KR20080061601A - Wafer cleaning apparatus of semiconductor manufacturing equipment and method thereof - Google Patents

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KR20080061601A
KR20080061601A KR1020060136521A KR20060136521A KR20080061601A KR 20080061601 A KR20080061601 A KR 20080061601A KR 1020060136521 A KR1020060136521 A KR 1020060136521A KR 20060136521 A KR20060136521 A KR 20060136521A KR 20080061601 A KR20080061601 A KR 20080061601A
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김영민
임근식
이은식
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삼성전자주식회사
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Abstract

A wafer cleaning apparatus of semiconductor manufacturing equipment and a method thereof are provided to perform a brushing process only in a normal condition by detecting and monitoring a time of on/off signals of an optical sensor. A wafer(W) driving unit(110) rotates a wafer. A brush(120) brushes the wafer. A brush driving unit(130) drives the brush. A sensor senses a flat zone(W1) and a circumference plane(W2) of rotating a wafer by the wafer driving unit. A controller(160) monitors on/off signals of the sensing unit by sensing the flat zone and the circumference plane, and transmits monitoring results to a semiconductor main manufacturing apparatus by judging whether the time of on/off signal is included in a predetermined on/off signal range.

Description

반도체 제조장비의 웨이퍼 세정 장치 및 방법{WAFER CLEANING APPARATUS OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT AND METHOD THEREOF}Wafer cleaning apparatus and method for semiconductor manufacturing equipment {WAFER CLEANING APPARATUS OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT AND METHOD THEREOF}

도 1은 종래 반도체 제조장비의 웨이퍼 세정 장치의 사시도1 is a perspective view of a wafer cleaning apparatus of a conventional semiconductor manufacturing equipment

도 2는 종래 반도체 제조장비의 웨이퍼 세정 장치의 구성도2 is a block diagram of a wafer cleaning apparatus of a conventional semiconductor manufacturing equipment

도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조장비의 웨이퍼 세정 장치의 구성도3 is a block diagram of a wafer cleaning apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 방법을 설명하는 흐름도4 is a flow chart illustrating a wafer cleaning method according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 방법에 있어서, 비정상적인 조건하에서의 브러싱 공정을 보인 그래프5 is a graph showing a brushing process under abnormal conditions in the wafer cleaning method according to the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 방법에 있어서, 정상적인 조건하에서의 브러싱 공정을 보인 그래프6 is a graph showing a brushing process under normal conditions in the wafer cleaning method according to the present invention.

*주요부분에 대한 도면부호* Drawing reference for the main part

W:웨이퍼W: Wafer

W1 :플랫 존W 1 : Flat Zone

W2 :원주 면W 2 : circumferential surface

110:웨이퍼 구동 유닛110: wafer drive unit

120:브러시120: Brush

130:브러시 구동 유닛130: brush drive unit

111:롤러111: Roller

112:구동부112: drive unit

140:발광 센서140: light emitting sensor

150:수광 센서150: light receiving sensor

160:제어부160: control unit

170:반도체 메인 제조장비170: semiconductor main manufacturing equipment

180:알람 부180: alarm part

본 발명은 반도체 제조장비의 웨이퍼 세정에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발수광 센서를 이용한 온/오프 시그널의 시간을 감지하고 모니터링 함으로써, 항상 정상적인 조건 하에서 브러싱 공정을 수행하도록 하여 웨이퍼의 품질저하 및 수율 저하를 방지할 수 있는 반도체 제조장비의 웨이퍼 세정 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to wafer cleaning of semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, by detecting and monitoring the time of the on / off signal using a light-receiving light sensor, so that the brushing process is always performed under normal conditions to reduce wafer quality and yield. The present invention relates to a wafer cleaning apparatus and method for semiconductor manufacturing equipment capable of preventing degradation.

일반적으로 반도체 소자 또는 반도체 칩 등은 실리콘으로 형성되는 웨이퍼를 반도체 장비를 이용하여 처리함으로써 제조된다. 웨이퍼는 통상 리소그래피, 화학 또는 물리적 증착 및 플라즈마 에칭 등과 같은 일련의 반도체 소자 제조공정을 거쳐 반도체 소자 또는 반도체 칩으로 제조된다.In general, a semiconductor device or a semiconductor chip is manufactured by processing a wafer formed of silicon using semiconductor equipment. Wafers are typically manufactured into semiconductor devices or semiconductor chips through a series of semiconductor device manufacturing processes such as lithography, chemical or physical vapor deposition, and plasma etching.

