KR20080086272A - 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액티브패턴과 소오스전극 및 드레인전극을 한번의 마스크공정으로 형성하고 상기 드레인전극 위에 별도의 콘택홀 없이 직접 접속하도록 화소전극을 형성함으로써 마스크수를 감소시켜 제조공정을 단순화하는 동시에 제조비용을 절감시킨 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
이때, 본 발명은 상기 화소전극을 형성하는 마스크공정을 통해 비로소 상기 액티브패턴의 채널영역에 형성되어 있는 n+ 비정질 실리콘 박막패턴을 제거함으로써 상기 액티브패턴의 백 채널(back channel)이 오염되는 것을 차단하여 박막 트랜지스터의 특성저하를 방지할 수 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 본 발명은 공통전극을 화소부 전체에 걸쳐 단일패턴으로 형성하는 동시에 각각의 화소영역 내에 다수개의 슬릿을 가지도록 형성함으로써 상기 화소전극을 데이터라인에 인접하게 형성할 수 있게 되어 실질적으로 상기 화소부의 투과율이 향상되는 것을 특징으로 한다.
액티브패턴, 드레인전극, 화소전극, 공통전극, 마스크수

Description

횡전계방식 액정표시장치의 제조방법{METHOD OF FABRICATING IN PLANE SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}
도 1은 일반적인 액정표시장치를 개략적으로 나타내는 분해사시도.
도 2는 횡전계방식 액정표시장치의 어레이 기판 일부를 나타내는 평면도.
도 3a 내지 도 3f는 도 2에 도시된 어레이 기판의 II-II'선에 따른 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 횡전계방식 액정표시장치의 어레이 기판 일부를 개략적으로 나타내는 평면도.
도 5a 내지 도 5e는 도 4에 도시된 어레이 기판의 IVa-IVa'선과 IVb-IVb선 및 IVc-IVc선에 따른 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도.
도 6a 내지 도 6e는 도 4에 도시된 어레이 기판의 제조공정을 순차적으로 나타내는 평면도.
도 7a 내지 도 7f는 도 5b 및 도 6b에 도시된 어레이 기판에 있어서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 제 2 마스크공정을 구체적으로 나타내는 단면도.
도 8a 내지 도 8f는 도 5c 및 도 6c에 도시된 어레이 기판에 있어서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 제 3 마스크공정을 구체적으로 나타내는 단면도.
도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 횡전계방식 액정표시장치의 어레이 기 판 일부를 개략적으로 나타내는 평면도.
도 10a 내지 도 10e는 도 9에 도시된 어레이 기판의 IXa-IXa'선과 IXb-IXb선 및 IXc-IXc선에 따른 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도.
도 11a 내지 도 11e는 도 9에 도시된 어레이 기판의 제조공정을 순차적으로 나타내는 평면도.
** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 **
108,208 : 공통전극 108s,208s : 슬릿
110,210 : 어레이 기판 116,216 : 게이트라인
117,217 : 데이터라인 118,218 : 화소전극
121,221 : 게이트전극 122,222 : 소오스전극
123,223 : 드레인전극 124,224 : 액티브패턴
본 발명은 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 마스크수를 감소시켜 제조공정을 단순화하고 수율을 향상시키는 동시에 박막 트랜지스터의 특성저하를 방지할 수 있는 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시장치인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT) 을 대체하는 경량 박막형 평판표시장치(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다. 특히, 이러한 평판표시장치 중 액정표시장치(Liquid Crystal Display; LCD)는 액정의 광학적 이방성을 이용하여 이미지를 표현하는 장치로서, 해상도와 컬러표시 및 화질 등에서 우수하여 노트북이나 데스크탑 모니터 등에 활발하게 적용되고 있다.
상기 액정표시장치는 크게 컬러필터(color filter) 기판과 어레이(array) 기판 및 상기 컬러필터 기판과 어레이 기판 사이에 형성된 액정층(liquid crystal layer)으로 구성된다.
상기 액정표시장치에 주로 사용되는 구동 방식인 능동 매트릭스(Active Matrix; AM) 방식은 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(Amorphous Silicon Thin Film Transistor; a-Si TFT)를 스위칭소자로 사용하여 화소부의 액정을 구동하는 방식이다.
이하, 도 1을 참조하여 일반적인 액정표시장치의 구조에 대해서 상세히 설명한다.
도 1은 일반적인 액정표시장치를 개략적으로 나타내는 분해사시도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 상기 액정표시장치는 크게 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10) 및 상기 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10) 사이에 형성된 액정층(liquid crystal layer)(30)으로 구성된다.
상기 컬러필터 기판(5)은 적(Red; R), 녹(Green; G) 및 청(Blue; B)의 색상을 구현하는 다수의 서브-컬러필터(7)로 구성된 컬러필터(C)와 상기 서브-컬러필 터(7) 사이를 구분하고 액정층(30)을 투과하는 광을 차단하는 블랙매트릭스(black matrix)(6), 그리고 상기 액정층(30)에 전압을 인가하는 투명한 공통전극(8)으로 이루어져 있다.
또한, 상기 어레이 기판(10)은 종횡으로 배열되어 복수개의 화소영역(P)을 정의하는 복수개의 게이트라인(16)과 데이터라인(17), 상기 게이트라인(16)과 데이터라인(17)의 교차영역에 형성된 스위칭소자인 박막 트랜지스터(T) 및 상기 화소영역(P) 위에 형성된 화소전극(18)으로 이루어져 있다.
이와 같이 구성된 상기 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10)은 화상표시 영역의 외곽에 형성된 실런트(sealant)(미도시)에 의해 대향하도록 합착되어 액정표시패널을 구성하며, 상기 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10)의 합착은 상기 컬러필터 기판(5) 또는 어레이 기판(10)에 형성된 합착키(미도시)를 통해 이루어진다.
이때, 상기 액정표시장치에 일반적으로 사용되는 구동방식으로 네마틱상의 액정분자를 기판에 대해 수직 방향으로 구동시키는 트위스티드 네마틱(Twisted Nematic; TN)방식이 있으나, 상기 트위스티드 네마틱방식의 액정표시장치는 시야각이 90도 정도로 좁다는 단점을 가지고 있다. 이것은 액정분자의 굴절률 이방성(refractive anisotropy)에 기인하는 것으로 기판과 수평하게 배향된 액정분자가 액정표시패널에 전압이 인가될 때 기판과 거의 수직방향으로 배향되기 때문이다.
이에 액정분자를 기판에 대해 수평한 방향으로 구동시켜 시야각을 170도 이상으로 향상시킨 횡전계(In Plane Switching; IPS)방식 액정표시장치가 있으며, 이를 자세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 횡전계방식 액정표시장치의 어레이 기판 일부를 나타내는 평면도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 횡전계방식 액정표시장치의 어레이 기판(10)에는 상기 투명한 어레이 기판(10) 위에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인(16)과 데이터라인(17)이 형성되어 있으며, 상기 게이트라인(16)과 데이터라인(17)의 교차영역에는 스위칭소자인 박막 트랜지스터가 형성되어 있다.
