제4,743,091호에 개시된 바와 같이 스폿 당 개개의 레이저를 이용하여 얻어질 수 있다. 이 경우, 각각의 레이저는 780-870 ㎚에서 전기 변조된 50-300 ㎽의 광을 발광한다. 다른 선택 사양은 500-3000 ㎽ 광을 발광하고 각각이 개별적으로 변조되고 매체에 초점이 맞추어진 섬유 결합형 레이저(fiber coupled laser)를 포함한다. 그러한 레이저는 미국 애리조나주 투산 소재의 옵토 파워(Opto Power)로부터 획득될 수 있다.

열적 이미지 형성에 적합한 레이저는, 예를 들어, 고출력(>90 ㎽) 단일 모드 레이저 다이오드, 섬유-결합형 레이저 다이오드, 및 다이오드-펌핑된 고체 레이저 (예를 들어, Nd:YAG 및 Nd:YLF)를 포함한다. 레이저 노출 체류 시간은, 예를 들어 수백분의 일의 마이크로초로부터 수십 마이크로초 또는 그 이상까지 광범위하게 변할 수 있으며, 레이저 플루언스는, 예를 들어 약 0.01 내지 약 5 J/㎠ 또는 그 이상의 범위일 수 있다.

일 실시 형태에서, 이미지 형성 광은 650 내지 1300 ㎚의 파장, 예를 들어 660 내지 900 ㎚, 및 950 내지 1200 ㎚ 범위의 선택된 파장에서 강렬하게 발광하는 하나 이상의 레이저에 의해 제공된다.

일 실시 형태에서, 이미지 형성 동안, 선택적으로 조명되는 영역에서의 도너 요소의 사실상 (80% 초과의) 전체 전사층은 열적 물질 전사 도너 요소의 나머지 다른 층, 예를 들어 선택적 중간층 또는 광열 변환층의 상당한 부분 또는 성분의 전사 없이 리시버 요소로 전사된다. 이는, 특히 광열 변환층이 전사된 물질과는 상이한 특성을 가질 때 바람직하며, 이는 전사에 의해 얻어지는 기능성을 방해할 수 있다. 예를 들어, 청색 필터 윈도우에 있어서 투시성 청색 전사층과 함께 전사되는 황색 또는 흑색 광열 변환층, 또는 전도성 전사층과 함께 전도 패드 상에 전사되는 전기 절연 광열 변환층은 허용될 수 없다.

다른 실시 형태에서, 전사층은 성분들의 혼합물이며, 도너 요소의 조명에 의한 전사는 승화성 염료, 또는 용융된 성분과 같은 선택된 성분에 대해서만 일어난다.

열전사 모드는 조사 유형, 전사층에서의 물질의 유형 등에 따라 달라질 수 있으며, 일반적으로 하나 이상의 메카니즘들을 통해 일어나는데, 상기 메카니즘들 중 하나 이상은 이미지 형성 조건, 도너 구성 등에 따라 전사 동안 강조될 수도 있고 강조되지 않을 수도 있다. 하기의 열전사 모드는 본 발명을 한정하지 않으며, 예시적인 목적으로만 주어진다.

열전사의 한 가지 추측되는 메카니즘은 전사층과 도너 요소의 나머지 사이의 계면에서의 국소화된 가열이 선택된 위치에서의 도너에의 열전사층의 부착성을 저하시킬 수 있게 하는 열용융-점착 전사를 포함한다. 열전사층의 선택된 부분들은 도너에 부착하는 것보다 더 강하게 리시버 요소에 부착될 수 있어서, 도너 요소가 제거될 때, 전사층의 선택된 부분은 수용체 상에 남아 있게 된다. 다른 추측되는 열전사 메카니즘은 국소화된 가열을 이용하여 도너 요소로부터 전사층의 일부분을 제거함으로써 제거된 물질이 수용체를 향하게 하는 제거식 전사를 포함한다. 또 다른 추측되는 열전사 메카니즘은 전사층에 분산된 물질을 도너 요소에서 발생되는 열에 의해 승화시킬 수 있는 승화를 포함한다. 승화된 물질의 일부분은 수용체 상에서 응축될 수 있다.

이미지 형성 동안, 열전사 도너 요소는 (전형적으로 열용융-점착 전사 메카니즘에 대한 경우일 수도 있는 바와 같이) 리시버 요소와 긴밀하게 접촉하게 될 수 있거나, 열전사 도너 요소는 (제거식 전사 메카니즘 또는 전사 물질 승화 메카니즘에 대한 경우일 수 있는 바와 같이) 리시버 요소로부터 약간의 거리로 이격될 수 있다. 적어도 일부 경우, 압력 또는 진공을 이용하여 열전사 도너 요소를 수용체 와 긴밀하게 접촉한 상태로 유지할 수 있다. 일부 경우, 마스크가 열전사 도너 요소와 리시버 요소 사이에 두어질 수 있다. 그러한 마스크는 전사 후 제거가능할 수 있거나 리시버 요소 상에 남아 있을 수 있다. 이어서, 광원을 이용하여 광열 변환층 (및 선택적으로, 임의의 광 흡수제를 포함하는 기타 층(들))을 이미지 방식으로 (예를 들어, 디지털식으로 또는 마스크를 통한 아날로그 노출에 의해) 가열하여 열전사 도너 요소로부터 리시버 요소로의 전사층의 이미지 방식 전사 및/또는 패턴화를 수행할 수 있다.

이미지 방식 광 노출에 의한 이미지 형성 후 조립체에 대한 이후의 단계는 이미지 형성된 리시버 요소로부터 이미지 형성된 도너 요소를 분리하는 것이다 (도 11). 일반적으로, 이는 두 요소들을 단순히 따로 박리시킴으로써 행해진다. 이는 일반적으로 매우 적은 박리력을 필요로 하며, 리시버 요소로부터 도너 지지체를 단순히 분리함으로써 성취된다. 이는, 임의의 통상적인 분리 기술을 이용하여 행해질 수 있으며, 수동식이거나 자동식일 수 있다.

전형적으로, 의도되는 생성물은, 광 노출 및 분리 후, 전사되는 물질이 패턴으로 그 상부에 전사된 리시버 요소이다. 그러나, 의도되는 생성물이 광 노출 및 분리 후의 도너 요소인 것이 또한 가능하다. 도너 지지층 및 광열 변환층이 투시성이고 전사층이 불투명한 일 실시 형태에서, 이미지 형성된 도너 요소는 감광성 물질, 예를 들어, 포토레지스트, 광중합체 인쇄판, 감광성 보강 물질(photosensitive proofing material), 의료용 하드 카피(medical hard copy) 등의 통상적인 아날로그 노출을 위한 사진-도구(photo-tool)로서 사용될 수 있다. 사진-도구 응용에 있어서, 도너 요소의 "투명" 영역, 즉, 레이저 노출된 영역과 "불투명" 영역, 즉, 비노출된 영역 사이의 농도(density) 차이를 최대화하는 것이 중요하다. 따라서, 도너 요소에서 사용되는 물질이 이러한 응용에 알맞도록 맞추어져야 한다.

일 실시 형태에서, 이미지 형성된 리시버 요소는 도너 요소를 포함하는 후속적인 이미지화 조립체의 리시버 요소로서 사용될 수 있다.

