KR20080067094A - 큐.에프.엔 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지의 리드프레임 하부에 부착되어 상기 리드프레임의 상부에 주입되는 에폭시 수지의 흘러내림을 방지하는 폴리이미드 실리콘 점착테이프 및 그 제조방법에 관한 것으로, 점착테이프의 제거 후에도 점착층의 잔사가 없을 뿐만 아니라 와이어본딩(Wire-Bondig)의 효율성을 높이기 위한 것이다.
이를 위하여 본 발명은, 폴리이미드 필름(100)의 상부에 실리콘용 프라이머(200)를 처리하는 단계와, 상기 실리콘용 프라이머(200)가 처리된 폴리이미드 필름(100)의 상부에 실리콘점착층(300)을 적층시키는 단계와, 상기 실리콘점착층(300)의 상부에 불소 이형처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(400)을 부착하는 단계를 포함하는 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프 및 그 제조방법을 제공하여, 에폭시 수지의 흘러내림을 효과적으로 방지하는 동시에 고온경화 상태에서도 리드프레임으로부터 탈락 혹은 들뜸현상이 없으며, 점착테이프의 제거 후에도 점착층의 잔사가 없을 뿐만 아니라 와이어본딩(Wire-Bondig)공정에서도 우수한 효율성을 가질 수 있게 한다.
큐.에프.엔, 리드프레임, 에폭시수지, 점착테이프, 와어어본딩
Description
도 1은 일반적인 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조과정을 나타낸 개략도
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프의 제조과정을 나타낸 흐름도
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프의 상세구성을 나타낸 단면도
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 폴리이미드 필름 200 : 프라이머
300 : 실리콘점착층 400 : 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름
10 : 폴리이미드 실리콘 점착테이프 20 : 리드프레임
21 : 소자탑재부 22 : 리드
30 : 반도체 소자 31 : 와이어
40 : 에폭시수지 50 : 큐.에프.엔 패키지
본 발명은 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 에폭시 수지의 흘러내림을 효과적으로 방지하는 동시에 고온경화 상태에서도 리드프레임으로부터 탈락 혹은 들뜸현상이 없으며, 점착테이프의 제거 후에도 점착층의 잔사가 없을 뿐만 아니라 와이어본딩(Wire-Bondig)공정에서도 우수한 효율성을 가질 수 있도록 한 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근들어 개인용 컴퓨터, 셀룰러 폰, 캠코더와 같은 전자제품군은 제품의 크기는 소형화를 추구하면서, 내부에서 수행하는 처리용량은 대용량화를 추구하고 있다. 이에 따라 반도체 패키지에 있어서도, 크기는 작으면서 대용량이고, 빠른처리속도에도 적합한 형태의 반도체 패키지가 절실히 요구된다. 이에 따라, 반도체 패키지의 개발 방향은, 종래의 디아이피(DIP, Dual In-Line) 패키지와 같은 삽입실장형에서, 표면실장형인 큐.에프.엔(QFN, Quad Flat Non-lead), 티.에스.오.피(TSOP, Thin Small Out-line Package), 티.큐.에프.피(TQFP, Thin Quad Flat Package), 비.지.에이(BGA, Ball Grid Array)로 급속히 전환되고 있다.
상기 표면실장형 패키지중 큐.에프.엔(QFN, Quad Flat Non-lead) 패키지는 일반적인 반도체 패키지와 같이 리드프레임을 사용하면서도 반도체 패키지의 크기와 무게를 현저하게 줄일 수 있으며 또한 높은 품질과 신뢰도를 얻을 수 있기 때문 에 주목을 받고 있는 반도체 패키지이다.
