KR20090010414A - 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 이에 사용되는감광성 수지 조성물 - Google Patents

박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 이에 사용되는감광성 수지 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR20090010414A
KR20090010414A KR1020070073496A KR20070073496A KR20090010414A KR 20090010414 A KR20090010414 A KR 20090010414A KR 1020070073496 A KR1020070073496 A KR 1020070073496A KR 20070073496 A KR20070073496 A KR 20070073496A KR 20090010414 A KR20090010414 A KR 20090010414A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
weight
parts
ether
resin composition
compound
Prior art date
Application number
KR1020070073496A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101388519B1 (ko
Inventor
강훈
김재성
정양호
이희국
김병욱
윤혁민
여태훈
최상각
Original Assignee
삼성전자주식회사
주식회사 동진쎄미켐
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사, 주식회사 동진쎄미켐 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020070073496A priority Critical patent/KR101388519B1/ko
Priority to US12/170,487 priority patent/US8278021B2/en
Priority to CN200810134043.3A priority patent/CN101355056B/zh
Priority to TW097127761A priority patent/TWI489187B/zh
Publication of KR20090010414A publication Critical patent/KR20090010414A/ko
Priority to US13/599,518 priority patent/US8519408B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101388519B1 publication Critical patent/KR101388519B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

광에 대한 감도가 높고, 내열성, 내충격성 등의 특성이 우수한 유기막을 형성할 수 있는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 이에 사용되는 감광성 수지 조성물이 제공된다. 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법은, 절연 기판 상에 데이터 배선을 형성하는 단계와, i) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물, ii) 에폭시기 함유 불포화 화합물, 및 iii) 올레핀계 불포화 화합물의 단량체들을 포함하는 삼원 공중합체, 삼원 공중합체 100중량부에 대하여 포지티브계 감광제 5 내지 100중량부, 삼원 공중합체 100중량부에 대하여 가소제 5 내지 20중량부, 및 전체 조성물 100중량부에 대하여 용매 50 내지 90중량부를 포함하는 감광성 수지 조성물을 데이터 배선 상에 도포하여 유기 절연막을 형성하는 단계와, 유기 절연막에 콘택홀을 패터닝하는 단계와, 콘택홀을 매개로 데이터 배선과 전기적으로 연결되는 화소 전극을 유기막 상에 형성하는 단계를 포함한다.
유기 절연막, 감도, 내열성, 내충격성

