KR20080096444A - Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method - Google Patents
Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning methodInfo
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Abstract
Description
본 발명은, 기판세정브러시를 사용하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다. 처리의 대상이 되는 기판에는, 예를 들면, 반도체웨이퍼, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광디스크 또는 자기 디스크 등이 포함되고, 특히, 반도체웨이퍼 등의 원판형상의 기판의 엣지부에 부착된 이물(異物)을 제거하는 기판세정장치 및 기판세정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and substrate processing method using a substrate cleaning brush. The substrate to be processed includes, for example, a semiconductor wafer, a substrate for a liquid crystal display, a substrate for a plasma display, a substrate for a field emission display (FED), an optical disk or a magnetic disk, and the like. A substrate cleaning apparatus and a substrate cleaning method for removing foreign matter adhering to an edge portion of a disk-shaped substrate.
종래부터, 반도체웨이퍼 등의 기판을 제조하는 공정에서는, 기판(W)의 엣지부에 부착된 이물을 제거하는 기판세정장치가 사용되고 있다. 도 12는, 종래의 기판세정장치의 일례를 나타낸 도면이다. 도 12의 기판세정장치는, 기판(W)을 파지부(110) 상에 파지하면서 회전시키고, 회전하는 기판(W)의 엣지부(E)에 연마테이프(120)를 맞닿게 함으로써 기판(W)의 엣지부(E)로부터 이물을 제거한다. 연마테이프(120)의 표면에는 다이아몬드 등의 지립(砥粒)이 접착되어 있기 때문에, 연마테 이프(120)는, 기판(W)의 엣지부(E)를 연마하면서 엣지부(E) 상의 이물을 제거할 수 있다. 또한, 도 13은, 종래의 기판세정장치의 다른 일례를 나타낸 도면이다. 도 13의 기판세정장치는, 기판(W)을 파지부(210) 상에 파지하면서 회전시키고, 회전하는 기판(W)의 엣지부(E)에 수지제의 브러시(220)를 맞닿게 함으로써 기판(W)의 엣지부(E)로부터 이물을 제거한다.Conventionally, in the process of manufacturing a board | substrate, such as a semiconductor wafer, the board | substrate cleaning apparatus which removes the foreign material adhering to the edge part of the board | substrate W is used. 12 is a diagram showing an example of a conventional substrate cleaning apparatus. In the substrate cleaning apparatus of FIG. 12, the substrate W is rotated while the substrate W is held on the
이러한 종래의 기판세정장치에 대해서는, 예를 들면, 특허문헌1에 개시되어 있다.Such a conventional substrate cleaning apparatus is disclosed in
[특허문헌1] 일본 특허공개 2004-241434호 공보 [Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-241434
그러나, 도 12에 나타낸 종래의 기판세정장치는, 연마테이프(120)에 의해 기판(W)의 엣지부(E) 자체를 연마하면서, 엣지부(E) 상의 이물을 제거하는 것이었다. 이 때문에, 연마에 의해 발생한 연마가루를 제거하기 위해 2차세정을 행할 필요가 있어서, 세정처리의 공정수가 증가하게 되는 문제가 있었다.However, the conventional substrate cleaning apparatus shown in FIG. 12 removes foreign substances on the edge portion E while polishing the edge portion E of the substrate W by the
한편, 도 13에 나타낸 기판세정장치에서는, 기판(W)의 엣지부(E)를 연마하지는 않지만, 수지제(樹脂製)의 브러시가 지나치게 부드럽기 때문에, 금속막이나 슬러리와 같이 엣지부(E)에 강고하게 부착된 이물을 제거할 수는 없었다. 최근에는, 반송시의 크로스 컨테미네이션을 방지하기 위해서, 기판(W)의 엣지부(E)에 부착된 텅스텐 등의 금속막이나 CMP프로세스의 잔사(殘渣) 슬러리를 양호하게 제거하고 싶다는 기술적 요청이 높아지고 있다.On the other hand, in the substrate cleaning apparatus shown in Fig. 13, the edge portion E of the substrate W is not polished, but since the brush made of resin is too soft, the edge portion E, like a metal film or slurry, is used. It was not possible to remove the foreign matter firmly attached to it. In recent years, in order to prevent cross contamination at the time of conveyance, the technical request that the metal slurry, such as tungsten, adhered to the edge part E of the board | substrate W, and the residue slurry of a CMP process are desired to be removed satisfactorily. Is rising.
본 발명은, 이러한 사정에 비추어 보아 이루어진 것이며, 기판 자체를 연마해버리지 않고, 기판의 엣지부에 강고하게 부착된 이물을 양호하게 제거할 수 있는 기판세정장치 및 기판세정방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate cleaning apparatus and a substrate cleaning method capable of satisfactorily removing foreign substances adhered firmly to the edge portion of the substrate without grinding the substrate itself. do.
상기 과제를 해결하기 위해서, 제1항에 관련된 발명은, 기판의 엣지부를 세정하는 기판세정장치로서, 기판의 엣지부에 맞댐부재(當接部材)를 맞닿게 하는 맞댐수단과, 기판을 파지하면서 기판과 상기 맞댐부재를 상대이동시키는 상대이동수단(相對移動手段)을 구비하고, 상기 맞댐부재는, 0.3MPa 이상이면서 2.7MPa 이하의 압축탄성률(壓縮彈性率)을 가지는 탄성재료로 구성되는 것을 특징으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above problems, the invention according to
제2항에 관련된 발명은, 제1항에 기재된 기판세정장치로서, 상기 맞댐부재는, 실리카를 혼입시킨 상기 탄성재료로 구성되는 것을 특징으로 한다.The invention according to
제3항에 관련된 발명은, 제2항에 기재된 기판세정장치로서, 기판의 주면(主面)에 린스액을 공급하는 린스액공급수단을 더 구비하며, 상기 린스액공급수단은, 린스액으로서 순수를 공급하는 것을 특징으로 한다.The invention according to
제4항에 관련된 발명은, 제3항에 기재된 기판세정장치로서, 비세정시(非洗淨時)에 상기 맞댐부재를 액체중에 침지(浸漬)한 상태로 대기시키는 대기부(待機部)를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.The invention according to claim 4 is the substrate cleaning device according to
제5항에 관련된 발명은, 제4항에 기재된 기판세정장치로서, 상기 맞댐수단은, 기판의 엣지부의 다른 영역에 맞닿는 복수의 상기 맞댐부재를 가지는 것을 특징으로 한다.The invention according to claim 5 is the substrate cleaning device according to claim 4, wherein the abutment means has a plurality of the abutment members that abut against other regions of the edge portion of the substrate.
제6항에 관련된 발명은, 제5항에 기재된 기판세정장치로서, 상기 복수의 맞댐부재는, 기판의 엣지부의 한 쪽의 경사면에 맞닿는 제1맞댐부재와, 기판의 엣지부의 머리부에 맞닿는 제2맞댐부재와, 기판의 엣지부의 다른 쪽의 경사면에 맞닿는 제3맞댐부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.The invention according to claim 6 is the substrate cleaning apparatus according to claim 5, wherein the plurality of butt members are provided with a first butt member that abuts on one inclined surface of one edge portion of the substrate, and an agent that abuts the head of the edge portion of the substrate. And a second butting member and a third butting member which abuts against the inclined surface of the other side of the edge portion of the substrate.
