KR20080070528A

KR20080070528A - 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물

Info

Publication number: KR20080070528A
Application number: KR1020080005198A
Authority: KR
Inventors: 이석현; 우동진; 최진영
Original assignee: 아주대학교산학협력단; 주식회사 엘파니
Priority date: 2007-01-25
Filing date: 2008-01-17
Publication date: 2008-07-30
Also published as: US20100078598A1; KR100963473B1

Abstract

본 발명은 전도성 고분자 1 당량에 대하여 탄소나노튜브; 광분해형 도판트; 광경화제; 할로겐 원자를 포함하는 유기 전자수용체; 루이스 염기형 도판트; 및 유사도판트(pseudo-dophant)로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택된 광민감성 화합물 0.1∼2 당량을 혼합시켜 얻어진 방사선 영상용 조성물로서, 방사선 조사에 의하여 증폭된 전기 저항 변화(electrical resistance variation)를 나타내는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물을 제공한다.

본 발명에 따라 광민감성 화합물을 전도성 고분자와 혼합시킬 경우, 방사선에 의한 얻어지는 조성물의 전기 저항 변화를 효과적으로 증폭시킬 수 있어, 낮은 도스(dose)의 방사선도 효과적으로 검출 기록이 가능하다. 즉, 상기 증폭된 전기 저항 변화를 전기적인 신호로 처리할 경우 방사선 즉, X선, 감마선, 전자 선, 중성자 선 등의 고 에너지 빛의 검출, 기록을 용이하게 할 수 있다. 또한, 상기 전기 저항 변화가 증폭된 방사선 영상용 조성물은 영상 자체가 분자수준에서 실현될 수 있고 디지털 정보로 전환이 용이하여 종래의 비정형 실리콘이나 셀레늄과 같은 무기반도체나 할로겐/은 필름을 대체하는 차세대 방사선 진단이나 치료를 위한 영상분야 소재로서 활용될 수 있다.

Description

전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물{Conductive polymer-containing radiographic imaging composition}

본 발명은 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전도성 고분자에 탄소나노튜브, 광분해형 도판트, 광경화제, 할로겐 원자를 포함하는 유기 전자수용체, 루이스 염기형 도판트 유사도판트(pseudo-dophant) 등의 광민감성 화합물을 혼합시켜 얻어진 방사선 영상용 조성물로서, 방사선 조사에 의하여 증폭된 전기 저항 변화(electrical resistance variation)를 나타내는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물에 관한 것이다.

전통적으로 쓰이고 있는 X선 진단용 할로겐/은계 필름은 X선에 대한 민감도는 낮으나 형광스크린 등을 보조적으로 이용할 경우 공간 분해능이 우수하고 단 한번의 촬영으로 이미지분포를 얻을 수 있는 장점이 있다. 하지만, 현상될 때까지 암흑에서 빛이 차단되어야 하고 습식공정이 필요하여 다루기 어려우며 환경오염을 유발하는 문제를 갖고 있다. 최근에는 저 선량 고화질 디지털 영상에 활용할 수 있는 소재의 출현을 갈망하고 있다.

최근에는 분자수준에서 X선, 감마선, 전자 선, 중성자 선과 같은 고 에너지 빛(이하 “방사선”이라 칭함)의 검출, 기록을 위해 전도성고분자를 활용하고 있다. 전도성 고분자는 미국의 A. J. Heeger와 A. G. MacDiarmid 그리고 일본의 H. Shirakawa 교수가 2000년에 노벨화학상을 받으면서 일반 대중에 알려진 고분자이며 흔히 제4세대 플라스틱으로 불린다. 이들의 특징은 고분자의 역할이 더 이상 절연체 등과 같이 수동적이지 않고 도핑이 되면 수 천 Siemens/cm의 전도도까지 전기를 통하는 본질적인 전도성 중합체라는데 있다. 또한, 무기 반도체처럼 반도체로써의 특성을 지녀 태양전지 등으로 다양한 용도개발이 가능하게 된다. 현재 알려져 있는 중요한 전도성 고분자로는 폴리아세틸렌, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리페닐렌비닐렌, 폴리페닐렌설파이드, 폴리이소티아나프텐, 폴리페리나프탈렌, 폴리파라페닐렌 등이 있다. 이들 중에서도 폴리아닐린은 공기 중 안정성이 크고 산업화가 용이하여 가장 많은 주목을 받아 왔으며, 산화상태에 따라, 완전 환원형인 류코에머랄딘(leuco-emeraldine), 부분 산화형인 에머랄딘(emeraldine), 및 완전 산화형인 퍼니그라닐린(pernigraniline)으로 분류할 수 있다.

본질적으로 전도성을 보인 고분자는 산화환원이나 산 염기에 의해 도핑되면 폴라론을 형성하면서 전자가 움직여 전기를 통하는데 고 에너지 빛을 받으면 이 빛에 의해 생성된 전자들이 도핑상태에 영향을 미쳐 전도도가 증가하거나 감소하는 것으로 이미 알려져 있다. 일찍이 Arca 등(Radiation Physics and Chemistry, 31, 647,1988)은 폴리피롤 필름에 감마선을 주사하면 전도도가 항구적으로 증가함을 발견하였으며, Wolszczak 등(Radiation Physics and Chemistry, 45, 71,1995)은 폴리아닐린은 도핑 전 에머랄딘염기 상태의 시료는 감마선 또는 전자선 영향으로 전도 도가 증가하나 에머랄딘염 시료는 그 반대로 보고하고 있다. Azevedo 등(Radiation Protection Dosimetry, 84, 77, 1999)은 감마선의 도스(dose)에 따라 증가와 감소가 상반되게 나타난 것으로 보고하고 있으며, Pashchuk 등(Brazilian Journal of Physics, 35, no.3B,847, 2005)은 폴리아닐린에 50~100 KeV 도스(dose)의 X선을 조사한 후 도스(dose)에 따라 저항이 증가함을 관찰하였다. Sevil 등(Radiation Physics and Chemistry, 67, 575, 2003)은 폴리염화비닐이나 클로리네이티드 폴리프로필렌과 폴리아닐린 복합체에 감마선과 전자선을 쪼여 조사하였으며 이들도 저항증가를 보고하고 있다. 이러한 학술적 연구 결과는 실용화하기에는 감도가 너무 낮고 전도성 고분자의 특성도 열악하다.

기타, Allport 등(PCT WO 01/94980)은 반도체로서 폴리알킬티오펜을 이용하여 X선 검출기를 발명하였으며, Patel 등(미국 특허 제 5,420,000호), Bloom 등(미국 특허 제 4,066,676 호), Adelman 등(미국 특허 제 3,501,308 호)은 폴리디아세틸렌계 광변색성, Robillard 등(미국 특허 제 5,364,739 호)은 광경화형 폴리머를 X선 기록재료로 공개하고 있다. 이들 광변환 물질을 X선 등 고 에너지 빛의 검출이나 기록용으로 사용하기에는 제조 방법이나 복합물의 구성에 있어서 종래의 기술로는 한계가 있다.

한편, 본 발명의 한 발명자는 순수 금속성이 나타나는 전도성 고분자로서, 전도도가 종래 전도성 고분자의 전도도보다 3-5배 정도 높고 순도가 높은 전도성 고분자를 제조하여 발표한 바 있다 (Nature 441, 65, 2006).

본 발명자들은 전도성 고분자를 방사선 영상에 이용함에 있어서, 감도가 너무 낮아 실용화가 곤란한 문제점을 해결하기 위하여, 다양한 연구를 수행하였다. 그 결과, 광민감성 화합물을 전도성 고분자와 혼합시킬 경우, 방사선에 의한 얻어지는 조성물의 전기 저항 변화(즉 감도)를 효과적으로 증폭시킬 수 있어, 낮은 도스(dose)의 방사선도 효과적으로 검출 기록이 가능함을 발견하였다.