일 실시 형태에서, 다양한 조성의 층을 갖는 도너 요소의 사용은, 물질 전사용으로 의도되는 영역에 강한 레이저 빔을 비추고 있는 신속하게 스캐닝되는 깜박거리는 레이저 빔에 의해 발생되는 열의 결과에 의해 도너 요소로부터 리시버 요소로 물질을 이미지 방식으로 전사하기 위한 이미지화 조립체에서 리시버 요소와 조합되어 유용하다. 이미지 형성된 리시버 요소로부터의 소비된 도너 요소의 분리는 컬러 필터, 영상 디스플레이(visual display), 컬러 이미지 재생, 회로 등에 유용한 용품을 제공한다.

일 실시 형태에서, 지지층, 광열 변환층(LTHC층)에 유용한 층, 예를 들어, 금속성 층, 착색된 층 또는 염료 함유 층, 및 전사층을 포함하는 적어도 3개의 층의 도너 요소 구성은, 이 3개의 층들 사이에 또는 그 외부에 두어져서 층간 부착, 광 흡수, 열전사, 취급 등과 같은 특성을 변경시킬 수 있는 상기 구성 내의 추가의 층에 의해 보완된다.

전형적으로, 전사층의 선택된 부분은, 열전사 도너 요소의 나머지 다른 층, 예를 들어 선택적 중간층 또는 광열 변환층의 상당한 부분의 전사 없이 리시버 요 소로 전사된다. 선택적 중간층의 존재는, 광열 변환층으로부터 리시버 요소로의 물질의 전사를 없애거나 감소시키고/시키거나, 전사층의 전사된 부분에서의 왜곡을 감소시킬 수 있다. 바람직하게는, 이미지 형성 조건 하에서, 선택적 중간층의 광열 변환층에의 부착성은 중간층의 전사층에의 부착성보다 크다. 일부 예에서, 반사 중간층을 이용하여, 중간층을 투과하는 이미지 형성 광의 수준을 감쇠시키고, 전사층 및/또는 수용체와 투과된 광과의 상호작용에서 생길 수도 있는 전사층의 전사된 부분에 대한 임의의 손상을 감소시킬 수 있다. 이는 열손상의 감소에 특히 유익한데, 상기 열손상은 리시버 요소가 이미지 형성 광에 대하여 고도로 흡수성일 때 일어날 수 있다.

레이저 노출 동안, 이미지 형성된 물질로부터의 다수의 반사로 인한 간섭 패턴의 형성을 최소화하는 것이 바람직할 수 있다. 이는 다양한 방법으로 성취될 수 있다. 가장 일반적인 방법은 미국 특허 제5,089,372호에 개시된 바와 같이 입사광 규모로 열전사 도너 요소의 표면을 효과적으로 조도화(roughening)하는 것이다. 이는 입사광의 공간 결맞음(spatial coherence)을 방해하는 효과를 가져서, 자기 간섭(self interference)을 최소화한다. 다른 방법은 열전사 도너 요소 내에 반사 방지 코팅을 이용하는 것이다. 반사 방지 코팅의 사용은 공지되어 있으며, 미국 특허 제5,171,650호에 개시된 바와 같이, 플루오르화마그네슘과 같은 1/4 파장 두께의 코팅으로 이루어질 수도 있다.

1 미터 이상의 길이 및 폭 치수를 갖는 열전사 도너 요소를 비롯한 대형 열전사 도너 요소가 사용될 수 있다. 작동시, 레이저는 상기 대형 열전사 도너 요소 를 가로질러 래스터되거나(rastered) 달리 이동할 수 있는데, 레이저는 요구되는 패턴에 따라 열전사 도너 요소의 부분들을 조명하도록 선택적으로 작동된다. 대안적으로, 레이저는 고정된 것일 수 있으며, 열전사 도너 요소 및 리시버 요소 기판이 레이저 아래에서 이동할 수 있다.

일부 예에서, 두 가지 이상의 상이한 열전사 도너 요소를 순차적으로 이용하여 광학 디스플레이와 같은 장치를 형성하는 것이 필요하고/하거나, 바람직하고/하거나, 편리할 수도 있다.

예를 들어, 블랙 매트릭스-형성 픽셀 윈도우가 열전사 이미지 형성 및 이에 뒤이은 다중 색상의 개별 윈도우 내로의 순차적인 열전사에 의해 유리 판 상에 형성될 수 있는데, 이는 블랙 매트릭스의 윈도우 내에 컬러 필터 요소를 형성한다. 다른 예로서, 블랙 매트릭스는 액정 디스플레이에서 투명도를 절환시키기 위해 사용하는 박막 트랜지스터의 하나 이상의 층의 후속적인 열전사에 의해 형성될 수 있다. 다른 예로서, 다중층 소자는 상이한 열전사 도너 요소로부터 개별 층들을 또는 개별 층 적층체들을 전사시킴으로써 형성될 수 있다. 또한, 다층 적층체가 단일 도너 요소로부터 단일 전사 단위로서 전사될 수 있다. 다층 소자의 예에는 유기 전계 효과 트랜지스터(organic field effect transistor, OFET)와 같은 트랜지스터, 유기 발광 다이오드(OLED)를 비롯한 유기 전계발광 픽셀 및/또는 소자가 포함된다. 또한, 다층 도너 시트를 이용하여 수용체 상의 동일 층 내에 별개의 구성요소를 형성할 수 있다. 예를 들어, 세 가지의 상이한 컬러 도너를 이용하여, 컬러 전자 디스플레이용 컬러 필터를 형성할 수 있다. 또한, 각각이 다중층 전사층 을 갖는 별도의 도너 시트를 이용하여 상이한 다층 소자 (예를 들어, 상이한 컬러를 내는 OLED, 어드레스 가능한(addressable) 픽셀을 형성하도록 연결된 OLED 및 OFET 등)를 패턴화할 수 있다. 2개 이상의 열전사 도너 요소의 다른 다양한 조합을 이용하여 소자를 형성할 수 있는데, 각각의 열전사 도너 요소는 소자의 하나 이상의 부분을 형성한다. 수용체 상의 이들 소자, 또는 기타 소자의 다른 부분은 전체적으로 또는 부분적으로 포토리소그래피 공정, 잉크젯 공정, 및 다양한 기타 인쇄 또는 마스크-기반의 공정을 비롯한 임의의 적합한 공정에 의해 형성될 수도 있음이 이해될 것이다.

실험예

예 1: SMA 1440H 및 대조 중합체 아머텍(AMERTECH) 1200 폴리에스테르 클리어(POLYESTER CLEAR)를 포함하는 도너 요소들의 비교

하기 예는 수 분산성 설포네이트화(sulphonated) 폴리에스테르 결합제 및 근적외선 레이저 방사선을 흡수할 수 있는 염료를 포함하는 광열 변환층을 갖는 대조용 도너 요소의 비교예를 제공한다. 이 대조용 도너 요소를, 중합체 SMA 1440H를 포함하는 광열 변환층을 갖는 도너 요소와 비교하였다.