제7항에 관련된 발명은, 제1항에 기재된 기판세정장치로서, 상기 맞댐부재의 맞댐면을 촬영하는 촬영수단(撮影手段)과, 성기 촬영수단에 의해 취득된 화상 데이타에 근거해서 상기 맞댐부재에 부착된 오염부를 검출하는 검출수단을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.The invention according to claim 7, the substrate cleaning apparatus according to
제8항에 관련된 발명은, 제7항에 기재된 기판세정장치로서, 상기 맞댐수단은, 상기 검출수단의 검출결과에 근거하여, 기판의 엣지부에 대한 상기 맞댐부재의 맞댐위치를 변경하는 것을 특징으로 한다.The invention according to claim 8 is the substrate cleaning apparatus according to claim 7, wherein the abutment means changes an abutment position of the abutment member relative to an edge portion of the substrate based on a detection result of the detection means. It is done.
제9항에 관련된 발명은, 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 기판세정장치로서, 기판은 원형기판으로서, 상기 상대이동수단은, 기판을 중심축주위로 회전시킴으로써 기판의 엣지부와 상기 맞댐부재를 상대이동시키는 것을 특징으로 한다.The invention according to claim 9, wherein the substrate cleaning apparatus according to any one of
제10항에 관련된 발명은, 기판의 엣지부를 세정하는 기판세정방법으로서, 기판의 엣지부에 맞댐부재를 맞닿게 하는 맞댐공정과, 상기 맞댐공정을 계속하면서, 기판을 파지하면서 기판과 상기 맞댐부재를 상대이동시키는 상대이동공정을 구비하고, 상기 맞댐부재는, 0.3MPa 이상이면서 2.7MPa 이하의 압축탄성률을 가지는 탄성재료로 구성되는 것을 특징으로 한다.The invention according to
제11항에 관련된 발명은, 제10항에 기재된 기판세정방법으로서, 상기 맞댐부재는, 실리카를 혼입시킨 상기 탄성재료로 구성되는 것을 특징으로 한다.The invention according to
제12항에 관련된 발명은, 제11항에 기재된 기판세정방법으로서, 상기 맞댐공정에 있어서는, 상기 기판의 주면에 린스액의 공급을 행함으로써, 린스액으로 순수를 공급하는 것을 특징으로 한다.The invention according to claim 12 is the substrate cleaning method according to
제13항에 관련된 발명은, 제12에 기재된 기판세정방법으로서, 상기 맞댐부재를 액체중에 침지한 상태로 대기시키는 대기공정을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.The invention according to claim 13 is the substrate cleaning method according to the twelfth aspect, further comprising an atmospheric step of waiting for the butting member to be immersed in a liquid.
제14항에 관련된 발명은, 제13항에 기재된 기판세정방법으로서, 상기 맞댐공정에서는, 복수의 상기 맞댐부재가 각각 기판의 엣지부의 다른 영역에 맞닿는 것을 특징으로 한다.The invention according to claim 14 is the substrate cleaning method according to claim 13, wherein in the abutting step, a plurality of the abutting members abut on different regions of the edge portion of the substrate, respectively.
제15항에 관련된 발명은, 제14항에 기재된 기판세정방법으로서, 상기 복수의 맞댐부재는, 기판의 엣지부의 한 쪽의 경사면(傾斜面)에 맞닿는 제1맞댐부재와, 기판의 엣지부의 머리부에 맞닿는 제2맞댐부재와, 기판의 엣지부의 다른 쪽의 경사면에 맞닿는 제3맞댐부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.The invention according to claim 15 is the substrate cleaning method according to claim 14, wherein the plurality of butt members include a first butt member that abuts on one inclined surface of one edge portion of the substrate, and the head of the edge portion of the substrate. And a second engaging member that abuts on the part, and a third engaging member that abuts on the inclined surface of the other side of the edge portion of the substrate.
제16항에 관련된 발명은, 제10항에 기재된 기판세정방법으로서, 상기 맞댐부재의 맞댐면을 촬영하는 촬영공정과, 상기 촬영공정에 있어서 취득된 화상 데이타에 근거해서 상기 맞댐부재에 부착된 오염부를 검출하는 오염부검출공정을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.The invention according to claim 16 is a substrate cleaning method according to
제17항에 관련된 발명은, 제16항에 기재된 기판세정방법으로서, 상기 맞댐공정에 있어서는, 상기 오염부검출공정의 검출결과에 근거하여, 기판의 엣지부에 대한 상기 맞댐부재의 맞댐위치를 변경하는 것을 특징으로 한다.The invention according to claim 17 is the substrate cleaning method according to claim 16, wherein in the butting step, the butt position of the butt member against the edge of the substrate is changed based on a detection result of the contamination detection step. Characterized in that.
제18항에 관련된 발명은, 제10항 내지 제17항의 어느 한 항에 기재된 기판세정방법으로서, 기판은 원형기판이고, 상기 상대이동공정에서는, 기판을 중심축 주위로 회전시킴으로써 기판의 엣지부와 상기 맞댐부재를 상대이동시키는 것을 특징으로 한다.The invention according to claim 18 is the substrate cleaning method according to any one of
제1항 또는 제10항에 기재된 발명에 따르면, 0.3MPa 이상이면서 2.7MPa 이하 의 압축탄성률을 가지는 탄성재료로 구성된 맞댐부재를 기판의 엣지부에 맞닿게 함으로써 엣지부에 부착된 이물을 제거한다. 이 때문에, 기판의 엣지부를 연마하지 않고 엣지부에 강고하게 부착된 금속막이나 슬러리 등의 이물을 양호하게 제거할 수 있다.According to the invention of
특히, 제2항 또는 제11항에 기재된 발명에 따르면, 실리카를 혼입시킨 탄성재료로 구성된 맞댐부재를 기판의 엣지부에 맞닿게 함으로써 엣지부에 부착된 이물을 제거한다. 이 때문에, 기판의 엣지부에 부착된 이물을 더 양호하게 제거할 수 있다.In particular, according to the invention as set forth in
특히, 제3항 또는 제12항에 기재된 발명에 따르면, 린스액으로서 순수를 공급한다. 이 때문에, 린스액을 제거하기 위한 2차세정을 행할 필요가 없다.In particular, according to the invention according to
특히, 제4항 또는 제13항에 기재된 발명에 따르면, 비(非)세정시에 맞댐부재를 액체 중에 침지한 상태로 대기시킨다. 이 때문에, 맞댐부재는, 소정의 압축탄성률을 유지할 수 있다.In particular, according to the invention as set forth in claim 4 or 13, the non-washing member is made to stand in the state of being immersed in the liquid. For this reason, the butt member can maintain a predetermined compressive modulus.
특히, 제5항 또는 제14항에 기재된 발명에 따르면, 복수의 상기 맞댐부재를 각각 기판의 엣지부의 다른 영역에 맞닿게 한다. 이 때문에, 기판의 엣지부의 복수의 영역에 부착된 이물을 각각 효율적으로 제거할 수 있다.In particular, according to the invention as set forth in claim 5 or 14, a plurality of said butting members are made to abut each other area | region of the edge part of a board | substrate. For this reason, the foreign material adhering to the some area | region of the edge part of a board | substrate can each remove efficiently.
