KR20090018782A - Laser processing apparatus - Google Patents

Laser processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20090018782A
KR20090018782A KR1020087026157A KR20087026157A KR20090018782A KR 20090018782 A KR20090018782 A KR 20090018782A KR 1020087026157 A KR1020087026157 A KR 1020087026157A KR 20087026157 A KR20087026157 A KR 20087026157A KR 20090018782 A KR20090018782 A KR 20090018782A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
laser
gas
scanning direction
irradiation
processing apparatus
Prior art date
Application number
KR1020087026157A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101101198B1 (en
Inventor
마사시 마치다
미키 사와이
유이치 나카다
히로타카 사즈카
Original Assignee
가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼 filed Critical 가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼
Publication of KR20090018782A publication Critical patent/KR20090018782A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101101198B1 publication Critical patent/KR101101198B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/14—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
    • B23K26/1462—Nozzles; Features related to nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

It is possible to preferably form a gas atmosphere of a laser irradiation portion of a work in a laser processing unit. The laser processing unit processes the work by applying a laser light (3) to the work (amorphous semiconductor thin film (10)) while performing relative scanning. The laser processing device includes: a gas injection unit (a laser light application/gas injection opening (8)) for injecting a gas which forms an irradiation atmosphere in the vicinity of the laser irradiation portion of the work; and rectification planes (rectification plates (7a, 7b)) which extend along the scan direction from the vicinity of the gas injection portion while keeping a distance from the work surface. Thus, it is possible to form a gas atmosphere in a wide range along the scan direction and effectively perform laser processing such as anneal by using the preferable gas atmosphere upon laser application.

Description

레이저 처리 장치{LASER PROCESSING APPARATUS}Laser processing device {LASER PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 비정질 반도체 박막 등의 피처리체에 레이저광을 조사해서 결정화 등의 처리를 행하는 레이저 처리 장치에 관한 것이다.This invention relates to the laser processing apparatus which irradiates a laser beam to a to-be-processed object, such as an amorphous semiconductor thin film, and performs processes, such as crystallization.

종래에는 레이저에 의한 아몰퍼스(amorphous) 실리콘막의 결정화 장치에 있어서 대기의 영향을 제거하여 결정화에 최적의 분위기를 제어하기 위해서 처리실을 한번 진공 처리한 후에 처리용 가스를 유입하는 대신에 조사 분위기만을 제어하는 방법으로서 다음에 설명하는 것이 알려져 있다.Conventionally, in the crystallization apparatus of an amorphous silicon film by laser, in order to remove the influence of the atmosphere and to control the optimum atmosphere for crystallization, only the irradiation atmosphere is controlled instead of introducing the processing gas after vacuuming the processing chamber once. The following description is known as a method.

(1) 질소 가스를 분사해서 레이저 조사 부분 근방만을 질소 분위기로 하는 질소 가스 분사 수단을 구비하고, 상기 질소 가스 분사 수단은 레이저광이 통과하는 슬릿, 그 슬릿의 주변부에 형성된 복수개의 질소 가스 분출구, 및 그들 복수개의 질소 가스 분출구의 주위에 형성된 래버린스 시일(labyrinth seal)부를 갖는 판 형상 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링 처리 장치(특허 문헌 1 참조). (1) a nitrogen gas injection means for injecting nitrogen gas into a nitrogen atmosphere only in the vicinity of the laser irradiation portion, the nitrogen gas injection means comprising: a slit through which the laser light passes, a plurality of nitrogen gas ejection openings formed in the periphery of the slit, And a plate-shaped nozzle having a labyrinth seal portion formed around the plurality of nitrogen gas ejection openings (see Patent Document 1).

(2) 절연 기판 상에 형성된 비정질 반도체막을 레이저빔 어닐법에 의해 결정화하는 다결정 반도체막의 제조 장치에 있어서 레이저빔을 비정질 반도체막에 조사할 때에 빔 조사되는 기판 표면의 분위기를 제어할 수 있는 국소 실드를 레이저빔 주위에 구비하는 것을 특징으로 하는 다결정 반도체막의 제조 장치(특허 문헌 2 참조).(2) In the apparatus for producing a polycrystalline semiconductor film which crystallizes an amorphous semiconductor film formed on an insulating substrate by a laser beam annealing method, a local shield capable of controlling the atmosphere of the surface of the substrate to which the beam is irradiated when the laser beam is irradiated onto the amorphous semiconductor film. Is provided around a laser beam, The manufacturing apparatus of the polycrystal semiconductor film (refer patent document 2).

특허 문헌 1: 일본 특허 공개 2000-349041호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 2000-349041

특허 문헌 2: 일본 특허 공개 2002-93738호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Laid-Open No. 2002-93738

상기의 종래 장치에서는 레이저광에 대하여 아몰퍼스 실리콘 기판을 시료대와 함께 이동시켜 레이저광의 주사를 가능하게 함으로써 아몰퍼스 실리콘의 임의의 영역에서의 처리를 가능하게 하고 있다.In the above conventional apparatus, the amorphous silicon substrate is moved with the sample stage with respect to the laser beam to enable scanning of the laser beam, thereby enabling processing in any region of amorphous silicon.

이 때문에, 상기 종래 기술 중 (1)에서 시료대 이동전의 조사전 위치는 기판 상부가 대기와 접하여 있으므로 시료대가 움직인 직후의 조사면은 대기 분위기가 혼입되기 쉽다. 스윙 노즐 또는 슬릿 근방은 가스가 흘러 목적의 분위기로 치환되지만, 조사면 내에 있어서 부분적으로 대기 중의 산소가 혼입되고 시료대 이동 직후에 있어서의 조사면 내의 산소 농도 분포 균일성이 확보되지 않는다는 문제가 있다.For this reason, in the above prior art, since the upper part of the substrate is in contact with the atmosphere in the position before irradiation of the sample stage, the irradiation surface immediately after the sample stage is moved is likely to mix with the atmospheric atmosphere. In the vicinity of the swing nozzle or the slit, the gas flows to replace the target atmosphere, but there is a problem in that oxygen in the atmosphere is partially mixed in the irradiation surface and the oxygen concentration distribution uniformity in the irradiation surface immediately after the movement of the sample is not secured. .

또한, 종래 기술의 (2)에서도 마찬가지로 국소 실드 하면 외의 조사전 위치는 대기 분위기이고, 조사 위치로 움직인 직후는 조사면 내에 있어서 부분적으로 대기 중의 산소가 혼입되고 시료대 이동 직후에 있어서의 조사면 내의 산소 농도 분포 균일성이 확보되지 않는다는 문제가 있다.In addition, also in the prior art (2), the position before irradiation except the local shield is an atmosphere, and immediately after moving to the irradiation position, oxygen in the atmosphere is partially mixed in the irradiation surface, and the irradiation surface immediately after the movement of the sample stand. There is a problem that the uniformity of the oxygen concentration distribution inside is not ensured.

이들 공통의 과제로서 조사 위치 부근의 가스 유량 분포 자체를 확인하는 수단이 없고, 외란에 의해 분포가 어지럽혀져도 관리되지 않는다는 문제도 있다.As these common problems, there is no means for confirming the gas flow rate distribution itself near the irradiation position, and there is a problem that even if the distribution is disturbed by disturbance, it is not managed.

또한, 이들 종래 장치에서는 시료대가 기판과 대략 같은 외형 치수를 갖고 있으므로 기판의 단부를 처리할 때에 내측과 외측에서 가스의 흐름이 다르고, 특히 단부의 외측에서는 상하가 개방되어 있기 때문에 가스가 조기에 방산되어 실드 효과가 엷어지고 분위기 내로의 산소 유입이 일어나기 쉽다는 문제도 있다.Moreover, in these conventional apparatuses, since the sample stage has the same outer dimensions as the substrate, the flow of gas is different from the inside and the outside when the end portion of the substrate is processed, and in particular, the gas is dissipated early because the top and bottom sides are opened outside the end portion. Therefore, there is also a problem that the shielding effect is thinned and oxygen is easily introduced into the atmosphere.

본 발명은 상기 사정을 배경으로서 이루어진 것으로서, 레이저광의 조사부 근방으로부터 그 주위의 주사 방향에 걸쳐서 가스 분위기를 생성함으로써 분위기를 적절하게 확보하여 양호한 레이저 처리를 가능하게 하는 레이저 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a laser processing apparatus which generates a gas atmosphere from the vicinity of the irradiating portion of the laser light from the vicinity of the laser beam to ensure an appropriate atmosphere and enable good laser treatment. do.