이와 같은 방법을 통하여 형성되는 반도체 소자는 다중 레벨 구조의 형태를 갖는다. 기판 레벨에서는 확산 영역을 갖는 트랜지스터 디바이스가 형성되며, 그 다음 레벨에서는 금속 라인 패턴이 형성된다. 이러한 금속 라인 패턴은 전기적으로 트랜지스터 디바이스에 연결되어, 바람직하게 기능하는 디바이스의 역할을 갖도록 한다. 이러한 금속 라인 패턴은 금속물질을 유전성 재료 내에 형성된 후, CMP 공정 후에 금속 라인 패턴 상에 잔류하는 파티클 및 오염물질을 제거한 웨이퍼 세정공정이 필수적이다.The semiconductor device formed through the above method has a multilevel structure. At the substrate level, a transistor device having a diffusion region is formed, followed by a metal line pattern. This metal line pattern is electrically connected to the transistor device, so as to have the role of a preferably functioning device. The metal line pattern is a wafer cleaning process to remove the particles and contaminants remaining on the metal line pattern after the metal material is formed in the dielectric material, after the CMP process.

따라서, 반도체 소자의 제조공정이 진행되는 동안, 웨이퍼는 헹굼(rinsing), 폴리싱(polishing), 브러싱(brushing), 및 회전건조(spin-dry) 등과 같은 일련의 표면 세정 공정을 받게 된다.Thus, during the fabrication process of the semiconductor device, the wafer is subjected to a series of surface cleaning processes such as rinsing, polishing, brushing, and spin-dry.

반도체 소자의 품질을 향상시키기 위해서는 상기 일련의 세정 공정을 통해 웨이퍼 표면에 잔재하는 불순물 및 이물질이 완전히 제거되어야 한다.In order to improve the quality of the semiconductor device, impurities and foreign matter remaining on the surface of the wafer must be completely removed through the series of cleaning processes.

반도체 생산라인은, 웨이퍼의 구경이 200 ㎜에서 300 ㎜로 변화되어감에 따라 설비의 크기만 변하는 것이 아니라 작업자에 대한 의존도가 낮은 자동화된 생산 라인이 적용되고 있는 추세이다. 자동화된 생산라인에서는, 존 얼라인 센서를 이용하여 웨이퍼의 플랫 존을 감지하여 웨이퍼의 얼라이먼트(alignment)를 수행한다. 이러한 웨이퍼 정렬 공정은, 웨이퍼가 플랫 존과 원주 면으로 이루어진 것에 착안하여 웨이퍼의 얼라이먼트를 수행하는 것이다. 즉, 웨이퍼의 플랫 존이 감지되는 경우에는 발광 센서에서 방출한 빛이 수광 센서에 도달하며, 이때 온 시그널이 발생한다. 또 웨이퍼의 원주 면이 감지되는 경우에는 발광 센서에서 방출한 빛이 수 광 센서에 도달하지 못하며, 이때 오프 시그널이 발생한다. 이와 같이 발수광 센서가 웨이퍼의 플랫 존과 원주 면을 감지할 때 발생하는 온/오프 시그널을 이용하여 웨이퍼의 얼라이먼트 공정을 수행하는 것이다.In semiconductor production lines, as the diameter of the wafer is changed from 200 mm to 300 mm, not only the size of the equipment is changed, but an automated production line with low dependence on the operator is being applied. In an automated production line, a zone alignment sensor is used to sense the flat zone of the wafer to align the wafer. This wafer alignment process focuses on the wafer consisting of a flat zone and a circumferential surface to perform alignment of the wafer. That is, when the flat zone of the wafer is detected, the light emitted from the light emitting sensor reaches the light receiving sensor, and an on signal is generated. In addition, when the circumferential surface of the wafer is detected, light emitted from the light emitting sensor does not reach the light receiving sensor, and an off signal is generated at this time. As such, the wafer alignment process is performed using an on / off signal generated when the light emitting sensor detects the flat zone and the circumferential surface of the wafer.