Description

박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 이에 사용되는 감광성 수지 조성물{Method Of Fabricating Thin Film Transistor Substrate And Photosensitive Resin Composition Used To The Same}
본 발명은 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 이에 사용되는 감광성 수지 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 광에 대한 감도가 높고, 내열성, 내충격성 등의 특성이 우수한 유기막을 형성할 수 있는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 이에 사용되는 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전계 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어지며, 전계 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전계를 생성하고 이를 통하여 액정분자의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
이러한 액정 표시 장치에서 화상의 표시는 각 화소 전극에 별도의 전압을 인가함으로써 이루어진다. 이를 위해서 상기 두 장의 기판 중 어느 하나의 기판(박막 트랜지스터 기판)에는 화소 전극 및 이 화소 전극에 인가되는 전압을 스위칭하기 위한 삼단자 소자인 박막 트랜지스터 등 다수의 배선을 형성한다. 또한, 화소 전극과 다수의 배선을 절연 시키고, 이들 사이에 형성될 수 있는 기생 용량을 감소시키기 위해 화소 전극과 다수의 배선 사이에 유기 절연막을 형성하는 방법이 연구되고 있다.
그러나, 유기 절연막을 형성하는 데 소요되는 공정 시간이 추가되어 박막 트랜지스터 기판의 생산 효율이 감소될 수 있다.
따라서, 유기 절연막에 요구되는 성능을 저하시키지 않으면서도 공정 시간을 감소시킬 필요가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 광에 대한 감도가 높고, 내열성, 내충격성 등의 특성이 우수한 유기막을 형성할 수 있는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 사용되는 감광성 수지 조성물을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법은, 절연 기판 상에 데이터 배선을 형성하는 단계와, i) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물, ii) 에폭시기 함유 불포화 화합물, 및 iii) 올레핀계 불포화 화합물의 단량체들을 포함하는 삼원 공중합체, 상기 삼원 공중합체 100중량부에 대하여 포지티브계 감광제 5 내지 100중량부, 상기 삼원 공중합체 100중량부에 대하여 가소제 5 내지 20중량부, 및 전체 조성물 100중량부에 대하여 용매 50 내지 90중량부를 포함하는 감광성 수지 조성물을 상기 데이터 배선 상에 도포하여 유기 절연막을 형성하는 단계와, 상기 유기 절연막에 콘택홀을 패터닝하는 단계와, 상기 콘택홀을 매개로 상기 데이터 배선과 전기 적으로 연결되는 화소 전극을 상기 유기막 상에 형성하는 단계를 포함한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은, i) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물, ii) 에폭시기 함유 불포화 화합물, 및 iii) 올레핀계 불포화 화합물의 단량체들을 포함하는 삼원 공중합체(terpolymer)와, 상기 삼원 공중합체 100중량부에 대하여 포지티브계 감광제 5 내지 100중량부와, 상기 삼원 공중합체 100중량부에 대하여 가소제 5 내지 20중량부와, 전체 조성물 100중량부에 대하여 용매 50 내지 90중량부를 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 실시예들에 따른 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 다음과 같은 효과가 하나 혹은 그 이상 있다.
첫째, 광에 대한 감도가 우수한 감광성 수지 조성물을 이용하여 절연 유기막 패턴을 형성함으로써 박막 트랜지스터 제조에 소요되는 공정 시간을 단축할 수 있다.
둘째, 본 실시예의 감광성 수지 조성물을 이용하여 박막 트랜지스터 기판을 제조함으로써 절연 유기막 패턴의 내충격성을 향상시킬 수 있다.
셋째, 본 실시예의 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성한 박막 트랜지스터 기판의 유기 절연막 패턴은 평탄도, 해상도, 내열성, 투과도가 우수하였다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위 뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다.
이하, 본 발명의 제1 실시예에 따른 감광성 수지 조성물에 대하여 상세히 설 명한다.
본 실시예의 감광성 수지 조성물은, i) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물, ii) 에폭시기 함유 불포화 화합물, 및 iii) 올레핀계 불포화 화합물의 삼원 공중합체(terpolymer), 포지티브계 감광제, 가소제, 및 용매를 포함한다.
상기 삼원 공중합체는 i) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물, ii) 에폭시기 함유 불포화 화합물, 및 iii) 올레핀계 불포화 화합물의 공중합체이다.
상기 삼원 공중합체를 제조하기 위해 사용되는 ⅰ) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물　또는 이들의 혼합물로서, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산을 포함하는 불포화 모노카르본 산, 말레인산, 푸마르산, 시트라콘산, 메타콘산, 이타콘산을 포함하는 불포화 디카르본산, 또는 이들의 불포화 디카르본산의 무수물을 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있으며, 공중합 반응성, 및 절연 유기막 공정에서 사용되는 현상액인 알칼리 수용액에 대한 용해성을 고려하여 아크릴산, 메타크릴산, 또는 무수말레인산을 사용하는 것이 바람직하다.
i) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물 또는 이들의 혼합물은, 전체 단량체 i), ii), 및 iii) 100중량부에 대하여 5 내지 40중량부, 바람직하게는 10 내지 30중량부의 함량을 가질 수 있다.　 그 함량이 5중량부 미만일 경우에는 알칼리 수용액에 대한 용해성이 지나치게 낮을 수 있으며, 40중량부를 초과할 경우에는 알칼리 수용액에 대한 용해성이 지나치게 클 수 있다.
ⅱ) 에폭시기 함유 불포화 화합물로서, 예를 들어 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜, 아크릴산-β-메틸글리시딜, 아크릴산-β-에틸글리시딜, 메타크릴산-β-메틸글리시딜 및 메타크릴산-β-에틸글리시딜과 같은 메타크릴산 글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, 또는 p-비닐벤질글리시딜에테르, 메타크릴산 3,4-에폭시 사이클로헥실을 단독 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 또한 공중합 반응성 및 감광성 수지 조성물로 이루어진 패턴의 내열성을 향상을 고려하여, 메타크릴산 글리시딜, 메타크릴산-β-메틸글리시딜, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, 또는 p-비닐벤질글리시딜에테르, 메타크릴산 3,4-에폭시 사이클로헥실을 사용하는 것이 바람직하다.
