CN111092171B

CN111092171B - 有机发光二极管结构的形成方法

Info

Publication number: CN111092171B
Application number: CN201811234229.6A
Authority: CN
Inventors: 刘振宇; 魏丽真; 林熙乾
Original assignee: TPK Touch Solutions Inc
Current assignee: TPK Touch Solutions Inc
Priority date: 2018-10-23
Filing date: 2018-10-23
Publication date: 2022-08-16
Anticipated expiration: 2038-10-23
Also published as: CN111092171A; TW202017227A; TWI699923B

Abstract

一种有机发光二极管结构的形成方法在此揭露。此方法包含形成一图案化反射层于一予体基板上；形成一经近红外光吸收官能基修饰的有机材料薄膜于图案化反射层上；以及以一光照射经近红外光吸收官能基修饰的有机材料薄膜以将未被图案化反射层掩盖的区域，转移至一半导体基板下，形成一图案化有机材料薄膜，其中经近红外光吸收官能基修饰的有机材料薄膜对于波长大于600nm的光其吸收强度大于10^0.2，本发明可直接形成三种具有不同放光颜色的有机发光二极管结构，不需额外加入彩色滤光片，而达到简化制程和使得显示器更为轻薄化的好处，亦不需在面板后加上背光源，大幅降低耗电量及成本，深具商业潜力。

Description

有机发光二极管结构的形成方法

技术领域

本发明是有关一种形成有机发光二极管结构的方法，特别是有关一种形成含有经近红外光吸收官能基修饰的有机材料薄膜的有机发光二极管结构的方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)具有广视角、高对比、低耗电、应答速度快、低操作电压、制程简单及具有自发光性而不需背光模组等优点，因此能够大幅降低制作成本，被认为是深具竞争力的显示技术。

有机发光二极管基本上是多层薄膜结构，包含阳极、阴极及位于阳极和阴极之间的有机材料薄膜。一种传统形成有机发光二极管结构的方法，其是利用热蒸镀将有机发光二极管中的各层有机材料薄膜制作于基板之上，再进行贴合封装以完成有机发光二极管元件。另一种传统形成有机发光二极管结构的方法，其是遮罩转印微影技术(Flash masktransfer lithography)，首先，将一具有吸热能力的吸收层形成于一含有图案化反射层的予体基板上，再将单层有机材料薄膜形成于吸收层上，接着，从予体基板的下方提供光照，部分光照被反射层阻挡而无法被吸收层吸收，而未被反射层阻挡的光照则能够加热吸收层，被加热后的吸收层能够加热其上方的有机材料薄膜而挥发转印至另一基板上，而在另一基板上形成图案化的有机发光二极管结构。

然而，由于有机材料薄膜的吸热性不佳，一般均会影响转印的效果，例如，转印后的有机材料薄膜会产生缺角或边缘不清楚。此外，有机材料薄膜与吸收层的热传导不完全则会导致转印后膜厚不均。上述问题会导致最后所形成的有机发光二极管结构良率不佳。有鉴于此，需要提供一种新的形成有机发光二极管结构的方法。

发明内容

为了解决上述先前技术的缺点，本发明提供一种形成含有经近红外光吸收官能基修饰的有机材料薄膜的有机发光二极管结构的方法。为了增加有机材料薄膜的吸热特性，将近红外光吸收官能基(Near-Infrared absorbing functional group)引入至有机材料薄膜的材料的分子结构上，使得由经修饰后的材料所形成的有机材料薄膜能够直接将光能转变成热能，而顺利挥发形成图案化有机发光二极管结构。

本发明的一态样为一种有机发光二极管结构的形成方法，包含形成一图案化反射层于一予体基板上；形成一经近红外光吸收官能基修饰的有机材料薄膜于图案化反射层上；以及以一光从予体基板形成有图案化反射层之侧的相对一侧照射经近红外光吸收官能基修饰的有机材料薄膜，以将未被图案化反射层掩盖的区域的经近红外光吸收官能基修饰的有机材料薄膜转移至一半导体基板的表面，形成一图案化有机材料薄膜，其中经近红外光吸收官能基修饰的有机材料薄膜对于波长大于600nm的光其吸收强度大于10^0.2。

