KR20080067132A - 반도체 소자의 패턴 형성방법 및 그 형성장치 - Google Patents

반도체 소자의 패턴 형성방법 및 그 형성장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 반도체 소자의 패턴 형성방법 및 그 형성장치에 의하면, 화학증폭형 포토레지스트막의 노광된 영역에 적외선 또는 마이크로웨이브의 광에너지를 제공하여 베이스 수지의 탈보호반응을 불필요한 산확산 없이 발생시킴으로써 균일한 양질의 패턴이 형성될 수 있고, 광조사부를 이동시켜 공정시간을 단축시키면서도 신뢰성이 높은 소자를 제공할 수 있다.
화학증폭형 포토레지스트, 탈보호반응, 패턴, 적외선, 마이크로웨이브

Description

반도체 소자의 패턴 형성방법 및 그 형성장치{THE METHOD FOR FORMING PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE APPARATUS OF THE SAME}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 패턴 형성방법을 나타내는 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 패턴 형성장치를 나타내는 단면도이다.
도 3a 내지 3c는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자의 패턴 형성장치를 나타내는 개략도들이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 플레이트 110 : 기판
120 : 열에너지원 130 : 광에너지부
140 : 이동부 200 : 코팅부
210 : 노광부 220 : 광 조사부
230 : 현상부 250 : 버퍼부
본 발명은 반도체 소자의 패턴 형성방법 및 그 형성장치에 관한 것으로 더욱 상세하게는 산확산을 방지할 수 있는 반도체 소자의 패턴 형성방법 및 그 형성장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조공정에 있어서, 상기 반도체 소자를 구성하는 구성요소를 형성하기 위해 사진 식각 공정(photolithography)이 수행된다. 상기 사진 식각 공정은 크게 노광 공정(exposure) 및 현상 공정(develop)으로 이루어지며, 감광성 물질인 포토레지스트(photoresist)를 이용한다.
일반적인 포토레지스트로써, i 라인 포토레지스트(i-line photoresist)가 사용되어 왔다. 그러나, 상기 i 라인 포토레지스트는 노광용 빛을 흡수하여, 상기 포토레지스트 내부로 상기 노광 빛이 침투하지 못할 수 있다. 따라서, 화학증폭(Chemically Amplified Resist)형 포토레지스트가 주목받게 되었다.
상기 화학증폭형 포토레지스트는 베이스 수지(base resin) 및 광산발생제(Photo-Acid Generator:PAG)를 포함한다. 노광 공정에서, 노광된 영역의 베이스 수지가 탈보호 반응하여 현상 공정에 의해 제거됨으써 패턴이 형성된다. 상기 탈보호 반응에서 상기 광산발생제는 산을 발생시키고 상기 산은 탈보호반응의 촉매로 사용된다. 즉, 상기 탈보호 반응은 광의 조사로 산촉매가 발생되고, 상기 산촉매가 상기 탈보호 반응을 증폭시킨다. 따라서, 상기 화학증폭형 포토레지스트는 광에 대한 감도가 높다.
상기 포토레지스트 내에서, 상기 베이스 수지의 탈보호 반응이 일어나기 위해서는 활성 에너지가 필요하다. 상기 탈보호 반응의 활성 에너지(activation energy)는 통상적으로 열에 의해 제공된다. 따라서, 상기 노광 공정 후에 포토레지스트막을 가열하는 노광 후 베이크(post exposure bake) 공정이 수행된다. 그러나, 상기 노광 후 베이크 공정에 의해, 노광 공정에서 발생된 산은 산확산을 하게 된다.
형성하고자 하는 패턴의 크기와 비교하여, 상기 산확산 범위가 큰 경우에는 패턴의 질이 저하될 수 있다. 반도체 소자의 임계치수(critical dimension:CD)가 감소될 수록 상기 산확산에 의한 패턴 질의 저하는 더욱 심각해질 수 있다.
예컨대, 수직의 프로파일을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하고자 하는 경우, 산확산의 범위가 넓다면, 상기 포토레지스트 패턴의 상부가 하부보다 좁아질 수 있다. 또는, 상기 산확산이 불균일한 경우에는 상기 포토레지스트 패턴 또한 불균일하게 형성될 수 있다. 따라서, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 식각 공정을 진행하는 경우에는 원하는 형상의 패턴이 형성되지 않을 수 있다. 결과적으로, 반도체 소자의 신뢰성이 저하될 수 있다.