ii) 에폭시기 함유 불포화 화합물은, 전체 단량체 i), ii), 및 iii) 100중량부에 대하여 10 내지 70중량부, 바람직하게는 20 내지 60중량부의 함량을 가질 수 있다. 그 함량이 10중량부 미만일 경우에는 얻어지는 패턴의 내열성이 저하될 수 있으며, 70중량부를 초과할 경우에는 공중합체의 보존안정성이 저하될 수 있다.
ⅲ)의 올레핀계 불포화 화합물로서, 예를 들어 아크릴레이트계 화합물, 디엔계 지방족 화합물, 및 방향족 불포화 화합물을 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
아크릴레이트계 화합물로서, 예를들어 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레 이트, n-부틸 메타크릴레이트, sec-부틸 메타크릴레이트, tert-부틸 메타크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 이소프로필 아크릴레이트, 시클로헥실 메타크릴레이트, 2-메틸시클로 헥실메타크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐메타크릴레이트, 디시클로펜타닐메타크릴레이트, 1-아다만틸 아크릴레이트, 1-아다만틸 메타크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸메타크릴레이트, 이소보로닐메타크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 2-메틸시클로헥실아크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸아크릴레이트, 이소보로닐아크릴레이트, 페닐메타크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 벤질메타크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트를 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
디엔계 지방족 화합물로서, 예를 들어1,3-부타디엔, 이소프렌, 또는 2,3-디메틸 1,3-부타디엔을 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
방향족 불포화 화합물로서, 예를 들어 스티렌, σ-메틸 스티렌, m-메틸 스티렌, p-메틸 스티렌, 비닐톨루엔, 및 p-메톡시 스티렌을 단독으로 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
공중합 반응성 및 현상액인 알칼리 수용액에 대한 용해성을 고려하여, iii) 올레핀계 불포화 화합물로서, 스티렌, 디시클로펜타닐메타크릴레이트, 또는 p-메톡시 스티렌을 사용하는 것이 바람직하다.
iii) 올레핀계 불포화 화합물은, 전체 단량체 i), ii), 및 iii) 100중량부에 대하여 10 내지 70중량부, 바람직하게는 20 내지 50중량부의 함량을 가질 수 있다.　 그 함량이 10중량부 미만일 경우에는 아크릴계 공중합체의 보존안정성이 저하 될 수 있으며, 70중량부를 초과할 경우에는 아크릴계 공중합체가 현상액인 알칼리 수용액에 대한 용해성이 저하될 수 있다.
상기 삼원 공중합체를 제조하기 위해, 우선 전체 단량체 i), ii), 및 iii) 100중량부에 대하여 상기 i) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물 5 내지 40중량부, 상기 ii) 에폭시기 함유 불포화 화합물 10 내지 70중량부, 및 상기 iii) 올레핀계 불포화 화합물 5 내지 70중량부를 용매하에서 용액 중합(solution polymerization)시켜 공중합 혼합물을 형성한다.
예를 들어 상기 단량체 i)로서 하기 화학식 1로 표시되는 메타크릴산, 단량체 ii)로서 하기 화학식 2로 표시되는 메타크릴산 글리시딜, 및 단량체 iii)으로서 하기 화학식 3으로 표시되는 벤질 메타크릴레이트를 상기 용매 존재 하에서 상기 조성비로 공중합시킬 수 있다.
(화학식 1)
Figure 112007053237483-PAT00001
(화학식 2)
Figure 112007053237483-PAT00002
(화학식 3)
Figure 112007053237483-PAT00003
이 경우, 상기 용액 중합에 사용되는 중합 용매는 예를 들어 메탄올, 테트라히드록시퓨란, 톨루엔, 및 다이옥산일 수 있다.
상기 공중합 반응에는 예를 들어 라디칼 중합 개시제와 같은 중합 개시제가 사용할 수 있으며, 구체적으로 2,2-아조비스이소부티로니트릴, 2,2-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2-아조비스(4-메톡시 2,4-디메틸발레로니트릴), 1,1-아조비스(시클로헥산-1-카르보니트릴), 및 디메틸 2,2'-아조비스이소부틸레이트가 중합 개시제로서 적합하게 예시된다.
이후, 상술한 바와 같이 형성된 공중합 혼합물을 침전 및 여과시키고, 진공 건조(vacuum drying)시켜 미반응 단량체를 제거한다. 이와 같이 하면, 하기 화학식 4로 표시되는 미반응 단량체가 제거된 아크릴계 삼원 공중합체가 형성된다.
(화학식 4)
Figure 112007053237483-PAT00004
상술한 바와 같은 성분을 함유하는 아크릴계 공중합체의 폴리스티렌 환산중 량평균분자량(Mw)은 5,000 내지 30,000, 바람직하게는 5,000 내지 20,000일 수 있다.　 폴리스티렌 환산중량평균분자량이 5,000 미만인 경우 아크릴계 공중합체를 함유하는 유기 절연막의 현상성, 및 현상 후 유기 절연막이 잔존하는 정도를 의미하는 잔막율 등이 저하되거나, 패턴 현상, 내열성 등이 뒤떨어질 수 있으며, 30,000을 초과하는 경우 유기 절연막의 광에 대한 감도가 저하되거나 패턴 현상성이 저하될 수 있다.
상기 아크릴계 공중합체는 유기 절연막을 형성하기 위한 현상 공정시, 스컴(scum)이 발생하지 않는 패턴을 용이하게 형성할 수 있도록 한다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에 포함되는 감광제는 포지티브계(positive type) 감광제일 수 있다.
포지티브계 감광제로서 퀴논디아지드 화합물일 수 있으며, 퀴논디아지드 화합물로서, 예를 들어 1,2-퀴논디아지드 4-술폰산 에스테르, 1,2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르, 또는 1,2-퀴논디아지드 6-술폰산 에스테르를 포함하는 1,2-퀴논디아지드 화합물을 사용할 수 있으며, 이들로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상을 사용할 수 있다.
퀴논디아지드 화합물은 나프토퀴논디아지드 술폰산할로겐 화합물과 페놀 화합물을 반응시켜 제조할 수 있다.
퀴논디아지드 화합물의 제조에 사용되는 페놀 화합물로서, 예를 들어 2,3,4-트리히드록시벤조페논, 2,4,6-트리히드록시벤조페논, 2,2'-테트라히드록시벤조페논, 4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,3'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테 트라히드록시벤조페논, 2,3,4,2'-테트라히드록시 4'-메틸벤조페논, 2,3,4,4'-테트라히드록시 3'-메톡시벤조페논, 2,3,4,2'-펜타히드록시벤조페논, 2,3,4,6'-펜타히드록시벤조페논, 2,4,6,3'-헥사히드록시벤조페논, 2,4,6,4'-헥사히드록시벤조페논, 2,4,6,5'-헥사히드록시벤조페논, 3,4,5,3'-헥사히드록시벤조페논, 3,4,5,4' -헥사히드록시벤조페논, 3,4,5,5'-헥사히드록시벤조페논, 비스(2,4-디히드록시페닐) 메탄, 비스(p-히드록시페닐) 메탄, 트리(p-히드록시페닐) 메탄, 1,1,1-트리(p-히드록시페닐) 에탄, 비스(2,3,4-트리히드록시페닐) 메탄, 2,2-비스(2,3,4-트리히드록시페닐) 프로판, 1,1,3-트리스(2,5-디메틸 4-히드록시페닐)-3-페닐프로판, 4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀, 또는 비스(2,5-디메틸 4-히드록시페 닐)-2-히드록시페닐메탄을 사용할 수 있으며, 상기 화합물을 단독 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