따라서, 본 발명은 방사선 조사에 의하여 증폭된 전기 저항 변화(electrical resistance variation)를 나타내는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 일 태양에 따라, 전도성 고분자 1 당량에 대하여 탄소나노튜브; 광분해형 도판트; 광경화제; 할로겐 원자를 포함하는 유기 전자수용체; 루이스 염기형 도판트; 및 유사도판트(pseudo-dophant)로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택된 광민감성 화합물 0.1∼2 당량을 혼합시켜 얻어진 방사선 영상용 조성물로서, 방사선 조사에 의하여 증폭된 전기 저항 변화(electrical resistance variation)를 나타내는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물이 제공된다.

본 발명에 따른 방사선 조사에 의하여 증폭된 전기 저항 변화를 나타내는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물에 있어서, 상기 광민감성 화합물은 풀러렌, 술포닐기를 갖는 풀러렌, 트리페닐술포늄 트리플레이트, 트리메틸벤즈히드릴암 모늄 아이오다이드, 탄소나노튜브, EuCl₃, 디페닐아이오도늄 헥사플루오로포스페이트, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, SAL 605, 오르토클로아닐, LiBF₄, 가돌리늄 클로리드(GdCl₃), N-메틸니페디핀, AgNO₃, NdCl₃, 트리페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 및 방향족 고리에 2개의 디아세틸렌 화합물[-O-(CH₂)₄-C≡C-C≡C-(CH)₉-CH₃]이 치환된 테레프탈산으로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택될 수 있다.

본 발명에 따라 광민감성 화합물을 전도성 고분자와 혼합시킬 경우, 방사선에 의한 얻어지는 조성물의 전기 저항 변화를 효과적으로 증폭시킬 수 있어, 낮은 도스(dose)의 방사선도 효과적으로 검출 기록이 가능하다. 즉, 상기 증폭된 전기 저항 변화를 전기적인 신호로 처리할 경우 방사선 즉, X선, 감마선, 전자 선, 중성자 선 등의 고 에너지 빛의 검출, 기록을 용이하게 할 수 있다. 또한, 상기 전기 저항 변화가 증폭된 방사선 영상용 조성물은 영상 자체가 분자수준에서 실현될 수 있고 디지털 정보로 전환이 용이하여 종래의 비정질 실리콘이나 셀레늄과 같은 무기반도체나 할로겐/은 필름을 대체하는 차세대 방사선 진단이나 치료를 위한 영상분야 소재로서 활용될 수 있다. 또한 밴드 갭(band gap)과 같은 제한 요인이 없어 이용하는 빛의 에너지 범위가 넓으므로 고분자 코팅류의 경화, 고품위 기록영상 및 정보, 비파괴 시험, 방사선 진단 및 치료, 식품소독 검사, 보안검사와 같은 다양한 용도에도 쓰일 수 있다.

본 명세서에서 "방사선"이라 함은 X선, 감마선, 전자 선, 중성자 선 등의 고 에너지 빛으로서, 통상 4 eV 이상 20 MeV 이하의 상기 고 에너지 빛을 총칭한다.

또한, "방사선 영상"이라 함은 방사선의 검출 및/또는 기록을 통해 시각적으로 영상화하는 것을 말하며, "방사선 영상용 조성물"이라 함은 상기 방사선 영상에 사용될 수 있는 조성물을 말한다. 예를 들어, 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물은 전도성 고분자를 함유하는 조성물로서, 방사선 영상에 사용되는 조성물을 지칭한다.

본 발명의 일 구현예에 따라, 전도성 고분자 1 당량에 대하여 탄소나노튜브; 광분해형 도판트; 광경화제; 할로겐 원자를 포함하는 유기 전자수용체; 루이스 염기형 도판트; 및 유사도판트(pseudo-dophant)로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택된 광민감성 화합물 0.1∼2 당량을 혼합시켜 얻어진 방사선 영상용 조성물로서, 방사선 조사에 의하여 증폭된 전기 저항 변화(electrical resistance variation)를 나타내는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물이 제공된다.

본 발명의 또 다른 구현예에 따라, 전도성 고분자 1 당량에 대하여 탄소나노튜브; 광분해형 도판트; 광경화제; 할로겐 원자를 포함하는 유기 전자수용체; 루이스 염기형 도판트; 및 유사도판트(pseudo-dophant)로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택된 광민감성 화합물 0.1∼2 당량을 혼합시켜 방사선 영상용 조성물을 얻는 단계를 포함하는, 방사선 조사에 의한 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물의 전기 저항 변화(electrical resistance variation)를 증폭시키는 방법이 제공된다.

본 발명에 따른 방사선 조사에 의하여 증폭된 전기 저항 변화를 나타내는 전 도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물에 사용되는 전도성 고분자로는 알킬기 또는 알콕시기를 치환기로 갖거나 갖지 않는 폴리아세틸렌 및 헤테로 원자를 갖는 전도성 고분자, 예를 들어, 방향족 고리에 치환기를 갖거나 갖지 않는 폴리아닐린(PANI), 방향족 고리에 치환기를 갖거나 갖지 않는 폴리피롤(PPy), 및 방향족 고리에 치환기를 갖거나 갖지 않는 폴리티오펜(PT)을 들 수 있다.

상기 헤테로 원자를 갖는 전도성 고분자의 헤테로 원자는 디-t-부틸-디카보네이트(di-tert-butyl-dicarbonate) 및/또는 3,4-디하이드로-2H-피란-t-부틸-디카보네이트(3,4-dihydro-2H-pyran-t-butyl-dicarbonate)의 치환기를 가질 수 있다. 또한, 상기 헤테로 원자를 갖는 전도성 고분자의 방향족 고리는 I, Cl, Br 및 (-OCH₂CH₂)_n-OCH₂CH₃(식 중, n은 1 내지 12의 정수)에서 선택된 하나 이상을 치환기로 가질 수 있다.

상기 헤테로 원자를 갖는 전도성 고분자는 Advanced Functional Materials(15, 1495, 2005)에 개시된 자체분산 중합법을 이용하여 각각 하기 화학식 1로 표시되는 아닐린 단위체, 하기 화학식 2로 표시되는 피롤 단위체, 및 하기 화학식 3으로 표시되는 티오펜 단위체로부터 합성될 수 있으며, 상기 방법에 의해 합성된 고분자 물질은 종래의 방법에 의해 합성된 고분자 물질에 비해 저분자량을 가지면서, 전도도가 높다. 상기 중합법에 의해 합성된 전도성 고분자의 분자량은 5,000 이상이면 되나 바람직한 분자량의 범위는 12,000∼180,000이다.

상기 화학식 1 중, R₁은 H, 알킬, 알콕시, tert-부틸 카보네이트(tert-butylcarbonate), 또는 테트라하이드로피란(tetrahydropyran)을 나타내고, R₂ 내지 R₅는 각각 독립적으로 H, 알킬, 알케닐, 알콕시, 올리고 에틸렌옥시드, 알킬티오알킬, 알카노일, 알킬티오, 아릴-알킬, 알킬아미노, 아미노, 알콕시카보닐, 알킬설포닐, 알킬설피닐, 아릴티오, 설포닐기, 카르복실기, 히드록시, 할로겐, 니트로, 또는 알카릴를 나타내며, 바람직하게는 R₂ 내지 R₅는 각각 수소를 나타낸다.

