KR20080095950A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20080095950A
KR20080095950A KR1020070040636A KR20070040636A KR20080095950A KR 20080095950 A KR20080095950 A KR 20080095950A KR 1020070040636 A KR1020070040636 A KR 1020070040636A KR 20070040636 A KR20070040636 A KR 20070040636A KR 20080095950 A KR20080095950 A KR 20080095950A
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KR1020070040636A
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신준식
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치를 개시한 것으로서, 반응 가스를 공급하는 노즐의 체결부가 공정 챔버에 제공되는 다각형 형상의 체결 홈에 상보적으로 결합하는 것을 구성상의 특징으로 가진다.
이러한 특징에 의하면, 노즐 체결 부위의 파손을 억제하여 체결 부위를 통한 가스의 누출을 최소화할 수 있으며, 또한 노즐의 분사 구들의 분사 방향이 초기 설정 방향으로부터 벗어나지 않도록 할 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
소스 가스, 노즐, 체결, 다각형 형상, 실링 부재, 산화이트륨

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 포함하는 반도체 제조 설비를 개략적으로 보여주는 도면,
도 2a 및 도 2b는 도 1의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면,
도 3은 도 2a 및 도 2b의 제 1 가스 공급 부재를 개략적으로 보여주는 도면,
도 4는 도 2a 및 도 2b의 " A " 부분을 확대하여 보여주는 도면,
도 5는 도 4의 제 1 노즐의 길이 방향의 단면도,
도 6은 도 4의 제 1 노즐의 분사구들을 보여주는 도면,
도 7은 종래의 노즐의 분사구들을 보여주는 도면,
도 8은 도 2a 및 도 2b의 제 2 노즐을 개략적으로 보여주는 도면,
도 9 및 도 10은 도 2a 및 도 2b의 기판 지지 부재를 개략적으로 보여주는 도면,
도 11은 도 2a 및 도 2b의 기판 지지 부재를 개략적으로 나타내는 사시도,
도 12는 도 10의 Ⅰ-Ⅰ' 선을 따라 구성한 단면도,
도 13은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도,
도 14는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도,
도 15는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도 이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
320 : 가스 분배 링 326 : 체결 홈
340 : 인젝터 343 : 노즐 몸체
345a : 제 1 분사구 345b : 제 2 분사구
346 : 체결부 348 : 실링 부재
410 : 산화이트륨 막
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 공정 가스의 화학적 반응에 의해 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 주요한 공정 중의 하나는 가스의 화학적 반응에 의해 반도체 기판상에 박막을 형성하는 화학 기상 증착 (Chemical Vapor Deposition : CVD) 공정이다. 화학 기상 증착(CVD) 공정을 수행하는 장치들은 플라즈마를 이용하여 기판상에 박막을 증착한다. 이러한 플라즈마 증착 장치들 중 최근에는 높은 종횡비를 갖는 공간을 효과적으로 채울 수 있는 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착(High Density Plasma Chemical Vapor Deposition : HDP-CVD) 장치가 주로 사용되고 있다.
고밀도 플라즈마 화학 기상 증착(HDP-CVD) 장치는 챔버 내부에 높은 밀도의 플라즈마를 생성하여 기판상에 소정의 막을 증착함과 동시에, 불활성 가스를 이용한 에칭을 진행하여 높은 종횡비를 갖는 갭(Gap)을 보이드(Void) 없이 채울 수 있다.
이러한 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착(HDP-CVD) 장치의 챔버 내부에는 복수 개의 노즐들이 설치되고, 노즐들을 이용하여 다양한 반응 가스들이 챔버 내로 분사된다.
그런데, 반응 가스를 공급하는 노즐들은 나사 체결 방식에 의해 챔버에 연결되기 때문에, 나사 체결 부위의 실링이 불완전하여 나사 체결 부위를 통해 가스가 누출될 수 있다.
그리고, 노즐의 반복적인 유지 보수에 의해 나사 체결 부위가 파손될 수 있다.
또한, 노즐의 분사 구들은 각기 다른 분사 방향을 가지도록 형성될 수 있는데, 나사 체결 방식에 의해 노즐을 체결할 경우, 노즐의 회전각에 따라 분사 구들의 분사 방향이 초기 설정 방향으로부터 벗어날 수 있는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 노즐 체결 부위의 파손을 억제하고, 체결 부위를 통한 가스의 누출을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 노즐의 분사 구들의 분사 방향이 초기 설정 방향으로부터 벗어나지 않도록 할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치는, 기판 처리 공정이 진행되는 공정 챔버와; 상기 공정 챔버의 내측에 설치되며, 상기 공정 챔버 내로 반응 가스를 공급하는 가스 공급 부재;를 포함하되, 상기 가스 공급 부재는 상기 반응 가스를 분사하는 노즐과; 상기 노즐의 일단으로부터 연장되고, 상기 공정 챔버에 제공되는 다각형 형상의 체결 홈에 상보적으로 결합하여 상기 노즐을 상기 공정 챔버에 연결하는 체결부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 장치에 있어서, 상보적으로 결합하는 상기 가스 공급 부재의 체결부와 상기 공정 챔버의 체결 홈 사이에는 실링 부재가 제공되는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 