퀴논디아지드 화합물의 제조 방법을 구체적으로 설명하면, 하기 화학식 5로 표시되는 나프토퀴논디아지드 술폰산할로겐 화합물, 및 페놀 화합물로서 하기 화학식 6으로 표시되는 2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논을 약염기하에서 에스테르화 반응시킨다. 이렇게 하면 하기 화학식 7로 표시되는 1,2-퀴논디아지드 화합물을 수득할 수 있다.
(화학식 5)
Figure 112007053237483-PAT00005
(화학식 6)
Figure 112007053237483-PAT00006
(화학식 7)
Figure 112007053237483-PAT00007
페놀 화합물과 나프토퀴논디아지드 술폰산할로겐 화합물을 반응시켜 퀴논디아지드 화합물을 합성할 때 에스테르화도는 50 내지 85 %인 것이 바람직하다.　 에스테르화도가 50 % 미만일 경우 잔막율이 저하될 수 있으며, 85 %를 초과할 경우 보관안정성이 저하될 수 있다.
1,2-퀴논디아지드 화합물은 아크릴계 공중합체 100중량부에 대하여 5 내지 100중량부로 포함되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 10 내지 50중량부로 포함되는 것이다.　 그 함량이 5중량부 미만일 경우에는 노광부와 비노광부의 용해도 차가 작아져 패턴 형성이 어려우며, 100중량부를 초과할 경우에는 단시간 동안 빛을 조사할 때 미반응 1,2-퀴논디아지드 화합물이 다량 잔존하여 현상액인 알칼리 수용액에 대한 용해도가 지나치게 낮아져 현상이 어렵다는 문제점이 있다.
퀴논디아지드 화합물은 아크릴계 삼원 공중합체 100중량부에 대하여 5 내지 100중량부, 바람직하게는 10 내지 50중량부의 함량을 가질 수 있다. 그 함량이 5중량부 미만일 경우 후술하는 유기 절연막 형성시 노광부와 비노광부의 용해도 차가 작아져 패턴 형성이 어려울 수 있으며, 100중량부를 초과할 경우 단시간 동안 빛을 조사할 때 미반응 1,2-퀴논디아지드 화합물이 다량 잔존하여 현상액인 알칼리 수용액에 대한 용해도가 지나치게 낮아져 현상하기 어려울 수 있다.
본 실시예에 따른 감광성 수지 조성물에 포함되는 가소제는 예를 들어 프탈레이트계, 아디페이트계, 포스페이트계, 및 모노이소부티레이트계 가소제로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상일 수 있다.
구체적으로, 프탈레이트계 가소제는 디옥틸프탈레이트 및 디이소노닐프탈레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상일 수 있고, 아디페이트계 가소제는 디옥틸아디페이트를 포함할 수 있으며, 포스페이트계 가소제는 아디페이트계 및 트리크레실포스페이트로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상일 수 있고, 모노이소부티레이트계 가소제는 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올 모노이소부티레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상일 수 있다.
가소제는 유기절연막의 가교 밀도(crosslinking density)를 조절하여 본 실시예의 감광성 수지 조성물의 광에 대한 고감도를 특성을 유지시켜 준다. 구체적으로 설명하면, 가소제는 감광성 수지 조성물의 가교를 방해하고, 현상액에 대한 용해도를 증가시킨다. 이에 따라, 가소제가 첨가된 감광성 수지 조성물에는 이를 첨가하지 않은 경우에 비해 소량의 광(light)만 조사하더라도 현상액에 의해 용해될 수 있으므로 광에 대한 감도가 높아진다.
가소제는 상술한 삼원 공중합체 100중량부에 대하여 5 내지 20중량부의 함량을 가질 수 있다. 그 함량이 5중량부 미만일 경우 감광성 수지 조성물의 가교 밀도 조절이 용이하지 않고, 20중량부를 초과할 경우 내열성이 떨어질수 있다.
본 실시예의 용매는 유기 절연막의 평탄도를 유지하고, 코팅 얼룩을 발생하지 않게 하여 균일한 패턴 프로파일(pattern profile)을 형성하게 한다.
본 실시예에 따른 감광성 수지 조성물에 포함되는 용매는 메탄올, 에탄올, 벤질알코올, 헥실알코올을 포함하는 알코올류, 에틸렌글리콜메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜에틸에테르아세테이트를 포함하는 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트류, 에틸렌글리콜메틸에테르프로피오네이트, 에틸렌글리콜에틸에테르프로피오네이트를 포함하는 에틸렌글리콜알킬에테르프로피오네이트류, 에틸렌글리콜메틸에테르, 에틸렌글리콜에틸에테르를 포함하는 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르를 포함하는 디에틸렌글리콜알킬에테르류, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트를 포함하는 프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜프로필에테르프로피오네이트를 포함하는 프로필렌글리콜알킬에테르프로피오네이트류, 프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜에틸에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르, 프로필렌글리콜부틸에테르를 포함하는 프로필렌글리콜모노 알킬에테르류, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디포로필렌글리콜디에틸에테르를 포함하는 디프로필렌글리콜알킬에테르류, 부틸렌글리콜모노메틸에테르, 부틸렌글리콜모노에틸에테르를 포함하는 부틸렌글리콜모노메틸에테르류, 및 디부틸렌글리콜디메틸에테르, 디부틸렌글리콜디에틸에테르를 포함하는 디부틸렌글리콜알킬에테르류로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상일 수 있다.
용매는 전체 감광성 수지 조성물 100중량부에 대하여 50 내지 90중량부의 함량을 가질 수 있다. 즉, 총 감광성 수지 조성물의 고형분 함량이 10 내지 50중량부, 바람직하게는 15 내지 40중량부가 되도록 상기 삼원 공중합체, 감광제 및 가소제의 혼합물에 용매를 첨가한다. 감광성 수지 조성물에 포함된 고형분 함량이 10중량부 미만일 경우 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성한 유기 절연막의 코팅 두께가 얇거나, 코팅 평탄도가 저하될 수 있으며, 50중량부를 초과할 경우 코팅 두께가 두꺼워지거나, 코팅시 코팅 장비에 무리를 줄 수 있다.
상술한 바와 같은 성분으로 이루어지는 본 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 필요에 따라 에폭시수지, 접착제, 아크릴 화합물, 및 계면활성제로 이루어진 군으로부터 선택된 첨가제를 추가로 포함할 수 있다.
에폭시 수지는 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성한 유기 절연막 패턴의 내열성, 및 광에 대한 감도 등을 향상시키는 작용을 한다.
에폭시 수지로서, 예를 들어 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 환상지방족 에폭시 수지, 글리시딜 에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜 아민형 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 또는 상술한 삼원 공중합체인 아크릴계 공중합체와는 상이한 글리시딜 메타아크리레이트를 (공)중합한 수지 등을 사용할 수 있으며, 특히 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 또는 글리시딜 에스테르형 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 에폭시 수지는 상기 삼원 공중합체 100중량부에 대하여 0.1 내지 30중량부의 함량을 가질 수 있다. 그 함량이 상기 범위를 벗어나는 경우에는 아크릴계 공중합체에 대한 상용성이 떨어져 충분한 도포 성능을 얻기 어려울 수 있다.
또한 본 실시예의 접착제는 후술하는 절연 기판과의 접착성을 향상시키는 작용을 하며, 상술한 삼원 공중합체 100중량부에 대하여 0.1 내지 20중량부의 함량을 가질 수 있다.