상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트라인(16)에 연결된 게이트전극(21), 상기 데이터라인(17)에 연결된 소오스전극(22) 및 화소전극(18)에 연결된 드레인전극(23)으로 구성된다. 또한, 상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트전극(21)과 소오스/드레인전극(22, 23) 사이의 절연을 위한 게이트절연막(미도시) 및 상기 게이트전극(21)에 공급되는 게이트전압에 의해 상기 소오스전극(22)과 드레인전극(23) 사이에 전도채널(conductive channel)을 형성하는 액티브패턴(미도시)을 포함한다.
상기 화소영역 내에는 박스형태의 공통전극(8)과 화소전극(18)이 형성되어 있으며, 이때 상기 화소전극(18)은 상기 공통전극(8)과 함께 횡전계를 발생시키기 위해 상기 화소전극(18) 내에 다수개의 슬릿(18s)을 포함하고 있다.
이때, 상기 화소전극(18)은 보호막(미도시)에 형성된 콘택홀(40)을 통해 상기 드레인전극(23)과 전기적으로 접속하며, 상기 공통전극(8)은 상기 게이트라인(16)에 대해 평행하게 배치된 공통라인(8l)과 연결되어 있다.
상기 액정표시장치의 제조공정은 기본적으로 박막 트랜지스터를 포함하는 어레이 기판의 제작에 다수의 마스크공정(즉, 포토리소그래피(photolithography)공 정)을 필요로 하므로 생산성 면에서 상기 마스크수를 줄이는 방법이 요구되어지고 있다.
도 3a 내지 도 3f는 도 2에 도시된 어레이 기판의 II-II'선에 따른 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 어레이 기판(10) 위에 포토리소그래피공정(제 1 마스크공정)을 이용하여 도전성 금속물질로 이루어진 게이트전극(21)과 공통라인(8l) 및 게이트라인(미도시)을 형성한다.
다음으로, 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트전극(21)과 공통라인(8l) 및 게이트라인이 형성된 어레이 기판(10) 전면(全面)에 차례대로 절연막과 비정질 실리콘 박막 및 n+ 비정질 실리콘 박막을 증착한다.
이후, 포토리소그래피공정(제 2 마스크공정)을 이용하여 상기 절연막과 비정질 실리콘 박막 및 n+ 비정질 실리콘 박막을 선택적으로 패터닝함으로써 상기 게이트전극(21) 위에 게이트절연막(15a)이 개재된 상태에서 상기 비정질 실리콘 박막으로 이루어진 액티브패턴(24)을 형성한다.
이때, 상기 액티브패턴(24) 위에는 상기 액티브패턴(24)과 동일한 형태로 패터닝된 n+ 비정질 실리콘 박막패턴(25)이 형성되게 된다.
이후, 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 어레이 기판(10) 전면에 투명한 도전성 금속물질을 증착한 후 포토리소그래피공정(제 3 마스크공정)을 이용하여 선택적으로 패터닝함으로써 상기 공통라인(8l) 위에 상기 공통라인(8l)과 전기적으로 접속하는 공통전극(8)을 형성한다.
그리고, 도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 어레이 기판(10) 전면에 도전성 금속물질을 증착한 후 포토리소그래피공정(제 4 마스크공정)을 이용하여 선택적으로 패터닝함으로써 상기 액티브패턴(24) 상부에 소오스전극(22)과 드레인전극(23)을 형성한다. 또한, 상기 제 4 마스크공정을 통해 상기 게이트라인과 함께 화소영역을 정의하는 데이터라인(17)을 형성하게 된다.
이때, 상기 액티브패턴(24) 위에 형성되어 있는 n+ 비정질 실리콘 박막패턴은 상기 제 4 마스크공정을 통해 소정영역이 제거됨으로써 상기 액티브패턴(24)과 소오스/드레인전극(22, 23) 사이를 오믹-콘택(ohmic contact)시키는 오믹-콘택층(25')을 형성하게 된다.
다음으로, 도 3e에 도시된 바와 같이, 상기 소오스전극(22)과 드레인전극(23) 및 데이터라인(17)이 형성된 어레이 기판(10) 전면에 보호막(15b)을 증착한 후, 포토리소그래피공정(제 5 마스크공정)을 통해 상기 보호막(15b)의 일부 영역을 제거하여 상기 드레인전극(23)의 일부를 노출시키는 콘택홀(40)을 형성한다.
마지막으로, 도 3f에 도시된 바와 같이, 투명한 도전성 금속물질을 상기 어레이 기판(10) 전면에 증착한 후 포토리소그래피공정(제 6 마스크공정)을 이용하여 선택적으로 패터닝함으로써 상기 콘택홀(40)을 통해 상기 드레인전극(23)과 전기적으로 접속하는 화소전극(18)을 형성한다. 이때, 상기 화소전극(18)은 그 하부의 상기 공통전극(8)과 함께 포물선 형태의 횡전계를 발생시키기 위해 상기 화소전극(18) 내에 다수개의 슬릿(18s)을 포함하고 있다.
상기에 설명된 바와 같이 박막 트랜지스터를 포함하는 어레이 기판의 제조에 는 게이트전극, 액티브패턴, 공통전극, 소오스/드레인전극, 콘택홀 및 화소전극 등을 패터닝하는데 총 6번의 포토리소그래피공정을 필요로 한다.
상기 포토리소그래피공정은 마스크에 그려진 패턴을 박막이 증착된 기판 위에 전사시켜 원하는 패턴을 형성하는 일련의 공정으로 감광액 도포, 노광, 현상공정 등 다수의 공정으로 이루어지며, 다수의 포토리소그래피공정은 생산 수율을 떨어뜨리는 단점이 있다.
특히, 패턴을 형성하기 위하여 설계된 마스크는 매우 고가이어서, 공정에 적용되는 마스크수가 증가하면 액정표시장치의 제조비용이 이에 비례하여 상승하게 된다.
