KR20080066603A

KR20080066603A - 아크 램프의 일부분을 차폐하는 커버

Info

Publication number: KR20080066603A
Application number: KR1020080003346A
Authority: KR
Inventors: 마르첼 마티스 테오도레 마리에 디리히스; 헨리쿠스 빌헬무스 마리아 반 부엘; 레네 알렉산더 도미니쿠스 토우사인트; 라오울 마르텐 지몬 크놉스
Original assignee: 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date: 2007-01-12
Filing date: 2008-01-11
Publication date: 2008-07-16
Also published as: KR100998679B1; CN101220927B; JP2008171818A; JP4956446B2; CN101220927A; US20080170308A1; TWI410754B; TW200846835A

Abstract

전자기 방사선으로부터 아크 램프의 일부분을 차폐하는 커버가 개시된다. 상기 커버는 전자기 방사선을 반사시키기에 적합한 반사 물질로 형성된 반사면을 갖는다.

Description

아크 램프의 일부분을 차폐하는 커버{A Cover for Shielding a Portion of an Arc Lamp}

본 발명은, 예를 들어 리소그래피 장치의 일부분을 포함할 수 있는 아크 램프의 일부분을 차폐하는 커버에 관한 것이다.

리소그래피 장치는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 그 상황에서, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층에 대응하는 회로 패턴을 생성하는데 사용될 수 있으며, 이 패턴은 방사선-감응재(레지스트) 층을 갖는 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼)의 (예를 들어, 1개 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 이미징될 수 있다. 일반적으로 단일 기판은 연속하여 노광되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는, 소위 스테퍼, 및 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝 함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스캐너를 포함한다.

패턴의 노광은, 예를 들어 수은 플라즈마 아크 램프와 같은 방사선 소스를 사용하여 달성된다. 이러한 램프는 2 개의 전극들, 즉 양극과 음극 사이에 플라즈마를 방전시킴으로써 방사선을 생성한다. 양극과 음극 간의 영역은 크기가 비교적 작을 수 있다(부연하면, 약 2 내지 7 mm).

통상적으로, 양극과 음극은 인벨로프(envelope)에 밀봉된다. 인벨로프는 통상적으로 석영과 같은 물질로 만들어진다. 일반적으로, 고품질 석영은 더 짧은 파장의 방사선을 방출하는 램프에 사용될 수 있다. 전자들의 효율적인 방출을 위해 비교적 높은 온도가 달성될 수 있도록, 음극은 작은 점으로 형성된다. 이와 반대로, 양극은 전자 충격(electron bombardment)에 의해 생성된 열을 가능한 한 많이 방산(dissipate)시키기 위해 크기가 더 크다. 안전을 이유로, 이러한 램프들에 의해 생성된 비교적 높은 온도들로 인해, 양극에 위치된 써모커플(thermocouple)이 과열을 방지한다.

리소그래피 장치에서 사용하는 어플리케이션과 같은 몇몇 어플리케이션에서, 원하는 경로 상으로 방출된 방사선을 수집하거나 재지향시키도록 적절히 배치된 광 섬유 및/또는 반사기와 조합하여 아크 램프가 사용된다. 이러한 어플리케이션들에서, 방사선의 일부분은 써모커플로 재지향되며, 상기 써모커플 및 상기 써모커플 바로 가까에 둘러싼 환경을 가열되게 한다. 결과적으로, 써모커플은 램프의 정확한 현재 작동 온도가 아닌, 재지향된 방사선에 대한 온도에서 작동한다. 그러므로, 써모커플은 안전하게 작동할 수 있는 온도에서 램프를 비활성화하는 경향이 있다. 결과적으로, 이로 인해, 램프가 냉각되도록 남겨진 동안에, 상기 장치는 불필요한 비활성 주기를 겪게 된다.

일 실시형태에 따르면, 전자기 방사선으로의 램프 일부분의 노출을 방지하거나 실질적으로 완화시키는 반사면을 포함하는 아크 램프의 일부분을 차폐하는 커버가 제공된다.

일 실시형태에 따르면, 앞 문단에 설명된 바와 같은 커버를 갖는 램프가 제공된다. 상기 커버는 상기 램프와 일체로 형성될 수 있다.

