KR20080112736A - 박막 증착 방법 및 박막 증착 장치 - Google Patents

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Abstract

챔버 내에 로딩된 기판 상에는 화학기상증착방식(Chemical Vapor Deposition:CVD)에 의하여 박막이 증착된다. 챔버 내에는 실리콘 계열의 가스 및 질소 계열의 가스를 포함하는 소스가스가 공급되며, 소스가스를 통해 기판 상에는 다결정 폴리실리콘(polycrystalline silicon)이 증착된다. 이때, 실리콘 계열의 가스에 대한 질소 계열의 가스의 혼합비율은 0을 제외한 0.05 이하일 수 있으며, 질소 계열의 가스의 혼합비율이 과도한 경우, 기판 상에는 다량의 실리콘을 포함하는 질화 실리콘(silicon nitride:SixNy)가 증착된다. 실리콘 계열의 가스는 실란(silane:SiH4) 또는 디실란(disilane:Si2H6)일 수 있으며, 질소 계열의 가스는 암모니아(NH3)일 수 있다. 이를 통해 극미세한 크기를 가지는 다결정 폴리실리콘을 증착할 수 있으며, 전기적 특성의 균일도를 향상시켜 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
화학기상증착, 공정온도, 공정압력, 극미세 결정립

Description

박막 증착 방법 및 박막 증착 장치{method and apparatus for depositing thin film}
도 1a 및 도 1b는 종래의 증착방법에 따른 다결정 실리콘막을 나타내는 사진이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착공정이 이루어지는 증착장치를 나타내는 도면이다.
도 3은 압력조건 및 온도조건에 따라 증착된 박막의 굴절율을 나타내는 그래프이다.
도 4a 내지 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따라 증착된 박막의 결정구조를 나타내는 사진이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따라 증착된 박막의 결정구조를 나타내는 사진이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
11 : 챔버 12 : 도입부
13 : 샤워헤드 14 : 히터
16 : 히터지지대 17 : 진공포트
본 발명은 기판 상에 박막을 증착하는 방법 및 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 화학기상증착방식에 의하여 기판 상에 박막을 증착하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 장치는 실리콘 기판(wafer) 상에 많은 층들(layers)을 가지고 있으며, 이와 같은 층들은 증착공정을 통하여 기판 상에 증착된다. 증착공정은 일반적으로 두 개의 카테고리(category)로 구분되며, 하나는 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition:CVD)이며, 다른 하나는 물리기상증착(Physical Vapor Deposition:PVD)이다. 각각의 경우, 웨이퍼는 증착 챔버(deposition chamber) 내에 놓이며, 박막의 성분은 가스 형태로 박막을 형성하고자 하는 웨이퍼의 표면에 공급된다. 화학기상증착의 경우, 반응가스들은 증착챔버 내에 유입되고, 반응가스들 사이의 화학반응을 통해 웨이퍼의 표면 상에 박막이 형성된다.
여러가지 박막 중 게이트 전극으로 사용되는 다결정 실리콘(polycrystalline silicon)을 증착하는 방법은 다음과 같다. 먼저, 웨이퍼를 증착 챔버 내에 로딩한 후, 소스가스를 챔버 내부에 공급하여 웨이퍼 상에 박막을 증착한다. 이때, 챔버 내부에 공급되는 소스가스는 실란(SiH4)을 포함하며, 챔버 내에 공급된 소스가스에 의해 웨이퍼 상에는 박막이 증착된다. 이때, 웨이퍼 상에는 실란(SiH4)의 열분해를 통해 다결정 실리콘막(polycrystalline deposition)이 증착된다.
그러나, 이와 같은 증착공정으로는 얇은 두께(약 400Å 이하)의 실리콘 결정구조를 가지는 다결정 실리콘막을 증착하는 것이 매우 어려울 뿐만 아니라, 균일한 다결정 실리콘막을 증착하기 어려웠다. 따라서, 이를 반도체 플래쉬 메모리 등의 플로팅 게이트 전극으로 사용할 경우, 제조된 소자의 과소거(over erase) 현상과 같은 문제점에 의해 소자의 문턱전압이동(threshold voltage shift)등에 의한 균일도, 내구력, 그리고 신뢰성 측면에서 소자의 문턱전압(Threshold Voltage, Vt) 균일도 등이 매우 불균일하여 소자 특성을 저하시키는 등의 문제점이 발생한다.