본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 5번의 마스크공정으로 어레이 기판을 제작하도록 한 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 마스크수를 줄이는 과정에서 발생하게 되는 액티브패턴의 백 채널이 오염되는 것을 방지하도록 한 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 액정표시패널의 투과율을 향상시키도록 한 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적 및 특징들은 후술되는 발명의 구성 및 특허청구범위에서 설명될 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법은 화소부와 데이터패드부 및 게이트패드부로 구분되는 제 1 기판을 제공하는 단계; 상기 제 1 기판의 화소부에 게이트전극과 게이트라인을 형성하는 단계; 상기 제 1 기판 위에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 제 1 기판의 화소부에 액티브패턴과 소오스/드레인전극을 형성하며, 상기 액티브패턴 위에 상기 액티브패턴과 동일한 형태로 패터닝된 n+ 비정질 실리콘 박막패턴을 형성하는 단계; 상기 제 1 기판의 화소부에 상기 게이트라인과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터라인을 형성하는 단계; 상기 화소영역에 상기 드레인전극의 일부와 직접 접속하는 화소전극을 형성하며, 상기 n+ 비정질 실리콘 박막패턴의 일부를 제거하여 오믹-콘택층을 형성하는 단계; 상기 제 1 기판 위에 보호막을 형성하는 단계; 상기 제 1 기판의 화소부에 다수개의 슬릿을 가진 공통전극을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 횡전계방식 액정표시장치의 어레이 기판 일부를 개략적으로 나타내는 평면도로써, 설명의 편의를 위해 게이트패드부와 데이터패드부 및 화소부의 박막 트랜지스터를 포함하는 하나의 화소를 나타내고 있다.
실제의 액정표시장치에서는 N개의 게이트라인과 M개의 데이터라인이 교차하 여 MxN개의 화소가 존재하지만 설명을 간단하게 하기 위해 도면에는 하나의 화소를 나타내고 있다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 어레이 기판(110)에는 상기 어레이 기판(110) 위에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인(116)과 데이터라인(117)이 형성되어 있다. 또한, 상기 게이트라인(116)과 데이터라인(117)의 교차영역에는 스위칭소자인 박막 트랜지스터가 형성되어 있으며, 상기 화소영역 내에는 횡전계를 발생시켜 액정(미도시)을 구동시키는 다수개의 슬릿(108s)을 가진 공통전극(미도시)과 박스형태의 화소전극(118)이 형성되어 있다.
상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트라인(116)에 연결된 게이트전극(121), 상기 데이터라인(117)에 연결된 소오스전극(122) 및 상기 화소전극(118)에 전기적으로 접속된 드레인전극(123)으로 구성되어 있다. 또한, 상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트전극(121)에 공급되는 게이트 전압에 의해 상기 소오스전극(122)과 드레인전극(123) 간에 전도채널을 형성하는 액티브패턴(미도시)을 포함한다.
이때, 상기 소오스전극(122)의 일부는 일방향으로 연장되어 상기 데이터라인(117)의 일부를 구성하며, 상기 드레인전극(123)의 일부는 화소영역 쪽으로 연장되어 별도의 콘택홀 없이 직접 상기 화소전극(118)에 전기적으로 접속하게 된다.
전술한 바와 같이 상기 화소영역 내에는 횡전계를 발생시키기 위한 다수개의 슬릿(108s)을 가진 공통전극과 화소전극(118)이 형성되어 있는데, 이때 상기 화소전극(118)은 상기 화소영역 내에 박스형태로 형성되어 있으며, 상기 공통전극은 화소부 전체에 걸쳐 단일패턴으로 형성되는 동시에 각각의 화소영역 내에서 다수개의 슬릿(108s)을 가지도록 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치는 액정층 내에 포물선 형태의 횡전계인 프린지 필드(Fringe Field)를 유발시켜 액정분자를 구동시키는 프린지 필드 스위칭(Fringe Field Switching; FFS)방식의 액정표시장치를 예를 들어 나타내고 있으며, 이를 위하여 상기 공통전극의 전극 간격, 즉 상기 슬릿(108s)의 폭이 상기 공통전극의 전극의 폭에 비해 조밀하게 형성되게 된다.
또한, 이와 같이 상기 공통전극을 화소부 전체에 걸쳐 단일패턴으로 형성하게 되면 각각의 화소영역에 공통전극을 형성하는 경우에 상기 공통전극들 사이를 전기적으로 접속시키기 위한 공통라인을 형성할 필요가 없게 된다. 그 결과 어레이 기판(110)을 제작하는데 필요한 마스크수를 하나 줄일 수 있게 된다.
이와 같이 구성된 상기 어레이 기판(110)의 가장자리 영역에는 상기 게이트라인(116)과 데이터라인(117)에 각각 전기적으로 접속하는 게이트패드전극(126p)과 데이터패드전극(127p)이 형성되어 있으며, 외부의 구동회로부(미도시)로부터 인가 받은 주사신호와 데이터신호를 각각 상기 게이트라인(116)과 데이터라인(117)에 전달하게 된다.
즉, 상기 게이트라인(116)과 데이터라인(117)은 구동회로부 쪽으로 연장되어 각각 해당하는 게이트패드라인(116p)과 데이터패드라인(117p)에 연결되며, 상기 게이트패드라인(116p)과 데이터패드라인(117p)은 상기 게이트패드라인(116p)과 데이터패드라인(117p)에 각각 전기적으로 접속된 게이트패드전극(126p)과 데이터패드전극(127p)을 통해 구동회로부로부터 각각 주사신호와 데이터신호를 인가 받게 된다.
참고로, 도면부호 140a 및 140b는 각각 제 1 콘택홀 및 제 2 콘택홀을 나타내며, 이때 상기 데이터패드전극(127p)은 상기 제 1 콘택홀(140a)을 통해 상기 데이터패드라인(117p)과 전기적으로 접속하고 상기 게이트패드전극(126p)은 상기 제 2 콘택홀(140b)을 통해 상기 게이트패드라인(116p)과 전기적으로 접속하게 된다.
여기서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 횡전계방식 액정표시장치는 하프-톤 마스크 또는 회절마스크(이하, 하프-톤 마스크를 지칭하는 경우에는 회절마스크를 포함하는 것으로 한다)를 이용하여 액티브패턴과 소오스/드레인전극 및 데이터라인을 한번의 마스크공정으로 형성하고 상기 드레인전극 위에 별도의 콘택홀 없이 직접 접속하도록 화소전극을 형성함으로써 총 5번의 마스크공정으로 어레이 기판을 제작할 수 있게 된다.
이때, 상기 본 발명의 제 1 실시예에 따른 횡전계방식 액정표시장치는 상기 화소전극을 형성하는 마스크공정을 통해 비로소 상기 액티브패턴의 채널영역에 형성되어 있는 n+ 비정질 실리콘 박막패턴을 제거함으로써 상기 액티브패턴의 백 채널(back channel)이 오염되는 것을 차단하여 박막 트랜지스터의 특성저하를 방지할 수 있는 것을 특징으로 한다.
이는 마스크수를 감소시키기 위해 상기 액티브패턴과 소오스전극 및 드레인전극을 한번의 마스크공정으로 형성할 때 상기 액티브패턴의 채널영역에 형성된 n+ 비정질 실리콘 박막을 제거하게 되면 화소전극을 형성하기 위해 도전막을 증착하거나 상기 도전막을 식각하는 과정에서 상기 액티브패턴의 백 채널(back channel)이 오염되는 것을 방지하기 위한 것으로, 이를 다음의 횡전계방식 액정표시장치의 제 조방법을 통해 상세히 설명한다.
