KR20090006166A - 방사선 생성 디바이스, 리소그래피 장치, 디바이스 제조 방법 및 그에 의해 제조되는 디바이스 - Google Patents

방사선 생성 디바이스, 리소그래피 장치, 디바이스 제조 방법 및 그에 의해 제조되는 디바이스 Download PDF

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KR20090006166A
KR20090006166A KR1020087027018A KR20087027018A KR20090006166A KR 20090006166 A KR20090006166 A KR 20090006166A KR 1020087027018 A KR1020087027018 A KR 1020087027018A KR 20087027018 A KR20087027018 A KR 20087027018A KR 20090006166 A KR20090006166 A KR 20090006166A
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블라디미르 비탈에비치 이바노프
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

전기적 작동 방전에 의해 방사선을 생성하는 장치는 (노즐 21a에 의해 발생된) 제 1 전극, 제 2 전극 및 캐패시터 뱅크를 갖는다. 전극들은 플라즈마의 발화를 허용하도록 서로 거리를 두고 구성된다. 캐패시터 뱅크는 제 1 단자(A)에서 제 1 전극에, 및 제 2 단자(B)에서 제 2 전극에 전기적으로 연결되고, 방전 에너지를 저장하도록 구성된다. 전극들 및 캐패시터 뱅크는 전기 회로를 형성한다. 적어도 제 1 전극은 제 1 피딩 라인(45)을 통해 공급된 전기적 전도성 유체에 의해 형성된다. 또한, 상기 장치는 충전기(51) 및 제 1 고인덕턴스 유닛(50)을 갖는다. 충전기는 단자들 중 1 이상에 연결된다. 제 1 고인덕턴스 유닛은 전기 회로를 전기적으로 디커플링하기 위해 제 1 피딩 라인에서의 제 1 단자의 업스트림에 제공된다.

Description

방사선 생성 디바이스, 리소그래피 장치, 디바이스 제조 방법 및 그에 의해 제조되는 디바이스{RADIATION GENERATING DEVICE, LITHOGRAPHIC APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY}
본 발명은 방사선 생성 디바이스(radiation generating device), 리소그래피 장치, 디바이스를 제조하는 방법 및 그에 의해 제조되는 디바이스에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 상황에서, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 한 개 또는 수 개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 스테퍼들, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝" 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 스캐너들을 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
리소그래피 장치에서, 기판 상에 이미징될 수 있는 피처들의 크기는 방사선 빔의 파장에 의해 제한된다. 디바이스들의 밀도가 보다 높고, 이에 따라 작동 속력들이 보다 높은 집적 회로들을 생성하기 위해서, 보다 작은 피처들을 이미징할 수 있는 것이 바람직하다. 대부분의 현재 리소그래피 투영 장치가 수은 램프들 또는 엑시머 레이저(excimer laser)에 의해 발생된 자외선을 채택하는 동안, 예를 들어 약 13 nm의 더 짧은 파장 방사선을 사용하는 것이 제안되었다. 이러한 방사선은 극자외(EUV) 또는 연질 x-선(soft x-ray)이라 칭해지며, 가능한 소스들로는 레이저-생성 플라즈마 소스(laser-produced plasma source) 및 방전 플라즈마 소스(discharge plasma source)를 포함한다. 이 소스들은 높은 전압을 사용하며, 작동시 안정성 문제들에 대해 작동자들의 자각을 요구한다.
종래 기술을 고려하여 개선된 성능을 갖는 방사선을 생성하는 장치를 제공하는 것이 바람직하다.
이를 위해, 일 실시예에서 본 발명은 전기적 작동 방전(electrically operated discharge)에 의해 방사선을 생성하는 장치를 제공한다. 상기 장치는 제 1 전극 및 제 2 전극- 상기 제 1 및 제 2 전극은 제 1 및 제 2 전극 사이의 기체 매질에서 플라즈마의 발화를 허용하도록 서로 거리를 두고 구성됨-; 제 1 단자에서 제 1 전극에, 및 제 2 단자에서 제 2 전극에 전기적으로 연결된 캐패시터 뱅크(capacitor bank)- 상기 캐패시터 뱅크는 플라즈마의 발화에 필요한 방전 에너지를 저장하도록 구성됨 -를 포함하고, 상기 제 1 전극, 제 2 전극 및 캐패시터 뱅크는 전기 회로를 형성하며, 적어도 상기 제 1 전극은 제 1 피딩 라인(feeding line)을 통해 공급된 전기적 전도성 유체에 의해 형성된다.
또한, 상기 장치는 시변 방식(time varing manner)으로 캐패시터 뱅크를 충전하기 위해 제 1 및 제 2 단자들 중 1 이상에 연결된 충전기; 전기 회로를 전기적으로 디커플링(decouple)하기 위해 제 1 피딩 라인에서의 제 1 단자의 업스트림에 제공된 제 1 고인덕턴스 유닛(high inductance unit)을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 방사선 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템; 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하도록 구성되는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체; 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 및 기판의 타겟부 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함한 리소그래피 장치를 제공하고, 상기 조명 시스템은 전기적 작동 방전에 의해 방사선을 생성하는 이러한 장치를 포함한다.
