KR20090016779A - 플립칩형 발광다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

반도체층들이 형성되는 기판 측에서 광이 방출되는 플립칩형 발광다이오드 제조방법이 개시된다. 개시된 플립칩형 발광다이오드 제조방법은, 투광성 기판의 일면에 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층을 차례로 형성하는 단계와, 상기 제 2 도전형 반도체층과 상기 활성층의 일부를 제거하여, 상기 활성층 아래에 위치한 상기 제 1 도전형 반도체층의 일부를 노출시키는 단계와, 상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층 사이를 절연시키는 절연막을 형성하는 단계와, 상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층의 상면에, 상기 절연막에 의해 전기적으로 분리된 제 1 및 제 2 금속 반사부를 함께 형성하는 단계를 포함한다.

플립칩, 발광다이오드, 절연막, 활성층, 금속 반사부

Description

플립칩형 발광다이오드 및 그 제조방법{FLIP CHIP TYPE LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}

본 발명은 발광다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 반도체층들이 형성되는 기판 측에서 광이 방출되는 플립칩형 발광다이오드에 관한 것이다.

발광다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 반도체의 p-n 접합 구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어(전자 및 정공)를 만들고 이들의 재결합에 의해 광을 발생 및 방출하는 소자로서, 기판 상에 성장된, 화합물 반도체의 층상 구조에 의해 발광원을 구성한다. 그러한 화합물 반도체로는 예를 들면, GaN, InGaN, AlGaNInP, GaAs, AlGaAs 등이 이용되며, 근래에는 질화갈륨 계열의 화합물 반도체가 주로 이용되고 있다.

발광다이오드는, 기존의 백열등, 형광등, 할로겐 램프 등과 같은 광원에 비해, 소모 전력이 작고, 수명이 길며, 협소한 공간에 설치 가능하고 진동에 강한 이점들이 있다. 그러한 이점들로 인해, 발광다이오드는, 소형 디스플레이 장치의 백라이트 광원에 이용되고 있으며, 근래에는, 대형 LCD의 백라이트, 자동차 헤드라이트, 더 나아가서는, 일반 조명에까지 응용 폭이 확대되는 추세이다.

발광다이오드의 응용폭을 확대하기 위한 많은 기술적 개선이 당해 기술분야에서 이루어져 왔으며, 그 한 예로, 발광 효율과 방열 효율을 개선할 수 있는 구조를 갖는 플립칩형 발광다이오드가 종래에 제안된 바 있다. 플립칩형 발광다이오드는, 활성층에서 발생된 광을 그 위쪽의 도전형 반도체층(특히, p형 반도체층)을 통해 외부로 바로 방출하는 일반형(normal type)의 발광다이오드와 달리, 활성층에서 발생된 광이 투광성 기판(특히, 사파이어 기판)을 통해 방출되는 구조로 이루어진다.

종래의 플립칩형 발광다이오드는, 사파이어 기판 상에 차례로 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 성장시키고, p형 반도체 및 활성층 일부를 제거하여 n형 반도체층을 노출시킨 후, p형 반도체층에 반사층을 형성하는 방식으로 제조되며, 그 다음, 다른 극성의 본딩 패드들이 형성된 서브마운트 기판 상에 본딩된다. 이때, 위 반사층과 하나의 본딩 패드 사이, 그리고, n형 반도체층과 다른 본딩 패드 사이의 본딩에는 '범프 메탈'로 칭해지는 솔더링 부재가 이용된다. 따라서, 서브 마운드 기판 상에 본딩된 플립칩형 발광다이오드는, 사파이어 기판을 통해 광을 방출하게 되며, 활성층에서 발생된 광은 p형 반도체층 상의 반사층에 의해 반사되어 사파이어 기판으로 향하게 된다.

위와 같은 종래의 발광다이오드 제조방법은, n형 반도체층과 p형 반도체층 상의 반사층 사이에 단차가 항상 존재하므로, 플립칩 또는 솔더링 공정을 위해 높이가 다른 범프 메탈을 이용하여야 하는 불편함이 있다. 또한, 위 종래의 발광다이오드 구조에서는, 반사층을 넓게 형성하는 것이 어려워, 사파이어 기판을 통한 광 방출 효율을 높이는데 많은 한계가 있었다.