이에 대해 더욱 상세히 설명하면, 먼저 일정한 공정온도에서(일반적으로 550℃ 이하의) 실란(SiH4)이나 디실란(disilane)(Si2H6)을 이용하여 결정질이 형성되지 않은 비결정질(amorphous) 실리콘 박막을 성장시키는 공정과, 그 다음으로 후속의 일정한 열처리 공정(예를 들어, 650℃ 내지 900℃)에 의하여 성장된 박막을 결정화 시키는 공정을 거치게 되면, 그 결과로서 도 1a 및 도 1b에 도시한 결과를 얻는다. 도 1a 및 도 1b는 종래의 증착방법에 따른 다결정 실리콘막을 투과 전자 현미경(Transmission Electron Microscope:TEM)으로 찍은 사진이다.
이와 같은 공정을 이용하여 플래시 메모리와 같은 소자의 게이트 전극을 형성시킬 경우, 그 박막의 결정화된 결정립의 크기(grain size)는 매우 불규칙하여 수십 Å내지 수백 nm의 크기의 결정립이 형성되어 이를 이용한 트랜지스터를 형성시킬 경우 상기 트랜지스터에서의 전자의 이동 속도가 그 결정립(grain)이 큰 지역에서는 결정립 계면(grain boundary)이 한개 내지 두개, 반면 결정립이 매우 작은 지역에서는 그 결정립 계면(grain boundary)이 많이 형성되어 결정립과 결정립이 만나는 지역의 하부 Tunnel oxide가 oxide valley 라는 형태의 구역이 형성되는데 큰 결정립 사이의 결정계면 하부는 더 큰 형태의 oxide valley가 형성되고 이는 후속의 phosphorus poly 공정 형성 시 phosphorus가 더 많이 concentration 되어 local barrier height를 감소시켜, 소자 구동 시 over erase point로 되거나, 또는 phosphorus에 의한 electron trap formation site가 되어 소자의 신뢰성을 크게 저하시키는 원인이 되고 이는 곧 전자의 이동이 트랜지스터가 형성된 후 소자를 가동 시 소자 한 chip 내에 포함되어 있는 수 개의 트랜지스터의 구동 능력이 매우 차이가 나서 소자 특성이 매우 열악해지는 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 그 결정구조가 극미세한 결정립 구조 형태를 가지는 박막을 증착하는 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 첨부한 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 상에 박막을 증착하는 방법은 상기 기판이 로딩된 챔버 내에 소스가스를 공급하여 상기 박막을 증착하되, 상기 소스가스는 실리콘 계열의(silicon-based) 가스 및 질소 계열의(nitrogen-based) 가스를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 실리콘 계열의 가스에 대한 상기 질소 계열의 가스의 혼합비율은 0을 제외한 0.05 이하일 수 있다. 또한, 상기 박막 내의 질소는 10at%(atomic percentage) 이하일 수 있다.
한편, 상기 증착공정의 온도가 580℃ 내지 650℃일 때 상기 증착공정의 압력은 100torr 내지 300torr일 수 있다. 또한, 상기 증착공정의 온도가 650℃ 내지 750℃일 때 상기 증착공정의 압력은 5torr 내지 100torr일 수 있다.
