KR20080062553A - 드라이 에칭 장치 - Google Patents

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KR20080062553A
KR20080062553A KR1020060138493A KR20060138493A KR20080062553A KR 20080062553 A KR20080062553 A KR 20080062553A KR 1020060138493 A KR1020060138493 A KR 1020060138493A KR 20060138493 A KR20060138493 A KR 20060138493A KR 20080062553 A KR20080062553 A KR 20080062553A
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김재욱
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은, 공정챔버와; 상기 공정챔버 내에 형성된 상부전극과; 상기 상부전극과 마주하며 기판을 안착시키는 척바디와, 상기 척바디 하부의 척베이스로 이루어진 하부전극과; 상기 하부전극의 측면의 상단을 두르며 상기 하부전극의 측면과 체결된 제 1 버퍼 플레이트와; 상기 하부전극의 측면의 하단을 두르며 상기 제 1 버퍼 플레이트 하부에 이와 접촉하며 형성된 제 1 버퍼 플레이트와; 상기 제 1, 2 버퍼 플레이트의 외측을 두르며 형성된 세라믹(ceramic) 재질의 플레이트를 포함하는 드라이 에칭 장치를 제공한다.

Description

드라이 에칭 장치{apparatus for dry etching}
도 1은 일반적인 액정표시장치 제조에 이용되는 드라이 에칭 장비의 공정챔버를 간략히 도시한 단면도.
도 2는 도 1의 A영역을 확대 도시한 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치 제조에 이용되는 드라이 에칭 장비의 공정챔버를 간략히 도시한 단면도.
도 4는 도 3의 A영역을 확대 도시한 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 드라이 에칭 장비에 장착되는 제 1, 2 버퍼 플레이트의 체결 구조를 도시한 사시도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
110 : 공정챔버 120 : 하부전극
121 : 척베이스 123 : 척바디
130 : 상부전극 140 : 세라믹 재질의 플레이트
143a : 제 1 버퍼 플레이트 143b : 제 2 버퍼 플레이트
147 : 볼트 180 : 실린더
183 : 실린더를 연결한 축
AP : 반응영역
본 발명은 액정표시장치 제조용 장치에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 플라즈마를 이용한 드라이 에칭 장치에 관한 것이다.
근래의 본격적인 정보화 시대에 발맞추어 전기적 신호정보를 시인성(視認性) 있는 화상으로 표시하는 디스플레이(display) 분야 또한 급속도로 발전해왔고, 이에 부응해서 사이즈의 경박단소(輕薄短小)와 저소비전력화 특징을 지닌 평판표시장치(Flat Panel Display device : FPD)로서, 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device: FED), 전기발광표시장치(Electro luminescence Display device : ELD) 등이 소개되어 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube : CRT)을 빠르게 대체하고 있다.
이때 일반적인 평판표시장치는 화상구현을 위한 평판표시패널(plat display panel)을 공통의 필수요소로 하며, 이는 고유의 형광 또는 편광 물질층을 사이에 두고 두 기판을 나란히 합착시킨 형태를 나타내는바, 최근에는 특히 평판표시패널 상에 화상표현의 기본단위인 화소(pixel)를 행렬로 배열하고 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT)와 같은 스위칭소자로 각각을 개별 제어하는 능동행렬방식(active matrix type)이 동영상 구현능력과 색 재현성에서 뛰어나 널리 이용된다.
그리고 이 경우 평판표시장치 제조공정에는 기판 표면에 소정물질의 박막을 형성하는 박막증착(deposition)공정, 상기 박막의 선택된 일부를 노출시키는 포토리소그라피(photo-lithography)공정, 상기 박막의 노출된 부분을 제거해서 목적하는 형태로 패터닝(patterning) 하는 건식 또는 습식식각(etching) 공정이 수 차례 반복 포함되는데, 이중 박막증착공정을 비롯한 건식식각공정 등은 통상 밀폐된 공정챔버(process chamber)를 갖는 드라이 에칭 장비를 통해 진행되고 있다.