도 1은 종래 반도체 제조장비의 웨이퍼 세정 장치의 사시도이고, 도 2는 종래 반도체 제조장비의 웨이퍼 세정 장치의 구성도이다.1 is a perspective view of a wafer cleaning apparatus of a conventional semiconductor manufacturing equipment, Figure 2 is a block diagram of a wafer cleaning apparatus of a conventional semiconductor manufacturing equipment.

종래 반도체 제조장비의 웨이퍼 세정 장치에 있어서는, 웨이퍼(W)의 양쪽 면에 브러시(11)가 위치되며, 브러시(11)는 브러시 구동부(10)에 의해 회전된다.In the wafer cleaning apparatus of the conventional semiconductor manufacturing equipment, the brush 11 is located on both sides of the wafer W, and the brush 11 is rotated by the brush drive unit 10.

웨이퍼(W)의 한쪽 끝단에는 웨이퍼(W)를 일정속도로 회전시키는 웨이퍼 구동부(12)가 설치되며, 웨이퍼(W)의 다른 쪽 끝단에는 웨이퍼(W)의 플랫 존(W1)을 감지하여 웨이퍼(W)의 얼라이먼트를 정렬하는 발수광 센서(13)(14)가 설치되어 있다.One end of the wafer W is provided with a wafer driver 12 for rotating the wafer W at a constant speed, and the other end of the wafer W detects the flat zone W 1 of the wafer W. Water-receiving sensors 13 and 14 for aligning the alignment of the wafer W are provided.

이와 같이 구성된 반도체 제조장비의 웨이퍼 세정 장치에 있어서는, 웨이퍼 구동부(12)에 전원이 인가되면, 웨이퍼 구동부(12)가 웨이퍼(W)를 소정 방향으로 회전시킨다. 이와 동시에 브러시 구동부(10)가 작동하여 브러시(11)를 회전시켜, 웨이퍼(W)의 표면을 브러싱 한다. 이때, 웨이퍼(W)의 표면에는 암모니아와 같은 케미컬 및 탈 이온수가 제공된다. 여기서 발수광 센서(13)(14)는 웨이퍼(W)의 플랫 존(W1)을 감지하여 웨이퍼(W)의 얼라이먼트를 정렬한다.In the wafer cleaning apparatus of the semiconductor manufacturing equipment configured as described above, when power is applied to the wafer driver 12, the wafer driver 12 rotates the wafer W in a predetermined direction. At the same time, the brush driver 10 operates to rotate the brush 11 to brush the surface of the wafer W. FIG. At this time, the surface of the wafer W is provided with chemical and deionized water such as ammonia. Here, the light-receiving sensors 13 and 14 sense the flat zone W 1 of the wafer W to align the alignment of the wafer W.

그러나, 종래 반도체 제조장비의 웨이퍼 세정 장치에 있어서는, 웨이퍼 구동부 및 브러시 구동부의 기계적인 결함 등이 발생하더라도 이러한 기계적 결함을 바로 발견하지 못하고 브러싱 공정을 계속 수행하기 때문에, 맵 슬러리 드레그(map slurry dreg)가 발생하는 등 웨이퍼의 품질에 큰 문제점이 발견되고 있으며, 수율이 저하되는 문제점이 있다.However, in the wafer cleaning apparatus of the conventional semiconductor manufacturing equipment, even if mechanical defects and the like of the wafer driver and the brush driver occur, such a mechanical defect is not immediately detected and the brushing process is continued, so that the map slurry dreg There is a big problem in the quality of the wafer, such as is generated, there is a problem that the yield is lowered.

따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안하여 고안된 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 과제는 웨이퍼의 플랫 존과 원주 면을 감지하는 발수광 센서에 의해 온/오프 시그널을 발생토록 하고, 그 온/오프 시그널의 시간을 모니터링 하여 정상적인 조건 하에서 브러싱 공정을 수행하도록 함으로써, 웨이퍼 품질 저하와 수율 저하를 효과적으로 방지할 수 있는 반도체 제조장비의 웨이퍼 세정 장치 및 방법을 제공하는데에 있다.Accordingly, the present invention has been devised in view of the above problems, and an object of the present invention is to generate an on / off signal by a light-receiving sensor for sensing a flat zone and a circumferential surface of a wafer, and the on / off signal. The present invention provides a wafer cleaning apparatus and method for semiconductor manufacturing equipment capable of effectively preventing wafer quality deterioration and yield deterioration by monitoring the time of the brushing process under normal conditions.