상기 방법은 상기 기판 상에 증착된 상기 박막에 대한 열처리공정을 더 포함할 수 있다. 상기 박막은 다결정 실리콘(polycrystalline silicon)일 수 있다. 상기 실리콘 계열의 가스는 실란(silane)(SiH4) 또는 디실란(disilane)(Si2H6)일 수 있다. 상기 질소 계열의 가스는 암모니아(NH3)일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 기판 상에 박막을 증착하는 방법은 상기 기판이 로딩된 챔버 내에 소스가스를 공급하여 상기 박막을 증착하되, 상기 소스가스는 실리콘 계열의(silicon-based) 가스이며, 상기 증착공정의 온도가 640℃ 내지 680℃일 때 상기 증착공정의 압력은 0을 제외한 10torr 이하로 하여 주상(columnar)의 박막을 증착하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 기판 상에 박막을 증착하는 방법은 상기 기판이 로딩된 챔버 내에 소스가스를 공급하여 상기 박막을 증착하되, 상기 소스가스는 실리콘 계열의(silicon-based) 가스이며, 상기 증착공정의 온도가 640℃ 내지 680℃일 때 상기 증착공정의 압력은 10torr 내지 50torr로 하여 결정 질(crystalline) 및 비결정질(amorphous)의 박막을 증착하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 기판 상에 박막을 증착하는 방법은 상기 기판이 로딩된 챔버 내에 소스가스를 공급하여 상기 박막을 증착하되, 상기 소스가스는 실리콘 계열의(silicon-based) 가스이며, 상기 증착공정의 온도가 640℃ 내지 680℃일 때 상기 증착공정의 압력은 50torr 이상으로 하여 비결정질(amorphous)의 박막을 증착하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도 2 내지 도 6을 참고하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 싱글 챔버를 이용하여 화학기상증착을 하는 방식으로 반도체 소자에 있어서 결정구조가 미세한 주상 형상(columnar)의 결정 형태를 가지는 박막을 증착하는 방법이다. 일반적으로 화학기상증착이라고 하는 것은 기체상태의 소스가스를 공급하여 기판과의 화학적 반응을 유도함으로써, 반도체 기판상에 박막을 형성하는 공정이다. 이러한 화학기상증착방식을 싱글챔버내에서 수행하게 되는 본 발명을 도 2를 참조하여 설명하기로 한다. 도 2는 본 발명의 일 실 시예에 따른 증착공정이 이루어지는 증착장치(10)를 나타내는 도면이다.
챔버(11)는 외부로부터 차단된 내부공간을 제공하며, 챔버(11)의 상부에는 내부공간에 소스가스를 도입하기 위한 도입부(12)가 제공된다. 도입부(12)에는 주공급라인(12a)과 주공급라인(12a)에 연결된 제1 공급라인(18a) 및 제2 공급라인(19a)이 연결된다. 제1공급라인(18a)은 챔버(11)의 내부에 제1 소스가스를 공급하며, 제2 공급라인(18b)은 챔버(11)의 내부에 제2 소스가스를 공급한다. 제1 소스가스는 실란 또는 디실란을 포함하는 실리콘 계열의(silicon-based) 가스이며, 제2 소스가스는 암모니아를 포함하는 질소 계열의(nitrogen-based) 가스이다. 그러나, 이와 달리 챔버(11)의 내부에 하나의 소스가스만을 공급할 수 있다. 또한, 제1 공급라인(18a) 상에는 제1 유량제어기(18b) 및 제1 밸브(18c)가 설치되며, 제2 공급라인(19a) 상에는 제2 유량제어기(19b) 및 제2 밸브(19c)가 설치된다. 한편, 도입부(12)에 의해 유입된 가스는 샤워헤드(13)를 통해 챔버(11) 내부로 분사되게 된다. 또한, 증착의 대상이 되는 웨이퍼(15)는 히터(14) 상에 놓여지며, 히터(14)는 히터지지대(16)에 의해 지지된다.
증착이 완료되면, 챔버(11) 내부의 미반응가스 및 반응부산물은 진공포트(17)에 의해 배출된다. 진공포트(17)에는 배출라인(17a) 및 진공펌프(17b)가 연결되며, 챔버(11) 내부의 미반응가스 및 반응부산물을 강제로 배출한다. 이밖에, 배출라인(17a) 및 진공펌프(17b)를 이용하여 챔버(11) 내부의 공정압력을 조절할 수 있다. 이와 같은 방법을 통해 기판상에 소스가스를 챔버(11) 내부로 공급하며, 열분해에 의해 분해된 반응 가스를 통해 기판 상에 박막을 증착한다. 한편, 공정온 도를 조절하기 위한 히터(14) 및 공정압력을 조절하기 위한 진공펌프(17b), 그리고 제1 및 제2 소스가스의 공급량(또는 혼합비율)을 조절하기 위한 제1 및 제2 유량제어기(18b, 19b)는 제어부(20)를 통해 제어된다.
도 3은 압력조건 및 온도조건에 따라 증착된 박막의 굴절율을 나타내는 그래프이다. 도 3에서 보는 바와 같이, 가로축은 공정온도이고 세로축은 증착된 박막의 결정 특성을 알 수 있는 굴절율(R.I) 값을 도시한 것이다. 나타내는 굴절율이 4.5에 가까울수록 비정질 실리콘 박막 성장 상태를 나타내며, 그 값이 4.0에 가까울 수록 결정화된 다결정 실리콘 박막에 가까운 결정 구조의 결정질이 형성된다.
