KR20080062628A

KR20080062628A - 반도체 제조용 캐니스터

Info

Publication number: KR20080062628A
Application number: KR1020060138640A
Authority: KR
Inventors: 박해윤; 임홍주; 정병찬; 김상렬
Original assignee: 주식회사 아이피에스
Priority date: 2006-12-29
Filing date: 2006-12-29
Publication date: 2008-07-03
Also published as: KR101219438B1

Abstract

본 발명은 반도체 제조용 캐니스터에 관한 것으로서, 특히 반도체 제조용 액상소스가 수용되는 내부공간이 마련되어 있는 용기와, 상기 용기의 내부공간으로 상기 액상소스를 가스화시키기 위한 캐리어가스를 주입하기 위한 캐리어가스 공급포트와, 상기 용기의 내부공간에서 형성된 소스가스를 외부로 배출하기 위한 소스가스 배기포트를 구비하는 반도체 제조용 캐니스터에 있어서, 상기 용기의 내부공간은, 분리부재에 의해 제1공간부와 그 제1공간부의 상측에 위치하는 제2공간부로 분리되며, 상기 제1공간부는 상기 액상소스가 수용되어 있으며 상기 캐리어가스 공급포트와 연결되며, 상기 제2공간부는 상기 제1공간부와 연통되며 상기 소스가스 배기포트와 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 캐니스터에 관한 것이다.

Description

반도체 제조용 캐니스터 {Canister for producing semiconductor}

도 1은 종래의 반도체 제조용 캐니스터의 제1예를 개략적으로 도시한 단면도.

도 2는 종래의 반도체 제조용 캐니스터의 제2예를 개략적으로 도시한 단면도.

도 3은 종래의 반도체 제조용 캐니스터의 제3예를 개략적으로 도시한 단면도.

도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 제조용 캐니스터를 개략적으로 도시한 단면도.

도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 제조용 캐니스터를 개략적으로 도시한 단면도.

도 6은 본 발명의 제3실시예에 따른 반도체 제조용 캐니스터를 개략적으로 도시한 단면도.

도 7은 본 발명의 제4실시예에 따른 반도체 제조용 캐니스터를 개략적으로 도시한 단면도.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

1 : 액상소스 2 : 캐리어가스

3 : 소스가스 21 : 캐리어가스 공급포트

31 : 소스가스 배기포트 100 : 반도체 제조용 캐니스터

101 : 용기 110 : 분리부재

111 : 연통공 112 : 관통공

113 : 히터 120 : 제1공간부

130 : 제2공간부 210 : 용기본체

220 : 덮개부재

본 발명은 반도체 제조용 캐니스터에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 상에 증착되는 박막의 원료 물질이 되는 소스가스가 생성되고 수용되어 있는 반도체 제조용 캐니스터에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 소자나 평판 디스플레이 등의 제조를 위해서는 실리콘 웨이퍼나 유리와 같은 기판 상에 소정의 박막을 증착시키는 공정이 필요하게 되는데, 증착하고자 하는 박막의 종류에 따라 조합된 두 종류 이상의 소스 물질들을 동시에 또는 순차적으로 박막증착장치의 반응 챔버 내부로 공급함으로써, 기판 상에 원하는 두께의 박막을 형성할 수 있다.

기판 상에 증착되는 박막의 원료 물질이 되는 소스 물질은 대부분 상온에서 액체 상태이거나 고체 상태이므로, 상기 소스 물질을 반응 챔버 내로 공급하기 전 에 상기 소스 물질을 소스가스로 증기화시킬 필요가 있다. 따라서, 박막증착장치에는 반응 챔버 내로 공급되는 소스가스가 생성되는 캐니스터(canister)가 마련되어 있다.

도 1은 종래의 반도체 제조용 캐니스터의 제1실시예를 도시한 도면이고, 도 2는 종래의 반도체 제조용 캐니스터의 제2실시예를 도시한 도면이고, 도 3은 종래의 반도체 제조용 캐니스터의 제3실시예를 도시한 도면이다.

도 1을 참조하면, 반도체 제조용 캐니스터(10)는, 반도체 제조용 액상소스(1)가 수용되는 내부공간이 마련되어 있는 용기(11)와, 상기 용기(11)의 내부공간으로 상기 액상소스(1)를 가스화시키기 위한 캐리어가스(2)를 주입하기 위한 캐리어가스 공급포트(21)와, 상기 용기(11)의 내부공간에서 형성된 소스가스(3)를 외부로 배출하기 위한 소스가스 배기포트(31)를 구비한다.