접착제로서, 예를 들어 카르복실기, 메타크릴기, 이소시아네이트기, 또는 에폭시기 등과 같은 반응성 치환기를 갖는 실란 커플링제 등을 사용할 수 있다.　 이들의 구체적인 예로서 γ-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, 또는 β-(3,4-에폭시 시클로 헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다.
또한 첨가제로 사용된 아크릴 화합물은 본 실시예의 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 패턴의 투과율, 내열성, 감도 등을 향상시키는 작용을 한다.
상기 아크릴 화합물은 하기 화학식 8로 표시될 수 있다.
(화학식 8)
Figure 112007053237483-PAT00008
상기 화학식 8에서, R은 수소원자, 탄소수 1 ~ 5의 알킬기, 탄소수 1 ~ 5의 알콕시기, 또는 탄소수 1 ~ 5의 알카노일기이고,
1 < a < 6이고, a + b = 6이다.
상기 첨가제로 사용된 아크릴 화합물은 삼원 공중합체 100중량부에 대하여 0.1 내지 30중량부, 바람직하게는 0.1 내지 15중량부의 함량을 가질 수 있다.　 그 함량이 상기 범위내일 경우에는 본 실시예의 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성한 유기 절연막 패턴의 투과율, 내열성, 광에 대한 감도를 향상시킬 수 있다.
본 실시예의 계면활성제는 감광성 수지 조성물의 도포성이나 현상성을 향상시키는 작용을 한다.
본 실시예의 계면활성제로서 예를 들어 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르, F171, F172, F173(상품명: 대일본잉크사), FC430, FC431(상품명: 수미또모트리엠사), 또는 KP341(상품명: 신월화학공업사) 등을 사용할 수 있다.
상기 계면활성제는 상기 삼원 공중합체 100중량부에 대하여 0.0001 내지 2중량부의 함량을 가질 수 있다. 그 함량이 상기 범위내일 경우에는 감광성 수지 조성물의 도포성이나 현상성을 향상시킬 수 있다.
상술한 첨가제를 포함하는 본 실시예의 감광성 수지 조성물의 고형분 함량은 총 감광성 수지 조성물에 대하여 10 내지 50중량부인 것이 바람직하다. 상기 범위의 고형분을 상술한 용매에 용해시킨 후, 0.1 ~ 0.2 ㎛의 밀리포아필터 등으로 여과하여 감광성 수지 조성물을 제조한다.
이하, 도 1 내지 도 6을 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다. 도 1 내지 도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 공정 단계별로 나타낸 단면도들이다. 본 실시예에서는 본 발명의 제1 실시예에 따른 감광성 수지 조성물이 이용되므로, 상술한 감광성 수지 조성물의 성분, 함량 등에 대한 설명은 생략하거나 간략화한다.
먼저, 도 1을 참조하면, 절연 기판(10) 위에 게이트 배선용 금속막(미도시)를 적층한 후, 이를 패터닝하여 게이트선(22), 게이트 전극(26) 및 유지 전극(27)을 포함하는 게이트 배선(22, 26, 27)을 형성한다. 형성된 게이트 배선(22, 26, 27) 중 게이트선(22)은 절연 기판(10) 위에 예를 들어 가로 방향으로 형성되고, 게이트 전극(26)은 게이트선(22)에 연결되어 돌기 형태로 형성된다. 이어서, 절연 기판(10), 게이트 배선(22, 26, 27)의 위에 질화 규소(SiNx) 등으로 이루어진 게이트 절연막(30)을 예를 들어, 플라즈마 강화 화학 기상 증착법(Plasma Enhanced CVD, PECVD) 또는 리액티브 스퍼터링(reactive sputtering)을 이용하여 증착한다. 이어서, 액티브층(미도시), 도핑된 비정질 규소층(미도시) 및 데이터 배선용 도전막(미도시)을 예를 들어, 스퍼터링을 이용하여 연속적으로 증착하고 식각하여, 데이터 선(62), 소스 전극(65)과 드레인 전극(66), 드레인 전극 확장부(67)로 이루어진 데이터 배선(62, 65, 66, 67), 저항성 접촉층(55, 56) 및 액티브층 패턴(42, 44)을 형성한다.
이어서, 도 2를 참조하면, 데이터 배선(62, 65, 66, 67) 및 게이트 절연막(30) 상에 예를 들어 질화규소 또는 산화규소로 이루어진 무기물을 증착시켜 보호막(70)을 형성한다.
이어서, 도 3을 참조하면, 상기 보호막(70) 상에 본 발명의 제1 실시예에 따른 감광성 수지 조성물을 도포한다.
감광성 수지 조성물을 제조하기 위해 이전 실시예에서 설명한 바와 같이 전체 단량체 i), ii), 및 iii) 100중량부에 대하여 상기 i) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물 5 내지 40중량부, 상기 ii) 에폭시기 함유 불포화 화합물 10 내지 70중량부, 및 상기 iii) 올레핀계 불포화 화합물 5 내지 70중량부를 용액 중합시키고 미반응된 단량체를 제거하여 삼원 공중합체를 먼저 형성한다. 이후 삼원 공중합체 100중량부에 대하여 포지티브계 감광제 5 내지 100중량부, 상기 삼원 공중합체 100중량부에 대하여 가소제 5 내지 20중량부, 및 삼원 공중합체로 이루어진 고형분을 전체 조성물에 대하여 용매 50 내지 90중량부에 용해시켜 감광성 수지 조성물을 제조한다.
이와 같이 제조한 감광성 수지 조성물을 스프레이법, 롤코터법, 회전도포법 등으로 기판표면에 도포하고, 프리베이크(prebake)에 의해 용매를 제거하여 감광성 수지 조성물막(75)을 형성한다. 이 경우 프리베이크는 80 ~ 115 ℃의 온도에서 1 ~ 15 분간 실시하는 것이 바람직하다.
이어서, 도 4를 참조하면, 마스크(200)를 이용하여 상기 감광성 수지 조성물막(75) 상에 가시광선, 자외선, 원자외선, 전자선, 엑스선 등의 광을 조사하는 노광 단계를 수행한다.
마스크(200)는 투명 기판(201) 상에 예를 들어 크롬(Cr) 등으로 이루어진 차광 패턴(202)과 차광 패턴(202)들 사이에 형성된 개구부(203)를 포함한다. 상기 감광성 수지 조성물에 포함된 감광제는 포지티브계 감광제이므로, 개구부(203)를 통하여 광이 조사된 부분의 감광성 수지 조성물은 연화되어 후속 현상 공정에서 제거된다. 이 경우 노광 단계에 사용된 광에 대한 상기 유기 절연막(75)의 감도는 예를 들어 200 내지 270mJ/㎠일 수 있다. 이와 같이 유기 절연막(75)이 광에 대해 고감도 특성을 가짐으로써, 노광 시간을 단축시킬 수 있다.
이후, 노광된 유기 절연막(75)을 현상액으로 현상하여 불필요한 부분을 제거함으로써 패턴을 형성한다.
본 실시예의 현상액으로서 예를 들어 알칼리 수용액을 사용할 수 있으며, 알칼리 수용액은 예를 들어 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨을 포함하는 무기 알칼리류, 에틸아민, n-프로필아민을 포함하는 1급 아민류, 디에틸아민, n-프로필아민을 포함하는 2급 아민류, 트리메틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에틸아민, 트리에틸아민을 포함하는 3급 아민류, 디메틸에탄올아민, 메틸디에탄올아민, 트리에탄올아민을 포함하는 알콜아민류, 및 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드를 포함하는 4급 암모늄염으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 알칼리 화합물을 물에 용해시켜 사용할 수 있다.　이 경우, 상기 현상액은 알칼리 화합물 0.1 ~ 10중량부, 및 물 90 내지 99.9중량부를 함유할 수 있다. 한편 현상액에는 예를 들어 메탄올, 에탄올 등과 같은 수용성 유기 용매 및 계면활성제를 더 첨가할 수도 있다.
이후, 현상된 유기 절연막(75)을 초순수로 30 ~ 90 초간 세정하고 건조하여 콘택홀(도 5의 77 참조)을 형성하기 위한 패턴을 형성한다. 패턴이 형성된 유기 절연막(75)에 예를 들어 자외선 등의 광을 추가 노광한다. 이후 추가 노광된 유기 절연막(75)을 미드베이크(midbake)하고, 오븐 등의 가열 장치에 의해 150 ~ 250 ℃의 온도에서 30 ~ 90 분간 경화시킨다. 이와 같이 하면 도 5에 도시한 바와 같이 콘택홀(77)을 포함하는 유기 절연막 패턴(76)이 형성된다.