즉, 제 1 레이저 처리 장치의 본 발명은 피처리체에 레이저광을 상대적으로 주사하면서 조사해서 상기 피처리체의 처리를 행하는 레이저 처리 장치에 있어서, 조사 분위기를 형성하는 가스를 상기 피처리체의 상기 레이저광 조사 부분 근방에 분사하는 가스 분사부, 및 상기 가스 분사부 근방으로부터 상기 주사 방향을 따라 상기 피처리체 표면과 거리를 유지하면서 신장되는 정류면이 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.That is, according to the present invention of the first laser processing apparatus, in the laser processing apparatus which irradiates while irradiating a laser beam onto a target object while relatively irradiating the laser beam, the gas which forms an irradiation atmosphere is irradiated with the gas which forms the irradiation atmosphere. A gas injector for injecting near the irradiation portion, and a rectifying surface extending from the vicinity of the gas injector while maintaining a distance from the surface of the object along the scanning direction are provided.

제 1 본 발명에 의하면, 가스 분사부로부터 조사된 가스가 레이저광 조사부 근방으로부터 주위로 흐를 때에 정류면에 의해 상방으로의 확산이 저지되어 피처리체의 면 방향을 따라 주사 방향으로 흐르므로 정류면의 하방측에서 광범위에 걸쳐 가스 분위기를 형성할 수 있다. 이 결과, 피처리체와 레이저광이 상대적으로 주사될 때에 주사 방향 전방이 더 빠른 단계에서 가스 분위기가 형성되어 레이저광 조사에 이를 때에는 조사면에 대하여 산소 농도를 충분하게 저하시킨 양호한 가스 분위기하에서 처리를 행할 수 있다. 또한, 종래의 장치에서는 조사면의 분위기를 안정화시키기 위해서 필요되는 가스 유량을 삭감할 수 있다. 그것과 아울러, 안정화에 필요한 대기 시간을 단축하는 것이 가능하다.According to the first aspect of the present invention, when the gas irradiated from the gas injector flows from the vicinity of the laser beam irradiator to the surroundings, diffusion is prevented upward by the rectifying surface and flows in the scanning direction along the surface direction of the object to be treated. A gas atmosphere can be formed over a wide range from the lower side. As a result, a gas atmosphere is formed at a faster stage in the scanning direction when the target object and the laser beam are relatively scanned, and when the laser beam is irradiated, the treatment is performed under a good gas atmosphere in which the oxygen concentration is sufficiently reduced with respect to the irradiation surface. I can do it. Moreover, in the conventional apparatus, the gas flow rate required in order to stabilize the atmosphere of an irradiation surface can be reduced. In addition, it is possible to shorten the waiting time required for stabilization.

또한, 광범위에 가스 분위기가 형성됨으로써 최대 주사 속도를 크게 하는 것도 가능하게 된다.In addition, since the gas atmosphere is formed in a wide range, it is possible to increase the maximum scanning speed.

또한, 정류면과 피처리체의 거리는 너무 크면 정류 효과가 작아지고, 거리가 너무 작으면 통풍 저항이 너무 커지므로 가스 분사 압력 등을 고려하여 적절한 거리로 정한다. 보통은 상기 간격으로서는 1~10mm 정도가 양호하다.In addition, if the distance between the rectifying surface and the object to be processed is too large, the rectifying effect is small. If the distance is too small, the ventilation resistance is too large. Usually, about 1-10 mm is good as said space | interval.

정류면은 정류판의 설치 등에 의해 형성될 수 있지만, 판 형상에 한정되지 않고 블록 형상의 부재의 배치 등에 의해 형성될 수도 있다. 정류면은 가스 분사부에 연이어져 연속적으로 신장하는 것이 바람직하지만, 반드시 가스 분사부에 연이어지거나, 연속적으로 신장하는 것이 아니어도 좋고, 중요한 것은 정류 작용이 얻어지도록 배치되어 있는 것이면 좋다.The rectifying surface may be formed by the installation of the rectifying plate or the like, but is not limited to the plate shape and may be formed by the arrangement of the block-shaped member or the like. The rectifying surface is preferably connected to the gas injection section and extends continuously. However, the rectifying surface does not necessarily need to be connected to the gas injection section or extends continuously, and it is important that the rectifying surface is arranged so as to obtain a rectifying action.

또한, 피처리체와 레이저광의 상대적인 주사는 조사 위치가 이동하는 것이면 좋고, 피처리체와 레이저광 중 어느 것을 이동할지는 특별히 한정되지 않고 양쪽이 이동하는 것이어도 좋다. 보통은 피처리체를 탑재하는 시료대를 이동시킴으로써 레이저광의 주사를 가능하게 한다.The relative scanning of the object and the laser beam may be any one in which the irradiation position is shifted, and either of the object and the laser beam may be moved without any particular limitation. Normally, the laser beam can be scanned by moving the sample table on which the target object is mounted.

또한, 분위기를 형성하는 가스의 종류는 본 발명으로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 보통은 질소 등의 불활성 가스가 이용된다. 이 가스를 레이저광 조사부 근방을 향해서 조사하는 가스 분사부로서는 보통은 레이저빔을 둘러싸는 형상으로 형성된 분사구를 사용할 수 있다.In addition, although the kind of gas which forms an atmosphere is not specifically limited as this invention, Usually, inert gas, such as nitrogen, is used. As a gas injection part which irradiates this gas toward the laser beam irradiation part vicinity, the injection hole formed in the shape surrounding the laser beam can be used normally.

제 2 본 발명의 레이저 처리 장치는 상기 제 1 본 발명에 있어서, 상기 정류면은 상기 주사 방향에 있어서의 전방 및 후방으로 신장되고 있는 것을 특징으로 한다.In the laser processing apparatus of the second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the rectifying surface is extended forward and backward in the scanning direction.

제 2 본 발명에 의하면, 주사 방향의 후방측에 정류면을 형성함으로써 레이저 처리를 행한 부분을 그 후에도 얼마 동안은 가스 분위기로 유지할 수 있고, 레이저 조사후의 물성 변화 등을 양호하게 진행시킬 수 있다.According to the second aspect of the present invention, by forming the rectifying surface on the rear side in the scanning direction, the portion subjected to the laser treatment can be maintained in the gas atmosphere for some time thereafter, and the change in the physical properties after laser irradiation can be performed well.

제 3 본 발명의 레이저 처리 장치는 상기 제 1 또는 제 2 본 발명에 있어서, 상기 정류면은 상기 주사에 있어서의 필요한 이동 시간이 10초 이상이 되는 위치까지 주사 방향으로 신장되고 있는 것을 특징으로 한다.In the laser processing apparatus of the third aspect of the present invention, in the first or the second aspect of the present invention, the rectifying surface is extended in the scanning direction to a position where the required travel time in the scanning becomes 10 seconds or more. .

제 3 본 발명에 의하면, 레이저광의 조사전 또는 조사후에 피처리체 표면이 적어도 10초는 가스 분위기하에 놓여지게 되어 피처리체 표면 근방에 있는 산소를 충분히 또한 확실하게 배제해서 레이저 처리를 양호하게 한다. 또한, 상기 필요한 이동 시간은 15초 이상인 것이 바람직하고, 20초 이상인 것이 한층 바람직하다.According to the third aspect of the present invention, the surface of the target object is placed in a gas atmosphere for at least 10 seconds before or after the irradiation of the laser light to sufficiently and surely exclude oxygen in the vicinity of the surface of the object, thereby improving the laser treatment. Moreover, it is preferable that the said required travel time is 15 second or more, and it is further more preferable that it is 20 second or more.

제 4 본 발명의 레이저 처리 장치는 피처리체의 외형 치수와 대략 같은 외형 치수를 갖고 상기 피처리체 전체가 탑재되는 시료대 상의 상기 피처리체에 레이저광을 상대적으로 주사하면서 조사해서 상기 피처리체의 처리를 행하는 레이저 처리 장치에 있어서, 조사 분위기를 형성하는 가스를 상기 피처리체의 조사 부분 근방에 분사하는 가스 분사부, 및 상기 시료대의 주사 방향 단부에 설치되어 상기 주사 방향을 따라 신장되는 단부 정류면을 갖는 것을 특징으로 한다.The laser processing apparatus of the fourth aspect of the present invention has an external dimension substantially the same as the external dimension of the target object, and irradiates the target object on the sample table on which the entire target object is mounted while relatively irradiating a laser beam to perform the treatment of the target object. A laser processing apparatus, comprising: a gas injection unit for injecting a gas forming an irradiation atmosphere in the vicinity of an irradiation portion of the target object, and an end rectifying surface provided at an end in the scanning direction of the sample stage and extending along the scanning direction; It is characterized by.

제 4 본 발명에 의하면, 주사 방향 단부의 시료대에 단부 정류면이 형성되어 있음으로써 가스 분사부로부터 분사된 가스가 퍼지면서 단부 정류면에서 하방으로의 확산이 저지되고, 따라서 시료대 단부 내측과 마찬가지로 시료대 단부 외측에 가스 분위기를 형성할 수 있고 분위기로의 바깥쪽으로부터의 대기 등의 유입을 방지할 수 있다.According to the fourth aspect of the present invention, since the end rectifying surface is formed in the sample stage at the scanning direction end, the gas injected from the gas injector spreads, and diffusion from the end rectifying surface is prevented downward. Similarly, a gas atmosphere can be formed outside the end of the sample stage, and inflow of the atmosphere or the like from the outside into the atmosphere can be prevented.