캐리어가스 공급라인(23) 및 캐리어가스 공급포트(21)를 통해 캐리어가스(2), 예컨대 질소(N2) 가스 및 헬륨(He) 가스, 아르곤(Ar) 가스와 같은 불활성 가스가 용기(11) 내부로 주입되면, 용기(11) 내부에 수용되어 있던 액상소스(1)는 상기 캐리어가스(2)에 의해 버블링(bubbling)된 후 기체 상태인 소스가스(3)로 변환된다. 상기 소스가스(3)는 상기 소스가스 배기포트(31) 및 소스가스 배기라인(33)을 통해 반응 챔버(미도시)의 내부로 공급된다.

하지만, 상기 캐니스터(10)에서는, 액상소스(1)가 버블링되는 과정에서 버블 상태의 일부 액상소스(1a)가 소스가스 배기포트(31) 내부로 침투하게 되고, 그 액상소스(1)는 가스 라인을 타고 반응 챔버로 전달되어 액체 상태로 기판 상에 분사 됨으로써 증착되는 박막의 품질을 크게 저하시키는 문제점이 있었다. 또한, 상기 소스가스 배기포트(31) 내부로 침투한 액상소스 일부는, 소스가스 배기라인 내부에 들러붙게 되고 내벽에 파우더 형태로 잔존하게 된다. 이와 같이 파우더 형태의 소스 물질은 상기 용기 내부의 기화량을 감소시킬 뿐만 아니라, 반응 챔버 내부로 전달되는 파티클의 원인이 되는 문제점이 있었다.

이와 같은 문제점을 개선하고자, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 상기 소스가스 배기포트(31)에 필터(40)나 배플(50)을 설치하여 버블 상태의 액상소스(1a)가 소스가스 배기포트(31)의 내부로 침투하는 것을 방지하는 개선안이 도출되었다. 하지만, 소스가스 배기포트(31)에 필터(40)가 설치되어도 여전히 액상소스(1)가 반응 챔버 내부로 침투하는 문제나 소스가스 배기포트(31) 내벽에 파우더 형태로 잔존하는 문제가 발생하고, 필터(40)나 배플(50)이 소스가스 배기포트(31) 상에 설치됨으로써 소스가스 배기포트(31) 및 소스가스 배기라인(33) 상에 저항이 증가하여 상기 용기(11) 내부로부터의 소스가스의 배기가 원활하지 못하게 되는 문제점이 있었다.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 반도체 제조용 캐니스터에서 액상소스를 수용하는 공간과 분리된 별도의 공간이 마련되어 액상소스를 소스가스로 가스화하는 과정에서 버블 상태의 액상소스가 소스가스 배기포트로 침투하는 것을 방지할 수 있도록 구조가 개선된 반도체 제조용 캐니스터를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 반도체 제조용 캐니스터는, 반도체 제조용 액상소스가 수용되는 내부공간이 마련되어 있는 용기와, 상기 용기의 내부공간으로 상기 액상소스를 가스화시키기 위한 캐리어가스를 주입하기 위한 캐리어가스 공급포트와, 상기 용기의 내부공간에서 형성된 소스가스를 외부로 배출하기 위한 소스가스 배기포트를 구비하는 반도체 제조용 캐니스터에 있어서, 상기 용기의 내부공간은, 분리부재에 의해 제1공간부와 그 제1공간부의 상측에 위치하는 제2공간부로 분리되며, 상기 제1공간부는 상기 액상소스가 수용되어 있으며 상기 캐리어가스 공급포트와 연결되며, 상기 제2공간부는 상기 제1공간부와 연통되며 상기 소스가스 배기포트와 연결되는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 반도체 제조용 캐니스터에 있어서, 바람직하게는, 상기 분리부재는, 상기 제1공간부와 제2공간부를 연통시키기 위해 관통되게 형성된 연통공을 가지며, 상기 용기의 내부에 설치되어 있다.

본 발명에 따른 반도체 제조용 캐니스터에 있어서, 바람직하게는, 상기 용기는, 상기 제1공간부가 마련되어 있는 용기본체와, 상기 용기본체의 상측에 결합되어 그 용기본체와의 사이에 상기 제2공간부를 형성하는 덮개부재를 구비하며, 상기 분리부재는, 상기 제1공간부와 상기 제2공간부를 연통시키기 위해 관통되게 형성된 연통공을 가지며, 상기 용기본체의 상부에 결합되어 그 용기본체의 상부벽을 이룬다.

