KR20090008694A - 패턴 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 특히 홈이 형성된 포토레지스트 패턴이 형성된 기판 상에 도전성 액상 물질을 토출하여 포토레지스트 패턴의 홈을 채운 뒤에 상기 포토레지스트 패턴을 제거함으로써 원하는 패턴의 형상과 동일한 패턴을 형성하여, 더욱 미세한 패턴을 용이하게 형성할 수 있는 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 홈이 형성된 포토레지스트 패턴이 형성된 기판을 준비하는 단계; 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 기판 상에 도전성 액상 물질을 토출하여, 포토레지스트 패턴의 홈을 채우는 단계; 상기 기판 상의 포토레지스트패턴을 제거하여 원하는 패턴을 형성하는 단계; 에 의해 달성된다.
액정표시장치, 미세 패턴

Description

패턴 형성 방법{METHOD OF FORMING PATTERN}
본 발명은 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 특히 미세한 패턴을 용이하게 형성할 수 있는 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정표시장치는 경량, 박형, 저소비 전력구동 등의 특징으로 인해 그 응용범위가 점차 넓어지고 있는 추세에 있다. 이에 따라 액정표시장치는 노트북 PC와 같은 휴대용 컴퓨터, 사무 자동화 기기, 오디오/비디오 기기 등으로 널리 이용되고 있다.
이와 같은 액정표시장치는 최근 더욱 경량, 박형인 액정표시장치에 대한 사용자의 요구가 늘어남에 따라 액정표시장치에 형성되는 소자 및 배선이 더욱 집적화되고 소형화되고 있으며, 이에 따라 액정표시장치의 기판 상에 형성되는 소자 및 배선을 더욱 미세하게 형성할 수 있는 기술의 필요성이 대두되고 있다.
상기 액정표시장치는 상부기판인 컬러필터(color filter)기판과 하부기판인 박막트랜지스터 어레이(Thin film Transistor Array)기판이 서로 대향하고 그 사이에는 액정층이 형성된 액정패널과, 상기 액정패널에 주사신호 및 화상정보를 공급하여 액정패널을 동작시키는 액정패널 구동부를 포함하여 구성된다.
상기 컬러필터 기판에는 적색, 녹색, 청색 등의 컬러필터 층이 형성되며, 상기 게이트 라인, 데이터 라인, 및 박막 트랜지스터가 형성된 영역에서 광이 누설되는 것을 막고 상기 적색, 녹색, 청색 등의 컬러필터 간의 광 간섭을 방지하는 블랙 매트릭스가 형성된다. 그리고, 상기 컬러필터 기판에는 박막 트랜지스터 어레이 기판에 형성된 하기 화소전극과 함께 액정층을 구동하는 공통전극이 형성된다.
그리고, 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판에는 절연층을 사이에 두고 서로 종횡으로 교차되어 화소영역을 정의하는 게이트 라인과 데이터 라인이 형성된다. 또한, 상기 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하는 화소 영역에는 스위칭 소자인 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 접속되는 화소전극이 구비된다.
이와 같이 상기 액정표시장치는 다양한 소자와 배선들을 포함하고 있으며, 이러한 구성 요소들을 형성하기 위해서는 수많은 공정들이 반복적으로 수행된다.
상기 액정표시장치를 구성하는 다양한 구성요소들이 원하는 패턴을 갖도록 패턴화하기 위해서는, 증착 공정, 포토리소그라피(photolithography) 공정, 에칭(etching) 공정 등이 반복적으로 수행되는 패턴 형성 방법이 주로 이용된다. 하지만, 최근 패턴을 형성하는 공정을 간편하게 수행하기 위하여 잉크젯 장치를 이용하여 기판 상에 패턴 형성 물질을 토출함으로써 패턴을 형성하는 방법을 이용하는 경우도 늘고 있는 추세에 있다.
이하, 도 1 내지 도 3b를 참조하여 종래의 일반적인 패턴 형성 방법에 대하여 설명한다.
먼저, 증착 공정, 포토리소그라피 공정, 에칭 공정 등의 단계를 수행함으로써 패턴을 형성하는 가장 보편적인 패턴 형성 방법에 대하여 설명하겠다.
먼저, 도 2a에 도시한 바와 같이 패턴이 형성될 기판(1)을 준비하고, 도 2b 에 도시한 바와 같이 상기 기판(1) 상에 패턴형성 물질을 도포하여 패턴형성 물질 층(4)을 형성한다.