추가적으로, 본 발명은 이러한 리소그래피 장치로 제조되는 디바이스를 제공한다.
또한, 본 발명은 전기적 작동 방전에 의해 방사선을 생성하는 장치에 관한 것이다. 상기 장치는 제 1 전극 및 제 2 전극- 상기 제 1 및 제 2 전극은 제 1 및 제 2 전극 사이의 기체 매질에서 플라즈마의 발화를 허용하도록 서로 거리를 두고 구성됨-; 제 1 단자에서 제 1 전극에, 및 제 2 단자에서 제 2 전극에 전기적으로 연결된 상기 제 1 전극, 제 2 전극 및 캐패시터 뱅크는 전기 회로를 형성하며, 상기 제 1 전극은 제 1 피딩 라인을 통해 공급된 전기적 전도성 유체에 의해 형성되고, 상기 제 2 전극은 제 2 피딩 라인을 통해 공급된 전기적 전도성 유체에 의해 형성되며, 상기 제 1 피딩 라인은 소정 재료의 제 1 제트(jet)의 형태로 제 1 전극을 제공하도록 구성된 제 1 노즐을 포함하고, 상기 제 2 피딩 라인은 소정 재료의 제 2 제트의 형태로 제 2 전극을 제공하도록 구성된 제 2 노즐을 포함한다.
또한, 상기 장치는 시변 방식으로 캐패시터 뱅크를 충전하는 충전기; 제 1 피딩 라인에서의 제 1 단자의 업스트림에 제공된 제 1 고인덕턴스 유닛- 상기 제 1 고인덕턴스 유닛은 제 1 피딩 라인의 제 1 코일형 부분(coil-shaped portion)을 포함함 -; 제 2 피딩 라인에서의 제 2 단자의 업스트림에 제공된 제 2 고인덕턴스 유닛- 상기 제 2 고인덕턴스 유닛은 제 2 피딩 라인의 제 2 코일형 부분을 포함함 -을 포함할 수 있다.
이하 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2는 종래 기술에 따른 방사선 소스를 도시하는 도면;
도 3은 도 2의 방사선 소스와 함께 사용될 수 있는 피드백 시스템을 포함한 조립체를 도시하는 도면;
도 4는 본 발명의 일 실시예가 제공된 도 3에 도시된 조립체를 도시하는 도면;
도 5는 도 4에 도시된 고인덕턴스 유닛의 일 실시예를 도시하는 도면; 및
도 6은 도 4에 도시된 조립체 내의 또 다른 위치에서의 고인덕턴스 유닛의 일 실시예를 도시하는 도면이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 EUV 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL)을 포함한다. 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된다. 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT)은 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된다. 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)은 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형, 및/또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합 과 같은 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지체는 패터닝 디바이스를 지지, 예를 들어 그 무게를 견딘다. 이는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한 다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한의 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블 (및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있 다.
또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판의 전체 또는 일부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 덮일 수 있는 형태로도 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키는 기술로 당업계에 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 담그어져야 함을 의미하는 것이라기보다는, 노광시 액체가 예를 들어 투영 시스템과 기판 사이에 놓이기만 하면 된다는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하도록 구성된 조정기를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포 의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 마스크(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(IF1)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 마스크 테이블(MT)은 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들은 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그것들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다[이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다]. 이와 유사하게, 마스크(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 마스크 테이블(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 마스크 테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안, 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
본 명세서에서, 본 발명의 일 실시예는 출원인에 의한 미국 특허 출원 공개공보 2006/0011864 A1에서 설명된 바와 같은 방사선 소스에 적용된 예시의 방식으로 설명될 것이다. 하지만, 유사하거나 다른 실시예들이 상이한 방사선 소스들, 예를 들어 필립스(Philips)에 의한 국제 출원 공개공보 WO2005/025280에서 설명된 EUV/연질 X-선 소스에 적용될 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
도 2는 미국 특허 출원 공개공보 US2006/0011864 A1로부터 알려진 방사선 소스(SO')를 도시한다. 방사선 소스(SO')는 방전 에너지를 저장하도록 구성된 캐패시터 뱅크(24)- 이 경우에는 단일 캐패시터를 포함함 -에 전기전으로 연결되는 2 개의 노즐(21a 및 21b)을 수용하도록 구성된 하우징(housing: 20)을 포함한다. 캐패시터 뱅크(24)는 양단자(B) 및 음단자(A)를 갖는다. 노즐들(21a 및 21b)은 유체의 전기적 전도성 제트들(23a 및 23b)을 제공한다. 유체는 피딩 라인(도시되지 않음), 예를 들어 유체 스트림을 수용하도록 구성된 적절한 호스 또는 파이프를 통해 공급된다. 본 명세서에서, 유체는 액체 상태의 물질, 예를 들어 용해물, 및 캐리어(carrier)로서의 액체 내에 침지된 고체 입자들 모두를 칭한다. 유체는 주석(Sn), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 리튬(Li)을 포함한 그룹으로부터 선택된 1 이상의 요소를 포함할 수 있다. Sn, In, Ga 및 Li과 같은 전기적 전도성 재료의 사용은, 제트들(23a 및 23b)이 캐패시터 뱅크(24)와 전기적으로 연결될 것을 보장한다. 결과적으로, 제트들(23a 및 23b)은 전극들로 간주될 수 있다. 도 2에 도시된 경우, 제트 23a에는 양의 전압이 제공되므로, 양극(anode)으로서 동작한다. 다른 제트, 즉 제트 23b에는 음의 전압이 제공되고, 음극(cathode)으로서 동작한다.
