KR20080079358A - 박막 형성 기판과 그 박막 형성 장치 - Google Patents

박막 형성 기판과 그 박막 형성 장치 Download PDF

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KR20080079358A
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츠토무 타키자와
타카미치 나카야마
쿠니히로 카시와기
유이치 사카모토
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미크로 덴시 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 액정 디스플레이의 투명 전극 등에 이용할 수 있을 정도로 저항률을 감소시킨 ZnO 박막의 형성 기판과 그 박막 형성 장치를 제공하는 것으로, 성막재인 Zn재를 증발시키고, 증발한 Zn재를 마이크로파 산소 플라즈마로 산화시키고, ZnO 화합물을 기판에 퇴적하여 박막 형성하고, 또한 박막 형성한 ZnO 박막을 마이크로파 수소 플라즈마에 쬐어 저항률을 감소시켜 도전성을 부여한 ZnO 박막의 형성 기판과 그 박막 형성 장치로 되어 있다.
투명 전극, 저항률, ZnO 박막, Zn, 산소 플라즈마, 수소 플라즈마

Description

박막 형성 기판과 그 박막 형성 장치{THIN FILM FORMED SUBSTRATE AND THIN FILM FORMING APPARATUS}
도 1은 제1실시 형태로서 나타낸 박막 형성 장치의 간략도이다.
　 도 2는 상기의 박막 형성 장치에 의해 조사한 수소 플라즈마(plasma)의 조사 시간과 ZnO 박막의 저항 변화를 나타내는 특성도이다.
　 도 3은 상기한 ZnO 박막의 결정성을 나타내는 특성도이다.
　 도 4는 다수의 유리 기판을 연속적으로 박막 형성하는 구성으로 한 제2실시 형태를 나타내는 박막 형성 장치의 간략도이다.
　 도 5는 제3실시 형태로서 나타낸 박막 형성 장치의 간략도이다.
　 도 6은 종래예로서 나타낸 박막 형성 장치의 간략도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
11, 21, 41, 71: 챔버(chamber)
13, 25, 46: 산소 플라즈마(plasma)
14, 27, 47a, 47b: 증발원(증발 수단)
17, 30, 48: 유리 기판
19, 23, 50, 73: 진공 펌프
20, 24: O2 봄베(bomb)
22, 44a, 44b, 44c, 75: 마이크로파(microwave) 창
26, 74: H2 봄베
42: 전 예비실
43: 후 예비실
45a, 45b, 45c: 도파관
49, 54: 전송 롤러(roller)
51, 52: 가스 공급 장치
53a, 53b: 셔터(shutter)
70: 투명 박막 형성 기판
70a: ZnO 박막
72: 수소 플라즈마
P: 마이크로파 전력　
본 발명은 산소 플라즈마(plasma)에 의해 산화하여 기판면에 퇴적시킨 ZnO 박막을 수소 플라즈마에 쬐어 도전성 박막으로 개질시킨 박막 형성 기판과 그 박막 형성 장치에 관한 것이다.
　 ZnO(산화아연) 박막의 형성 장치에는 각종의 것이 있지만, 그 일례를 도 6에 나타낸다.
　 도 6은 RF 성막 장치의 간략도이다.
　 도시하는 바와 같이, 이 RF 성막 장치는 챔버(chamber)(11) 내에 설치되어 있는 코일 안테나(coil antenna)(12)를 13.56MHz 정도의 고주파 전력원(RF)에 의해 급전함으로써, 이 코일 안테나(12)로부터 산소 플라즈마(13)를 발생시키는 구성으로 되어 있다.
　 또, 이 RF 성막 장치는 챔버(11) 내의 하방부에 성막재인 아연(Zn)재를 증발시키는 증발원(증발 수단)(14)을 구비하고 있다.
　 이 증발원(14)은 Zn재를 도전성 용기에 내장시킨 형태의 것으로, 도전성 용기에 전류를 흐르게 함으로써 이 용기를 저항 가열시키고 내부의 Zn재를 증발시킨다.
　 또한, 챔버(11) 내에는 지지 기둥(15)이 설치되고, 이 지지 기둥(15)의 선단부에 설치된 지지 도구(16)에 의해 유리 기판(17)을 산소 플라즈마(13)의 상방에 수평으로 지지하게 되어 있다.
　 또한, 이 유리 기판(17)은 챔버(11)의 상방부에 구비된 기판 가열 장치(18)에 의해 균일 가열된다.