이와 같은 기술적 과제를 구현하기 위하여 본 발명에 따른 반도체 제조장비의 웨이퍼 세정 장치는 웨이퍼를 회전시키는 웨이퍼 구동 유닛과; 상기 웨이퍼를 브러싱 하는 브러시와; 상기 브러시를 구동시키는 브러시 구동 유닛과; 상기 웨이퍼 구동 유닛에 의해 회전하는 웨이퍼의 플랫 존과 원주 면을 감지하는 감지 유닛과; 상기 감지 유닛이 상기 웨이퍼의 플랫 존과 원주 면을 감지함에 따라 발생하는 온/오프 시그널을 모니터링하여 그 온/오프 시그널의 시간이 기 설정된 온/오프 시그널 시간의 범위 안에 있는 지와, 기 설정된 온/오프 시그널 시간의 범위를 벗어나는 지를 판단하여, 그 결과치를 반도체 메인 제조장비에 전송하는 제어부를 구비한다.In order to realize the above technical problem, a wafer cleaning apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention includes a wafer driving unit for rotating a wafer; A brush for brushing the wafer; A brush drive unit for driving the brush; A sensing unit for sensing a flat zone and a circumferential surface of the wafer rotated by the wafer driving unit; The sensing unit monitors the on / off signal generated as the sensing unit detects the flat zone and the circumferential surface of the wafer to determine whether the time of the on / off signal is within the preset on / off signal time and A control unit for determining whether to go out of the range of the / off signal time, and transmits the result to the semiconductor main manufacturing equipment.

또, 본 발명에 따른 반도체 제조장비의 웨이퍼 세정 방법은 웨이퍼를 회전시 키는 단계와; 상기 웨이퍼의 양쪽에 설치된 감지 유닛이 상기 웨이퍼의 플랫 존과 원주 면을 감지하는 단계와; 상기 웨이퍼를 브러싱 하는 단계와; 제어부에서는 상기 웨이퍼의 플랫 존을 감지함에 따라 발생하는 온/오프 시그널을 모니터링하여 그 온/오프 시그널의 시간이 기 설정된 온/오프 시그널 시간의 범위 안에 있는 지와, 기 설정된 온/오프 시그널 시간의 범위를 벗어나는 지를 판단하는 단계와; 상기 온/오프 시그널의 시간이 기 설정된 온/오프 시그널 시간의 범위 안에 있을 경우 소정 횟수로 브러싱 공정을 수행했는 지를 판단하는 단계와; 상기 온/오프 시그널의 시간이 기 설정된 온/오프 시그널 시간의 범위를 벗어날 경우 그 결과치를 반도체 메인 제조장비에 전송하는 단계와; 상기 브러싱 공정을 중단하는 단계를 구비한다.In addition, the wafer cleaning method of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention comprises the steps of rotating the wafer; Sensing units installed on both sides of the wafer to detect a flat zone and a circumferential surface of the wafer; Brushing the wafer; The control unit monitors the on / off signal generated by detecting the flat zone of the wafer to determine whether the on / off signal time is within the preset on / off signal time and whether the on / off signal time is Determining whether it is out of range; Determining whether the brushing process is performed a predetermined number of times when the time of the on / off signal is within a preset on / off signal time; Transmitting the result of the on / off signal to a semiconductor main manufacturing equipment when the time of the on / off signal is out of a range of a preset on / off signal time; Stopping the brushing process.

상기 기 설정된 온 시그널 시간은 1 초 이내로 설정하고, 상기 기 설정된 오프 시그널 시간은 6 초 이내로 설정한다.The preset on signal time is set within 1 second, and the preset off signal time is set within 6 seconds.