따라서, 상기 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 공정시간을 절약하면서도 신뢰성 높은 반도체 소자를 제공할 수 있는 반도체 소자의 패턴 형성방법 및 그 형성장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 소자의 패턴 형성방법은 기판에 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트막을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 막의 패턴 영역을 선택적으로 노광하는 단계, 상기 포토레지스트막에 광 에너지를 제공하여 상기 패턴 영역의 포토레지스트를 선택적으로 탈 보호반응시키는 단계 및 상기 패턴 영역을 제거하는 현상단계를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 포토레지스트는 화학증폭형 포토레지스트이고, 상기 광 에너지는 상기 포토레지스트에 탈 보호반응의 활성 에너지를 제공한다.
다른 실시예에 따르면, 상기 광 에너지는 원적외선 또는 마이크로 웨이브에 의해 제공될 수 있다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 소자의 패턴 형성장치는 포토레지스트가 도포된 기판이 장착되는 플레이트 및 상기 기판과 마주보고, 상기 포토레지스트를 탈 보호반응시키는 활성 에너지를 제공하는 광에너지원을 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 광에너지원은 원적외선 또는 마이크로웨이브이다.
다른 실시예에 따르면, 상기 플레이트에 장착되는 열에너지원을 더 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 기판상에 포토레지스트를 도포하는 코팅부를 더 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 기판상에 도포된 포토레지스트를 노광하는 노광부를 더 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 노광된 포토레지스트를 현상하는 현상부를 더 포함할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 하기 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장 되어진 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 패턴 형성방법이 설명된다.
도 1을 참조하면, 반도체 기판상에 포토레지스트막이 형성된다(S10). 상기 포토레지스트막은 화학증폭(Chemically Amplified Resist)형 포토레지스트를 포함한다. 상기 화학증폭형 포토레지스트는 양성 포토레지스트(positive photoresist)로써 베이스 수지(base resin), 광산발생제(Photo-Acid Generator:PAG), 용매(solvent) 및 그외 첨가물을 포함할 수 있다. 상기 광산발생제로는 설포늄염 형의 광산발생제가 사용될 수 있다.
이어서, 상기 포토레지스트막에 대해 노광(exposure) 공정이 수행된다. 패턴이 형성되어 있는 포토 마스크를 이용하여, 상기 포토레지스트막은 선택적으로 광에 노출된다. 따라서, 상기 포토레지스트막의 제거하고자 하는 패턴 영역이 노광된다(S20). 이때, 상기 패턴 영역의 광산발생제는 분해되면서 산을 발생시킨다.
상기 노광된 패턴 영역에 대해 광 에너지(light energy)가 제공된다(S30).
상기 광 에너지는 원적외선(InfraRed:IR)일 수 있다. 상기 원적외선의 파장 범위는 사용되는 포토레지스트의 베이스 수지의 종류에 따라 조절될 수 있다. 상기 광 에너지는 마이크로 웨이브(microwave)일 수 있다. 상기 마이크로 웨이브의 파장범위는 사용되는 포토레지스트의 베이스 수지의 종류에 따라 조절될 수 있다.
상기 광 에너지에 의해 상기 패턴 영역에서 베이스 수지의 탈보호 반응이 일어난다(S40). 상기 탈보호 반응은 상기 노광 공정에서 발생된 산을 촉매로 하고, 상기 광 에너지는 상기 탈보호 반응에 활성 에너지를 제공한다. 상기 광 에너지는 활성 에너지를 제공하여 상기 베이스 수지의 반응성에만 기여할 뿐, 부가적으로 상기 포토레지스트막에 열을 제공하지 않는다. 따라서, 상기 산이 열에 의해 확산될 염려가 없다.
상기 패턴 영역의 베이스 수지는 상기 탈보호 반응에 의해 비보호화(deprotection)된다. 따라서, 상기 패턴 영역의 포토레지스트막은 용해 가능한 상태가 된다.
상기 포토레지스트막에 대해 현상 공정이 수행되어 상기 패턴 영역이 제거된다(S50).
도 2를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 패턴 형성장치가 설명된다.
도 2를 참조하면, 패턴 형성장치는 광조사부(220)를 포함한다. 상기 광 조사부(220)는 기판(110)이 장착되는 플레이트(100)를 포함한다. 상기 플레이트(100)는 상기 기판(110)에 열을 제공하기 위해 열에너지원(120)을 더 포함할 수 있다. 상기 열에너지원은 써머커플(thermal couple) 등에 의해 일정 온도로 조절될 수 있다.
상기 기판(110)은 상기 플레이트(100)에 고정된다. 따라서, 상기 플레이트(100)는 상기 기판(110)을 고정할 수 있는 통상의 고정부를 구비한다.
상기 기판(110)의 상부면과 이격되어 상기 기판(110) 위로 광에너지부(130)가 위치한다. 상기 광에너지부(130)는 적외선을 조사하거나 마이크로웨이브를 방출할 수 있다. 상기 광에너지부(130)는 타이머(미도시)등을 구비하여 광 조사시간을 조절할 수 있다.