도 5a 내지 도 5e는 도 4에 도시된 어레이 기판의 IVa-IVa'선과 IVb-IVb선 및 IVc-IVc선에 따른 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도로써, 좌측에는 화소부의 어레이 기판을 제조하는 공정을 나타내며 우측에는 차례대로 데이터패드부와 게이트패드부의 어레이 기판을 제조하는 공정을 나타내고 있다.
또한, 도 6a 내지 도 6e는 도 4에 도시된 어레이 기판의 제조공정을 순차적으로 나타내는 평면도이다.
도 5a 및 도 6a에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 투명한 절연물질로 이루어진 어레이 기판(110)의 화소부에 게이트전극(121)과 게이트라인(116)을 형성하며, 상기 어레이 기판(110)의 게이트패드부에 게이트패드라인(116p)을 형성한다.
이때, 상기 게이트전극(121)과 게이트라인(116) 및 게이트패드라인(116p)은 제 1 도전막을 상기 어레이 기판(110) 전면에 증착한 후 포토리소그래피공정(제 1 마스크공정)을 통해 선택적으로 패터닝하여 형성하게 된다.
여기서, 상기 제 1 도전막으로 알루미늄(aluminium; Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(tungsten; W), 구리(copper; Cu), 크롬(chromium; Cr), 몰리브덴(molybdenum; Mo) 및 몰리브덴 합금 등과 같은 저저항 불투명 도전물질을 사용할 수 있다. 또한, 상기 제 1 도전막은 상기 저저항 도전물질이 두 가지 이상 적층된 다층구조로 형성할 수 있다.
다음으로, 도 5b 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트전극(121)과 게이트라인(116) 및 게이트패드라인(116p)이 형성된 어레이 기판(110) 전면에 게이트 절연막(115a), 비정질 실리콘 박막, n+ 비정질 실리콘 박막 및 제 2 도전막을 형성한다.
이후, 포토리소그래피공정(제 2 마스크공정)을 통해 상기 비정질 실리콘 박막과 n+ 비정질 실리콘 박막 및 제 2 도전막을 선택적으로 제거함으로써 상기 어레이 기판(110)의 화소부에 상기 비정질 실리콘 박막으로 이루어진 액티브패턴(124)을 형성하며, 상기 액티브패턴(124) 상부에 상기 제 2 도전막으로 이루어진 소오스전극(122)과 드레인전극(123)을 형성한다.
이때, 상기 제 2 마스크공정을 통해 상기 어레이 기판(110)의 데이터라인부에 상기 제 2 도전막으로 이루어진 데이터라인(117)을 형성하는 동시에 상기 어레이 기판(110)의 데이터패드부에 상기 제 2 도전막으로 이루어진 데이터패드라인(117p)을 형성하게 된다.
이때, 상기 액티브패턴(124) 상부에는 상기 n+ 비정질 실리콘 박막으로 이루어지며 상기 액티브패턴(124)과 동일한 형태로 패터닝된 제 1 n+ 비정질 실리콘 박막패턴(125')이 형성되게 된다.
또한, 상기 데이터라인(117) 및 데이터패드라인(117p) 하부에는 각각 상기 비정질 실리콘 박막과 n+ 비정질 실리콘 박막으로 이루어지며 상기 데이터라인(117) 및 데이터패드라인(117p)과 동일한 형태로 패터닝된 제 1 비정질 실리콘 박막패턴(120')과 제 2 n+ 비정질 실리콘 박막패턴(125") 및 제 2 비정질 실리콘 박막패턴(120")과 제 3 n+ 비정질 실리콘 박막패턴(125'")이 형성되게 된다.
여기서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 상기 액티브패턴(124)과 소오스/드레 인전극(122, 123) 및 데이터라인(117)은 하프-톤 마스크를 이용함으로써 한번의 마스크공정(제 2 마스크공정)을 통해 동시에 형성할 수 있게 되는데, 이하 도면을 참조하여 상기 제 2 마스크공정을 상세히 설명한다.
도 7a 내지 도 7f는 도 5b 및 도 6b에 도시된 어레이 기판에 있어서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 제 2 마스크공정을 구체적으로 나타내는 단면도이다.
도 7a에 도시된 바와 같이, 상기 게이트전극(121)과 게이트라인(116) 및 게이트패드라인(116p)이 형성된 어레이 기판(110) 전면에 게이트절연막(115a), 비정질 실리콘 박막(120), n+ 비정질 실리콘 박막(125) 및 제 2 도전막(130)을 형성한다.
이때, 상기 제 2 도전막(130)은 소오스전극과 드레인전극 및 데이터라인을 구성하기 위해 알루미늄, 알루미늄 합금, 텅스텐, 구리, 크롬, 몰리브덴 및 몰리브덴 합금 등과 같은 저저항 불투명 도전물질로 이루어질 수 있다.
그리고, 도 7b에 도시된 바와 같이, 상기 어레이 기판(110) 전면에 포토레지스트와 같은 감광성물질로 이루어진 제 1 감광막(170)을 형성한 후, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 제 1 하프-톤 마스크(180)를 통해 상기 제 1 감광막(170)에 선택적으로 광을 조사한다.
이때, 상기 제 1 하프-톤 마스크(180)에는 조사된 광을 모두 투과시키는 제 1 투과영역(I)과 광의 일부만 투과시키고 일부는 차단하는 제 2 투과영역(II) 및 조사된 모든 광을 차단하는 차단영역(III)이 마련되어 있으며, 상기 제 1 하프-톤 마스크(180)를 투과한 광만이 상기 제 1 감광막(170)에 조사되게 된다.
이어서, 상기 제 1 하프-톤 마스크(180)를 통해 노광된 상기 제 1 감광막(170)을 현상하고 나면, 도 7c에 도시된 바와 같이, 상기 차단영역(III)과 제 2 투과영역(II)을 통해 광이 모두 차단되거나 일부만 차단된 영역에는 소정 두께의 제 1 감광막패턴(170a) 내지 제 5 감광막패턴(170e)이 남아있게 되고, 모든 광이 투과된 제 1 투과영역(I)에는 상기 제 1 감광막이 완전히 제거되어 상기 제 2 도전막(130) 표면이 노출되게 된다.
이때, 상기 차단영역(III)에 형성된 제 1 감광막패턴(170a) 내지 제 4 감광막패턴(170d)은 제 2 투과영역(II)을 통해 형성된 제 5 감광막패턴(170e)보다 두껍게 형성된다. 또한, 상기 제 1 투과영역(I)을 통해 광이 모두 투과된 영역에는 상기 제 1 감광막이 완전히 제거되는데, 이것은 포지티브 포토레지스트를 사용했기 때문이며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 네거티브 포토레지스트를 사용하여도 무방하다.