상기 화학식 2 및 화학식 3 중, R₁ 및 R₂는 각각 독립적으로 H, 알킬, 알콕시, 올리고 에틸렌옥시드, 알킬티오알킬, 알카노일, 알킬티오, 아릴알킬, 알킬아미노, 아미노, 알콕시카보닐, 알킬설포닐, 알킬설피닐, 아릴치오, 설포닐기, 카르복실기, 히드록시, 할로겐, 니트로, 또는 알카릴을 나타내며, R₃는 H, t-부틸카보네이트(tert-butylcarbonate), 또는 테트라하이드로피란(tetrahydropyran)을 나타낸다. 바람직하게는 R₁ 및 R₂는 각각 수소를 나타낸다.

상기 화학식 1 내지 3의 치환기 정의를 포함하여, 본 명세서에서 알킬, 알콕시, 및 알카노일은 각각 탄소수 1 ∼ 24의 알킬, 알콕시, 및 알카노일을 말하며, 알케닐은 탄소수 2 ∼ 24의 알케닐을 의미한다.

상기 전도성 고분자는 별도의 도핑을 실시하지 않은 염기 형태로 사용될 수 있거나, 또는 전도도 조절을 위해 도핑공정을 거쳐 전도성 고분자 염의 형태로 사용될 수 있다. 상기 전도도 조절을 위한 도핑공정에 사용되는 도판트는 원칙적으로 pKa=5 이하의 양성자(proton) H⁺을 제공하는 유기산 또는 무기산을 사용할 수 있다. 일반식 HA로 나타낼 수 있는 유기산 또는 무기산에서 H는 H⁺를 나타내며, A는 음이온으로 Cl^-, Br^-, I^-, PO₃ ^-, SO₄ ^-, PO₄ ^-, ClO₄ ^-, CH₃SO₃ ^-, 고분자 음이온 등을 들 수 있다. 상기 유기산 또는 무기산의 예로는 염산, 브롬산, 황산, 피루브산, 인산, 디클로로아세트산, 아크릴산, 시트르산, 개미산, 메탄술폰산, 벤젠술폰산, p-톨루엔술폰산, 캠퍼술폰산, 도데실벤젠술폰산, 디노닐나프탈렌술폰산(dinonylnaphthalensulfonic acid), 폴리(스티렌술폰산), 폴리아크릴산, 헤테로폴리음이온, C₁ ∼ C₂₄ 알킬 및 산화-C₁ ∼ C₂₄ 알킬 4-술포프탈산 디에스테르, 4-술포-1,2-벤젠디카르복실산 C₁ ∼ C₂₄ 알킬 에스테르, 비스(2-에틸헥실)하이드로젠포스페이트(bis(2-ethylhexyl)hydrogen phosphate), 및 2-아크릴아미도-2-메틸-1-프로판술폰산을 들 수 있다.

방사선에 의한 전도성 고분자의 전기 저항 변화를 증폭시키기 위해 혼합되는 상기 광민감성 화합물은 분자량 2,000 이하를 갖는 것이 바람직하며, 상기 광민감성 화합물의 예로는 탄소나노튜브 또는 4 가지 유형의 도판트, 즉 (i) 광분해형 도판트, (ii) 광경화제, (iii) 할로겐 원자를 포함하는 유기전자수용체, 및 (iv) 루이스염기형 도판트; 및 유사 도판트에서 1종 이상 선택될 수 있다. 상기 전도성 고분자와 광민감성 화합물의 당량비는 1 : 0.1∼2의 범위일 수 있다.

상기 네 가지 유형의 도판트 중, 첫째 광분해형은 빛을 받아 산 또는 염기를 발생시키는 물질로 전자를 광산발생제, 후자를 광염기발생제라고 칭하며 어떤 화합 물이든지 빛을 받아 산이나 염기를 내놓으면 본 발명에 모두 사용할 수 있다.

바람직한 광산발생제의 예로는 4,4'-이소프로필리덴-비스-(2,6-디브로모페놀)(4,4'-isopropylidene-bis-(2,6-dibromophenol)), 트리페닐술포늄 헥사플루오로 포스페이트(triphenylsulfonium hexafluorophosphate), 트리페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트(triphenylsulfonium hexafluoroantimonate), 트리페닐술포늄 헥사플루오로아르세네이트(triphenylsulfonium hexafluoroarsenate), 트리페닐술포늄 트리플레이트(triphenylsulfonium triflate), 디페닐(4-메톡시페닐)술포늄 트리플레이트(diphenyl(4-methoxyphenyl)sulfonium triflate), 디페닐아이오도늄 헥사플루오로포스페이트(diphenyliodonium hexafluorophosphate), 디페닐아이오도늄 헥사플루오로안티모네이트(diphenyliodonium hexafluoroantimonate), 4-메톡시페닐디페닐아이오도늄 트리플레이트(4-methoxydiphenyliodonium triflate), (4-하이드록시시클로헥실)시클로헥실-4-비닐벤젠술포네이트((4-hydroxycyclohexyl)cyclohexyl-4-vinylbenzenesulfonate), (4-하이드록시시클로헥실)시클로헥실-4-메틸벤젠술포네이트((4-hydroxycyclohexyl)cyclohexyl-4-methylbenzenesulfonate), 4-하이드록시시클로헥실-4-비닐벤젠술포네이트(4-hydroxycyclohexyl-4-vinylbenzenesulfonate), 4-하이드록시시클로헥실-4-메틸벤젠술포네이트(4-hydroxycyclohexyl-4-methylbenzenesulfonate), 및 SAL 605 (노볼락수지 및 광경화제인 헥사메톡시메틸멜라민(hexamethoxymethylmelamine)과 광산발생제가 함유된 복합물y)를 들 수 있다.

바람직한 광 염기발생제는 400nm 이하 자외선을 받아 아민 또는 암모니움 화 합물을 만드는 물질로서, [(2,6-디니트로벤질)옥시카르보닐]디페닐아민([(2,6-dinitrobenzyl)oxycarbonyl]diphenylamine), [(2,6-디니트로벤질)옥시카르보닐]시클로헥실아민([(2,6-dinitrobenzyl)oxycarbonyl] cyclohexylamine), [(2,6-디니트로벤질)옥시카르보닐]헥산-1,6-디아민([(2,6-dinitrobenzyl)oxycarbonyl]hexane-1,6-diamine), N-메틸니페디핀(N-methylnifedipine), 제4급 암모늄디티오카바메이트(quaternary ammoniumdithiocarbamate), 트리메틸벤즈히드릴암모늄 트리플레이트(trimethylbenzhydrylammonium triflate), 트리메틸벤즈히드릴암모늄 아이오다이드(trimethylbenzhydrylammonium iodide), 트리메틸플로레닐암모늄 아이오다이드(trimethylflorenylammonium iodide), 오르토니트로벤질 카르바메이트(o-nitrobenzyl carbamate), 트리메틸벤즈히드릴암모늄 아이오다이드(trimethylbenzhydrylammonium iodide), 및 오르토아크릴로일 아세토페논 옥심(O-acryloyl acetophenone oxime) 등을 들 수 있다.

둘째 유형의 광경화제는 빛을 받아 고분자 경화를 유도할 수 있는 화합물로서, 전도도는 물론 용해도를 변화시킴으로써 유용하게 사용된다. 바람직한 광경화제의 예로는 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 및 디아세틸렌 유도체를 들 수 있다. 디아세틸렌 유도체로는 단위체 결정 또는 배향체가 빛을 받아 위상화학중합(topochemical polymerization)을 통해 폴리디아세틸렌으로 변화될 수 있는 모든 형태의 광변색성 소재가 사용될 수 있으나, 가공공정이 까다롭지 않은 자발적으로 배향되는 디아세틸렌 유도체가 바람직하며, 예를 들어 파라 위치로 연결된 방향족 1,4-디카르복실산으로서, 방향족 고리에 하나 이상의 -O-(CH₂)_p-C≡C-C≡C-(CH₂)_q-CH₃ 또는 하나 이상의 -O-(CH₂)_p-C≡C-C≡C-(CH₂)_q-CH₃ 및 -O-(CH₂)_r-CH₃ 를 갖는 방향족 디카르복실산(식 중, p, q, 및 r은 1 내지 12 의 정수이다)일 수 있으며, 그 제조방법은 본 발명자의 논문(Angew.Chem.Int.Ed., 43, 4197, 2004)에 개시되어 있다.