따라서, 본 발명의 하나의 기술적 과제는, 투광성 기판 반대편의 제 1 도전형 반도체층과 제 2 도전형 반도체층 상에, 절연막에 의해 분리되는 제 1 및 제 2 반사부를 함께 형성하는 방식으로, 제 1 도전형 반도체층 측과 제 2 도전형 반도체층 측 사이의 단차를 실질적으로 제거함으로써, 더욱 용이한 플립칩 공정(또는, 솔더링 공정)이 가능해진 플립칩형 발광다이오드를 제공하는데 있다.

또한, 본 발명의 다른 기술적 과제는, 투광성 기판 반대편의 제 1 도전형 반도체층과 제 2 도전형 반도체층 상에, 절연막에 의해 분리되는 제 1 및 제 2 반사부를 함께 형성하되, 그 제 1 반사부와 제 2 반사부 모두가 반대편 투광성 기판을 향해 광을 방출하도록 구성되어, 광의 방출 효율이 크게 향상된 발광다이오드를 제공하는데 있다.

본 발명의 일측면에 따라, 플립칩형 발광다이오드를 제조하는 방법이 제공되며, 상기 방법은, 투광성 기판의 일면에 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층을 차례로 형성하는 단계와, 상기 제 2 도전형 반도체층과 상기 활성층의 일부를 제거하여, 상기 활성층 아래에 위치한 상기 제 1 도전형 반도체층의 일부를 노출시키는 단계와, 상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층 사이를 절연시키는 절연막을 형성하는 단계와, 상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층의 상면에, 상기 절연막에 의해 전기적으로 분리된 제 1 및 제 2 금속 반사부를 함께 형성하는 단계를 포함한다.

상기 절연막에 의해 분리된 제 1 및 제 2 금속 반사부를 함께 형성되는 것에 의해, 서브마운트 기판에 본딩되는 서로 다른 극성의 두 영역 사이의 단차를 없애주는 것이 가능해지며, 이는 보다 용이한 플립칩(또는, 솔더링) 공정을 가능하게 해준다. 상기 제 1 및 제 2 금속 반사부는 Au, Ag, Al 등의 금속 재질이 이용되며, 그 이용되는 금속 재질의 종류에 따라, 상기 제 1 및 제 2 금속 반사부는 반사부의 기능과 금속 범프로서의 기능을 동시에 할 수도 있고, 반사부의 기능만을 할 수도 있다.

본 발명의 실시예에 따라, 상기 절연막을 형성하는 단계는, 상기 제 1 도전형 반도체층, 상기 제 2 도전형 반도체층 및 상기 활성층의 노출 영역 전체에 걸쳐 절연막을 증착하는 단계와, 상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층 사이의 일부 영역에 절연막을 남긴 채, 상기 제 1 도전형 반도체층 및 상기 제 2 반도체층 상면의 절연막을 제거하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 제 1 및 제 2 금속 반사부를 형성하는 단계는, 상기 제 1 도전형 반도체층, 상기 절연막, 상기 제 2 도전형 반도체층을 전체적으로 덮는 금속층을 형성하는 단계와, 상기 절연막 위에서 상기 금속층을 부분적으로 제거하여, 상기 금속층을 상기 제 1 금속 반사부와 상기 제 2 금속 반사부로 분리하는 단계를 포함한다. 상기 절연막은 예를 들면, SiO₂ 또는 SiN과 같은 투광성 재질로 형성된다.

본 발명의 다른 측면에 따라, 플립칩형 발광다이오드가 제공되며, 상기 플립칩형 발광다이오드는, 투광성 기판과, 상기 투광성 기판의 일면에 차례대로 형성된 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층을 포함하되, 상기 제 2 도전형 반도체층 및 상기 활성층 일부가 제거되어 상기 제 1 도전형 반도체층이 노출된 구조의 발광셀과, 상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층 사이를 절연하는 절연막과, 상기 절연막에 의해 전기적으로 분리되도록, 상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층의 상면에 함께 형성되는 제 1 및 제 2 금속 반사부를 포함한다.