본 발명에 따른 반도체 제조용 캐니스터에 있어서, 바람직하게는, 상기 용기 는, 상기 제2공간부가 마련되어 있는 덮개부재와, 상기 덮개부재의 하측에 결합되며 그 덮개부재와의 사이에 상기 제1공간부를 형성하는 용기본체를 구비하며, 상기 분리부재는, 상기 제1공간부와 상기 제2공간부를 연통시키기 위해 관통되게 형성된 연통공을 가지며, 상기 덮개부재의 하부에 결합되어 그 덮개부재의 하부벽을 이룬다.

본 발명에 따른 반도체 제조용 캐니스터에 있어서, 바람직하게는, 상기 분리부재의 상면은, 상기 연통공 측으로 하향 경사지게 형성되어 있다.

본 발명에 따른 반도체 제조용 캐니스터에 있어서, 바람직하게는, 상기 분리부재는, 상기 캐리어가스 공급포트가 삽입될 수 있는 관통공을 더 구비한다.

본 발명에 따른 반도체 제조용 캐니스터에 있어서, 바람직하게는, 상기 분리부재에는, 그 분리부재를 가열하기 위한 히터가 설치되어 있다.

이하, 본 발명에 따른 반도체 제조용 캐니스터의 바람직한 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 제조용 캐니스터를 도시한 도면이다.

도 4를 참조하면, 본 실시예의 반도체 제조용 캐니스터(100)는, 기판 상에 증착되는 박막의 오염을 방지하고자 액상소스가 수용된 공간과 소스가스가 수용되는 공간이 분리되어 있는 것으로서, 용기(101)와, 캐리어가스 공급포트(21)와, 소스가스 배기포트(31)와, 분리부재(110)를 포함한다.

상기 용기(101)는, 기판 상에 증착되는 박막의 원료 물질이 되는 액상소 스(1)가 수용되는 것으로서, 주로 원통형의 형상으로 제작된다. 상기 용기(101)의 내부공간은, 상기 액상소스(1)가 수용되어 있는 제1공간부(120)와, 그 제1공간부(120)와 연통되며 제1공간부(120)의 상측에 위치하는 제2공간부(130)로 분리되어 있다.

상기 캐리어가스 공급포트(21)는, 상기 용기(101)의 내부에 캐리어가스(2)를 공급하기 위한 포트로서, 상기 용기의 상부벽(101a)을 관통하면서 삽입되어 있다. 상기 캐리어가스 공급포트(21)을 통해 캐리어가스(2), 예컨대 질소(N2) 가스 및 헬륨(He) 가스, 아르곤(Ar) 가스와 같은 불활성 가스가 용기(101) 내부로 주입된다. 상기 캐리어가스 공급포트(21)에는 공급되는 캐리어가스(2)의 유량을 제어하는 캐리어가스 공급밸브(22)가 마련된다. 캐리어가스 공급라인(23)에 의해 캐리어가스 공급원(미도시)과 캐리어가스 공급포트(21)가 연결된다.

상기 소스가스 배기포트(31)는, 상기 용기(101)의 내부에서 발생되는 소스가스(3)를 반응 챔버(미도시) 측으로 배출하기 위한 포트로서, 상기 용기의 상부벽(101a)을 관통하면서 삽입되어 있다. 상기 액상소스(1)가 가스화되어 발생되는 소스가스(3)는, 상기 소스가스 배기포트(31)를 통해 기판 상에 박막을 증착하는 작업이 수행되는 반응 챔버 측으로 배출된다. 상기 소스가스 배기포트(31)에는 배출되는 소스가스(3)의 유량을 제어하는 소스가스 배기밸브(32)가 마련된다. 소스가스 배기라인(33)에 의해 반응 챔버(미도시)와 상기 소스가스 배기포트(31)가 연결된다.

상기 분리부재(110)는, 상기 용기(101)의 내부공간을 상기 제1공간부(120)와 제2공간부(130)로 구획하는 것으로서, 판 형상으로 상기 용기(101)의 내부공간을 횡방향으로 가로지르며 설치된다. 이와 같은 분리부재(110)의 배치로 인해 상기 분리부재(110), 상기 용기의 하부벽(101b) 및 용기의 측벽(101c)에 의해 제1공간부(120)가 마련되며, 상기 분리부재(110), 상기 용기의 상부벽(101a) 및 용기의 측벽(101c)에 의해 제2공간부(130)가 마련된다.