셋째 유형의 할로겐 원자를 포함하는 유기전자수용체로는 I₂, Br₂, 테트라시아노에틸렌(TCNE), 2,3-디클로로-5,6-디시아노-p-벤조퀴논, 오르토클로아닐, 및 오르토브롬아닐을 사용할 수 있다.

넷째 유형의 루이스염기형 도판트는 희토류와 전이금속원소의 염화물, 질산화물, 및 인산화물을 사용할 수 있다. 그 예로는 Gd³ ⁺, Eu³ ⁺, La³ ⁺, Y³ ⁺, Lu³ ⁺, Ce³ ⁺, Nd³⁺, Tb³ ⁺, Zn² ⁺, Mn² ⁺, Ni² ⁺, Cu² ⁺, Pb² ⁺, Pd² ⁺, Ca² ⁺, Fe³ ⁺, Au³ ⁺, Ti⁴ ⁺, Sn⁴ ⁺, Zr⁴ ⁺, Mo⁵ ⁺, Ag¹⁺ 또는 W⁶ ⁺의 염화물, 질산화물, 또는 인산화물을 들 수 있다.

상기 유사도판트(pseudo-dophant)의 예로는 무기염인 LiPF₆, LiAsF₆, LiClO₄, LiBF₄, 및 NaBF₄를 들 수 있다.

본 발명에 따른 방사선 조사에 의하여 증폭된 전기 저항 변화를 나타내는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물은 접착성 및 내충격성을 높이고, 조성물 성분의 용출에 의해 나타날 수 있는 독성을 막기 위해, 전도성 고분자 및 1종 이상 의 광민감성 화합물 외에 바인더 수지 및 가소제를 더 포함할 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물은 기지재로 두께 10-300 미크론의 각종 플라스틱 필름이나 종이 그리고 알루미늄과 같은 금속 포일에 사용될 수 있으며, 접착성을 양호하게 하기 위하여 기지재에 플라스마 처리를 할 수 있다. 또한, 기지재 성격에 따라 극성도가 다양한 바인더 수지가 선택되어야 하고 이들 바인더 수지가 특수 도판트들과 반드시 착물을 형성할 필요는 없으나 방사선 감응도를 높이는 하나의 방법으로 금속염과 착물을 형성시켜 사용할 수도 있다. 또한, 방사선 영상용 조성물을 코팅하면 공기 중의 수분의 영향을 받을 수 있으므로, 수분에 민감한 바인더 수지의 점착성(tackiness) 등은 기후에 따라 약간씩 나타날 수 있으므로 필요에 따라 적절히 선택하여 사용하는 것이 바람직하다.

기지재의 종류에 관계없이 사용가능한 바인더 수지의 예로는 폴리비닐아세테이트, 폴리아크릴산, 폴리올, 아크릴레이트-스티렌 공중합체, 폴리에틸렌글리콜, 폴리비닐알콜, 폴리비닐피롤리돈, 폴리염화비닐(PVC), 폴리아크릴레이트, 니트로셀룰로오스, 폴리(2-하이드록시에틸 메타크릴레이트)-코-(알릴 메타크릴레이트)((poly(2-hydroxyethyl methacrylate)-co-(allyl methacrylate)), 폴리(부텐-1-술폰)(poly(butene-1-sulfone)), 폴리(2,3-디클로로-1-프로필아크릴레이트(poly(2,3-dichloro-1-propylacrylate)), 폴리(2-플루오로에틸 메타크릴레이트)(poly(2-fluoroethyl methacrlyate)), 에틸비닐아세테이트 공중합체, 셀룰로스트리아세테이트, 히드록시에틸셀룰로스, 폴리(헥사플루오로부틸메타크릴레이 트(poly(hexafluorobutylmethacrylate)), 폴리메타크릴로니트릴(polymetacrylonitrile), 젤라틴, 폴리이소부틸메타아크릴레이트, 폴리(비닐-2-퓨릴아크릴레이트)(poly(vinyl-2-furylacrylate)), 폴리(비닐신나밀리덴 아세테이트(poly(vinylcinnamilidene acetate)), 염소화 폴리프로필렌, 폴리비닐페놀, 할로겐이 치환된 폴리비닐페놀, 폴리에틸렌이민, 니트로셀룰로스, 셀루로스아세테이트부티레이트, 및 셀룰로스프로피오네이트를 들 수 있다. 상기 수지의 분자량은 점도에 미치는 영향을 고려하여, 10,000 내지 3,000,000 범위의 분자량을 갖는 것이 바람직하다.

또한, 사용가능한 가소제로는 프로피온산, 헵탄산(heptanoic acid), 붕산(boric acid), 4-술포프탈산 디에스테르, 4-술포-1,2-벤젠디카르복실산 등을 사용할 수 있다. 또한, 상기 가소제로는 도판트형 가소제 즉, 디-2-에틸 헥실술포숙신산(di-2-ethyl hexylsulfosuccinic acid), 1,2-벤젠디카르복실산,4-술포-1,2-디(2-알킬)에스테르(1,2-benzenedicarboxylic acid, 4-sulfo-1,2-di(2-alkyl)ester), 1,2-벤젠디카르복실산,4-술포-1,2-디(2-알크옥시)에스테르(1,2-benzenedicarboxylic acid, 4-sulfo-1,2-di(2-alkoxy)ester), 디이소옥틸 포스페이트(diisooctyl phosphate), 디(m-톨릴)포스페이트(di(m-tolyl)phosphate), 또는 디페닐 포스페이트(diphenyl phosphate) 와 같이 도판트 역할을 하면서 가소성을 부여하는 첨가제들이 내구성을 높일 수 있으므로 더욱 바람직하게 사용될 수 있다.

상기 바인더 수지 및 가소제를 사용할 경우, 고에너지 빛을 저에너지 빛(저에너지라도 4eV 이상)으로 전환시키는 컨버터(converter material) 물질을 추가로 포함할 수 있다. 특히 영상의 선예도(sharpness) 보다는 피사체 대조도(contrast)가 중요 인자로 부각될 때는 컨버터 물질로 영상을 증폭시킬 필요가 있다. 만일 요드화바륨(BaI₂)과 같은 무기산화물 입자를 소량 첨가할 경우, 100 MeV의 진단용 X선 보다 60 KeV의 X선에는 더 민감하다. 특히 본 발명에서 사용하는 광감응 물질은 대부분 자외선에 민감하므로 고 에너지 빛을 받아 자외선 정도의 에너지를 갖는 빛을 방출하면 효과를 높일 수 있는 것으로 나타났다. 1 MeV 이하의 X선을 물질에 쪼이면 어떤 물질은 빛을 내놓기도 하는데 예를 들면 진단용 X선(10~200 KeV)를 받아 백색을 내는 대표적인 것이 증감지이거나 형광스크린이다. 본 발명에서 권장하는 컨버터는 전기전도도에 영향을 미치지 않고 단순하게 감응도를 높이기 위하여 동일 조성물로 혼합하지 않고 바인더 수지와 함께 별도의 층으로 만들어 전도층과 복합적으로 구성하여 쓸 수도 있다. 본 발명 조성물과 함께 사용할 수 있는 유용한 컨버터 물질의 예로는 바륨 티타네이트(Barium titanate), MgO, 바륨 실리케이트(Barium silicate), BaI₂, BaSO₄, BaBr₂, SnI₄, H₂WO₄, ZnO, CsBr, CsI, ZnS, Gd₂O₂S, Y₂O₂S, CaWO₃, H₃BO₃, ZnSiO₄, ZnBr₂, ZnSO₄, PbI₂, 및 Na⁺-몬모릴로나이트(Na⁺-montmorillonite)를 들 수 있다.