상술한 공정을 거쳐 형성된 유기 절연막 패턴(76)은 감광성 수지 조성물을 상술한 조성으로 포함하므로, 평탄도, 해상도, 내열성, 투과도등의 성능이 우수하고, 내충격성이 우수할 뿐만 아니라, 광에 대한 감도가 우수하여 노광 시간을 단축하여 생산성을 향상시킬 수 있다.
이어서, 도 6에 도시한 바와 같이, 예를 들어 ITO, IZO 등과 같은 투명 도전체를 증착하고 패터닝하여 화소 전극(82)을 형성함으로써 본 실시예에 제조 방법에 따른 박막 트랜지스터 기판을 완성한다.
화소 전극(82)은 콘택홀(76)을 매개로 드레인 전극 확장부(67)와 전기적으로 연결된다.
화소 전극(82)과 유지 전극(27)은 유지 캐패시턴스를 형성하는 한편, 데이터 배선(62, 65, 66, 67)과 화소 전극(82)이 원하지 않는 기생 캐패시턴스를 형성할 수 있으나, 본 실시예의 유기 절연막 패턴(76)을 이용하여 이러한 기생 캐패시턴스를 감소시킬 수 있다. 유기 절연막 패턴(76)을 형성하는 데 소요되는 공정시간은 본 실시예에 따른 감광성 수지 조성물을 이용하여 단축될 수 있음은 상술한 바와 같다.
이하, 하기 실험예 및 비교 실험예들을 기초로 본 실시예의 감광성 수지 조성물을 이용한 제조 방법에 의해 형성한 박막 트랜지스터 및 감광성 수지 조성물의 성능을 확인한다.
실험예 1
(아크릴계 공중합체 제조)
냉각관과 교반기를 구비한 플라스크에 메타크릴산 25중량부, 벤질 메타크릴레이트 30중량부, 메타크릴산 글리시딜 25중량부, 스티렌 20중량부로 이루어진 전체 단량체에, 전체 단량체 100중량부에 대하여 테트라히드록시퓨란 400중량부, 2,2‘-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 10중량부를 혼합하고, 질소 치환한 후 천천히 교반하였다.　 교반된 용액을 62 ℃까지 승온시켜 10 시간 동안 이 온도를 유지하여 공중합 혼합물을 제조하였다.
공중합 혼합물의 미반응 단량체를 제거하기 위하여 n-헥산(n-hexane) 1000중량부에 대하여 공중합 혼합물 100중량부를 침전시켰다.　이어서, 메시(mesh)를 이용하여 공중합 혼합물을 여과(filtering)시킴으로써 미반응 단량체가 용해된 용매를 일부 제거하였다.　　이후, 30℃ 이하에서 진공 건조 공정을 수행하여 여과 공정 이 후에도 잔류하는 미반응 단량체가 함유된 용매를 완전히 제거하여 아크릴계 삼원 공중합체를 제조하였다.
상기 아크릴계 삼원 공중합체의 중량평균분자량은 10,000이었다.　 삼원 공중합체의 중량평균분자량은 GPC(Gel Permeation Chromatography)를 사용하여 측정한 폴리스티렌 환산평균분자량이다.
(1,2-퀴논디아지드 화합물의 제조)
4,4‘-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 2 몰을 축합 반응시켜 4,4‘-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
(감광성 수지 조성물 제조)
상기 아크릴계 삼원 공중합체 100중량부와 상기 삼원 공중합체 100중량부에 대하여 4,4‘-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르 25중량부 및 디옥틸프탈레이트 15중량부를 혼합하였다.　 상기 혼합물의 고형분 함량이 20중량부가 되도록 디에틸렌글리콜 디메틸에테르를 상기 혼합물에 첨가하여 상기 혼합물을　용해시킨 후, 상기 혼합물이 용해된 용액을0.2 ㎛의 밀리포아필터로 여과하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
실험예 2
감광성 수지 조성물 제조시 가소제로서 디옥틸프탈레이트 대신 디옥틸아디페 이트를 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
실험예 3
감광성 수지 조성물 제조시 가소제로 디옥틸프탈레이트 대신 트리크레실포스페이트를 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
실험예 4
감광성 수지 조성물 제조시 가소제로 디옥틸프탈레이트 대신 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올 모노이소부티레이트를 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
비교 실험예 1
감광성 수지 조성물 제조시 가소제를 사용하지 않은 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
비교 실험예 2
감광성 수지 조성물 제조시 가소제로 디옥틸프탈레이트 15중량부 대신 디옥틸프탈레이트 30중량부를 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
(유기 절연막 패턴을 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 및 성능 평가)
데이터 배선 등이 형성된 절연 기판 상에 스핀코터를 사용하여 상기 실험예 1 내지 4, 비교 실험예 1및 비교 실험예 2서 제조한 감광성 수지 조성물을 도포한 뒤, 90℃의 온도로 2분간 핫 플레이트상에서 프리베이크하여 두께가 3.0㎛인 유기 절연막을 형성하였다.
가) 현상후 평탄도 - 위와 같이 형성한 유기 절연막의 현상후의 평탄도(uniformity)를 측정하기 위하여 Elipsometer를 이용하였다.　 이때, 전체 절연 기판을 기준으로 평탄도가 95%를 넘는 경우를 ○, 90 ~ 95%인 경우를 △, 90% 미만인 경우를 × 로 각각 표 1에 표시하였다.
나) 감도 - 마스크(mask)를 사용하여 파장 435nm에서의 강도(intensity)가 20 mW/㎠인 자외선을 유기 절연막에 조사하였다. 이 경우 자외선은 마스크의 개구부와 차광 패턴이 각각10㎛의 간격으로 형성될 수 있는 광량으로 조사하여 패턴을 형성하였다. 이후 테트라메틸 암모늄히드록시드 2.38중량부를 포함하는 수용액으로 23℃에서 1분간 유기 절연막을 현상한 후, 초순수로 1분간 세정하였다.
이후, 상기에서 현상된 패턴에 파장 435nm에서의 강도가 20 mW/㎠인 자외선을 500mJ/㎠ 조사하고, 오븐 내에서 230℃의 온도로 60분간 경화시켜 유기 절연막 패턴을 수득하였다.
다) 해상도 - 상기 나)의 감도 측정시 형성된 유기 절연막 패턴의 최소 크기로 측정하였다.
라) 내열성 - 상기 나)의 감도 측정시 형성된 패턴 막의 상,하 및 좌,우의 폭을 측정하였다.　 이때, 각의 변화율이 미드베이크 전을 기준으로, 0 ~ 20%인 경우를 ○, 20 ~ 40%인 경우를 △, 40%를 넘는 경우를 × 로 표시하였다.
마) 투과도 - 투과도의 평가는 분광광도계를 이용하여 패턴 막의 400 ㎚의 투과율을 측정하였다.
현상 후 평탄도 감도(mJ/㎠) 해상도(㎛) 내열성 투과도(%)
실험예 1 ○ 230 3 ○ 90
실험예 2 ○ 240 3 ○ 90
실험예 3 ○ 250 3 ○ 90
실험예 4 ○ 260 3 ○ 90
비교 실험예 1 ○ 300 3 ○ 90
비교 실험예 2 ○ 240 3 × 90
표 1에서 확인할 수 있는 바와 같이, 실험예 1 내지 4에서 제조한 본 실시예의 감광성 수지 조성물은 현상 후 평탄도, 해상도, 내열성, 투과도가 모두 우수하였으며, 특히 광에 감도가 감도가 비교 실험예 1에 비해 우수하여 공정 시간을 단축시킬 수 있다. 한편 비교 실험예 2의 경우, 감도는 우수하나, 내열성이 떨어지므로 본 실시예의 유기 절연막에 적용하기에는 곤란함을 확인할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 공정 단계별로 나타낸 단면도들이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10: 절연 기판 22: 게이트선
26: 게이트 전극 27: 유지 전극
30: 게이트 절연막 42, 44: 액티브층 패턴
55, 56: 저항성 접촉층 62: 데이터선
65: 소스 전극 66: 드레인 전극
67: 드레인 전극 확장부 70: 보호막
75: 유기 절연막 76: 유기 절연막 패턴
77: 콘택홀 82: 화소 전극
200: 마스크 201: 투명 기판
202: 차광 패턴 203: 개구부