　 또, 이 RF 성막 장치는 챔버(11) 내가 진공 펌프(19)에 의해 감압됨과 아울러, O2 봄베(bomb)(20)로부터 챔버(11) 내로 산소 가스가 공급된다.
　 상기한 RF 성막 장치는 증발원(14)의 저항 가열에 의해 증발한 Zn재가 산소 플라즈마(13)에 의해 산화되고, ZnO 화합물로서 유리 기판(17)에 퇴적하고 유리 기판면에 투명한 박막이 형성된다.
　 이와 같이 형성되는 투명 박막은 표면파 디바이스(device), 압전 박막, 밴드 패스 필터(band pass filter) 등에 유효하게 이용된다.
　 한편, 상기와 같이 형성한 ZnO 박막은 광의 투과율이 81% 정도로 높지만, 전기적으로는 절연물(예를 들면, 저항률 1×1013Ω／cm2, 막 두께 200μm)로 된다.
　 따라서, 전기 절연물의 투명 박막으로서는 유효하지만, 투명 박막의 도전성재(예를 들면, 액정 디스플레이 등의 투명 전극 등)로서는 사용할 수가 없었다.
　 이로부터, 종래에는 ZnO 박막에 Al(알루미늄)이나 Ga(갈륨)을 함유시키고, 이 ZnO 박막의 저항률을 감소시키는 방법이 취해지고 있었지만, Al, Ga을 함유시키는 처리 장치가 복잡하게 되는데다, 장치 제어의 파라미터(parameter)가 많아지거나 하기 때문에, 고가의 박막 형성으로 되고 실용적으로 충분한 것은 아니었다.
그래서, 본 발명은 상기한 실정에 비추어, 전기 저항이 적은 ZnO 박막의 형성 기판과 그 박막을 간단하게 형성할 수가 있는 박막 형성 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서는 제1의 발명으로서 ZnO 화합물 을 기판에 퇴적시킨 투명 박막 형성 기판을 수소 플라즈마에 쬐고, 투명 박막의 저항률을 감소시키고 도전성 박막으로 개질시켜 구성한 것을 특징으로 하는 박막 형성 기판을 제안한다.
제2의 발명으로서는, 상기한 제1의 발명의 박막 형성 기판에 있어서, 상기 투명 박막 형성 기판을 마이크로파(microwave) 수소 플라즈마에 쬐고, 도전성 박막으로 개질시킨 것을 특징으로 하는 박막 형성 기판을 제안한다.
　 제3의 발명으로서는,　상기한 제1의 발명의 박막 형성 기판에 있어서, Zn재를 마이크로파 산소 플라즈마에 쬐어 ZnO 화합물로서 기판에 퇴적시켜 상기 투명 박막 형성 기판을 형성하고, 이 투명 박막 형성 기판을 마이크로파 수소 플라즈마에 쬐어 도전성 박막의 개질을 행하여 구성한 것을 특징으로 하는 박막 형성 기판을 제안한다.
　 제4의 발명으로서는,　ZnO 화합물을 기판에 퇴적시킨 투명 박막 형성 기판을 수소 플라즈마에 쬐고, 투명 박막의 저항률을 감소시켜 도전성 박막으로 개질하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치를 제안한다.
　 제5의 발명으로서는,　상기 제4의 발명의 박막 형성 장치에 있어서, 상기 투명 박막 형성 기판은 성막재로서 Zn재를 증발시키고, 증발한 Zn재를 마이크로파 산소 플라즈마에 쬐어 ZnO 화합물로서 기판에 퇴적시켜 구성한 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치를 제안한다.
　 제6의 발명으로서는, 감압실에 마이크로파 전력과 산소 가스를 공급하여 마이크로파 산소 플라즈마를 발생시키는 산소 플라즈마 발생 수단과, 상기 감압실에 마이크로파 전력과 수소 가스를 공급하여 마이크로파 수소 플라즈마를 발생시키는 수소 플라즈마 발생 수단과, 상기 감압실 내에 설치하여 성막재인 Zn재를 증발시키는 증발 수단과, 상기 감압실 내에 설치하고, 상기 마이크로파 산소 플라즈마에 의해 가열하는 기판을 구비하고, 산소 플라즈마를 발생시키고, 증발하여 마이크로파 산소 플라즈마에 의해 산화된 Zn재의 ZnO 화합물을 상기 기판에 퇴적시켜 성막 형성하고, 산소 플라즈마에 변경하여 마이크로파 수소 플라즈마를 발생시키고, 상기 기판에 성막 형성한 ZnO 박막을 수소 플라즈마에 쬐어 저항률을 감소시키고 도전성 박막으로 개질시키는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치를 제안한다.