특히, 제6항 또는 제15항에 기재된 발명에 따르면, 기판의 엣지부의 한 쪽의 경사면, 머리부 및 다른 쪽의 경사면에 부착된 이물을, 각각 효율적으로 제거할 수 있다.In particular, according to the invention according to claim 6 or 15, foreign matter adhering to one inclined surface, the head portion and the other inclined surface of the edge portion of the substrate can be efficiently removed, respectively.
특히, 제7항 또는 제16항에 기재된 발명에 따르면, 맞댐부재의 맞댐면을 촬 영하여, 취득된 화상 데이타에 근거해서 맞댐부재에 부착된 오염부를 검출한다. 이 때문에, 맞댐부재 상의 오염부를 정보로서 인식할 수 있다.In particular, according to the invention as claimed in claim 7 or 16, the butt face of the butt member is photographed to detect a contaminant attached to the butt member based on the acquired image data. For this reason, the contamination part on the butt | matching member can be recognized as information.
특히, 제8항 또는 제17항에 기재된 발명에 따르면, 맞댐부재의 오염의 정도에 따라, 기판의 엣지부에 대한 맞댐부재의 맞댐위치를 변경한다. 이 때문에, 맞댐부재를 교환하지 않고, 맞댐부재로부터 기판으로의 이물의 재부착을 방지할 수 있다.In particular, according to the invention described in claim 8 or 17, the butt position of the butt member relative to the edge portion of the substrate is changed in accordance with the degree of contamination of the butt member. For this reason, the reattachment of the foreign material from the butt member to the board | substrate can be prevented, without replacing the butt member.
특히, 제9항 또는 제18항에 기재된 발명에 따르면, 원형기판을 중심축주위로 회전시킴으로써 기판의 엣지부와 맞댐부재를 상대이동시킨다. 이 때문에, 기판의 엣지부와 맞댐부재를 용이하게 상대이동시킬 수 있다.In particular, according to the invention as set forth in claim 9 or 18, the edge portion of the substrate and the butting member are moved relative to each other by rotating the circular substrate around the central axis. For this reason, the edge part of a board | substrate and abutting member can be moved relatively easily.
이하, 본 발명의 적합한 실시형태에 대해서, 도면을 참조하면서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiment of this invention is described, referring drawings.
<1. 제1실시형태><1. First embodiment>
도 1은, 본 발명의 제1실시형태에 관련된 기판세정장치(1)의 상면도이다. 또한, 도 2는, 기판세정장치(1)를 도 1의 II-II선으로 절단한 종단면도이다. 이 기판세정장치(1)는, 원판형상의 기판(W)의 엣지부(변연부)(E)를 세정함으로써, 엣지부(E)에 부착된 금속막이나 슬러리 등의 이물을 제거하기 위한 장치이다. 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 기판세정장치(1)는, 주로, 기판파지회전부(10)와, 순수공급부(20)와, 엣지맞댐기구(30)와, 제어부(40)를 구비하고 있다.1 is a top view of the
기판파지회전부(10)는, 기판(W)을 수평자세로 파지하면서 기판(W)의 주면에 수직한 축을 중심으로 해서 기판(W)을 회전시키기 위한 기구이다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 기판파지회전부(10)는, 기판(W)을 하면측에서 지지하기 위한 지지부(支持部)(11)와, 지지부(11)를 회전시키기 위한 회전구동기구(12)를 가지고 있다. 지지부(11)는, 소정의 흡인압(吸引壓)으로 기판(W)의 하면에 흡착하면서, 기판(W)을 수평자세로 고정 파지한다. 회전구동기구(12)는, 모터 등의 구동원을 가지고 있으며, 지지부(11) 및 지지부(11) 상에 지지된 기판(W)을 일체로서 회전시킨다. 기판(W)은, 그 중심을 통과하는 연직축의 주위로 회전하기 때문에, 회전 중의 기판(W)의 엣지부(E)는 거의 동일한 궤적을 지나간다. 본 실시형태에서는, 지지부(11) 및 회전구동기구(12)가, 본 발명의 「상대이동수단」으로서 기능하고 있다.The substrate
순수공급부(20)는, 기판(W)의 상면(주면)에 린스액으로서의 순수를 공급하기 위한 기구이다. 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 순수공급부(20)는, 기판파지회전부(10)의 지지부(11)의 위쪽에 배치된 토출노즐(21)을 가지고 있다. 또한, 도 2에 나타낸 바와 같이, 토출노즐(21)은, 순수공급라인(22)을 통하여 순수공급원(23)과 접속되어 있으며, 순수공급라인(22)의 경로 도중에는, 개폐밸브(24)가 장착되어 있다. 이 때문에, 개폐밸브(24)를 개방하면, 순수공급원(23)으로부터 순수공급라인(22)을 통하여 토출노즐(21)에 순수가 공급되어, 토출노즐(21)로부터 기판(W)의 상면을 향해서 순수가 토출된다. 토출노즐(21)은, 기판(W)의 거의 회전중심을 향해서 순수를 토출한다. 이 때문에, 기판(W)을 회전시키면서 순수를 토출하면, 토출된 순수는, 기판(W)의 회전중심으로부터 기판(W)의 상면 전체로 퍼지면서 기판(W)의 엣지부(E)까지 공급된다.The pure