도 1은 일반적인 액정표시장치 제조에 이용되는 드라이 에칭 장비의 공정챔버를 간략히 도시한 단면도이며, 도 2는 도 1의 A영역을 확대 도시한 단면도이다.
플라즈마 공정챔버(10) 내에는 밀폐된 고유의 반응영역(PA)이 정의되고, 이의 하단에는 기판(51)이 안착 및 고정되는 하부전극(20)이 구비되며, 그 상부로는 기판(51)과 대향하며 상부전극(30)이 배치되어 있다. 한편, 상기 하부전극(20)의 표면에는 업/다운 운동을 하는 다수의 리프트 핀(83)이 형성되고 있다.
따라서 상기 하부전극(20)상에 상기 다수의 리프트 핀(83)이 상승된 상태에서 로봇 등에 의해 상기 기판(51)이 상기 다수의 리프트 핀(83) 상부에 안착된 후, 상기 다수의 리프트 핀(83)이 상기 하부전극(20) 내부로 하강함으로써 상기 기판(51)이 상기 하부전극(20)의 표면에 안착되게 된다. 이때, 상기 반응영역(PA) 내부로 외부의 반응가스가 공급됨과 동시에 상부전극 전극(30)으로 RF(Radio Frequency) 고전압이 인가되며, 이를 통해 발생된 플라즈마로 상기 기판(51) 상에 증착된 박막을 식각할 수 있다.
이 과정 중에 상기 하부전극(20)은 정전기적 흡착력을 발휘해서 상기 기판(51)을 고정시키게 된다.
이때, 상기 기판(51)이 안착되는 하부전극(20)의 구조를 조금 더 상세히 살펴보면, 상기 하부전극(20)은 하단의 척베이스(chuck base : 21)와 상단의 척바디(chuck body : 23)로 구분 가능한데, 알루미늄(Al) 등으로 이루어지는 상기 척베이스(21) 상면에는 본딩층(미도시)이 코팅되어 상기 본딩층(미도시) 상부로 상기 척바디(23)가 접착된 형태를 갖는다.
따라서, 상기 척바디(23) 상면에는 상기 기판(51)이 안착되고, 외부의 DC 전압으로 상기 기판(51)을 고정시키기 위한 정전 흡착력이 발생하게 된다.
이때, 상기 척바디(23)는 텅스텐(W)의 판(plate) 형상을 가지며 구성되고 있으며, 그 테두리를 따라 낮은 단차를 이루고 있으며, 이 부분에 있어서는 플라즈마에 의해 영향을 받지 않는 절연재인 세라믹(ceramic)으로 마감처리되고 있다.
또한, 상기 하부전극(20)의 측면에 있어서도 절연 특성을 갖는 재질인 세라믹(ceramic)으로써 이루어진 플레이트(40)가 이와 접촉하는 타 구성요소(상기 하부전극 하부로의 플라즈마 유입을 방지하기 위해 형성한 베플 플레이트(baffle plate)(49))에로의 전기적 통전을 방지하며, 나아가 상기 상하로 위치한 척바디(23)와 척베이스(21)의 분리방지 및 이들 척바디(21)와 척베이스(23)의 계면으로의 플라즈마 유입 방지를 위해 구성되고 있으며, 이때 상기 세라믹(ceramic) 재질 의 플레이트(40)와 금속재질의 하부기판(20)과의 직접 접촉에 의한 체결 시 상기 세라믹(ceramic) 재질의 플레이트(40)의 깨짐을 방지하기 위해 이들 두 구성요소 사이에서 버퍼 역할을 하는 구성요소로서 고분자 재질인 테프론(Teflon)으로써 이루어진 버퍼 플레이트(43) 개재하여 볼트 등의 체결수단(47)을 이용하여 체결을 하고 있다. 즉, 상기 버퍼 플레이트(43)와 하부전극(20)의 측면을 우선적으로 볼트 등의 체결수단(47a)으로 체결하고, 이를 감싸며 상기 세라믹(ceramic) 재질의 플레이트(40)를 상기 테프론(Teflon) 재질의 버퍼 플레이트(43)와 상기 볼트 등의 체결수단(47b)을 통해 체결하고 있다.