또한, 하우징(20)은 2 개의 저수부(reservoir: 25a 및 25b)를 수용한다. 제트들(23a 및 23b)이 하우징(20) 내의 공간에서 진행함에 따라, 그것들은 드롭릿(droplet: 26a 및 26b)으로 각각 분해된다. 저수부들(25a 및 25b)은 분리된 드롭릿들(26a 및 26b)을 각각 수집하도록 구성된다. 드롭릿들(26a 및 26b)로의 분해는 저수부들(25a 및 25b)과 캐패시터 뱅크(24) 간의 전기적 접촉을 방지한다. 2 개의 저수부(25a 및 25b) 이외에, 제트들(23a 및 23b)의 분리된 드롭릿들(26a 및 26b) 각각의 수집을 위해 단일 저수부를 사용할 수도 있다는 것을 이해하여야 한다. 드롭릿들(26a 및 26b)로 각각 분해될 것을 보장하는 제트들(23a 및 23b)에 대 한 적절한 길이는 0.2 내지 1 mm의 제트 직경에 대해 3 내지 30 cm이다.
또한, 하우징(20)은 에너지 빔 예를 들어 레이저 빔(28)을 제공하도록 구성된 에너지 소스 예를 들어 레이저 소스(27)를 수용한다. 레이저 빔(28)은 기체 매질(32)을 형성하기 위해, 제트(23a)에서의 전기적 전도성 재료를 국부적으로, 즉 레이저 빔(28)이 제트 23a에 닿는 위치에서 증발시키도록 제트들(23a 및 23b) 중 하나- 이 경우에는 제트 23a -를 겨냥한다. 이 기체 매질(32)의 존재는 방사선(29) 예를 들어 EUV-방사선 또는 연질 X-선 방사선을 발생시키는, 방전(30)에 의해 야기되는 플라즈마의 발화를 허용한다.
레이저 소스(27)에 대한 전형적인 파라미터들은:
펄스당 에너지: Sn 방전에 대해 10 내지 100 mJ, 및 Li 방전에 대해 1 내지 10 mJ;
펄스 지속시간: 1 내지 100 ns;
레이저 파장: 0.2 내지 10 ㎛; 및
레이저 주파수: 5 내지 100 kHz이다.
도 3은 도 2의 방사선 소스와 함께 사용될 수 있는 피드백 시스템(40)을 포함한 조립체를 개략적으로 도시한다. 패드백 시스템(40)은 저수부들(25a 및 25b) 각각에 의해 드롭릿들(26a 및 26b)로 수집된 전기적 전도성 유체를 재사용하도록 구성된다. 도 3에서는, 단일 저수부(41)가 도시된다. 피드백 시스템은 용해 챔버(melting chamber: 42), 펌프(43) 및 필터(44)를 포함한다. 용해 챔버는 적절한 파이프 및 호스(45), 즉 피딩 라인들을 통해 노즐들(21a 및 21b)을 향하여 수송하 기에 적절하게 만들기 위해, 저수부(41)에 의해 수집된 전기적 전도성 재료를 유체로 용해하는데 사용된다. 접합점(C)에서, 피딩 라인(45)은 음단자(A)에 대한 제 1 피딩 라인(45a) 및 양단자(B)에 대한 제 2 피딩 라인(45b)으로 쪼개진다. 펌프(43)는 이러한 수송을 가능하게 하는 한편, 필터(44)는 유체 밖으로 오염물들을 제거한다. 용해 챔버(42), 펌프(43) 및 필터(44)는 단일 유체 공급 유닛 또는 피드백 유닛으로 접합될 수 있지만, 별도 유닛들의 조립체로서 피드백 시스템(40)을 형성할 수도 있다.
캐패시터 뱅크(24) 내에 저장된 방전 에너지는 캐패시터 뱅크(24)의 양쪽에 있는 피딩 라인들 사이에 높은 전압 차를 발생시킨다. 그러므로, 피딩 라인들(45a 및 45b) 내의 전기적 전도성 유체를 통한 단자 A와 B 사이의 전기적 인덕턴스가 높아야 한다. 하지만, 실제로 높은 전압이 여전히 피드백 시스템에 도달한다. 높은 전압에 따르기 위해, 피드백 시스템(40)은 전체 조립체에서 여하한의 합선 없이 제트들(23a 및 23b)의 생성을 보장하도록 2 중(double), 즉 각각의 노즐(21a, 21b)에 대해 별도의 가열 챔버(42), 펌프(43) 및 필터(44)를 가질 수 있다. 추가적으로, 높은 전압은 2 개의 제트(23a 및 23b) 중 하나에 적용될 수 있으며, 결과적으로 2 개의 피드백 시스템들 중 하나에만 도달할 것이다. 하지만, 그때 소스(SO')의 작동은 더 어려워지고, 더 위험해진다.