일 실시형태에 따르면, 아크 램프를 포함하는 리소그래피 장치가 제공되고, 상기 아크 램프는 전자기 방사선으로의 상기 램프의 일부분의 노출을 방지하거나 실질적으로 완화시키기 위하여 상기 아크 램프의 일부분을 차폐하도록 배치된 반사면을 포함하는 커버를 갖는다.

도 1은 본 발명의 특정 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는;

- 방사선 빔(PB)을 컨디셔닝하는 조명시스템(일루미네이터)(IL);

- 패터닝 디바이스(MA)(예를 들어, 마스크)를 지지하고, 아이템(PL)에 대해 상기 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 제 1 위치설정 디바이스(PM)에 연결된 지지구조체(예를 들어, 지지구조체)(MT);

- 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하고, 아이템(PL)에 대해 상기 기판을 정확히 위치시키도록 제 2 위치설정 디바이스(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼테이블)(WT); 및

- 기판(W)의 타겟부(C)(1이상의 다이를 포함) 상에 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 방사선 빔(PB)에 부여된 패턴을 이미징하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈)(PL)을 포함한다.

도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 상기 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하는) 반사형으로 구성될 수도 있다.

본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 디바이스를 나타내는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디 바이스내의 특정 기능층에 해당할 것이다.

패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리, 교번 위상-시프트 및 감쇠 위상-시프트와 같은 마스크 타입뿐만 아니라 다양한 하이브리드 마스크 타입도 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일례는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다; 이러한 방식으로, 반사된 빔이 패터닝된다.

지지 구조체는 패터닝 디바이스의 무게를 유지한다. 이는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 여타의 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지체는 기계적 클램핑, 진공 또는 다른 클램핑 기술, 예를 들어 진공 상태 하에서의 정전기 클램핑을 이용할 수 있다. 지지 구조체는 필요에 따라 고정되거나 이동될 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있으며, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 어떠한 용어의 사용도 "패터닝 디바이스"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로도 간주될 수 있다.

일루미네이터(IL)는 방사선 소스(S0)로부터 방사선 빔을 수용한다. 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은, 예 를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.

일루미네이터(IL)는 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정 수단(AM)을 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 그 단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 갖는 컨디셔닝된 방사선 빔(PB)을 제공한다.

또한, 조명 시스템은, 방사선 빔의 지향, 성형 또는 제어를 위하여, 굴절, 반사 및 카타디옵트릭 광학 구성요소를 포함하는 다양한 타입의 광학 구성요소들을 포괄할 수 있으며, 또한 이러한 구성요소들은 이하에서 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급될 수 있다.

상기 방사선 빔(PB)은, 지지 구조체(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크(MA))상에 입사된다. 패터닝 디바이스(MA)를 가로질렀으면, 상기 빔(PB)은 투영 시스템(PL)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정 디바이스(PW) 및 위치 센서(IF)(예컨대, 간섭계 디바이스)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로 내에 상이한 타겟 부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정 디바이스(PM) 및 또 다른 위치센서(도 1에 명확히 도시되지 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 빔(PB)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 대물 테이블(MT 및 WT)의 이동은, 장-행정 모듈(long-stroke module)(개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module)(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 수 있으며, 이는 위치설정 디바이스(PM 및 PW)의 일부분을 형성한다. 하지만, (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 지지 구조체(MT)는 단지 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다.

본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 유체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 여타의 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절 광학 시스템, 반사 광학 시스템 및 카타디옵트릭 광학 시스템을 포함하는 다양한 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어인 동의어로도 간주될 수 있다.

리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 지지 구조체)을 갖는 형태로 구성될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블 및/또는 지지 구조체가 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블 및/또는 지지 구조체가 노광에 사용되고 있는 동안에 1 이상의 다른 테 이블 및/또는 지지 구조체에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.

또한, 리소그래피 장치는, 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간을 채우기 위해 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체(예를 들어, 물) 내에 기판이 침지되는 형태로 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템의 최종 요소 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수를 증가시키는 기술로 해당 기술 분야에 잘 알려져 있다.