　 제7의 발명으로서는, 상기 제6의 발명의 박막 형성 장치에 있어서, 상기 플라즈마 발생 수단은 마이크로파 전력을 공급하는 마이크로파 창을 감압실 내의 저부측에 설치하고, 상기 증발 수단을 그 마이크로파 창과 동일 높이로 되는 감압실 내의 저부측 또는 마이크로파 창보다 높은 위치로 되는 감압실의 내측 위치에 설치한 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치를 제안한다.
　 상기한 바와 같이,　제1의 발명의 박막 형성 기판은 ZnO 화합물을 퇴적시킨 투명 박막 기판을 수소 플라즈마에 쬐고, 투명 박막의 전기 저항을 감소시킨다.
　 즉, 수소 플라즈마의 표면 개질 효과에 의해 ZnO 박막에 도전성을 부여할 수가 있고, 도전성이 있는 투명 박막 기판을 얻을 수가 있다.
　 따라서, 본 발명에 의해 얻어지는 투명 박막 기판은 액정 디스플레이 등의 전극이나 회로로서 유효한 것으로 된다.
　 또한, 투명 전극 등과 같이 투명 부품으로서 사용하는 경우는 ZnO 화합물을 퇴적시키는 기판도 투명판으로 한다.
　 또, 이 발명의 박막 형성 기판의 형성에는, 제2의 발명과 같이 마이크로파 수소 플라즈마, 혹은 제3의 발명과 같이 마이크로파 산소 플라즈마와 마이크로파 수소 플라즈마를 이용할 수가 있다.
　 종래, 이러한 전극으로서 ITO 전극이 널리 사용되고 있지만, 이 ITO 전극은 독성이 있는 인듐(indium)을 포함한다고 하는 문제가 있는 외에, 인듐의 자원이 부족하다는 것 등으로부터 고가의 전극으로 되어 있지만, 상기한 투명 박막 기판에 의하면 이러한 문제를 충분히 해결할 수가 있다.
　 그 외에, 본 발명에 의해 얻어지는 투명 박막 기판은 자동차의 흐림 방지 기능이 있는 창유리, 고속도로의 ETC 전파 차폐판, 도난 방지 기능이 있는 창유리 등에 사용할 수 있는 외에, 플랫 디스플레이(flat display)의 전극이나 회로, 자동차 안테나, 태양전지, LED 등에 사용할 수가 있다.
　 제4의 발명은 상기한 박막 형성 기판의 박막 형성 장치를 제안하는 것이고, 이 박막 형성 장치는 제5의 발명과 같이, Zn재를 증발시키고, 이 Zn재를 마이크로파 산소 플라즈마에 쬠으로써 ZnO 화합물을 생성하여 기판에 퇴적시키는 구성으로 할 수가 있다.
　 그러나, ZnO 화합물을 퇴적시키는 방법으로서는 제5의 발명의 박막 형성 장치에 의하는 일 없이, 종래예로 설명한 FR 성막 장치에 의해 성막하여 투명 박막 기판을 제작해도 좋다.
　 또한, ZnO 화합물을 퇴적시키는 기판으로서는 유리, 합성수지 등을 이용할 수가 있다.
　 제6의 발명의 박막 형성 장치는 ZnO 화합물을 기판에 퇴적시키는 공정과, 퇴적시켜 성막한 ZnO 박막을 도전성으로 바꾸는 공정을 구비한 구성으로 하고 있다.
즉, 이 박막 형성 장치는 먼저, 마이크로파 전력과 산소 가스를 공급하여 감압실 내에 마이크로파 산소 플라즈마를 발생시킨다.
　 그리고, 성막재인 Zn재를 증발시키고, Zn재를 산소 플라즈마에 쬐어 ZnO 화합물을 생성하여 기판에 퇴적시킨다.
　 이어서, 산소 가스의 공급을 멈추고, 수소 가스를 공급하여 감압실 내에 마이크로파 수소 플라즈마를 발생시킨다.
　 이에 의해, 수소 플라즈마의 표면 개질 효과에 의해 ZnO 박막이 절연성에서 도전성으로 바뀌어, 도전성의 투명 박막 기판이 얻어진다.