제 5 본 발명의 레이저 처리 장치는 상기 제 4 본 발명에 있어서, 상기 단부 정류면은 시료대에 탑재된 피처리체 상면과 대략 같은 높이를 갖고 있는 것을 특징으로 한다.In the laser processing apparatus of the fifth aspect of the present invention, in the fourth aspect of the present invention, the end rectifying surface has a height substantially equal to the upper surface of the workpiece to be mounted on the sample stage.

제 5 본 발명에 의하면, 시료대 단부 내측과 마찬가지의 가스 흐름이 생성되어 단부 내측과 단부 외측의 분위기를 동등하게 유지할 수 있다. 또한, 단부 정류면을 피처리체 상면보다 약간 높게 하면 상기 작용에 추가해서 피처리체 상면을 외측으로부터 둘러싸는 작용도 얻어져 가스 분위기의 형성이 보다 확실하게 된다.According to the fifth aspect of the present invention, a gas flow similar to that of the inside of the sample-to-end is generated to maintain the atmosphere inside the end and the outside of the end equally. In addition, if the end rectifying surface is slightly higher than the upper surface of the object to be processed, the effect of enclosing the upper surface of the object to be processed from the outside in addition to the above-described effect is also obtained, and the formation of the gas atmosphere is more sure.

제 6 본 발명의 레이저 처리 장치는 상기 제 4 또는 제 5 본 발명에 있어서, 상기 주사 방향과 직교하는 방향의 상기 시료대 단부에 상기 직교 방향을 따라 신장되는 부(副)방향 단부 정류면이 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.In the laser processing apparatus of the sixth aspect of the present invention, in the fourth or fifth aspect of the present invention, a negative direction end rectifying surface extending in the orthogonal direction is provided at the sample stage end in the direction orthogonal to the scanning direction. It is characterized by that.

제 6 본 발명에 의하면, 시료대를 회전시켜 주사 방향을 변경하는 처리에 대해서도 상기 단부 정류면과 같은 작용을 부방향 단부 정류면에 의해 얻을 수 있다.According to the sixth aspect of the present invention, the same operation as that of the end rectifying surface can be obtained by the negative direction rectifying surface also for the process of changing the scanning direction by rotating the sample stage.

제 7 본 발명의 레이저 처리 장치는 상기 제 4 내지 제 6 본 발명 중 어느 하나의 본 발명에 있어서, 상기 제 1 내지 제 3 본 발명 중 어느 하나의 본 발명에 있어서의 정류면을 구비하는 것을 특징으로 한다.The laser processing apparatus of the seventh aspect of the present invention includes the rectifying surface of any one of the first to third aspects of the present invention, in any of the fourth to sixth aspects of the present invention. It is done.

제 7 본 발명에 의하면, 상기 정류면 및 단부 정류면에 의한 작용이 얻어짐과 아울러 상기 정류면과 단부 정류면이 대면하면 편평한 통풍로가 형성되어 상하 방향으로의 가스 방산이 저지되므로 가스 분위기의 형성이 보다 확실하고 또한 신속하게 된다.According to the seventh aspect of the present invention, the action of the rectifying surface and the end rectifying surface is obtained, and when the rectifying surface and the end rectifying surface face each other, a flat ventilation path is formed and gas dissipation in the vertical direction is prevented. Formation is more certain and faster.

제 8 본 발명의 레이저 처리 장치는 상기 제 1 내지 제 7 본 발명 중 어느 하나의 본 발명에 있어서, 상기 레이저광이 라인 빔 형상을 갖는 것을 특징으로 한다.In the laser processing apparatus of the eighth aspect of the present invention, in any one of the first to seventh aspects of the present invention, the laser beam has a line beam shape.

제 9 본 발명의 레이저 처리 장치는 상기 제 1 내지 제 8 본 발명 중 어느 하나의 본 발명에 있어서, 상기 피처리체의 처리가 비정질 반도체 박막으로 이루어지는 피처리체에 상기 레이저광을 조사해서 결정화시키는 어닐링 처리인 것을 특징으로 한다.In the laser processing apparatus of the ninth aspect of the present invention, in any one of the first to eighth aspects of the present invention, the annealing treatment is performed in which the treatment of the target object is crystallized by irradiating the laser beam onto the target object formed of an amorphous semiconductor thin film. It is characterized by that.

제 10 본 발명의 레이저 처리 장치는 상기 제 1 내지 제 9 본 발명 중 어느 하나의 본 발명에 있어서, 상기 분위기 내의 산소 농도를 측정하는 산소 농도계를 갖는 것을 특징으로 한다.The laser processing apparatus of the tenth aspect of the present invention has the oxygen concentration meter for measuring the oxygen concentration in the atmosphere according to any one of the first to ninth aspects of the present invention.

제 10 본 발명에 의하면, 분위기 내의 산소 농도를 측정함으로써 분위기 형성이 양호하게 되어 있는지의 여부를 용이하게 파악하여 관리할 수 있고, 분위기 형성이 양호하게 되어 있지 않은 경우에는 가스의 분사량을 늘리거나 하는 등의 처치를 행할 수 있다.According to the tenth aspect of the present invention, by measuring the oxygen concentration in the atmosphere, it is possible to easily grasp and manage whether or not the atmosphere is well formed, and if the atmosphere is not well formed, increase the injection amount of the gas. And the like can be performed.

<발명의 효과>Effect of the Invention

이상, 설명한 바와 같이 본 발명의 레이저 처리 장치에 의하면, 피처리체에 레이저광을 상대적으로 주사하면서 조사해서 상기 피처리체의 처리를 행하는 레이저 처리 장치에 있어서, 조사 분위기를 형성하는 가스를 상기 피처리체의 상기 레이저광 조사 부분 근방에 분사하는 가스 분사부, 및 상기 가스 분사부 근방으로부터 상기 주사 방향을 따라 상기 피처리체 표면과 거리를 유지하면서 신장되는 정류면이 형성되어 있으므로 주사 방향을 따라 광범위하게 가스 분위기를 형성할 수 있고, 레이저광 조사시의 가스 분위기를 양호하게 하여 레이저 처리를 보다 양호한 것으로 할 수 있다.As described above, according to the laser processing apparatus of the present invention, in the laser processing apparatus for irradiating while irradiating a target object with a laser beam relatively to perform the processing of the target object, a gas forming an irradiation atmosphere is applied to the target object. The gas injection part which sprays in the vicinity of the said laser beam irradiation part, and the commutation surface extended from the vicinity of the said gas injection part, maintaining the distance to the said to-be-processed object surface are formed, and are wide gas atmosphere along a scanning direction. Can be formed, and the gas atmosphere at the time of laser beam irradiation can be made favorable, and laser processing can be made more favorable.

또한, 다른 발명의 레이저 처리 장치에 의하면, 피처리체의 외형 치수와 대략 같은 외형 치수를 갖고 상기 피처리체 전체가 탑재되는 시료대 상의 상기 피처리체에 레이저광을 상대적으로 주사하면서 조사해서 상기 피처리체의 처리를 행하는 레이저 처리 장치에 있어서, 조사 분위기를 형성하는 가스를 상기 피처리체의 조사 부분 근방에 분사하는 가스 분사부, 및 상기 시료대의 주사 방향 단부에 형성되어 상기 주사 방향을 따라 신장되는 단부 정류면을 가지므로 시료대 단부측에서의 가스 분위기를 주사 방향 내측 및 외측 모두 양호하게 형성할 수 있다.In addition, according to the laser processing apparatus of another invention, the laser beam is irradiated while irradiating the target object on the sample table on which the entire target object is mounted with an external dimension substantially the same as the external dimension of the object to be processed, thereby A laser processing apparatus that performs a treatment, comprising: a gas injection portion for injecting a gas forming an irradiation atmosphere in the vicinity of an irradiation portion of the target object, and an end rectifying surface formed at an end in the scanning direction of the sample stage and extending along the scanning direction Since the gas atmosphere at the sample stage end side can be satisfactorily formed both inside and outside the scanning direction.

또한, 피처리체의 반출, 반입시에 단부 정류면측에 가스 분사부를 대비시켜 가스를 분사되는 채로 둠으로써 다음에 피처리체를 처리할 때에 주사를 시작하는 피처리체 단부측의 분위기를 조기에 가스 분위기로 하여 처리의 효율을 높일 수 있다.In addition, by leaving the gas injection portion at the end rectifying surface side at the time of carrying out and carrying in the target object, the gas is jetted so that the atmosphere at the end of the target object to start scanning at the next processing of the target object is changed to the gas atmosphere early. To increase the efficiency of the treatment.