도 4는 본 발명의 일 실시예가 제공된 도 3에 도시된 조립체를 개략적으로 도시한다. 이 실시예에서, 조립체는 고인덕턴스 유닛(50) 및 펄스화된 충전기(51), 예를 들어 펄스화된 동기식 충전기를 더 포함한다. 고인덕턴스 유닛(50) 은 접합점들 A, B와 접합점 C 사이에 위치된다. 미국 특허 출원 공개공보 2006/0011864 A1에 설명된 바와 같이, 방전(30)에 의해 발생된 전류는 자기장을 유도한다. 자기장은 충돌에 의해 이온들 및 자유 전자들이 생성되는 핀치(pinch)(압착)를 발생시킨다. 몇몇 전자들이 핀치에서 원자들의 전도 대역(conduction band)보다 더 낮은 대역으로 떨어질 것이며, 그 결과 앞서 언급된 방사선(29)을 생성한다. 방사선 소스(SO')의 효율적인 작동을 위해, 즉 에너지 손실을 최소화하기 위해, 2 개의 제트(23a 및 23b), 캐패시터 뱅크(24) 및 방전(30)에 의해 형성된 회로, 즉 "내부 회로"의 인덕턴스는 가능한 한 작아야 한다. 이는 앞서 언급된 요소들과 현상(phenomenon) 간의 거리들을 최소화함으로써 달성된다. 또한, 고인덕턴스 유닛(50)은 단자 A와 접합점 C 사이에, 또한 단자 B와 접합점 C 사이에 높은 인덕턴스를 제공하기 때문에 이 측면을 증가시킨다. 결과적으로, 피드백 시스템(40)이 내부 회로로부터 디커플링된다. 추가적으로, 고인덕턴스 유닛(50)은 주 방전(30) 이전에 에너지 소산을 방지한다.
일 실시예에서, 펄스화된 충전기(51)는 캐패시터 뱅크(24)의 한쪽을 음으로 충전하고, 캐패시터 뱅크(24)의 다른 쪽을 양으로 충전하도록 구성되며, 음 및 양 충전의 진폭은 같다. 결과적으로, 피드백 시스템(40) 및 피딩 라인들(45)의 주 부분이 접지 전압(ground potential)으로 정의되며, 고인덕턴스 유닛(50)의 존재로 인해 이 전압으로 유지된다.
또 다른 실시예에서, 펄스화된 충전기(51)는 캐패시터 뱅크(24)의 한쪽을 양 또는 음으로 충전하는 한편, 캐패시터 뱅크(24)의 다른 쪽은 접지되도록 구성된다. 이 경우, 일 실시예에서 고인덕턴스 유닛은 접지 전압을 갖는 제트 23a는 디커플링하지 않고, 단지 펄스화된 충전기(51)에 의해 충전된 쪽에 연결되는 제트 23b만을 디커플링한다. 이러한 실시예에서는, 펌프(43)가 전기 원인들로 인한 고장으로부터 충분히 보호된다.
도 5는 도 4에 도시된 고인덕턴스 유닛(50)의 일 실시예를 개략적으로 도시한다. 고인덕턴스 유닛(50)은 각각의 피딩 라인들 일부를 각각의 와인딩(winding)으로 형상화함으로써 형성된 각각의 피딩 라인에 대한 코일(55a 및 55b)을 포함한다. 더 높은 인덕턴스 값들 및 이에 따른 더 긴 고인덕턴스 유닛 유지 시간(retention time)을 제공하기 위해, 또한 전도성 손실을 감소시키기 위해, 포화 코어(saturated core: 56) 예를 들어 강자성 코어가 코일들(55a 및 55b)에 사용될 수 있다. 이러한 포화 코어(56)의 사용은 0.01 내지 10 mH의 인덕턴스의 실현을 가능하게 한다. 이해하여야 하는 바와 같이, 포화 코어(56)는 선형(비-포화) 방식으로 작동될 수도 있다. 적절한 인덕턴스는 충전 시간에 의존하며, 이는 차례로 충전 유닛의 이용가능한 전력에 의존한다. 예를 들어, 2 mC의 총 전하, 2.4 kV의 전압 및 10 ㎲의 충전 시간은 1 mH의 최소 인덕턴스를 유도할 것이다. 이와 유사하게, 더 짧은 충전 시간, 즉 1 ㎲는 0.01 mH의 최소 인덕턴스를 초래할 것이다. 포화 코어(56)는 약 5 내지 100 kHz의 주파수들, 즉 EUV 소스에 적당한 주파수에서의 작동을 가능하게 하는 강자성 재료, 예를 들어 METGLAS 2605 CO와 같은 나노 결정 합금(nanocrystal alloy)을 포함할 수 있다. 추가적으로, 이러한 합금은 높은 자기 전도성- 즉 50,000 내지 100,000 -, 및 약 400 내지 450 ℃의 비교적 높은 퀴 리 온도를 갖는다. 다른 실시예에서, 포화 코어(56)는 또 다른 강자성 재료, 즉 페라이트를 포함한다.