도 1은 일반적인 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조과정을 나타낸 개략도로서, 그 제조과정을 살펴보면, (a)리드프레임(20)의 하부면에 종래의 폴리이미드 실리콘 점착테이프(10)를 부착한 후, (b)리드프레임(20)의 소자탑재부(21)에 IC칩 등 반도체 소자(30)를 탑재하고, (c)반도체 소자(30)와 리드프레임(20)의 리드(22)를 금 등의 소재로 제작된 와이어(31)를 통해서 전기적으로 접속한다. 다음에, (d)상기 (c)과정의 제조 도중의 반도체 장치를 금형 안으로 재치하고, 에폭시수지(40)를 사용해 금형성형함으로서 리드프레임(20) 및 반도체 소자(30)의 상부에 에폭시수지(40)를 도포하게 되며, 상기의 과정 후에 (e)폴리이미드 실리콘 점착테이프(10)를 리드프레임(20)으로부터 박리하여 복수개의 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지가 결합된 형태의 패키지를 형성할 수 있고, (f)각 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지의 외주를 따라서 다이싱(Dicing)함으로서 완성된 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지를 제조할 수 있게 된다.
상기의 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조과정에서 사용되는 폴리이미드 실리콘 점착테이프는, 상기 리드프레임의 상부에 도포되는 에폭시 수지의 흘러내림을 방지하기 위해 부착되는 것으로서, 국내의 경우, 대부분 일본에서 생산되는 제품을 전량 수입하여 사용하여 왔다.
그러나 상기 일본에서 생산되는 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프는, 점착테이프의 제조에 사용되는 물성이 우수하지 못한 실리콘 점착제를 사용함으로서 실리콘 점착제의 두께가 5~6㎛로 두껍게 형성될 뿐만 아니라 두께의 편차 등에 의하여 와이어본딩(Wire-Bondig)공정의 본딩 효율저하를 유발시킬 뿐만 아니라 고온경화 상태에서 리드프레임으로부터 탈락 혹은 들뜸현상이 빈번히 발생하며, 점착면의 버블(Bubble)현상으로 인해 점착테이프의 제거 후에도 점착층의 잔사가 생기게 되는 등의 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 특히, 본 발명은 부가 타입의 실리콘 점착제를 활용하여 점착층의 두께를 최소화하는 동시에 다양한 개선을 통하여 에폭시 수지의 흘러내림을 효과적으로 방지하는 동시에 고온경화 상태에서도 리드프레임으로 부터 탈락 혹은 들뜸현상이 없으며, 점착테이프의 제거 후에도 점착층의 잔사가 없을 뿐만 아니라 와이어본딩(Wire-Bondig)공정에서도 우수한 효율성을 가질 수 있도록 하는 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프 및 그 제조방법을 제공함에 목적이 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은, 폴리이미드 필름(100)의 상부에 실리콘용 프라이머(200)를 처리하는 단계와, 상기 실리콘용 프라이머(200)가 처리된 폴리이미드 필름(100)의 상부에 실리콘점착층(300)을 적층시키는 단계와, 상기 실리콘점착층(300)의 상부에 불소 이형처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(400)을 부착하는 단계를 포함하는 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프의 제조방법이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 특징은, 폴리이미드 필름(100)의 상부에 실리콘용 프라이머(200)를 처리하는 단계와, 상기 폴리이미드 필름(100)의 상부에 실리콘점착층(300)을 적층시키는 단계와, 상기 실리콘점착층(300)의 상부에 불소이형처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(400)을 부착하는 단계를 포함하는 제조방법에 의해 제조된 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프이다.
상기 본 발명의 특징에 의한 폴리이미드 필름은 그 두께를 24㎛ ~ 26㎛로 제작하는 실시예를 구성할 수 있을 것이다.
또한, 상기 본 발명의 특징에 의한 실리콘점착층은 그 두께를 2㎛ ~ 4㎛로 제작하는 실시예를 구성할 수 있을 것이다.
또한, 상기 본 발명의 특징에 의한 불소이형처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름은 그 두께를 49㎛ ~ 51㎛로 제작하는 실시예를 구성할 수 있을 것이다.