그 다음, 도 2c에 도시한 바와 같이 상기 패턴형성 물질 층(4)이 형성된 기판(1) 상의 전(全)면에 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트 층(2)을 형성하고, 상기 기판(1)과 소정 간격을 가지는 포토 마스크(3)를 준비한 후, 상기 포토 마스트(3)를 통해 상기 포토레지스트 층(2)에 자외선(UV)을 조사한다. 여기서, 포토 마스크(3)는 투과부(3a)와 비투과부(3b)를 포함하여 구성되며, 투과부(3a)를 통과한 자외선이 포토레지스트와 반응하게 된다.
그 다음, 자외선에 노출되어 반응한 포토레지스트를 제거하여 도 2d에 도시한 바와 같이 포토레지스트 패턴(2')을 얻는다.
이 후, 도 1에 도시한 바와 같은 에칭 장치(10)를 이용하여 패턴형성 물질을 선택적으로 제거하는 에칭(etching) 공정이 이루어진다. 즉, 포토레지스트 패턴(2')을 마스크로 이용하여 패턴형성 물질이 선택적으로 제거됨으로써, 도 2e에 도시한 바와 같이 패턴 형성 물질 층(4) 중에서 원하는 패턴과 형상이 동일한 영역의 패턴 형성 물질만이 포토레지스트 패턴(2')과 함께 남게 된다.
이때, 상기 에칭 장치(10)를 이용한 에칭 공정은 도 1에 도시한 바와 같이 진공 분위기 내에서 챔버 내부에 반응가스를 주입하고, 상기 반응가스가 플라즈마 상태로 이온화되어 기판(1) 상의 패턴형성 물질과 반응하여 휘발성 물질을 생성함으로써 수행된다. 포토레지스트 패턴(2')을 마스크로 하여 패턴형성 물질(4)을 선택적으로 제거하는 방법은 상기와 같은 에칭 장치(10)를 이용하여 수행하는 방법 외에, 반응 물질이 담긴 용기에 기판(1)을 직접 담금으로써 패턴형성 물질(4)을 선택적으로 제거하거나 상기 기판(1) 상에 반응물질을 뿌림으로써 패턴형성 물질(4)을 선택적으로 제거하는 방법도 있다.
그 다음, 원하는 패턴과 동일한 형상을 가지는 패턴형성 물질(4')의 상부에 남아있는 포토레지스트 패턴(2')을 제거하여 도 2f에 도시한 바와 같이 최종적인 패턴(4')을 얻는다. 여기서, 상기 포토레지스트 패턴(2')을 제거하는 방법은, 포토레지스트 패턴(2') 제거를 위한 물질을 기판(1) 상에 뿌리거나 포토레지스트 패턴(2') 제거를 위한 물질이 담긴 용기에 기판(1)을 담금으로써 수행될 수 있을 것이다.
상기와 같은 단계를 수행함으로써 형성되는 패턴(4')은, 포토레지스트 패턴(2')을 마스크로 이용하여 수행되는 에칭 공정에서 패턴형성 물질이 원하는 패턴의 형상보다 더 많이 제거되거나 덜 제거됨으로써 도 2f의 A영역과 B영역에 도시한 바와 같이 원하는 패턴의 형상과는 상이한 형상을 가지게 되는 문제점이 발생한다.
이하, 잉크젯 장치를 이용하여 간단한 단계로 이루어지는 패턴 형성 방법에 대하여 설명하겠다.
먼저, 도 4a에 도시한 바와 같이 패턴이 형성될 기판(5)을 준비한다.
그 다음, 도 3에 도시한 바와 같은 잉크젯 장치를 이용하여 기판(5) 상에 패 턴형성 물질을 토출함으로써 도 4b에 도시한 바와 같이 패턴(6)을 형성한다.
하지만, 상기와 같은 단계를 수행함으로써 형성되는 패턴(6)은, 잉크젯 장치를 통해 토출된 패턴형성 물질이 기판(5) 상에서 퍼지는 등의 현상으로 인해서 도 4b에 도시된 바와 같이 원하는 패턴과는 상이한 형상을 띄는 패턴(6)이 형성되는 문제점이 있다.
그리고, 상기와 같은 단계를 수행함으로써 형성되는 패턴(6)은, 잉크젯 장치를 통해 패턴형성 물질을 토출함으로써 패턴(6)을 형성하기 때문에 수 마이크로 이하 (예 : 20 ㎛ 이하)의 패턴(6)을 형성하는 것이 불가능한 단점이 있다.