이하 본 발명을 하기 제조예 및 실시예에 의해 상세히 설명한다. 단, 하기 제조예 및 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 제조예 및 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.

<제조예 1> 전도성 고분자 폴리아닐린 합성

증류 정제한 아닐린 100㎖를 1M HCl 용액 3ℓ에 천천히 적가한 후, 클로로포름 8ℓ를 위 용액에 혼합하였다. 상기 혼합 용액의 온도를 -15 ℃에서 출발하여 분당 1℃씩 낮추면서, 개시제 암모늄과산화설페이트((NH₄)₂S₂O₈) 56g이 1M HCl 용액 1ℓ에 용해되어 있는 용액을 상기 혼합 용액에 20분 동안 서서히 잘 저어주면서 적가 하였다. 상기 개시제 투입이 끝나면 5시간 동안 온도를 유지한 후 다시 분당 1℃씩 올렸다. 이때 교반 속도를 100 rpm/분으로 유지한 후 반응이 완료되고 얻어진 침전물을 여과지에 거른 후 염 형태의 폴리아닐린을 회수하고, 그 일부를 1M 수산화암모늄(NH₄OH) 1ℓ 용액으로 세척하였다. 침전물을 0.1M 수산화암모늄 5ℓ 용액에 옮기고 20시간 동안 교반 후 여과한 뒤, 진공펌프로 48 시간 건조하여 에머랄딘 염 형태의 폴리아닐린 1.9g를 수득하였다.

합성된 고분자는 적외선 분광기에 의해 진동흡수 밴드가 전형적인 퀴노이드 작용기인 1590 cm^-1, 벤젠노이드 작용기인 1495 cm^-1, C-H 방향족 신축 진동의 결과인 3010 cm^-1에서 나타나고, 용액상태의 핵자기 공명 분석기에 의한 13C-NMR 스펙트럼 분석에 방향족 탄소의 화학적 이동이 각각 118, 137 ppm 및 141 ppm에서 특징적인 피크가 나타남으로써 폴리아닐린의 합성이 확인되었다.

<제조예 2> 전도성고분자 폴리피롤 합성

증류 정제한 피롤 67g(1몰)의 1M HCl 2.0ℓ 수용액에 500 ㎖ 클로로포름을 천천히 섞고 온도를 -5℃로 하였다. 상기 혼합용액에 개시제 암모늄과산화설페이트 0.2몰이 용해되어 있는 200㎖의 용액을 교반과 동시에 20분에 걸쳐 적가하였다. 40시간 반응시킨 후 메타놀 침전 그리고 침전물을 증류수로 씻고 여과한 건조하여 사용하였다. 이 침전물을 1M 수산화암모늄 1ℓ용액에 담근 다음 20시간 후 여과 건조하여 20g의 도핑되지 않은 폴리피롤을 수득하였다. N-메틸피롤리디논(NMP) 용매에 녹인 용액의 고유점도는 1.3이었으며 염산으로 도핑된 입자의 펠렛 전도도는 48 S/cm이었다.

<실시예 1>

제조예 1에서 합성한 폴리아닐린을 N-메틸피롤리디논(NMP)에 무게비 2% 용액이 되게 녹인 후, 염소화 폴리프로필렌과 트리페닐술포니움 트리플레이트 그리고 폴리아크릴산을 각각 폴리아닐린의 10% 무게로 첨가 혼합한 후 전극이 입혀진 유리기판에 닥터블레이딩 방법으로 코팅하였다. 상온에서 24시간 건조한 후 알파스텝을 이용하여 두께를 잰 결과 3.9 미크론이었다.

<실시예 2>

제조예 2의 폴리피롤 합성 반응기에 도데실벤젠술폰산(1M)을 녹이고 옥타데실실록산(octadecylsiloxane)이 코팅된 유리기판을 넣고 중합을 실시하였다. 이렇 게 유리기판을 폴리피롤로 코팅한 후 메탄올로 세척하고 전극을 입혀서 측정하였다. 필름이 취성(brittle)이 있었으며 건조 후 크랙이 발생하였다.

<실시예 3>

실시예 2와 동일한 방법으로 하고 도데실벤젠술폰산(1M) 대신 포스포몰리브딕산(phosphomolybdic acid)을 첨가하였다. 여기에 폴리에틸렌글리콜 10%와 광염기발생제 트리메틸벤즈히드릴암모늄 아이오다이드를 무게비 2% 첨가하고 10분간 초음파 혼합을 한 후 2.7 미크론 주사기 필터를 하였다. 여과액으로 필름을 제작한 후 그 특성을 조사한 결과 필름은 취성(brittle)이 없고, 연성(ductile)이 있었으며, 자외선(UV 램프 4W)에 민감하고 소프트 X선에도 광학밀도가 0.08이었다.

<실시예 4>

제조예 1의 폴리아닐린 합성시 표면처리된 탄소나노튜브를 아닐린 대비 무게비로 2%를 반응기에 투입한 후 동일한 방법으로 중합하고, 이를 무게비 1.5 % 로 디메틸포름아미드(DMF) 용매에 녹이고 여기에 EuCl₃를 폴리아닐린과의 몰비 1:1로 녹였다. 여기에 바인더 수지 폴리(2-하이드록시에틸 메타크릴레이트)-코-(앨릴 메타크릴레이트)(poly(2-hydroxyethyl methacrylate)-co-(allyl methacrylate))를 무게비 10% 첨가하고 10분간 초음파 혼합을 한 후 2.7 미크론 주사기 필터를 하였다. 여과액으로 필름을 제작한 후 X선 실험을 하였다. 중간정도 파워(power)의 소프트 X선(1-20 kW)에 매우 민감하였다.

<실시예 5>

제조예 1의 방법으로 2-클로로아닐린(2-chloroaniline)을 아닐린 몰 비 0.2로 첨가한 후 중합하여 염소가 치환된 폴리아닐린 공중합체를 합성하였다. 원소분석 결과 9.8% 염소 치환율을 보였으며 N-메틸피롤리디논(NMP)에 잘 녹았다. 필름을 실시예 1의 방법으로 제작한 후 1N 염산 용액에 6시간 담근 후 물성을 측정하였다.

<실시예 6>

실시예 5의 치환기를 갖는 폴리아닐린 분말 2g을 50 ㎖ 에탄올/THF 이 든 플라스크에 녹이고 여기에 2g 요오드를 녹였다. 상기 혼합물을 50시간 동안 상온에서 교반시킨 후 여과하고 과량의 물로 세척하였다. 70℃ 오븐에서 하루 동안 건조시킨 분말을 디메틸술폭사이드(dimethylsulfoxide)에 녹이고 가소제 도판트인 4-술포-1,2벤젠디카르복실산의 알킬 유도체와 광산발생제 디페닐아이오도늄 헥사플루오로포스페이트를 각각 무게 비 15%와 5%로 함께 녹인 후 필름을 제작하였다.

<실시예 7>

제조예 1에서 합성한 폴리아닐린을 메타크레졸에 녹이고 캠포술폰산으로 도핑한 후 여기에 광경화제 Irgacure 184(1-hydroxycyclohexylphenylketon)와 SAL605를 5% 첨가하였다. 초음파 혼합을 2시간 실시한 후 1.2 미크론 주사기 여과한 액을 이용하여 유리기판에 스핀코팅으로 0.5미크론 두께의 필름을 제작하였다.