根据本发明一或多个实施方式，有机材料薄膜是一空穴注入层、一空穴传递层、一发光层或一电子传递层。

根据本发明一或多个实施方式，近红外光吸收官能基包含硝基(-NO₂)、羟基(-OH)、醛基(-CHO)、羰基(C＝O)、羧基(-COOH)、氯基(-Cl)、溴基(-Br)或含有上述官能基的基团。

根据本发明一或多个实施方式，经近红外光吸收官能基修饰的有机材料薄膜具有一分子能阶，分子能阶的最高占有轨道小于或等于-4.5eV、分子能阶的最低未占有轨道小于或等于-1.8eV或分子能阶的最高占有轨道与分子能阶的最低未占有轨道的能阶差介于2～4.5eV。

根据本发明一或多个实施方式，经近红外光吸收官能基修饰的有机材料薄膜具有一热导率大于0.1W/mK。

根据本发明一或多个实施方式，经近红外光吸收官能基修饰的有机材料薄膜具有一热容量大于0.8cal/g℃。

根据本发明一或多个实施方式，光是由一光源发出，光源是选自由闪光灯、激光灯、发光二极管、卤素灯、冷阴极射线管灯、日光灯、白炽灯及其组合所组成的群组。

本发明的另一态样为一种有机发光二极管结构的形成方法，包含形成一第一图案化反射层于一第一予体基板上；形成一经近红外光吸收官能基修饰的第一有机材料薄膜于第一图案化反射层上；以一光从第一予体基板形成有第一图案化反射层之侧的相对一侧照射经近红外光吸收官能基修饰的第一有机材料薄膜，以将未被第一图案化反射层掩盖的区域的经近红外光吸收官能基修饰的第一有机材料薄膜转移至一半导体基板的表面，形成一第一图案化有机材料薄膜；形成一第二图案化反射层于一第二予体基板上；形成一经近红外光吸收官能基修饰的第二有机材料薄膜于第二图案化反射层上；以光从第二予体基板形成有第二图案化反射层之侧的相对一侧照射经近红外光吸收官能基修饰的第二有机材料薄膜，以将未被第二图案化反射层掩盖的区域的经近红外光吸收官能基修饰的第二有机材料薄膜转移至半导体基板的表面，形成一第二图案化有机材料薄膜，其中经近红外光吸收官能基修饰的第一有机材料薄膜以及经近红外光吸收官能基修饰的第二有机材料薄膜对于波长大于600nm的光其吸收强度大于10^0.2。

根据本发明一或多个实施方式，第一有机材料薄膜以及第二有机材料薄膜是独立为一红色发光层、一绿色发光层或一蓝色发光层。

根据本发明一或多个实施方式，第一有机材料薄膜以及第二有机材料薄膜是独立为一空穴注入层、一空穴传递层、一发光层或一电子传递层。

综上所述，本发明透过将近红外光吸收官能基引入至有机材料薄膜的材料的分子结构上，使得经修饰后的材料能够直接将光能转变成热能，而使得经近红外光吸收官能基修饰的有机材料薄膜顺利挥发，提升了转印的解析度和所形成的有机发光二极管结构的良率，此外，由于不需制作吸收层，亦能够降低制作成本。

本发明可以直接形成三种具有不同放光颜色的有机发光二极管结构，而能够直接作为多彩或全彩显示器的像素，不需如液晶显示器需额外加入彩色滤光片，而达到简化制程和使得显示器更为轻薄化的好处，亦不需在面板后加上背光源，而大幅降低耗电量及成本，深具商业潜力。