상기 각 실시예에서, 실리콘점착층의 적층은, 부가 타입의 실리콘 점착제와, 실리콘 검(Gum)과, 실리콘 수지의 혼합물에, 100% 활성 고형 실리콘 가교제를 첨가한 후, 백금 촉매 및 비닐 기능기 실리콘 중합체의 혼합물을 혼합한 점착제를 사용하여 적층시키는 실시예를 구성할 수 있을 것이다.
또한, 상기 각 실시예에서 실리콘용 프라이머 처리는, 부가 타입의 실리콘점착제와, 실리콘 검(Gum)과, 실리콘 수지의 혼합물에, 백금 촉매 및 비닐 기능기 실리콘 중합체의 혼합물을 첨가한 프라이머를 이용하여 처리하는 실시예를 구성할 수 있을 것이다.
또한, 상기 각 실시 예에서 불소이형처리는, 백금촉매가 자체 포함된 불소 이형제와, 불소용 경화제와, 점착성 첨가제가 혼합된 불소이형제를 이용하여 처리하는 실시예를 구성할 수 있을 것이다.
상기 본 발명의 목적과 특징 및 장점은 첨부도면 및 다음의 상세한 설명을 참조함으로서 더욱 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예의 구성 및 그 작용 효과에 대해 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프의 제조과정을 나타낸 흐름도이고, 도 3는 본 발명의 일실시예에 따른 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프의 상세구성을 나타낸 단면도로서, 본 발명의 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프의 상세구성을 나타내고 있다. 즉, 본 발명의 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프는, (ⅰ)두께가 24㎛ ~ 26㎛인 폴리이미드 필름(100)의 상부에 실리콘용 프라이머(200)를 처리한 후, (ⅱ)두께가 2㎛ ~ 4㎛인 실리콘점착층(300)을 적층시키고, (ⅲ)불소이형처리된 두께 49㎛ ~ 51㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(400)을 부착하여 구성된다.
상기 실리콘용 프라이머(200) 처리과정에서 사용되는 프라이머(200)는, 부가 타입의 실리콘점착제와, 실리콘 검(Gum)과, 실리콘 수지의 혼합물에,
백금 촉매 및 비닐 기능기 실리콘 중합체의 혼합물을 첨가하여 제조되며, 바람직한 배합비는 하기에 설명하였다.
상기 실리콘점착층(300)의 적층은, 부가 타입의 실리콘 점착제와, 실리콘 검(Gum)과, 실리콘 수지의 혼합물에,
100% 활성 고형 실리콘 가교제를 첨가한 후,
백금 촉매 및 비닐 기능기 실리콘 중합체의 혼합물을 혼합한 점착제를 적층하는 것으로서, 바람직한 배합비는 하기에 설명하였다.
상기 불소이형처리에 사용되는 불소이형제는, 백금촉매가 자체 포함된 불소 이형제와, 불소용 경화제와, 점착성 첨가제가 혼합된 불소이형제를 이용하여 처리하는 것으로서, 바람직한 배합비는 하기에 설명하였다.
상기의 실리콘점착층(30)을 형성하는 실리콘 점착제를 2㎛ ~ 4㎛로 정밀하게 도포하여 적층, 즉, 코팅하기 위해서 본 발명에서는 마이크로 그라비아(Micro Gravure) 코팅방식을 사용하였으며, 그 구체적인 이유를 살펴보면, 일반적으로 범용적인 코팅방법에는 롤(Roll), 콤마나이프(Comma Knife), 그라비아(Gravure), 전선권취막대(Wire Wound Rod, Meyer Bar), 슬롯다이(Slot Die) 코팅방법이 있다.