다음으로, 도 7d에 도시된 바와 같이, 상기와 같이 형성된 제 1 감광막패턴(170a) 내지 제 5 감광막패턴(170e)을 마스크로 하여, 그 하부에 형성된 비정질 실리콘 박막과 n+ 비정질 실리콘 박막 및 제 2 도전막을 선택적으로 제거하게 되면, 상기 어레이 기판(110)의 화소부에 상기 비정질 실리콘 박막으로 이루어진 액티브패턴(124)이 형성되며, 상기 어레이 기판(110)의 데이터라인부에 상기 제 2 도전막으로 이루어진 데이터라인(117)이 형성되게 된다.
또한, 상기 어레이 기판(110)의 데이터패드부에는 상기 제 2 도전막으로 이루어진 데이터패드라인(117p)이 형성되게 된다.
이때, 상기 액티브패턴(124) 상부에는 각각 상기 n+ 비정질 실리콘 박막과 제 2 도전막으로 이루어지며 상기 액티브패턴(124)과 동일한 형태로 패터닝된 제 1 n+ 비정질 실리콘 박막패턴(125')과 제 2 도전막패턴(130')이 형성되게 된다.
또한, 상기 데이터라인(117) 및 데이터패드라인(117p) 하부에는 각각 상기 비정질 실리콘 박막과 n+ 비정질 실리콘 박막으로 이루어지며 상기 데이터라인(117) 및 데이터패드라인(117p)과 동일한 형태로 패터닝된 제 1 비정질 실리콘 박막패턴(120')과 제 2 n+ 비정질 실리콘 박막패턴(125") 및 제 2 비정질 실리콘 박막패턴(120")과 제 3 n+ 비정질 실리콘 박막패턴(125'")이 형성되게 된다.
이후, 도 7e에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 감광막패턴 내지 제 5 감광막패턴의 일부를 제거하는 애싱(ahing)공정을 진행하여 상기 제 2 투과영역(II)의 제 5 감광막패턴을 완전히 제거한다.
이때, 상기 제 1 감광막패턴 내지 제 4 감광막패턴은 상기 제 5 감광막패턴의 두께만큼이 제거된 제 6 감광막패턴(170a') 내지 제 9 감광막패턴(170d')으로 상기 차단영역(III)에 대응하는 소오스전극영역과 드레인전극영역 및 상기 데이터라인(117)과 데이터패드라인(117p) 상부에만 남아있게 된다.
이후, 도 7f에 도시된 바와 같이, 상기 남아있는 제 6 감광막패턴(170a') 내지 제 9 감광막패턴(170d')을 마스크로 하여 상기 제 2 도전막패턴의 일부를 제거함으로써 상기 어레이 기판(110)의 화소부에 상기 제 2 도전막으로 이루어진 소오스전극(122)과 드레인전극(123)을 형성한다.
이때, 상기 액티브패턴(124) 상부에는 n+ 비정질 실리콘 박막으로 이루어진 상기 제 1 n+ 비정질 실리콘 박막패턴(125')이 그대로 남아있게 되어 후술할 화소전극을 형성하기 위해 상기 어레이 기판(110) 전면에 제 3 도전막을 증착할 경우에 상기 액티브패턴(124)의 채널영역, 구체적으로는 백 채널(back channel)이 상기 제 3 도전막에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있게 된다.
이와 같이 본 발명의 실시예는 하프-톤 마스크를 이용함으로써 상기 액티브패턴(124)과 소오스/드레인전극(122, 123) 및 데이터라인(117)을 한번의 마스크공정을 통해 형성할 수 있게 된다.
다음으로, 도 5c 및 도 6c에 도시된 바와 같이, 상기 액티브패턴(124)과 소오스/드레인전극(122, 123) 및 데이터라인(117)이 형성된 어레이 기판(110) 전면에 제 3 도전막을 형성한다.
이후, 포토리소그래피공정(제 3 마스크공정)을 이용하여 상기 제 3 도전막을 선택적으로 패터닝함으로써 상기 어레이 기판(110)의 화소부에 상기 드레인전극(123)과 직접 접속하는 화소전극(118)을 형성한다.
이때, 상기 제 3 마스크공정을 통해 상기 제 1 n+ 비정질 실리콘 박막패턴이 선택적으로 제거되어 상기 액티브패턴(124)의 소오스/드레인영역과 상기 소오스/드레인전극(122, 123) 사이를 오믹-콘택시키는 오믹-콘택층(125n)이 형성되게 된다.
이와 같이 상기 본 발명의 제 1 실시예는 상기 제 3 마스크공정에 하프-톤 마스크를 이용함으로써 상기 화소전극(118)과 오믹-콘택층(125n)을 한번의 마스크공정을 통해 형성할 수 있게 되는데, 이를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 8a 내지 도 8f는 도 5c 및 도 6c에 도시된 어레이 기판에 있어서, 본 발 명의 제 1 실시예에 따른 제 3 마스크공정을 구체적으로 나타내는 단면도이다.
도 8a에 도시된 바와 같이, 상기 액티브패턴(124)과 소오스/드레인전극(122, 123) 및 데이터라인(117)이 형성된 어레이 기판(110) 전면에 제 3 도전막(150)을 형성한다.
이때, 상기 제 3 도전막은 화소전극을 형성하기 위해 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO)와 같은 투과율이 뛰어난 투명한 도전물질을 포함한다.
이때, 본 발명의 제 2 실시예와 같이 상기 액티브패턴(124)의 채널영역 위에 제 1 n+ 비정질 실리콘 박막패턴(125')이 남아있게 되면, 상기 제 3 도전막의 증착에 의한 상기 액티브패턴(124)의 백 채널이 오염되는 것을 방지할 수 있게 된다.
그리고, 도 8b에 도시된 바와 같이, 상기 어레이 기판(110) 전면에 포토레지스트와 같은 감광성물질로 이루어진 제 2 감광막(270)을 형성한 후, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 제 2 하프-톤 마스크(280)를 통해 상기 제 2 감광막(270)에 선택적으로 광을 조사한다.
이때, 상기 제 2 하프-톤 마스크(280)에는 조사된 광을 모두 투과시키는 제 1 투과영역(I)과 광의 일부만 투과시키고 일부는 차단하는 제 2 투과영역(II) 및 조사된 모든 광을 차단하는 차단영역(III)이 마련되어 있으며, 상기 제 2 하프-톤 마스크(280)를 투과한 광만이 상기 제 2 감광막(270)에 조사되게 된다.
이어서, 상기 제 2 하프-톤 마스크(280)를 통해 노광된 상기 제 2 감광막(270)을 현상하고 나면, 도 8c에 도시된 바와 같이, 상기 차단영역(III)과 제 2 투과영역(II)을 통해 광이 모두 차단되거나 일부만 차단된 영역에는 소정 두께의 제 1 감광막패턴(270a) 내지 제 6 감광막패턴(270f)이 남아있게 되고, 모든 광이 투과된 제 1 투과영역(I)에는 상기 제 2 감광막이 완전히 제거되어 상기 제 3 도전막(150) 표면이 노출되게 된다.