<실시예 8>

제조예 1에서 합성한 폴리아닐린을 N-메틸피롤리디논(NMP)에 녹이고 여기에 오르토클로아닐과 바인더 수지 폴리비닐페놀을 각각 폴리아닐린의 무게비 20%로 첨가하였다. 유사도판트로 LiBF4를 2% 첨가하고 이들 혼합물에 초음파 혼합을 2시간 실시한 후 1.2 미크론 주사기 여과한 액을 이용하여 유리기판에 스핀코팅으로 0.5미크론 두께의 필름을 제작하였다.

<실시예 9>

제조예 1에서 합성한 폴리아닐린을 부피비 1:1의 에탄올과 N-메틸피롤리디논(NMP) 혼합용매에 녹이고 여기에 요오드와 가돌리늄클로리드를 각각 무게비 10%씩 첨가하였다. 이 용액에 폴리염화비닐 10%를 혼합하여 50℃에서 48시간 교반 한 후 2.7미크론 주사기 필터로 여과한 용액을 이용하여 닥터블래이딩 방법으로 두께 3.3 미크론 필름을 제작하였다.

<실시예 10>

제조예 1에서 합성한 폴리아닐린 분말을 물에 분산시킨 후, 몰비 1:2로 브롬을 상온에서 첨가하여 48시간 반응시켰다. 브롬화된 폴리아닐린은 밀도가 폴리아닐린의 1.24에서 2.37 g/㎖로 증가하였으며 이를 N-메틸피롤리디논(NMP)에 녹이고 여 기에 광염기발생제 N-메틸니페디핀를 10% 첨가하였다. 여기에 바인더 수지 폴리에틸렌이민 10% 와 컨버터 PbI₂ 3%를 분산시켜 혼합하였다.

<실시예 11>

실시예 10과 동일한 방법으로 하였으나 바인더 수지와 컨버터는 별도의 층으로 복합층을 만들어 시험하였다.

<실시예 12>

2-히드록시아닐린의 아민기를 디-t-부틸-디카보네이트(di-tert-butyl-dicarbonate)보호기로 중탄산나트륨하에 테트라히드로퓨란/물 혼합용매에 녹여 붙이고 여기에 NaH와 클로로-파라-톨루엔술포네이트(chloro-p-toluenesulfonate)를 이용하여 디에틸렌옥시드를 히드록시기에 도입하였다. 탈보호 반응 후 이를 정제하여 제조예 1의 방법으로 아닐린과 몰비 5%로 공중합 하였다. 이 고분자를 에틸아세테이트와 에탄올 혼합 용매에 녹이고, 여기에 0.02M 질산은과 NdCl₃를 녹였다. 이들을 폴리아크릴산 바인더 수지 10%와 함께 조성물을 만들어 필름을 제작하였다.

<실시예 13>

제조예 1에서 합성한 폴리아닐린 나노입자를 개미산/아세토니트릴에 분산시킨 후, 주석박을 담그고 24시간 교반하면서 유지하였다. 생성된 주석이 고분자와 결합하여 일종의 금속-폴리아닐린 착화합물을 여과하고 이를 다시 테트라히드로퓨란에 분산시키고 여기에 광산발생제 트리페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트와 바인더 수지 히드록시에틸셀룰로스를 각각 무게비 10% 씩 첨가하였다.

<실시예 14>

제조예 1에서 합성한 폴리아닐린에 산 또는 열에 약한 di-t-BOC (di-tert-butyldicarbonate)보호기가 도입된 폴리아닐린을 제조한다. 바람직한 제조방법은 대한민국특허 0458498에 기재되어 있으며 이렇게 제조된 폴리아닐린을 이용하여 실시예 13의 방법으로 조성물을 만들었다.

<실시예 15>

제조예 1에서 합성한 폴리아닐린에 자발배향 금속화합물(대한민국특허 0426344 참조)을 무게비 15%가 되도록 하여 메타크레졸에 녹이고 실시예 12의 방법으로 조성물을 만들었다.

<실시예 16>

제조예 1에서 합성한 폴리아닐린을 디메틸아세트아미드에 녹이고, 여기에 방향족 고리에 2개의 디아세틸렌 화합물[-O-(CH₂)₄-C≡C-C≡C-(CH)₉-CH₃]을 치환기로 갖는 테레프탈산을 문헌(Angewandte Chemie International Edition, 43, 4197, 2004)에 기재된 방법으로 합성하여 무게비 15% 비율로 첨가하였다. 여기에 바인더 수지로 에틸비닐아세테이트 공중합체를 10% 그리고 컨버터 CaWO₃를 5% 첨가하여 조성물을 제조하였다.

<필름특성실험>

실시예 1 내지 16에 의해 제조된 조성물에 의해 제조된 필름에 대해 하기의 방법으로 전도도, 대조도 및 젖음성을 측정하고 그 결과를 표 1에 나타내었다.

1. 저항 및 전도도 측정

필름으로 제작한 코팅물의 전기저항은 통상의 사선탐침법(four line probe method)으로 상온에서 상대습도 50% 조건에서 측정하였다. 금선(gold wire) 전극의 접촉 시 부식방지를 위하여 카본 페이스트(carbon paste)를 사용하고, 일반적으로 두께 0.1~100 ㎛ 가량의 필름형 시편(두께 t, 폭 w)으로부터 전류(i), 전압(V), 2개의 바깥 전극과 2개의 안쪽 전극간의 거리(ℓ)에 대한 저항 및 전도도를 키슬리(Keithley) 전도도 측정 장치를 이용하여 측정하였다.

전도도는 하기식을 이용하여 계산하였으며, 전도도의 단위는 Siemens/cm 또는 S/cm로 하였다.

전도도 = (ℓ× i)/(w× t × v)

도 1에 나타낸 전류-전압곡선은 실시예 5에 따른 본 발명의 조성물에 대한 실험치를 일예로 나타낸 것으로 측정범위에서 옴접촉(Ohm'scontact)을 하고 있음을 확인하였으며 기울기로부터 전도도를 산출하고, 그 결과를 표 1에 나타내었다.

2. 조성물의 방사선 조사에 따른 저항변화 측정

유리기판 위에 전극을 입히고 그 위에 실시예 14 및 실시예 7에 따른 조성물을 10 미크론 두께를 갖는 필름으로 도포 한 후 방사선 노출 전후의 전류-전압 곡선을 조사하여 그 결과를 도 2와 도 3에 나타내었다. 전극 접촉은 카본페이스트를 사용하였다. X선은 특별하게 언급하지 않은 경우 텅스텐 음극 X선 장치의 70kVp 10mA 에서 1초 사용하였다.

3. 조성물의 방사선 도스(dose)에 따른 저항변화 및 필름의 대조도 측정

몰리브덴 음극관을 이용하여 발생시킨 X선의 에너지는 5mA에서 20 keV 와 40 keV이었다. 시편과 X선관과의 거리는 50cm 이고 노출시간은 0.01초에서 2분까지 변화시키면서 저항변화를 측정하였다.

방사선 민감도는 이들 노출시간 변화에 따라 물질이 반응하여 나타나는 저항변화를 의미하며 실시예 1 내지 16에 의한 조성물의 방사선 감응도는 일차적으로 조성물을 유리기판에 올린 후, 이 필름의 저항변화를 측정하여 아래와 같이 정의한 피사체 대조도로 나타내었다. 이때 방사선 dose 측정 결과는 X선관을 보정하지 않고 상대적으로 값을 비교하였다. 그렇지만 본 조성물은 DC 전도도뿐만 아니라 광학 반사율로부터 측정되는 광학전도도 또는 마이크로파 전도도를 이용하여 방사선 조 사 결과를 측정할 수 있으며 이를 통해 영상을 얻을 수도 있다. 조성물을 두께가 알려진 필름으로 제작하여 측정한 저항은 방사선 노출 정도에 의존하며 영상의 대조도와 대응속도는 서로 다른 영역 간 저항치를 상대적으로 비교하여 얻어지는 차이와 관계되기 때문에 주어진 유용한 저항치 범위에서 대조도를 아래 식으로 정의하여 사용하였다.