한편, 결정질이라고 하는 것은 원자배열에 있어 3차원적인 주기성을 가지는 고체를 일컫는 것으로서, 이러한 주기성을 갖지 않는 고체를 비결정성 물질(비정질 물질)이라고 한다. 상술한 바와 같은 비정질 상태를 이용한 반도체로서 비결정질 실리콘을 들 수 있다. 이와 같은 비정질 반도체의 경우 저온에서 대면적으로 증착이 가능하기 때문에 박막의 트랜지스터에 사용된다.
도 3에서 보는 바와 같이, 온도가 640℃~685℃의 온도 범위에서 압력에 따라 측정되는 굴절율의 변화가 발생되는데, 일 예로서 655℃의 경우에는 공정 유입되는 소스가스가 일정할 때 그 공정 압력이 10torr 이하에서는 측정되는 굴절율값이 4.0에 가까워져서 주상 형태의 다결정 실리콘이 형성되는 것을 알 수 있고, 반면 그 증착되는 공정 압력을 100Torr 이상으로 진행할 경우 측정되는 굴절율이 4.5 에 가까워지는 현상을 볼 수 있으므로 증착되는 박막은 비정질 실리콘 박막이 형성되는 것을 알 수 있다. 같은 예로서 공급되는 소스가스가 일정할 때 685℃ 이상의 공정 온도에서는 압력 이하로 제어하더라도 더 이상의 비정질 실리콘 박막을 형성시컬 수 없는 형태의 그래프 도시를 볼 수 있다, 즉 685℃의 공정 온도에서는 10torr 이하의 압력에서는 다결정 실리콘을 형성시킬 뿐만 아니라 그 압력이 100torr 이상의 공정조건에서도 측정되는 굴절율이 4.0의 값에 가까워짐을 볼 수 있고, 이는 곧 다결정 실리콘을 형성시키는 것이라고 볼 수 있다.
한편 증착된 박막의 성능을 평가하는 계수로서 표면 거칠기를 이용하게 되는데 본 발명에서는 원자간력 현미경(AFM ;Atomic Force Microscopy)을 이용하되 산출방법은 RMS(Root Mean Square)을 이용하였다. 그 결과 표면 거칠기가 2인 경우가 제일 바람직하였다.
도 4a 및 도 4b는 685℃ 공정 온도와 10Torr의 압력에서의 결정질 실리콘 박막의 증착에 관한 결정 구조를 도시한 것이며, 도 5a 및 5b는 730℃ 공정 온도와 10Torr의 압력에서의 결정질 실리콘 박막의 증착에 관한 결정 구조를 도시한 것이다.
이상 상술한 바와 같이 본 발명에서 제시된 발명의 사상을 이용하여 본 발명에서 제시된 소스가스로 실란을 이용하였지만 또 다른 소스가스로서 디실란을 이용하여 본 발명에서 구현하고자 하는 발명의 사상, 일정한 온도와 일정한 압력 하에서 주상형태의 결정립을 형성시키는 것과, 등축 형상의 결정립 또는 비정질 실리콘 박막을 혼재 시키는 결정구조, 또는 비정질 실리콘 박막을 형성시키는 박막을 형성 시키는 것을 특징으로 하는 것이 또 다른 발명의 실시 예이다
다시 도 2를 참고하여 본 발명의 또 다른 실시예를 설명한다.
도 2에 도시한 바와 같이, 우선 챔버(11)내에 소스가스가 도입되기 위한 도입부(12)가 형성된다. 상기 도입부(12)에 의해 도입된 가스는 샤워헤드(13)를 통해 챔버(11) 내부로 분사되게 된다. 또한, 증착의 대상이 되는 웨이퍼(15)가 히터(14)상에 놓여지게 되는데 이러한 히터(14)는 히터지지대(16)에 의해 지지되게 된다. 이러한 장치에 의해 증착이 수행되고 나서는 진공포트(17)에 의해 배출되게 된다. 이러한 싱글 웨이퍼 방식의 화학기상증착방법에 의해 기판상에 실란(SiH4) 가스를 상기 챔버(11) 내로 유입시켜 열 분해에 의해 분해된 반응 가스가 기판상에 배치된 실리콘 기판상에 표면 이동을 통하여 증착하게 되는 것이다.