엣지맞댐기구(30)는, 기판(W)의 엣지부(E)에 대하여 맞댐부재(32)를 맞닿게 하기 위한 기구이다. 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 엣지맞댐기구(30)는, 선회암(31)과, 선회암(31)의 선단에 설치된 맞댐부재(32)와, 선회암(31)을 선회 및 승강(昇降)시키기 위한 구동기구(33)와, 맞댐부재(32)를 대기시키기 위한 대기부(34)를 가지고 있다. 선회암(31)은, 자유단측의 선단부가 아래쪽으로 굴곡된 대략 L자형의 강성부재(剛性部材)이며, 그 아래쪽으로 굴곡한 선단부의 기판(W)측의 면에 맞댐부재(32)가 설치되어 있다. 또한, 선회암(31)의 선회 중심측의 단부에는, 구동기구(33)가 접속되어 있다. 구동기구(33)는, 모터 등을 이용한 공지된 여러가지 기구에 의해 실현된다. 구동기구(33)를 동작시키면, 선회암(31)은 연직축 주위로 선회하고, 선회암(31)의 선단부에 설치된 맞댐부재(32)는, 기판(W)의 엣지부(E)에 맞닿는 맞댐위치(도 1 중의 실선위치)와 기판(W)의 엣지부(E)로부터 이간한 대기위치(도 1 중의 가상선위치) 사이에서 진퇴 이동한다. 그리고, 선회암(31)은, 맞댐부재(32)를 기판(W)의 엣지부(E)와 대향하는 면에 파지한다. 그래서, 맞댐위치에서는, 선회암(31)과 기판(W)의 엣지부(E)가 맞댐부재(32)를 사이에 둔다. 이 때문에, 맞댐부재(32)는, 기판(W)의 엣지부(E)에 양호하게 맞닿는다. The
맞댐부재(32)는, 폴리비닐아세탈이나 폴리우레탄(PU)등의 수지, 또는 그들의 다공질체에, 페놀수지, 멜라민수지, 에폭시수지, 우레탄수지 등의 열경화성수지와 후술하는 실리카를 혼합 또는 함침(含浸)시킴으로써, 그 압축탄성률이 조정된 탄성재료를, 직사각형의 패드형상으로 형성한 것이다. 여기에서, 폴리비닐아세탈은, 폴리비닐알콜(PVA)의 수용성수지에 알데히드류를 반응시킴으로써 생성된다. 구체적으로는, 충분히 흡수(吸水)시킨 상태에서 0.3MPa 이상이면서 2.7MPa 이하의 압축탄성 률을 가지는 탄성재료가 사용되고 있다. 압축탄성률의 측정 방법에는 여러가지 방법이 있지만, 예를 들면 JISK7181(대응국제규격:ISO604)에 규정된 시험방법에 의해 상기의 값을 나타내는 것이면 좋다. 맞댐부재(32)는, 이러한 압축탄성률을 가지는 탄성재료로 구성되어 있기 때문에, 기판(W)의 엣지부(E)를 연마하지 않고 엣지부(E)에 강고하게 부착된 이물을 양호하게 제거하는 기능을 가진다. 한편, 맞댐부재(32)의 형상은, 판형상의 패드 형상이면 직사각형으로 한정되는 것이 아니고, 원주(圓柱)형상이라도 좋다.The
후술하는 실시예의 결과로부터도 알 수 있는 바와 같이, 맞댐부재(32)를 구성하는 탄성재료의 압축탄성률이 0.3MPa보다 지나치게 낮으면, 맞댐부재(32)의 이물에 대한 제거능력이 현저하게 저하하게 된다. 또한, 맞댐부재(32)를 구성하는 탄성재료의 압축탄성률이 2.7MPa보다 지나치게 높으면, 맞댐부재(32)는, 회전하는 기판(W)의 엣지부(E)로 튕겨져서, 엣지부(E)에 연속해서 맞닿는 것이 곤란해진다. 이 때문에, 기판(W)의 엣지부(E)에 연속해서 맞닿으면서 엣지부(E)의 이물을 양호하게 제거하기 위해서는, 적당한 압축탄성률이 필요하게 된다. 구체적으로는, 탄성재료의 압축탄성률은, 충분히 흡수한 상태에서, 상기한 바와 같이 0.3MPa 이상이면서 2.7MPa 이하인 것이 바람직하고, 또한, 1.3MPa이면 더 바람직하다.As can be seen from the results of the embodiments described below, when the compressive modulus of elastic materials constituting the butting
또한, 맞댐부재(32)를 구성하는 탄성재료는, 양호한 흡수성(吸水性)을 얻기 위해서, 그 기공률이 25체적% 이상이면서 90체적% 이하인 것이 바람직하고, 50체적%이상이면서 85체적%이하이면 더 바람직하다. 기공률이 25체적%보다 낮으면 흡수성이 나쁘고, 기공률이 90체적%를 초과하면 탄성재료의 강도가 저하해서 사용 시 견딜 수 없게 된다. 또한, 맞댐부재(32)를 구성하는 탄성재료는, 기판(W)과의 슬라이딩에 대한 양호한 이물의 제거능력을 얻기 위해서, 그 인장파괴변형이 3%이상이면서 300%이하인 것이 바람직하다. 인장파괴변형이 3%보다 낮다면 탄성재료 기계강도가 저하해서 사용을 견딜 수 없게 되고, 인장파괴변형이 400%를 초과하면 적정한 제거능력을 얻을 수 없다. In order to obtain good water absorption, the elastic material constituting the butting
맞댐부재(32)를 구성하는 탄성재료 중에는, 지립으로서 실리카(예를 들면, 흄드실리카나 콜로이달실리카)의 입자가 혼입되어 있다. 이 때문에, 맞댐부재(32)는, 기판(W)의 엣지부(E)와 슬라이딩접촉함으로써, 엣지부(E)에 강고하게 부착된 이물을 양호하게 박리할 수 있다. 본 실시형태에서는, 이물에 대한 적당한 박리능력을 발휘하면서, 기판(W)의 엣지부(E) 자체를 연마해버리지 않도록, 평균 입경이 1μm이상이면서 10μm이하의 지립을 사용하고 있다. 여기에서, 실리카의 평균 입경이 1μm보다 작으면 이물에 대한 제거능력이 저하해버리고, 평균 입경이 10μm보다 크다면 기판 자체를 연마해서 상처를 내게 된다.In the elastic material constituting the butting
이러한 탄성재료는, 예를 들면, 폴리비닐알콜의 수용액에, 기공형성재(氣孔形成材)로서의 전분(澱粉)과, 지립으로서의 실리카와, 아세탈화제로서의 알데히드류를 혼합·교반(攪拌)하고, 산을 첨가해서 반응시킨 후, 수세, 건조 및 열처리를 행함으로써 폴리비닐아세탈 다공질체로서 형성할 수 있다. 또한, 주제(主劑)으로서의 폴리올, 가교제로서의 이소시아네이트, 발포제(發泡劑) 및 경화촉매(硬化觸媒)를 혼합해서 금형 내에서 반응 경화시킴으로써 폴리우레탄 다공질체로서 제작해도 좋다. 또한, 이들의 다공질체에 대해서 열경화성수지를 반응전에 혼합 혹은 반응후 의 다공질체에 함침해서 제작해도 좋다. 단, 본 발명에서 사용되는 탄성재료는, 이러한 제조방법에 의해 형성된 것에 한정되는 것이 아니다.Such an elastic material is, for example, mixed and stirred with an aqueous solution of polyvinyl alcohol, starch as a pore forming material, silica as an abrasive grain, and aldehydes as an acetalizing agent, After adding and reacting an acid, it can be formed as a polyvinyl acetal porous body by washing with water, drying and heat treatment. Moreover, you may produce as a polyurethane porous body by mixing polyol as a main material, isocyanate as a crosslinking agent, a foaming agent, and a curing catalyst, and reaction-hardening in a metal mold | die. In addition, these porous bodies may be prepared by impregnating the thermosetting resin with the porous body after mixing or after the reaction. However, the elastic material used by this invention is not limited to what was formed by such a manufacturing method.