대조도 = (R1-R2)/R0

(식 중, R0 는 투과 전, R1 과 R2 는 다른 도스(dose) 영역에서의 저항치를 가리키며, 여기서는 노출시간을 0.05초와 0.15초로 다르게 하여 R1 과 R2 를 측정하였음). 실시예 1 내지 16에 의한 조성물은 대조도가 10% 이상일 경우 매우 좋음 (vg), 5~7 %일 경우 좋음(g), 3~1% 이상일 경우 약간 좋음(f)으로 하기 표 1에 나타내었다.

5. 젖음성

상온에서 25미크론 두께 폴리에스테르 필름 위에 실시예 1 내지 16에 따른 조성물을 떨어뜨려 액적법(sessile drop) 방법으로 정접촉각을 측정하여 각의 크기에 따라(100도 기준) 양호도를 판별하였으며, 그 결과를 표 1 에 나타내었다.

	전도도(S/cm)×10⁹	대조도	젖음성
실시예 1	3.0	G	O
실시예 2	26	F	x
실시예 3	0.8	G	O
실시예 4	2.3	VG	O
실시예 5	120	G	O
실시예 6	0.07	VG	△
실시예 7	970	G	O
실시예 8	66	G	O
실시예 9	0.5	VG	△
실시예 10	1.9	G	O
실시예 11	3.4	VG	O
실시예 12	8.1	G	O
실시예 13	78	G	O
실시예 14	0.07	F	O
실시예 15	8.3	G	O
실시예 16	0.4	VG	△

표 1에 의하면 본 발명의 방사선 조사에 의하여 증폭된 전기 저항 변화를 나타내는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물은 방사선조사 전후 저항변화가 대부분 5%이상으로 나타났으며 전기 저항 변화를 효과적으로 증폭시킬 수 있어, 방사선 검출 기록재로서 기능을 가질 수 있음을 알 수 있다. 특히 전이금속염을 포함한 조성물은 이들 중금속염이 유사도판트일 뿐만 아니라 방사선흡수에 의한 상호작용을 유발시켜 저항변화가 10%이상으로 나타나 효과적으로 낮은 도스(dose)의 방사선도 검출기록이 가능하다는 것을 알 수 있다.

도 1 은 본 발명의 실시예 5에 따른 조성물의 전류-전압곡선이다.

도 2 는 본 발명의 실시예 14에 따른 조성물의 X선 조사 전후의 전압-전류곡선이다.

도 3 는 본 발명의 실시예 7에 따른 조성물의 X선 조사 전후의 전압-전류곡선이다.