이러한 상하부전극(30, 20)을 갖는 드라이 에칭 장비는 에칭 공정의 최적화를 위해 에칭 공정에 영향을 끼치는 상하부전극(30, 20)간의 갭(d)과 가스 흐름, 공정 챔버내 온도 및 RF 파워 등을 적절히 조절하고 있다.
이때, 특히 상하부전극(30, 20)간 갭(d)을 변화시킬 경우, 기판(51)의 중앙부와 주변부의 에칭 비율을 변화시킬 수 있는 바, 플라즈마 발생 시, 상기 상하부전극(30, 20)간의 갭(d)을 조절하고 있다. 이때, 상기 상부전극(30)은 고정되며 상기 하부전극(20)이 업/다운함으로써 상기 상부전극(30)과 하부전극(20)의 갭(d)을 적절히 조절한다.
하지만, 이렇게 상하부전극(30, 20)간 갭(d)을 조절하는 과정에서 즉 상기 하부전극(20)을 상하로 움직이는 과정에서 상기 베플 플레이트(49)와의 이격으로 인한 플라즈마의 누설이 발생하여 상기 하부전극(20)의 하부로 침투하게 되며, 이 경우 상기 세라믹(ceramic)의 플레이트(40)와 금속재질의 척베이스(21)는 별 영향 은 받지 않지만, 상기 세라믹(ceramic) 재질의 플레이트(40)와 상기 하부기판(20)의 측면 사이에 위치한 테프론(Teflon) 재질의 버퍼 플레이트(43)는 상기 침투한 플라즈마에 의해 노출된 끝단부터 내부로 서서히 식각되는 문제가 발생하고 있다.
따라서, 주기적으로 상기 테프론(Teflon) 재질의 버퍼 플레이트(43)를 교환해야 하는데, 상기 테프론(Teflon) 재질의 버퍼 플레이트(43)는 그 폭(t1)이 상기 하부전극(30)의 두께(t1)보다 더 큰 값을 가지며, 그 길이는 상기 기판(51)이 안착되는 상기 하부전극(30)의 일측의 길이(통상적으로 상기 하부전극은 사각판 형태임) 정도의 값을 갖는 바, 최소 상기 기판(51)의 단축의 폭보다는 큰 값을 갖게 됨을 알 수 있다. 이때 상기 기판은 작게는 200mm*300mm에서 크게는 2000mm * 2500mm 정도의 크기를 갖는 바, 상기 버퍼 플레이트의 길이도 이에 비례하여 200mm 내지 2500mm 이상의 크기를 갖게 됨을 알 수 있다.
따라서, 이러한 크기를 갖는 상기 버퍼 플레이트(43)를 상기 하부전극(20)으로부터 분리하고, 다시 체결하는 데에는 많은 시간이 걸리며, 특히 상기 버퍼 플레이트(43)를 분리하기 위해서는 세라믹(ceramic) 재질의 플레이트(40) 또한 상기 테프론(Teflon) 재질의 버퍼 플레이트(43)로부터 우선적으로 분리해야 하는 바, 더욱더 교환시간이 길어지고 있다.
또한, 테프론(Teflon)은 그 자체로 매우 값비싼 고분자 물질이며, 이러한 값비싼 테프론(Teflon) 재질로 이루어진 버퍼 플레이트(43) 전체를 주기적으로 교환하는 것은 액정표시장치의 가격 경쟁력을 악화시키게 됨을 알 수 있다.