도 3은, 선회암(31)을 기판(W)측으로 선회시켜, 기판(W)의 엣지부(E)에 맞댐부재(32)를 맞닿게 할 때의 상태를 나타낸 확대 종단면도이다. 맞댐부재(32)는 탄성재료로 구성되어 있기 때문에, 맞댐부재(32)의 평탄한 상대면 (맞댐면)이 기판(W)의 엣지부(E)에 맞닿으면, 맞댐부재(32)의 맞댐면은, 어느 정도의 깊이까지 엣지부(E)로 밀어넣어져서, 엣지부(E)의 표면을 따라 변형한다. 이것에 의해, 맞댐부재32은, 엣지부(E)의 머리부(에이펙스부)뿐만 아니라, 상하에 형성된 경사면(베벨부)에도 맞닿게 된다. 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 엣지부(E)에 맞댐부재(32)를 맞닿게 하면, 맞댐부재(32)는 엣지부(E)의 머리부 및 경사면에 슬라이딩접촉하여, 엣지부(E)의 머리부 및 경사면에 부착된 이물을 박리한다.3 is an enlarged longitudinal cross-sectional view showing a state when the pivoting
도 1 및 도 2로 돌아가서, 대기부(34)는, 비세정시에 맞댐부재(32)를 대기시켜 두기 위한 부위이다. 대기부(34)는, 선회암(31)의 선단부를 수용할 수 있는 정도의 내경(內徑)을 가지는 저류조(貯留槽)(34a)를 가지고 있으며, 저류조(34a)의 내부에는 순수가 저류되어 있다. 도 4는, 대기부(34) 부근을 도 1의 IV-IV선으로 절단한 종단면도이다. 선회암(31)을 저류조(34a)의 상부까지 선회시킨 상태에서, 구동기구(33)에 의해 선회암(31)을 하강시키면, 도 4에 나타낸 바와 같이, 선회암(31)의 선단부 및 선단부에 설치된 맞댐부재(32)는, 저류조(34a)의 내부의 순수중에 침지된다. 맞댐부재(32)는, 비세정시에는, 이렇게 순수 중에 침지된 상태로 대기하고, 순수를 충분히 흡수함으로써, 탄성재료의 압축탄성률을 소정의 값으로 유지한다.Returning to FIG. 1 and FIG. 2, the waiting
제어부(40)는, 기판세정장치(1) 안의 각 부(部)의 동작을 제어하기 위한 컴퓨터장치이다. 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 제어부(40)는, 상기한 회전구동기구(12), 개폐밸브(24) 및 구동기구(33)와 전기적으로 접속되어 있다. 제어부(40)는, 소정의 컴퓨터 프로그램을 따라서 상기의 회전구동기구(12), 개폐밸브(24), 구동기구(33) 등의 동작을 제어함으로써, 기판(W)의 세정처리를 진행시킨다.The
계속해서, 이러한 기판세정장치(1)에 있어서의 세정처리의 흐름에 대해서, 도 5의 플로우챠트를 참조하면서 설명한다. 이 기판세정장치(1)에 있어서 세정처리를 행할 때에는, 우선, CMP처리 후의 기판(W), 도금배선 공정후의 기판(W), 혹은, 보호막형성의 CVD 직전의 기판(W)을 도면 외의 반송 로보트에 의해 반송하고, 기판파지회전부(10)의 지지부(11) 상에 기판(W)을 재치하여, 지지부(11)의 표면에 기판(W)을 흡착 파지시킨다. 그리고, 회전구동기구(12)를 동작시킴으로써, 기판(W)을 연직축 주위로 회전시킨다(스텝S11). 후단의 스텝S13에 있어서 맞댐부재(32)를 튕겨버리지 않고 이물을 양호하게 제거하기 위해서, 제어부(40)는, 기판(W)의 회전수가 소정의 범위내로 되도록 회전구동기구(12)를 제어한다. 예를 들면, 처리대상이 되는 기판(W)의 지름이 200mm정도일 경우에는, 기판(W)의 회전수를 50rpm 이상이면서 200rpm 이하로 하는 것이 바람직하다.Subsequently, the flow of the cleaning process in the
다음으로, 기판세정장치(1)는, 개폐밸브(24)를 개방하여, 순수공급부(20)의 토출노즐(21)로부터 기판(W)의 상면을 향해서 순수를 토출한다(스텝S12). 기판(W)의 상면에 토출된 순수는, 기판(W)의 회전중심으로부터 기판(W)의 상면 전체에 퍼 지면서 기판(W)의 엣지부(E)까지 공급되어, 기판(W)의 엣지부(E)의 표면을 따라 액류(液流)를 형성한 후, 엣지부(E)의 아래쪽으로 낙하한다.Next, the
한편, 맞댐부재(32)는, 저류조(34a)에 저류된 순수중에 침지된 상태로 대기하고 있다(대기공정). 기판(W)의 엣지부(E)까지 순수가 퍼지면, 기판세정장치(1)는, 구동기구(33)를 동작시킴으로써 선회암(31)을 상승시키고, 저류조(34a)에 저류된 순수 속에서 맞댐부재(32)를 끌어올림으로써 대기공정으로부터 맞댐공정으로 이행한다. 그리고, 기판세정장치(1)는, 선회암(31)을 선회시킴으로써, 기판(W)의 엣지부(E)에 맞댐부재(32)를 맞닿게 하는 맞댐공정을 행한다(스텝S13). 맞댐부재(32)는, 회전하는 기판(W)의 엣지부(E)에 맞닿음으로써, 어느 정도(예를 들면 0.5mm정도)의 깊이까지 밀어넣어 변형한다. 그리고, 맞댐부재(32)는, 엣지부(E)의 머리부 및 경사부와 슬라이딩접촉함으로써, 엣지부(E)에 부착된 이물을 박리한다. 즉, 맞댐부재(32)와 엣지부(E)와의 슬라이딩접촉이 본 발명의 상대이동공정에 상당한다. 엣지부(E)로부터 박리된 이물은, 엣지부(E)의 표면을 흐르는 순수와 함께 흐르게 하여, 즉시 엣지부(E)로부터 제거된다. 이 때문에, 일단 박리한 이물이 기판(W)에 재부착하지 않는다.On the other hand, the butting
소정 시간의 맞댐처리가 종료하면, 기판세정장치(1)는, 구동기구(33)를 동작시킴으로써 선회암(31)을 대기부(34)측으로 선회시켜, 맞댐부재(32)를 기판(W)의 엣지부(E)로부터 분리한다(스텝S14). 그리고, 대기위치에서 선회암(31)을 하강시킴으로써, 저류조(34a)에 저류된 순수 중에 맞댐부재(32)를 침지시키는 대기공정으로 진행된다. 맞댐부재(32)는, 저류조(34a)의 내부에서 순수를 흡수함으로써 그 탄성 률을 회복하면서, 다음 번의 세정처리에 대비해서 대기한다.When the abutment processing for a predetermined time is completed, the
그 후, 기판세정장치(1)는, 개폐밸브(24)를 폐쇄하고, 토출노즐(21)로부터 기판(W)으로의 순수의 공급을 정지한다(스텝S15). 그리고, 기판세정장치(1)는, 회전구동기구(12)의 회전수를 상승시킴으로써, 기판(W)을 고속회전시켜, 기판(W)의 상면에 잔존하는 순수를 떨쳐내서 제거한다. 즉, 기판(W)에 대하여 스핀 건조를 행한다(스텝S16). 소정 시간의 스핀 건조가 완료하면, 기판세정장치(1)는, 회전구동기구(12)를 정지시킴으로써 기판(W)의 회전을 정지시켜(스텝S17), 1장의 기판(W)에 대한 세정처리를 종료하고, 기판세정공정을 완료시킨다. 여기서 토출노즐(21)로부터의 순수의 토출을 정지하는 타이밍은, 맞댐부재(32)가 대기위치에 이른 후에 시간을 두지않고 행하고 있지만, 맞댐부재(32)의 엣지부(E)로부터의 분리와 동시에 정지해도 좋다.Subsequently, the
상기한 바와 같이, 본 실시형태의 기판세정장치(1)는, 0.3MPa 이상이면서 2.7MPa 이하의 압축탄성률을 가지는 탄성재료로 구성된 맞댐부재(32)를, 기판(W)의 엣지부(E)에 맞닿게 함으로써 엣지부(E)에 부착된 이물을 제거한다. 이 때문에, 기판(W)의 엣지부를 연마하지 않고 엣지부(E)에 강고하게 부착된 금속막이나 슬러리 등의 이물을 양호하게 제거할 수 있다. 또한, 맞댐부재(32)를 구성하는 탄성재료의 중에는, 지립으로서의 실리카가 혼입되어 있기 때문에, 엣지부(E)에 강고하게 부착된 이물을 양호하게 박리해서 제거할 수 있다.As mentioned above, the board |
본 실시형태의 기판세정장치(1)는, 기판(W)의 엣지부(E)를 연마하는 것이 아니기 때문에, 세정중에 연마가루 등의 새로운 파티클이 발생할 우려는 없다. 또한, 본 실시형태에서는, 린스액으로서 순수가 사용되고 있다. 따라서, 연마가루이나 린스액을 제거하기 위한 2차세정을 행할 필요 없이, 기판세정공정을 단축할 수 있다.Since the
<2.실시예><Example 2.