以下将以实施方式对上述的说明作详细的描述，并对本发明内容的技术方案提供更进一步的解释。

附图说明

为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施方式能更明显易懂，所附附图的详细说明如下：

图1A～图1E是根据本发明的一实施方式所绘示的一种形成有机发光二极管结构的方法的各阶段剖面示意图；

图2是根据本发明的一实施方式所绘示的一种形成有机发光二极管结构的方法的一阶段剖面示意图；以及

图3A～图3H是根据本发明的一实施方式所绘示的一种形成有机发光二极管结构的方法的各阶段剖面示意图。

具体实施方式

以下将以附图揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明各种实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。

本文所使用的有关“包括”、“包含”、“具有”、“含有”、“涉及”及其他相似涵意的词汇皆为开放式，举例来说，意指包括但不限于此。

除非内容中有其他清楚的指称，本文所使用的单数词包括复数的指称对象，因此举例来说，除非内容中有其他清楚的指称，否则一层便包括一些具有两个或更多个层的实施方式，透过参考“一实施方式”这样特定的指称，在至少其中之一的本发明的实施方式中，表示一种特定的特征、结构或特色，因此在各处的“在一实施方式”，这样的片语透过特别的指称出现时，并不需要参考相同的实施方式，更进一步，在一或多实施方式中，这些特别的特征、结构、或特色可以依合适的情况相互组合。

此外，相对词汇，如“下”或“底部”与“上”或“顶部”，用来描述文中在附图中所示的一元件与另一元件的关系。相对词汇是用来描述装置在附图中所描述之外的不同方位是可以被理解的。例如，如果一附图中的装置被翻转，元件将会被描述原为位于其它元件的“下”侧将被定向为位于其他元件的“上”侧。例示性的词汇“下”，根据附图的特定方位可以包含“下”和“上”两种方位。

本发明提供一种含有经近红外光吸收官能基修饰的有机材料薄膜的有机发光二极管结构的形成方法。为了增加有机材料薄膜的吸热特性，将近红外光吸收官能基引入至有机材料薄膜的材料的分子结构上，使得经近红外光吸收官能基修饰的有机材料薄膜能够直接将光能转变成热能，具备良好的吸热能力。

在一实施方式中，近红外光吸收官能基包含硝基(-NO₂)、羟基(-OH)、醛基(-CHO)、羰基(C＝O)、羧基(-COOH)、氯基(-Cl)、溴基(-Br)或含有上述官能基的基团。

具体而言，有机材料薄膜是空穴注入层、空穴传递层、发光层或电子传递层。空穴注入层、空穴传递层、发光层以及电子传递层的材料的分子结构内皆含有高度π共轭系统(conjugated system)，例如：多芳香环，因此可以利用一般修饰芳香环的合成方法将上述的近红外光吸收官能基修饰至空穴注入层、空穴传递层、发光层以及电子传递层的材料的分子结构上，而形成经近红外光吸收官能基修饰的空穴注入层、经近红外光吸收官能基修饰的空穴传递层、经近红外光吸收官能基修饰的发光层以及经近红外光吸收官能基修饰的电子传递层。

根据以下实施方式修饰有机材料薄膜的材料中的芳香环结构，以将近红外光吸收官能基引入有机材料薄膜的材料的分子结构中。在一实施方式中，将有机材料薄膜的材料与硝酸混合，再以浓硫酸作为催化剂进行硝化反应，将硝基修饰至芳香环上。在一实施方式中，将有机材料薄膜的材料与一碘甲烷反应，再以氯化铝作为催化剂，将甲基修饰到芳香环上，进一步将甲基氧化为醛基，则得到经醛基修饰的芳香环。在一实施方式中，进一步将经醛基修饰的芳香环的醛基氧化为羧基，则得到经羧基修饰的芳香环。在一实施方式中，对经醛基修饰的芳香环进行氢化，则得到经羟基修饰的芳香环。在一实施方式中，将有机材料薄膜的材料与卤素分子进行卤化反应，并加入催化剂，例如：氯化铁或溴化铁，则得到经氯基或溴基修饰的芳香环。因此，含有芳香环结构的空穴注入层、空穴传递层、发光层和电子传递层皆可利用上述合成方法进行修饰，经近红外光吸收官能基修饰后的各层皆具有高吸收系数以及良好的热稳定性，且对于波长大于600nm的光其吸收强度大于10^0.2。特别注意的是，经近红外光吸收官能基修饰的有机材料薄膜依然能保有原本的特性，例如：空穴注入能力、空穴传递能力、发光特性和电子传递能力。