이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 드라이 에칭 장비의 소모성 구성요소인 버퍼 플레이트의 교환 시간을 단축시키며, 나아가 유지비용을 저감시킬 수 있는 구성을 갖는 드라이 에칭 장비를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 드라이 에칭 장치는, 공정챔버와; 상기 공정챔버 내에 형성된 상부전극과; 상기 상부전극과 마주하며 기판을 안착시키는 척바디와, 상기 척바디 하부의 척베이스로 이루어진 하부전극과; 상기 하부전극의 측면의 상단을 두르며 상기 하부전극의 측면과 체결된 제 1 버퍼 플레이트와; 상기 하부전극의 측면의 하단을 두르며 상기 제 1 버퍼 플레이트 하부에 이와 접촉하며 형성된 제 2버퍼 플레이트와; 상기 제 1, 2 버퍼 플레이트의 외측을 두르며 형성된 세라믹(ceramic) 재질의 플레이트를 포함한다.
이때, 상기 세라믹(ceramic) 재질의 플레이트는 상기 제 1 버퍼 플레이트와 체결된 것이 특징이며, 상기 제 2 버퍼 플레이트는 상기 제 1 버퍼 플레이트와 체결수단에 의해 체결된 것이 특징이다. 이때, 또한, 상기 체결수단은 볼트인 것이 특징이며, 상기 제 1, 2 버퍼 플레이트는, 상기 제 1 버퍼 플레이트의 밑면에는 홈부를 구비하며, 상기 제 2 버퍼 플레이트는 그 밑면으로부터 상면까지 관통하는 홀을 구비함으로써 상기 제 2 버퍼 플레이트의 밑면으로부터 상기 홀을 통해 상기 홈 에 삽입되는 상기 볼트에 의해 체결되는 것이 특징이다. 또한 이때, 상기 볼트는, 상기 제 2 버퍼 플레이트 체결 후 노출되는 부분은 세라믹(ceramic)으로 코팅된 것이 특징이다.
또한, 상기 제 1, 2 버퍼 플레이트는 테프론(Teflon) 재질인 것이 특징이며, 상기 드라이 에칭 장치는 상기 하부전극을 업/다운 운동시키는 다수의 실린더를 더욱 포함하는 것이 특징이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치 제조에 이용되는 드라이 에칭 장비의 공정챔버를 간략히 도시한 단면도이며, 도 4는 도 3의 A영역을 확대 도시한 단면도이다.
플라즈마 공정챔버(110) 내에는 밀폐되어 플라즈마가 발생되어 식각을 진행하는 고유의 반응영역(PA)이 정의되고, 이의 하단에는 식각을 진행할 기판(151)이 안착 및 고정되는 하부전극(120)이 구비되며, 상기 하부전극(120)의 상부에는 상기 기판(151)과 대향하는 상부전극(130)이 배치되어 있다. 이때 상기 상부전극(130) 및 하부전극(120)은 평면적으로 직사각형 형태를 갖는 것이 특징이다. 이는 액정표시장치 제조용 기판이 주로 직사각형 형태를 갖는 바, 이러한 직사각형 형태의 기판에 대해 에칭공정을 진행하기 위해서는 동일한 형태를 갖는 것이 바람직하기 때문이다.
한편, 상기 하부전극(120)에 식각을 진행할 기판(151)이 안착되면 반응영 역(PA) 내부로 외부로부터 반응가스가 공급됨과 동시에 상부전극(130)으로 RF(Radio Frequency) 고전압이 인가됨으로써 상기 상하부전극(130, 120)간에 플라즈마가 발생함으로써 상기 기판(151) 상에 증착된 박막을 식각할 수 있다.
이때, 본 발명의 가장 특징적인 부분인 기판(151)이 안착되는 하부전극(120)의 구조에 대해 구체적으로 설명한다.