도 1은 본 발명의 일실시형태의 레이저 어닐링 처리 장치를 나타내는 개략도 이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram which shows the laser annealing processing apparatus of one Embodiment of this invention.

도 2는 도 1과 같이, 본 발명의 일실시형태의 정류판, 산소 농도 측정구 및 산소 농도계를 나타내는 사시도이다.FIG. 2 is a perspective view showing a rectifying plate, an oxygen concentration measuring instrument, and an oxygen concentration meter according to one embodiment of the present invention as shown in FIG. 1.

도 3은 도 1과 같이, 본 발명의 일실시형태의 정류판을 나타내는 평면도이다.FIG. 3 is a plan view showing a rectifying plate of an embodiment of the present invention as shown in FIG. 1.

도 4는 본 발명의 다른 실시형태의 레이저 어닐링 처리 장치를 나타내는 개략도이다.It is a schematic diagram which shows the laser annealing processing apparatus of other embodiment of this invention.

도 5는 도 4와 같이, 본 발명의 다른 실시형태의 레이저 조사 튜브 퇴피 상태를 나타낸 레이저 어닐링 처리 장치를 나타내는 개략도이다.FIG. 5 is a schematic diagram showing a laser annealing processing apparatus showing a laser irradiation tube evacuation state according to another embodiment of the present invention as shown in FIG. 4.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시형태의 레이저 어닐링 처리 장치를 나타내는 개략도이다.It is a schematic diagram which shows the laser annealing processing apparatus of further another embodiment of this invention.

도 7은 도 6과 같이, 본 발명의 또 다른 실시형태의 레이저 어닐링 처리 장치를 나타내는 개략도이다.FIG. 7 is a schematic diagram showing a laser annealing processing apparatus according to still another embodiment of the present invention as shown in FIG. 6.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1: 레이저 광원 2: 광학계1: laser light source 2: optical system

3: 레이저광 5: 가스 공급관3: laser light 5: gas supply pipe

7a: 정류판 7b: 정류판7a: rectification plate 7b: rectification plate

8: 레이저광 조사구/가스 분사구 10: 비정질 반도체 박막8: laser beam irradiator / gas nozzle 10: amorphous semiconductor thin film

11: 조사면 12: 시료대11: irradiation surface 12: sample stand

15: 산소 농도 측정구 16: 산소 농도계15: oxygen concentration measuring instrument 16: oxygen concentration meter

17a: 단부 정류판 17b: 단부 정류판17a: end rectifying plate 17b: end rectifying plate

27a: 부방향 단부 정류판 27b: 부방향 단부 정류판27a: negative direction rectifying plate 27b: negative direction rectifying plate

(실시형태 1)(Embodiment 1)

이하에 본 발명의 일실시형태의 레이저 어닐링 처리 장치를 도 1 및 도 2에 의거하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, the laser annealing processing apparatus of one Embodiment of this invention is demonstrated based on FIG.

도 1에 나타낸 바와 같이, 평면 방향축(X 및 Y)을 갖는 시료대(12)가 도면에 나타낸 좌우측 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있고, 상기 시료대(12)의 상방에 길이가 긴 레이저 조사 튜브(6)가 배치되어 있다. 상기 레이저 조사 튜브(6)의 상방에 유리 등에 의해 구성된 레이저광 도입창(4)이 설치되어 봉지되어 있다. 상기 레이저광 도입창(4)에는 레이저 광원(1)으로부터 출력되어 광학계(2)를 거친 레이저광(3)이 입사되어 하방측으로 조사되도록 구성되어 있다. 이에 따라, 레이저광(3)은 시료대(12)의 이동 방향과 반대의 방향으로 주사되게 된다.As shown in FIG. 1, the sample stage 12 having the planar direction axes X and Y is provided so as to be movable in the left and right directions shown in the drawing, and the laser irradiation with a long length above the sample stage 12 is performed. The tube 6 is arranged. Above the laser irradiation tube 6, a laser light introduction window 4 made of glass or the like is provided and sealed. The laser beam introduction window 4 is configured such that the laser beam 3 output from the laser light source 1 and having passed through the optical system 2 is incident and irradiated downward. As a result, the laser beam 3 is scanned in the direction opposite to the moving direction of the sample stage 12.

레이저 조사 튜브(6)는 측면에 가스 공급관(5)이 접속되어 있고, 하단측에 도 2에 나타낸 바와 같이 주사 방향의 전방 및 후방측을 따라 신장되는 정류판(7a,7b)이 일체로 되어 설치되어 있으며, 정류판(7a,7b) 사이에 형성된 긴 슬릿이 레이저광 조사구/가스 분사구(8)로 되어 있다. 따라서, 레이저광 조사구/가스 분사구(8)가 가스 분사부로서 기능한다.As for the laser irradiation tube 6, the gas supply pipe 5 is connected to the side surface, and as shown in FIG. 2, the rectifying plates 7a and 7b which extend along the front and back sides of a scanning direction are integrated in the lower end side, It is provided, and the long slit formed between the rectifying plates 7a and 7b serves as the laser light irradiation port / gas injection port 8. Therefore, the laser beam irradiation port / gas injection port 8 functions as a gas injection part.

상기 레이저광 조사구/가스 분사구(8)에는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 복수개의 산소 농도 측정구(15)가 형성되어 있고, 상기 산소 농도 측정구(15)에는 외부 의 산소 농도계(16)가 배관 접속되어 있다.As shown in FIG. 2, a plurality of oxygen concentration measuring holes 15 are formed in the laser beam irradiating hole / gas injection hole 8, and an external oxygen concentration meter 16 is provided in the oxygen concentration measuring hole 15. Is connected to the pipe.

다음에, 상기 레이저 어닐링 처리 장치의 동작에 관하여 설명한다.Next, the operation of the laser annealing processing apparatus will be described.

시료대(12)에 피처리체로서 피처리 기판(9) 상에 형성된 비정질 반도체 박막(10)을 설치한다. 레이저 광원(1)으로부터는 펄스 형상으로 발진된 레이저빔(3)이 광학계(2)를 통과해서 선으로 된 빔(라인 빔)이 되고, 레이저광 도입창(4) 및 레이저 조사 튜브(6) 내, 레이저광 조사구/가스 분사구(8)를 통과하여 비정질 반도체 박막(10)의 조사면(11)에 조사된다.The amorphous semiconductor thin film 10 formed on the to-be-processed substrate 9 as a to-be-processed object is provided in the sample stand 12. From the laser light source 1, the laser beam 3 oscillated in a pulse shape passes through the optical system 2 to become a line beam (line beam), and the laser beam introduction window 4 and the laser irradiation tube 6 It passes through the laser beam irradiation port / gas injection port 8, and is irradiated to the irradiation surface 11 of the amorphous semiconductor thin film 10. FIG.

또한, 이것에 앞서 가스 공급관(5)으로부터 분위기 가스로서 질소 가스가 레이저 조사 튜브(6) 내에 도입되어 개구 부분인 레이저광 조사구/가스 분사구(8)를 통해서 하방으로 분사된다. 분사된 가스는 비정질 반도체 박막(10)의 조사면(11) 근방으로 이동함과 아울러, 정류판(7a,7b)의 하면측 정류면에 의해 상방으로의 확산이 저지되고, 비정질 반도체 박막(10)의 상면과 정류판(7a,7b)의 하면측 정류면에 의해 형성되는 통풍 공간을 통과하여 주사 방향 전방 및 주사 방향 후방으로 정류되면서 확산되어 가스 분위기를 형성한다.In addition, prior to this, nitrogen gas is introduced into the laser irradiation tube 6 as the atmosphere gas from the gas supply pipe 5 and injected downward through the laser beam irradiation port / gas injection port 8 which is an opening portion. The injected gas moves near the irradiation surface 11 of the amorphous semiconductor thin film 10 and is prevented from diffusing upward by the lower surface side rectifying surfaces of the rectifying plates 7a and 7b, and the amorphous semiconductor thin film 10 It passes through the ventilation space formed by the upper surface of the upper surface and the lower surface side rectifying surface of the rectifying plates 7a and 7b, rectified forward and backward in the scanning direction to form a gas atmosphere.

