KR20080065412A - 깊이감과 반짝임 효과를 연출하는 투명칩, 이를 포함하는인조대리석 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 투명한 베이스 수지를 포함하는 투명층; 및 상기 투명층 내부에 형성된 하나 이상의 광반사 소재를 포함하는 투명칩, 이를 포함하는 인조대리석 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 인조 대리석은 깊이감과 반짝임 효과를 통하여 천연석의 질감과 현저히 흡사한 외관 효과를 얻을 수 있다.

인조대리석, 투명칩

Description

깊이감과 반짝임 효과를 연출하는 투명칩, 이를 포함하는 인조대리석 및 그 제조방법 {Transparent chip having deep and twinkling effects, artificial marble comprising the same, and the process for preparing thereof}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명칩의 구조도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

1 : 투명칩

2 : 반짝임 소재

본 발명은 천연석의 외관 효과를 갖는 인조대리석에 관한 것으로서, 구체적으로는 투명한 베이스 수지를 포함하는 투명층; 및 상기 투명층 내부에 형성된 하나 이상의 광반사 소재를 포함하는 투명칩, 이를 포함하는 인조대리석 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

인조대리석은 천연 석분이나 광물을 아크릴, 불포화 폴리에스터, 또는 에폭시 등의 수지성분이나 시멘트와 배합하고, 안료 및 첨가제 등을 첨가하여 천연석의 질감을 구현한 인조 합성체를 통칭하며, 대표적으로는 아크릴계 인조대리석, 폴리 에스터계 인조대리석, 또는 엔지니어드 스톤 (Engineered stone)계 인조대리석을 들 수 있다.

여기서 엔지니어드 스톤이란 천연 석분과 석영, 유리, 거울, 및 수산화 알루미늄 등을 주재료로 하고 10wt% 이하의 수지를 사용하여 만든 인조대리석을 말하며, 이하 E-stone이라고 명명한다

일반적으로 아크릴계 수지로 제조된 인조대리석은 미려한 외관 및 우수한 가공성의 장점과 더불어, 천연 대리석에 비하여 가볍고 우수한 강도의 장점으로 인하여 카운터 테이블 및 각종 인테리어 재료로서 널리 사용되고 있으나, 일반적으로 알려진 단색의 불투명의 칩 조합으로는 천연대리석 또는 화강석과 유사한 패턴을 표현하기에는 기술적 한계가 있었다. 따라서 천연대리석의 외관을 모방하는 인조대리석을 개발하기 위한 많은 연구가 진행되어 왔다.

아크릴 및 불포화 폴리에스터계 인조대리석의 제조방법은 일반적으로 모노머(단량체)로 사용되는 메틸메타크릴레이트(MMA)와 고분자량인 폴리 메틸메타크릴레이트(PMMA) 또는 불포화폴리에스터(UPE)를 혼합한 시럽 (syrup)에 수산화알루미늄, 탄산칼슘, 실리카, 또는 규소 등과 같은 비중을 갖는 무기충진제를 혼합한 컴파운드를 주성분으로 하고, 이에 개시제, 가교제, 연쇄이동제, 또는 커플링제 등의 첨가제와 안료 등을 혼합한 후 성형틀 또는 연속 스틸벨트에서 주형, 경화시켜 제조하는 것이다.

이때, 외관을 표현하는 수단으로는 안료 또는 칩이라는 재료가 사용 되며, 칩의 주성분은 인조대리석 제조시 통상적으로 사용되는 PMMA가 주로 사용되지만, 필요에 따라 투명도를 갖는 폴리염화비닐(PVC), 폴리스티 렌(PS) 등의 열가소성 수지, 또는 에폭시나 불포화폴리에스터 등의 열경화 성 수지가 사용되기도 한다. 여기에 각종 첨가제와 무안료 또는 한가지 이상의 안료를 투입하여 통상적으로 인조대리석 제조시와 유사 또는 동일 공정으로 평판을 제조한 후 이를 다양한 크기로 분쇄하여 칩을 제조한다.