상기 하부전극(120)은 하단의 척베이스(121)와 상단의 척바디(123)와 이들 척베이스(121)와 척바디(123)의 측면부를 두르는 세라믹(ceramic) 재질의 플레이트 및 상기 플레이트 내측에 위치하는 이중층 구조를 가지며 테프론(Teflon) 재질로 이루어진 버퍼 플레이트(143)와, 그 표면에서 업/다운 운동을 하며 로봇(미도시)에 의해 이재된 기판(151)을 상기 하부전극(120)의 표면에 안착시키는 다수의 리프트 핀(183)으로 구성되고 있다.
이때, 상기 척베이스(121)는 알루미늄(Al) 재질로 이루어지고 있으며, 상기 척바디(123)는 텅스텐 등의 비교적 높은 강도와 부식에 강한 금속재로 이루어지고 있으며, 상기 척베이스(121)와 척바디(123) 사이에는 이들의 고정 및 절연을 위해 본딩층(미도시)이 코팅되어 상기 본딩층(미도시) 상부로 척바디(123)가 접착된 형태를 갖는다.
한편, 상기 척바디(123)는 텅스텐(W)의 판(plate) 형상을 가지며 구성되고 있으며, 그 테두리를 따라 낮은 단차를 이루고 있으며, 이 부분에 있어서는 플라즈마에 의해 영향을 받지 않는 절연재인 세라믹(ceramic)으로 마감처리되고 있으며, 상기 하부전극(120)의 측면에 있어서도 절연 특성을 갖는 재질인 세라믹(ceramic) 으로써 이루어진 플레이트(140)가 이와 접촉하는 베플 플레이트(baffle plate)(183)에로의 전기적 통전을 방지하며, 나아가 상기 상하로 위치한 척베이스(121)와 척바디(123)의 분리방지 및 이들 척베이스(121)및 척바디(123)의 계면으로의 플라즈마 침투에 의해 상기 본딩층이 손상되는 것을 방지하기 위해 구성되고 있다.
이때, 이때 상기 세라믹(ceramic) 재질의 플레이트(140)와 금속재질의 하부전극(120)은 모두 강도가 매우 크고 특히 상기 세라믹(ceramic) 재질의 플레이트(140)는 충격에 의해 파손 발생의 문제가 있는 바, 볼트 등에 의해 체결 시 체결압에 의해 강도가 큰 금속재질과 직접 접촉하여 체결시는 파손의 문제 및 더욱 강한 강도를 갖는 금속재질에 의해 마모됨으로 인한 유격이 발생하는 문제가 있는 바, 이들 재질보다는 비교적 강도가 약하며 어느 정도의 탄성력을 가져 충격을 흡수하며 밀착력이 우수한 테프론(Teflon) 재질로 이루어진 버퍼 플레이트(143)를 상기 세라믹(ceramic) 재질의 플레이트(140)와 하부전극(120) 더욱 정확히는 척베이스(121) 및 척바디(123)의 측면에 더욱 개재하여 체결하고 있다.
이때 상기 테프론(Teflon) 재질의 버퍼 플레이트(143)는 종래와는 달리 상하 분리되는 이중구조를 갖는 것이 특징이다.
이때, 상부에 위치하는 제 1 버퍼 플레이트(143a)는 그 폭(d1)이 상기 하부전극(120) 측면의 두께(t1)보다는 작게 형성됨으로써 상기 하부전극(120) 측면의 하단부 일부(B)를 노출시키는 형태를 가지며, 상기 하부전극(120)의 측면과 제 1 볼트(147a)에 의해 체결되고 있으며, 이러한 제 1 버퍼 플레이트(143a) 하부에 노 출된 상기 하부전극(120) 측면의 하단부 일부(B)를 완전히 가리도록 제 2 버퍼 플레이트(143b)의 상면이 상기 1 버퍼 플레이트(143a)의 하면과 접촉하며 제 2 볼트(171)에 의해 체결되며 형성되고 있다.
이렇게 형성된 제 1, 2 버퍼 플레이트(143a, 143b)의 외측으로 세라믹(ceramic) 재질의 플레이트(140)가 상기 제 1 버퍼 플레이트(143a)와 다수의 제 3 볼트(147b)를 통해 체결되어 구성되고 있는 것이 특징이다.