이때, 상기 차단영역(III)에 형성된 제 1 감광막패턴(270a)은 제 2 투과영역(II)을 통해 형성된 제 2 감광막패턴(270b) 내지 제 6 감광막패턴(270f)보다 두껍게 형성된다. 또한, 상기 제 1 투과영역(I)을 통해 광이 모두 투과된 영역에는 상기 제 2 감광막이 완전히 제거되는데, 이것은 포지티브 포토레지스트를 사용했기 때문이며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 네거티브 포토레지스트를 사용하여도 무방하다.
다음으로, 도 8d에 도시된 바와 같이, 상기와 같이 형성된 제 1 감광막패턴(270a) 내지 제 6 감광막패턴(270f)을 마스크로 하여, 그 하부에 형성된 제 2 도전막과 제 1 n+ 비정질 실리콘 박막패턴을 선택적으로 제거하게 되면, 상기 어레이 기판(110)의 화소부에 상기 n+ 비정질 실리콘 박막으로 이루어지며 상기 소오스/드레인(122, 123)과 동일한 형태로 패터닝된 오믹-콘택층(125n)이 형성되게 된다.
이때, 상기 오믹-콘택층(125n)은 상기 액티브패턴(124)의 소오스/드레인영역과 상기 소오스/드레인전극(122, 123) 사이를 오믹-콘택시키는 역할을 하게 된다.
이후, 도 8e에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 감광막패턴 내지 제 6 감광막패턴의 일부를 제거하는 애싱공정을 진행하여 상기 제 2 투과영역(II)의 제 2 감광막패턴 내지 제 6 감광막패턴을 완전히 제거한다.
이때, 상기 제 1 감광막패턴은 상기 제 2 감광막패턴 내지 제 6 감광막패턴의 두께만큼이 제거된 제 7 감광막패턴(270a')으로 상기 차단영역(III)에 대응하는 화소전극영역에만 남아있게 된다.
이후, 도 8f에 도시된 바와 같이, 상기 남아있는 제 7 감광막패턴(270a')을 마스크로 하여 상기 제 3 도전막의 일부를 제거함으로써 상기 어레이 기판(110)의 화소부에 상기 제 3 도전막으로 이루어진 화소전극(118)이 형성되게 된다.
이때, 상기 화소전극(118)은 별도의 콘택홀 없이 상기 드레인전극(123)의 일부와 직접 접속함으로써 상기 콘택홀을 형성하는데 필요한 마스크공정을 생략할 수 있는 이점이 있다.
다음으로, 도 5d 및 도 6d에 도시된 바와 같이, 상기 화소전극(118)이 형성된 어레이 기판(110) 전면에 보호막(115b)을 형성한 후, 포토리소그래피공정(제 4 마스크공정)을 통해 선택적으로 제거함으로써 상기 어레이 기판(110)의 데이터패드부 및 게이트패드부에 각각 상기 데이터패드라인(117p) 및 게이트패드라인(116p)의 일부를 노출시키는 제 1 콘택홀(140a)과 제 2 콘택홀(140b)을 형성한다.
그리고, 도 5e 및 도 6e에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 콘택홀(140a)과 제 2 콘택홀(140b)이 형성된 상기 보호막(115b) 전면에 투명한 도전물질로 이루어진 제 4 도전막을 형성한 후, 포토리소그래피공정(제 5 마스크공정)을 이용하여 선택적으로 패터닝함으로써 상기 화소영역 내에 다수개의 슬릿(108s)을 가진 공통전극(108)을 형성한다.
이때, 상기 제 5 마스크공정을 이용하여 상기 제 4 도전막을 선택적으로 패 터닝함으로써 상기 데이터패드부 및 게이트패드부에 각각 상기 제 1 콘택홀(140a) 및 제 2 콘택홀(140b)을 통해 상기 데이터패드라인(117p) 및 게이트패드라인(116p)에 전기적으로 접속하는 데이터패드전극(127p) 및 게이트패드전극(126p)을 형성하게 된다.
이때, 상기 제 4 도전막은 상기 공통전극(108)과 데이터패드전극(127p) 및 게이트패드전극(126p)을 형성하기 위해 인듐-틴-옥사이드 또는 인듐-징크-옥사이드와 같은 투과율이 뛰어난 투명한 도전물질을 포함한다.
또한, 상기 본 발명의 제 1 실시예에 따른 공통전극(108)은 화소부 전체에 걸쳐 단일패턴으로 이루어지며, 상기 화소전극(118)이 형성된 화소영역 내에는 상기 공통전극(108)에 다수개의 슬릿(108s)이 형성되게 된다.
이때, 상기 공통전극(108)은 화소부 전체에 걸쳐 단일패턴으로 이루어짐에 따라 상기 다수개의 슬릿(108s)이 형성되지 않은 영역인 게이트라인(116)과 데이터라인(117) 및 박막 트랜지스터 상부에도 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
참고로, 상기 화소부는 모든 화소영역이 모여 화상을 표시하는 어레이 기판(110)의 화상표시 영역을 의미한다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 횡전계방식 액정표시장치의 어레이 기판 일부를 개략적으로 나타내는 평면도로써, 멀티-도메인(multi-domain) 구조를 가짐으로써 시야각이 더욱 향상된 것을 제외하고는 상기 제 1 실시예의 횡전계방식 액정표시장치와 동일한 구성요소로 이루어져 있다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 어레이 기판(210) 에는 상기 어레이 기판(210) 위에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인(216)과 데이터라인(217)이 형성되어 있다. 또한, 상기 게이트라인(216)과 데이터라인(217)의 교차영역에는 스위칭소자인 박막 트랜지스터가 형성되어 있으며, 상기 화소영역 내에는 횡전계를 발생시켜 액정(미도시)을 구동시키는 다수개의 슬릿(208s)을 가진 공통전극(미도시)과 박스형태의 화소전극(218)이 형성되어 있다.
상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트라인(216)에 연결된 게이트전극(221), 상기 데이터라인(217)에 연결된 소오스전극(222) 및 상기 화소전극(218)에 전기적으로 접속된 드레인전극(223)으로 구성되어 있다. 또한, 상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트전극(221)에 공급되는 게이트 전압에 의해 상기 소오스전극(222)과 드레인전극(223) 간에 전도채널을 형성하는 액티브패턴(미도시)을 포함한다.
이때, 상기 소오스전극(222)의 일부는 일방향으로 연장되어 상기 데이터라인(217)의 일부를 구성하며, 상기 드레인전극(223)의 일부는 화소영역 쪽으로 연장되어 별도의 콘택홀 없이 직접 상기 화소전극(218)에 전기적으로 접속하게 된다.