举例来说，空穴注入层的材料包含聚(3,4-并乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)polystyrene sulfonate，PEDOT:PSS)。

举例来说，空穴传递层的材料包含N,N′-双(萘-1-基)-N,N′-双(苯基)-联苯胺(N,N′-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N′-bis(phenyl)-benzidine，NPB)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(2,3,6,7,10,11-Hexacyano-1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylene，HAT-CN)、4,4′,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(4,4′,4”-Tris(carbazol-9-yl)triphenylamine，TCTA)、酞菁铜(Copper(II)phthalocyanine，CuPC)。

举例来说，发光层的材料包含萤光材料、磷光材料或其组合，每个萤光材料以及磷光材料能发出红光(例如：620～660nm)、绿光(例如：520～560nm)、蓝光(例如：430～480nm)或该等色光的混合。具体来说，发光层的材料包含聚芴(polyfluorene，PF)、三(8-羟基喹啉)化铝(Tris(8-hydroxy quinoline)aluminum(Ⅲ)，Alq₃)或八乙基卟吩铂(platinum-octaethyl-porphyrin，PtOEP)。

举例来说，电子传递层的材料包含三(8-羟基喹啉)化铝、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(bathocuproine，BCP)、4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline，BPhen)、2-甲基-9,10-二(2-萘)蒽(2-methyl-9,10-di[2-naphthyl]anthracene，MADN)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)(1,3,5-Tris(1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl)benzene，TPBI)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯(1,3,5-Tri(m-pyridin-3-ylphenyl)benzene，TmPyPhB)。

在一实施方式中，经近红外光吸收官能基修饰的空穴注入层、空穴传递层、发光层和电子传递层的材料各具有一分子能阶，分子能阶的最高占有轨道小于或等于-4.5eV、分子能阶的最低未占有轨道小于或等于-1.8eV或分子能阶的最高占有轨道与分子能阶的最低未占有轨道的能阶差介于2～4.5eV。

在一实施方式中，经近红外光吸收官能基修饰的空穴注入层、空穴传递层、发光层和电子传递层的材料各具有一热导率大于0.1W/mK。在一实施方式中，经近红外光吸收官能基修饰的空穴注入层、空穴传递层、发光层和电子传递层的材料各具有一热容量大于0.8cal/g℃。

图1A～图1E是根据本发明的一实施方式所绘示的一种形成有机发光二极管结构的方法的各阶段剖面示意图。如图1A所示，图1A绘示一半导体基板110、一第一予体基板111、一第一图案化反射层112以及一经近红外光吸收官能基修饰的第一载子注入层120。形成方法包含以下步骤，形成第一图案化反射层112于第一予体基板111上，形成经近红外光吸收官能基修饰的第一载子注入层120于第一图案化反射层112及第一予体基板111上，再以一光160从第一予体基板111形成有第一图案化反射层112之侧的相对一侧照射经近红外光吸收官能基修饰的第一载子注入层120，以将未被第一图案化反射层112掩盖的区域的经近红外光吸收官能基修饰的第一载子注入层120转移至半导体基板110的表面上，形成如图1B所示的图案化第一载子注入层122。由于经过近红外光吸收官能基的修饰，因此经近红外光吸收官能基修饰的第一载子注入层120能够直接将光能转变成热能而使未被第一图案化反射层112掩盖的区域挥发(sublimation)而能够转印到半导体基板110的表面上，达到在半导体基板110上形成图案化第一载子注入层122的目的。