한편, 도 5는 본 발명에 따른 드라이 에칭 장비에 장착되는 제 1, 2 버퍼 플레이트의 체결 구조를 도시한 사시도이다.
도시한 바와 같이, 상기 제 1, 2 버퍼 플레이트(143a, 143b) 간의 체결은 상기 제 1 버퍼 플레이트(143a) 하부에 구비된 나사산이 형성된 홈부(hm)에 상기 제 2 버퍼 플레이트(143b)의 하면으로부터 상면까지 관통하며 홀(hl)을 통해 볼트(171)로 상기 홀(hl)과 홈부(hm)를 체결하는 구조가 되고 있다. 이때 상기 볼트의 머리부분 즉 체결 후 상기 제 2 버퍼 플레이트(143b) 외부로 노출되는 부분은 세라믹(ceramic) 재질로 코팅됨으로써 플라즈마에 의한 영향을 방지하는 구조가 되고 있다.
도 3을 다시 참조하면, 이러한 상하로 서로 분리되는 테프론(Teflon) 재질의 제 1, 2 버퍼 플레이트(143a, 143b)를 구비한 드라이 에칭 장비에 있어 상기 하부전극(120) 하부에는 상기 하부전극(120)의 업/다운 운동을 가능하게 하는 다수의 실린더(180)가 구비되고 있으며 이러한 다수의 실린더(180)는 상기 공정챔버(110) 외부에서 하나의 축(183)에 연결되어 구동되고 있는 것이 특징이다.
이렇게 기판(151)이 안착되는 하부전극(120)을 공정챔버(110) 내에서 업/다운 운동을 가능하도록 하는 이유는, 이러한 플라즈마에 의한 식각을 빠른시간 내에 이루어지도록 나아가 기판(151) 전면에 대해 고를 식각 비율을 가지며 식각이 진행하도록 하기 위함이다. 따라서, 상부전극(130)에 RF파워를 인가하여 공정챔버(110)내에 플라즈마를 발생시킨 상태에서 상기 하부전극(120)을 업/다운시키며 상하부전극(130, 120) 간의 이격간격을 적절히 조정하게 되며, 이때, 이러한 하부전극(120)의 업/다운 운동에 의해 상기 상하부전극(130, 120) 사이에 형성되는 플라즈마가 상기 하부전극(120)의 하부의 공간까지 침투하는 현상이 발생하게 됨으로써 상기 하부전극(120) 하부까지 침투한 플라즈마에 의해 상기 테프론(Teflon) 재질의 버퍼 플레이트(143)가 식각되게 된다.
하지만, 본 발명에 따른 드라이 에칭 장비는 상기 버퍼 플레이트(143)를 상부의 제 1 버퍼 플레이트(143a)와 그 하단에 위치하는 제 2 버퍼 플레이트(143b)로 분리 구성함으로써 상기 하부전극(120) 하부로 침투한 플라즈마에 의해 상기 테프론(Teflon) 재질의 버퍼 플레이트(143)가 식각된다 하더라도 제 2 버퍼 플레이트(143b)가 우선적으로 상기 침투한 플라즈마에 노출되어 식각되며, 이 경우, 종래와 같이 상기 하부전극 측면 전체를 두르며 형성된 버퍼 플레이트 전체를 교환하지 않고, 단지 제 2 버퍼 플레이트(143b) 만을 상기 제 1 버퍼 플레이트(143a)로부터 분리하여 간단히 교환하게 됨으로써 교환시간을 현저히 줄일 수 있는 것이 특징이다.