현재까지 통상적으로 천연대리석 또는 실리카계 인조대리석 (Engineered stone) 등의 제조시에 빛을 받으면 반사되는 반짝임 효과를 내기 위해서는 베이스수지에 펄과 같은 소재를 직접 혼합하거나, 칩으로 효과를 내기 위해서는 금속류 또는 알루미늄 등이 전사된 소재를 칩으로 사용하는 경우가 대부분이다. 그리고 투명층의 소재로는 유리가 주로 사용된다.

그러나, 금속이나 거울과 같은 소재를 아크릴계 및 불포화 폴리에스터계(UPE계) 인조 대리석에 적용할 경우, 상기 소재들은 경도가 높기 때문에 연마가 어렵고, 가공이 힘들기 때문에 사용이 극히 제한적이다.

반대로 저비중의 재료를 사용할 경우에는 칩이 무기충진제를 함유하고 있어 소재에 관계없이 그 투명도가 극히 저하되는 단점으로 인해 고투명도 효과 구현에 제약이 크다.

대한민국 특허공개 제2004-59913호에는 칩인칩을 사용한 것을 특징으로 하는 아크릴계 인조대리석이 개시되어 있으나, 이 인조대리석 또한 전체 조성물에서 무기충진제를 사용하여 투명도가 떨어짐은 물론, 반짝임 효과를 구성하는 재료도 제품의 표면에 위치하고 있어 깊이감을 구현하지는 못하고 있다.

대한민국 실용신안등록 제400814호는 아크릴계 수지 시럽이 경화된 매트릭스에 불포화 폴리에스터계 입자가 박혀 무늬용 마블칩을 형성하며, 상기 불포화 폴리에스터계 입자에는 반짝이 소재가 박혀 칩인칩을 형성하는 것을 특징으로 하는 인조대리석을 개시하고 있으나, 마블칩에 무기충진제를 사용하여 투명도가 떨어지고 반짝이 입자가 표면에 노출되어 깊이감이 떨어진다.

일본 특허공개 제2001-205750호는 투명 겔코트층과 인조대리석층과 의 사이에 광택안료를 포함하는 중간층을 갖는 인조대리석 성형품을 개시 하고 있으나, 이 발명은 인조대리석 표면에 광택층과 투명층을 단순히 코팅 한 것일 뿐, 본 발명과 같이 칩 형태로서 고비중화에 의한 저비중 소재의 활용과는 관련이 없다.

일본 특허등록 제3648592호는 비중과 모양을 다르게 만든 여러 종류의 칩을 적용한 인조대리석을 개시하고 있으나, 본 발명과 같은 반짝임 효과와는 관련이 없다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 천연대리석의 외관과 흡사한 깊이감과 반짝임 효과를 구현하는 인조대리석용 칩에 관한 것이다.

본 발명의 다른 목적은 깊이감과 반짝임 효과를 가지는 상기 투명칩을 포함하는 인조 대리석을 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 상기 투명칩 및 인조대리석의 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명은 투명한 베이스 수지를 포함하는 투명층; 및 상기 투명층 내부에 형성된 하나 이상의 광반사 소재를 포함하는 투명칩에 관한 것이다.

본 발명에서 투명칩의 형상은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 원통형, 사면체, 육면체 또는 그 이상의 다면체일 수 있으며, 육면체 이상의 형태가 일반적이고 규칙적이거나 불규칙적일 수 있다.

본 발명에서 투명칩의 베이스 수지는 통상적인 수지 전부를 사용할 수 있으며, 구체적으로 아크릴계 수지, 불포화 폴리에스터계 수지, 에폭 시계 수지, 폴리염화비닐(PVC), 폴리스틸렌(PS), 폴리카보네이트(PC), 폴리 에틸렌테레프탈레이트(PET), 또는 스티렌-메틸메타크릴레이트 공중합체(SMMA : styrene-methylmethacry late copolymer)수지 등이며, 특히 아크릴수지(PMMA), 폴리에스터 수지, 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)등과 같은 투명한 고분자 수지가 바람직하며, 일부 다른 수지와 혼합하여 사용하는 것도 가능하다.