본 발명에서 사용한 마이크로 그라비아(Micro Gravure)코팅방식은 그라비아 롤(Gravure Roll)의 외경이 작아 필름과 롤의 접촉면적이 적으며 압동롤(고무롤)이 없기 때문에 코팅시 표면이 불균일하게 되는 문제를 해결함으로서, 코팅표면이 균일하게 도포된다. 또한, 그라비아 롤(Gravure Roll)의 회전속도와 점착제의 고형분을 조절함으로서 점착제의 두께를 미세하게 조절가능하며 균일한 점착표면을 얻을 수 있게 됨으로서, 본 발명의 폴리이미드 실리콘 점착테이프를 리드프레임(20)에 부착시 균일하게 밀착가능 할 뿐만 아니라 몰드플래쉬(Mold Flash)를 감소시킬 수 있게 된다.
이하, 실시예, 비교예 및 실험예를 통해 상기 실리콘점착층의 적층에 사용되는 점착제의 최적배합비를 산출하였으며, 실리콘용 프라이머 처리과정에서 사용되는 프라이머 및 불소이형처리에 사용되는 불소이형제의 잔사율을 감소시키기 위한 바람직한 배합비를 나타내었다.
[ 실시예 1 ~ 실시예 4] 실리콘점착층의 적층에 사용되는 점착제의 최적배합비 산출
상기 점착제는 부가 타입의 실리콘 점착제와, 실리콘 검(Gum)과, 실리콘 수지의 혼합물에, 100% 활성 고형 실리콘 가교제를 첨가한 후, 백금 촉매 및 비닐 기능기 실리콘 중합체의 혼합물을 혼합하여 제조하는 것으로서,
실리콘 점착제와, 실리콘 검(Gum)과, 실리콘 수지의 혼합물, 100% 활성 고형 실리콘 가교제, 백금 촉매 및 비닐 기능기 실리콘 중합체의 혼합물 및 상기 배합의 효율성및 미세한 두께 조절을 위해 첨가되는 톨루엔은 시중에 유통되는 제품을 사용하였으며, 그 제조방법을 살펴보면,
한 종류 또는 두 종류 이상의 실리콘 점착제와, 실리콘 검(Gum)과, 실리콘 수지의 혼합물에 톨루엔을 교반(600~650rpm, 10분, 여름:30℃~40℃/겨울:20℃~30℃)한 후,
100% 활성 고형 실리콘 가교제를 투입하여 추가 교반(600~650rpm, 3분, 여 름:30℃~40℃/겨울:20℃~30℃) 하고,
백금 촉매 및 비닐 기능기 실리콘 중합체의 혼합물을 투입하여 추가 교반(600~650rpm, 3분, 여름:30℃~40℃/겨울:20℃~30℃)하여 제조하였으며,
상기 점착제의 최적배합비를 산출하기 위한 배합 실시예 1 ~ 실시예 4을 하기의 표 1에 나타내었다.
표 1. 점착제의 배합비
| 실시예1 (중량%) | 실시예2 (중량%) | 실시예3 (중량%) | 실시예4 (중량%) | |
| 실리콘 점착제와, 실리콘 검(Gum)과, 실리콘 수지의 혼합물 1 | 100 | 80 | 20 | 0 |
| 실리콘 점착제와, 실리콘 검(Gum)과, 실리콘 수지의 혼합물 2 | 0 | 20 | 80 | 100 |
| 100% 활성 고형 실리콘 가교제 | 0.86 | 0.86 | 0.86 | 0.86 |
| 백금 촉매 및 비닐 기능기 실리콘 중합체의 혼합물 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 |
| 톨루엔 | 200 | 200 | 200 | 200 |
[실험예 1] 각 점착제의 배합비에서 최적배합비를 산출하기 위한 실험
