JP2007077456A - 薄膜形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 蒸発手段27から成膜材であるZn材を蒸発させ、蒸発したZn材をマイクロ波酸素プラズマ25で酸化し、ZnO化合物をガラス基板30に堆積して薄膜形成し、さらに、薄膜形成したZnO薄膜をマイクロ波水素プラズマに晒して抵抗率を減少させる構成とし、導電性を与えたZnO薄膜を形成することができる薄膜形成装置となっている。
【選択図】 図1
Description
図6は、RF成膜装置の簡略図である。
図示するように、このRF成膜装置は、チャンバ11内に設けられているコイルアンテナ12を13.56MHz程度の高周波電力源RFによって給電することにより、このコイルアンテナ12より酸素プラズマ13を発生させる構成となっている。
この蒸発源14は、Zn材を導電性容器に内装させた形態のもので、導電性容器に電流を流すことで、この容器を抵抗加熱させ、内部のZn材を蒸発させる。
なお、このガラス基板17は、チャンバ11の上方部に備えられた基板加熱装置18によって均一加熱される。
したがって、電気絶縁物の透明薄膜としては有効であるが、液晶ディスプレイの透明電極などとして使用することができなかった。
前記減圧室にマイクロ波電力と水素ガスとを供給してマイクロ波水素プラズマを発生させる水素プラズマ発生手段と、前記減圧室内に設けて成膜材であるZn材を蒸発させる蒸発手段と、前記減圧室内に設け、前記マイクロ波酸素プラズマによって加熱する基板とを備え、先ず、酸素プラズマを発生させ、蒸発してマイクロ波酸素プラズマによって酸化されたZn材のZnO化合物を前記基板に堆積させて成膜形成し、さらに、酸素プラズマに変えてマイクロ波水素プラズマを発生させ、前記基板に成膜形成したZnO薄膜を水素プラズマに晒して抵抗率を減少させたことを特徴とする薄膜形成装置を提案する。
すなわち、水素プラズマの表面改質効果によってZnO薄膜に導電性を与えることができ、導電性のある透明薄膜基板を得ることができる。
なお、透明電極などのように透明部品として使用する場合は、ZnO化合物を堆積させる基板も透明板とする。
この薄膜形成装置は、Zn材を蒸発させ、このZn材をマイクロ波酸素プラズマに晒すことによってZnO化合物を生成して基板に堆積させる構成となっている。
なお、ZnO化合物を堆積させる基板としては、ガラス、合成樹脂などを用いることができる。
そして、成膜材であるZn材を蒸発させ、Zn材を酸素プラズマに晒してZnO化合物を生成して基板に堆積させる。
これより、水素プラズマの表面改質効果によってZnO薄膜が絶縁性から導電性に変わり、導電性の透明薄膜基板を得ることができる。
すなわち、蒸発したZn材やZnO化合物がマイクロ波窓(石英ガラスなど)に付着することを防止する構成となっている。
図1は、本発明の第1実施形態として示した薄膜形成装置の簡略図である。
この薄膜形成装置は、チャンバ21の一側部にマイクロ波窓22を設け、このマイクロ波窓22からマイクロ波電力Pをチャンバ21内に供給する。
なお、プラズマはマイクロ波表面波プラズマとして発生する。
これより、ガラス基板30に堆積したZnO化合物の透明薄膜が水素プラズマに晒され、水素プラズマの表面改質効果によってZnO薄膜の抵抗値が減少する。
本実施形態では、膜厚200(μm)程度のZnO薄膜を形成したが、この特性図に示すように、約1分(60秒)の水素プラズマの照射に対し、1013単位の抵抗率から102単位の抵抗率に極端に減少することが判明した。
この特性図において、横軸は試料としてのZnO薄膜に照射するX線の角度、縦軸は回折線のピ−クの強度を表わす。
なお、本実施形態で生産したZnO薄膜は、97(%)、(λ=550「nm」)の高い透過率となることが分かった。
この第2実施形態では、ガラス基板をチャンバに順次送り込み、各々のガラス基板に連続的に薄膜形成する構成となっている。
本実施形態の薄膜形成装置は、チャンバ41の搬入口41a側に前予備室42を備え、チャンバ41の搬出口41b側に後予備室43を備えている。
さらに、ガラス基板48は転送ロ−ラ49によってチャンバ41内に送り込むが、転送ロ−ラ49を正転、逆転させてガラス基板48を少ない距離で往復動させながら、ZnOの膜を形成する。
なお、チャンバ41には、減圧するための真空ポンプ50、O2ガスとH2ガスを供給するガス供給装置51、52が設けてある。
ガラス基板48が前予備室42に送入されると、シャッタ53aが閉じ、その後、真空ポンプ55によって前予備室42内が減圧される。