在一实施方式中，半导体基板110包含至少一薄膜晶体管(thin-filmtransistor，TFT)(未绘示)以提供驱动电流至有机发光二极管结构，例如：非晶硅(α-Si)薄膜晶体管、低温多晶硅(low temperature ploysilicon，LTPS)薄膜晶体管或金属氧化物薄膜晶体管。举例来说，先在一玻璃基板上制作薄膜晶体管，再覆盖一保护层于薄膜晶体管上形成半导体基板。在一实施方式中，形成保护层的方法包含化学气相沉积法(chemicalvapor deposition)、物理气相沉积法(physical vapor deposition)、旋转涂布(spincoating)或印刷式涂布(inkject printing)。在一实施方式中，第一予体基板111包含一玻璃基板或其他具有透光性质的基板。在一实施方式中，第一图案化反射层112包含遮罩或光罩。

在一实施方式中，形成经近红外光吸收官能基修饰的第一载子注入层120于第一图案化反射层112及予体基板111上的方法是真空镀膜(vacuum deposition)、真空热蒸镀(vacuum thermal evaporation)、旋转涂布、喷洒涂布(spray coating)、印刷式涂布、拓印或溅镀(sputtering deposition)。

在一实施方式中，光160是由一光源发出，光源是选自由闪光灯(Flash lamp)、激光灯、发光二极管、卤素灯、冷阴极射线管灯、日光灯、白炽灯及其组合所组成的群组。

如图1C所示，图1C绘示半导体基板110、一第二予体基板113、一第二图案化反射层114、图案化第一载子注入层122以及一经近红外光吸收官能基修饰的第一载子传递层130。请参阅图1A所述的实施方式，形成经近红外光吸收官能基修饰的第一载子传递层130于第二予体基板113以及第二图案化反射层114上，以光160从第二予体基板113形成有第二图案化反射层114之侧的相对一侧照射经近红外光吸收官能基修饰的第一载子传递层130，以将未被第二图案化反射层114掩盖的区域的经近红外光吸收官能基修饰的第一载子传递层130转移至半导体基板110的表面上，形成如图1D所示的图案化第一载子传递层132。由于经过近红外光吸收官能基的修饰，因此经近红外光吸收官能基修饰的第一载子传递层130能够直接将光能转变成热能而使未被第二图案化反射层114掩盖的区域挥发而能够转印到半导体基板110的表面上。值得注意的是，第一图案化反射层112的图案与第二图案化反射层114相同，因此在转印之后，图案化第一载子传递层132会对齐地堆叠在图案化第一载子注入层122的表面。

如图1E所示，半导体基板110之下有一发光堆叠结构154，发光堆叠结构154包含图案化第一载子注入层122、图案化第一载子传递层132、一图案化发光层142以及一图案化第二载子传递层152。其中，图案化发光层142以及图案化第二载子传递层152分别是由经近红外光吸收官能基修饰的发光层和经近红外光吸收官能基修饰的第二载子传递层挥发转印所形成，因此，形成图案化发光层142以及图案化第二载子传递层152的方法请参照第1A～1D图所示的实施方式。

此外，有机发光二极管结构还包含一第一电极(未示出)和一第二电极(未示出)分别与一外部电场电性连接，第一电极位于图案化第一载子注入层122之上，且第一电极可被设置于半导体基板110之中或半导体基板110之下，并与薄膜晶体管的源极或汲极直接电性连接。第二电极位于图案化第二载子传递层152之下，具体来说，在形成发光堆叠结构154之后，再形成第二电极于发光堆叠结构154之下，形成有机发光二极管结构。