2 개의 코일들(55a 및 55b) 사이의 포화 코어(56)의 개략적인 표현은 포화 코어(56)가 2 개의 코일들(55a 및 55b) 사이에 배치된다는 것을 의미하지는 않음을 이해하여야 한다. 실제로는, 두 코일들(55a 및 55b)이 일반적으로 포화 코어(56)에 감긴다. 대안적으로, 두 코일들(55a 및 55b) 모두에 그 자신의 포화 코어(56)가 제공될 수 있다.
추가적으로, 2 개의 제트들(23a 및 23b) 중 하나만이 디커플링되는 도 4를 참조하여 설명된 실시예에서는, 코일들(55a 및 55b) 중 하나만이 존재한다는 것을 이해하여야 한다. 즉, 예를 들어 제트 23a가 충전되고 제트 23b가 접지 전압으로 유지되는 경우, 제트 23a만이 코일(51a)에 의해 유도적으로 디커플링될 것이다.
드롭릿들 예를 들어 드롭릿들 26a 및 26b로 이미 분해된 전기적 전도성 재료를 수집하는 위치에 저수부들 예를 들어 도 2의 저수부들(25a 및 25b)을 배치함으로써 피드백 시스템으로부터 내부 회로를 디커플링하는 대신에, 디커플링을 위한 상이한 구성이 사용될 수 있다. 도 6에 도시된 이 구성에서, 저수부들(62a 및 62b)과 피드백 라인들(63a 및 63b) 사이에 추가적인 고인덕턴스 유닛(60)이 위치된다. 피드백 라인들(63a 및 63b)은 저수부들(62a 및 62b)에 의해 각각 수집된 재료를 피드백 시스템(40)을 향해 수송한다. 피드백 라인들(63a 및 63b)은 도 6에 도시된 바와 같은 단일 피드백 링크(63)를 형성하기 위해, 추가적인 고인덕턴스 유닛(60)과 피드백 시스템(40) 사이에 위치된 접합점에 연결될 수 있지만, 분리된 채 로 유지될 수도 있다는 것을 이해하여야 한다.
저수부들(62a 및 62b)이 더 이상 도 2의 제트들(23a 및 23b)과 같은 분리된 전극들의 전기적 전도성 재료가 드롭릿들로 분해되는 위치에 반드시 있는 것은 아니기 때문에, 단일 저수부에 재료를 수집하는 것은 이 실시예에서 가능하지 않다. 이러한 경우, 내부 회로가 합선될 것이다.
도 6에 나타낸 실시예에서, 추가적인 고인덕턴스 유닛(60)은 2 개의 코일(61a 및 61b)을 포함한다. 각각의 코일은 저수부들(62a 및 62b) 내에 각각 수집된 재료를 피드백 시스템(40)을 향해 수송하는 피드백 라인과 대응한다. 각각의 피드백 라인에 대한 코일들(61a 및 61b)은 각각의 피딩 라인들 일부를 각각의 와인딩으로 형상화함으로써 형성된다. 더 높은 인덕턴스 값들 및 이에 따른 더 긴 고인덕턴스 유닛 유지 시간을 제공하기 위해, 또한 전도성 손실을 감소시키기 위해, 포화 코어(64) 예를 들어 강자성 코어가 코일들(61a 및 61b)에 사용될 수 있다. 이러한 포화 코어(64)의 사용은 0.01 내지 10 mH의 인덕턴스의 실현을 가능하게 한다. 이해하여야 하는 바와 같이, 포화 코어(64)는 선형(비-포화) 방식으로 작동될 수도 있다. 적절한 인덕턴스는 충전 시간에 의존하며, 이는 차례로 충전 유닛의 이용가능한 전력에 의존한다. 예를 들어, 2 mC의 총 전하, 2.4 kV의 전압 및 10 ㎲의 충전 시간은 1 mH의 최소 인덕턴스를 유도할 것이다. 이와 유사하게, 더 짧은 충전 시간, 즉 1 ㎲는 0.01 mH의 최소 인덕턴스를 초래할 것이다. 포화 코어(64)는 약 5 내지 100 kHz의 주파수들, 즉 EUV 소스에 적당한 주파수에서의 작동을 가능하게 하는 METGLAS 2605 CO와 같은 나노 결정 합금을 포함할 수 있다. 추 가적으로, 이러한 합금은 높은 자기 전도성- 즉 50,000 내지 100,000 -, 및 약 400 내지 450 ℃의 비교적 높은 퀴리 온도를 갖는다. 다른 실시예에서, 포화 코어(64)는 페라이트를 포함한다.
다시, 2 개의 코일들(61a 및 61b) 사이의 포화 코어(64)의 개략적인 표현은 포화 코어(64)가 2 개의 코일들(61a 및 61b) 사이에 배치된다는 것을 의미하지는 않음을 이해하여야 한다. 실제로는, 두 코일들(61a 및 61b)이 일반적으로 포화 코어(64)에 감긴다. 대안적으로, 두 코일들(61a 및 61b) 모두에 그 자신의 포화 코어(64)가 제공될 수 있다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해하여야 한다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이 미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화되는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴을 남기는 레지스트로부터 이동된다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 355, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV)방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV)방사선뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당 업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.