この成膜動作では、酸素プラズマ46を発生させ、既に述べたように、ZnO化合物をガラス基板48に堆積して成膜させた後、水素プラズマを発生させてZnO薄膜を導電化させる。
この後予備室43は成膜形成したガラス基板48をチャンバ41から搬出させるときに、真空ポンプ57によって減圧し、その後、シャッタ56aを開き、ガラス基板48を後予備室43内に送り込む。この送り込みは転送ロ−ラ49、58で行なわれる。
本実施形態は、ZnO薄膜70aを形成した透明薄膜基板70を別途に予め生産し、その透明薄膜基板70をチャンバ71内に装備し、ZnO薄膜を水素プラズマ72によって晒して導電性に改質させる構成としてある。
なお、この図において、73は真空ポンプ、74はH2ボンベ、Pはマイクロ波電力、75はマイクロ波窓である。
そして、ZnO薄膜を導電性に改質する水素プラズマは、マイクロ波水素プラズマの他に、FR成膜装置にH2ガスを供給して発生させた水素プラズマなどを利用することができる。
22 マイクロ波窓
23 真空ポンプ
24 O2ボンベ
25 マイクロ波プラズマ
26 H2ボンベ
27 蒸発手段
30 ガラス基板
Claims (4)
- ZnO化合物を基板に堆積させた透明薄膜基板を水素プラズマに晒し透明薄膜の抵抗率を減少させたことを特徴とする薄膜形成装置。
- 請求項1に記載した薄膜形成装置において、
前記透明薄膜基板は、成膜材としてZn材を蒸発させ、蒸発したZn材をマイクロ波酸素プラズマに晒してZnO化合物として基板に堆積させて構成したことを特徴とする薄膜形成装置。 - 減圧室にマイクロ波電力と酸素ガスとを供給してマイクロ波酸素プラズマを発生させる酸素プラズマ発生手段と、
前記減圧室にマイクロ波電力と水素ガスとを供給してマイクロ波水素プラズマを発生させる水素プラズマ発生手段と、
前記減圧室内に設けて成膜材であるZn材を蒸発させる蒸発手段と、
前記減圧室内に設け、前記マイクロ波酸素プラズマによって加熱する基板とを備え、
先ず、酸素プラズマを発生させ、蒸発してマイクロ波酸素プラズマによって酸化されたZn材のZnO化合物を前記基板に堆積させて成膜形成し、
さらに、酸素プラズマに変えてマイクロ波水素プラズマを発生させ、前記基板に成膜形成したZnO薄膜を水素プラズマに晒して抵抗率を減少させたことを特徴とする薄膜形成装置。 - 請求項2又は3に記載した薄膜形成装置において、
前記プラズマ発生手段は、マイクロ波電力を供給するマイクロ波窓を減圧室内の底部側に設け、前記蒸発手段をそのマイクロ波窓と同じ高さとなる減圧室内の底部側又はマイクロ波窓より高い位置となる減圧室の内側位置に設置したことを特徴とする薄膜形成装置。
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JP2005267802A JP2007077456A (ja) | 2005-09-15 | 2005-09-15 | 薄膜形成装置 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1972831A2 (en) | 2007-03-23 | 2008-09-24 | JATCO Ltd | Continuously variable transmission and manufacturing method |
KR100928221B1 (ko) | 2007-10-31 | 2009-11-25 | 한국전기연구원 | 교류손실 저감용 선재 증착장치 및 이에 따른 증착방법 |
US20130337603A1 (en) * | 2012-06-18 | 2013-12-19 | Tel Solar Ag | Method for hydrogen plasma treatment of a transparent conductive oxide (tco) layer |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0317254A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化物薄膜の製造装置と製造方法 |
-
2005
- 2005-09-15 JP JP2005267802A patent/JP2007077456A/ja active Pending
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