전술한 바와 같이 상기 화소영역 내에는 횡전계를 발생시키기 위한 다수개의 슬릿(208s)을 가진 공통전극과 화소전극(218)이 형성되어 있는데, 이때 상기 화소전극(218)은 상기 화소영역 내에 박스형태로 형성되어 있으며, 상기 공통전극은 화소부 전체에 걸쳐 단일패턴으로 형성되는 동시에 각각의 화소영역 내에서 다수개의 슬릿(208s)을 가지도록 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 제 1 실시예의 액정표시장치와 동일하게 프린지 필드 스위칭방식의 액정표시장치를 예를 들어 나타내고 있으며, 이를 위하여 상기 공통전극의 전극 간격, 즉 상기 슬릿(208s)의 폭이 상기 공통전극의 전극의 폭에 비해 조밀하게 형성되게 된다.
또한, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 공통전극의 슬릿(208s)이 상기 게이트라인(216)에 대해 소정의 기울기를 가지며, 상기 화소영역의 중앙부를 기준으로 서로 대칭이 되도록 형성되어 있어 액정분자가 2방향으로 배열되어 2-도메인을 형성함으로써 모노-도메인에 비해 시야각이 더욱 향상되게 된다. 참고로, 상기 2-도메인 이상의 멀티-도메인을 형성하는 IPS 구조를 S-IPS(Super-IPS) 구조라 한다.
이와 같이 구성된 상기 어레이 기판(210)의 가장자리 영역에는 상기 게이트라인(216)과 데이터라인(217)에 각각 전기적으로 접속하는 게이트패드전극(226p)과 데이터패드전극(227p)이 형성되어 있으며, 외부의 구동회로부(미도시)로부터 인가 받은 주사신호와 데이터신호를 각각 상기 게이트라인(216)과 데이터라인(217)에 전달하게 된다.
즉, 상기 게이트라인(216)과 데이터라인(217)은 구동회로부 쪽으로 연장되어 각각 해당하는 게이트패드라인(216p)과 데이터패드라인(217p)에 연결되며, 상기 게이트패드라인(216p)과 데이터패드라인(217p)은 상기 게이트패드라인(216p)과 데이터패드라인(217p)에 각각 전기적으로 접속된 게이트패드전극(226p)과 데이터패드전극(227p)을 통해 구동회로부로부터 각각 주사신호와 데이터신호를 인가 받게 된다.
참고로, 도면부호 240a 및 240b는 각각 제 1 콘택홀 및 제 2 콘택홀을 나타내며, 이때 상기 데이터패드전극(227p)은 상기 제 1 콘택홀(240a)을 통해 상기 데 이터패드라인(217p)과 전기적으로 접속하고 상기 게이트패드전극(226p)은 상기 제 2 콘택홀(240b)을 통해 상기 게이트패드라인(216p)과 전기적으로 접속하게 된다.
이하, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법을 도면을 통해 상세히 설명한다.
도 10a 내지 도 10e는 도 9에 도시된 어레이 기판의 IXa-IXa'선과 IXb-IXb선 및 IXc-IXc선에 따른 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도로써, 좌측에는 화소부의 어레이 기판을 제조하는 공정을 나타내며 우측에는 차례대로 데이터패드부와 게이트패드부의 어레이 기판을 제조하는 공정을 나타내고 있다.
또한, 도 11a 내지 도 11e는 도 9에 도시된 어레이 기판의 제조공정을 순차적으로 나타내는 평면도이다.
도 10a 및 도 11a에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 투명한 절연물질로 이루어진 어레이 기판(210)의 화소부에 게이트전극(221)과 게이트라인(216)을 형성하며, 상기 어레이 기판(210)의 게이트패드부에 게이트패드라인(216p)을 형성한다.
이때, 상기 게이트전극(221)과 게이트라인(216) 및 게이트패드라인(216p)은 제 1 도전막을 상기 어레이 기판(210) 전면에 증착한 후 포토리소그래피공정(제 1 마스크공정)을 통해 선택적으로 패터닝하여 형성하게 된다.
다음으로, 도 10b 및 도 11b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트전극(221)과 게이트라인(216) 및 게이트패드라인(216p)이 형성된 어레이 기판(210) 전면에 게이트절연막(215a), 비정질 실리콘 박막, n+ 비정질 실리콘 박막 및 제 2 도전막을 형성한다.
이후, 포토리소그래피공정(제 2 마스크공정)을 통해 상기 비정질 실리콘 박막과 n+ 비정질 실리콘 박막 및 제 2 도전막을 선택적으로 제거함으로써 상기 어레이 기판(210)의 화소부에 상기 비정질 실리콘 박막으로 이루어진 액티브패턴(224)을 형성하며, 상기 액티브패턴(224) 상부에 상기 제 2 도전막으로 이루어진 소오스전극(222)과 드레인전극(223)을 형성한다.
이때, 상기 제 2 마스크공정을 통해 상기 어레이 기판(210)의 데이터라인부에 상기 제 2 도전막으로 이루어진 데이터라인(217)을 형성하는 동시에 상기 어레이 기판(210)의 데이터패드부에 상기 제 2 도전막으로 이루어진 데이터패드라인(217p)을 형성하게 된다.
이때, 상기 액티브패턴(124) 상부에는 상기 n+ 비정질 실리콘 박막으로 이루어지며 상기 액티브패턴(124)과 동일한 형태로 패터닝된 제 1 n+ 비정질 실리콘 박막패턴(225')이 형성되게 된다.
또한, 상기 데이터라인(217) 및 데이터패드라인(217p) 하부에는 각각 상기 비정질 실리콘 박막과 n+ 비정질 실리콘 박막으로 이루어지며 상기 데이터라인(217) 및 데이터패드라인(217p)과 동일한 형태로 패터닝된 제 1 비정질 실리콘 박막패턴(미도시)과 제 2 n+ 비정질 실리콘 박막패턴(미도시) 및 제 2 비정질 실리콘 박막패턴(220')과 제 3 n+ 비정질 실리콘 박막패턴(225")이 형성되게 된다.
여기서, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 상기 액티브패턴(224)과 소오스/드레인전극(222, 223) 및 데이터라인(217)은 하프-톤 마스크를 이용함으로써 한번의 마스크공정(제 2 마스크공정)을 통해 동시에 형성할 수 있게 된다.
다음으로, 도 10c 및 도 11c에 도시된 바와 같이, 상기 액티브패턴(224)과 소오스/드레인전극(222, 223) 및 데이터라인(217)이 형성된 어레이 기판(210) 전면에 제 3 도전막을 형성한다.
이후, 포토리소그래피공정(제 3 마스크공정)을 이용하여 상기 제 3 도전막을 선택적으로 패터닝함으로써 상기 어레이 기판(210)의 화소부에 상기 드레인전극(223)과 직접 접속하는 화소전극(218)을 형성한다.
이때, 상기 제 3 마스크공정을 통해 상기 제 1 n+ 비정질 실리콘 박막패턴이 선택적으로 제거되어 상기 액티브패턴(224)의 소오스/드레인영역과 상기 소오스/드레인전극(222, 223) 사이를 오믹-콘택시키는 오믹-콘택층(225n)이 형성되게 된다.