본 발명에서 투명층 내부에 형성되는 광반사 소재는 일반적으로 반짝 임을 나타낼 수 있는 것을 제한 없이 사용할 수 있으며, 구체적으로 금속, 비금속, 펄, 유리 플레이크, 및 금속류가 전사 또는 증착된 투명수지로 이루 어진 그룹 중에서 선택된 하나 이상을 포함한다.

본 발명에서는 투명 수지를 사용하기 때문에 투명층의 두께에 해당하는 깊이감이 형성되고, 그 내부에 반짝임 소재를 사용하여 표면층에만 표현되었던 기존의 반짝임 효과보다 고급스러운 반짝임 효과를 연출할 수 있다.

본 발명에서 투명칩은 광투과율이 50 내지 100%, 바람직하게는 65 내지 100%, 보다 바람직하게는 90% 이상이다. 기존의 칩들은 수산화알루미늄과 같은 충진제를 함유하여 광투과율이 50% 이하인 반투명칩이었다. 동일한 광투과율이라도 두께를 조절함으로써 투명효과를 증대시킬 수 있다.

일반적으로 플라스틱 수지의 비중은 1.5 g/㎤ 이하이며, 예를 들어 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)와 같은 투명한 아크릴 수지의 비중은 대략 1.17 내지 1.20 g/㎤ 정도이다. 그러나, 인조대리석 원료 조성물의 비중은 일반적으로 1.4 내지 1.8 g/㎤ 정도이다. 이와 같이 투명수지와 인조 대리석 원료 조성물의 비중차가 존재함에 따라, 이러한 수지로 투명칩을 제조하여 인조대리석에 적용할 때 투명칩의 분리현상이 발생한다.

본 발명에서 투명칩의 전체 비중은 인조대리석 원료 조성물의 비중과 유사한 1.0 내지 2.0 g/㎤ 인 것이 바람직하다

본 발명에 따른 투명칩의 베이스 수지는 무기 충진물을 1 중량부 이하로 포함하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 무기 충진물을 포함하지 않는 것이다. 기존의 인조 대리석에 사용된 칩은 무기 충진제를 함유하고 있어 소재에 관계없이 그 투명도가 극히 저하되는 단점으로 인해 투명한 효과 구현에 제약이 컸다.

무기충진제를 함유하지 않은 칩을 사용할 경우에는 비중 차이에 따라 뒷면으로 부상하는 문제로 인해 다른 칩과의 조화가 이루어지지 않고 상하 칩 분포의 차이로 인한 변형이 생기기 쉽다. 따라서 본 발명에 따른 투명칩의 전체 비중은 인조대리석 원료 조성물의 비중과 유사한 1.0 내지 2.0 g/㎤ 인 것으로 하여 무기 충 진제를 사용하지 않고도 칩의 부상 문제를 해결하여 투명한 효과를 구현할 수 있다.

본 발명은 또한 상기 투명칩을 포함하는 인조대리석에 관한 것이다.

상기 인조대리석은 아크릴계 인조대리석, 불포화 폴리에스터계 인조 대리석, 또는 엔지니어드 스톤계 인조대리석을 모두 포함한다.

본 발명에서 외관효과 및 성형성 등을 고려하여 투명칩의 크기는 2 ∼ 20㎜인 것이 바람직하다. 투명칩의 투입량은 인조대리석 총량 대비 0.1 내지 50 중량부인 것이 바람직하다. 투명칩의 투입량이 하한치에 못 미치는 경우에는 표면에 출현 빈도가 낮아 반짝임 효과를 인지하기가 어렵고, 상한치를 넘길 경우에는 제품 제조시 점도 상승을 초래하여 변형을 일으 키고 이면의 기포발생이 증가하는 등의 문제가 발생하기 쉽다.