더 구체적으로는, 비교예 1에 있어서, 100 중량부의 광열 변환층 코팅 조성물을, 약 79.80부의 탈이온수, 1.00부의 햄포드(Hampford) NIR 염료 822 (CAS 162411-28-1, 1H-벤즈[e]인돌륨, 2-[2-[2-클로로-3-[[1,3-다이하이드로-1,1-다이메틸-3-(4-설포부틸)-2H-벤즈[e]인돌-2-일리덴]에틸리덴]-1-사이클로헥센-1-일]에테닐]-1,1-다이메틸-3-(4-설포부틸)-, 분자내 염으로도 공지됨, 미국 코네티컷주 스 트래트포드 소재의 햄포드 리서치(Hampford Research)), 0.50부의 다이메틸아미노에탄올, 6.48부의 수분산된 30 질량% 설포네이트화 폴리에스테르 (유리 전이 온도가 63℃이고 최소 필름 형성 온도가 27℃인 아머텍 폴리에스테르 설포네이트 클리어), 0.25부의 기판 습윤 첨가제 (테고 웨트(Tego WET) 250, 100% 고체의 폴리에테르 개질된 트라이실록산 공중합체, 미국 버지니아주 호프웰 소재의 데구사(Degussa)), 1.4부의 P-DMAE-EP (에틸 포스페이트 및 DMAE의 칼륨염) (11.5%의 수성), 1.00부의 사이멜(Cymel) 350 (20%, 미국 뉴저지주 웨스트 패터슨 소재의 사이텍 인더스트리즈), 및 0.20부의 암모늄 p-톨루엔설포네이트를 취함으로써 제조하였다. 이들 성분은 첨부된 표에서 첨가 순서대로 열거되어 있다.

이형 개질제(release-modifier) P-DMAE-EP는, 진한 수성 수산화칼륨을 수성 에틸 산 포스페이트 (미국 코네티컷주 웨스트포트 소재의 스타우퍼 케미칼스(Stauffer Chemicals))에 첨가하여 약 4.5의 pH를 달성하고, 이어서 다이메티아미노에탄올을 첨가하여 약 7.5의 pH를 달성함으로써 11.5% 고체의 수성 용액으로 제조하였다.

SMA1440H 도너 요소에 있어서는, 100 중량부의 광열 변환층 코팅 조성물을, 약 89.20부의 탈이온수, 0.50부의 다이메틸아미노에탄올, 1.00부의 햄포드 NIR 염료 822 (미국 코네티컷주 스트래트포드 소재의 햄포드 리서치), 0.25부의 기판 습윤 첨가제 (테고 웨트 250, 100% 고체의 폴리에테르 개질된 트라이실록산 공중합체, 미국 버지니아주 호프웰 소재의 데구사), 1.4부의 11.5% 수성 P-DMAE-EP, 1.69부의 사이멜 350 (20%; 미국 뉴저지주 웨스트 패터슨 소재의 사이텍 인더스트리즈 ), 및 0.30부의 10% 수성 암모늄 p-톨루엔설포네이트를 취함으로써 제조하였다. 이들 성분은 첨부된 표에서 첨가 순서대로 열거되어 있다.

아머텍 1200 폴리에스테르 클리어 중합체를 포함하는 대조 샘플 및 SMA 1440H 둘 모두에 있어서, 성분들을 열거된 순서대로 비이커 내에 첨가하고, 이어서 실온에서 약 2시간 동안 비이커의 내용물을 교반함으로써 하기 용액을 제조하였다.

둘 모두의 샘플에 있어서, 잘 혼합된 광열 변환층 코팅 조성물을 #0 와이어-권취 로드(wire-wound rod)를 사용하여 50 마이크로미터의 폴리에스테르 지지층 상에 코팅하여, 약 3 마이크로미터의 습윤 코팅 두께 및 약 190 ㎚의 건조 코팅 두께와, 830 ㎚ 파장의 광의 약 45%의 투과율을 제공하였다. 생성된 지지층/광열 변환층 구성을, 광열 변환층 면 상에서, 1 내지 2 마이크로미터의 건조 두께를 갖는 통상적인 청색 착색된 전사층으로 코팅하여 첨부된 표에서 확인되는 도너 요소를 제공하였다.

용액들을 PET 주조 라인 상에 코팅하고, 이어서 건조시켜 830 ㎚ 파장에서 하기의 투과율 (%)을 갖는 코팅을 생성하였다:

성분들을 열거된 순서대로 비이커 내로 첨가하고, 이와 더불어 약 3시간 동안 교반함으로써 하기 제형의 적색 조성물을 제조하였다.

이어서, 적색 제형을 NIR-감광된 코팅 상에 코팅하고, 40.0 ㎎/dm²의 건조 코팅 중량으로 건조시켰다. 이는 적색 도너 요소를 형성한다.

유리 기판은 매트릭스 패턴을 가지는데, 이는 준비 단계에서 형성되고, 픽셀 경계를 형성하는 흑색 착색된 수지로 구성된다. 청색 및 녹색 픽셀을 먼저 유리 컬러 필터 기판으로 전사시켰다. 도너 요소의 한 구역을, 지지층/광열 변환층/전사층/유리의 순서로 적색 픽셀 요소를 갖는 유리 컬러 필터 기판과 조합하여 이미지화 조립체를 형성하였다. 대조 샘플의 경우 7가지의 개별적으로 샘플링된 출력 에너지 (공칭 14.0, 15.5, 17.0, 18.5, 20, 21.5, 및 23.0 W), 그리고 SMA 1440H 샘플의 경우 8가지의 개별적으로 샘플링된 출력 에너지 (공칭 12.5, 14.0, 15.5, 17.0, 18.5, 20, 21.5, 및 23.0 W)를 가지고 빠르게 이동하는 깜박거리는 830 ㎚의 적외선 레이저를 사용하여, 그리고 대략 250-500 mJ/㎠의 플루언스 및 5 μs 미만의 노출 시간으로 지지층에 충돌하여 컬러 필터에 적합한 적색 픽셀을 전사하여 이미지화 조립체에 이미지를 형성하였다.

이미지 형성된 조립체를 소비된 적색 도너 요소와, 녹색, 적색 및 청색 픽셀 요소들을 갖는 유리 컬러 필터 기판으로 분리하였다. 이미지 형성된 컬러 필터를 230℃에서 1시간 동안 베이킹하여 전사된 컬러 픽셀을 고형화하였다. 이어서, 베이킹된 필터를 200X의 총 배율로 현미경으로 조사하고, 베이킹된 적색 선의 폭을 입사 레이저 출력 범위에서 측정하였다. 다음, 전사된 픽셀의 조도를 텐코르(Tencor) P-15 스타일러스(Stylus) 표면 형상 측정기(profilometer)를 이용하여 측정하고, 조도 값을 ㎚ 단위의 Rq (조도 지수(roughness quotient))로서 기록한다.

소비된 도너 요소를 100% 전사가 의도된 영역에서 적색 전사층의 전사되지 않은 백분율에 대하여 비색 분석하고, 이 값을 100%로부터 제하여 달성된 전사 백분율을 산출하였다. 유리 컬러 필터 기판의 적색 픽셀 요소를 전사된 선폭 (이미지 형성 레이저 사용으로부터의 의도된 이미지 형성된 전사 폭의 백분율로서 표현됨) 및 전사된 물질의 색상 값 (원래의 도너 요소의 값으로부터의 차이로서 CIE 스케일의 xyY 좌표로 표현됨)에 대하여 비색 분석하였다. 열전사 공정 및 색상의 품질을, CIE 시스템에서 색상 좌표에 있어서 x, y 및 Y 값을 측정함으로써 평가하였는데, 여기서, x 및 y는 색조를 설명하고, Y는 휘도의 척도 (투과된 광자/입사 광자의 비)이다. 전사된 픽셀의 색상은 오션 옵틱스(Ocean Optics) 다이오드 분광광도계를 이용하여 측정하였다.