비정질 반도체 박막(10)은 상기 레이저광(3)의 펄스에 맞추어 이동하는 시료대(12)에 의해 설정된 조사 시작 위치로 이동된 후 일정한 속도로 이동하면서 레이저광(3)을 조사함으로써 레이저광(3)이 주사되면서 조사면(11)이 이동한다. 이 이동하는 조사면(11)에 의해 비정질 반도체 박막(10)의 임의의 영역이 결정화된다. 이때, 비정질 반도체 박막(10)의 주사 방향 전방(13) 및 주사 방향 후방(14)은 정류판(7a,7b)에 의해 정류된 가스에 의해 가스 분위기가 형성되고 있어 산소를 효과 적으로 제외해서 양호한 가스 분위기가 형성되어 있다. 또한, 가스 분위기 중에서의 산소 농도도 주사 방향에 있어서 대략 행해지는 유지할 수 있다. 이 가스 분위기에 의해 계속해서 레이저광 조사가 이루어진 비정질 반도체 박막(10)의 조사면(11)이 조기에 가스 분위기하에 놓여져 산소가 충분히 제외됨으로써 레이저 어닐을 양호하게 행할 수 있다. 또한, 레이저광 조사후 잠시 동안은 정류판(7b)에 의해 양호한 가스 분위기하에 놓이므로 레이저 어닐링 작용이 양호하게 진행되어 양질의 결정화가 이루어진다.The amorphous semiconductor thin film 10 is moved to the irradiation start position set by the sample stage 12 moving in accordance with the pulse of the laser beam 3 and then irradiated with the laser beam 3 while moving at a constant speed. The irradiation surface 11 moves as 3) is scanned. An arbitrary region of the amorphous semiconductor thin film 10 is crystallized by the moving irradiation surface 11. At this time, the scanning direction front 13 and the scanning direction rear 14 of the amorphous semiconductor thin film 10 are formed with a gas atmosphere formed by the gas rectified by the rectifying plates 7a and 7b. A good gas atmosphere is formed. In addition, the oxygen concentration in the gas atmosphere can also be maintained substantially in the scanning direction. The annealing surface 11 of the amorphous semiconductor thin film 10 subjected to the laser light irradiation by this gas atmosphere is placed in the gas atmosphere at an early stage, and the oxygen is sufficiently removed, so that laser annealing can be performed satisfactorily. In addition, since the laser plate is placed in a good gas atmosphere by the rectifying plate 7b for a while after the laser light irradiation, the laser annealing action proceeds satisfactorily to achieve good crystallization.

또한, 정류판(7a,7b)의 주사 방향의 신장 길이는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 레이저광 조사구/가스 분사구(8)의 중앙으로부터 주사 방향 단부까지의 길이가 주사시에 20초 이상을 필요로 하는 길이로 하는 것이 바람직하다. 따라서, 예를 들면 주사 속도는 10㎜/초이면, 상기 길이는 200㎜ 이상인 것이 바람직하다.In addition, as shown in FIG. 3, as for the elongation length of the rectifying board 7a, 7b in the scanning direction, the length from the center of the laser beam irradiation port / gas injection port 8 to the scanning direction edge part is 20 second or more at the time of scanning. It is preferable to set it as the length which needs. Therefore, for example, when the scanning speed is 10 mm / sec, the length is preferably 200 mm or more.

이것은 20초 이상 가스 분위기하에 놓음으로써 산소가 충분히 제외되어 양호한 레이저 어닐을 행하는 것을 가능하게 하기 위해서이다. 20초 미만, 특히 10초 미만의 길이이면 산소 제외가 충분하지 않아서 레이저 어닐의 처리에 영향이 생길 가능성이 있다.This is for allowing oxygen to be sufficiently removed by placing in a gas atmosphere for 20 seconds or more to perform good laser annealing. If the length is less than 20 seconds, in particular less than 10 seconds, oxygen exclusion is insufficient, which may affect the treatment of laser annealing.

또한, 레이저광 조사중 및 장치 대기중의 조사 분위기는 레이저광 조사구/가스 분사구(8) 부근에 설치된 복수개의 산소 농도 측정구(15)로부터 배관 접속된 산소 농도계(16)에 의해 상시 산소 농도가 관리된다. 이 산소 농도가 미리 정한 안전치를 넘는 경우에는 가스의 공급량을 늘리거나, 주사 속도를 작게 하거나, 경보 등을 발생시키거나, 장치의 가동을 나타냄으로써 품질 관리를 행할 수 있다.In addition, the irradiation atmosphere in the laser beam irradiation and the apparatus atmosphere is always oxygen concentration by the oxygen concentration meter 16 pipe-connected from the several oxygen concentration measurement ports 15 installed in the vicinity of the laser beam irradiation port / gas injection port 8. Is managed. When the oxygen concentration exceeds a predetermined safety value, quality control can be performed by increasing the gas supply amount, decreasing the scanning speed, generating an alarm, or indicating the operation of the device.

(실시형태 2)(Embodiment 2)

다음에, 다른 실시형태를 도 4에 의거하여 설명한다. 또한, 상기 실시형태와 같은 구성에 관해서는 동일한 부호를 붙이고 있다.Next, another embodiment will be described based on FIG. 4. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the structure similar to the said embodiment.

평면 방향축(X 및 Y)을 갖는 시료대(12)가 도면에 나타낸 좌우측 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있고, 상기 시료대(12)의 상방에 길이가 긴 레이저 조사 튜브(6)가 배치되어 있다. 상기 레이저 조사 튜브(6)의 상방에 레이저광 도입창(4)이 설치되어 봉지되어 있다. 상기 레이저광 도입창(4)에는 레이저 광원(1)으로부터 출력되어 광학계(2)를 거친 레이저광(3)이 입사되어 하방측으로 조사되도록 구성되어 있다. 이에 따라, 레이저광은 시료대(12)의 이동 방향과 반대의 방향으로 주사되게 된다. 레이저 조사 튜브(6)는 측면에 가스 공급관(5)이 접속되어 있고, 하단측에 레이저광 조사구/가스 분사구(8)가 형성되어 있다.The sample stage 12 having the planar direction axes X and Y is provided to be movable in the left and right directions shown in the drawing, and a long laser irradiation tube 6 is disposed above the sample stage 12. have. A laser beam introduction window 4 is provided and sealed above the laser irradiation tube 6. The laser beam introduction window 4 is configured such that the laser beam 3 output from the laser light source 1 and having passed through the optical system 2 is incident and irradiated downward. As a result, the laser beam is scanned in the direction opposite to the moving direction of the sample stage 12. The gas supply pipe 5 is connected to the side surface of the laser irradiation tube 6, and the laser beam irradiation port / gas injection port 8 is formed in the lower end side.

시료대(12)는 상기 주사 방향 단부에 있어서 주사 방향을 따라 단부 정류판(17a,17b)이 설치되어 있고, 이 실시형태에서는 단부 정류판(17a,17b)의 상면은 시료대(12)에 탑재되는 비정질 반도체 박막(10)의 상면과 대략 같은 높이에서 약간 상방으로 높게 되어 있다.The sample stand 12 is provided with end rectifying plates 17a and 17b along the scanning direction at the end of the scanning direction. In this embodiment, the upper surface of the end rectifying plates 17a and 17b is attached to the sample table 12. It is slightly higher upwards at approximately the same height as the upper surface of the amorphous semiconductor thin film 10 to be mounted.

다음에, 상기 레이저 어닐링 처리 장치의 동작에 관하여 설명한다.Next, the operation of the laser annealing processing apparatus will be described.

시료대(12)에 피처리체로서 피처리 기판(9) 상에 형성된 비정질 반도체 박막(10)을 설치한다. 이 비정질 반도체 박막(10)은 시료대(12)에 전체가 탑재되는 크기를 갖고 있고, 시료대(12)의 외형 치수가 비정질 반도체 박막(10)의 외형 치수를 약간 상회하고 있다.The amorphous semiconductor thin film 10 formed on the to-be-processed substrate 9 as a to-be-processed object is provided in the sample stand 12. The amorphous semiconductor thin film 10 has a size that is mounted on the sample stage 12 as a whole, and the external dimension of the sample stage 12 slightly exceeds the external dimension of the amorphous semiconductor thin film 10.

레이저 광원(1)으로부터는 발진된 레이저빔(3)이 광학계(2)를 통과해서 선으로 된 빔(라인 빔)이 되고, 레이저광 도입창(4) 및 레이저 조사 튜브(6) 내, 레이저광 조사구/가스 분사구(8)를 통과하여 비정질 반도체 박막(10)의 조사면(11)에 펄스 형상으로 조사된다.From the laser light source 1, the oscillated laser beam 3 passes through the optical system 2 to become a line beam (line beam), and in the laser light introduction window 4 and the laser irradiation tube 6, the laser Through the light irradiation port / gas injection port 8, the irradiation surface 11 of the amorphous semiconductor thin film 10 is irradiated in a pulse shape.

또한, 이것에 앞서 가스 공급관(5)으로부터 분위기 가스로서 질소 가스가 레이저 조사 튜브(6) 내에 도입되어 개구 부분인 레이저광 조사구/가스 분사구(8)를 통해서 하방으로 분사되고, 조사면(11) 근방으로부터 바깥쪽으로 퍼져 가스 분위기를 형성한다.In addition, prior to this, nitrogen gas is introduced into the laser irradiation tube 6 as an atmosphere gas from the gas supply pipe 5 and injected downward through the laser beam irradiation port / gas injection port 8 which is an opening portion, and the irradiation surface 11 ) Spread outward from the vicinity to form a gas atmosphere.