가스 공급 부재의 체결부 외측면에는 삽입 홈이 형성되고, 상기 실링 부재는 상기 체결부의 상기 삽입 홈에 삽입 설치되는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 특징에 따르면, 상기 장치는 상기 공정 챔버의 내측에 설치되며, 그리고 기판을 지지하는 기판 지지 부재;를 더 포함하며, 상기 가스 공급 부재는 상기 기판 지지 부재의 상부 외측 영역 둘레에 배치되는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 가스 공급 부재의 노즐은 상기 상부 영역 둘레로부터 중심부 방향을 향하도록 배치되는 사각 형상의 노즐 몸체와; 상기 노즐 몸체의 일단 중앙 부분에 상기 노즐 몸체의 길이 방향으로 반응 가스를 분사하도록 형성된 제 1 분사구와; 상기 노즐 몸체의 길이 방향에 대해 상향 경사지게 반응 가스를 분사하도록 상기 노즐 몸체의 일단 가장자리부에 형성된 제 2 분사구;를 포함하는 것이 바람직 하다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 상기 장치는 상기 공정 챔버 내의 상기 상부 영역에 플라즈마 생성을 위한 유도 전기장을 형성시키는 안테나 코일;을 더 포함하며, 상기 안테나 코일이 설치된 상기 공정 챔버 벽체의 내측 면은 산화이트륨 재질의 막으로 코팅되는 것이 바람직하다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
( 실시 예 )
이하에서는 기판의 일례로 웨이퍼(W)를 들어 설명하나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또한, 이하에서는 증착 공정을 수행하는 기판 처리 장치를 가지는 반도체 제조 설비를 예로 들어 설명한다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상과 범위는 이에 한정되지 않으며, 본 발명은 애싱 공정, 에칭 공정, 또는 세정 공정 등에 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 포함하는 반도체 제조 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 반도체 제조 설비(1)는 공정 설비(2)와, 설비 전방 단부 모듈(Equipment Front End Module:EFEM)(3)을 포함한다. 설비 전방 단부 모듈(3)은 공정 설비(2)의 전방에 장착되어, 웨이퍼들(W)이 수용된 용기(미도시)와 공정 설비(2) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 설비 전방 단부 모듈(3)은 복수의 로드포트들(60)과 프레임(50)을 가진다. 프레임(50)은 로드포트(60)와 공정 설비(2) 사이에 위치한다. 웨이퍼(W)를 수용하는 용기는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(미도시)에 의해 로드포트(60) 상에 놓인다. 용기는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 프레임(50) 내에는 로드포트(60)에 놓인 용기와 공정 설비(2) 간에 웨이퍼(W)를 이송하는 프레임 로봇(70)이 설치된다. 프레임(50) 내에는 용기의 도어를 자동으로 개폐하는 도어 오프너(미도시)가 설치될 수 있다. 또한, 프레임(50)에는 청정 공기가 프레임(50) 내 상부에서 하부로 흐르도록 청정 공기를 프레임(50) 내로 공급하는 팬 필터 유닛(Fan Filter Unit)(미도시)이 제공될 수 있다.
공정 설비(2) 내에서 웨이퍼(W)에 대한 소정의 공정이 진행된다. 공정 설비(2)는 로드록 챔버(20), 트랜스퍼 챔버(30), 그리고 공정 챔버(10)를 가진다. 트랜스퍼 챔버(30)는 상부에서 바라볼 때 대체로 다각의 형상을 가진다. 트랜스퍼 챔버(30)의 측면에는 로드록 챔버(20) 또는 공정 챔버(10)가 위치된다. 로드록 챔버(20)는 트랜스퍼 챔버(30)의 측부들 중 설비 전방 단부 모듈(3)과 인접한 측부에 위치되고, 공정 챔버(10)는 다른 측부에 위치된다. 로드록 챔버(20)는 공정 진행을 위해 공정 설비(2)로 유입되는 웨이퍼들(W)이 일시적으로 머무르는 로딩 챔버(20a) 와 공정이 완료되어 공정 설비(2)로부터 유출되는 웨이퍼들(W)이 일시적으로 머무르는 언로딩 챔버(20b)를 가진다. 트랜스퍼 챔버(30) 및 공정 챔버(10) 내부는 진공으로 유지되고, 로드록 챔버(20) 내부는 진공 및 대기압으로 전환된다. 로드록 챔버(20)는 외부 오염 물질이 트랜스퍼 챔버(30) 및 공정 챔버(10)로 유입되는 것을 방지한다. 로드록 챔버(20)와 트랜스퍼 챔버(30) 사이, 그리고 로드록 챔버(20)와 설비 전방 단부 모듈(3) 사이에는 게이트 밸브(도시안됨)가 설치된다. 설비 전방 단부 모듈(3)과 로드록 챔버(20) 간에 웨이퍼(W)가 이동하는 경우, 로드록 챔버(20)와 트랜스퍼 챔버(30) 사이에 제공된 게이트 밸브가 닫히고, 로드록 챔버(20)와 트랜스퍼 챔버(30) 간에 웨이퍼(W)가 이동되는 경우, 로드록 챔버(20)와 설비 전방 단부 모듈(3) 사이에 제공되는 게이트 밸브가 닫힌다.
트랜스퍼 챔버(30) 내에는 이송 로봇(40)이 장착된다. 이송 로봇(40)은 공정 챔버(10)로 웨이퍼(W)를 로딩하거나 공정 챔버(10)로부터 웨이퍼(W)를 언로딩한다. 또한, 이송 로봇(40)은 공정 챔버(10)와 로드록 챔버(20) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다.
공정 챔버(10)는 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 공정, 예컨대 증착, 에칭과 같은 공정을 수행하며, 이하에서는 공정 챔버(10)를 기판 처리 장치(10)로 부르기로 한다. 기판 처리 장치(10)에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
도 2a 및 도 2b는 도 1의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2a 및 도 2b에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)에 대한 공정을 수행하기 위한 기판 처리 장치(10)는 상부가 개방된 원통형의 하부 챔버와 하부 챔버의 개방된 상부를 덮는 커버(400)를 포함하며, 하부 챔버는 원통형의 본체(100), 본체(100)의 상단에 연결되는 제 1 가스 공급 부재(300)를 포함한다.