종래의 경우, 상기 테프론(Teflon) 재질의 버퍼 플레이트는 상기 하부전극과 체결되며, 동시에 그 외측으로 세라믹(ceramic) 재질의 플레이트가 상기 버퍼 플레이트에 체결됨으로써 이의 교환을 위해서는 상기 세라믹(ceramic) 재질의 플레이트까지 함께 분리해야 했지만, 본 발명의 경우 상기 세라믹(ceramic) 재질의 플레이트(140)는 분리하지 않고 단지 테프론(Teflon) 재질의 제 2 버퍼 플레이트(143b)만을 그 상부에 위치한 제 1 버퍼 플레이트(143a)로부터 분리한 후, 새로운 제 2 버퍼 플레이트(143b)를 상기 제 1 버퍼 플레이트(143a)와 체결하게 되는 바, 교환이 매우 용이해지며 교환시간 또한 단축할 수 있는 것이 특징이다.
또한, 값비싼 테프론(Teflon) 재질로 이루어진 버퍼 플레이트(143) 전체를 교환하지 않고, 상기 하부전극(120)의 측면 대부분을 덮는 제 1 버퍼 플레이트(143a)에 대해서는 교환하지 않고, 그 일부인 제 2 버퍼 플레이트(143b)만 교환하게 됨으로써 유지 비용을 절감할 수 있는 장점을 갖게 된다.
본 발명에 따른 드라이 에칭 장치는, 하부전극의 업/다운 운동에 의해 상기 하부전극 하부로 침투하는 플라즈마에 의해 식각되는 테프론(Teflon) 재질의 버퍼 플레이트를 이단으로 분리하는 형태로 즉 제 1, 2 버퍼 플레이트로 구성함으로써 침투한 플라즈마에 의해 식각이 발생하는 하단에 위치하는 제 2 버퍼 플레이트만을 교환하는 구성을 갖는 바, 유지 비용 저감의 효과를 갖는다.
또한, 상기 제 2 버퍼 플레이트는 제 1 버퍼 플레이트만과 체결되는 구성을 가짐으로써 교환 시간을 저감시키는 효과가 있다.

Claims (8)

  1. 공정챔버와;
    상기 공정챔버 내에 형성된 상부전극과;
    상기 상부전극과 마주하며 기판을 안착시키는 척바디와, 상기 척바디 하부의 척베이스로 이루어진 하부전극과;
    상기 하부전극의 측면의 상단을 두르며 상기 하부전극의 측면과 체결된 제 1 버퍼 플레이트와;
    상기 하부전극의 측면의 하단을 두르며 상기 제 1 버퍼 플레이트 하부에 이와 접촉하며 형성된 제 2버퍼 플레이트와;
    상기 제 1, 2 버퍼 플레이트의 외측을 두르며 형성된 세라믹(ceramic) 재질의 플레이트
    를 포함하는 드라이 에칭 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 세라믹(ceramic) 재질의 플레이트는 상기 제 1 버퍼 플레이트와 체결된 것이 특징인 드라이 에칭 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 버퍼 플레이트는 상기 제 1 버퍼 플레이트와 체결수단에 의해 체결된 것이 특징인 드라이 에칭 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 체결수단은 볼트인 것이 특징인 드라이 에칭 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1, 2 버퍼 플레이트는,
    상기 제 1 버퍼 플레이트의 밑면에는 홈부를 구비하며, 상기 제 2 버퍼 플레이트는 그 밑면으로부터 상면까지 관통하는 홀을 구비함으로써 상기 제 2 버퍼 플레이트의 밑면으로부터 상기 홀을 통해 상기 홈에 삽입되는 상기 볼트에 의해 체결되는 것이 특징인 드라이 에칭 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 볼트는, 상기 제 2 버퍼 플레이트 체결 후 노출되는 부분은 세라믹(ceramic)으로 코팅된 것이 특징인 드라이 에칭 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1, 2 버퍼 플레이트는 테프론(Teflon) 재질인 것이 특징인 드라이 에칭 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 드라이 에칭 장치는 상기 하부전극을 업/다운 운동시키는 다수의 실린더를 더욱 포함하는 것이 특징인 드라이 에칭 장치.
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