본 발명의 다른 목적 및 이점은 이하의 실시예의 설명으로부터 보다 명확히 이해될 수 있을 것이다.

본 발명에 따르면, 제 1 도전형 반도체층 측과 제 2 도전형 반도체층 측 사이의 단차를 실질적으로 제거하는 것이 가능하여, 발광다이오드의 더욱 용이한 플립칩 공정(또는, 솔더링 공정)이 가능하다. 도한, 투광성 기판 반대편의 제 1 도전형 반도체층과 제 2 도전형 반도체층 상에, 절연막에 의해 분리되는 제 1 및 제 2 반사부를 함께 형성하되, 그 제 1 반사부와 제 2 반사부 모두가 반대편 투광성 기판을 향해 광을 방출하도록 구성되어, 광의 방출 효율이 크게 향상된다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플립칩형 발광다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.

도 1을 참조하면, 서브마운트 기판(200)에 플립칩형 발광다이오드가 본딩된 구조가 도시되어 있다. 상기 발광다이오드는 투광성 기판(101)과 그 투광성 기판(101) 상에 형성된 발광셀(110)을 포함하며, 상기 발광셀(110)은 투과성 기판(101)으로부터 차례대로 형성된 제 1 도전형 반도체층(112), 활성층(114), 제 2 도전형 반도체층(116)을 포함한다. 또한, 상기 서브마운트 기판(200)의 일면에는 제 1 본딩패드(210)와 제 2 본딩패드(220)가 구비된다.

본 발명의 실시예에서, 상기 투광성 기판(101)은 투명 사파이어 기판이고, 상기 발광셀(110)을 이루는 각 반도체층들(112, 114, 116)은 질화갈륨(GaN) 계열의 반도체층들일 수 있다. 또한, 상기 반도체층들 중 상기 투광성 기판(101)에 인접하는 반도체층(112)은 n형 반도체층이고, 투광성 기판(101) 반대편에 위치하는 반도체층은 p형 반도체층이며, 상기 n형 반도체층과 p형 반도체층 사이의 반도체층(114)은 다중웰 구조의 활성층일 수 있다.

이하 실시예의 설명에서, '투광성 기판', '제 1 도전형 반도체층' 및 '제 2 도전형 반도체층'은 각각 '사파이어 기판', 'n형 반도체층' 및 'p형 반도체층'으로 설명된다.

상기 발광다이오드는, 발광셀(110)이 서브마운트 기판(200)을 향한 채로 상기 서브마운트 기판(200) 상에 본딩되며, 이에 의해, 상기 사파이어 기판(101)은 상기 서브마운트 기판(200)의 반대편으로 광을 외부로 방출하도록 위치된다. 상기 발광셀(110)은, p형 반도체층(116)과 그 아래의 활성층(114) 일부가 수직 방향으로 제거된 구조를 이루며, 이에 의해, 활성층(114) 아래쪽의 n형 반도체층(112) 일부가 서브마운트 기판(200)을 향하는 방향으로 노출된다(도 3 내지 도 5 참조).

상기 n형 반도체층(112)과 상기 p형 반도체층(116) 사이의 노출 영역, 즉, 상기 n형 반도체층(112)으로부터 상기 발광셀(110)의 측면을 거쳐 상기 p형 반도체층(116)으로 이어지는 일부 영역에는 이웃하는 층들을 절연시키는 절연막(120)이 형성되어 있다. 이에 의해, 상기 n형 반도체층(112), 활성층(114) 그리고, p형 반도체층(116)은 발광셀(110)의 측면에서 전기적으로 절연된다. 상기 절연막(120)은 예를 들면, SiO₂ 또는 SiN과 같은 투명 세라믹 재질로 이루어진다.

상기 n형 반도체층(112) 및 P형 반도체층(116)의 표면에는 제 1 및 제 2 금속 반사부(132, 134)가 각각 형성된다. 상기 제 1 및 제 2 금속 반사부(132, 134)는, 함께 형성된 평탄한 금속층 일부가 상기 절연막(120) 상에서 제거되는 것에 의해, 서로 분리된 구조로 형성된 것이며, 따라서, 상기 제 1 금속 반사부(132)와 상기 제 2 금속 반사부(134)는 상기 절연막(120)에 의해 서로 전기적으로 절연된다.