본 실시 예에서 기판 처리 장치(10)를 이용하여 수행하는 공정은 증착 공정이며, 이하에서는 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착(High Density Plasma Chemical Vapor Deposition:HDPCVD) 공정을 예로 들어 설명한다. 앞서 살펴본 바와 같이, 고밀도 플라스마 화학 기상 증착 공정은 높은 밀도의 플라즈마를 형성하여 금속 배선들 사이에 형성된 갭 내에 막을 증착시키는 증착 공정과, 갭 상부의 오버행(Overhang)을 식각하는 에칭(Etching) 공정을 포함한다. 갭의 상부에서 성장한 오버행들은 갭의 입구를 폐쇄하여 갭 내에 보이드(Void)를 형성한다. 따라서, 에칭 공정을 통하여 오버행들을 제거함으로써, 갭 내에 보이드가 형성되는 것을 방지한다.
본체(100)의 내부 공간에는 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 기판 지지 부재(200)가 설치된다. 기판 지지 부재(200)는 정전기력을 이용하여 웨이퍼(W)를 고정할 수 있는 정전척(ESC)이 사용될 수 있으며, 선택적으로 기계적인 구조를 통하여 클램핑이 가능한 기계 척 또는 진공으로 웨이퍼(W)를 흡착하는 진공 척이 사용될 수 있다. 한편, 기판 지지 부재(200)에는 플라즈마 상태의 소스가스를 웨이퍼(W)로 유도할 수 있도록 바이어스 전원이 인가될 수 있다. 기판 지지 부재(200)에 대한 상세한 내용은 후술하기로 한다.
본체(100)의 측벽에는 웨이퍼(W)가 드나들 수 있는 통로(122) 및 통로(122)와 연통되어 웨이퍼(W)가 본체(100)의 내부로 진입하는 입구(124)가 형성된다. 입 구(124)의 단면적은 통로(122)의 단면적 보다 크다. 웨이퍼(W)는 입구(124) 및 통로(122)를 통하여 본체(100)의 내부로 진입하거나 본체(100)의 외부로 빠져나간다. 입구(124) 상에는 입구(124)와 연결되는 통로(122)의 일단을 개폐하는 도어(130)가 설치된다. 도어(130)는 구동기(132)에 연결되며, 구동기(132)의 작동에 의하여 통로(122)의 길이 방향과 대체로 수직한 방향으로 이동하면서 통로(122)의 일단을 개폐한다.
본체(100)의 바닥 벽에는 복수의 배기 홀들(102)이 형성되며, 배기 홀들(102)에는 각각 배기 라인들(104)이 연결된다. 배기 라인(104) 상에는 펌프(al도시)가 설치될 수 있다. 배기 라인들(104)은 본체(100) 내부의 가스를 외부로 배출하기 위한 통로가 된다. 본체(100) 내부의 반응 가스와 미반응 가스, 그리고 반응 부산물 등은 배기 라인들(104)을 통해 본체(100)의 외부로 배출되며, 본체(100) 내부의 압력을 진공 상태로 유지하기 위해 배기 라인들(104)을 통하여 본체(100) 내부의 가스를 외부로 배출할 수 있다.
본체(100)의 상단에는 증착 또는 에칭 공정을 수행할 수 있도록 본체(100)의 내부에 소스 가스를 공급하는 제 1 가스 공급 부재(300)가 제공된다. 제 1 가스 공급 부재(300)는 가스 분배 링(320) 및 가스 분배 링(320)에 체결된 복수의 인젝터들(340)을 구비한다.
도 3은 도 2a 및 도 2b의 제 1 가스 공급 부재(300)를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3을 참조하면, 가스 분배 링(320)은 링 형상이며, 가스 분배 링(320) 상 에는 안쪽에 배치된 제 1 유로(322) 및 제 1 유로(322)의 바깥쪽에 배치된 제 2 유로(324)가 형성된다. 제 1 소스 가스가 흐르는 제 1 소스 가스 라인(382)은 제 1 유로(322)에 연결되며, 제 1 소스 가스 라인(382)은 밸브(382a)에 의하여 개폐된다. 제 2 소스 가스가 흐르는 제 2 소스 가스 라인(384)은 제 2 유로(324)에 연결되며, 제 2 소스 가스 라인(384)은 밸브(384a)에 의하여 개폐된다. 따라서, 제 1 유로(322)에는 제 1 소스 가스가 흐르며, 제 2 유로(324)에는 제 2 소스 가스가 흐른다. 제 1 소스 가스는 실란(SiH4, Silane)을 포함하는 실리콘(Silicon) 함유 가스이며, 제 2 소스 가스는 산소(O2)를 포함하는 산소 함유 가스이다.
가스 분배 링(320) 상에는 복수의 인젝터들(340)이 등간격으로 설치되며, 인젝터들(340)은 가스 분배 링(320)의 내측으로부터 가스 분배 링(320)의 중심을 향하여 돌출된다. 인젝터들(340)은 제 1 내지 제 3 인젝터(340a, 340b, 340c)가 한 조를 이루며, 한 조를 이룬 제 1 내지 제 3 인젝터(340a, 340b, 340c)가 복수 개 제공된다. 제 2 인젝터(340b)는 제 1 및 제 3 인젝터(340a, 340c)의 사이에 배치되며, 제 1 및 제 3 인젝터(340a, 340c)는 제 2 인젝터(340b)를 기준으로 대칭되도록 배치된다. 제 1 및 제 3 인젝터(340a, 340c)는 제 1 및 제 3 라인(362, 366)을 통하여 각각 제 1 유로(322)에 연결되며, 제 2 인젝터(340b)는 제 2 라인(364)을 통하여 제 2 유로(324)에 연결된다. 따라서, 제 1 및 제 3 인젝터(340a, 340c)는 제 1 유로(322)를 흐르는 제 1 소스 가스를 공급하며, 제 2 인젝터(340b)는 제 2 유로(324)를 흐르는 제 2 소스 가스를 공급한다. 이상에서 언급된 인젝터들(340)은 청구항의 가스 공급 부재에 해당된다.