　 제7의 발명의 박막 형성 장치는 증발 수단을 마이크로파 창에 대해서 동일 높이 또는 높은 위치에 배치함으로써, 증발한 Zn재나 ZnO 화합물이 마이크로파 창측으로 향하지 않게 하고 있다.
즉, 증발한 Zn재나 ZnO 화합물이 마이크로파 창(석영 유리 등)에 부착하는 것을 방지하는 구성으로 되어 있다.
다음에, 본 발명의 실시 형태에 대해서 도면을 따라 설명한다.
　 도 1은 본 발명의 제1실시 형태로서 나타낸 박막 형성 장치의 간략도이다.
　 이 박막 형성 장치는 챔버(chamber)(21)의 일측부에 마이크로파(microwave) 창(22)을 설치하고, 이 마이크로파 창(22)으로부터 마이크로파 전력(P)을 챔버(21) 내로 공급한다.
　 또한, 본 실시 형태에서는 석영 유리에 의해 형성한 마이크로파 창(22)으로 되어 있고, 마이크로파 발진원으로부터 발진된 마이크로파 전력을 도파관을 개재하여 마이크로파 창으로 보내고, 마이크로파 전력을 이 마이크로파 창(22)으로부터 챔버(21) 내로 조사하는 구성으로 하고 있다.
　 또, 이 실시 형태에서는 진공 펌프(23)에 의해 챔버(21) 내를 감압함과 아울러, O2 봄베(bomb)(24)로부터 챔버(21) 내로 산소 가스를 공급하도록 하여 챔버(21) 내에 산소 플라즈마(plasma)(25)를 발생시키고, 또한 산소 가스에 교환하여 수소 가스를 챔버(21) 내로 공급하여 마이크로파 수소 플라즈마를 발생시키는 H2 봄베(26)를 구비하고 있다.
　 또한, 플라즈마는 마이크로파 표면파 플라즈마로서 발생한다.
　 그 외에, 도시하는 참조 부호 27은 Zn재를 증발시키는 종래예와 마찬가지의 증발원(증발 수단), 28, 29는 가스 공급로에 설치한 밸브, 30은 유리 기판, 31, 32는 유리 기판(30)의 지지 기둥과 지지 도구를 각각 나타낸다.
　 상기한 박막 형성 장치는 마이크로파 전력(P)을 챔버(21) 내에 조사함과 아울러, 먼저 H2 봄베(26)로부터의 수소 가스의 공급을 멈춘 상태로, O2 봄베(24)로부터 산소 가스를 공급하고, 챔버(21) 내에 마이크로파 산소 플라즈마(25)를 발생시킨다.
　 이에 의해, 증발원(27)으로부터 증발한 Zn재가 산소 플라즈마(25)에 의해 산 화되고, 산화물로서의 ZnO 화합물이 유리 기판(30)에 퇴적하고, 이 유리 기판(30)에 투명 박막이 형성된다.
　 이어서, O2 봄베(24)로부터의 산소 가스의 공급을 멈추고, H2 봄베(26)로부터 수소 가스를 공급하여 챔버(21) 내에 마이크로파 수소 플라즈마를 발생시킨다.
　 이에 의해, 유리 기판(30)에 퇴적한 ZnO 화합물의 투명 박막이 수소 플라즈마에 쬐어지고, 수소 플라즈마의 표면 개질 효과에 의해 ZnO 박막의 저항값이 감소하여 도전성 박막의 형성 기판이 얻어진다.
　 도 2는 수소 플라즈마의 조사 시간과 ZnO 박막의 저항 변화의 관계를 나타낸 특성도이다.
　 본 실시 형태에서는 막 두께 200(μm) 정도의 ZnO 박막을 형성했지만, 이 특성도에 나타내듯이 약 1분(60초)의 수소 플라즈마의 조사에 대해, 1013 단위의 저항률로부터 102 단위의 저항률로 극단적으로 감소하는 것이 판명되었다.
　 도 3은 상기와 같이 형성한 ZnO 박막을 XRD(X선 회절 장치)에 의해 검사한 결과를 나타내는 특성도이다.
　 이 특성도에 있어서, 가로축은 시료로서의 ZnO 박막에 조사하는 X선의 각도, 세로축은 회절선의 피크(peak)의 강도를 나타낸다.