또한, 상기 제 1 및 제 2 금속 반사부(132, 134)는, 하나의 금속층으로부터 분리된 것이므로, 높이에 있어서 상호 단차를 가지지 않으며, 따라서, 기존의 높이가 다른 범프 메탈의 이용 없이도, 발광다이오드가 서브마운트 기판(200)에 대해 쉽게 솔더링(또는, 플립칩 본딩)될 수 있게 해준다. 상기 제 1 및 제 2 금속 반사부(132, 134)는 Ag, Au 또는 Al 등의 재질로 형성될 수 있는데, 그 재질의 종류에 따라 반사부의 기능만을 하거나 범프 메탈의 기능을 함께 할 수 있다.

상기 제 1 및 제 2 금속 반사부(132, 134)가 범프 메탈의 기능을 갖는다고 가정하면, 상기 제 1 금속 반사부(132)는 서브마운트 기판(200)의 제 1 본딩패드(210)에 본딩되고, 상기 제 2 금속반사부(134)는 서브마운트 기판(200)의 제 2 본딩패드(220)에 본딩된다.

상기 제 1 및 제 2 금속 반사부(132, 134)가 반사성은 좋되 솔더링 특성에 부적합한 재질인 경우에는, 도시하지는 않았지만, 추가의 범프 메탈 또는 솔더링 부재를 이용하여, 제 1 및 제 2 금속반사부(132, 134) 각각과 본딩패드(210, 220) 사이를 본딩하는 것도 가능하다. 이때에도, 범프 메탈이나 솔더링 부재의 높이는 같게 되므로, 솔더링 공정은 기존 플립칩형 발광다이오드의 경우에 비해 훨씬 용이하게 이루어질 수 있다.

본 발명의 다른 이점들 중 하나로, 제 1 및 제 2 금속 반사부(132, 134) 및 투광성 절연막(120)의 채용에 의해, 발광효율을 높일 수 있다는 것이다. 도 1의 확대도를 참조하면, 화살표 "A"로 광이 활성층(114)으로부터 발광셀(110)의 측면과 절연막(120)을 거쳐 제 1 금속 반사부(132)에 도달하여 반사됨을 알 수 있다.

제 1 금속 반사부(132)는 n형 반도체층(112) 상에 형성되는 것인데, 종래의 플립칩 발광다이오드의 경우, n형 반도체층 위에는 반사부가 존재하지 않을 뿐더러, 존재한다 하더라도 광의 반사에 기여할 수 없는 구조였다. 그 이유는 발광셀의 측면이 외부로 노출되어 n형 반도체층과 활성층 사이가 광학적으로 분리되어 있기 때문이다.

그와 달리, 본 실시예의 플립칩형 발광다이오드는, 활성층(114)에서 발생한 광이 절연막(120)을 거쳐 n형 반도체층(112) 상의 제 1 금속 반사부(132)에 도달하는 구조이며, 따라서, 광의 반사에 관여하는 금속 반사부의 면적이 증가된 것에 의해, 광 방출 효율이 크게 향상된 구조를 이룬다.

도 2 내지 도 7은 전술한 플립칩형 발광다이오드의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 2를 참조하면, 사파이어 기판(101) 상에 질화갈륨 계열의 n형 반도체층(112), 활성층(114), p형 반도체층(116)이 차례대로 형성된다. 이때, 상기 사파이어 기판(101)과 n형 반도체층(112) 사이에 격자 부정합을 줄이기 위해, AlN 또는 GaN을 포함하는 버퍼층을 형성할 수도 있다.