도 4는 도 2a 및 도 2b의 " A " 부분을 확대하여 보여주는 도면이고, 도 5는 도 4의 제 1 노즐의 길이 방향의 단면도이며, 도 6은 도 4의 제 1 노즐의 분사구들을 보여주는 도면이다. 그리고, 도 7은 종래의 노즐의 분사 구들을 보여주는 도면이다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 가스 분배 링(320) 상에 설치된 인젝터들(340) 각각은 소스 가스를 분사하는 제 1 노즐(342)과, 제 1 노즐(342)을 가스 분배 링(320)에 연결하는 체결부(346)를 포함한다.
제 1 노즐(342)은 가스 분배 링(320)의 내측으로부터 가스 분배 링(320)의 중심을 향하도록 배치되는 노즐 몸체(343)를 가진다. 노즐 몸체(343)의 내측에는 노즐 몸체(343)의 길이 방향을 따라 소스 가스의 유로(343a)가 형성된다. 노즐 몸체(343)의 일단에는 내측의 유로(343a)와 통하고, 소스 가스를 분사하는 분사구들(345a.345b)이 형성된다. 제 1 분사구(345a)는 노즐 몸체(343)의 길이 방향으로 소스 가스가 분사되도록 노즐 몸체(343)의 일단 중앙 부분에 형성된다. 제 2 분사구(345b)는 노즐 몸체(343)의 길이 방향에 대해 상향 경사지게 소스 가스를 분사하도록 노즐 몸체의 일단 가장자리부에 형성된다.
체결부(346)는 노즐 몸체(343)의 타단으로부터 연장되고, 다각형 형상의 속이 빈 기둥 모양을 가진다. 그리고, 가스 분배 링(320)에는 체결부(346)의 형상에 대응하는 다각형 형상의 체결 홈(326)이 형성된다. 예를 들어, 체결부(346)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 사각형 형상을 가질 수 있으며, 체결 홈(326)은 이에 대응 하도록 사각형 형상으로 형성된다. 다각형 형상의 체결부(346)는 이에 대응하는 다각형 형상의 체결 홈(326)에 삽입 설치된다. 그리고, 체결부(346)와 체결 홈(326)의 사이에는 소스 가스의 누설을 방지하기 위한 실링 부재(348)가 제공된다. 실링 부재(348)는 오링(O-Ring) 등으로 마련될 수 있으며, 체결부(346)의 외 측면에 형성된 삽입 홈(346a)에 삽입 설치될 수 있다.
이와 같이, 제 1 노즐(342)의 체결부(346)가 가스 분배 링(320)에 형성된 다각형 형상의 체결 홈(326)에 상보적으로 결합함으로써, 종래의 나사 체결에 의한 방식이 가지고 있는 문제점들을 해결할 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 체결 구조는 나사 체결 방식과 같이 체결력에 의해 나사 부위가 파손될 염려가 없으며, 체결 부위에 별도의 실링 부재가 설치되기 때문에 체결 부위를 통한 가스의 누출을 최소화할 수 있다.
종래의 나사 체결 방식의 경우, 도 7에 도시된 바와 같이, 나사 체결을 위한 체결부(346')의 회전량이 일정치 않기 때문에, 분사구(345'b)의 위치가 일정 각도(θ)만큼 더 회전하여 초기 설정 위치를 벗어나는 문제점이 있다. 그러나, 본 발명의 체결 구조는 노즐의 체결 위치가 항상 일정하기 때문에, 노즐의 분사구(345b)가 초기 설정 위치로부터 벗어나지 않도록 할 수 있다.
다시, 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 결합 부재(150)는 가스 분배 링(320)과 대응되는 크기의 링 형상이고, 가스 분배 링(320)의 하단에 결합되어 제 1 및 제 2 유로(322, 324)를 외부로부터 폐쇄하며, 제 1 및 제 2 유로(322, 324) 내의 제 1 및 제 2 소스 가스가 외부로 누설되는 것을 방지한다. 이를 위하여, 가스 분배 링(320)과 결합 부재(150)의 사이에 오링(미도시)이 제공될 수 있다.
커버(400)는 제 1 가스 공급 부재(300)의 상부에 결합되며, 본체(100)의 개방된 상부를 폐쇄한다. 커버(400)의 상부에는 본체(100) 내부로 공급되는 소스가스를 플라스마 상태로 만들기 위한 플라스마 생성 부재(500)가 설치된다. 플라스마 생성 부재(500)는 커버(400)의 상부에 제공되어 유도 전기장을 형성하는 코일(540) 및 코일(540)을 고정하는 고정체(520)를 가지며, 코일(540)에는 고주파 전원(미도시)이 연결된다. 커버(400)는 고주파 에너지가 전달되는 절연체 재료, 바람직하게는 산화 알루미늄과 세라믹 재질로 만들어질 수 있다.
코일(540)이 설치된 커버(400)의 내측 면은 산화이트륨 재질의 막(410)으로 코팅될 수 있다. 도 2a에 도시된 바와 같이 코일(540)이 설치된 커버(400)의 하면 전체가 산화이트륨 재질로 코팅될 수 있다. 이와 달리, 도 2b에 도시된 바와 같이, 코일(540)의 설치 위치에 대응하는 커버(400)의 하면 일부만 산화이트륨 재질로 코팅될 수도 있다. 이와 같이, 커버(400)의 하부 면이 내마모성이 우수한 산화이트륨 재질로 코팅됨으로써, 코일(540)에 의해 유도된 정전성 전기장으로 인하여 커버(400)의 하면에 발생하는 스퍼터링(Sputtering) 현상을 방지할 수 있다. 커버(400)의 하면에 스퍼터링 현상이 발생하면, 발생 부위에 공정 부산물인 폴리머가 증착하고, 이는 파티클 소스의 원인이 되기 때문에, 산화이트륨 막을 코팅함으로써, 파티클 소스를 원천적으로 제거하고 이에 따른 공정 불량을 예방할 수 있다.