상기 투명칩을 포함한 인조 대리석의 베이스 슬러리는 아크릴계 수지 시럽, 불포화 폴리에스테르 시럽 또는 이를 혼합한 시럽 100 중량부; 무기 충진물 0 내지 500 중량부; 가교제 0.2 내지 5 중량부; 가교촉진제 0.2 내지 3.0 중량부; 및 안료 0.1 내지 5 중량부를 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명에서 사용가능한 불포화 폴리에스테르는 특별히 제한되지 않으며, 일반적인 불포화 폴리에스테르는 거의 아무거나 사용하여도 무방하다. 예를 들어 α,β-불포화 이염기산 또는 이 불포화 이염기산과 포화 이염기산의 혼합물을 다가 알코올과 알콜성 수산기 몰수/카르복실기 몰수비로서 0.8 내지 1,2의 비율이 되도록 혼합하고, 탄산가스, 질소가스 등과 같은 불활성 가스기류 중에서 140 내지 250℃ 의 온도에서 축합 반응시키고, 생성수를 제거하면서 반응진행 정도에 따라서 온도를 서서히 상승시키는 방법에 의해서 수득되는 산가 5 내지 40, 분자량 1,000 내지 5,000 정도 범위를 갖는 불포화 폴리에스테르를 사용할 수 있다.

이때 사용하는 α,β-불포화 이염기산, 포화 이염기산으로서는 무수말레인산(Maleic Anhydride), 시트라콘산(CitraconicAcid), 푸마르산 (Fumaric Acid), 이타콘산(Itaconic Acid), 프탈산(Phthalic Acid), 무수 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산(Terephthalic Acid), 호박산(Succinic Acid), 아디핀산(Adipic Acid), 세바신산(Sebacic Acid), 테트라하이 드로프탈산등을 들 수가 있다.

또 필요에 따라서 아크릴산, 프로피온산(Propionic Acid), 안식향산(Benzoic Acid) 등과 같은 일염기산이나, 트리멜리트산 (Trimel litic Acid), 벤졸의 테트라카아본산과 같은 다염기산도 사용할 수 있다.

다가 알콜로서는 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리프로필렌글리콜, 폴리프로필렌 글리콜, 1,3-부틸렌글리콜, 수소화 비스페놀 A, 트리메틸롤프로판모노 아릴에테르, 네오펜틸글리콜, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올, 글리세린 등을 사용할 수 있다.

인조 대리석 제조시 아크릴 수지 시럽의 중합가능한 단량체로는 아크릴 단량체가 좋다. 구체적으로 상기 아크릴 수지 시럽은 메틸메타 크릴레이트, 에틸메타 크릴레이트, 부틸메타크릴레이트, 2-에틸헥실메타 크릴레이트, 벤질메타크릴 레이트 및 글리시딜메타크릴레이트 중에서 선택되는 메타크릴레이트 단량체 단독 또는 2종 이상의 혼합물이며, 메타크릴레이트 단량체 및 그 일부가 중합된 중합체의 혼 합물을 사용할 수도 있다. 이들 중에서 메틸메타 크릴레이트가 특히 바람직하다. 시럽내의 중합체의 함량은 10 내지 50 중량%인 것이 바람직하다.

본 발명에서 무기 충진물은 탄산칼슘, 실리카, 수산화 금속, 및 알루미나 등으로 이루어진 그룹 중에서 하나 이상 선택되고, 인조대리석에 통상적으로 사용되는 것이며 어느 것을 사용하여도 무방하다. 또한 펄(pearl)과 같은 첨가물은 무기 충진물을 첨가하지 않고 투명한 수지 그대로 경화시킬 수 있다.

본 발명에서 상기 무기 충진물의 입자 크기는 10 내지 200 ㎛ 인 것이 바람직하다. 입자 크기가 너무 작을 경우에는 인조대리석의 광투과 성능이 떨어지고, 너무 클 경우 인조대리석의 물리적 특성이 저하될 수 있다.

본 발명에서 사용되는 가교제는 분자 내 공중합 가능한 이중결합을 포함하여 상기 아크릴 수지 시럽과 가교결합하는 다관능성 아크릴 단량체로서, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트(EDMA), 디에틸렌글리콜디메타 크릴레이트(2EDMA), 트리에틸렌글리콜디메타크릴레이트(3EDMA), 트라에틸렌 글리콜디메타크릴레이트(4EDMA), 트리메티롤프로판트리메타크릴레이트(TMP MA), 1,6-헥산디올디메타크릴레이트, 폴리부틸렌글리콜디메타크릴레이트, 네오펜틸글리콜디메타크릴레이트 등의 단독 또는 2종 이상의 혼합물이며, 이들 중에서 트리메티롤프로판트리메타크릴레이트(TMPMA), 또는 에틸렌 클리콜디메타크릴레이트(EDMA) 가 특히 바람직하다.