Claims

전도성 고분자 1 당량에 대하여 탄소나노튜브; 광분해형 도판트; 광경화제; 할로겐 원자를 포함하는 유기 전자수용체; 루이스 염기형 도판트; 및 유사도판트(pseudo-dophant)로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택된 광민감성 화합물 0.1∼2 당량을 혼합시켜 얻어진 방사선 영상용 조성물로서, 방사선 조사에 의하여 증폭된 전기 저항 변화(electrical resistance variation)를 나타내는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물.
제1항에 있어서, 상기 광분해형 도판트가 4,4'-이소프로필리덴-비스-(2,6-디브로모페놀)(4,4'-isopropylidene-bis-(2,6-dibromophenol)), 트리페닐술포늄 헥사플루오로 포스페이트(triphenylsulfonium hexafluorophosphate), 트리페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트(triphenylsulfonium hexafluoroantimonate), 트리페닐술포늄 헥사플루오로아르세네이트(triphenylsulfonium hexafluoroarsenate), 트리페닐술포늄 트리플레이트(triphenylsulfonium triflate), 디페닐(4-메톡시페닐)술포늄 트리플레이트(diphenyl(4-methoxyphenyl)sulfonium triflate), 디페닐아이오도늄 헥사플루오로포스페이트(diphenyliodonium hexafluorophosphate), 디페닐아이오도늄 헥사플루오로안티모네이트(diphenyliodonium hexafluoroantimonate), 4-메톡시페닐디페닐아이오도늄 트리플레이트(4-methoxydiphenyliodonium triflate), (4-하이드록시시클로헥실)시클로헥실-4-비닐벤젠술포네이트((4- hydroxycyclohexyl)cyclohexyl-4-vinylbenzenesulfonate), (4-하이드록시시클로헥실)시클로헥실-4-메틸벤젠술포네이트((4-hydroxycyclohexyl)cyclohexyl-4-methylbenzenesulfonate), 4-하이드록시시클로헥실-4-비닐벤젠술포네이트(4-hydroxycyclohexyl-4-vinylbenzenesulfonate), 4-하이드록시시클로헥실-4-메틸벤젠술포네이트(4-hydroxycyclohexyl-4-methylbenzenesulfonate), 및 SAL 605 로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택된 광산 발생제인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물.
제1항에 있어서, 상기 광분해형 도판트가 [(2,6-디니트로벤질)옥시카르보닐]디페닐아민([(2,6-dinitrobenzyl)oxycarbonyl]diphenylamine), [(2,6-디니트로벤질)옥시카르보닐]시클로헥실아민([(2,6-dinitrobenzyl)oxycarbonyl] cyclohexylamine), [(2,6-디니트로벤질)옥시카르보닐]헥산-1,6-디아민([(2,6-dinitrobenzyl)oxycarbonyl]hexane-1,6-diamine), N-메틸니페디핀(N-methylnifedipine), 제4급 암모늄디티오카바메이트(quaternary ammoniumdithiocarbamate), 트리메틸벤즈히드릴암모늄 트리플레이트(trimethylbenzhydrylammonium triflate), 트리메틸벤즈히드릴암모늄 아이오다이드(trimethylbenzhydrylammonium iodide), 트리메틸플로레닐암모늄 아이오다이드(trimethylflorenylammonium iodide), 오르토니트로벤질 카르바메이트(o-nitrobenzyl carbamate), 트리메틸벤즈히드릴암모늄 아이오다이드(trimethylbenzhydrylammonium iodide), 및 오르토아크릴로일 아세토페논 옥 심(O-acryloyl acetophenone oxime)으로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택된 광염기 발생제인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물.
제1항에 있어서, 상기 광경화제가 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 또는 디아세틸렌 유도체인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물.
제4항에 있어서, 상기 디아세틸렌 유도체가 카르복실기가 파라 위치로 연결된 방향족 1,4-디카르복실산으로서, 방향족 고리에 하나 이상의 -O-(CH₂)_p-C≡C-C≡C-(CH₂)_q-CH₃ 또는 하나 이상의 -O-(CH₂)_p-C≡C-C≡C-(CH₂)_q-CH₃ 및 -O-(CH₂)_r-CH₃ 를 갖는 방향족 디카르복실산(식 중, p, q, 및 r은 1 내지 12 의 정수이다)인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물.
제1항에 있어서, 상기 할로겐 원자를 포함하는 유기 전자수용체가 I₂, Br₂, 테트라시아노에틸렌(TCNE), 2,3-디클로로-5,6-디시아노-p-벤조퀴논, 오르토클로아닐, 및 오르토브롬아닐로 이루어진 군에서 1 종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물.
제1항에 있어서, 상기 루이스 염기형 도판트가 Gd³ ⁺, Eu³ ⁺, La³ ⁺, Y³ ⁺, Lu³ ⁺, Ce³⁺, Nd³ ⁺, Tb³ ⁺, Zn² ⁺, Mn² ⁺, Ni² ⁺, Cu² ⁺, Pb² ⁺, Pd² ⁺, Ca² ⁺, Fe³ ⁺, Au³ ⁺, Ti⁴ ⁺, Sn⁴ ⁺, Zr⁴ ⁺, Mo⁵⁺, Ag¹ ⁺ 또는 W⁶ ⁺의 염화물, 질산화물, 또는 인산화물인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물.
제1항에 있어서, 상기 유사도판트(pseudo-dophant)가 LiPF₆, LiAsF₆, LiClO₄, LiBF₄, 및 NaBF₄로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전도성 고분자가 방향족 고리에 치환기를 갖거나 갖지 않는 폴리아닐린; 방향족 고리에 치환기를 갖거나 갖지 않는 폴리피롤, 방향족 고리에 치환기를 갖거나 갖지 않는 폴리티오펜; 및 알킬 또는 알콕시를 치환기로 갖거나 갖지 않는 폴리아세틸렌으로 이루어진 군으로부터 선택되고, 상기 방향족 고리의 치환기가 I, Cl, Br 또는 (-OCH₂CH₂)_n-OCH₂CH₃(식 중, n은 1 내지 12의 정수)인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물.
제9항에 있어서, 상기 전도성 고분자가 방향족 고리에 치환기를 갖거나 갖지 않는 폴리아닐린; 또는 방향족 고리에 치환기를 갖거나 갖지 않는 폴리피롤, 방향 족 고리에 치환기를 갖거나 갖지 않는 폴리티오펜이고, 상기 전도성 고분자의 헤테로 원자에 디-t-부틸-디카보네이트(di-tert-butyl-dicarbonate) 또는 3,4-디하이드로-2H-피란-t-부틸-디카보네이트(3,4-dihydro-2H-pyran-tert-butyl-dicarbonate)가 치환된 것을 특징으로 하는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물.
제9항에 있어서, 상기 전도성 고분자가 pKa=5 이하의 유기산 또는 무기산에 의하여 도핑된 전도성 고분자 염인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물.
제11항에 있어서 상기 pKa=5 이하의 유기산 또는 무기산이 염산, 브롬산, 황산, 피루브산, 인산, 디클로로아세트산, 아크릴산, 시트르산, 개미산, 메탄술폰산, 벤젠술폰산, p-톨루엔술폰산, 캠퍼술폰산, 도데실벤젠술폰산, 디노닐나프탈렌술폰산(dinonylnaphthalensulfonic acid), 폴리(스티렌술폰산), 폴리아크릴산, 헤테로폴리음이온, C₁ ∼ C₂₄ 알킬 및 산화-C₁ ∼ C₂₄ 알킬 4-술포프탈산 디에스테르, 4-술포-1,2-벤젠디카르복실산 C₁ ∼ C₂₄ 알킬 에스테르, 비스(2-에틸헥실)하이드로젠포스페이트(bis(2-ethylhexyl)hydrogen phosphate), 및 2-아크릴아미도-2-메틸-1-프로판술폰산으로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 폴리비닐아세테이트, 폴리아크릴산, 폴리올, 아크릴레이트-스티렌 공중합체, 폴리에틸렌글리콜, 폴리비닐알콜, 폴리비닐피롤리돈, 폴리염화비닐(PVC), 폴리아크릴레이트, 니트로셀룰로오스, 폴리(2-하이드록시에틸 메타크릴레이트)-코-(알릴 메타크릴레이트)((poly(2-hydroxyethyl methacrylate)-co-(allyl methacrylate)), 폴리(부텐-1-술폰)(poly(butene-1-sulfone)), 폴리(2,3-디클로로-1-프로필아크릴레이트(poly(2,3-dichloro-1-propylacrylate)), 폴리(2-플루오로에틸 메타크릴레이트)(poly(2-fluoroethyl methacrlyate)), 에틸비닐아세테이트 공중합체, 셀룰로스트리아세테이트, 히드록시에틸셀룰로스, 폴리(헥사플루오로부틸메타크릴레이트(poly(hexafluorobutylmethacrylate)), 폴리메타크릴로니트릴(polymetacrylonitrile), 젤라틴, 폴리이소부틸메타아크릴레이트, 폴리(비닐-2-퓨릴아크릴레이트)(poly(vinyl-2-furylacrylate)), 폴리(비닐신나밀리덴 아세테이트(poly(vinylcinnamilidene acetate)), 염소화 폴리프로필렌, 폴리비닐페놀, 할로겐이 치환된 폴리비닐페놀, 폴리에틸렌이민, 니트로셀룰로스, 셀루로스아세테이트부티레이트, 및 셀룰로스프로피오네이트로 이루어진 군에서 1 종 이상 선택된 바인더 수지가 추가로 혼합된 것을 특징으로 하는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 프로피온산, 헵탄산(heptanoic acid), 붕산(boric acid), 4-술포프탈산디에스테르, 및 4-술포-1,2-벤젠디카르복실 산으로 이루어진 군에서 1 종 이상 선택된 가소제가 추가로 혼합된 것을 특징으로 하는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 도판트형 가소제가 추가로 혼합된 것을 특징으로 하는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물.
제15항에 있어서, 상기 도판트형 가소제가 디-2-에틸 헥실술포숙신산(di-2-ethyl hexylsulfosuccinic acid), 1,2-벤젠디카르복실산,4-술포-1,2-디(2-알킬)에스테르(1,2-benzenedicarboxylic acid, 4-sulfo-1,2-di(2-alkyl)ester), 1,2-벤젠디카르복실산,4-술포-1,2-디(2-알크옥시)에스테르(1,2-benzenedicarboxylic acid, 4-sulfo-1,2-di(2-alkoxy)ester), 디이소옥틸 포스페이트(diisooctyl phosphate), 디(m-톨릴)포스페이트(di(m-tolyl)phosphate), 또는 디페닐 포스페이트(diphenyl phosphate)인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 바륨 티타네이트(Barium titanate), MgO, 바륨 실리케이트(Barium silicate), BaI₂, BaSO₄, BaBr₂, SnI₄, H₂WO₄, ZnO, CsBr, CsI, ZnS, Gd₂O₂S, Y₂O₂S, CaWO₃, H₃BO₃, ZnSiO₄, ZnBr₂, ZnSO₄, PbI₂, 및 Na⁺-몬모릴로나이트(Na⁺-montmorillonite)로 이루어진 군에서 1종 이상 선택된 컨버터 물질이 추가로 혼합되거나 또는 별도의 층으로 형성된 것을 특징으로 하는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물.
제1항에 있어서, 상기 광민감성 화합물이 풀러렌, 술포닐기를 갖는 풀러렌, 트리페닐술포늄 트리플레이트, 트리메틸벤즈히드릴암모늄 아이오다이드, 탄소나노튜브, EuCl₃, 디페닐아이오도늄 헥사플루오로포스페이트, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, SAL 605, 오르토클로아닐, LiBF₄, 가돌리늄 클로리드(GdCl₃), N-메틸니페디핀, AgNO₃, NdCl₃, 트리페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 및 방향족 고리에 2개의 디아세틸렌 화합물[-O-(CH₂)₄-C≡C-C≡C-(CH)₉-CH₃]이 치환된 테레프탈산으로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물.
제18항에 있어서, 염소화 폴리프로필렌, 폴리에틸렌글리콜, 폴리(2-하이드록시에틸 메타크릴레이트)-코-(알릴 메타크릴레이트), 폴리비닐페놀, 폴리염화비닐, 폴리에틸렌이민, 폴리아크릴산, 히드록시에틸셀룰로스, 및 에틸비닐아세테이트 공중합체로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택된 바인더 수지; 4-술포-1,2-벤젠디카르복실산의 가소제; 또는 PbI₂ 또는 CaWO₃의 컨버터 물질이 추가로 혼합된 것을 특징으로 하는 전도성 고분자-함유 방사선 영상용 조성물.