Claims (29)

  1. 절연 기판 상에 데이터 배선을 형성하는 단계;
    i) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물, ii) 에폭시기 함유 불포화 화합물, 및 iii) 올레핀계 불포화 화합물의 단량체들을 포함하는 삼원 공중합체, 상기 삼원 공중합체 100중량부에 대하여 포지티브계 감광제 5 내지 100중량부, 상기 삼원 공중합체 100중량부에 대하여 가소제 5 내지 20중량부, 및 전체 조성물 100중량부에 대하여 용매 50 내지 90중량부를 포함하는 감광성 수지 조성물을 상기 데이터 배선 상에 도포하여 유기 절연막을 형성하는 단계;
    상기 유기 절연막에 콘택홀을 패터닝하는 단계; 및
    상기 콘택홀을 매개로 상기 데이터 배선과 전기적으로 연결되는 화소 전극을 상기 유기막 상에 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 삼원 공중합체는 i) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물, ii) 에폭시기 함유 불포화 화합물, 및 iii) 올레핀계 불포화 화합물의 단량체들을 공중합시키고 미반응 단량체를 제거하여 형성되는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 전체 단량체들 100중량부에 대하여 상기 i) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물은 5 내지 40중량부 이고, 상기 ii) 에폭시기 함유 불포화 화합물은 10 내지 70중량부 이고, 상기 iii) 올레핀계 불포화 화합물은 5 내지 70중량부인 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 유기 절연막에 콘택홀을 패터닝하는 단계는 마스크를 이용하여 상기 유기 절연막을 노광하는 단계; 및 상기 유기 절연막을 현상하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 노광 단계에 사용된 광에 대한 상기 유기 절연막의 감도는 200 내지 270mJ/㎠인 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 현상 단계에 사용되는 현상액은 알칼리 화합물 0.1 내지 10중량부 및 물 90 내지 99.9중량부를 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 알칼리 화합물은 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨을 포함하는 무 기 알칼리류; 에틸아민, n-프로필아민을 포함하는 1급 아민류; 디에틸아민, n-프로필아민을 포함하는 2급 아민류; 트리메틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에틸아민, 트리에틸아민을 포함하는 3급 아민류; 디메틸에탄올아민, 메틸디에탄올아민, 트리에탄올아민을 포함하는 알콜아민류; 및 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드를 포함하는 4급 암모늄염으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  8. i) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물, ii) 에폭시기 함유 불포화 화합물, 및 iii) 올레핀계 불포화 화합물의 단량체들을 포함하는 삼원 공중합체;
    상기 삼원 공중합체 100중량부에 대하여 포지티브계 감광제 5 내지 100중량부;
    상기 삼원 공중합체 100중량부에 대하여 가소제 5 내지 20중량부; 및
    전체 조성물 100중량부에 대하여 용매 50 내지 90중량부를 포함하는 감광성 수지 조성물.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 아크릴계 삼원 공중합체의 폴리스티렌 환산중량평균분자량(Mw)은 5,000 내지 30,000인 감광성 수지 조성물.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물 또는 이들의 혼합물은 아크릴산, 메타크릴산, 말레인산, 푸마르산, 시트라콘산, 메타콘산, 이타콘산, 및 이들의 불포화 디카르본산 무수물로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 감광성 수지 조성물.
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 에폭시기 함유 불포화 화합물은 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜, 아크릴산-β-메틸글리시딜, 메타크릴산-β-메틸글리시딜, 아크릴산-β-에틸글리시딜, 메타크릴산-β-에틸글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 및 메타크릴산 3,4-에폭시 사이클로헥실로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 감광성 수지 조성물.
  12. 제 8항에 있어서,
    상기 올레핀계 불포화 화합물은 아크릴레이트계 화합물, 디엔계 지방족 화합물, 및 방향족 불포화 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 감광성 수지 조성물.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 아크릴레이트계 화합물은 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, n-부틸 메타크릴레이트, sec-부틸 메타크릴레이트, tert-부틸 메타크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 이소프로필 아크릴레이트, 시클로헥실 메타크릴레이트, 2-메틸시클로 헥실메타크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐메타크릴레이트, 디시클로펜타닐메타크릴레이트, 1-아다만틸 아크릴레이트, 1-아다만틸 메타크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸메타크릴레이트, 이소보로닐메타크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 2-메틸시클로헥실아크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸아크릴레이트, 이소보로닐아크릴레이트, 페닐메타크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 벤질메타크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 감광성 수지 조성물.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 디엔계 지방족 화합물은 1,3-부타디엔, 이소프렌, 및 2,3-디메틸 1,3-부타디엔으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 감광성 수지 조성물.
  15. 제 12항에 있어서,
    상기 방향족 불포화 화합물은 스티렌, σ-메틸 스티렌, m-메틸 스티렌, p-메 틸 스티렌, 비닐톨루엔, 및 p-메톡시 스티렌으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 감광성 수지 조성물.
  16. 제 8항에 있어서,
    상기 포지티브계 감광제는 퀴논디아지드 화합물인 감광성 수지 조성물.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 포지티브계 감광제는 1,2-퀴논디아지드 4-술폰산 에스테르, 1,2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르, 및 1,2-퀴논디아지드 6-술폰산 에스테르로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 감광성 수지 조성물.
  18. 제 16항에 있어서,
    상기 퀴논디아지드 화합물은 나프토퀴논디아지드 술폰산 할로겐 화합물 및 페놀 화합물을 반응시켜 형성되는 감광성 수지 조성물.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 페놀 화합물은 2,3,4-트리히드록시벤조페논, 2,4,6-트리히드록시벤조페논, 2,2'-테트라히드록시벤조페논, 4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,3'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,2'-테트라히드록시 4'-메틸벤조페논, 2,3,4,4'-테트라히드록시 3'-메톡시벤조페논, 2,3,4,2'-펜타히드 록시벤조페논, 2,3,4,6'-펜타히드록시벤조페논, 2,4,6,3'-헥사히드록시벤조페논, 2,4,6,4'-헥사히드록시벤조페논, 2,4,6,5'-헥사히드록시벤조페논, 3,4,5,3'-헥사히드록시벤조페논, 3,4,5,4' -헥사히드록시벤조페논, 3,4,5,5'-헥사히드록시벤조페논, 비스(2,4-디히드록시페닐) 메탄, 비스(p-히드록시페닐) 메탄, 트리(p-히드록시페닐) 메탄, 1,1,1-트리(p-히드록시페닐) 에탄, 비스(2,3,4-트리히드록시페닐) 메탄, 2,2-비스(2,3,4-트리히드록시페닐) 프로판, 1,1,3-트리스(2,5-디메틸 4-히드록시페닐)-3-페닐프로판, 4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀, 및 비스(2,5-디메틸 4-히드록시페 닐)-2-히드록시페닐메탄으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 감광성 수지 조성물.
  20. 제 18항에 있어서,
    상기 나프토퀴논디아지드 술폰산 할로겐 화합물 및 상기 페놀 화합물은 에스테르화 반응을 하며, 상기 에스테르화 반응의 에스테르화도는 50 내지 85%인 감광성 수지 조성물.
  21. 제 8항에 있어서,
    상기 가소제는 프탈레이트계, 아디페이트계, 포스페이트계, 모노이소부티레이트계 가소제로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 감광성 수지 조성물.
  22. 제 21항에 있어서,
    상기 프탈레이트계 가소제는 디옥틸프탈레이트 및 디이소노닐프탈레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 감광성 수지 조성물.
  23. 제 21항에 있어서,
    상기 아디페이트계 가소제는 디옥틸아디페이트를 포함하는 감광성 수지 조성물.
  24. 제 21항에 있어서,
    상기 포스페이트계 가소제는 아디페이트계 및 트리크레실포스페이트로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 감광성 수지 조성물.
  25. 제 21항에 있어서,
    상기 모노이소부티레이트계 가소제는 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올 모노이소부티레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 감광성 수지 조성물.
  26. 제 8항에 있어서,
    상기 삼원 공중합체 100중량부에 대하여 상기 가소제 15중량부를 포함하는 감광성 수지 조성물.
  27. 제 8항에 있어서,
    상기 용매는 메탄올, 에탄올, 벤질알코올, 헥실알코올을 포함하는 알코올류; 에틸렌글리콜메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜에틸에테르아세테이트를 포함하는 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트류; 에틸렌글리콜메틸에테르프로피오네이트, 에틸렌글리콜에틸에테르프로피오네이트를 포함하는 에틸렌글리콜알킬에테르프로피오네이트류; 에틸렌글리콜메틸에테르, 에틸렌글리콜에틸에테르를 포함하는 에틸렌글리콜모노알킬에테르류; 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르를 포함하는 디에틸렌글리콜알킬에테르류; 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트를 포함하는 프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트류; 프로필렌글리콜메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜프로필에테르프로피오네이트를 포함하는 프로필렌글리콜알킬에테르프로피오네이트류; 프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜에틸에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르, 프로필렌글리콜부틸에테르를 포함하는 프로필렌글리콜모노알킬에테르류; 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디포로필렌글리콜디에틸에테르를 포함하는 디프로필렌글리콜알킬에테르류; 부틸렌글리콜모노메틸에테르, 부틸렌글리콜모노에틸에테르를 포함하는 부틸렌글리콜모노메틸에테르류; 및 디부틸렌글리콜디메틸에테르, 디부틸렌글리콜디에틸에테르를 포함하는 디부틸렌글리콜알킬에테르류로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 감광성 수지 조성물.
  28. 제 8항에 있어서,
    에폭시수지, 접착제, 아크릴 화합물, 및 계면활성제로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 첨가제를 더 포함하는 감광성 수지 조성물.
  29. 제 28항에 있어서,
    상기 첨가제는 상기 삼원 공중합체 100중량부에 대하여 상기 에폭시수지 0.1 내지 30중량부, 상기 접착제 0.1 내지 20중량부, 상기 아크릴 화합물 0.1 내지 30중량부, 및 상기 계면활성제 0.0001 내지 2중량부를 포함하는 감광성 수지 조성물.
KR1020070073496A 2007-07-23 2007-07-23 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 이에 사용되는감광성 수지 조성물 KR101388519B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070073496A KR101388519B1 (ko) 2007-07-23 2007-07-23 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 이에 사용되는감광성 수지 조성물
US12/170,487 US8278021B2 (en) 2007-07-23 2008-07-10 Method of fabricating a thin film transistor substrate and a photosensitive composition used in the thin film transistor substrate
CN200810134043.3A CN101355056B (zh) 2007-07-23 2008-07-22 制造薄膜晶体管基板的方法和用在该基板中的感光组合物
TW097127761A TWI489187B (zh) 2007-07-23 2008-07-22 製造薄膜電晶體基板的方法及用於該薄膜電晶體基板中的光敏性組成物
US13/599,518 US8519408B2 (en) 2007-07-23 2012-08-30 Method of fabricating a thin film transistor substrate and a photosensitive composition used in the thin film transistor substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070073496A KR101388519B1 (ko) 2007-07-23 2007-07-23 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 이에 사용되는감광성 수지 조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090010414A true KR20090010414A (ko) 2009-01-30
KR101388519B1 KR101388519B1 (ko) 2014-04-24