도 6은, 상기의 기판세정장치(1)에 있어서, 맞댐부재(32)를 구성하는 탄성재료의 압축탄성률을 변화시켜서, 각각의 압축탄성률에 있어서의 이물의 제거능력을 조사한 결과를 나타낸 도면이다. 단, 압축탄성률이 0.01MPa의 경우만, 도 13에 나타낸 종래의 기판세정장치에 의한 세정처리의 결과가 나타나 있다. 압축탄성률이 0.3∼130MPa의 탄성재료의 주성분은 폴리우레탄(폴리우레탄 다공질체)으로 하고, 압축탄성률이 0.01MPa인 수지(도 13의 브러시(220)의 구성재료)의 주성분은 폴리비닐알콜로 하였다. 한편, 조사에는 지름 200mm의 기판(W)을 사용하여, CVD(chemical vapor deposition)에 의해 기판(W)의 엣지부(E)에 형성된 텅스텐 막을 제거대상이물로 하였다. 또한, 기판(W)의 회전수는 100rpm으로 했다.FIG. 6 is a diagram showing the results of investigating the removal ability of foreign matter in each compressive modulus by changing the compressive modulus of the elastic material constituting the
본 조사에서는, 도 6에 나타낸 바와 같이, 충분히 흡수시킨 상태로 0.3∼2.7MPa의 압축탄성률을 가지는 탄성재료를 사용했을 때에, 텅스텐 막의 양호한 제거효과를 확인할 수 있었다. 따라서, 적어도 0.3∼2.7MPa의 압축탄성률에서, 기판(W)의 엣지부(E)를 연마하지 않고 엣지부(E)로부터 텅스텐 막을 제거한다고 하는 종래 얻을 수 없었던 효과가 얻어지는 것을 알았다. 또한, 텅스텐 막에 대한 제거능력은, 1.3MPa 부근에서 가장 향상하는 것을 알았다.In this investigation, as shown in Fig. 6, when an elastic material having a compressive modulus of 0.3 to 2.7 MPa was used in a sufficiently absorbed state, a good removal effect of the tungsten film was confirmed. Accordingly, it has been found that, at a compression modulus of at least 0.3 to 2.7 MPa, a conventionally unattained effect of removing the tungsten film from the edge portion E without polishing the edge portion E of the substrate W is obtained. In addition, the removal ability with respect to the tungsten film was found to improve most in the vicinity of 1.3 MPa.
<3. 제2실시형태><3. Second Embodiment>
도 7은, 본 발명의 제2실시형태에 관련된 기판세정장치(2)의 상면도이다. 또한, 도 8은, 기판세정장치(2)를 도 7의 VIII-VIII선으로 절단한 종단면도이다. 본 실시형태의 기판세정장치(2)는, 엣지맞댐기구(30)를 대신해서 제1맞댐기구(51), 제2맞댐기구(52) 및 제3맞댐기구(53)가 설치되어 있는 점을 제외하고, 제1실시형태의 기판세정장치(1)와 동등한 구성을 가진다. 이 때문에, 이하에서는 제1맞댐기구(51), 제2맞댐기구(52) 및 제3맞댐기구(53)의 구성을 중심으로 설명하고, 다른 부분에 대해서는 도 7, 도 8 중에 도 1, 도 2와 동일한 부호를 붙여서 중복 설명을 생략한다.7 is a top view of the
제1맞댐기구(51)는, 제1실시형태의 맞댐부재(32)와 동등한 탄성재료로 구성된 제1맞댐부재(51a)를 가지고 있다. 제1맞댐부재(51a)는 제1암(51b)의 선단부에 설치되어 있으며, 제1암(51b)의 타단부에는 제1구동기구(51c)가 접속되어 있다. 이 때문에, 제1구동기구(51c)를 동작시키면, 제1암(51b)이 진퇴 이동하여, 제1암(51b)의 선단부에 설치된 제1맞댐부재(51a)가 기판(W)의 엣지부(E)에 대하여 맞댐 및 이간(離間)한다. 도 7 및 도 8에 나타낸 바와 같이, 제1맞댐부재(51a)는, 기판(W)과의 맞댐면이 수평방향보다도 다소 아래쪽을 향하는 각도, 본 실시예에서는 구체적으로 기판(W)의 주면과 이루는 각도가 45도로 되도록 경사 배치되어 있다. 이 때문에, 제1맞댐부재(51a)는, 기판(W)의 엣지부(E) 중, 주로 위쪽의 경사면(상베벨면)에 대하여 맞닿는다.The first engaging
제2맞댐기구(52)는, 제1실시형태의 맞댐부재(32)와 동등한 탄성재료로 구성된 제2맞댐부재(52a)를 가지고 있다. 제2맞댐부재(52a)는 제2암(52b)의 선단부에 설치되어 있으며, 제2암(52b)의 타단부에는 제2구동기구(52c)이 접속되어 있다. 이 때문에, 제2구동기구(52c)를 동작시키면, 제2암(52b)이 진퇴 이동하여, 제2암(52b)의 선단부에 설치된 제2맞댐부재(52a)가 기판(W)의 엣지부(E)에 대하여 맞댐 및 이간한다. 도 7에 나타낸 바와 같이, 제2맞댐부재(52a)는, 기판(W)과의 맞댐면이 수평방향을 향하도록 직립 배치되어 있다. 이 때문에, 제2맞댐부재(52a)는, 기판(W)의 엣지부(E) 중, 주로 머리부(에이펙스부)에 대하여 맞닿는다.The second engagement mechanism 52 has a
또한, 제3맞댐기구(53)는, 제1실시형태의 맞댐부재(32)와 동등한 탄성재료로 구성된 제3맞댐부재(53a)를 가지고 있다. 제3맞댐부재(53a)는 제3암(53b)의 선단부에 설치되어 있으며, 제3암(53b)의 타단부에는 제3구동기구(53c)가 접속되어 있다. 이 때문에, 제3구동기구(53c)를 동작시키면, 제3암(53b)이 진퇴 이동하고, 제3암(53b)의 선단부에 설치된 제3맞댐부재(53a)가 기판(W)의 엣지부(E)에 대하여 맞댐 및 이간한다. 도 7 및 도 8에 나타낸 바와 같이, 제3맞댐부재(53a)는, 기판(W)과의 맞댐면이 수평방향보다 다소 위쪽을 향하는 각도, 본 실시예에서는 구체적으로 기판(W)의 이면과 이루는 각도가 45도로 경사 배치되어 있다. 이 때문에, 제3맞댐부재(53a)는, 기판(W)의 엣지부(E) 중, 주로 아래쪽의 경사면(하베벨면)에 대하여 맞닿는다. Moreover, the
도 9는, 이러한 기판세정장치(2)에 있어서의 세정처리의 흐름을 나타낸 플로우챠트이다. 기판세정장치(2)에 있어서 세정처리를 행할 때에는, 우선, 상기의 제1실시형태와 같이, 기판(W)을 지지부(11)상에 재치해서 회전시켜(스텝S21), 순수공급부(20)의 토출노즐(21)로부터 기판(W)의 상면을 향해서 순수를 토출한다(스텝 S22). 기판(W)의 엣지부(E)까지 순수가 퍼지면, 기판세정장치(2)는, 우선, 제1암(51b)을 전진시켜, 제1맞댐부재(51a)를 기판(W)의 엣지부(E)에 맞닿게 한다(스텝S23). 이로써, 기판(W)의 엣지부(E) 중, 주로 위쪽의 경사면에 부착된 이물이 박리 제거된다. 그리고, 소정 시간의 맞댐처리가 종료하면, 기판세정장치(2)는, 제1암(51b)을 후퇴시켜, 제1맞댐부재(51a)를 기판(W)의 엣지부(E)로부터 분리한다(스텝S24).9 is a flowchart showing the flow of the cleaning process in the