상기 점착제의 두께는 3㎛, 폭은 25mm로 절단하고, 압착기(Chemsultants international network)를 이용하여, SUS Plate에 180mm/min의 속도로 1회 왕복 압착 후, 상온에서 20분 이상 정치한 후 SUS Plate에서 샘플이 떨어질 때 발생하는 힘(gf) 즉, 점착력(gf/25mm)을 AG-IS (Shimazu/180도 peel strength)를 이용하여 평균값(gf/25mm, SUS Plate)으로 측정하였으며, 상기와 동일한 방법이나 SUS Plate대신 Cu-L/F을 사용하여 점착력(gf/25mm)의 평균값(gf/25mm, Cu-L/F)을 측정하였고, 상기 샘플을 175℃오븐온도에서 1시간 가열 후 상온에서 20분 이상 정치한 후 박리되는 힘(gf/25mm, After 175℃ x 1hr)을 측정하였으며 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
표 2. 실험결과
| 실시예1 | 실시예2 | 실시예4 | 실시예5 | |
| 점착력 (gf/25mm, SUS Plate) | 35 | 80 | 320 | 400 |
| 점착력 (gf/25mm, Cu-L/F) | 45 | 90 | 330 | 410 |
| 점착력 (After 175℃ x 1hr) | 60 | 110 | 360 | 440 |
상기 표 2에서 알 수 있듯이, 실시예 1의 배합비로 제조된 점착제가 가장 가벼운 박리성을 가짐으로서, 본 발명의 점착테이프를 리드프레임(20)으로부터 박리하는 과정(도 1-(e)참조)에서 용이하게 박리되어 리드프레임(20)의 하부면에 점착층의 잔사가 생기는 것을 방지할 수 있게 된다.
[ 실시예 5] 실리콘용 프라이머 처리과정에서 사용되는 프라이머의 바람직한 배합비
상기 프라이머는, 부가 타입의 실리콘점착제와, 실리콘 검(Gum)과, 실리콘 수지의 혼합물에, 백금 촉매 및 비닐 기능기 실리콘 중합체의 혼합물을 첨가한 하여 제조하는 것으로서,
실리콘 점착제와, 실리콘 검(Gum)과, 실리콘 수지의 혼합물, 백금 촉매 및 비닐 기능기 실리콘 중합체의 혼합물, 상기 배합의 효율성을 증가시키기 위해 첨가 되는 톨루엔은 시중에 유통되는 제품을 사용하였으며, 그 제조방법을 살펴보면,
실리콘 점착제와, 실리콘 검(Gum)과, 실리콘 수지의 혼합물에 톨루엔을 교반(600~650rpm, 5분, 여름:30℃~40℃/겨울:20℃~30℃)한 후,
상기와 다른 종류의 실리콘 점착제와, 실리콘 검(Gum)과, 실리콘 수지의 혼합물을 투입하여 추가 교반(600~650rpm, 3분, 여름:30℃~40℃/겨울:20℃~30℃) 하고,
백금 촉매 및 비닐 기능기 실리콘 중합체의 혼합물을 투입하여 추가 교반(600~650rpm, 3분, 여름:30℃~40℃/겨울:20℃~30℃)하여 제조하였으며,
상기 프라이머의 바람직한 배합비(실시예 5)를 하기의 표 3에 나타내었다.
표 3. 프라이머의 배합비
| 배합비(중량%) | |
| 실리콘 점착제와, 실리콘 검(Gum)과, 실리콘 수지의 혼합물 3 | 100 |
| 실리콘 점착제와, 실리콘 검(Gum)과, 실리콘 수지의 혼합물 4 | 1.4 |
| 백금 촉매 및 비닐 기능기 실리콘 중합체의 혼합물 | 0.5 |
| 톨루엔 | 500 |
[실험예 2] 실시예 5의 배합비로 제조된 실리콘 프라이머를 처리한 후, 실리콘점착층을 적층하였을 때와, 처리하지 않고 적층하였을 때의 비교
PI원단에 프라이머를 처리한 후, 실리콘점착층을 적층한 샘플과 PI원단에 프라이머를 처리하지 않고 실리콘점착층을 단독으로 적층한 샘플을 200℃ 1 시간 동안 오븐에 방치 후, 상온에서 잔사를 확인한 결과 실리콘점착층을 단독으로 적층한 샘플의 잔사 발생율이 10~15%일 때, 프라이머를 처리한 후, 실리콘점착층을 적층한 샘플의 잔사 발생율이 1%이하임을 확인할 수 있었다.