본 실시 예에서는 코일(540)이 커버(400)의 상부에 제공되는 것으로 설명하였으나, 코일(540)의 위치는 다양하게 변형될 수 있다. 예를 들어, 코일(540)은 본 체(100)의 측벽에 제공될 수 있다. 이때, 산화이트륨 막(410)은 본체(100) 측벽의 내면에 코팅될 수 있다.
커버(400)의 중앙에는 제 2 가스 공급 부재(600)가 설치된다. 제 2 가스 공급 부재(600)는 본체(100)의 내부에 소스 가스 및 세정 가스를 공급한다. 제 2 가스 공급 부재(600)는 제 1 가스 공급관(620) 및 제 2 가스 공급관(640)을 구비한다. 제 1 가스 공급관(620)은 커버(400)의 중앙에 연결되며, 제 1 공급 라인(622)을 통하여 공급된 세정 가스를 본체(100)의 내부로 공급한다. 제 1 공급 라인(622)은 밸브(622a)를 이용하여 개폐한다. 제 2 가스 공급관(640)은 제 1 가스 공급관(620)의 내부에 설치되며, 제 2 공급 라인(642)을 통하여 공급된 소스 가스를 본체(100)의 내부로 공급한다. 제 2 공급 라인(642)은 밸브(642a)를 이용하여 개폐한다. 제 2 가스 공급관(640)의 끝단에는 제 2 노즐(660)이 연결된다.
도 8은 도 2a 및 도 2b의 제 2 노즐(660)을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 8을 참조하면, 제 2 노즐(660)은 삽입관(662), 확산 부재(664), 가이드 판(666), 그리고 분사기(668)를 포함한다. 삽입관(662)은 속이 빈 원통 형상이며, 삽입관(662)의 상단은 제 2 가스 공급관(640)의 내부에 삽입 연결되고, 삽입관(662)의 하단은 확산 부재(664)에 연결된다. 확산 부재(664)는 삽입관(662)의 하단으로부터 하부를 향하여 연장되며, 하부로 갈수록 횡단면의 단면적이 점차로 증가한다. 확산 부재(664)의 외면은 원호 형상을 가진다. 확산 부재(664)의 하단에는 가이드 판(666)이 연결된다. 가이드 판(666)은 확산 부재(664)의 하단 면적보다 큰 면적을 가지는 원판 형상이다. 가이드 판(666)의 하단 중앙에는 첨단 형상의 분사 기(668)가 연결된다.
한편, 삽입관(662) 및 확산 부재(664)의 중심에는 분사 통로(663)가 형성된다. 분사 통로(663)는 제 2 가스 공급관(640)과 대체로 나란하게 제공되며, 분사 통로(663)의 내부에는 소스 가스가 흐른다. 가이드 판(666)의 중심에는 분사 통로(663)와 연통되는 관통 홀(665)이 형성되며, 관통 홀(665)은 분사기(668)에 형성된 제 1 및 제 2 분사구(667a, 667b)와 연통한다. 따라서, 분사 통로(663)를 통하여 유입된 소스 가스는 관통 홀(665)과, 제 1 및 제 2 분사구(667a, 667b)를 통하여 기판 지지 부재(200)의 상부에 공급된다. 소스 가스는 실란(SiH4)을 포함하는 실리콘 함유 가스이다.
또한, 제 1 가스 공급관(620)의 내부를 흐르는 세정 가스는 제 2 노즐(660)의 확산 부재(664) 및 가이드 판(666)의 표면을 따라 흐르며, 기판 지지 부재(200)의 상부로 확산된다. 세정 가스는 삼불화질소(NF3) 및 아르곤(Ar)을 포함한다. 세정 가스는 공정 완료 후 본체(100)의 내부를 세정하기 위하여 제공된다.
본 실시 예에서는 인젝터(340)를 이용하여 본체(100) 내부의 가장자리 영역에 소스 가스를 공급하며, 제 2 노즐(660)을 이용하여 본체(100) 내부의 중앙 영역에 소스 가스를 공급하는 것으로 설명하고 있으며, 이는 웨이퍼(W)의 상부에 소스 가스를 균일하게 공급함으로써 웨이퍼(W)의 전면(全面)에 대하여 공정이 균일하게 이루어지도록 하기 위함이다. 그러나, 이와 달리 소스 가스를 인젝터(340)와 제 2 노즐(660) 중 어느 하나를 이용하여 공급할 수도 있다.
도 9 및 도 10은 도 2a 및 도 2b의 기판 지지 부재(200)를 개략적으로 보여주는 도면이고, 도 11은 도 2a 및 도 2b의 지지부재를 개략적으로 나타내는 사시도이며, 도 12는 도 10의 Ⅰ-Ⅰ' 선을 따라 구성한 단면도이다.
도 9 내지 도 12를 참조하면, 기판 지지 부재(200)는 지지 플레이트(220), 구동축(240), 구동기(260), 그리고 제어기(280)를 포함한다. 웨이퍼(W)는 지지 플레이트(220)의 상부에 지지 플레이트(220)와 나란하게 놓인다. 지지 플레이트(220)는 알루미늄 재질이며, 이로 인하여 웨이퍼(W) 상에 형성된 패턴은 지지 플레이트(220)와 반응할 가능성이 있다. 따라서, 세라믹 재질의 보호층(221)을 지지 플레이트(220)의 상부 면에 형성할 수 있으며, 세라믹 재질은 산화알루미늄(Aluminium Oxide:Al2O3)를 포함한다. 지지 플레이트(220)의 하부에는 구동축(240)의 일단이 연결되며, 구동축(240)의 타단은 구동기(260)에 연결된다. 구동기(260)는 모터를 포함하는 회전장치이며, 외부로부터 인가된 전류에 의하여 회전력을 발생시킨다. 회전력은 구동축(240)에 전달되며, 구동축(240)은 지지 플레이트(220)와 함께 회전한다. 구동축(240)과 본체(100)의 바닥 벽 사이에는 실링 부재(241)가 제공된다. 실링 부재(241)는 본체(100) 내부의 기밀을 유지함과 동시에 구동축(240)의 회전이 가능하도록 돕는다. 실링 부재(241)는 마그네틱 실(Magnetic Seal)을 포함한다. 구동기(260)는 제어기(280)에 연결되며, 제어기(280)는 구동기(260)의 동작을 제어한다. 제어기(280)는 구동기(260)의 회전 속도, 회전량, 회전 방향을 포함한 구동기(260)의 동작을 모두 제어할 수 있다.