서술된 장치는 다음과 같은 모드들 중 1 이상에서 사용될 수 있다:

1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지상태로 유지되는 한편, 빔(PB)에 부여된 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다(즉, 단일 정적 노광(single static exposure)). 그런 후, 기판 테이블(WT)은 다른 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.

2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 빔(PB)에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다(즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)). 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PL)의 이미지 반전 특성 및 확대(축소)에 의하여 결정된다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.

3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 빔(PB)에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안, 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 상기 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.

또한, 상술된 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 상이한 사용 모드들이 채용될 수 있다.

도 2를 참조하면, 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 일루미네이터 시스템의 공지된 방사선 소스(10)(도 1에서는 S0)는, 예를 들어 수은 플라즈마 아크 램프와 같은 플라즈마 아크 램프(12)를 포함한다. 상기 램프(12)는 석영 인벨로브(18) 내에 배치된 양극(14) 및 음극(16), 및 상기 램프(12)의 양극 단부(20)와 음극 단부(22)에 배치된 전기 단자들을 포함한다.

또한, 방사선 소스는 음극 단부(22) 주위에 배치된 타원 거울(23), 및 양극 단부(20) 위에 배치된 셔터(24)를 포함한다. 상기 램프의 양극 단부(20)와 셔터(24) 사이에 UV 필터(26)가 위치된다.

써모커플(28)은 양극 단부(20)에 위치되며, 양극(14)과 음극(16) 사이의 영 역의 과열을 나타내는 온도에서 램프(12)를 셧 다운(shut down)하도록 작동할 수 있다.

사용 시, 양극(14)과 음극(16) 사이의 영역 내에 생성된 플라즈마에 의해 방사선이 생성된다. 방사선은 인벨로프(18)로부터 전-방향으로(omni-directionally) 방출된다. 음극 단부(22)를 지나 방사되는 방사선(30)은 거울(23)에 의해 수집되고 반사된다. 거울의 타원 형상은 셔터(24)를 통해, UV 필터(26)를 통해 반사된 방사선(32)을 포커스한다. 하지만, 셔터(24)를 통해 반사된 방사선(32)을 포커스할 때, 반사된 방사선(32)의 UV 성분 중 일부분이 UV 필터(26)에 반사된다. 반사된 UV 방사선(34)은 양극 단부(20) 상에 입사하여, 양극 단부 및 상기 양극 단부를 바로 둘러싼 환경이 가열되게 한다. 또한, 상기 방사선이 양극 단부(20)를 바로 둘러싼 환경을 통해 포커스됨에 따라, 반사된 방사선(32)의 일부분도 양극 단부(20) 상에 입사하며, 양극 단부(20) 및 주변 환경의 온도를 상승시키는데 기여한다.

양극 단부(20)의 증가된 온도로 인해, 그 안에 배치된 써모커플(28)은 필요한 온도보다 낮은 작동 온도에서 램프(12)를 셧 다운하게 된다.

도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 커버(100)는 캡(150)의 형태로 되어 있다. 외형적으로, 상기 캡(150)은 돔(또는 다른) 형상으로 되어 있고, 개방 단부(152) 및 폐쇄 단부(154)를 갖는다. 상기 캡(150)은 플라즈마 아크 램프의 양극 단부(120)로부터 연장된 양극 단부 단자(158)와의 마찰 끼워맞춤(frictional fit)을 수용하고 제공하도록 적절히 치수화된 중공(156)을 갖는다. 양극 단부 단자(158)는 일반적으로 스크루 나사 상의 육각 너트이나, 반드시 이와 같을 필요는 없다. 중공(156)의 단면은 상기 단부 단자(158)와 일치하는 육각 형상으로 되어 있을 수 있다. 하지만, 중공(156)의 단면이, 예를 들어 정사각형과 같은 상이한 형상으로 되어 있는 것이 바람직하다. 이는 캡(150)의 내부면의 부분들과, 단부 단자(158)의 외부면의 인접한 부분들 사이에 공간들을 제공하며, 이는 그 사이에 환기 경로들을 제공한다.