비정질 반도체 박막(10)은 상기 레이저광(3)의 펄스에 맞추어 이동하는 시료대(12)에 의해 설정된 조사 시작 위치로 이동된 후 일정한 속도로 이동하면서 레이저광(3)을 조사함으로써 이동하는 조사면에 의해 임의의 영역이 결정화된다. 이때, 레이저광(3)의 조사 위치가 비정질 반도체 박막(10)의 단부 부근에 이르면, 비정질 반도체 박막(10)의 주사 방향 외측에서는 정류판(17a) 또는 정류판(17b)에 의해 가스가 정류되어 주사 방향 내측과 같이 가스 분위기가 형성되어 주사 방향 내측 및 외측에서의 가스 분위기를 같은 정도로 할 수 있다. 이에 따라, 비정질 반도체 박막(10)의 단부도 내측과 같이 레이저 어닐링 처리에 의해 양질의 결정화를 행할 수 있다.The amorphous semiconductor thin film 10 is moved to the irradiation start position set by the sample stage 12 moving in accordance with the pulse of the laser light 3, and then moves by irradiating the laser light 3 while moving at a constant speed. Any area is crystallized by the face. At this time, when the irradiation position of the laser light 3 reaches near the end of the amorphous semiconductor thin film 10, the gas is rectified by the rectifying plate 17a or the rectifying plate 17b outside the scanning direction of the amorphous semiconductor thin film 10. As a result, a gas atmosphere is formed as in the scanning direction, and the gas atmosphere in the scanning direction inside and outside can be made to the same degree. Thereby, the edge part of the amorphous semiconductor thin film 10 can also be crystallized with good quality by the laser annealing process like the inside.

또한, 상기 정류판(17a 또는 17b)은 처리를 종료한 피처리체를 반출하고 새로운 비정질 반도체 박막(10)을 시료대(12)에 반입, 설치할 때에 도움이 되게 할 수 있다. 즉, 도 5에 나타낸 바와 같이, 상기 반출, 반입시에 시료대(12)의 이동에 의해 레이저광 조사구/가스 분사구(8)가 상기 정류판(17a 또는 17b)의 상방에 위치하도록 퇴피시킨다. 보통은 시료대(12)를 이동전의 위치로 복귀시킨다. 이것에 맞추어 상기 반출시에 가스의 분출을 정지하지 않고 계속함으로써 레이저광 조사 위치 주변의 산소를 어느 정도 배제하고, 계속해서 행하는 어닐링 처리시에 레이저광의 조사 시작에 앞서 행하는 가스 분사를 단시간에 하여 처리 시작을 조기에 행하는 것을 가능하게 하는 효과도 있다.In addition, the rectifying plate 17a or 17b can be helpful to carry out the object to be processed and to carry in and install a new amorphous semiconductor thin film 10 into the sample stage 12. That is, as shown in Fig. 5, the laser beam irradiation port / gas injection port 8 is evacuated so as to be located above the rectifying plate 17a or 17b by the movement of the sample stage 12 at the time of carrying out and carrying in. . Usually, the sample stage 12 is returned to the position before the movement. In accordance with this, by continuing without discontinuing gas ejection at the time of carrying out, the oxygen injection around the laser light irradiation position is removed to some extent, and the gas injection performed prior to the start of laser light irradiation in a continuous annealing process is performed in a short time. There is also an effect that makes it possible to start early.

또한, 이 실시형태에 있어서도 레이저광 조사중 및 장치 대기중의 조사 분위기는 레이저광 조사구/가스 분사구(8) 부근에 설치된 복수개의 산소 농도 측정구(15)로부터 배관 접속된 산소 농도계(16)에 의해 상시 산소 농도를 관리할 수 있다. 이 산소 농도가 미리 정한 안전치를 넘는 경우에는 상기 실시형태와 마찬가지로 가스의 공급량을 늘리거나, 주사 속도를 작게 하거나, 경보 등을 발생시키거나, 장치의 가동을 정지시킴으로써 품질 관리를 행할 수 있다.In addition, also in this embodiment, the irradiation atmosphere in laser beam irradiation and the apparatus air | atmosphere is the oxygen concentration meter 16 pipe-connected from the several oxygen concentration measuring port 15 provided in the laser beam irradiation port / gas injection port 8 vicinity. It is possible to manage the oxygen concentration at all times. When this oxygen concentration exceeds the predetermined safety value, quality control can be performed by increasing the amount of gas supplied, reducing the scanning speed, generating an alarm, or stopping the operation of the device as in the above-described embodiment.

(실시형태 3)(Embodiment 3)

다음에, 다른 실시형태를 도 6에 의거하여 설명한다.Next, another embodiment will be described based on FIG. 6.

평면 방향축(X 및 Y)을 갖는 시료대(12)가 도면에 나타낸 좌우측 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있고, 상기 시료대(12)의 상방에, 도 2에 나타낸 바와 같이, 길이가 긴 레이저 조사 튜브(6)가 배치되어 있다. 상기 레이저 조사 튜브(6)의 상방에 레이저광 도입창(4)이 설치되어 봉지되어 있다. 상기 레이저광 도입창(4)에는 레이저 광원(1)으로부터 출력되어 광학계(2)를 거친 레이저광(3)이 입사되어 하방측으로 조사되도록 구성되어 있다. 이에 따라, 레이저광(3)은 시료대(12)의 이동 방향과 반대의 방향으로 주사되게 된다.The sample stage 12 having the planar direction axes X and Y is provided so as to be movable in the left and right directions shown in the drawing, and as shown in FIG. 2 above the sample stage 12, a long laser beam is provided. The irradiation tube 6 is arrange | positioned. A laser beam introduction window 4 is provided and sealed above the laser irradiation tube 6. The laser beam introduction window 4 is configured such that the laser beam 3 output from the laser light source 1 and having passed through the optical system 2 is incident and irradiated downward. As a result, the laser beam 3 is scanned in the direction opposite to the moving direction of the sample stage 12.

레이저 조사 튜브(6)는 측면에 가스 공급관(5)이 접속되어 있고, 하단측에 주사 방향의 전방 및 후방측을 따라 신장되는 정류판(7a,7b)이 설치되어 있으며, 정류판(7a,7b)에 확보된 간극이 레이저광 조사구/가스 분사구(8)로 되어 있다. 따라서, 레이저광 조사구/가스 분사구(8)가 가스 분사부로서 기능한다.The gas irradiation tube 5 is connected to the side surface of the laser irradiation tube 6, and rectification plates 7a and 7b extending along the front and rear sides of the scanning direction are provided on the lower end side. The gap secured in 7b) is a laser beam irradiation port / gas injection port 8. Therefore, the laser beam irradiation port / gas injection port 8 functions as a gas injection part.

또한, 시료대(12)는 상기 주사 방향 단부에 있어서 주사 방향을 따라 단부 정류판(17a,17b)이 설치되어 있고, 이 실시형태에서 단부 정류판(17a,17b)의 상면은 시료대(12)에 탑재되는 비정질 반도체 박막(10)의 상면과 대략 같은 높이에서 약간 상방으로 높게 되어 있다.In addition, the sample stage 12 is provided with end rectifying plates 17a and 17b along the scanning direction at the end of the scanning direction. In this embodiment, the upper surface of the end rectifying plates 17a and 17b is the sample stage 12. The height is slightly higher at approximately the same height as the upper surface of the amorphous semiconductor thin film 10 to be mounted on the wafer).

다음에, 상기 레이저 어닐링 처리 장치의 동작에 관하여 설명한다.Next, the operation of the laser annealing processing apparatus will be described.

시료대(12)에 피처리체로서 피처리 기판(9) 상에 형성된 비정질 반도체 박막(10)을 설치한다. 이 비정질 반도체 박막(10)은 시료대(12)에 전체가 탑재되는 크기를 갖고 있고, 시료대(12)의 외형 치수가 비정질 반도체 박막(10)의 외형 치수를 약간 상회하고 있다.The amorphous semiconductor thin film 10 formed on the to-be-processed substrate 9 as a to-be-processed object is provided in the sample stand 12. The amorphous semiconductor thin film 10 has a size that is mounted on the sample stage 12 as a whole, and the external dimension of the sample stage 12 slightly exceeds the external dimension of the amorphous semiconductor thin film 10.

레이저 광원(1)으로부터는 발진된 레이저빔(3)이 광학계(2)를 통과해서 선으로 된 빔(라인 빔)이 되고, 레이저광 도입창(4) 및 레이저 조사 튜브(6) 내, 레이저광 조사구/가스 분사구(8)를 통과하여 비정질 반도체 박막(10)의 조사면(11)에 펄스 형상으로 조사된다.From the laser light source 1, the oscillated laser beam 3 passes through the optical system 2 to become a line beam (line beam), and in the laser light introduction window 4 and the laser irradiation tube 6, the laser Through the light irradiation port / gas injection port 8, the irradiation surface 11 of the amorphous semiconductor thin film 10 is irradiated in a pulse shape.