이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 포토레지스트 패턴이 형성된 기판 상에 도전성 액상 물질을 토출하여 포토레지스트 패턴의 홈을 채운 뒤에 상기 포토레지스트 패턴을 제거함으로써 원하는 패턴과 동일한 형상의 패턴을 형성하여, 더욱 미세한 패턴을 용이하게 형성할 수 있는 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패턴 형성 방법은, 홈이 형성된 포토레지스트 패턴이 형성된 기판을 준비하는 단계; 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 기판 상에 도전성 액상 물질을 토출하여, 포토레지스트 패턴의 홈을 채우는 단계; 상기 기판 상의 포토레지스트 패턴을 제거하여 원하는 패턴을 형성하는 단계; 를 포함하여 이루어진다.
상기와 같은 단계를 포함하여 이루어지는 본 발명에 따른 패턴 형성 방법은, 홈이 형성된 포토레지스트 패턴이 형성된 기판 상에 도전성 액상 물질을 토출하여 포토레지스트 패턴의 홈을 채운 뒤에 상기 포토레지스트 패턴을 제거함으로써 패턴을 형성하여, 공정 상의 오류 없이 원하는 패턴과 동일한 형상을 가지는 패턴을 형성할 수 있다. 즉, 아주 미세한 패턴(예 : 20 ㎛ 이하의 패턴)도 용이하게 형성할 수 있는 장점이 있다.
그리고, 상기와 같은 단계를 포함하여 이루어지는 본 발명에 따른 패턴 형성 방법은, 공정이 이루어지는 챔버 내부를 진공으로 설정해야하는 에칭 공정을 수행하지 않아도 되는 장점이 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패턴 형성 방법에 대하여 상세히 설명한다.
도 4a 내지 도 4e에 도시한 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패턴 형성 방법은, 홈이 형성된 포토레지스트 패턴(102')이 형성된 기판(101)을 준비하는 단계; 포토레지스트 패턴(102')이 형성된 상기 기판(101) 상에 도전성 액상 물질을 토출하여, 포토레지스트 패턴(102')의 홈을 채우는 단계; 상기 기판(101) 상의 포토레지스트 패턴(102')을 제거하여 원하는 패턴(104')을 형성하는 단계; 를 포함하여 이루어진다. 그리고, 홈이 형성된 포토레지스트 패턴(102')이 형성된 기판(101)을 준비하는 단계 전에는, 기판(101)을 준비하는 단계; 상기 기판(101) 상에 포토레지스트 층(102)을 형성하는 단계; 포토레지스트 층(102)이 형성된 상기 기판(101)과 소정 간격을 가지는 포토 마스크(103)를 준비한 후, 포토 마스크(103)를 통해 상기 기판(101) 상에 자외선을 조사하는 단계; 자외선에 노출된 포토레지스트를 제거하여 홈이 형성된 포토레지스트 패턴(102')을 형성하는 단계; 가 추가로 먼저 이루어진다.
상기와 같은 단계를 통해 이루어지는 패턴 형성 방법에 대하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 4a에 도시한 바와 같이 패턴이 형성될 기판(101)을 준비한다.
이 후, 도 4b에 도시한 바와 같이 기판(101) 상의 전(全)면에 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트 층(102)을 형성한다.
그 다음, 도 4c에 도시한 바와 같이 포토레지스트 층(102)이 형성된 상기 기판(101)과 소정 간격을 가지는 포토 마스크(103)를 준비한 후, 포토 마스크(103)를 통해 상기 기판(101) 상에 자외선(UV)을 조사한다.
여기서, 상기 포토 마스크(103)는 광원으로부터 방출되는 자외선이 투과되는 투과부(103a)와 광이 투과하지 않는 비투과부(103b)를 포함하여 이루어지며, 광원으로부터 방출되는 자외선 중에 상기 투과부(103a)를 통과한 자외선이 기판(101) 상의 포토레지스트와 반응하게 된다. 즉, 상기 포토레지스트 층(102)을 이루는 포토레지스트 중에서 포토 마스크(103)의 투과부(103a)와 오버랩되는 영역만이 자외선과 반응하게 된다.
그 다음, 포토레지스트 층(102)을 이루는 포토레지스트 중에서 자외선에 노출된 영역만을 선택적으로 제거하는 현상(develop) 공정을 통해, 도 4d에 도시한 바와 같이 포토레지스트 층(102)을 포토 마스크(103)와 동일한 형상으로 패턴화한다. 이에 따라, 포토레지스트 패턴(102')을 얻을 수 있다.