Claims (42)

  1. 전기적 작동 방전(electrically operated discharge)에 의해 방사선을 생성하는 장치에 있어서:
    제 1 전극 및 제 2 전극- 상기 제 1 및 제 2 전극은 상기 제 1 및 제 2 전극 사이의 기체 매질에서 플라즈마의 발화를 허용하도록 서로 거리를 두고 구성됨-;
    제 1 단자에서 상기 제 1 전극에, 및 제 2 단자에서 상기 제 2 전극에 전기적으로 연결된 캐패시터 뱅크(capacitor bank)- 상기 캐패시터 뱅크는 상기 플라즈마의 발화에 필요한 방전 에너지를 저장하도록 구성됨 -를 포함하고, 상기 제 1 전극, 제 2 전극 및 캐패시터 뱅크는 전기 회로를 형성하며, 적어도 상기 제 1 전극은 제 1 피딩 라인(feeding line)을 통해 공급된 전기적 전도성 유체에 의해 형성되고, 상기 장치는
    시변 방식(time varing manner)으로 상기 캐패시터 뱅크를 충전하도록 구성된 상기 제 1 단자 및/또는 상기 제 2 단자에 연결된 충전기; 및
    상기 전기 회로를 전기적으로 디커플링(decouple)하기 위해 상기 제 1 피딩 라인에서의 상기 제 1 단자의 업스트림에 제공된 제 1 고인덕턴스 유닛(high inductance unit)을 더 포함하는 방사선 생성 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 방사선은 EUV 방사선인 방사선 생성 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 충전기는 펄스화된 충전기인 방사선 생성 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 전기적 전도성 유체를 부분적으로 증발시키도록 구성된 레이저 빔을 제공함으로써 상기 기체 매질을 형성하도록 구성된 레이저 빔을 더 포함하는 방사선 생성 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 고인덕턴스 유닛은 상기 제 1 피딩 라인의 제 1 코일형 부분을 포함하는 방사선 생성 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 코일형 부분에 제 1 포화 코어(saturated core)가 제공되는 방사선 생성 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 포화 코어는 나노 결정 합금(nanocrystal alloy)을 포함한 그룹의 강자성 재료(ferromagnetic material)를 포함하는 방사선 생성 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 나노 결정 합금은 METGLAS 또는 페라이트인 방사선 생성 장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 고인덕턴스 유닛은 0.01 내지 10 mH의 인덕턴스를 제공하도록 구성되는 방사선 생성 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 피딩 라인은 재료의 제트(jet)의 형태로 상기 제 1 전극을 제공하도록 구성된 제 1 노즐을 포함하는 방사선 생성 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 재료는 주석, 인듐, 갈륨 및/또는 리튬을 포함한 요소들의 그룹을 포함하는 방사선 생성 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 제 1 피딩 라인을 통해 공급된 전기적 전도성 유체에 의해 형성되고, 상기 제 2 전극은 제 2 피딩 라인을 통해 공급된 전기적 전도성 유체에 의해 형성되며, 상기 제 1 피딩 라인은 재료의 제 1 제트의 형태로 상기 제 1 전극 을 제공하도록 구성된 상기 제 1 단자의 다운스트림의 제 1 노즐을 포함하고, 상기 제 2 피딩 라인은 상기 재료의 제 2 제트의 형태로 상기 제 2 전극을 제공하도록 구성된 상기 제 2 단자의 다운스트림의 제 2 노즐을 포함하며, 상기 장치는 상기 전기 회로를 전기적으로 디커플링하기 위해 상기 제 2 피딩 라인에서의 상기 제 2 단자의 업스트림에 제 2 고인덕턴스 유닛을 더 포함하는 방사선 생성 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 고인덕턴스 유닛은 상기 제 1 피딩 라인의 제 1 코일형 부분을 포함하고, 상기 제 2 고인덕턴스 유닛은 상기 제 2 피딩 라인의 제 2 코일형 부분을 포함하는 방사선 생성 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 코일형 부분에 제 1 포화 코어가 제공되고, 상기 제 2 코일형 부분에 제 2 포화 코어가 제공되는 방사선 생성 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 포화 코어 및 상기 제 2 포화 코어 중 1 이상은 나노 결정 합금을 포함한 그룹의 강자성 재료를 포함하는 방사선 생성 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 나노 결정 합금은 METGLAS 또는 페라이트인 방사선 생성 장치.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 1 고인덕턴스 유닛 및 상기 제 2 고인덕턴스 유닛 중 1 이상은 0.01 내지 10 mH의 인덕턴스를 제공하도록 구성되는 방사선 생성 장치.
  18. 제 12 항에 있어서,
    상기 재료는 주석, 인듐, 갈륨 및/또는 리튬을 포함한 요소들의 그룹을 포함하는 방사선 생성 장치.
  19. 제 10 항에 있어서,
    상기 제트가 드롭릿(droplet)들로 분해된 위치에서 상기 재료의 제트를 수집하도록 구성된 저수부(reservoir)를 더 포함하는 방사선 생성 장치.