이때 실란과 동시에 반응 챔버내로 일정한 비율로 암모니아를 주입하게 되면 열분해된 반응가스의 실리콘 원자들이 암모니아로부터 분해된 질소 원자에 의해 실리콘 핵생성(Nucleation) 및 결정립성장(Grain Growth)이 진행되지 않아, 고온(650℃이상의 고온)에서도 비정질 상태의 폴리실리콘으로 증착이 가능하다. 이 때 NH3/SiH4 gas의 혼합 비율이 일정 수준 이상으로 유지될 경우 질화 실리콘(silicon nitride:SixNy)으로 증착될 수 있기 때문에 두 반응 gas의 혼합 비율이 본 발명에서 가장 중요한 요소이다. 아래의 표는 Nitrogen의 농도를 atomic%로 환산한 값과 결정립도(Grain Size)를 NH3/SiH4의 Gas 혼합 비율에 따른 경향성을 나타내고 있다.
<표>
N 농도 NH3/SiH4=0 NH3/SiH4=0.007 NH3/SiH4=0.012 NH3/SiH4=0.017 NH3/SiH4=0.022
1E20atoms/cc 0.146 16.4 31.0 44.0 56.5
atomic % 0.029% 2.93% 6.12% 8.82% 11.3%
grain size 120Å 108.5Å 75.5Å 63Å 33Å
표에서 알 수 있듯이, 암모니아를 혼합할 경우 결정립의 크기가 감소함을 알 수 있으며, 암모니아의 혼합비율이 점점 증가할수록(표에서 오른쪽으로 갈수록) 결정립의 크기는 점점 감소함을 알 수 있다. 따라서, 암모니아를 혼합함으로써 극미세하고 균일한 결정립을 형성할 수 있다.
그러나, 암모니아의 혼합비율이 지나치게 증가할 경우, 웨이퍼에 증착되는 박막은 다결정 실리콘이 아닌 질화 실리콘(silicon nitride:SixNy)에 가까워질 수 있다. 따라서, 실리콘 계열의 가스에 대한 상기 질소 계열의 가스의 혼합비율은 0.05 이하인 것이 바람직하며, 박막 내의 질소는 10at%(atomic percentage) 이하인 것이 바람직하다. 극미세 결정립 구조를 가지는 다결정 폴리실리콘을 형성시키기 위해, Furnace 또는 Single Wafer 방식의 반응 챔버를 이용하여 일정 온도 이상에서 후속 열공정을 실시한다. 도 7은 본 발명에 의해 증착된 극미세 결정립 구조를 가지는 다결정 폴리실리콘 박막의 단면 TEM 이다.
이상 상술한 바와 같이 본 발명에서 제시된 발명의 사상을 이용하여 본 발명에서 제시된 Source gas로 SiH4 gas를 이용하였지만 또 다른 source gas로서 Si2H6 gas를 이용하여 본 발명에서 구현하고자 하는 발명의 사상, 일정한 온도와 일정한 압력 하에서 NH3/SiH4의 일정한 비율로 반응 챔버내에 주입시켜 극미세 결정립 구조를 가지는 박막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 것이 또 다른 발명의 실시 예이다.
또한, 본 발명을 바람직한 실시예들을 통하여 상세하게 설명하였으나, 이와 다른 형태의 실시예들도 가능하다. 그러므로, 이하에 기재된 청구항들의 기술적 사상과 범위는 바람직한 실시예들에 한정되지 않는다.
이상과 같이 본 발명은 싱글 웨이퍼 방식의 챔버를 이용하여 화학기상증착방식을 이용하여 극미세 결정립 구조를 가지는 다결정 실리콘 박막을 증착 할 수 있는 방법으로서, 실리콘 소스 가스로는SiH4( Silane)가스를 이용하고, 결정립을 제어하는 공정 방법으로서는 공정온도와 공정 압력을 일정한 범위내에서 박막을 증착 할 때, NH3와 같이 Nitrogen을 함유하는 Gas를 SiH4과 혼합하여 일정 비율로 주입하여 극미세 결정립 다결정 폴리실리콘 박막을 형성시키므로서 반도체 소자에서 Flash Memory의 floating gate용 전극으로 이용할 경우 균일한 형태의 결정립을 형성할 수 있어 소자의 내구성 및 신뢰성 있는 소자 특성을 확보할 수 있고, DRAM 소자 및 SRAM, LOGIC 소자에서 그 특성을 이용할 경우 우수한 소자 특성을 확보 할 수 있어 이를 이용하는 반도체 소자 제조시 소자 수율 향상 및 소자 특성 개선 효과가 있다.