하기 표 4는 레이저 에너지의 다양한 공칭 수준을 이용한 이미지 형성에 의해 도너 요소의 성능을 기록한다. "예"로 분류한 첫 번째 컬럼은 식별자를 각각의 예에 할당한다. 두 번째 컬럼은 사용한 에너지를 열거하며, 세 번째 컬럼은 "x" 값이 규격(specification) 내에 있는지의 여부에 상응하고, 네 번째 컬럼은 "y" 값이 규격 내에 있는지의 여부에 상응하며, 다섯 번째 컬럼은 "Y" 값이 규격 내에 있는지의 여부에 상응한다.

2개의 필름의 색상 값을 하기에 제시한다.

조도 지수 Rq를 하기 표 5에서 선폭에 대하여 표로 나타내었다. 40 ㎚ 미만의 Rq 및 85 마이크로미터 초과의 선폭이 요망된다. SMA 1440H 예는 보다 낮은 인가된 출력에서 이들 값을 만족시키며, 보다 광범위한 동작 출력을 제공하였다. 이는 레이저 출력이 실제로 변동될 수 있기 때문에 바람직하며, SMA 1440H 샘플은 보다 큰 범위의 인가된 출력에 걸쳐 요망되는 색상, 선폭 및 Rq를 전달할 것이다.

예 2: 아머텍 1200 폴리에스테르 클리어에 대하여 SMA 변이체를 포함하는 도너 요소들의 비교

하기 수지들을, NIR-감광된 광열 변환층에서 결합제로서 사용될 때 이미지 형성에 대한 그의 영향에 대하여 비교하였다.

성분들을 열거된 순서대로 비이커 내로 첨가하고, 이와 더불어 실온에서 2시간 동안 교반함으로써 하기 용액들을 제조하였다.

코팅은 하기 특징을 가졌다.

성분들을 열거된 순서대로 비이커 내로 첨가하고, 이와 더불어 3시간 동안 교반함으로써 하기 제형의 적색 조성물을 제조하였다.

적색 제형을 NIR-감광된 코팅 상에 코팅하고, 40.0 ㎎/dm²의 건조 코팅 중량으로 건조시켰다. 이것에 의해 적색 도너 요소가 형성되었다.

유리 기판은 준비 단계에서 형성되고, 픽셀 경계를 형성하는 흑색 착색된 수지로 구성된 매트릭스 패턴을 갖는다. 청색 및 녹색 픽셀을 먼저 유리 컬러 필터 기판으로 전사시켰다. 이어서, 적색 도너 요소의 한 구역을 유리 컬러 필터와 조합하여 이미지화 조립체를 형성하였다. 290 mJ/㎠ 내지 380 mJ/㎠ 범위의 노출 에너지 시리즈에서 지지층에 충돌하는 빠르게 이동하는 830 ㎚ 레이저를 이용하여 이미지화 조립체에 이미지를 형성하였다.

이어서, 적색 도너 요소를 제거하고, 이미지 형성된 컬러 필터를 230℃에서 1시간 동안 베이킹하여 전사된 컬러 픽셀을 고형화하였다.

전사된 적색 픽셀의 색상을 오션 옵틱스 다이오드 분광광도계를 사용하여 측정하고, 결과를 세트의 도너 요소 각각에 대하여 하기에 나타내었다.

연색성(color rendition)은 샘플 228에서 292부터 362 mJ 노출까지 완전하였고, 샘플 227이 차상(next-best)이었다. 다른 모든 필름은 주로 광열 변환층의 불규칙한 코팅 품질로 인해 그들의 x 값에서 규격을 벗어난 것으로 밝혀졌다.

이어서, 어닐링된 필터를 200X의 총 배율로 현미경으로 조사하고, 전사된 픽셀을 입사 노출 에너지 범위에서 검사하였다. 적색 픽셀이 전체 매트릭스 요소를 채웠을 때, "트래핑됨(trapped)"으로 공지된 기준을 충족시켰다. 적색 픽셀이 매트릭스를 완전히 채우지 않은 경우, 이러한 만족스럽지 않은 조건은 "불량 트래핑(poor trapping)"이라 불린다. 에너지가 주어진 필름에 대해 최적 값을 초과하여 증가된 때, 전사된 픽셀은 거칠게 되어 고 수준의 과다 노출에서는 핀홀(pinhole)을 나타내었다. 이들 데이터는 상이한 샘플들에 대해 표 12에 요약되어 있다.

샘플 228은 최상의 결과, 즉 규정된 규격 내에 색상 값이 있는 상태로 낮은 에너지에서의 우수한 트래핑, 및 균일한 전사된 픽셀을 형성하기에 충분히 양호한 코팅 품질을 제공하였다.

Claims (67)

1. (a) 지지층;

   (b) 상기 지지층의 한 면에 인접하여 배치되며, 광 흡수제를 포함하고, 말레산 무수물 기재의 중합체를 포함하는 광열 변환층; 및

   (c) 상기 지지층에 대향하여 상기 광열 변환층에 인접하여 배치되며, 상기 광열 변환층이 광에 선택적으로 노출될 때 상기 도너 요소로부터 인접한 리시버 요소로 이미지 방식으로 전사될 수 있는 물질을 포함하는 전사층을 포함하는, 광-유도된 전사를 위한 도너 요소.
2. 제1항에 있어서,

   상기 말레산 무수물 기재의 중합체는

   (i) 말레산 무수물 단일중합체;

   (ii) 말레산 단일중합체;

   (iii) 푸마르산 단일중합체;

   (iv) 말레산의 모노에스테르의 단일중합체;

   (v) 푸마르산의 모노에스테르의 단일중합체;

   (vi) 말레산 무수물 공중합체;

   (vii) 말레산 공중합체;

   (viii) 푸마르산 공중합체;

   (ix) 말레산의 모노에스테르의 공중합체;

   (x) 푸마르산의 모노에스테르의 공중합체;

   (xi) 그의 화학적 조합;

   (xii) 그의 물리적 혼합물; 및

   (xiii) 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 중합체를 포함하고,

   상기 말레산 무수물 반복 단위는

   

   으로 나타내어진 3가지의 배위(configuration) 중 적어도 하나로부터 선택되며, 상기 말레산 반복 단위는

   

   으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되고, 상기 푸마르산 반복 단위는

   

   으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되며, 말레산의 모노에스테르의 상기 반복 단위는

   

   으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되고, 푸마르산의 모노에스테르의 상기 반복 단위는

   

   으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되며, 여기서, R₃₁, R₃₂, R₃₃, R₄₁, R₄₂, R₄₃은 동일하거나 상이한 기로서, 수소 또는 탄소 원자수 1 내지 약 5의 알킬일 수 있고;

   R₅₀은

   (a) 1 내지 약 20개의 탄소 원자를 포함하는 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼;

   (b) 각각의 옥시알킬렌 기에서 약 2 내지 약 4개의 탄소 원자를 포함하며, 1 내지 약 20개의 반복 단위의 것일 수 있는, 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼의 옥시알킬화 유도체;

   (c) 각각의 옥시알킬렌 기에서 약 2 내지 약 4개의 탄소 원자를 포함하며, 1 내지 약 6개의 반복 단위의 것일 수 있는, 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼의 옥시알킬화 유도체;

   (d) 적어도 하나의 불포화 부분;

   (e) 적어도 하나의 헤테로원자 부분;