상기 n형 반도체층(112)은 전자가 생성되는 층이며, n형 불순물이 주입된 질화갈륨(GaN)을 사용하는 것이 바람직하다. 하지만, 이에 한정되지 않고 다양한 반도체 성질의 물질층이 사용될 수 있으며, 본 실시예에서는, n형 Al_xGa_1-xN(O≤x≤1) 을 포함하는 화합물 반도체층이 사용된다. 상기 p형 반도체층(116)은 정공이 생성되는 층이며, p형 불순물이 주입된 질화갈륨(GaN)을 사용하는 것이 바람직하다. 하지만, 이에 한정되지 않고 다양한 반도체 성질의 물질층이 사용될 수 있으며, 본 실시예에서는, p형 Al_xGa_1-xN(O≤x≤1)을 포함하는 화합물 반도체층이 사용된다. 뿐만 아니라, 상기 반도체층으로는 In이 포함된 InGaN이 사용될 수 있다. 도시하지는 않았지만, 상기 p형 반도체층(116) 및/또는 n형 반도체층(112)은 이하 설명되는 도 1에 도시된 금속 반사부들(132, 134)과의 사이에 오믹 콘택을 형성하기 위한 p형 또는 n형의 콘택층을 포함할 수 있다.

상기 활성층(114)은, 소정의 밴드갭을 가지며 양자웰이 만들어져 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 그 층을 이루는 물질의 종류에 따라, 전자와 정공의 결합하여 발생하는 발광파장이 변화된다. 따라서, 목표로 하는 파장에 상응하게 활성층(114)에 포함되는 반도체 재료를 조절하는 것이 바람직하다.

전술한 반도체층들은, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PCVD; Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등을 포함한 다양한 증착 및 성장 방법을 통해 형성될 수 있다.

다음, p형 반도체층(116)과 그 아래의 활성층(114) 일부를 식각, 제거하는 공정에 의해, 도 3에 도시된 것과 같이, n형 반도체층(112)의 상면 일부가 노출되 고, 그 노출된 부분에 활성층(114)과 p형 반도체층(116)이 적층된 구조의 발광셀(110)이 형성된다. 도면에서는 사파이어 기판(101) 상에 하나의 발광셀(110)이 형성된 것으로 도시되어 있지만, 그 사파이어 기판(101) 상에 복수의 발광셀(110)이 형성될 수 있다. 그리고, 상기 발광셀(110)을 형성하기 위한 식각 공정에는 일정 패턴의 마스크가 이용될 수 있다.

다음, 도 4 및 도 5에 도시된 것과 같이, 발광셀(110)의 측면에서, n형 반도체층(112), 활성층(114) 및 p형 반도체층(116)을 절연시키는 절연막(120)을 형성하는 공정들이 수행된다.

먼저, 도 4에 도시된 것과 같이, 상기 n형 반도체층(112)과 상기 p형 반도체층(116)의 상면에서, 상기 n형 반도체층(112), 활성층(114), p형 반도체층(116)의 노출 영역 전체에 걸쳐 SiO₂ 또는 SiN 재질의 투명 절연막이 증착된다. 다음, 도 5에 도시된 것과 같이, 상기 n형 반도체층(112)과 상기 p형 반도체층(116) 사이의 절연이 요구되는 영역의 절연막(120)을 남긴 채, 나머지 절연막(120)이 상기 n형 반도체층(112)의 상면 및 상기 p형 반도체층(116)의 상면으로부터 제거된다.

다음, 도 6 및 도 7에 도시된 것과 같이, 상기 절연막(120) 형성 후에 노출된 상기 n형 반도체층(112)과 p형 반도체층(116)의 상면에 제 1 및 제 2 금속 반사부(132, 134)를 형성하는 공정이 수행된다.

상기 제 1 및 제 2 금속 반사부(132, 134)의 형성을 위해, 도 6에 도시된 것과 같이, 상기 n형 반도체층(112), 상기 절연막(120), 상기 p형 반도체층(116)을 전체적으로 덮는 금속층(130)이 형성된다. 상기 금속층(130)은 증착 또는 도금 공정에 의해 형성될 수 있으며, 그 금속층(130)의 상면이 충분한 평활도를 가질 때까지 그 증착 또는 도금 공정이 이루어진다.