상기 가교제를 사용하지 않거나 너무 적게 사용할 경우에는 표면의 요철이 발생하고, 인조대리석의 상부와 하부에 기포가 발생하는 등 원료들간의 결합력이 떨어지게 되고, 내열성 및 내열 변색성이 나빠진다. 가교제를 너무 많이 사용할 경 우에는 칩들의 상분리가 일어나게 되어서 인조대리석 패턴에 많은 문제점을 나타낸다. 따라서 가교제의 사용량은 수지 시럽 100 중량부에 대하여 0.2 내지 5 중량부가 바람직하다.

본 발명에서 사용되는 가교 촉진제는 수지 조성물의 중합 및 경화를 실행시키는 역할을 하며, 유기 과산화물으로서 벤조일퍼옥사이드, 디쿠밀퍼 옥사이드와 같은 디아실퍼옥사이드, 부틸하이드로퍼옥사이드, 쿠밀하이드로 퍼옥사이드와 같은 하이드로퍼옥사이드, t-부틸퍼옥시말레인산, t-부틸 하이드로퍼옥사이드, t-부틸하이드로퍼옥시부틸레이트, 아세틸퍼옥사이드, 라우로일퍼옥사이드, 아조비스이소부티로 니트릴, 아조비스디메틸발레로 니트릴, t-부틸퍼옥시네오데카노에이트, t-아밀퍼옥시2-에틸헥사노에이트 등을 단독 또는 2종 이상 혼합 사용할 수 있으나, 특히 , t-부틸 하이드로 퍼옥시부틸레이트, 벤조일 퍼옥사이드등의 과산화물을 사용하는 것이 바람직하다.

아울러, 아민의 퍼옥사이드와 술폰산의 혼합물 또는 퍼옥사이드와 코발트 화합물의 혼합물을 사용하여 중합과 경화가 실온에서 수행되도록 할 수 있다.

가교 촉진제는 수지 조성물의 중합 및 경화를 실행시키는 역할을 하며, 사용량이 너무 적을 경우 경화속도가 느리고 충분한 경화가 일어나지 않으며, 반대로 너무 많을 경우 오히려 경화속도가 지연되고 부분적인 미경화가 발생할 수 있다. 따라서 가교 촉진제의 함량은 수지 시럽 100 중량부에 대하여 0.2 내지 3 중량부가 바람직하다.

본 발명은 투명 베이스 수지 슬러리 및 광반사 소재를 혼합하는 단계; 상기 혼합물을 경화시켜 투명칩용 평판을 제조하는 단계; 및 상기 평판을 분쇄하는 단계를 포함하는 투명칩의 제조방법을 제공한다.

본 발명에 따르면, 광투과율 및 전반적인 물성이 우수한 투명 수지로 제조된 칩을 직접 활용함에 따라, 천연석에 근접한 외관효과를 구현할 뿐 아니라, 캐스팅, 프레스, 진동 바이브레이터(vibrator)법, UV 경화법 또는 연마와 같은 후공정 등 통상적으로 인조 대리석 제조에 응용되는 모든 공법의 적용이 가능하다.

본 발명은 상기 투명칩을 제조하는 단계; 및 상기 투명칩을 인조 대리석에 적용하는 단계를 포함하는 인조 대리석의 제조방법을 제공한다.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 투명한 베이스 수지에 깊이감과 반짝임 효과를 연출하는 위하여 펄, 유리 플레이크, 또는 금속전사 등의 첨 가물을 넣고 경화시켜 제작한 투명칩의 구조도이다

투명칩의 형상은 도면에 도시된 육면체 형태가 적절하나, 이에 제한되지 않고 원통형, 사면체 또는 그 이상의 다면체도 가능하며, 또한 규칙적이거나 불규칙적일 수 있다.