여기서, 자외선에 노출된 포토레지스트를 제거하는 방법은, 자외선에 노출된 포토레지스트 제거를 위한 용액이 채워진 용기에 상기 기판(101)을 담금으로써 수행하는 방법 및 자외선에 노출된 포토레지스트 제거를 위한 물질을 기판(101)에 뿌려줌으로써 수행하는 방법 등이 있다.
그리고, 본 발명에 따른 패턴 형성 방법에서 포토레지스트 패턴(102')을 얻는 방법은, 상기와 같이 자외선에 노출된 포토레지스트를 선택적으로 제거하는 방법에 한정되는 것이 아니며, 경우에 따라 자외선에 노출되지 않은 포토레지스트를 선택적으로 제거하는 방법일 수도 있을 것이다. 여기서, 자외선에 노출되지 않은 포토레지스를 선택적으로 제거하는 방법인 경우에 포토 마스크의 패턴은, 자외선에 노출된 포토레지스트를 제거하는 방법에서 사용되는 포토 마스크(103)의 패턴과 반대일 것이다. 즉, 전자의 포토 마스크와 후자의 포토 마스크는 투과부와 비투과부가 서로 반대되는 영역에 형성될 것이다.
그리고, 본 발명에 따른 패턴 형성 방법에 있어서 포토레지스트 층(102)을 패턴화하는 방법은, 상기와 같이 포토 마스크(103)를 이용하여 포토레지스트 층(102)을 자외선에 노출한 후에 자외선에 노출된 영역만을 선택적으로 제거함으로써 수행되는 방법에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서는 인쇄 롤을 이용하여 포토레지스트 패턴을 기판 상에 인쇄하는 방법 등 다양한 방법이 가능할 것이다.
그 다음, 도 4e에 도시한 바와 같이, 포토레지스트 패턴(102')이 형성된 상기 기판(101) 상에 도전성 액상 물질을 토출함으로써 포토레지스트 패턴(102')의 홈을 채워 도전성 액상 물질 층(104)을 형성한다. 즉, 도 4d의 C영역에 도시한 바와 같이 포토레지스트 패턴(102') 중에서 현상(develop) 공정을 통해 선택적으로 제거된 영역, 즉 홈이 형성된 부분에 잉크젯 장치를 이용하여 도전성 액상 물질을 토출하여 상기 홈을 채움으로써 도전성 액상 물질 층(104)을 형성한다.
이때, 포토레지스트 패턴(102')이 형성된 상기 기판(101) 상에 잉크젯 장치를 통해 토출되는 도전성 액상 물질은 금속 나노파우더(metal nanopowder)와 반도체 나노파우더(semiconductor nanopowder)와 유기화합물 나노파우더(organic nanopowder)중 어느 하나가 용매와 혼합된 용액일 수 있으며, 이러한 도전성 액상 물질은 액정표시장치에 구비되는 소자나 배선을 형성할 수 있는 물질을 용액 상태로 제조한 것이라면 어느 것이든 가능할 것이다.
상기 나노파우더는 금속 물질 혹은 반도체 물질 혹은 유기 화합물이 나노(㎚) 크기를 가지도록 분해되어 형성된다.
상기 금속 나노파우더를 이루는 금속 물질은, 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 중 어느 하나이거나 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 중 어느 하나의 합금일수 있으며, 상기 반도체 나노파우더를 이루는 반도체 물질은, 실리콘(Si), 산화아연(ZnO), 셀렌화인(InSe), 셀렌화카드뮴(CdSe) 중 어느 하나일 수 있다. 그리고, 상기 유기 화합물 나노파우더를 이루는 유기화합물은, 펜타센(pentacene), 안트라센(anthracene), 티오펜(thiophene) 중에 어느 하나이거나, 전도성 고분자, 전계 발광 물질 중 어느 하나일 수 있다. 여기서, 상기 전도성 고분자는 폴리아닐린(Polyaniline), 폴리아세틸렌(Polyacetylene), 폴리디아세틸렌(Polydiacetylene), 폴리파라페닐렌(Poly(p-phenylene)), 폴리페닐렌술파이드 (Poly(p-phenylene sulfide)), 폴리피롤(Polypyrrole), 폴리티오펜(Polythiophene), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 폴리티에닐렌비닐 렌(PTV), 폴리파라페닐렌비닐렌(Poly(p-phenylene vinylene), RO기가 달린 PPV 유도체(RO-PPV) 중 어느 하나일 수 있으며, 상기 전계 발광(EL) 물질은 TPD 유도체 , MTDATA(m-methyl-tris(diphenylamino)triphenylamine), Alq3(Tris(8-quinolinolato)aluminium(3)), PBD(2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadizol), PPV(poly(p-phenylene vinylene))유도체, 폴리플루오렌(Polyfluorene), PPP(poly(p-phenylene)) 유도체 중 어느 하나일 수 있다.