도 10에 도시된 바와 같이, 지지 플레이트(220)의 내부에는 냉각 가스가 흐르는 제 1 냉각 라인 및 냉각 유체가 흐르는 제 2 냉각 라인(232)이 형성된다. 제 1 냉각라인은 지지 플레이트(220)의 상부에 놓인 웨이퍼(W)의 배면에 냉각 가스를 공급하며, 웨이퍼(W)는 냉각 가스에 의하여 기설정된 온도로 냉각된다. 공정 중에는 고온의 열이 발생하며, 특히, 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 공정 중의 스퍼터링에 의한 에칭 공정에서 고온의 열이 발생한다. 이로 인하여 웨이퍼(W)의 온도가 상승할 수 있으며, 제 1 냉각 라인은 냉각 가스를 이용하여 웨이퍼(W)를 냉각시킨다.
제 1 냉각 라인은 냉각 가스 유로(222), 분배 라인(224), 그리고 복수의 분기 라인들(226)을 포함한다. 냉각 가스 유로(222)는 지지 플레이트(220)의 중심에 형성되며, 냉각 가스 유로(222)의 하단은 구동축(240)의 중심에 형성된 냉각 가스 유로(242)의 상단과 연결된다. 분배 라인(224)은 냉각 가스 유로(222)로부터 지지 플레이트(220)의 반경 방향으로 연장된다. 분기 라인들(226)은 분배 라인(224)으로부터 분기되어 지지 플레이트(220)의 상부를 향하여 연장되며, 보호층(221) 상에 형성된 복수의 분출구들(228)에 각각 연결된다. 구동축(240)의 중심에 형성된 냉각 가스 유로(242)의 하단은 냉각 가스 라인(244)에 연결되며, 냉각 가스 라인(244) 내에는 웨이퍼(W)의 배면에 공급되는 냉각 가스가 흐른다. 냉각 가스는 헬륨(He) 등과 같은 불활성 가스를 포함한다. 냉각 가스 라인(244)을 통하여 냉각 가스 유로(242)에 공급된 냉각 가스는 냉각 가스 유로(222) 및 분배 라인(224)을 통하여 각각의 분기 라인(226)으로 공급되며, 공급된 냉각 가스는 분출구들(228)을 통하여 웨이퍼(W)의 배면에 공급된다.
도 11에 도시된 바와 같이, 복수의 지지 돌기들(229)은 보호층(221)의 상부에 설치된다. 복수의 지지 돌기들(229)은 지지 플레이트(220)의 중심 및 중심을 기준으로 네 방향에 등간격으로 배치되며, 지지 플레이트(220)의 상부에 놓인 웨이퍼(W)의 배면을 지지한다. 따라서, 웨이퍼(W)는 복수의 지지 돌기들(229)에 의해 지지되어 보호층(221)의 상부 면으로부터 일정 거리 이격된 상태를 유지하며, 웨이퍼(W)는 배면에 공급된 냉각가스에 의하여 일정한 온도로 조절된다.
제 2 냉각 라인(232)은 분배 라인(224)의 하부에 위치하며, 도 12에 도시된 바와 같이 냉각 가스 유로(222)를 감싸도록 배치된 나선 형상이다. 제 2 냉각 라인(232)은 지지 플레이트(220)의 온도를 기설정된 온도로 냉각한다. 앞서 설명한 바와 같이, 증착 공정, 특히 고밀도 플라스마 화학 기상 증착 공정에서 발생한 고온의 열로 인하여 지지 플레이트(220)의 온도가 상승할 수 있다. 따라서, 제 2 냉각 라인(232)을 이용하여 지지 플레이트(220)를 냉각시킨다.
도 10에 도시된 바와 같이, 제 2 냉각 라인(232)의 일단은 냉각 유체 공급라인(234)에 연결되며, 제 2 냉각 라인(232)의 타단은 냉각 유체 회수 라인(236)에 연결된다. 냉각 유체 공급 라인(234)은 냉각 유체 공급 라인(234) 상에 설치된 밸브(234a)에 의하여 개폐된다. 냉각 유체 공급 라인(234) 내에는 냉각 유체가 흐르며, 제 2 냉각 라인(232)에 냉각 유체를 공급한다. 냉각 유체 공급 라인(234)을 통하여 공급된 냉각 유체는 제 2 냉각 라인(232)을 따라 냉각 유체 회수 라인(236)이 연결된 끝단까지 이동하면서 지지 플레이트(220)를 기설정된 온도로 냉각한다. 이 후, 냉각 유체는 냉각 유체 회수 라인(236)을 통해 회수되며, 회수된 냉각 유체는 칠러(Chiller)(미도시)를 통하여 일정 온도로 냉각된 이후에 냉각 유체 공급 라인(234)으로 다시 공급될 수 있다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 13은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.