상기 분리부재(110)에는 상,하면을 관통하는 연통공(111)이 복수 개 형성되어 있어서, 상기 연통공(111)들에 의해 상기 제1공간부(120)와 제2공간부(130)는 서로 밀폐되지 않고 연통된다. 상기 캐리어가스(2)가 상기 제1공간부(120)로 공급되면 액상소스(1)는 버블 상태(1a)를 거쳐 소스가스(3)가 되고 그 소스가스(3)는 상기 연통공(111)을 통해 제2공간부(130)로 넘어간다. 또한, 상기 분리부재(110)에는 상기 캐리어가스 공급포트(21)가 삽입될 수 있도록 상,하면을 관통하는 관통공(112)이 형성되어 있다.

상기 분리부재의 상면(110a)은, 도 4의 확대된 "A"부에 도시된 바와 같이, 연통공(111) 측으로 일정 각도(θ)로 하향 경사지게 형성되어 있다. 액상소스(1)가 상기 연통공(111)을 통해 제1공간부(120)에서 제2공간부(130) 측으로 넘어오더라도 상기와 같은 분리부재의 상면(110a)의 형상에 의해 연통공(111)을 통해 다시 제1공간부(120) 측으로 흘러 내려가는 것이 가능하다.

상기 분리부재(110)에는 그 분리부재(110)를 가열하기 위한 히터(113)가 설치되어 있다. 본 실시예에서, 상기 히터(113)는 상기 분리부재(110)의 내부에 내장되게 설치된다. 상기 히터(113)로부터 발생되는 열량에 의해, 제2공간부(130)로 넘어온 일부 액상소스(1)를 소스가스(3)로 가스화시킬 수 있으며, 분리부재(110) 하면에 부착되어 있는 일부 액상소스 역시 소스가스(3)로 가스화시켜 상기 제2공간부(130)로 전달되게 할 수 있다.

이하, 상술한 바와 같이 구성된 본 실시예의 반도체 제조용 캐니스터의 작동원리를, 도 4를 참조하면서 설명하기로 한다.

우선, 상기 분리부재(110)를 넘지 않으면서 캐리어가스 공급포트(21)가 액상소스(1)에 잠길 수 있도록 상기 제1공간부(120)에 액상소스(1)를 충전한다. 캐리어가스 공급포트(21)를 통해 캐리어가스(2)가 제1공간부(120)로 공급되면 상기 캐리어가스(2)에 의해 버블링(bubbling) 현상이 발생하여, 제1공간부(120)에 수용되어 있던 액상소스(1)는 버블 형태의 액상소스(1a)로 변형된다. 액상소스가 용기에 단순하게 수용되어 있는 경우에는 공기와 접촉하는 표면에서만 가스화 과정이 발생하지만, 위와 같이 액상소스가 버블 형태로 변형되면 공기와 접촉할 수 있는 표면적이 기하급수적으로 증가하여 그만큼 가스화 과정이 더 활발하게 된다.

다수의 버블 형태로 변형된 액상소스(1a)는 그 표면적이 넓어지고, 넓어진 표면에서 보다 활발하게 가스화되고, 이와 같이 생성되는 소스가스(3)는 상기 분리부재의 연통공(111)들을 통해 제2공간부(130)로 전달되어 상기 소스가스 배기포트(31)와 를 소스가스 배기라인(33)을 통해 반응 챔버 측으로 전달된다.

한편, 소스가스(3)로 변형되지 않은 액상소스(1)가 제1공간부(120)로부터 제2공간부(130)로 넘어가는 경우가 발생할 수 있다. 예컨대, 제1공간부(120)에 있던 버블 형태의 액상소스(1a)가 상기 분리부재(110)와 충돌하여 터지면서 상기 연통 공(111)을 통해 제2공간부(120)로 넘어갈 수 있으며, 버블링이 진행되는 동안 액상소스(1)가 물방울 형태로 튀어서 상기 연통공(111)을 통해 제2공간부(130)로 넘어갈 수도 있으며, 상기 분리부재(110)의 하면에 물방울 형태로 부착되어 있던 액상소스가 압력의 차이에 의해 상기 연통공(111)을 통해 제2공간부(130)로 넘어갈 수도 있다. 이와 같이 제2공간부(130)로 전달된 액상소스는, 분리부재(110)에 내장되어 있는 히터(113)에 의해 가열되어 가스화되기도 하고, 분리부재(110)를 관통하도록 형성된 연통공(111)을 통해 다시 제1공간부(120) 측으로 흘러 내려감으로써, 상기 소스가스 배기포트(31)를 통해서는 소스가스(3)만이 배출되게 된다.