Claims (17)

  1. 기판 상에 박막을 증착하는 방법에 있어서,
    상기 기판이 로딩된 챔버 내에 소스가스를 공급하여 상기 박막을 증착하되,
    상기 소스가스는 실리콘 계열의(silicon-based) 가스 및 질소 계열의(nitrogen-based) 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 실리콘 계열의 가스에 대한 상기 질소 계열의 가스의 혼합비율은 0을 제외한 0.05 이하인 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 박막 내의 질소는 10at%(atomic percentage) 이하인 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 증착공정의 온도가 580℃ 내지 650℃일 때 상기 증착공정의 압력은 100torr 내지 300torr인 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 증착공정의 온도가 650℃ 내지 750℃일 때 상기 증착공정의 압력은 5torr 내지 100torr인 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 방법은 상기 기판 상에 증착된 상기 박막에 대한 열처리공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 박막은 다결정 실리콘(polycrystalline silicon)인 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 실리콘 계열의 가스는 SiH4(silane) 또는 Si2H6(disilane)인 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 질소 계열의 가스는 NH3인 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.
  10. 기판 상에 박막을 증착하는 방법에 있어서,
    상기 기판이 로딩된 챔버 내에 소스가스를 공급하여 상기 박막을 증착하되,
    상기 소스가스는 실리콘 계열의(silicon-based) 가스이며,
    상기 증착공정의 온도가 640℃ 내지 680℃일 때 상기 증착공정의 압력은 0을 제외한 10torr 이하로 하여 주상(columnar)의 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.
  11. 기판 상에 박막을 증착하는 방법에 있어서,
    상기 기판이 로딩된 챔버 내에 소스가스를 공급하여 상기 박막을 증착하되,
    상기 소스가스는 실리콘 계열의(silicon-based) 가스이며,
    상기 증착공정의 온도가 640℃ 내지 680℃일 때 상기 증착공정의 압력은 10torr 내지 50torr로 하여 결정질(crystalline) 및 비결정질(amorphous)의 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.
  12. 기판 상에 박막을 증착하는 방법에 있어서,
    상기 기판이 로딩된 챔버 내에 소스가스를 공급하여 상기 박막을 증착하되,
    상기 소스가스는 실리콘 계열의(silicon-based) 가스이며,
    상기 증착공정의 온도가 640℃ 내지 680℃일 때 상기 증착공정의 압력은 50torr 이상으로 하여 비결정질(amorphous)의 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.
  13. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 실리콘 계열의 가스는 SiH4(silane) 또는 Si2H6(disilane)인 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.
  14. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 박막은 다결정 실리콘(polycrystalline silicon)인 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.
  15. 기판에 대한 공정이 이루어지는 내부공간을 제공하는 챔버;
    상기 챔버 내에 제공되어 상기 기판을 지지하는 기판 지지부;
    상기 챔버의 일측에 형성된 도입부에 연결되며, 상기 도입부를 통해 상기 챔버의 내부에 제1 및 제2 소스가스를 각각 공급하는 제1 및 제2 공급부;
    각각 상기 제1 및 제2 공급부를 통해 공급되는 제1 및 제2 소스가스의 유량을 조절하는 제1 및 제2 유량제어기;
    상기 제1 및 제2 유량제어기를 제어하여 제1 및 제2 소스가스의 공급비율을 조절는 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 장치는 상기 챔버 내의 공정온도를 조절하는 히터를 더 포함하며,
    상기 히터는 상기 제어기를 통해 제어되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 장치는 상기 챔버에 형성된 진공포트에 연결되어 상기 챔버 내부의 가스를 강제배출하는 배출부를 더 포함하며,
    상기 배출부는 상기 제어기를 통해 제어되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
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