在一实施方式中，第一电极为阳极，第一载子注入层为空穴注入层(holeinjection layer)，第一载子传递层为空穴传递层(hole transport layer)，第二载子传递层为电子传递层(electron transport layer)，第二电极为阴极，且阳极直接连接于薄膜晶体管的源极，此有机发光二极管结构为向前堆叠式(forward-stacked)。在另一实施方式中，有机发光二极管结构可省略第一载子注入层。在另一实施方式中，第一电极为阴极，第一载子传递层为电子传递层，第二载子传递层为空穴传递层，第二电极为阳极，且阴极直接连接于薄膜晶体管的汲极，此有机发光二极管结构为倒置型。特别注意的是，可根据材料特性的不同，调整有机发光二极管结构中所含的有机材料薄膜数量。

在一实施方式中，阴极的材料包含镁银(Mg:Ag)、铝、银、金、钙、镍、铂、锂、氧化锌(Zinc Oxide)、氧化铝锌(Aluminum-doped Zinc Oxide，AZO(Al:ZnO))以及其组合。在一实施方式中，阳极的材料包含铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)。

图2是根据本发明的一实施方式所绘示的一种形成有机发光二极管结构的方法的一阶段剖面示意图。图2中所包含的元件与图1A相似，不同的是，在图2中，经近红外光吸收官能基修饰的第一载子注入层120位于一予体基板115以及一图案化反射层116之间，当光160照射经近红外光吸收官能基修饰的第一载子注入层120时，未被图案化反射层116掩盖的区域能挥发而转印到半导体基板110之下，而被图案化反射层116掩盖的区域则被图案化反射层116阻挡而无法转印到半导体基板110之下。图2所示的配置亦可用于本发明的所有实施方式中。

图3A～图3H是根据本发明的一实施方式所绘示的一种形成有机发光二极管结构的方法的各阶段剖面示意图。请参阅图1A～图1E以及图2所示的实施方式，于图3A中的半导体基板110下形成一图案化第一载子注入层222以及一图案化第一载子传递层232的堆叠，此外，形成一第一图案化反射层212于一第一予体基板211上，再形成一经近红外光吸收官能基修饰的第一发光层242于第一图案化反射层212及第一予体基板211上之后，以光160从第一予体基板211形成有第一图案化反射层212之侧的相对一侧照射经近红外光吸收官能基修饰的第一发光层242，以将未被第一图案化反射层112掩盖的区域的经近红外光吸收官能基修饰的第一发光层242转移至部份的图案化第一载子传递层232的表面且整齐堆叠，形成如图3B所示的图案化第一发光层243。

请参阅图3A～图3B所示的实施方式，利用图3C所示的一第二予体基板213、一第二图案化反射层214以及一经近红外光吸收官能基修饰的第二发光层244，形成如图3D所示的一图案化第二发光层245于部份的图案化第一载子传递层232的表面且整齐堆叠，在此不再赘述。

请参阅图3A～图3B所示的实施方式，利用图3E所示的一第三予体基板215、一第三图案化反射层216以及一经近红外光吸收官能基修饰的第三发光层246，形成如图3F所示的一图案化第三发光层247于部份的图案化第一载子传递层232的表面且整齐堆叠，在此不再赘述。

请参阅图3A～图3B所示的实施方式，利用图3G所示的一予体基板217、一图案化反射层218以及一经近红外光吸收官能基修饰的第二载子传递层250，形成如图3H所示的一图案化第二载子传递层252于图案化第一发光层243、图案化第二发光层245以及图案化第三发光层247的表面且整齐堆叠，因此于半导体基板110下形成第一发光堆叠结构254、第二发光堆叠结构256以及第三发光堆叠结构258。此外，再形成第二电极(未示出)于第一发光堆叠结构254、第二发光堆叠结构256以及第三发光堆叠结构258之下，形成多个有机发光二极管结构。

在一实施方式中，第一发光层、第二发光层以及第三发光层是独立为红色发光层、绿色发光层或蓝色发光层。在一实施方式中，第一发光层为红色发光层、第二发光层为绿色发光层以及第三发光层为蓝色发光层，由此可知，透过图3A～图3H的形成步骤，可以直接形成三种具有不同放光颜色的有机发光二极管结构，而能够直接作为多彩或全彩显示器的像素，不需如液晶显示器需额外加入彩色滤光片，而达到简化制程和使得显示器更为轻薄化的好处，此外，亦不需在面板后加上背光源，而大幅降低耗电量及成本，深具商业潜力。