먼저, 웨이퍼(W)가 본체(100) 내의 기판 지지 부재(200) 상에 놓인다. 구동기(132)에 의하여 도어(130)가 개방되면, 웨이퍼(W)는 통로(122)를 통하여 본체(100)의 내부로 유입되며, 기판 지지 부재(200) 상의 지지 돌기(229) 상에 놓인다. 앞서 설명한 바와 같이, 웨이퍼(W)는 정전기력에 의하여 지지 플레이트(220) 상에 고정될 수 있다.
다음, 제 1 가스 공급 부재(300) 및 제 2 가스 공급 부재(600)를 이용하여 웨이퍼(W)의 상부에 소스 가스를 공급한다(S10). 제 1 가스 공급 부재(300)의 제 1 및 제 3 인젝터(340a, 340c)는 실란을 포함하는 실리콘 함유 가스를 공급하며, 제 2 인젝터(340b)는 산소를 포함하는 산소 함유 가스를 공급한다. 또한, 제 2 가스 공급 부재(600)의 제2 노즐(660)은 실란을 포함하는 실리콘 함유 가스를 공급한다.
다음, 웨이퍼(W)의 상부에 유도 전기장을 형성한다(S20). 코일(540)에 연결된 고주파 전원(미도시)을 작동시키면, 코일(540)에서 고주파 에너지가 발생되며, 발생된 에너지는 커버(400)를 통하여 웨이퍼(W)의 상부로 전달되어 웨이퍼(W)의 상부에 유도 전기장을 형성한다. 이때, 형성된 유도 전기장은 웨이퍼(W)의 상부에 공급된 실리콘 함유 가스 및 산소 함유 가스로부터 플라즈마를 생성한다(S30).
다음, 지지 플레이트(220) 상에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시킨다(S40). 구동기(260)를 작동하면, 구동기(260)는 구동축(240)을 회전시키며, 지지 플레이트(220)는 구동축(240)과 함께 회전한다. 따라서, 웨이퍼(W)도 지지 플레이트(220)와 함께 회전한다. 생성된 플라즈마는 회전하는 웨이퍼(W) 상에 공급되며, 웨이퍼(W)의 갭 내에는 막이 증착된다(S50).
이후, 앞서 설명한 바와 같이, 갭 상부에서 성장한 오버행을 제거하기 위한 에칭이 이루어지며, 에칭이 완료되면 동일한 방법으로 증착 과정이 반복된다. 이와 같은 방법을 통하여 웨이퍼(W)의 갭은 채워진다.
상술한 방법에 의하면, 생성된 플라즈마를 회전하는 웨이퍼(W) 상에 공급하므로, 플라즈마를 웨이퍼(W)의 전면에 대하여 균일하게 공급할 수 있다. 즉, 웨이퍼(W) 상의 위치에 따라 플라즈마가 불균일하게 공급되는 문제를 해결할 수 있다. 한편, 본 실시 예에서는 지지 플레이트(220)가 계속적으로 회전하는 것으로 설명하였으나, 이와 달리 지지 플레이트(220)는 일정한 주기를 가지고 회전과 정지를 반복할 수 있으며, 정 방향 회전과 역 방향 회전을 반복할 수 있다.
도 14는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도이고, 도 15는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.
본 발명의 제 2 및 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 웨이퍼(W)에 대한 공정이 이루어지기 이전에 공정 변수들을 미리 설정하는 것을 특징으로 한다. 공정 변수란 사용자가 의도한 공정 결과를 얻기 위하여 조절할 수 있는 변수들을 말하며, 공정 온도, 공정 압력, 공정 시간 등의 공정 조건들을 포함한다.
본 발명의 제 2 및 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 공정 변수에 지지 플레이트의 회전 변위를 포함시키며, 공정이 이루어지기 이전에 지지 플레이트의 회전 변위를 설정하는 것을 특징으로 한다. 이 점에서, 공정 진행 중 웨이퍼(W)가 지지 플레이트(220)와 함께 계속하여 회전하는 제 1 실시 예와 구별된다. 공정 변수에 지지 플레이트의 회전 변위를 포함시키는 이유는 공정 진행 중 웨이퍼(W)를 계속하여 회전시키는 이유와 동일하며, 웨이퍼(W)의 전면에 균일한 두께의 막을 증착하기 위한 것이다.
본 발명의 제 2 실시 예는 웨이퍼(W)를 기판 지지 부재(200) 상에 놓기 이전에, 지지 플레이트(220)를 설정된 회전 변위만큼 회전시킨다(S110). 이는 지지 플레이트(220)의 특성으로 인하여 웨이퍼(W)의 전면에 불균일한 두께의 막이 증착되는 것을 방지하기 위한 것이다.
예를 들면, 앞서 설명한 바와 같이, 기판 지지 부재(220) 내에는 제 1 냉각 라인 및 제 2 냉각 라인(232)이 설치되며, 제 1 냉각 라인 및 제 2 냉각 라인(232)은 각각 웨이퍼(W) 및 지지 플레이트(220)를 냉각시킨다. 웨이퍼(W)의 전면에 증착되는 막의 두께는 온도의 영향을 받을 수 있으며, 제 1 냉각 라인 및 제 2 냉각 라인(232)의 배치에 따라 웨이퍼(W)의 온도는 불균일할 수 있으며, 웨이퍼(W)의 전면 에 증착된 막의 두께는 불균일할 수 있다. 또한, 이 밖에도 기판 지지 부재(220) 내에는 여러 가지의 불균일 요소들이 있을 수 있으며, 이로 인하여 웨이퍼(W)의 전면에는 불균일한 두께의 막이 증착될 수 있다.
따라서, 동일한 패턴을 가진 복수의 웨이퍼들(W)에 대하여 지지 플레이트(220)의 회전 위치(회전 변위)를 달리하여 반복적으로 공정을 수행한 이후에, 웨이퍼들(W)의 전면에 증착된 막의 균일한 정도를 각각 비교한다. 비교 결과에 따라, 웨이퍼(W)의 전면에 가장 균일한 두께의 막이 증착된 지지 플레이트(220)의 회전 위치(회전 변위)인 최적 위치를 데이터베이스에 저장하고, 공정 진행 전 지지 플레이트(220)를 회전 위치(회전 변위) 만큼 회전시켜 지지 플레이트(220)를 최적 위치에 위치시킨다.