  20. 제 10 항에 있어서,
    상기 재료의 제트를 수집하도록 구성된 저수부, 및 상기 저수부 내에 수집된 재료를 상기 제 1 피딩 라인을 향해 피드백하도록 구성된 피드백 시스템을 더 포함하고, 상기 피드백 시스템은
    상기 소정 재료의 용해물을 형성하기 위해 수집된 재료를 용해하도록 구성된 상기 저수부에 연결된 용해 챔버(melt chamber);
    상기 재료의 용해물로부터 오염물을 필터링하도록 구성된 상기 제 1 피딩 라인에 연결된 필터; 및
    상기 용해 챔버로부터의 용해물을 상기 필터를 향해 펌핑하도록 구성된 펌프를 포함하는 방사선 생성 장치.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 저수부는 상기 제 1 전극에 대응하는 상기 제트의 재료를 수집하도록 구성된 제 1 수집 유닛을 포함하고, 상기 장치에는 상기 저수부와 상기 피드백 시스템 사이에 제 1 피드백 라인에서의 제 3 고인덕턴스 유닛이 더 제공되는 방사선 생성 장치.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 제 3 고인덕턴스 유닛은 상기 제 1 피드백 라인에 제 3 코일형 부분을 포함하는 방사선 생성 장치.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 제 3 코일형 부분에 제 3 포화 코어가 제공되는 방사선 생성 장치.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 제 3 포화 코어는 나노 결정 합금을 포함한 그룹의 강자성 재료를 포함 하는 방사선 생성 장치.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 나노 결정 합금은 METGLAS 또는 페라이트인 방사선 생성 장치.
  26. 제 23 항에 있어서,
    상기 제 3 고인덕턴스 유닛은 0.01 내지 10 mH의 인덕턴스를 제공하도록 구성되는 방사선 생성 장치.
  27. 제 12 항에 있어서,
    상기 소정 재료의 제 1 제트를 수집하도록 구성된 제 1 저수부;
    상기 소정 재료의 제 2 제트를 수집하도록 구성된 제 2 저수부; 및
    제 1 피드백 라인을 통해 상기 제 1 저수부에, 또한 제 2 피드백 라인을 통해 상기 제 2 저수부에 연결된 피드백 시스템을 더 포함하고, 상기 피드백 시스템은 상기 제 1 및 제 2 저수부 내에 수집된 소정 재료를 상기 제 1 피딩 라인 및/또는 상기 제 2 피딩 라인을 향해 피드백하도록 구성되며, 상기 피드백 시스템은
    상기 소정 재료의 용해물을 형성하기 위해 각각 수집된 재료를 용해하도록 구성된 상기 제 1 및 제 2 저수부에 연결된 용해 챔버;
    상기 재료의 용해물로부터 오염물을 필터링하도록 구성된 상기 제 1 피딩 라인 및/또는 상기 제 2 피딩 라인에 연결된 필터; 및
    상기 용해 챔버로부터의 용해물을 상기 필터를 향해 펌핑하도록 구성된 펌프를 포함하며, 상기 장치에는 상기 제 1 피드백 라인에서 상기 제 1 저수부의 다운스트림에 제 3 고인덕턴스 유닛이, 또한 상기 제 2 피드백 라인에서 상기 제 2 저수부의 다운스트림에 제 4 고인덕턴스 유닛이 더 제공되는 방사선 생성 장치.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 제 3 고인덕턴스 유닛은 상기 제 1 피드백 라인에 제 3 코일형 부분을 포함하고, 상기 제 4 고인덕턴스 유닛은 상기 제 2 피드백 라인에 제 4 코일형 부분을 포함하는 방사선 생성 장치.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 제 3 코일형 부분에 제 3 포화 코어가 제공되고, 상기 제 4 코일형 부분에 제 4 포화 코어가 제공되는 방사선 생성 장치.
  30. 제 29 항에 있어서,
    상기 제 3 포화 코어 및 상기 제 4 포화 코어 중 1 이상은 나노 결정 합금을 포함한 그룹의 강자성 재료를 포함하는 방사선 생성 장치.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 나노 결정 합금은 METGLAS 또는 페라이트인 방사선 생성 장치.
  32. 제 29 항에 있어서,
    상기 제 3 고인덕턴스 유닛 및 상기 제 4 고인덕턴스 유닛 중 1 이상은 0.01 내지 10 mH의 인덕턴스를 제공하도록 구성되는 방사선 생성 장치.
  33. 리소그래피 장치에 있어서:
    방사선 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템;
    패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해, 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하도록 구성되는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체;
    기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 및
    상기 기판의 타겟부 상에 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함하고, 상기 조명 시스템은 전기적 작동 방전에 의해 방사선을 생성하는 장치를 포함하며, 상기 장치는
    제 1 전극 및 제 2 전극- 상기 제 1 및 제 2 전극은 상기 제 1 및 제 2 전극 사이의 기체 매질에서 플라즈마의 발화를 허용하도록 서로 거리를 두고 구성됨-;
    제 1 단자에서 상기 제 1 전극에, 및 제 2 단자에서 상기 제 2 전극에 전기적으로 연결된 캐패시터 뱅크- 상기 캐패시터 뱅크는 상기 플라즈마의 발화에 필요한 방전 에너지를 저장하도록 구성됨 -를 포함하고, 상기 제 1 전극, 제 2 전극 및 캐패시터 뱅크는 전기 회로를 형성하며, 적어도 상기 제 1 전극은 제 1 피딩 라인을 통해 공급된 전기적 전도성 유체에 의해 형성되고, 상기 장치는
    시변 방식으로 상기 캐패시터 뱅크를 충전하도록 구성된 상기 제 1 단자 및/또는 상기 제 2 단자에 연결된 충전기; 및
    상기 전기 회로를 전기적으로 디커플링하도록 구성된 상기 제 1 피딩 라인에서의 상기 제 1 단자의 업스트림에 제공된 제 1 고인덕턴스 유닛을 더 포함하는 리소그래피 장치.