   (f) Li, Na, K 및 NH₄ ⁺로부터 선택되는 염을 형성할 수 있는 알칼리 분자; 및

   (g) 그 조합으로부터 선택되는 작용기인 도너 요소.
3. 제2항에 있어서, 상기 말레산 무수물 기재의 중합체는 적어도 하나의 에틸렌계 불포화 단량체의 부가 중합에 의해 제공되는 것과 등가인 적어도 하나의 유형의 반복 단위를 추가로 포함하는 도너 요소.
4. 제3항에 있어서, 상기 적어도 하나의 에틸렌계 불포화 단량체는 비닐 알킬 에테르, 스티렌, 비닐 아세테이트, 에틸렌, 프로필렌, 1,3-부타디엔, 아이소부틸렌, 그 유도체 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 비닐 알킬 에테르의 상기 알킬은 탄소 원자수가 1 내지 10인 도너 요소.
5. 제4항에 있어서, 상기 말레산 무수물 기재의 중합체는 스티렌-말레산 무수물 중합체인 도너 요소.
6. 제5항에 있어서, 상기 말레산 무수물 기재의 중합체는 말레산의 알킬 모노에스테르, 푸마르산의 알킬 모노에스테르 및 그 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 단량체의 부가 중합에 의해 제공되는 것과 등가인 반복 단위를 포함하며, 여기서, 상기 알킬 모노에스테르는 1 내지 10개의 탄소 원자를 포함하는 도너 요소.
7. 제6항에 있어서, 상기 말레산 무수물 기재의 중합체는 말레산 무수물의 부가 중합에 의해 제공되는 것과 등가인 반복 단위를 추가로 포함하는 도너 요소.
8. 제7항에 있어서, 상기 말레산 무수물 기재의 중합체는 하기 화학식 I로 나타내어지는 구조를 포함하는 도너 요소:

   [화학식 I]

   

   (여기서, x 및 z는 임의의 양의 정수이며;

   y는 0 또는 임의의 양의 정수이고;

   R₂₁ 및 R₂₂는 동일하거나 상이할 수 있으며, 개별적으로 수소, 알킬, 아릴, 아르알킬, 사이클로알킬 및 할로겐이되, 단, R₂₁ 및 R₂₂ 중 하나는 방향족 기이고;

   R₃₁, R₃₂, R₄₁ 및 R₄₂는 동일하거나 상이한 기로서, 수소 또는 탄소 원자수 1 내지 약 5의 알킬일 수 있으며;

   R₅₀은

   (a) 1 내지 약 20개의 탄소 원자를 포함하는 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼;

   (b) 각각의 옥시알킬렌 기에서 약 2 내지 약 4개의 탄소 원자를 포함하며, 1 내지 약 20개의 반복 단위의 것일 수 있는, 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼의 옥시알킬화 유도체;

   (c) 각각의 옥시알킬렌 기에서 약 2 내지 약 4개의 탄소 원자를 포함하며, 1 내지 약 6개의 반복 단위의 것일 수 있는, 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼의 옥시알킬화 유도체;

   (d) 적어도 하나의 불포화 부분;

   (e) 적어도 하나의 헤테로원자 부분;

   (f) Li, Na, K 및 NH₄ ⁺로부터 선택되는 염을 형성할 수 있는 알칼리 분자; 및

   (g) 그 조합으로부터 선택되는 작용기임).
9. 제8항에 있어서, R₂₁ 및 R₂₂는 개별적으로 수소, 메틸, 페닐, 벤질, 또는 탄소 원자수 4 내지 6의 사이클로알킬인 도너 요소.
10. 제9항에 있어서, R₂₁ R₃₁, R₃₂, R_33, R₄₁, R₄₂, R₄₃은 개별적으로 수소이며, R₂₂는 페닐이고, R₅₀은 n-부톡시에틸렌 (nCH₃-CH₂-CH₂-CH₂-O-CH₂-CH₂-)인 도너 요소.
11. 제1항에 있어서, 상기 광 흡수제는 안료를 포함하는 도너 요소.
12. 제1항에 있어서, 상기 광 흡수제는 카본 블랙 및 흑연 중 적어도 하나를 포함하는 도너 요소.
13. 제1항에 있어서, 상기 광 흡수제는 근적외 염료를 포함하는 도너 요소.
14. 제1항에 있어서, 상기 광 흡수제는 약 750 ㎚ 내지 약 1200 ㎚의 파장 사이에서 적어도 하나의 국소 흡수 최대치를 갖는 것을 특징으로 하는 도너 요소.
15. 제1항에 있어서, 상기 광열 변환층은, 약 650 내지 약 1200 ㎚의 파장들 사이에서의 흡광도 최대치가, 약 400 내지 약 650 ㎚의 파장들 사이에서의 상기 광열 변환층의 흡광도 최대치보다 크기 면에서 3배 이상 더 큰 것을 특징으로 하는 도너 요소.
16. 제1항에 있어서, 상기 광열 변환층에는 카본 블랙 및 흑연 둘 모두가 없는 도너 요소.
17. 제1항에 있어서, 상기 광열 변환층은 750 내지 1200 ㎚의 파장에서 흡광도 최대치가 0.2보다 큰 것을 특징으로 하는 도너 요소.
18. 제1항에 있어서, 상기 광열 변환층은 두께가 약 20 ㎚ 내지 약 300 ㎚ 범위인 것을 특징으로 하는 도너 요소.
19. 제1항에 있어서, 상기 광 흡수제는

    a) CAS 번호 [162411-28-1]를 갖는 2-(2-(2-클로로-3-(2-(1,3-다이하이드로-1,1-다이메틸-3-(4-설포부틸)-2H-벤즈[e]인돌-2-일리덴)에틸리덴)-1-사이클로헥센-1-일)에테닐)-1,1-다이메틸-3-(4-설포부틸)-1H-벤즈[e]인돌륨, 분자내 염, 유리 산;

    b) 분자식 C41H47N4Na1O6S3을 가지며, 분자량이 약 811 g/몰인 2-[2-[2-(2-피리미디노티오)-3-[2-(1,3-다이하이드로-1,1-다이메틸-3-(4-설포부틸)-2H-벤즈[e]인돌-2-일리덴)]에틸리덴-1-사이클로펜텐-1-일]에테닐]-1,1-다이메틸-3-(4-설포부틸)-1H-벤즈[e]인돌륨, 분자내 염, 나트륨염;

    c) CAS 번호 [3599-32-4]를 갖는 인도시아닌 그린;

    d) CAS 번호 [128433-68-1]를 갖는 3H-인돌륨, 2-[2-[2-클로로-3-[(1,3-다이하이드로-1,3,3-트라이메틸-2H-인돌-2-일리덴)에틸리덴]-1-사이클로펜텐-1-일]에테닐]-1,3,3-트라이메틸-, 트라이플루오로메탄설폰산과의 염(1:1); 및

    e) 그 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 도너 요소.
20. 제1항에 있어서,

    상기 지지층 및 상기 광열 변환층에는 임의의 금속성 층 및 임의의 금속 산화물 층이 없고;

    상기 광열 변환층은 두께가 약 20 내지 약 300 ㎚ 범위이며, 카본 블랙 및 흑연이 없고, 약 750 ㎚ 내지 약 1200 ㎚ 범위의 파장에서 국소 흡광도 최대치가 약 0.2보다 크며;

    상기 광 흡수제는 근적외 염료를 포함하고;

    스티렌 및 말레산 무수물을 기재로 하는 상기 공중합체는 상기 광열 변환층에 배치되며;