또한, 이것에 앞서 가스 공급관(5)으로부터 분위기 가스로서 질소 가스가 레이저 조사 튜브(6) 내에 도입되어 개구 부분인 레이저광 조사구/가스 분사구(8)를 통해서 하방으로 분사된다. 분사된 가스는 조사면(11) 근방으로 이동함과 아울러, 정류판(7a,7b)의 하면측의 정류면에 의해 상방으로의 확산이 저지되고, 비정질 반도체 박막(10)의 상면과 정류판(7a,7b)의 하면측 정류면에 의해 형성되는 통풍 공간을 통과하여 주사 방향 전방 및 주사 방향 후방으로 정류되면서 확산된다.In addition, prior to this, nitrogen gas is introduced into the laser irradiation tube 6 as the atmosphere gas from the gas supply pipe 5 and injected downward through the laser beam irradiation port / gas injection port 8 which is an opening portion. The injected gas moves near the irradiation surface 11, and the diffusion of gas is prevented upward by the rectifying surface on the lower surface side of the rectifying plates 7a and 7b, and the upper surface and the rectifying plate of the amorphous semiconductor thin film 10 are prevented. It diffuses while passing through the ventilation space formed by the lower surface side rectifying surface of 7a, 7b, and rectifying to the scanning direction front and the scanning direction back.

비정질 반도체 박막(10)은 상기 레이저광(3)의 펄스에 맞추어 이동하는 시료대(12)에 의해 설정된 조사 시작 위치로 이동된 후 일정한 속도로 이동하면서 레이저광(3)을 조사함으로써 이동하는 조사면에 의해 임의의 영역이 결정화된다. 이때, 비정질 반도체 박막(10)의 주사 방향 전방(13) 및 주사 방향 후방(14)은 정류판(7a,7b)에 의해 정류된 가스에 의해 가스 분위기가 형성되고 있어 산소를 효과적으로 제외해서 양호한 가스 분위기가 형성되어 있다. 또한, 가스 분위기 중에서의 산소 농도도 주사 방향에 있어서 대략 일정하게 유지할 수 있다. 이 가스 분위기에 의해 계속해서 레이저 조사가 행해진다.The amorphous semiconductor thin film 10 is moved to the irradiation start position set by the sample stage 12 moving in accordance with the pulse of the laser light 3, and then moves by irradiating the laser light 3 while moving at a constant speed. Any area is crystallized by the face. At this time, the scanning direction front 13 and the scanning direction rear 14 of the amorphous semiconductor thin film 10 are formed with a gas rectified by the gas rectified by the rectifying plates 7a and 7b. The atmosphere is formed. In addition, the oxygen concentration in the gas atmosphere can also be kept substantially constant in the scanning direction. Laser irradiation is continuously performed by this gas atmosphere.

비정질 반도체 박막(10)의 표면이 조기에 가스 분위기하에 놓여져 산소가 충분히 제외됨으로써 레이저 어닐을 양호하게 행할 수 있다. 또한, 레이저광 조사후 잠시 동안은 정류판(7b)에 의해 양호한 가스 분위기하에 놓이므로 레이저 어닐링 작용이 양호하게 진행되어 양질의 결정화가 이루어진다. 또한, 이때에 레이저광(3)의 조사 위치가 비정질 반도체 박막(10)의 단부 부근에 이르면, 비정질 반도체 박막(10)의 주사 방향 외측에서는 정류판(7a)과 단부 정류판(17b), 또는 정류판(7b)과 단부 정류판(17a)에 의해 가스가 정류되어 주사 방향 내측과 같이 가스 분위기가 형성되어 주사 방향 내측 및 외측에서의 가스 분위기를 같은 정도로 양호하게 할 수 있다. 이에 따라, 비정질 반도체 박막(10)의 단부도 내측과 같이 레이저 어닐링 처리에 의해 양질의 결정화를 행할 수 있다.The surface of the amorphous semiconductor thin film 10 is placed in a gaseous atmosphere early, and oxygen is sufficiently removed, so that laser annealing can be performed well. In addition, since the laser plate is placed in a good gas atmosphere by the rectifying plate 7b for a while after the laser light irradiation, the laser annealing action proceeds satisfactorily to achieve good crystallization. At this time, when the irradiation position of the laser light 3 reaches near the end of the amorphous semiconductor thin film 10, the rectifying plate 7a and the end rectifying plate 17b, or outside the scanning direction of the amorphous semiconductor thin film 10, or The gas is rectified by the rectifying plate 7b and the end rectifying plate 17a to form a gas atmosphere as in the scanning direction, so that the gas atmosphere in the scanning direction inside and the outside is equally good. Thereby, the edge part of the amorphous semiconductor thin film 10 can also be crystallized with good quality by the laser annealing process like the inside.

또한, 이 실시형태에 있어서도 레이저광 조사중 및 장치 대기중의 조사 분위기는 레이저광 조사구/가스 분사구(8) 부근에 설치된 복수개의 산소 농도 측정구(15)로부터 배관 접속된 산소 농도계(16)에 의해 상시 산소 농도를 관리할 수 있다. 이 산소 농도가 미리 정한 안전치를 넘는 경우에는 상기 실시형태와 마찬가지로 가스의 공급량을 늘리거나, 주사 속도를 작게 하거나, 경보 등을 발생시키거나, 장치의 가동을 정지시킴으로써 품질 관리를 행할 수 있다.In addition, also in this embodiment, the irradiation atmosphere in laser beam irradiation and the apparatus air | atmosphere is the oxygen concentration meter 16 pipe-connected from the several oxygen concentration measuring port 15 provided in the laser beam irradiation port / gas injection port 8 vicinity. It is possible to manage the oxygen concentration at all times. When this oxygen concentration exceeds the predetermined safety value, quality control can be performed by increasing the amount of gas supplied, reducing the scanning speed, generating an alarm, or stopping the operation of the device as in the above-described embodiment.

(실시형태 4)(Embodiment 4)

또 다른 실시형태를 도 7에 의거하여 설명한다.Another embodiment will be described based on FIG. 7.

이 실시형태에서는 실시형태 2의 레이저 어닐링 처리 장치에 있어서 상기 주사 방향과 직교하는 방향의 시료대(12) 양단부에 부방향 단부 정류판(27a,27b)을 설치한 것이다. 상기 부방향 단부 정류판(27a,27b)은 상기 주사 방향에 있어서의 레이저광 조사 및 가스 분사에서는 부방향으로 흐르는 가스를 정류하는 작용을 갖지만, 심지어 예를 들면 필요에 따라 시료대(12)를 90도 회전시킨 상태에서 이동시켜 레이저광의 조사를 행하는 경우 상기 부방향 단부 정류판(27a,27b)이 단부 정류판(17a,17b)으로 변해서 가스의 정류 작용을 달성할 수 있다. 또한, 상기 부방향 단부 정류판(27a,27b)은 상기 실시형태 3의 레이저 어닐링 처리 장치에 조립됨으로써 동일한 효과를 얻을 수도 있다.In this embodiment, in the laser annealing processing apparatus of the second embodiment, negative end rectifying plates 27a and 27b are provided at both ends of the sample stage 12 in a direction orthogonal to the scanning direction. The negative end rectifying plates 27a and 27b have a function of rectifying the gas flowing in the negative direction in the laser light irradiation and the gas injection in the scanning direction. In the case where the laser beam is irradiated while being rotated by 90 degrees, the negative end rectifying plates 27a and 27b are changed to the end rectifying plates 17a and 17b to achieve the gas rectifying action. Further, the same negative effects can be obtained by assembling the negative end rectifying plates 27a and 27b in the laser annealing apparatus of the third embodiment.