따라서, 본 발명의 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프제조 과정에서 실리콘점착층의 적층 전, 실리콘용 프라이머를 처리하는 것이 잔사 발생율을 감소시키게 된다.
[ 실시예 6] 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 불소이형처리에 사용되는 불소이형제의 바람직한 배합비
상기 불소이형제는, 백금촉매가 자체 포함된 불소 이형제와, 불소용 경화제와, 점착성 첨가제가 혼합된 것으로서,
백금촉매가 자체 포함된 불소 이형제, 불소용 경화제, 점착성 첨가제 및 상기 배합의 효율성을 증가시키기 위해 첨가되는 노말헥산(N-hexane)과 노말헵탄(N-heptane)은 시중에 유통되는 제품을 사용하였으며, 상기 불소이형제의 바람직한 배합비(실시예 6)를 하기의 표 4에 나타내었다.
표 4. 실리콘이형제의 배합비
| 배합비(중량%) | ||||
| 백금촉매가 자체 포함된 실리콘 이형제 | 100 | |||
| 실리콘용 경화제 | 4 | |||
| 점착성 첨가제 | 2 | |||
| 노말헥산 | 60.95 | |||
| 노말헵탄 | 60.95 | |||
[실험예 4] 실시예 6의 배합비로 제조된 불소이형제를 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 부착하였을 때의 코팅량, 이형력 및 점착성 실험
불소이형제를 처리한 두께 50㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 경화기를 이용하여 160℃시에서 10초간 경화시킨 후, 코팅량, 이형력 및 점착성을 측정하였다.
코팅량은 상기 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이 ㎡단위의 면적을 코팅하기 위해 소요되는 량을 측정하기 위한 것이고, 이형력은 상기 필름을 이형시키는데 필요한 inch 당 힘을 측정하기 위한 것이며, 점착성은 상기 필름의 박리 후의 잔사물 등을 확인하기 위해 측정하는 것으로서,
코팅량은 X-3000(Oxford, He gas)를 이용하여 측정한 결과 0.10g/㎡ ~ 0.12g/㎡로 측정되었고, 이형력은 AR-1500(Cheminstrument/ 180도 peel strength (gf/inch)을 이용하여 측정한 결과, 8.1 gf/inch(상온경화/상온aging) ~ 8.7 gf/inch(50℃경화/상온aging), 13.9 gf/inch(상온경화/50℃aging) ~ 20.5 gf/inch(상온경화/50℃aging)로 측정되었으며, 점착성은 50℃, 95%습도의 오븐에서 일정시간 방치한 후, 박리시킨 결과 잔사물이 존재하지 않았다.
따라서, 상기와 같이 불소이형제를 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름은 코팅량, 이형력이 종래제품보다 우수하여 효율적인 점착성을 보유하여 박리 후에 잔사나 얼룩이 존재하지 않게 된다.
상기의 실시예, 비교예 및 실험예를 종합적으로 고려해 볼 때, 본 발명의 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프는 에폭시 수지의 흘러내림을 효과적으로 방지하는 동시에 고온경화 상태에서도 리드프레임으로부터 탈락 혹은 들뜸현상이 없으며, 점착테이프의 제거 후에도 점착층의 잔사가 없을 뿐만 아니라 와이어본딩(Wire-Bondig)공정에서도 우수한 효율성을 가질 수 있게 되는 것을 알 수 있다.
이외에도 본 발명인 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프는 다양하게 변형실시될 수 있는 것으로, 본 발명의 목적범위를 일탈하지 않는 한, 변형되는 실시예들은 모두 본 발명의 권리범위에 포함되어 해석되어야 한다.