  34. 전기적 작동 방전에 의해 방사선을 생성하는 장치에 있어서:
    제 1 전극 및 제 2 전극- 상기 제 1 및 제 2 전극은 상기 제 1 및 제 2 전극 사이의 기체 매질에서 플라즈마의 발화를 허용하도록 서로 거리를 두고 구성됨-;
    제 1 단자에서 상기 제 1 전극에, 및 제 2 단자에서 상기 제 2 전극에 전기적으로 연결된 캐패시터 뱅크- 상기 캐패시터 뱅크는 상기 플라즈마의 발화에 필요한 방전 에너지를 저장하도록 구성됨 -를 포함하고, 상기 제 1 전극, 제 2 전극 및 캐패시터 뱅크는 전기 회로를 형성하며, 상기 제 1 전극은 제 1 피딩 라인을 통해 공급된 전기적 전도성 유체에 의해 형성되고, 상기 제 2 전극은 제 2 피딩 라인을 통해 공급된 전기적 전도성 유체에 의해 형성되며, 상기 제 1 피딩 라인은 재료의 제 1 제트의 형태로 상기 제 1 전극을 제공하도록 구성된 제 1 노즐을 포함하고, 상기 제 2 피딩 라인은 재료의 제 2 제트의 형태로 상기 제 2 전극을 제공하도록 구성된 제 2 노즐을 포함하며, 상기 장치는:
    시변 방식으로 상기 캐패시터 뱅크를 충전하도록 구성된 충전기;
    상기 제 1 피딩 라인에서의 상기 제 1 단자의 업스트림에 제공된 제 1 고인덕턴스 유닛- 상기 제 1 고인덕턴스 유닛은 상기 제 1 피딩 라인의 제 1 코일형 부분을 포함함 -;
    상기 제 2 피딩 라인에서의 상기 제 2 단자의 업스트림에 제공된 제 2 고인덕턴스 유닛- 상기 제 2 고인덕턴스 유닛은 상기 제 2 피딩 라인의 제 2 코일형 부분을 포함함 -을 더 포함하는 방사선 생성 장치.
  35. 제 34 항에 있어서,
    상기 방사선은 EUV 방사선인 방사선 생성 장치.
  36. 제 34 항에 있어서,
    상기 충전기는 펄스화된 충전기인 방사선 생성 장치.
  37. 제 34 항에 있어서,
    상기 제 1 코일형 부분 및/또는 상기 제 2 코일형 부분에 포화 코어가 제공되는 방사선 생성 장치.
  38. 제 37 항에 있어서,
    상기 포화 코어는 나노 결정 합금을 포함한 그룹으로부터 강자성 재료를 포함하는 방사선 생성 장치.
  39. 제 38 항에 있어서,
    상기 나노 결정 합금은 METGLAS 또는 페라이트인 방사선 생성 장치.
  40. 제 37 항에 있어서,
    상기 제 1 고인덕턴스 유닛 및/또는 제 2 고인덕턴스 유닛은 0.01 내지 10 mH의 인덕턴스를 제공하도록 구성되는 방사선 생성 장치.
  41. 디바이스 제조 방법에 있어서:
    전기적 작동 방전에 의해 방사선을 생성하도록 구성된 방사선 소스로부터 방사선을 제공하는 단계- 상기 방사선 소스는
    제 1 전극 및 제 2 전극- 상기 제 1 및 제 2 전극은 상기 제 1 및 제 2 전극 사이의 기체 매질에서 플라즈마의 발화를 허용하도록 서로 거리를 두고 구성됨-;
    제 1 단자에서 상기 제 1 전극에, 및 제 2 단자에서 상기 제 2 전극에 전기적으로 연결된 캐패시터 뱅크- 상기 캐패시터 뱅크는 상기 플라즈마의 발화에 필요한 방전 에너지를 저장하도록 구성됨 -를 포함하고, 상기 제 1 전극, 제 2 전극 및 캐패시터 뱅크는 전기 회로를 형성하며, 적어도 상기 제 1 전극은 제 1 피딩 라인을 통해 공급된 전기적 전도성 유체에 의해 형성되고, 상기 장치는
    시변 방식으로 상기 캐패시터 뱅크를 충전하도록 구성된 상기 제 1 단 자 및/또는 상기 제 2 단자에 연결된 충전기; 및
    상기 전기 회로를 전기적으로 디커플링하기 위해 상기 제 1 피딩 라인에서의 상기 제 1 단자의 업스트림에 제공된 제 1 고인덕턴스 유닛을 더 포함함 -;
    상기 방사선으로부터 방사선 빔을 컨디셔닝하는 단계;
    상기 방사선 빔을 패터닝하는 단계; 및
    기판의 타겟부 상으로 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법.
  42. 제 41 항의 방법에 의해 제조되는 디바이스.
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