이와 같이 상기 본 발명의 제 2 실시예는 상기 제 1 실시예의 경우와 동일하게 상기 제 3 마스크공정에 하프-톤 마스크를 이용함으로써 상기 화소전극(218)과 오믹-콘택층(225n)을 한번의 마스크공정을 통해 형성할 수 있게 된다.
이때, 상기 화소전극(218)은 별도의 콘택홀 없이 상기 드레인전극(223)의 일부와 직접 접속함으로써 상기 콘택홀을 형성하는데 필요한 마스크공정을 생략할 수 있는 이점이 있다.
다음으로, 도 10d 및 도 11d에 도시된 바와 같이, 상기 화소전극(218)이 형성된 어레이 기판(210) 전면에 보호막(215b)을 형성한 후, 포토리소그래피공정(제 4 마스크공정)을 통해 선택적으로 제거함으로써 상기 어레이 기판(210)의 데이터패드부 및 게이트패드부에 각각 상기 데이터패드라인(217p) 및 게이트패드라인(216p)의 일부를 노출시키는 제 1 콘택홀(240a)과 제 2 콘택홀(240b)을 형성한다.
그리고, 도 10e 및 도 11e에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 콘택홀(240a)과 제 2 콘택홀(240b)이 형성된 상기 보호막(215b) 전면에 투명한 도전물질로 이루어진 제 4 도전막을 형성한 후, 포토리소그래피공정(제 5 마스크공정)을 이용하여 선택적으로 패터닝함으로써 상기 화소영역 내에 다수개의 슬릿(208s)을 가진 공통전극(208)을 형성한다.
이때, 상기 제 5 마스크공정을 이용하여 상기 제 4 도전막을 선택적으로 패터닝함으로써 상기 데이터패드부 및 게이트패드부에 각각 상기 제 1 콘택홀(240a) 및 제 2 콘택홀(240b)을 통해 상기 데이터패드라인(217p) 및 게이트패드라인(216p)에 전기적으로 접속하는 데이터패드전극(227p) 및 게이트패드전극(226p)을 형성하게 된다.
이때, 전술한 바와 같이 상기 본 발명의 제 2 실시예에 따른 횡전계방식 액정표시장치는 상기 공통전극(208)의 슬릿(208s)이 상기 게이트라인(216)에 대해 소정의 기울기를 가지며, 상기 화소영역의 중앙부를 기준으로 서로 대칭이 되도록 형성되어 있어 액정분자가 2방향으로 배열되어 2-도메인을 형성함으로써 모노-도메인에 비해 시야각이 더욱 향상되게 된다.
이와 같이 구성된 상기 본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예의 어레이 기판은 화상표시 영역의 외곽에 형성된 실런트에 의해 컬러필터 기판과 대향하여 합착되게 되는데, 이때 상기 컬러필터 기판에는 상기 박막 트랜지스터와 게이트라인 및 데이터라인으로 빛이 새는 것을 방지하는 블랙매트릭스와 적, 녹 및 청색의 컬러를 구현하기 위한 컬러필터가 형성되어 있다.
이때, 상기 컬러필터 기판과 어레이 기판의 합착은 상기 컬러필터 기판 또는 어레이 기판에 형성된 합착키를 통해 이루어진다.
전술한 바와 같이 상기 본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예는 액티브패턴으로 비정질 실리콘 박막을 이용한 비정질 실리콘 박막 트랜지스터를 예를 들어 설명하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 본 발명은 상기 액티브패턴으로 다결정 실리콘 박막을 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에도 적용된다.
또한, 본 발명은 액정표시장치뿐만 아니라 박막 트랜지스터를 이용하여 제작하는 다른 표시장치, 예를 들면 구동 트랜지스터에 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Diodes; OLED)가 연결된 유기전계발광 디스플레이장치에도 이용될 수 있다.
상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법은 박막 트랜지스터 제조에 사용되는 마스크수를 줄여 제조공정 및 비용을 절감시키는 효과를 제공한다.
또한, 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법은 액티브패턴의 백 채널이 오염되는 것을 차단함으로써 박막 트랜지스터의 특성저하를 방지할 수 있게 된다.

Claims (15)

  1. 화소부와 데이터패드부 및 게이트패드부로 구분되는 제 1 기판을 제공하는 단계;
    상기 제 1 기판의 화소부에 게이트전극과 게이트라인을 형성하는 단계;
    상기 제 1 기판 위에 게이트절연막을 형성하는 단계;
    상기 제 1 기판의 화소부에 액티브패턴과 소오스/드레인전극을 형성하며, 상기 액티브패턴 위에 상기 액티브패턴과 동일한 형태로 패터닝된 n+ 비정질 실리콘 박막패턴을 형성하는 단계;
    상기 제 1 기판의 화소부에 상기 게이트라인과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터라인을 형성하는 단계;
    상기 화소영역에 상기 드레인전극의 일부와 직접 접속하는 화소전극을 형성하며, 상기 n+ 비정질 실리콘 박막패턴의 일부를 제거하여 오믹-콘택층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 기판 위에 보호막을 형성하는 단계;
    상기 제 1 기판의 화소부에 다수개의 슬릿을 가진 공통전극을 형성하는 단계; 및
    상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하는 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 어레이 기판의 게이트패드부에 게이트패드라인을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 게이트전극과 게이트라인 및 게이트패드라인은 동일한 마스크공정을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 어레이 기판의 데이터패드부에 데이터패드라인을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 액티브패턴과 소오스/드레인전극과 데이터라인 및 데이터패드라인은 동일한 마스크공정을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 보호막의 일부영역을 제거하여 상기 데이터패드라인 및 게이트패드라인의 일부를 각각 노출시키는 제 1 콘택홀 및 제 2 콘택홀을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 어레이 기판의 데이터패드부 및 게이트패드부에 각각 상기 제 1 콘택홀 및 제 2 콘택홀을 통해 상기 데이터패드라인 및 게이트패드라인에 전기적으로 접속하는 데이터패드전극 및 게이트패드전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 공통전극과 데이터패드전극 및 게이트패드전극은 동일한 마스크공정을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 화소전극과 오믹-콘택층은 동일한 마스크공정을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 화소전극은 박스형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 오믹-콘택층은 상기 소오스전극 및 드레인전극과 동일한 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 화소부는 다수개의 화소영역으로 이루어진 것을 특 징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 공통전극은 상기 화소부 전체에 걸쳐 단일패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법.
  14. 제 1 항에 있어서, 상기 공통전극의 슬릿은 상기 게이트라인에 대해 소정의 기울기를 가지며, 상기 화소영역의 중앙부를 기준으로 서로 대칭이 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법.
  15. 제 1 항에 있어서, 상기 공통전극은 상기 게이트라인과 데이터라인 및 박막 트랜지스터 상부에도 형성되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법.
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