상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 반도체 제조용 캐니스터는, 액상소스가 수용되어 있는 제1공간부와, 소스가스 배기포트와 연결되며 소스가스 배기포트를 통해 배출될 소스가스를 수용하는 제2공간부가 분리된 구조로 이루어져 있어서, 액상소스가 소스가스 배기포트 내부로 직접 침투하는 것을 차단하며 액상소스가 소스가스 배기포트 내벽에 파우더 형태의 소스 물질로 고착되는 것도 막을 수 있다. 따라서, 일부 액상소스가 소스가스 배기포트를 거쳐 반응 챔버 내부로 이송되어 박막 내의 불순물로 변형되는 것을 방지할 수 있고, 향후 반응 챔버 내부로 전달되어 파티클의 원인이 되는 파우더 형태의 소스 물질을 미연에 방지할 수 있으므로, 기판 상에 증착되는 박막의 품질을 향상시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.

또한, 소스가스 배기포트에 잔존하는 파우더 형태의 소스 물질로 인해 소스가스 배기포트가 막히게 되어 캐니스터의 기화량이 감소하게 되는 경우도 발생할 수 있다. 본 실시예의 캐니스터는, 각각의 소스가스 배기포트를 통해 반응 챔버로 전달되는 각각의 소스가스의 유량을 시간에 관계없이 일정하게 유지할 수 있으므로, 박막 내의 소스들의 조성비 및 박막의 두께를 균일하게 유지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.

한편, 도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 제조용 캐니스터를 도시한 도면이다. 도 5를 참조하면, 본 실시예의 반도체 제조용 캐니스터(200)는, 도 4에 도시된 반도체 제조용 캐니스터(100)의 용기(101)가 용기본체(210)와 덮개부재(220) 두 부분으로 분리된다.

상기 용기본체(210)는 그 상부벽(210a), 측벽(210c) 및 하부벽(210b)에 의해 둘러싸인 내부공간이 마련된 것으로서, 그 내부공간이 액상소스(1)를 수용하는 제1공간부(240)가 된다. 상기 덮개부재(220)는, 그 하부가 개구된 형상으로서, 상기 용기본체(210)의 상측에 결합된다. 상기 덮개부재(220)와 상기 용기본체의 상부벽(210a)의 결합에 의해 제2공간부(250)가 형성된다. 상기 용기본체의 상부벽(210a)이 바로 제1공간부(240)와 제2공간부(250)를 분리시키는 분리부재(230) 역할을 수행한다. 이와 같이, 상기 분리부재(230)는 용기본체(210)의 상부에 결합되어 그 용기본체(210)의 상부벽(210a)을 이루게 된다.

한편, 도 6은 본 발명의 제3실시예에 따른 반도체 제조용 캐니스터를 도시한 도면이다. 도 6을 참조하면, 본 실시예의 반도체 제조용 캐니스터(300)는, 도 5에 도시된 반도체 제조용 캐니스터(200)와 같이, 도 4에 도시된 캐니스터의 용기(101)가 용기본체(310)와 덮개부재(320) 두 부분으로 분리된다.

그러나, 도 5에 도시된 바와 달리, 본 실시예의 덮개부재(320)는, 그 상부 벽(320a), 측벽(320c) 및 하부벽(320b)에 의해 둘러싸인 내부공간에 의해 제2공간부(350)가 형성된다. 상기 용기본체(310)는 그 상부가 개구된 형상으로서, 상기 덮개부재(320)의 하측에 결합된다. 상기 덮개부재의 하부벽(320b)과 상기 용기본체(310)의 결합에 의해 액상소스(1)가 수용되는 제1공간부(340)가 형성된다. 상기 덮개부재의 하부벽(320b)이 바로 제1공간부(340)와 제2공간부(350)를 분리시키는 분리부재(330) 역할을 수행한다. 이와 같이, 상기 분리부재(330)는 덮개부재(320)의 하부에 결합되어 그 덮개부재(320)의 하부벽(320b)을 이루게 된다.