상술한 방법에 의하면, 반복적인 실험에 따라 지지 플레이트(220)의 최적 위치를 결정할 수 있으며, 공정 진행 전 지지 플레이트(220)를 최적 위치로 회전시킨 상태에서 공정을 수행할 수 있으므로, 지지 플레이트(220)의 불균일한 요소로 인하여 웨이퍼(W)의 전면에 불균일한 두께의 막이 증착되는 것을 방지할 수 있다.
이후, 지지 플레이트(220)를 고정한 상태에서 지지 플레이트(220) 상에 웨이퍼(W)를 올려 놓는다(S120). 이후의 단계는 도 13에 대한 설명과 동일하며, 다만 웨이퍼(W)는 도 13에 대한 설명과 달리 회전하지 않는다.
본 발명의 제 3 실시 예는 웨이퍼(W)를 기판 지지 부재(200) 상에 놓은 후(S210), 지지 플레이트(220)를 설정된 회전 변위만큼 회전시킨다(S220). 이는 웨이퍼(W)의 특성으로 인하여 웨이퍼(W)의 전면에 불균일한 두께의 막이 증착되는 것 을 방지하기 위한 것이다.
사용자는 웨이퍼(W) 상에 다양한 형상의 패턴들을 형성한다. 이와 같은 패턴들은 완성된 반도체 장치가 사용자의 의도와 일치하는 전기적 특성을 가지도록 배치된다. 이와 같은 패턴들은 웨이퍼(W)의 전면에 대하여 비대칭적으로 또는 불균일하게 배치되며, 패턴들의 형상으로 인하여 웨이퍼(W)의 전면에는 불균일한 두께의 막이 증착될 수 있다. 따라서, 동일한 패턴을 가진 복수의 웨이퍼들(W)에 대하여 웨이퍼들(W)의 회전 위치(회전 변위)를 달리하여 반복적으로 공정을 수행한 이후에, 웨이퍼들(W)의 전면에 증착된 막의 균일한 정도를 각각 비교한다. 비교 결과에 따라, 웨이퍼(W)의 전면에 가장 균일한 두께의 막이 증착된 웨이퍼(W)의 회전 위치(회전 변위)인 최적 위치를 데이터베이스에 저장하고, 공정 진행 전 웨이퍼(W)를 지지 플레이트(220)에 올려놓은 상태에서 지지 플레이트(220)를 회전 위치(회전 변위) 만큼 회전시켜 웨이퍼(W)를 최적 위치에 위치시킨다.
상술한 방법에 의하면, 반복적인 실험에 따라 웨이퍼(W)의 최적 위치를 결정할 수 있으며, 공정 진행 전 지지 플레이트(220)를 회전시켜 웨이퍼(W)를 최적 위치로 회전시킨 상태에서 공정을 수행할 수 있으므로, 웨이퍼(W)의 불균일한 요소로 인하여 웨이퍼(W)의 전면에 불균일한 두께의 막이 증착되는 것을 방지할 수 있다.
이후에 소스 가스를 공급하고, 생성된 플라즈마를 이용하여 갭 내에 막을 증착하는 방법은 도 13 및 도 14를 참조하여 설명한 방법과 동일하며, 다만 웨이퍼(W)는 도 13에 대한 설명과 달리 회전하지 않는다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으 로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 노즐 체결 부위의 파손을 억제하고, 체결 부위를 통한 가스의 누출을 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 노즐의 분사 구들의 분사 방향이 초기 설정 방향으로부터 벗어나지 않도록 할 수 있다.

Claims (6)

  1. 기판 처리 공정이 진행되는 공정 챔버와;
    상기 공정 챔버의 내측에 설치되며, 상기 공정 챔버 내로 반응 가스를 공급하는 가스 공급 부재;를 포함하되,
    상기 가스 공급 부재는,
    상기 반응 가스를 분사하는 노즐과;
    상기 노즐의 일단으로부터 연장되고, 상기 공정 챔버에 제공되는 다각형 형상의 체결 홈에 상보적으로 결합하여 상기 노즐을 상기 공정 챔버에 연결하는 체결부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상보적으로 결합하는 상기 가스 공급 부재의 체결부와 상기 공정 챔버의 체결 홈 사이에는 실링 부재가 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 가스 공급 부재의 체결부 외 측면에는 삽입 홈이 형성되고, 상기 실링 부재는 상기 체결부의 상기 삽입 홈에 삽입 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 공정 챔버의 내측에 설치되며, 그리고 기판을 지지하는 기판 지지 부재;를 더 포함하며,
    상기 가스 공급 부재는 상기 기판 지지 부재의 상부 외측 영역 둘레에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 가스 공급 부재의 노즐은,
    상기 상부 영역 둘레로부터 중심부 방향을 향하도록 배치되는 사각 형상의 노즐 몸체와;
    상기 노즐 몸체의 일단 중앙 부분에 상기 노즐 몸체의 길이 방향으로 반응 가스를 분사하도록 형성된 제 1 분사구와;
    상기 노즐 몸체의 길이 방향에 대해 상향 경사지게 반응 가스를 분사하도록 상기 노즐 몸체의 일단 가장자리부에 형성된 제 2 분사구;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 공정 챔버 내의 상기 상부 영역에 플라즈마 생성을 위한 유도 전기장을 형성시키는 안테나 코일;을 더 포함하며,
    상기 안테나 코일이 설치된 상기 공정 챔버 벽체의 내측 면은 산화이트륨 재질의 막으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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