    상기 전사층은 안료를 포함하는 도너 요소.
21. (a) 지지층을 제공하는 단계;

    (b) 상기 지지층의 한 면에 인접하여 배치되며, 광 흡수제를 포함하고, 말레산 무수물 기재의 중합체를 포함하는 광열 변환층을 제공하는 단계; 및

    (c) 상기 지지층에 대향하여 상기 광열 변환층에 인접하여 배치되며, 상기 광열 변환층이 광에 선택적으로 노출될 때 상기 도너 요소로부터 인접한 리시버 요소로 이미지 방식으로 전사될 수 있는 물질을 포함하는 전사층을 제공하는 단계를 포함하는 도너 요소의 제조 방법.
22. 제21항에 있어서,

    상기 말레산 무수물 기재의 중합체는

    (i) 말레산 무수물 단일중합체;

    (ii) 말레산 단일중합체;

    (iii) 푸마르산 단일중합체;

    (iv) 말레산의 모노에스테르의 단일중합체;

    (v) 푸마르산의 모노에스테르의 단일중합체;

    (vi) 말레산 무수물 공중합체;

    (vii) 레산 공중합체;

    (viii) 푸마르산 공중합체;

    (ix) 말레산의 모노에스테르의 공중합체;

    (x) 푸마르산의 모노에스테르의 공중합체;

    (xi) 그의 화학적 조합;

    (xii) 그의 물리적 혼합물; 및

    (xiii) 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 중합체를 포함하고,

    상기 말레산 무수물 반복 단위는

    

    으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되며, 상기 말레산 반복 단위는

    

    으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되고, 상기 푸마르 산 반복 단위는

    

    으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되며, 말레산의 모노에스테르의 상기 반복 단위는

    

    으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되고, 푸마르산의 모노에스테르의 상기 반복 단위는

    

    으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되며, 여기서, R₃₁, R₃₂, R_33, R₄₁, R₄₂, R₄₃은 동일하거나 상이한 기로서, 수소 또는 탄소 원자수 1 내지 약 5의 알킬일 수 있고;

    R₅₀은

    (a) 1 내지 약 20개의 탄소 원자를 포함하는 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼;

    (b) 각각의 옥시알킬렌 기에서 약 2 내지 약 4개의 탄소 원자를 포함하며, 1 내지 약 20개의 반복 단위의 것일 수 있는, 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼의 옥시알킬화 유도체;

    (c) 각각의 옥시알킬렌 기에서 약 2 내지 약 4개의 탄소 원자를 포함하며, 1 내지 약 6개의 반복 단위의 것일 수 있는, 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼의 옥시알킬화 유도체;

    (d) 적어도 하나의 불포화 부분;

    (e) 적어도 하나의 헤테로원자 부분;

    (f) Li, Na, K 및 NH₄ ⁺로부터 선택되는 염을 형성할 수 있는 알칼리 분자; 및

    (g) 그 조합으로부터 선택되는 작용기인 방법.
23. 제22항에 있어서, 상기 말레산 무수물 기재의 중합체는 적어도 하나의 에틸렌계 불포화 단량체의 부가 중합에 의해 제공되는 것과 등가인 적어도 하나의 유형 의 반복 단위를 추가로 포함하는 방법.
24. 제23항에 있어서, 상기 적어도 하나의 에틸렌계 불포화 단량체는 비닐 알킬 에테르, 스티렌, 비닐 아세테이트, 에틸렌, 프로필렌, 1,3-부타디엔, 아이소부틸렌, 그 유도체 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 비닐 알킬 에테르의 상기 알킬은 탄소 원자수가 1 내지 10인 방법.
25. 제24항에 있어서, 상기 말레산 무수물 기재의 중합체는 스티렌-말레산 무수물 중합체인 방법.
26. 제25항에 있어서, 상기 말레산 무수물 기재의 중합체는 말레산의 알킬 모노에스테르, 푸마르산의 알킬 모노에스테르 및 그 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 단량체의 부가 중합에 의해 제공되는 것과 등가인 반복 단위를 포함하며, 여기서, 상기 알킬 모노에스테르는 1 내지 10개의 탄소 원자를 포함하는 방법.
27. 제26항에 있어서, 상기 말레산 무수물 기재의 중합체는 말레산 무수물의 부가 중합에 의해 제공되는 것과 등가인 반복 단위를 추가로 포함하는 방법.
28. 제27항에 있어서, 상기 말레산 무수물 기재의 중합체는 하기 화학식 I로 나타내어지는 구조를 포함하는 방법:

    [화학식 I]

    

    (여기서, x 및 z는 임의의 양의 정수이며;

    y는 0 또는 임의의 양의 정수이고;

    R₂₁ 및 R₂₂는 동일하거나 상이할 수 있으며, 개별적으로 수소, 알킬, 아릴, 아르알킬, 사이클로알킬 및 할로겐이되, 단, R₂₁ 및 R₂₂ 중 하나는 방향족 기이고;

    R₃₁, R₃₂, R₄₁ 및 R₄₂는 동일하거나 상이한 기로서, 수소 또는 탄소 원자수 1 내지 약 5의 알킬일 수 있으며;

    R₅₀은

    (a) 1 내지 약 20개의 탄소 원자를 포함하는 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼;

    (b) 각각의 옥시알킬렌 기에서 약 2 내지 약 4개의 탄소 원자를 포함하며, 1 내지 약 20개의 반복 단위의 것일 수 있는, 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼의 옥시알킬화 유도체;

    (c) 각각의 옥시알킬렌 기에서 약 2 내지 약 4개의 탄소 원자를 포함하며, 1 내지 약 6개의 반복 단위의 것일 수 있는, 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼의 옥시알킬화 유도체;

    (d) 적어도 하나의 불포화 부분;

    (e) 적어도 하나의 헤테로원자 부분;

    (f) Li, Na, K 및 NH₄ ⁺로부터 선택되는 염을 형성할 수 있는 알칼리 분자; 및

    (g) 그 조합으로부터 선택되는 작용기임).
29. 제28항에 있어서, R₂₁ 및 R₂₂는 개별적으로 수소, 메틸, 페닐, 벤질, 또는 탄소 원자수 4 내지 6의 사이클로알킬인 방법.
30. 제29항에 있어서, R₂₁, R₃₁, R₃₂, R_{33 ,} R₄₁, R₄₂, R₄₃은 개별적으로 수소이며, R₂₂는 페닐이고, R₅₀은 n-부톡시에틸렌 (nCH₃-CH₂-CH₂-CH₂-O-CH₂-CH₂-)인 방법.
31. 제21항에 있어서, 상기 광 흡수제는 안료를 포함하는 방법.
32. 제21항에 있어서, 상기 광 흡수제는 카본 블랙 및 흑연 중 적어도 하나를 포함하는 방법.
33. 제21항에 있어서, 상기 광 흡수제는 근적외 염료를 포함하는 방법.
34. 제21항에 있어서, 상기 광 흡수제는 약 750 ㎚ 내지 약 1200 ㎚의 파장들 사이에서 적어도 하나의 국소 흡수 최대치를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
35. 제21항에 있어서, 상기 광열 변환층은, 약 650 내지 약 1200 ㎚의 파장들 사이에서의 흡광도 최대치가, 약 400 내지 약 650 ㎚의 파장들 사이에서의 상기 광열 변환층의 흡광도 최대치보다 크기 면에서 3배 이상 더 큰 것을 특징으로 하는 방법.
36. 제21항에 있어서, 상기 광열 변환층에는 카본 블랙 및 흑연 둘 모두가 없는 방법.
37. 제21항에 있어서, 상기 광열 변환층은 750 내지 1200 ㎚의 파장에서 흡광도 최대치가 0.2보다 큰 것을 특징으로 하는 방법.
38. 제21항에 있어서, 상기 광열 변환층은 두께가 약 20 ㎚ 내지 약 300 ㎚ 범위인 것을 특징으로 하는 방법.
39. 제21항에 있어서, 상기 광 흡수제는