　 이 특성도로부터 알 수 있는 바와 같이, ZnO 박막은 회절선의 피크가 3개, 즉, 결정 구조가 3종류인 다결정 박막으로 되는 것이 판명되었다.
　 또한, 본 실시 형태에서 생산한 ZnO 박막은 97(%)(λ= 550「nm」)의 높은 투 과율로 되는 것을 알았다.
　 도 4는 본 발명의 제2실시 형태로서 나타낸 박막 형성 장치의 간략도이다.
　 이 제2실시 형태에서는 유리 기판을 챔버로 순차적으로 보내고, 각각의 유리 기판에 연속적으로 도전성 박막을 형성하는 구성으로 되어 있다.
　 본 실시 형태의 박막 형성 장치는 챔버(41)의 반입구(41a)측에 전 예비실(42)을 구비하고, 챔버(41)의 반출구(41b)측에 후 예비실(43)을 구비하고 있다.
　 챔버(41)는 저면측에 복수의 마이크로파 창(44a, 44b, 44c)을 설치하고, 도파관(45a, 45b, 45c)을 개재하여 보내어진 마이크로파 전력을 그들의 마이크로파 창(44a, 44b, 44c)으로부터 공급하고, 챔버(41) 내에 넓은 범위의 표면파 산소 플라즈마(46)와 표면파 수소 플라즈마를 발생시킨다.
　 또, 챔버(41) 내에는 복수의 증발원(47a, 47b)을 설치하고, 이들 증발원(47a, 47b)으로부터 Zn재를 상방으로 증발시킨다.
　 또한, 유리 기판(48)은 전송 롤러(49)에 의해 챔버(41) 내로 보내지만, 전송 롤러(49)를 정회전, 역회전시켜 유리 기판(48)을 적은 거리에서 왕복동시키면서 ZnO의 막을 형성한다.
　 또한, 챔버(41)에는 감압하기 위한 진공 펌프(50), O2 가스와 H2 가스를 공급하는 가스 공급 장치(51, 52)가 설치되어 있다.
　 전 예비실(42)은 유리 기판(48)의 송입구와 송출구에 셔터(shutter)(53a, 53b)를 구비하고, 셔터(53b)를 닫은 상태에서 셔터(53a)를 열어 유리 기판(48)을 전 예비실(42) 내로 삽입한다. 이 경우, 도시 이점쇄선으로 나타내는 바와 같이, 유리 기판(48)이 전송 롤러(54)에 의해 이송된다.
　 유리 기판(48)이 전 예비실(42)로 송입되면 셔터(53a)가 닫히고, 그 후 진공 펌프(55)에 의해 전 예비실(42) 내가 감압된다.
이어서, 셔터(53b)가 열리고, 유리 기판(48)이 도시 실선으로 나타내는 바와 같이, 전 예비실(42)로부터 챔버(41) 내로 반입되고, ZnO막의 성막 동작이 행해진다.
　 이 성막 동작에서는 산소 플라즈마(46)를 발생시키고, 이미 기술한 바와 같이, ZnO 화합물을 유리 기판(48)에 퇴적하여 성막시킨 후, 수소 플라즈마를 발생시켜 ZnO 박막을 도전화시킨다.
　 후 예비실(43)은 전 예비실(42)과 마찬가지로, 유리 기판(48)의 송입구와 송출구에 셔터(56a, 56b)를 구비하고 있다.
　 이 후 예비실(43)은 성막 형성한 유리 기판(48)을 챔버(41)로부터 반출시킬 때에 진공 펌프(57)에 의해 감압하고, 그 후 셔터(56a)를 열고 유리 기판(48)을 후 예비실(43) 내로 보낸다. 이 이송은 전송 롤러(49, 58)로 행해진다.
　 도시 이점쇄선으로 나타내듯이 유리 기판(48)이 후 예비실(43) 내로 이송되면 셔터(56a)가 닫히고, 셔터(56b)가 열리고, 유리 기판(48)이 후 예비실(43)로부터 송출된다.
　 상기한 것처럼, 본 실시 형태에 의하면 유리 기판(48)이 전 예비실(42), 챔버(41), 후 예비실(43)로 반송됨으로써 도전성의 ZnO 박막이 형성되기 때문에, 다 수의 유리 기판의 연속 성막이 가능하게 됨과 아울러, 면적이 넓은 유리 기판에 대해서도 박막 형성할 수가 있다.