계속해서, 기판세정장치(2)는, 제2암(52b)을 전진시켜, 제2맞댐부재(52a)를 기판(W)의 엣지부(E)와 맞닿게 한다(스텝S25). 이로써, 기판(W)의 엣지부(E) 중, 주로 정부에 부착된 이물이 박리 제거된다. 그리고, 소정 시간의 맞댐처리가 종료하면, 기판세정장치(2)는, 제2암(52b)을 후퇴시켜, 제2맞댐부재(52a)를 기판(W)의 엣지부(E)로부터 분리한다(스텝S26). 또한, 기판세정장치(2)는, 제3암(53b)을 전진시켜, 제3맞댐부재(53a)를 기판(W)의 엣지부(E)에 맞닿게 한다(스텝S27). 이로써, 기판(W)의 엣지부(E) 중, 주로 아래쪽의 경사면에 부착된 이물이 박리 제거된다. 그리고, 소정 시간의 맞댐처리가 종료하면, 기판세정장치(2)는, 제3암(53b)을 후퇴시켜, 제3맞댐부재(53a)를 기판(W)의 엣지부(E)로부터 분리한다(스텝S28).Subsequently, the
그 후, 기판세정장치(2)는, 상기의 제1실시형태와 같이, 토출노즐(21)로부터의 순수의 토출을 정지하고(스텝S29), 스핀 건조를 행한 후(스텝S30), 기판(W)의 회전을 정지시켜서(스텝S31), 1장의 기판(W)에 대한 세정처리를 종료한다.Subsequently, the
본 실시형태의 기판세정장치(2)도, 제1실시형태의 기판세정장치(1)와 같이, 0.3MPa 이상이면서 2.7MPa 이하의 압축탄성률을 가지는 탄성재료로 구성된 맞댐부 재(51a, 52a, 53a)를, 기판(W)의 엣지부(E)에 맞닿게 함으로써 엣지부(E)에 부착된 이물을 제거한다. 이 때문에, 기판(W)의 엣지부를 연마하지 않고 엣지부(E)에 강고하게 부착된 금속막이나 슬러리 등의 이물을 양호하게 제거할 수 있다. 또한, 맞댐부재(51a, 52a, 53a)를 구성하는 탄성재료 중에는, 지립으로서의 실리카가 혼입되어 있기 때문에, 엣지부(E)에 강고하게 부착된 이물을 양호하게 박리하면서 제거할 수 있다. Like the
특히, 본 실시형태의 기판세정장치(2)는, 3개의 맞댐부재(51a, 52a, 53a)를 각각 다른 영역에 맞댐시켜, 각 영역에 부착된 이물을 각 맞댐부재(51a, 52a, 53a)에 의해 박리 제거한다. 이 때문에, 복수의 영역에 부착된 이물을 각각 효율적으로 제거할 수 있다. 또한, 본 실시형태의 기판세정장치(2)는, 3개의 맞댐부재(51a, 52a, 53a)를 한개씩 순서대로 맞닿게 한다. 이 때문에, 기판(W)에 대하여 2방향으로부터의 압압력이 가해지지 않고, 기판(W)의 파손을 방지할 수 있다.In particular, the
<4. 제3실시형태><4. Third Embodiment>
도 10은, 본 발명의 제3실시형태에 관련된 기판세정장치(3)의 상면도이다. 본 실시형태의 기판세정장치(3)는, 카메라(60)가 추가되어 있는 것과, 엣지맞댐기구(30)의 선회암(31)이 다단계로 승강가능한 것을 제외하고, 상기 제1실시형태의 기판세정장치(1)와 동등한 구성을 가진다. 이 때문에, 이하에서는 엣지맞댐기구(30) 및 카메라(60)의 구성을 중심으로 설명하고, 다른 부분에 대해서는 도 10 중에 도 1과 동일한 부호를 붙이고 중복 설명을 생략한다.10 is a top view of the
기판세정장치(3)의 카메라(60)는, 기판(W)과 거의 동일한 높이로 배치되고, 그 촬영방향은 저류조(34a)의 위쪽을 향하고 있다. 이 때문에, 카메라(60)는, 대기부(34)측으로 선회암(31)이 선회했을 때에, 저류조(34a)의 위쪽에 배치된 맞댐부재(32)의 맞댐면을 촬영할 수 있다. 또한, 카메라(60)는, 제어부(40)와 전기적으로 접속되어 있으며, 촬영에 의해 취득된 화상 데이타를 제어부(40)로 송신할 수 있다.한편, 엣지맞댐기구(30)의 구동기구(33)는, 선회암(31)을 다단계로 승강시킬수 있다. 이 때문에, 선회암(31)은, 기판(W)의 엣지부(E)에 대한 맞댐부재(32)의 높이 위치를 조절할 수 있다.The
이 기판세정장치(3)는, 제1실시형태의 기판세정장치(1)와 같이, 도 5의 플로우챠트에 따라서 세정처리를 행하지만, 세정처리를 되풀이하면, 도 11에 나타낸 바와 같이, 맞댐부재(32)의 맞댐면에는 이물에 의한 오염부(32a)가 부착된다. 그러면, 기판세정장치(3)는, 비세정처리시에 맞댐부재(32)의 맞댐면을 카메라(60)로 촬영하고, 이 촬영공정에서 촬영한 화상 데이타를 제어부(40)에서 해석해서 오염물 검출을 한다. 그리고, 화상 데이타 내의 오염부(32a) 부분의 농도가 소정의 역치 이상으로 되면 오염부검출공정의 검출결과로서, 다음 번의 세정처리시에는 선회암(31)의 높이를 변경하여, 기판(W)의 엣지부(E)에 대한 맞댐부재(32)의 맞댐위치를 변경한다.The
본 실시형태의 기판세정장치(3)도, 제1실시형태의 기판세정장치(1)와 같이, 0.3MPa 이상이면서 2.7MPa 이하의 압축탄성률을 가지는 탄성재료로 구성된 맞댐부재(32)를, 기판(W)의 엣지부(E)에 맞닿게 함으로써 엣지부(E)에 부착된 이물을 제거한다. 이 때문에, 기판(W)의 엣지부를 연마하지 않고 엣지부(E)에 강고하게 부착 된 금속막이나 슬러리 등의 이물을 양호하게 제거할 수 있다. 또한, 맞댐부재(32)를 구성하는 탄성재료의 중에는, 지립으로서의 실리카가 혼입되어 있기 때문에, 엣지부(E)에 강고하게 부착된 이물을 양호하게 박리하면서 제거할 수 있다.The
특히, 본 실시형태의 기판세정장치(3)는, 카메라(60)에 의해 맞댐부재(32)를 촬영하여, 촬영에 의해 취득된 화상 데이타에 근거해서 맞댐부재(32) 상의 오염부(32a)를 검출한다. 이 때문에, 맞댐부재(32)위의 오염부를 정보로서 인식할 수 있다. 또한, 기판세정장치(3)는, 검출된 오염부(32a)의 정도가 심해지면, 기판(W)의 엣지부(E)에 대한 맞댐부재(32)의 맞댐위치를 변경한다. 이 때문에, 맞댐부재(32)를 교환하지 않고, 맞댐부재(32)로부터 기판(W)으로의 이물의 재부착을 방지할 수 있다.In particular, the
<5.변형예><5. Variation>