    a) CAS 번호 [162411-28-1]를 갖는 2-(2-(2-클로로-3-(2-(1,3-다이하이드로-1,1-다이메틸-3-(4-설포부틸)-2H-벤즈[e]인돌-2-일리덴)에틸리덴)-1-사이클로헥센-1-일)에테닐)-1,1-다이메틸-3-(4-설포부틸)-1H-벤즈[e]인돌륨, 분자내 염, 유리 산;

    b) 분자식 C41H47N4Na1O6S3을 가지며, 분자량이 약 811 g/몰인 2-[2-[2-(2-피리미디노티오)-3-[2-(1,3-다이하이드로-1,1-다이메틸-3-(4-설포부틸)-2H-벤즈[e]인돌-2-일리덴)]에틸리덴-1-사이클로펜텐-1-일]에테닐]-1,1-다이메틸-3-(4-설포부틸)-1H-벤즈[e]인돌륨, 분자내 염, 나트륨염;

    c) CAS 번호 [3599-32-4]를 갖는 인도시아닌 그린;

    d) CAS 번호 [128433-68-1]를 갖는 3H-인돌륨, 2-[2-[2-클로로-3-[(1,3-다이하이드로-1,3,3-트라이메틸-2H-인돌-2-일리덴)에틸리덴]-1-사이클로펜텐-1-일]에테닐]-1,3,3-트라이메틸-, 트라이플루오로메탄설폰산과의 염(1:1); 및

    e) 그 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법.
40. 제21항에 있어서,

    상기 지지층 및 상기 광열 변환층에는 임의의 금속성 층 및 임의의 금속 산화물 층이 없고;

    상기 광열 변환층은 두께가 약 20 내지 약 300 ㎚ 범위이며, 카본 블랙 및 흑연이 없고, 약 750 ㎚ 내지 약 1200 ㎚ 범위의 파장에서 국소 흡광도 최대치가 약 0.2보다 크며;

    상기 광 흡수제는 근적외 염료를 포함하고;

    스티렌 및 말레산 무수물을 기재로 하는 상기 공중합체는 상기 광열 변환층에 배치되며;

    상기 전사층은 안료를 포함하는 방법.
41. (I)

    (a) 지지층;

    (b) 상기 지지층의 한 면에 인접하여 배치되며, 광 흡수제를 포함하고, 말레산 무수물 기재의 중합체를 포함하는 광열 변환층; 및

    (c) 상기 지지층에 대향하여 상기 광열 변환층에 인접하여 배치되며, 상기 광열 변환층이 광에 선택적으로 노출될 때 상기 도너 요소로부터 인접한 리시버 요소로 이미지 방식으로 전사될 수 있는 물질을 포함하는 전사층

    을 포함하는 도너 요소의 조립체를 제공하는 단계와;

    (II) 상기 조립체를 광에 이미지 방식으로 노출시키고, 이로써 상기 이미지 방식으로 노출된 전사층의 적어도 일부분을 상기 리시버 요소에 전사시켜 이미지를 형성하는 단계와;

    (III) 상기 도너 요소를 상기 리시버 요소로부터 분리하고, 그럼으로써 상기 이미지가 상기 리시버 요소 상에 나타나게 하는 단계를 포함하는, 열전사 공정에서 도너 요소를 이용하여 이미지를 형성하는 방법.
42. 제41항에 있어서,

    상기 말레산 무수물 기재의 중합체는

    (i) 말레산 무수물 단일중합체;

    (ii) 말레산 단일중합체;

    (iii) 푸마르산 단일중합체;

    (iv) 말레산의 모노에스테르의 단일중합체;

    (v) 푸마르산의 모노에스테르의 단일중합체;

    (vi) 말레산 무수물 공중합체;

    (vii) 말레산 공중합체;

    (viii) 푸마르산 공중합체;

    (ix) 말레산의 모노에스테르의 공중합체;

    (x) 푸마르산의 모노에스테르의 공중합체;

    (xi) 그의 화학적 조합;

    (xii) 그의 물리적 혼합물; 및

    (xiii) 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 중합체를 포함하고,

    상기 말레산 무수물 반복 단위는

    

    으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되며, 상기 말레산 반복 단위는

    

    으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되고, 상기 푸마르산 반복 단위는

    

    으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되며, 말레산의 모노에스테르의 상기 반복 단위는

    

    으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되고, 푸마르산의 모노에스테르의 상기 반복 단위는

    

    으로 나타내어진 3가지의 배위 중 적어도 하나로부터 선택되며, 여기서, R₃₁, R₃₂, R_33, R₄₁, R₄₂, R₄₃은 동일하거나 상이한 기로서, 수소 또는 탄소 원자수 1 내지 약 5의 알킬일 수 있고;

    R₅₀은

    (a) 1 내지 약 20개의 탄소 원자를 포함하는 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼;

    (b) 각각의 옥시알킬렌 기에서 약 2 내지 약 4개의 탄소 원자를 포함하며, 1 내지 약 20개의 반복 단위의 것일 수 있는, 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼의 옥시알킬화 유도체;

    (c) 각각의 옥시알킬렌 기에서 약 2 내지 약 4개의 탄소 원자를 포함하며, 1 내지 약 6개의 반복 단위의 것일 수 있는, 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼의 옥시알킬화 유도체;

    (d) 적어도 하나의 불포화 부분;

    (e) 적어도 하나의 헤테로원자 부분;

    (f) Li, Na, K 및 NH₄ ⁺로부터 선택되는 염을 형성할 수 있는 알칼리 분자; 및

    (g) 그 조합으로부터 선택되는 작용기인 방법.
43. 제42항에 있어서, 상기 말레산 무수물 기재의 중합체는 적어도 하나의 에틸렌계 불포화 단량체의 부가 중합에 의해 제공되는 것과 등가인 적어도 하나의 유형의 반복 단위를 추가로 포함하는 방법.
44. 제43항에 있어서, 상기 적어도 하나의 에틸렌계 불포화 단량체는 비닐 알킬 에테르, 스티렌, 비닐 아세테이트, 에틸렌, 프로필렌, 1,3-부타디엔, 아이소부틸렌, 그 유도체 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 비닐 알킬 에테르의 상기 알킬은 탄소 원자수가 1 내지 10인 방법.
45. 제44항에 있어서, 상기 말레산 무수물 기재의 중합체는 스티렌-말레산 무수물 중합체인 방법.
46. 제45항에 있어서, 상기 말레산 무수물 기재의 중합체는 말레산의 알킬 모노에스테르, 푸마르산의 알킬 모노에스테르 및 그 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 단량체의 부가 중합에 의해 제공되는 것과 등가인 반복 단위를 포함하며, 여기서, 상기 알킬 모노에스테르는 1 내지 10개의 탄소 원자를 포함하는 방법.
47. 제46항에 있어서, 상기 말레산 무수물 기재의 중합체는 말레산 무수물의 부가 중합에 의해 제공되는 것과 등가인 반복 단위를 추가로 포함하는 방법.
48. 제47항에 있어서, 상기 말레산 무수물 기재의 중합체는 하기 화학식 I로 나타내어지는 구조를 포함하는 방법:

    [화학식 I]

    

    (여기서, x 및 z는 임의의 양의 정수이며;

    y는 0 또는 임의의 양의 정수이고;

    R₂₁ 및 R₂₂는 동일하거나 상이할 수 있으며, 개별적으로 수소, 알킬, 아릴, 아르알킬, 사이클로알킬 및 할로겐이되, 단, R₂₁ 및 R₂₂ 중 하나는 방향족 기이고;

    R₃₁, R₃₂, R_33, R₄₁, R₄₂, R₄₃은 동일하거나 상이한 기로서, 수소 또는 탄소 원자수 1 내지 약 5의 알킬일 수 있으며;

    R₅₀은

    (a) 1 내지 약 20개의 탄소 원자를 포함하는 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼;

    (b) 각각의 옥시알킬렌 기에서 약 2 내지 약 4개의 탄소 원자를 포함하며, 1 내지 약 20개의 반복 단위의 것일 수 있는, 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼의 옥시알킬화 유도체;

    (c) 각각의 옥시알킬렌 기에서 약 2 내지 약 4개의 탄소 원자를 포함하며, 1 내지 약 6개의 반복 단위의 것일 수 있는, 알킬, 아르알킬, 알킬-치환된 아르알킬 라디칼의 옥시알킬화 유도체;

    (d) 적어도 하나의 불포화 부분;

    (e) 적어도 하나의 헤테로원자 부분;

    (f) Li, Na, K 및 NH₄ ⁺로부터 선택되는 염을 형성할 수 있는 알칼리 분자; 및

    (g) 그 조합으로부터 선택되는 작용기임).
49. 제48항에 있어서, R₂₁ 및 R₂₂는 개별적으로 수소, 메틸, 페닐, 벤질, 또는 탄소 원자수 4 내지 6의 사이클로알킬인 방법.
50. 제49항에 있어서, R₂₁, R₃₁, R₃₂, R_{33 ,} R₄₁, R₄₂, R₄₃은 개별적으로 수소이며, R₂₂ 는 페닐이고, R50은 n-부톡시에틸렌 (nCH₃-CH₂-CH₂-CH₂-O-CH₂-CH₂-)인 방법.
51. 제41항에 있어서, 상기 광 흡수제는 안료를 포함하는 방법.
52. 제41항에 있어서, 상기 광 흡수제는 카본 블랙 및 흑연 중 적어도 하나를 포함하는 방법.
53. 제41항에 있어서, 상기 광 흡수제는 근적외 염료를 포함하는 방법.
54. 제41항에 있어서, 상기 광 흡수제는 약 750 ㎚ 내지 약 1200 ㎚의 파장들 사이에서 적어도 하나의 국소 흡수 최대치를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
55. 제41항에 있어서, 상기 광열 변환층은, 약 650 내지 약 1200 ㎚의 파장들 사이에서의 흡광도 최대치가, 약 400 내지 약 650 ㎚의 파장들 사이에서의 상기 광열 변환층의 흡광도 최대치보다 크기 면에서 3배 이상 더 큰 것을 특징으로 하는 방법.
56. 제41항에 있어서, 상기 광열 변환층에는 카본 블랙 및 흑연 둘 모두가 없는 방법.
57. 제41항에 있어서, 상기 광열 변환층은 750 내지 1200 ㎚의 파장에서 흡광도 최대치가 0.2보다 큰 것을 특징으로 하는 방법.
58. 제41항에 있어서, 상기 광열 변환층은 두께가 약 20 ㎚ 내지 약 300 ㎚ 범위인 것을 특징으로 하는 방법.
59. 제41항에 있어서, 상기 광 흡수제는

    f) CAS 번호 [162411-28-1]를 갖는 2-(2-(2-클로로-3-(2-(1,3-다이하이드로-1,1-다이메틸-3-(4-설포부틸)-2H-벤즈[e]인돌-2-일리덴)에틸리덴)-1-사이클로헥센-1-일)에테닐)-1,1-다이메틸-3-(4-설포부틸)-1H-벤즈[e]인돌륨, 분자내 염, 유리 산;

    g) 분자식 C41H47N4Na1O6S3을 가지며, 분자량이 약 811 g/몰인 2-[2-[2-(2-피리미디노티오)-3-[2-(1,3-다이하이드로-1,1-다이메틸-3-(4-설포부틸)-2H-벤즈[e]인돌-2-일리덴)]에틸리덴-1-사이클로펜텐-1-일]에테닐]-1,1-다이메틸-3-(4-설포부틸)-1H-벤즈[e]인돌륨, 분자내 염, 나트륨염;

    h) CAS 번호 [3599-32-4]를 갖는 인도시아닌 그린;

    i) CAS 번호 [128433-68-1]를 갖는 3H-인돌륨, 2-[2-[2-클로로-3-[(1,3-다이하이드로-1,3,3-트라이메틸-2H-인돌-2-일리덴)에틸리덴]-1-사이클로펜텐-1-일]에테닐]-1,3,3-트라이메틸-, 트라이플루오로메탄설폰산과의 염(1:1); 및

    j) 그 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법.
60. 제41항에 있어서,

    상기 지지층 및 상기 광열 변환층에는 임의의 금속성 층 및 임의의 금속 산화물 층이 없고;

    상기 광열 변환층은 두께가 약 20 내지 약 300 ㎚ 범위이며, 카본 블랙 및 흑연이 없고, 약 750 ㎚ 내지 약 1200 ㎚ 범위의 파장에서 국소 흡광도 최대치가 약 0.2보다 크며;

    상기 광 흡수제는 근적외 염료를 포함하고;

    스티렌 및 말레산 무수물을 기재로 하는 상기 공중합체는 상기 광열 변환층에 배치되며;

    상기 전사층은 안료를 포함하는 방법.
61. 제41항에 있어서, 상기 광을 약 650 ㎚ 내지 약 1200 ㎚의 파장에서 에너지 출력 최대치를 갖는 레이저로 제공하는 방법.
62. 제41항에 있어서, 상기 광을 약 650 ㎚ 내지 약 800 ㎚의 파장에서 에너지 출력 최대치를 갖는 레이저로 제공하는 방법.
63. 제41항에 있어서, 상기 광을 약 800 ㎚ 내지 약 900 ㎚의 파장에서 에너지 출력 최대치를 갖는 레이저로 제공하는 방법.
64. 제41항에 있어서, 상기 광을 약 900 ㎚ 내지 약 1200 ㎚의 파장에서 에너지 출력 최대치를 갖는 레이저로 제공하는 방법.
65. 제41항에 있어서, 상기 전사되는 부분은 온전한 부피의 상기 전사층을 포함하는 방법.
66. 제41항에 있어서, 상기 전사되는 부분은 온전한 부피의 상기 전사층을 포함하며, 상기 광은 약 650 ㎚ 내지 약 1200 ㎚의 파장에서 에너지 출력 최대치를 갖는 레이저에 의해 제공되고, 상기 전사층은 안료를 포함하는 방법.
67. 제41항에 있어서, 상기 광은 이미지 형성 노출 동안 상기 광열 변환층에 의해 약 40% 내지 약 80% 투과되는 방법.

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