　 또, 이 제2실시 형태와 같이 증발원을 마이크로파 창보다 위의 위치에 설치함으로써, 증발한 Zn재나 그 화합물 ZnO가 마이크로파 창에 부착하는 것을 방지할 수가 있다.
　 도 5는 제3실시 형태로서 나타낸 박막 형성 장치의 간략도이다.
　 본 실시 형태는 ZnO 박막(70a)을 형성한 투명 박막 형성 기판(70)을 별도로 미리 생산하고, 그 투명 박막 형성 기판(70)을 챔버(71) 내에 장비하고, ZnO 박막을 수소 플라즈마(72)에 의해 쬐어 도전성으로 개질시키는 구성으로 하고 있다.
　 또한, 이 도에 있어서 73은 진공 펌프, 74는 H2 봄베, P는 마이크로파 전력, 75는 마이크로파 창이다.
　 이상, 바람직한 실시 형태에 대해서 설명하였지만 ZnO 박막에 대해서는, 반드시 마이크로파 산소 플라즈마를 이용하는 일 없이, FR 성막 장치 등을 이용하여 성막 형성해도 좋다.
　 그리고, ZnO 박막을 도전성으로 개질하는 수소 플라즈마는 마이크로파 수소 플라즈마의 외에, FR 성막 장치에 H2 가스를 공급하여 발생시킨 수소 플라즈마 등을 이용할 수가 있다.
본 발명은 전기 저항이 적은 ZnO 박막의 형성 기판과 그 박막을 간단하게 형 성할 수가 있는 박막 형성 장치를 제공한다.

Claims (7)

  1. ZnO 화합물을 기판에 퇴적시킨 투명 박막 형성 기판을 수소 플라즈마에 쬐고, 투명 박막의 저항률을 감소시켜 도전성 박막으로 개질시켜 구성한 것을 특징으로 하는 박막 형성 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    　 상기 투명 박막 형성 기판을 마이크로파 수소 플라즈마에 쬐고, 도전성 박막으로 개질시킨 것을 특징으로 하는 박막 형성 기판.
  3. 제1항에 있어서,
    　　 Zn재를 마이크로파 산소 플라즈마에 쬐어 ZnO 화합물로서 기판에 퇴적시켜 상기 투명 박막 형성 기판을 형성하고, 이 투명 박막 형성 기판을 마이크로파 수소 플라즈마에 쬐어 도전성 박막의 개질을 행하여 구성한 것을 특징으로 하는 박막 형성 기판.
  4. ZnO 화합물을 기판에 퇴적시킨 투명 박막 형성 기판을 수소 플라즈마에 쬐고, 투명 박막의 저항률을 감소시켜 도전성 박막으로 개질하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    　 상기 투명 박막 형성 기판은 성막재로서 Zn재를 증발시키고, 증발한 Zn재를 마이크로파 산소 플라즈마에 쬐어 ZnO 화합물로서 기판에 퇴적시켜 구성한 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  6. 감압실에 마이크로파 전력과 산소 가스를 공급하여 마이크로파 산소 플라즈마를 발생시키는 산소 플라즈마 발생 수단과,
    　 상기 감압실에 마이크로파 전력과 수소 가스를 공급하여 마이크로파 수소 플라즈마를 발생시키는 수소 플라즈마 발생 수단과,
    　 상기 감압실 내에 설치하여 성막재인 Zn재를 증발시키는 증발 수단과,
    　 상기 감압실 내에 설치하고, 상기 마이크로파 산소 플라즈마에 의해 가열하는 기판을 구비하고,
    　 산소 플라즈마를 발생시키고, 증발하여 마이크로파 산소 플라즈마에 의해 산화된 Zn재의 ZnO 화합물을 상기 기판에 퇴적시켜 성막 형성하고,
    　 산소 플라즈마에 변경하여 마이크로파 수소 플라즈마를 발생시키고, 상기 기판에 성막 형성한 ZnO 박막을 수소 플라즈마에 쬐어 저항률을 감소시키고 도전성 박막으로 개질시키는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    　 상기 플라즈마 발생 수단은 마이크로파 전력을 공급하는 마이크로파 창을 감 압실 내의 저부측에 설치하고, 상기 증발 수단을 그 마이크로파 창과 동일 높이로 되는 감압실 내의 저부측 또는 마이크로파 창보다 높은 위치로 되는 감압실의 내측 위치에 설치한 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
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