이상의 본 발명에 의하면, 에폭시 수지의 흘러내림을 효과적으로 방지하는 동시에 고온경화 상태에서도 리드프레임으로 부터 탈락 혹은 들뜸현상이 없으며, 점착테이프의 제거 후에도 점착층의 잔사가 없을 뿐만 아니라 와이어본딩(Wire-Bondig)공정에서도 우수한 효율성을 가질 수 있게 되는 등의 이점을 얻을 수 있게 된다.
Claims (9)
- 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지의 리드프레임(20) 하부에 부착되어 상기 리드프레임(20)의 상부에 주입되는 에폭시 수지(40)의 흘러내림을 방지하는 폴리이미드 실리콘 점착테이프의 제조방법에 있어서,(ⅰ)폴리이미드 필름(100)의 상부에 실리콘용 프라이머(200)를 처리하는 단계와,(ⅱ)상기 실리콘용 프라이머(200)가 처리된 폴리이미드 필름(100)의 상부에 실리콘점착층(300)을 적층시키는 단계와,(ⅲ)상기 실리콘점착층(300)의 상부에 불소이형처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(400)을 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,폴리이미드 필름(100)은 두께가 24㎛ ~ 26㎛인 것을 특징으로 하는 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,실리콘점착층(300)은 두께가 2㎛ ~ 4㎛인 것을 특징으로 하는 큐.에프. 엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,불소이형처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(400)은 두께가 49㎛ ~ 51㎛인 것을 특징으로 하는 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,실리콘점착층(300)의 적층은,부가 타입의 실리콘 점착제와, 실리콘 검(Gum)과, 실리콘 수지의 혼합물에,100% 활성 고형 실리콘 가교제를 첨가한 후,백금 촉매 및 비닐 기능기 실리콘 중합체의 혼합물을 혼합한 점착제를 사용하여 적층시키는 것을 특징으로 하는 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,실리콘용 프라이머(200) 처리는,부가 타입의 실리콘점착제와, 실리콘 검(Gum)과, 실리콘 수지의 혼합물에,백금 촉매 및 비닐 기능기 실리콘 중합체의 혼합물을 첨가한 프라이머를 이 용하여 처리하는 것을 특징으로 하는 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,불소이형처리는,백금촉매가 자체 포함된 불소 이형제와, 불소용 경화제와, 점착성 첨가제가 혼합된 불소이형제를 이용하여 처리하는 것을 특징으로 하는 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프의 제조방법.
- 제 3항에 있어서,실리콘점착층(300)은,마이크로 그라비아(Micro Gravure) 코팅방식을 사용하여 적층하는 것을 특징으로 하는 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프.
- 제 1항의 제조방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 큐.에프.엔(QFN, Quad-Flat Non-Lead) 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프.
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| KR1020070004252A KR20080067094A (ko) | 2007-01-15 | 2007-01-15 | 큐.에프.엔 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프 및 그 제조방법 |
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| KR1020070004252A KR20080067094A (ko) | 2007-01-15 | 2007-01-15 | 큐.에프.엔 패키지 제조용 폴리이미드 실리콘 점착테이프 및 그 제조방법 |
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| KR (1) | KR20080067094A (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101008055B1 (ko) * | 2009-02-26 | 2011-01-14 | 도레이첨단소재 주식회사 | 전자부품 제조용 점착테이프 및 이를 이용한 반도체 장치의제조방법 |
| WO2017193369A1 (en) * | 2016-05-13 | 2017-11-16 | 3M Innovative Properties Company | Thermally stable siloxane-based protection film |
| KR20210025444A (ko) * | 2019-08-27 | 2021-03-09 | (주)동원인텍 | 열전도성 실리콘 무기재 테이프 및 그 제조 방법 |
-
2007
- 2007-01-15 KR KR1020070004252A patent/KR20080067094A/ko not_active Application Discontinuation
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