그 다음, 상기 도전성 액상 물질에 포함되어 있는 용매를 제거한다. 즉, 도전성 액상 물질에 포함되어 있는 금속 나노파우더 또는 반도체 나노파우더 또는 유기화합물 나노파우더를 제외한 용매만을 제거한다.
여기서, 도전성 액상 물질에 포함되어 있는 용매를 제거하는 방법에는, 도전성 액상 물질 층(104)이 형성된 상기 기판(101)을 자연 건조함으로써 용매를 제거하거나, 패턴형성 물질 층(104)이 형성된 상기 기판에 열을 가함으로써 용매를 제거하는 방법 등이 있다.
그 다음, 상기 기판(101) 상의 포토레지스트 패턴(102')을 모두 제거함으로써 도 4f에 도시한 바와 같이 원하는 패턴(104')을 형성한다. 즉, 상기 포토레지스트 패턴(102')을 제거하기 위한 용액을 상기 기판(101) 상에 분사함으로써 포토레지스트를 용해하여 포토레지스트 패턴(102')을 모두 제거하거나, 상기 포토레지스트 패턴(102')을 제거하기 위한 용액이 담긴 용기에 상기 기판(101)을 담금으로써 포토레지스트를 용해하여 포토레지스트 패턴(102')을 모두 제거한다.
이때, 상기 기판(101) 상의 포토레지스트 패턴(102')이 모두 제거됨과 동시 에 상기 포토레지스트 패턴(102')의 상부에 형성되어 있던 도전성 액상 물질이 같이 제거됨으로써 원하는 형상과 동일한 패턴(104')을 얻게 된다. 여기서, 기판(101) 상의 도전성 액상 물질은 상기에 설명한 바와 같이 용매가 제거된 상태이다. 더욱 상세히 설명하면, 포토레지스트 패턴(102')이 형성된 기판(101) 상에 토출했던 도전성 액상 물질은 도 4d의 c 영역에 도시한 바와 같은 포토레지스트 패턴(102')의 홈 내에 정확히 토출되지 않고 소정의 양이 포토레지스트 패턴(102')의 상부의 일부 영역에까지 초과하여 토출되는데, 이와 같이 포토레지스트 패턴(102') 상부의 일부 영역에까지 초과하여 형성된 도전성 액상 물질이 포토레지스트 패턴(102')의 제거 시에 포토레지스트 패턴(102')과 함께 떨어져 나가게 되며, 이로 인하여 원하는 패턴과 동일한 형상의 패턴(104')만이 기판(101)상에 남게 된다. 즉, 리프트 오프 방법을 통해 원하는 패턴과 동일한 형상을 가지는 패턴(104')을 얻을 수 있다.
상기에 설명한 바와 같은 단계를 포함하여 이루어지는 본 발명에 따른 패턴 형성 방법은, 포토레지스트 패턴(102')이 형성된 기판(101) 상에 잉크젯 장치를 통해 도전성 액상 물질을 토출하여 포토레지스트(102') 패턴의 홈을 채운 뒤에 상기 포토레지스트 패턴(102')을 제거하여 패턴(104')을 형성함으로써 제조 공정 상의 오류의 발생 없이 원하는 패턴과 동일한 형상을 가지는 패턴(104')을 형성할 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 패턴 형성 방법은, 20 ㎛ 이하의 아주 미세한 패턴도 제조 공정 상의 오류 없이 원하는 패턴과 동일한 형상을 가지는 패턴(104')을 형성하는 것이 가능하다. 따라서, 최근 소형화, 박형화되고 있는 액정표시장치의 추세에 부 응할 수 있는 장점이 있다.
그리고, 상기에 설명한 바와 같은 단계를 포함하여 이루어지는 본 발명에 따른 패턴 형성 방법은, 에칭 장치의 챔버 내부를 진공으로 설정한 후에 공정이 진행되어야만 하는 에칭 공정이 포함되지 않으므로 패턴(104')을 형성하는 공정이 간편한 장점이 있다.