Family

ID=40295953

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070073496A KR101388519B1 (ko) 2007-07-23 2007-07-23 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 이에 사용되는감광성 수지 조성물

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8278021B2 (ko)
KR (1) KR101388519B1 (ko)
CN (1) CN101355056B (ko)
TW (1) TWI489187B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130067226A (ko) * 2011-12-13 2013-06-21 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 조성물
KR20150047403A (ko) * 2013-10-24 2015-05-04 삼성디스플레이 주식회사 표시기판 제조방법 및 이를 이용한 표시장치 제조방법

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102456573A (zh) * 2010-10-22 2012-05-16 元太科技工业股份有限公司 薄膜晶体管的制造方法
KR101426236B1 (ko) * 2011-11-30 2014-08-06 엘지디스플레이 주식회사 유기절연막 조성물 및 그를 이용한 박막 트랜지스터 기판 및 디스플레이 장치
KR102060012B1 (ko) 2013-02-15 2019-12-30 삼성디스플레이 주식회사 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
US20140240645A1 (en) * 2013-02-27 2014-08-28 Samsung Display Co., Ltd. Photosensitive resin composition, display device using the same and method of manufacturing the display device
CN103616798B (zh) * 2013-11-20 2016-03-30 盐城艾肯科技有限公司 一种具有阻燃性能的感光树脂及其在生产感光油墨的应用
CN109164686B (zh) * 2018-11-02 2022-01-28 江阴江化微电子材料股份有限公司 一种正性光刻胶去胶清洗组合物及其应用

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2604463A (en) * 1949-04-28 1952-07-22 Canadian Ind Cross-linkable and cross-linked vinyl type copolymers
US3058947A (en) * 1959-12-22 1962-10-16 Koppers Co Inc Composition comprising a styrene-glycidyl methacrylate-ethyl acrylate terpolymer andan epoxy active agent, and metal substrate coated therewith
FR2606775B1 (fr) * 1986-11-14 1989-07-07 Charbonnages Ste Chimique Copolymeres (meth)acryliques autoreticulables a basses temperatures
US5286609A (en) * 1988-11-01 1994-02-15 Yamatoya & Co., Ltd. Process for the formation of a negative resist pattern from a composition comprising a diazoquinone compound and an imidazole and having as a heat step the use of a hot water containing spray
DE69128953T2 (de) * 1990-11-22 1998-10-08 Sumitomo Dow Ltd Harzzusammensetzung auf Basis von Polycarbonat und schlagfestes Polystyrol
US5399604A (en) 1992-07-24 1995-03-21 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Epoxy group-containing resin compositions
DE4311128A1 (de) * 1993-04-05 1994-10-06 Hoechst Ag Wasserverdünnbare Dispersionen von Acrylatcopolymerisaten
US5527998A (en) * 1993-10-22 1996-06-18 Sheldahl, Inc. Flexible multilayer printed circuit boards and methods of manufacture
DE4337481A1 (de) * 1993-11-03 1995-05-04 Basf Ag Radikalisch vernetzbare Copolymerisate
US5468784A (en) * 1994-02-23 1995-11-21 Tamura Kaken Corporation Photopolymerizable resin composition
US20040063804A1 (en) * 2001-03-30 2004-04-01 Masaaki Takeda Thermosetting adhesive
JP2002294196A (ja) * 2001-03-30 2002-10-09 Three M Innovative Properties Co 熱硬化性接着剤
US6680158B2 (en) * 2001-07-31 2004-01-20 Chi Mei Corporation Radiation-sensitive resin composition for spacer
JP3996802B2 (ja) * 2002-05-15 2007-10-24 太陽インキ製造株式会社 低放射線性の光硬化性・熱硬化性樹脂組成物及びその硬化被膜
US7303854B2 (en) 2003-02-14 2007-12-04 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrode-forming composition for field emission type of display device, and method using such a composition
JP4248345B2 (ja) * 2003-09-01 2009-04-02 富士フイルム株式会社 感光性組成物
JP5335175B2 (ja) * 2004-09-15 2013-11-06 三星ディスプレイ株式會社 インク組成物及び前記インク組成物を含むカラーフィルター
TW200710570A (en) * 2005-05-31 2007-03-16 Taiyo Ink Mfg Co Ltd Composition for forming adhesive pattern, multilayer structure obtained by using same, and method for producing such multilayer structure
US7799509B2 (en) * 2005-06-04 2010-09-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive resin composition, method of manufacturing a thin-film transistor substrate, and method of manufacturing a common electrode substrate using the same
KR101326595B1 (ko) * 2005-06-04 2013-11-20 주식회사 동진쎄미켐 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 및 공통 전극 기판의 제조방법
US7571979B2 (en) * 2005-09-30 2009-08-11 Lexmark International, Inc. Thick film layers and methods relating thereto
KR101348757B1 (ko) * 2006-02-03 2014-01-07 주식회사 동진쎄미켐 유기 절연막용 수지 조성물 및 그 제조 방법, 상기 수지조성물을 포함하는 표시판

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130067226A (ko) * 2011-12-13 2013-06-21 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 조성물
KR20150047403A (ko) * 2013-10-24 2015-05-04 삼성디스플레이 주식회사 표시기판 제조방법 및 이를 이용한 표시장치 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN101355056B (zh) 2014-02-26
US8519408B2 (en) 2013-08-27
US8278021B2 (en) 2012-10-02
TWI489187B (zh) 2015-06-21
CN101355056A (zh) 2009-01-28
US20120328991A1 (en) 2012-12-27
TW200921227A (en) 2009-05-16
US20090030103A1 (en) 2009-01-29
KR101388519B1 (ko) 2014-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101206780B1 (ko) 감광성 수지 조성물
KR101280478B1 (ko) 감광성 수지 조성물
KR101068111B1 (ko) 감광성 수지 조성물
KR101388519B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 이에 사용되는감광성 수지 조성물
KR100809544B1 (ko) 퀴논디아지드 술폰산 에스테르 화합물을 포함하는 감광성수지조성물
KR101288411B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성방법 및 표시 기판의 제조 방법
KR100784672B1 (ko) 감광성 수지 조성물
JP5031271B2 (ja) 共通電極基板の製造方法
KR101326595B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 및 공통 전극 기판의 제조방법
KR101221468B1 (ko) 감광성 수지 조성물
KR20050113351A (ko) 감광성 수지 조성물
KR20070103109A (ko) 감광성 수지 조성물
KR101342521B1 (ko) 감광성 수지 조성물
KR100922844B1 (ko) 절연막 형성용 감광성 수지 조성물
KR20140131609A (ko) 감광성 수지 조성물, 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 액정 표시 장치
KR20090111517A (ko) 저온 경화성 감광성 수지 조성물
KR100922843B1 (ko) 절연막 형성용 감광성 수지 조성물
KR100737723B1 (ko) 감광성 수지 조성물
KR20200037018A (ko) 감광성 수지 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치
KR101057130B1 (ko) 감광성 수지 조성물
KR101373541B1 (ko) 감광성 수지 조성물
KR20030026666A (ko) 감광성 수지 조성물
KR101030310B1 (ko) 감광성 수지 조성물
KR20200048865A (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR20030008706A (ko) 감광성 수지 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180403

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190401

Year of fee payment: 6