이상, 본 발명의 주된 실시형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 상기한 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 예를 들면, 상기의 제1실시형태∼제3실시형태에서는, 모두 기판(W)을 1방향으로만 회전시키고 있었지만, 소정 시간의 정전(正轉) 및 역전(逆轉)을 되풀이하도록 회전구동기구(12)를 제어해도 좋다. 이렇게 하면, 엣지부(E)에 부착된 이물에 대하여 2방향에서 박리력을 가할 수 있기 때문에, 1방향의 회전만으로는 박리하기 어려운 이물도 제거할 수 있다. 또한, 상기의 제1실시형태∼제3실시형태에서는, 린스액으로서 순수를 사용하였지만, 탄산수나 그 밖의 세정액을 린스액으로서 사용해도 좋다.As mentioned above, although main embodiment of this invention was described, this invention is not limited to said embodiment. For example, in the above-described first to third embodiments, all of the substrates W are rotated in only one direction, but the rotation drive mechanism is repeated so as to repeat static electricity and reversal for a predetermined time. You may control (12). In this case, since the peeling force can be applied to the foreign material adhering to the edge part E in two directions, the foreign material which is hard to peel off only by rotation of one direction can be removed. In addition, although pure water was used as a rinse liquid in said 1st Embodiment-3rd Embodiment, you may use carbonated water and another washing | cleaning liquid as a rinse liquid.
또한, 상기 실시형태에서는 기판(W)을 그 중심을 통과하는 연직축의 주위로 회전함으로써 기판(W)의 엣지부(E)에 맞댐부재(32)를 맞대어 슬라이딩하고 있지만, 정지된 기판(W)에 대하여 맞댐부재(32)를 이동시키도록 해서 상대이동공정을 실시해도 좋다. 또한, 상기 실시형태에서는, 맞댐부재(32)를 구성하는 탄성재료 중에, 지립으로서 실리카를 혼입시켰지만, 실리카를 혼입시키지 않은 탄성재료를 사용해도 좋다.Moreover, in the said embodiment, although the butt | matching
또한, 상기의 제2실시형태와 제3실시형태의 구성을 조합해도 좋다. 즉, 복수의 맞댐부재(51a, 52a, 53a)의 각각을 카메라로 촬영하고, 촬영에 의해 취득된 화상 데이타에 근거해서 각 맞댐부재(51a, 52a, 53a)의 오염부를 검출하는 동시에, 기판(W)의 엣지부(E)에 대한 각 맞댐부재(51a, 52a, 53a)의 맞댐위치를 변경할 수 있게 해도 좋다.Moreover, you may combine the structure of said 2nd Embodiment and 3rd Embodiment. That is, each of the plurality of
도 1은 제1실시형태에 관련된 기판세정장치의 상면도이다.1 is a top view of a substrate cleaning device according to the first embodiment.
도 2는 제1실시형태에 관련된 기판세정장치를 도 1의 II-II선으로 절단한 종단면도이다.FIG. 2 is a longitudinal cross-sectional view of the substrate cleaning device of the first embodiment, taken along line II-II of FIG. 1.
도 3은 기판의 엣지부에 맞댐부재를 맞닿게 할 때의 상태를 나타낸 확대종단면도이다.3 is an enlarged longitudinal sectional view showing a state when the butt member is brought into contact with the edge portion of the substrate.
도 4는 대기부 부근을 도 1의 IV-IV선으로 절단한 종단면도이다.4 is a longitudinal cross-sectional view taken along the line IV-IV of FIG.
도 5는 제1실시형태의 세정처리의 흐름을 나타낸 플로우챠트이다.5 is a flowchart showing the flow of the cleaning process of the first embodiment.
도 6은 맞댐부재를 구성하는 탄성재료의 압축탄성률을 변화시켜서, 각각의 압축탄성률에 있어서의 이물의 제거능력을 조사한 결과를 나타낸 도이다.FIG. 6 is a diagram showing a result of investigating the ability to remove foreign matter in each compressive modulus by varying the compressive modulus of the elastic material constituting the butt member.
도 7은 제2실시형태에 관련된 기판세정장치의 상면도이다.7 is a top view of the substrate cleaning device according to the second embodiment.
도 8은 제2실시형태에 관련된 기판세정장치를 도 7의 VIII-VIII선으로 절단한 종단면도이다.8 is a longitudinal cross-sectional view of the substrate cleaning device of the second embodiment, taken along the line VIII-VIII in FIG. 7.
도 9는 제2실시형태의 세정처리의 흐름을 나타낸 플로우챠트이다.9 is a flowchart showing the flow of the cleaning process of the second embodiment.
도 10은 제3실시형태에 관련된 기판세정장치의 상면도이다.10 is a top view of the substrate cleaning device according to the third embodiment.
도 11은 오염부가 부착된 맞댐부재의 모양을 나타낸 도면이다.11 is a view showing the shape of the butt member attached to the contamination.
도 12는 종래의 기판세정장치의 일례를 나타낸 도면이다.12 is a view showing an example of a conventional substrate cleaning apparatus.
도 13은 종래의 기판세정장치의 다른 일례를 나타낸 도면이다.13 is a view showing another example of the conventional substrate cleaning apparatus.
[부호의 설명] [Description of the code]
1,2,3 기판세정장치 10 기판파지회전부1,2,3
20 순수공급부 30 에지맞댐기구20
31 선회암 32 맞댐부재31
33 구동기구 34 대기부 33
34a 저류조 40 제어부
51 제1맞댐기구 52 제2맞댐기구 51 First Alignment Mechanism 52 Second Alignment Mechanism
53 제3맞댐기구 51a, 52a,53a 맞댐부재53
51b,52b,53b 암 51c, 52c,53c 구동기구 51b, 52b,
60 카메라 W 기판 60 Camera W Board
E 엣지부E edge
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