이와 같은 본 발명에 따른 패턴 형성방법은 액정표시장치에 구비되는 구성요소를 형성하는 것에만 한정되는 것은 아니며, 반도체 및 플라즈마 표시장치 등의 다양한 평판표시장치의 제조에도 적용이 가능하다.
도 1은 종래의 일반적인 패턴 형성 방법에 이용되는 에칭 장치를 도시한 단면도.
도 2a 내지 도 2f는 도 1의 에칭 장치를 비롯한 여러 가지 장치를 이용하여 수행되는 패턴 형성 단계를 도시한 단면도.
도 3a 내지 도 3b는 잉크젯 장치를 이용하여 수행되는 패턴 형성 단계를 도시한 단면도.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패턴 형성 단계를 도시한 단면도.

Claims (13)

  1. 홈이 형성된 포토레지스트 패턴이 형성된 기판을 준비하는 단계;
    포토레지스트 패턴이 형성된 상기 기판 상에 도전성 액상 물질을 토출하여, 포토레지스트 패턴의 홈을 채우는 단계;
    상기 기판 상의 포토레지스트 패턴을 제거하여 원하는 패턴을 형성하는 단계;
    를 포함하여 이루어지는 패턴 형성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 기판 상의 포토레지스트 패턴을 제거하여 원하는 패턴을 형성하는 단계는 리프트 오프 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 홈이 형성된 포토레지스트 패턴이 형성된 기판을 준비하는 단계 전에는,
    기판을 준비하는 단계;
    상기 기판 상에 포토레지스트 층을 형성하는 단계;
    포토레지스트 층이 형성된 상기 기판과 소정 간격을 가지는 포토 마스크를 준비한 후, 포토 마스크를 통해 상기 기판 상에 자외선을 조사하는 단계;
    자외선에 노출된 포토레지스트를 제거하여 홈이 형성된 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    가 추가로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 도전성 액상 물질은,
    금속 나노파우더(metal nanopowder)와 반도체 나노파우더(semiconductor nanopowder)와 유기화합물 나노파우더(organic nanopowder)중 어느 하나가 용매와 혼합된 용액인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 기판 상에 도전성 액상 물질을 토출하여, 포토레지스트 패턴의 홈을 채우는 단계 후에는,
    상기 도전성 액상 물질에 포함된 용매를 제거하는 단계가 추가로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 도전성 액상 물질에 포함된 용매를 제거하는 단계는,
    도전성 액상 물질이 형성된 상기 기판을 자연 건조함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 도전성 액상 물질에 포함된 용매를 제거하는 단계는,
    도전성 액상 물질이 형성된 상기 기판에 열을 가함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  8. 제 4 항에 있어서, 상기 금속 나노파우더를 이루는 금속 물질은,
    은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 중 어느 하나이거나, 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 중 어느 하나의 합금인 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  9. 제 4 항에 있어서, 상기 반도체 나노파우더를 이루는 반도체 물질은,
    실리콘(Si), 산화아연(ZnO), 셀렌화인(InSe), 셀렌화카드뮴(CdSe) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  10. 제 4 항에 있어서, 상기 유기화합물 나노파우더를 이루는 유기화합물은,
    펜타센(pentacene), 안트라센(anthracene), 티오펜(thiophene) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  11. 제 4 항에 있어서, 상기 유기화합물 나노파우더를 이루는 유기화합물은 전도성 고분자, 전계 발광(EL) 물질 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 전도성 고분자는 폴리아닐린(Polyaniline), 폴리아세틸렌(Polyacetylene), 폴리디아세틸렌(Polydiacetylene), 폴리파라페닐렌(Poly(p-phenylene)), 폴리페닐렌술파이드 (Poly(p-phenylene sulfide)), 폴리피롤(Polypyrrole), 폴리티오펜(Polythiophene), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 폴리티에닐렌비닐렌(PTV), 폴리파라페닐렌비닐렌(Poly(p-phenylene vinylene), RO기가 달린 PPV 유도체(RO-PPV) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 전계 발광(EL) 물질은 TPD 유도체, MTDATA(m-methyl-tris(diphenylamino)triphenylamine), Alq3(Tris(8-quinolinolato)aluminium(3)), PBD(2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadizol), PPV(poly(p-phenylene vinylene))유도체, 폴리플루오렌(Polyfluorene), PPP(poly(p-phenylene)) 유도체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
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