Claims (18)

피처리체에 레이저광을 상대적으로 주사하면서 조사해서 상기 피처리체의 처리를 행하는 레이저 처리 장치에 있어서:In the laser processing apparatus which irradiates a to-be-processed object, irradiating a laser beam relatively, and performs the process of the to-be-processed object: 조사 분위기를 형성하는 가스를 상기 피처리체의 상기 레이저광 조사 부분 근방에 분사하는 가스 분사부, 및 상기 가스 분사부 근방으로부터 상기 주사 방향을 따라 상기 피처리체 표면과 거리를 유지하면서 신장되는 정류면이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.A gas injection unit for injecting a gas forming an irradiation atmosphere in the vicinity of the laser beam irradiation part of the object to be processed, and a rectifying surface extending from the vicinity of the gas injection part while maintaining a distance to the surface of the object in the scanning direction; The laser processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 정류면은 상기 주사 방향에 있어서의 전방 및 후방으로 신장되고 있는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.The rectifying surface extends forward and backward in the scanning direction. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 정류면은 상기 주사에 있어서의 필요한 이동 시간이 10초 이상이 되는 위치까지 주사 방향으로 신장되고 있는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.The rectifying surface is extended in the scanning direction to a position where the required travel time in the scanning is 10 seconds or more. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 정류면은 상기 주사에 있어서의 필요한 이동 시간이 10초 이상이 되는 위치까지 주사 방향으로 신장되고 있는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.The rectifying surface is extended in the scanning direction to a position where the required travel time in the scanning is 10 seconds or more. 피처리체의 외형 치수와 대략 같은 외형 치수를 갖고 상기 피처리체 전체가 탑재되는 시료대 상의 상기 피처리체에 레이저광을 상대적으로 주사하면서 조사해서 상기 피처리체의 처리를 행하는 레이저 처리 장치에 있어서:In the laser processing apparatus which has an external dimension substantially the same as the external dimension of a to-be-processed object, and irradiates the to-be-processed object on the sample stand on which the whole to-be-processed object is irradiated with a laser beam, and performs processing of the to-be-processed object: 조사 분위기를 형성하는 가스를 상기 피처리체의 조사 부분 근방에 분사하는 가스 분사부, 및 상기 시료대의 주사 방향 단부에 설치되어 상기 주사 방향을 따라 신장되는 단부 정류면을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.And a gas injecting unit for injecting a gas forming an irradiation atmosphere in the vicinity of the irradiation portion of the target object, and an end rectifying surface provided at an end portion in the scanning direction of the sample stage and extending along the scanning direction. . 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 단부 정류면은 시료대에 탑재된 피처리체 상면과 대략 같은 높이를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.And said end rectifying surface has substantially the same height as the upper surface of the target object mounted on the sample stage. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 주사 방향과 직교하는 방향의 상기 시료대 단부에 상기 직교 방향을 따라 신장되는 부방향 단부 정류면이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.A laser processing apparatus, characterized in that a negative direction end rectifying surface extending in the orthogonal direction is provided at the sample stage end in the direction orthogonal to the scanning direction. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 주사 방향과 직교하는 방향의 상기 시료대 단부에 상기 직교 방향을 따라 신장되는 부방향 단부 정류면이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.A laser processing apparatus, characterized in that a negative direction end rectifying surface extending in the orthogonal direction is provided at the sample stage end in the direction orthogonal to the scanning direction. 제 5 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 5 to 8, 상기 가스 분사부 근방으로부터 상기 주사 방향을 따라 상기 피처리체 표면과 거리를 유지하면서 신장되는 정류면이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.And a rectifying surface extending from the vicinity of the gas injector along the scanning direction while maintaining a distance from the surface of the target object. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 정류면은 상기 주사 방향에 있어서의 전방 및 후방으로 신장되고 있는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.The rectifying surface extends forward and backward in the scanning direction. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 정류면은 상기 주사에 있어서의 필요한 이동 시간이 10초 이상이 되는 위치까지 주사 방향으로 신장되고 있는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.The rectifying surface is extended in the scanning direction to a position where the required travel time in the scanning is 10 seconds or more. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 정류면은 상기 주사에 있어서의 필요한 이동 시간이 10초 이상이 되는 위치까지 주사 방향으로 신장되고 있는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.The rectifying surface is extended in the scanning direction to a position where the required travel time in the scanning is 10 seconds or more. 제 1 항 내지 제 8 항 및 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 8 and 10 to 12, 상기 레이저광이 라인 빔 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.And the laser beam has a line beam shape. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 레이저광이 라인 빔 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.And the laser beam has a line beam shape. 제 1 항 내지 제 8 항 및 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 8 and 10 to 12, 상기 피처리체의 처리가 비정질 반도체 박막으로 이루어지는 피처리체에 상기 레이저광을 조사해서 결정화시키는 어닐링 처리인 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the processing of the target object is an annealing process of irradiating and crystallizing the laser beam on the target object formed of an amorphous semiconductor thin film. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 피처리체의 처리가 비정질 반도체 박막으로 이루어지는 피처리체에 상기 레이저광을 조사해서 결정화시키는 어닐링 처리인 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the processing of the target object is an annealing process of irradiating and crystallizing the laser beam on the target object formed of an amorphous semiconductor thin film. 제 1 항 내지 제 8 항 및 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 8 and 10 to 12, 상기 조사 분위기 내의 산소 농도를 측정하는 산소 농도계를 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.It has an oxygen concentration meter which measures the oxygen concentration in the said irradiation atmosphere, The laser processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 조사 분위기 내의 산소 농도를 측정하는 산소 농도계를 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.It has an oxygen concentration meter which measures the oxygen concentration in the said irradiation atmosphere, The laser processing apparatus characterized by the above-mentioned.
KR1020087026157A 2007-06-12 2008-05-14 Laser processing apparatus KR101101198B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007154661A JP4936328B2 (en) 2007-06-12 2007-06-12 Laser processing equipment
JPJP-P-2007-154661 2007-06-12
PCT/JP2008/058840 WO2008152873A1 (en) 2007-06-12 2008-05-14 Laser processing device

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117024776A Division KR101183511B1 (en) 2007-06-12 2008-05-14 Laser processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090018782A true KR20090018782A (en) 2009-02-23
KR101101198B1 KR101101198B1 (en) 2012-01-04

Family

ID=40129486

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117024776A KR101183511B1 (en) 2007-06-12 2008-05-14 Laser processing apparatus
KR1020087026157A KR101101198B1 (en) 2007-06-12 2008-05-14 Laser processing apparatus

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117024776A KR101183511B1 (en) 2007-06-12 2008-05-14 Laser processing apparatus

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP4936328B2 (en)
KR (2) KR101183511B1 (en)
WO (1) WO2008152873A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11810799B2 (en) 2016-10-20 2023-11-07 Jsw Aktina System Co., Ltd. Laser processing apparatus and laser processing method

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110032359A (en) * 2009-09-22 2011-03-30 삼성모바일디스플레이주식회사 Laser crystallization apparatus
KR102594040B1 (en) * 2021-09-30 2023-10-25 (주)알엔알랩 Laser processing equipment and laser processing method for annealing semiconductor

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6428809A (en) * 1987-07-23 1989-01-31 Fujitsu Ltd Laser annealing device
JP2002093738A (en) * 2000-09-18 2002-03-29 Toshiba Corp Manufacturing device for polycrystalline semiconductor film
JP2005166768A (en) * 2003-12-01 2005-06-23 Advanced Display Inc Laser annealing device and method of manufacturing thin film transistor
JP2006108271A (en) * 2004-10-04 2006-04-20 Ulvac Japan Ltd Method and device for converting amorphous silicon film into polysilicon film
US20070117287A1 (en) * 2005-11-23 2007-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus
JP4618515B2 (en) * 2006-03-23 2011-01-26 株式会社Ｉｈｉ Laser annealing equipment

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11810799B2 (en) 2016-10-20 2023-11-07 Jsw Aktina System Co., Ltd. Laser processing apparatus and laser processing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP4936328B2 (en) 2012-05-23
KR101183511B1 (en) 2012-09-20
JP2008311249A (en) 2008-12-25
KR101101198B1 (en) 2012-01-04
KR20110133612A (en) 2011-12-13
WO2008152873A1 (en) 2008-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5408678B2 (en) Laser processing equipment
US11810799B2 (en) Laser processing apparatus and laser processing method
US11355364B2 (en) Laser treatment device rectifier device and laser treatment device
KR101101198B1 (en) Laser processing apparatus
JP4618515B2 (en) Laser annealing equipment
KR101164524B1 (en) Laser processing apparatus which can control size of laser beam
JP2008294101A (en) Gas injection means of laser treatment equipment
JP2005074466A (en) Nozzle for laser beam machining, and laser beam machine
KR101403459B1 (en) Apparatus for thermal laser process
JP5083708B2 (en) Laser annealing equipment
JP2000349041A (en) Laser annealing apparatus
KR101862088B1 (en) Laser Beam Adjusting Module for ELA Process
KR100594924B1 (en) Semiconductor devices and methods of manufacture thereof
JP2012064963A (en) Gas jet means of laser processing apparatus
KR20080056524A (en) An crystallizing apparatus for si including blowing machine to nitrogen
KR20100032021A (en) Substrate processing system
KR101862085B1 (en) Oxygen Partial Degassing Apparatus for ELA Process
KR20100032022A (en) Spray unit and film depositing appratus
KR100533429B1 (en) Apparatus and method for polycrystallization of amorphous semiconductor using laser
KR100769475B1 (en) Method and apparatus for crystallization in locally induced inert gas ambient
KR102298008B1 (en) Laser annealing apparatus and method for manufacturing display apparatus using the same
CN118160069A (en) Laser irradiation device, laser irradiation method, and display manufacturing method
JP2005023376A (en) Laser cvd apparatus
JP5774439B2 (en) Laser processing equipment
KR20220141113A (en) Apparatus for substrating treatment

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141201

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151222

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161227

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171215

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191217

Year of fee payment: 9