본 발명의 투명칩은 무기 충진제를 포함하지 않는 상태에서 투명 수지를 활용한 것으로 그 자체가 고투명성을 유지할 수 있고, 또한 그 내부에 반짝임 효과를 연출하는 소재를 포함시킴으로써 고투명성, 깊이감, 및 반짝임 등이 어울어져 전체적으로 고급스러운 외관 효과를 보인다.

기존 아크릴계 인조대리석은 단색제품이거나 단색으로 구성된 칩의 여러가지 색상의 조합으로 이루어지며 이것의 외관은 천연석에 비하여 매우 단조로운 느낌을 주며 단색의 칩으로는 그 색상 및 무늬를 표현하는데 한계가 있었다.

본 발명은 투명한 베이스 수지를 포함하는 투명층; 및 상기 투명층 내부에 형성된 하나 이상의 광반사 소재를 포함하는 투명칩, 이를 포함하는 인조 대리석 및 이의 제조방법에 관한 발명으로서, 투명칩의 내부에 반짝임 효과를 연출할 수 있는 재료를 사용하고, 무기충진제를 배제하기 때문에 투명 깊이감을 얻는 동시에 고급스러운 반짝임 효과를 얻을 수 있다.

또한, 투명칩 경화시에 캐스팅, 프레스, 진동 바이브레이터법, 또는 UV경화법 등의 기존 공법을 그대로 이용 가능하므로 별다른 추가 설비를 요하지 않는다.

Claims (14)

1. 투명한 베이스 수지를 포함하는 투명층; 및 상기 투명층 내부에 형 성된 하나 이상의 광반사 소재를 포함하는 투명칩.
2. 제 1 항에 있어서,

   베이스 수지는 아크릴계 수지, 불포화 폴리에스테계 수지, 에폭시계 수지, 폴리염화비닐, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 및 스티렌-메틸메타크릴레이트 공중합체로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명칩.
3. 제 1 항에 있어서,

   광반사 소재가 금속, 비금속, 펄, 유리 플레이크, 및 금속류가 전사 또는 증착된 투명수지로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명칩.
4. 제 1 항에 있어서,

   투명층이 50 내지 100%인 광투과율을 갖는 것을 특징으로 하는 투명칩.
5. 제 1 항에 있어서,

   베이스 수지는 무기 충진물을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 투명칩.
6. 제 1 항에 있어서,

   투명칩의 전체 비중이 1.0 내지 2.0인 것을 특징으로 하는 투명칩.
7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 투명칩을 포함하는 인조 대리석.
8. 제 7 항에 있어서,

   인조 대리석이 아크릴계 인조대리석, 불포화 폴리에스터계 인조 대리석, 또는 엔지니어드 스톤계 인조대리석인 것을 특징으로 하는 인조 대리석.
9. 제 7 항에 있어서,

   인조 대리석에 포함되는 투명칩의 크기는 2 ∼ 20㎜인 것을 특징으로 하는 인조 대리석.
10. 제 7 항에 있어서, 인조 대리석의 수지 베이스 슬러리가

    아크릴계 수지, 불포화 폴리에스터 또는 이들의 혼합물을 포함하는 시럽 100 중량부;

    무기 충진물 0 ~ 500 중량부;

    가교제 0.2 ~ 5 중량부;

    가교촉진제 0.2 ~ 3.0 중량부; 및

    안료 0.1 ~ 5 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 인조 대리석.
11. 제 7 항에 있어서,

    인조 대리석 총량 대비 0.1 내지 50 중량부의 투명칩을 포함하는 것을 특징으로 하는 인조 대리석.
12. 투명 베이스 수지 슬러리 및 광반사 소재를 혼합하는 단계;

    상기 혼합물을 경화시켜 투명칩용 평판을 제조하는 단계; 및

    상기 평판을 분쇄하는 단계를 포함하는 제 1 항에 따른 투명칩의 제조방법.
13. 제 12항에 있어서,

    투명칩의 경화방법이 캐스팅법, 프레스법, 진동 바이브레이션법 또는 UV경화법인 것을 특징으로 하는 투명칩의 제조방법.
14. 제 12 항에 따라 투명칩을 제조하는 단계; 및

    상기 투명칩을 인조 대리석에 적용하는 단계를 포함하는 인조 대리석의 제조방법.

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