虽然本发明内容已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明内容的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求书所界定的范围为准。

Claims

1.一种有机发光二极管结构的形成方法，其特征在于，包含：

形成一图案化反射层于一予体基板上；

形成一经近红外光吸收官能基修饰的有机材料薄膜于该图案化反射层上；以及

以一光从该予体基板形成有该图案化反射层之侧的相对一侧照射该经近红外光吸收官能基修饰的有机材料薄膜，以将未被该图案化反射层掩盖的区域的该经近红外光吸收官能基修饰的有机材料薄膜挥发转移至一半导体基板的表面，形成一图案化有机材料薄膜，其中该经近红外光吸收官能基修饰的有机材料薄膜对于波长大于600nm的该光其吸收强度大于10^0.2。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构的形成方法，其特征在于，该有机材料薄膜是一空穴注入层、一空穴传递层、一发光层或一电子传递层。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构的形成方法，其特征在于，该近红外光吸收官能基包含硝基(-NO₂)、羟基(-OH)、醛基(-CHO)、羰基(C＝O)、羧基(-COOH)、氯基(-Cl)、溴基(-Br)或含有上述官能基的基团。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构的形成方法，其特征在于，该经近红外光吸收官能基修饰的有机材料薄膜具有一分子能阶，该分子能阶的最高占有轨道小于或等于-4.5eV、该分子能阶的最低未占有轨道小于或等于-1.8eV或该分子能阶的最高占有轨道与该分子能阶的最低未占有轨道的能阶差介于2～4.5eV。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构的形成方法，其特征在于，该经近红外光吸收官能基修饰的有机材料薄膜具有一热导率大于0.1W/mK。

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构的形成方法，其特征在于，该经近红外光吸收官能基修饰的有机材料薄膜具有一热容量大于0.8cal/g℃。

7.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构的形成方法，其特征在于，该光是由一光源发出，该光源是选自由闪光灯、激光灯、发光二极管、卤素灯、冷阴极射线管灯、日光灯、白炽灯及其组合所组成的群组。

8.一种有机发光二极管结构的形成方法，其特征在于，包含：

形成一第一图案化反射层于一第一予体基板上；

形成一经近红外光吸收官能基修饰的第一有机材料薄膜于该第一图案化反射层上；

以一光从该第一予体基板形成有该第一图案化反射层之侧的相对一侧照射该经近红外光吸收官能基修饰的第一有机材料薄膜，以将未被该第一图案化反射层掩盖的区域的该经近红外光吸收官能基修饰的第一有机材料薄膜挥发转移至一半导体基板的表面，形成一第一图案化有机材料薄膜；

形成一第二图案化反射层于一第二予体基板上；

形成一经近红外光吸收官能基修饰的第二有机材料薄膜于该第二图案化反射层上；

以该光从该第二予体基板形成有该第二图案化反射层之侧的相对一侧照射该经近红外光吸收官能基修饰的第二有机材料薄膜，以将未被该第二图案化反射层掩盖的区域的该经近红外光吸收官能基修饰的第二有机材料薄膜挥发转移至该半导体基板的表面，形成一第二图案化有机材料薄膜，其中该经近红外光吸收官能基修饰的第一有机材料薄膜以及该经近红外光吸收官能基修饰的第二有机材料薄膜对于波长大于600nm的该光其吸收强度大于10^0.2。

9.根据权利要求8所述的有机发光二极管结构的形成方法，其特征在于，该第一有机材料薄膜以及该第二有机材料薄膜是独立为一红色发光层、一绿色发光层或一蓝色发光层。

10.根据权利要求8所述的有机发光二极管结构的形成方法，其特征在于，该第一有机材料薄膜以及该第二有机材料薄膜是独立为一空穴注入层、一空穴传递层、一发光层或一电子传递层。