폐쇄 단부(154)에 인접한 캡(150)의 외주 주위에는, 사용 시, 캡(150)의 중공(156)으로부터 캡(150)의 환경 외부로 환기를 제공하는 직경 방향으로 대향된(diametrically opposed) 2 이상의 환기 구멍들(160)이 배치된다. 하지만, 캡은 대안적으로, 캡이 사용되는 특정 용도에 따라, 상이한 수량 또는 구성의 환기 구멍들(160)을 포함할 수 있거나, 환기 구멍들을 포함하지 않을 수 있다는 것을 이해할 것이다.

캡(150)은 반사 외면(161)을 갖는 알루미늄으로 형성된다. 대안적으로, 상기 캡이 반사 외면을 갖고 있다면, 상기 캡은 상이한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 반사 외면(161)은 대안적인 물질로 형성된 몸체 상에 배치된 알루미늄 코팅으로 형성될 수 있다. 알루미늄 반사면(161)의 산화를 방지하는 양극화 코팅(anodization coating: 162)이 반사 외면(161) 상에 배치된다. 양극화 코팅(162)의 두께는 12 ㎛ 미만이다. 대안적으로, 양극화 코팅(162)은 3 ㎛이거나 그 미만일 수 있다. 양극화 코팅은 SiO₂로 형성될 수 있다. 하지만, 양극화 코팅의 다른 두께가 이용될 수 있으며, 양극화 코팅은 동일한 효과를 갖는 다른 물질로 형성될 수 있다는 것을 이해할 것이다.

공지된 플라즈마 아크 램프의 양극 단부에는, 도 1과 관련하여 상술된 바와 같은 플라즈마 아크의 영역 내의 양극의 과열을 방지하기 위해 써모커플(128)이 배치된다.

또한, 사용 시, 도 1과 관련하여 상술된 바와 같이, 반사된 방사선(132) 및 반사된 방사선(134)(예를 들어, 반사된 UV 방사선)이, 써모커플(128)이 배치된 양극 단부(120)의 단부 단자(158) 쪽으로 바람직하지 않게 반사된다.

반사면(161)은 반사된 방사선(132) 및 반사된 방사선(134)을 캡(150) 쪽으로 반사시키는 기능을 하므로, 그로부터 양극 단부(120) 및 써모커플(128)을 차폐한다. 광범위한 방사선 파장이 반사되며, 특히 방사선(132) 및 반사된 방사선(134)은 400 nm 미만이나 200 내지 400 nm 사이의 범위에 있는 파장을 갖는다. 그러므로, 캡(150)은 써모커플(128)이 반사된 방사선(132) 및 반사된 방사선(134)으로 인해 가열되는 것을 방지하거나 완화하는데 도움을 주며, 작동 온도가 정상일 때에 램프가 셧 다운되지 않게 한다.

캡(150)은 표면 상에 입사하는 반사된 방사선(132) 및 반사된 방사 선(134)을 최소화하도록 돔 형상으로 되어 있다. 그러므로, 사용 시, 돔 형상은 반사면이 반사를 위해 요구되는 방사선을 감소시키는 역할을 한다. 또한, 돔 형상으로 된 캡(150)은 캡(150)을 지나는 방사선을 바람직하지 않게 차단하는 것을 방지하는데 도움을 주므로, 셔터 쪽으로 방사선의 최대 투과를 유지하는 것을 돕는다.

대안적으로 또는 추가적으로, 캡(150)은, 사용 시, 양극 단부 단자(158)로부 터 반경 방향 바깥쪽으로 연장된 테두리(rim)를 갖도록 형성될 수 있다. 상기 테두리는 방사선(134)을 UV 필터로 반사시킬 때에 특히 효과적이다.

도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 아크 램프(212)는 석영 인벨로프(218) 내에 배치된 양극(214) 및 음극(216), 및 램프(212)의 양극 단부(220) 및 음극 단부(222)에 배치된 전기 단자들을 갖는다.

도 3과 관련하여 설명된 바와 같이, 양극 단부(220)에는 캡(250)이 배치된다. 상기 캡(250)은 양극 단부(220)의 일부분으로서 일체로 형성되거나, 대안적으로 램프(212)의 구성 부분일 수 있다. 상기 캡(250)은 램프(212)와 함께 교체될 수 있거나 별도로 교체될 수 있으며, 기존의 공지된 램프에 맞춰질 수 있다.