상기 광에너지부(130)는 이동부(140)와 연결되어 이동될 수 있다. 예컨대, 상기 이동부(140)는 레일을 포함하여 상기 광에너지부(130)를 이동시킬 수 있다.
따라서, 상기 패턴 형성장치는 반도체 소자의 제조라인에서 원하는 공정 단계로 이동시켜 사용될 수 있다.
도 3a를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 패턴 형성장치가 설명된다.
도 3a를 참조하면, 반도체 소자의 패턴 형성장치는 코팅부(200), 노광부(210), 광 조사부(220) 및 현상부(230)를 포함할 수 있다. 상기 반도체 소자의 패턴 형성장치는 리니어 형태로써, 각 하위 공정부들이 일렬로 연결될 수 있다. 따라서, 상기 코팅부(200)에 기판이 삽입되고 순차적으로 공정이 진행될 수 있다.
도 3b를 참조하면, 반도체 소자의 패턴 형성장치는 코팅부(200), 노광부(210), 광 조사부(220) 및 현상부(230)를 포함한다. 이때, 코팅부(200), 노광 부(210) 및 현상부(230)는 리니어 형태로 연속적으로 연결된다. 그러나, 상기 광 조사부(220)는 상기 노광부(210) 또는 현상부(230)에 선택적으로 설치되거나, 상기 노광부(210)에서 현상부(230)에 걸쳐 이동할 수 있도록 설치될 수 있다. 따라서, 상기 광 조사부(220)는 별도로 설치 영역을 구비하지 않으면서도 포토레지스트막에 광에너지를 제공할 수 있다. 또한, 상기 노광부(210)에서 상기 현상부(230)로 이동하는 동안 광에너지를 제공할 수 있어, 공정시간을 절약시킬 수 있다.
도 3c를 참조하면, 반도체 소자의 패턴 형성장치는 코팅부(200), 노광부(210), 광 조사부(220) 및 현상부(230)를 클러스터 형태로 구비할 수 있다. 버퍼부(250)가 별도로 구비되어 패턴 형성 공정이 연속적으로 진행될 수 있으며, 기판의 이동이 용이할 수 있다.
상기 반도체 소자의 패턴 형성장치는 상기 광 조사부를 구비함에 있어서, 상기 코팅부, 노광부 및 현상부를 선택적으로 포함할 수 있다.
본 발명의 반도체 소자의 패턴 형성방법 및 그 형성장치에 의하면, 화학증폭형 포토레지스트막의 노광된 영역에 광에너지를 제공한다. 상기 광에너지는 적외선 또는 마이크로웨이브일 수 있으며, 상기 광에너지에 의해 상기 노광된 영역에서 베이스 수지의 탈보호반응이 발생한다. 이때, 노광 공정에 의해 발생된 산이 불필요하게 확산되지 않으므로 반도체 소자의 패턴이 균일하게 형성될 수 있고, 패턴의 질이 향상될 수 있다. 또한, 반도체 소자의 패턴 형성장치는 노광 후 베이크 공정 대신, 광 조사부를 구비하여 불필요한 산확산을 방지할 수 있다. 또한, 필요한 경 우, 반응에 필요한 만큼의 적은 산확산을 일으킬 수 있으며, 이동가능한 형태로 설치되어 공정 시간을 단축시킬 수 있다. 따라서, 경제성을 높이면서도 신뢰성이있는 소자를 제조할 수 있다.

Claims (10)

  1. 기판에 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트막을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트막의 패턴 영역을 선택적으로 노광하는 단계;
    상기 포토레지스트막에 광 에너지를 제공하여 상기 패턴 영역의 포토레지스트를 선택적으로 탈 보호반응시키는 단계; 및
    상기 패턴 영역을 제거하는 현상단계를 포함하는 반도체 소자의 패턴 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 포토레지스트는 화학증폭형 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 광 에너지는 상기 포토레지스트에 탈 보호반응의 활성 에너지를 제공하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 광 에너지는 원적외선 또는 마이크로 웨이브에 의해 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성방법.
  5. 포토레지스트가 도포된 기판이 장착되는 플레이트; 및
    상기 기판과 마주보고, 상기 포토레지스트를 탈 보호반응시키는 활성 에너지를 제공하는 광에너지원을 포함하는 반도체 소자의 패턴 형성장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 광에너지원은 원적외선 또는 마이크로웨이브인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 플레이트에 장착되는 열에너지원을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 기판상에 포토레지스트를 도포하는 코팅부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 기판상에 도포된 포토레지스트를 노광하는 노광부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 노광된 포토레지스트를 현상하는 현상부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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