다음, 도 7에 도시된 것과 같이, 상기 절연막(120) 위에서 상기 금속층(130을 부분적으로 제거하여, 상기 금속층(130)을 상기 제 1 금속 반사부(132)와 상기 제 2 금속 반사부(134)로 분리하는 공정이 이루어진다. 그와 같은 공정은 절연막(120) 위에 개구부가 위치되는 포토레지스트(PR)를 이용하여, 그 개구부에 상응하게 금속층(130)을 식각 제거하는 방식이 이용될 수 있다. 제 1 금속 반사부(132)와 제 2 금속 반사부(134)의 분리 형성 후에, 상기 포토레지스트(PR)가 제거되며, 이에 의해, 도 1에 도시된 것과 같은 플립칩 구조의 발광다이오드가 제조될 수 있다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 금속 반사부(132, 134)의 재질은, 예를 들면, Au, Ag, Al 등과 같이, 반사성 및/또는 저융점 특성을 갖는 금속이 이용될 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플립칩형 발광다이오드를 설명하기 위한 단면도.

도 2 내지 도 7은 발명의 실시예에 따른 플립칩형 발광다이오드 제조방법을 설명하기 위한 단면도들.

<도면의 주요부분에 대한 부호설명>

101: 투광성 기판 112: 제 1 도전형 반도체층(n형 반도체층)

114: 활성층 116: 제 2 도전형 반도체층(p형 반도체층)

120: 절연막 132, 134: 금속 반사부

200: 서브마운트 기판

Claims (7)

1. 투광성 기판의 일면에 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층을 차례로 형성하는 단계와;

   상기 제 2 도전형 반도체층과 상기 활성층의 일부를 제거하여, 상기 활성층 아래에 위치한 상기 제 1 도전형 반도체층의 일부를 노출시키는 단계와;

   상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층 사이를 절연시키는 절연막을 형성하는 단계와;

   상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층의 상면에, 상기 절연막에 의해 전기적으로 분리된 제 1 및 제 2 금속 반사부를 함께 형성하는 단계를;

   포함하는 플립칩형 발광다이오드 제조방법.
2. 청구항 1에 있어서, 상기 절연막을 형성하는 단계는,

   상기 제 1 도전형 반도체층, 상기 제 2 도전형 반도체층 및 상기 활성층의 노출 영역 전체에 걸쳐 절연막을 증착하는 단계와;

   상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층 사이의 일부 영역에 절연막을 남긴 채, 상기 제 1 도전형 반도체층 및 상기 제 2 반도체층 상면의 절연막을 제거하는 단계를;

   포함하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 발광다이오드 제조방법.
3. 청구항 1에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 금속 반사부를 형성하는 단계는,

   상기 제 1 도전형 반도체층, 상기 절연막, 상기 제 2 도전형 반도체층을 전체적으로 덮는 금속층을 형성하는 단계와;

   상기 절연막 위에서 상기 금속층을 부분적으로 제거하여, 상기 금속층을 상기 제 1 금속 반사부와 상기 제 2 금속 반사부로 분리하는 단계를;

   포함하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 발광다이오드 제조방법.
4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연막은 투광성을 갖는 것임을 특징으로 하는 플립칩형 발광다이오드 제조방법.
5. 투광성 기판과;

   상기 투광성 기판의 일면에 차례대로 형성된 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층을 포함하되, 상기 제 2 도전형 반도체층 및 상기 활성층 일부가 제거되어 상기 제 1 도전형 반도체층의 일부가 노출된 구조의 발광셀과;

   상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층 사이를 절연하는 절연막과;

   상기 절연막에 의해 전기적으로 분리되도록, 상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층의 상면에 함께 형성되는 제 1 및 제 2 금속 반사부를;

   포함하는 플립칩형 발광다이오드
6. 청구항 5에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 금속 반사부는, 상기 제 1 도전형 반도체층, 상기 절연막, 상기 제 2 도전형 반도체층을 전체적으로 덮은 금속층으로부터 상기 절연막 위의 일부가 제거되어, 서로 분리된 것임을 특징으로 하는 플립칩형 발광다이오드.
7. 청구항 5 또는 청구항 6에 있어서, 상기 절연막은 투광성을 갖는 것을 특징으로 하는 플립칩형 발광다이오드.

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