한편, 도 7은 본 발명의 제4실시예에 따른 반도체 제조용 캐니스터를 도시한 도면이다. 도 7을 참조하면, 본 실시예의 반도체 제조용 캐니스터(100')는, 캐리어가스 공급포트(21)가 용기의 측벽(101c)에 설치되어 있다. 이와 같이 캐리어가스 공급포트(21)가 용기의 측벽(101c)에 설치되는 경우에는, 캐리어가스 공급포트(21)가 삽입되는 관통공(112)이 분리부재(110)에 형성될 필요가 없으며, 용기(101) 내부의 액상소스(1)의 역류를 방지하기 위해 캐리어가스 공급포트(21)에는 체크밸브(24)와 같은 역류방지장치를 설치하는 것이 바람직하다.

본 발명의 실시예들에 있어서, 캐리어가스 공급포트(21)와 캐리어가스 공급라인(23)이 별도로 마련되어 서로 결합되어 있으나, 캐리어가스 공급포트와 캐리어가스 공급라인이 일체로 형성되어 용기에 결합될 수도 있다. 마찬가지로, 소스가스 배기포트(31)와 소스가스 배기라인(33)도 별도로 마련되어 서로 결합되어 있으나, 일체로 형성되어 용기에 결합될 수도 있다.

이상 바람직한 실시예들 및 변형례에 대해 설명하였으나, 본 발명에 따른 반 도체 제조용 캐니스터는 상술한 예들에 한정되는 것은 아니며, 그 예들의 변형이나 조합에 의해, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범주 내에서 다양한 형태의 반도체 제조용 캐니스터가 구체화될 수 있다.

본 발명의 반도체 제조용 캐니스터는, 그 내부에 수용되어 있는 액상소스가 소스가스 배기포트에 침투하는 것을 방지할 수 있으므로, 기판 상에 증착되는 박막 내에 불순물이 발생하는 것을 막아 박막의 품질을 향상시킬 수 있고, 반응 챔버 내로 공급되는 소스가스들의 유량을 균일하게 유지하여 박막 내 소스들의 조성비 및 박막의 두께를 균일하게 유지할 수 있는 효과가 있다.

Claims

반도체 제조용 액상소스가 수용되는 내부공간이 마련되어 있는 용기와, 상기 용기의 내부공간으로 상기 액상소스를 가스화시키기 위한 캐리어가스를 주입하기 위한 캐리어가스 공급포트와, 상기 용기의 내부공간에서 형성된 소스가스를 외부로 배출하기 위한 소스가스 배기포트를 구비하는 반도체 제조용 캐니스터에 있어서,

상기 용기의 내부공간은, 분리부재에 의해 제1공간부와 그 제1공간부의 상측에 위치하는 제2공간부로 분리되며,

상기 제1공간부는 상기 액상소스가 수용되어 있으며 상기 캐리어가스 공급포트와 연결되며, 상기 제2공간부는 상기 제1공간부와 연통되며 상기 소스가스 배기포트와 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 캐니스터.
제1항에 있어서,

상기 분리부재는,

상기 제1공간부와 제2공간부를 연통시키기 위해 관통되게 형성된 연통공을 가지며, 상기 용기의 내부에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 캐니스터.
제1항에 있어서,

상기 용기는, 상기 제1공간부가 마련되어 있는 용기본체와, 상기 용기본체의 상측에 결합되어 그 용기본체와의 사이에 상기 제2공간부를 형성하는 덮개부재를 구비하며,

상기 분리부재는,

상기 제1공간부와 상기 제2공간부를 연통시키기 위해 관통되게 형성된 연통공을 가지며, 상기 용기본체의 상부에 결합되어 그 용기본체의 상부벽을 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 캐니스터.
제1항에 있어서,

상기 용기는, 상기 제2공간부가 마련되어 있는 덮개부재와, 상기 덮개부재의 하측에 결합되며 그 덮개부재와의 사이에 상기 제1공간부를 형성하는 용기본체를 구비하며,

상기 분리부재는,

상기 제1공간부와 상기 제2공간부를 연통시키기 위해 관통되게 형성된 연통공을 가지며, 상기 덮개부재의 하부에 결합되어 그 덮개부재의 하부벽을 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 캐니스터.
제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 분리부재의 상면은, 상기 연통공 측으로 하향 경사지게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 캐니스터.
제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 분리부재는, 상기 캐리어가스 공급포트가 삽입될 수 있는 관통공을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 캐니스터.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 분리부재에는, 그 분리부재를 가열하기 위한 히터가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 캐니스터.