또한, 램프(212)는 도 3과 관련하여 상기 설명된 양극 단부 단자에 연결된 전력을 공급하는 전력 케이블(264)을 더 포함한다.

또한, 도 3과 관련하여 상기 설명된 바와 같이, 캡(250)은 그 반사면(261)으로부터 반사된 방사선을 반사시키도록 작동할 수 있음에 따라, 양극 단부(220) 및 그 사이에 배치된 써모커플이 가열되는 것을 방지하는 차폐부로서 기능한다.

본 명세서에서는, IC의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에서 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출패턴, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드의 제조와 같이 여타의 응용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 여타의 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.

본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 436, 405, 365 또는 248 ㎚의 파장을 갖는) 자외(UV) 방사선을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.

이상, 특정 실시예들이 서술되었지만, 본 발명은 서술된 것과 다르게 실시될 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 상기 서술내용은 본 발명을 제한하려는 것이 아니다.

이하, 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;

도 2는 공지된 광원 구성을 도시하는 도면;

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 커버를 도시하는 도면; 및

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 램프를 도시하는 도면이다.

Claims

아크 램프의 일부분을 차폐하는 커버에 있어서,

전자기 방사선으로의 상기 램프의 일부분의 노출을 방지하거나 실질적으로 완화시키는 반사면을 포함하는 것을 특징으로 하는 커버.
제 1 항에 있어서,

상기 반사면은 420 nm 미만의 파장을 갖는 방사선을 반사시키도록 배치되는 것을 특징으로 하는 커버.
제 1 항에 있어서,

상기 커버는 캡(cap)의 형태로 되어 있는 것을 특징으로 하는 커버.
제 1 항에 있어서,

상기 반사면은 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 커버.
제 1 항에 있어서,

양극화 코팅(anodization coating)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 커버.
제 5 항에 있어서,

상기 양극화 코팅은 두께가 12 ㎛ 미만인 것을 특징으로 하는 커버.
제 6 항에 있어서,

상기 양극화 코팅은 두께가 3 ㎛이거나 그 미만인 것을 특징으로 하는 커버.
제 1 항에 있어서,

실질적으로 돔 형상(dome shape)으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 커버.
제 1 항에 있어서,

환기 구멍을 포함하는 것을 특징으로 하는 커버.
아크 램프의 일부분을 차폐하는 커버를 포함하는 아크 램프에 있어서,

상기 커버는 전자기 방사선으로의 상기 램프의 일부분의 노출을 방지하거나 실질적으로 완화시키는 반사면을 포함하는 것을 특징으로 하는 아크 램프.
제 10 항에 있어서,

상기 커버는 그와 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 아크 램프.
제 10 항에 있어서,

상기 반사면은 420 nm 미만의 파장을 갖는 방사선을 반사시키도록 배치되는 것을 특징으로 하는 아크 램프.
제 10 항에 있어서,

상기 커버는 캡의 형태로 되어 있는 것을 특징으로 하는 아크 램프.
제 10 항에 있어서,

상기 반사면은 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 아크 램프.
제 10 항에 있어서,

상기 커버는 양극화 코팅을 포함하는 것을 특징으로 하는 아크 램프.
제 15 항에 있어서,

상기 양극화 코팅은 두께가 12 ㎛ 미만인 것을 특징으로 하는 아크 램프.
제 16 항에 있어서,

상기 양극화 코팅은 3 ㎛이거나 그 미만인 것을 특징으로 하는 아크 램프.
제 10 항에 있어서,

상기 커버는 써모커플(thermocouple)이 배치되는 상기 램프의 일부분을 차폐하도록 적합화(adapt)되는 것을 특징으로 하는 아크 램프.
제 10 항에 있어서,

상기 커버는 돔 형상으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 아크 램프.
제 10 항에 있어서,

상기 커버는 환기 구멍을 포함하는 것을 특징으로 하는 아크 램프.
아크 램프를 포함하는 리소그래피 장치에 있어서,

상기 아크 램프는 전자기 방사선으로의 상기 램프의 일부분의 노출을 방지하거나 실질적으로 완화시키기 위하여 상기 아크 램프의 일부분을 차폐하도록 배치된 반사면을 포함하는 커버를 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.