상기 감지 유닛은 빛을 방출하는 발광센서와, 그 빛을 수용하는 수광 센서를 구비하며, 상기 웨이퍼를 기준으로 상기 웨이퍼의 한쪽에는 상기 발광센서가 위치되고 다른 쪽에는 수광 센서가 위치된다.The sensing unit includes a light emitting sensor for emitting light and a light receiving sensor for receiving the light, wherein the light emitting sensor is positioned on one side of the wafer and the light receiving sensor is positioned on the other side of the wafer.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조장비의 웨이퍼 세정 장치의 구성도이고, 도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 방법을 설명하는 흐름도이다.3 is a block diagram of a wafer cleaning apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, Figure 4 is a flow chart illustrating a wafer cleaning method according to the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 제조장비의 웨이퍼 세정 장치는 웨 이퍼(W)를 회전시키는 웨이퍼 구동 유닛(110)과, 상기 웨이퍼(W)의 표면을 브러싱하는 브러시(120)와, 상기 브러시(120)를 구동시키는 브러시 구동 유닛(130)을 구비한다. 상기 웨이퍼 구동 유닛(110)은 롤러(111)와 구동부(112)를 구비한다. Referring to FIG. 3, the wafer cleaning apparatus of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention includes a wafer driving unit 110 for rotating the wafer W, a brush 120 for brushing the surface of the wafer W, A brush driving unit 130 for driving the brush 120 is provided. The wafer driving unit 110 includes a roller 111 and a driving unit 112.

상기 웨이퍼(W)의 양쪽에는 상기 웨이퍼 구동 유닛(110)에 의해 회전하는 웨이퍼(W)의 플랫 존(W1)과 원주 면(W2)을 감지하는 감지 유닛(140)(150)이 설치되어 있다. 상기 감지 유닛(140)(150)은 빛을 방출하는 발광센서(140)와, 그 빛을 수용하는 수광 센서(150)를 구비한다. 상기 웨이퍼(W)를 기준으로 상기 웨이퍼(W)의 한쪽에 상기 발광센서(140)가 위치되고 다른 쪽에 수광 센서(150)가 위치되어 있다.On both sides of the wafer W, sensing units 140 and 150 are installed to detect the flat zone W 1 and the circumferential surface W 2 of the wafer W rotated by the wafer driving unit 110. It is. The sensing unit 140 and 150 includes a light emitting sensor 140 that emits light and a light receiving sensor 150 that receives the light. The light emitting sensor 140 is positioned on one side of the wafer W and the light receiving sensor 150 is positioned on the other side of the wafer W.

웨이퍼의 플랫 존(W1)이 감지되는 경우에는 발광센서(140)에서 방출한 빛이 수광 센서(150)에 도달하며, 이때 온 시그널(on signal)이 발생한다. 또 웨이퍼(W)의 원주 면(W2)이 감지되는 경우에는 발광 센서(140)에서 방출한 빛이 수광 센서(150)에 도달하지 못하며, 이때 오프 시그널(off signal)이 발생한다.When the flat zone W 1 of the wafer is detected, the light emitted from the light emitting sensor 140 reaches the light receiving sensor 150, and an on signal is generated. In addition, when the circumferential surface W 2 of the wafer W is detected, the light emitted from the light emitting sensor 140 does not reach the light receiving sensor 150, and at this time, an off signal is generated.

또, 본 발명에 따른 반도체 제조장비의 웨이퍼 세정 장치는 발수광 센서(140)(150)에 의해 발생하는 온/오프 시그널의 시간에 따라 웨이퍼 브러싱 공정이 정상적인 조건 하에서 수행되는 지를 판단하고, 그 결과치를 반도체 메인 제조장비(170)에 전달하는 제어부(160)를 구비한다.In addition, the wafer cleaning apparatus of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention determines whether the wafer brushing process is performed under normal conditions according to the time of the on / off signal generated by the light-receiving light sensor 140, 150, and the result value It is provided with a control unit 160 for transmitting to the semiconductor main manufacturing equipment (170).

즉, 제어부(160)는 상기 감지 유닛(140)(150)의 온/오프 시그널을 모니터링하여, 그 온/오프 시그널의 시간이 기 설정된 온/오프 시그널 시간의 범위 안에 있는 지와, 기 설정된 온/오프 시그널 시간의 범위를 벗어나는 지를 판단한다.That is, the controller 160 monitors the on / off signals of the sensing units 140 and 150 to determine whether the time of the on / off signal is within a preset range of the on / off signal time and the preset on. Determines if the on / off signal time is out of range.

상기 반도체 메인 제조장비(170)는 상기 감지 유닛(140)(150)에 의해 발생하는 온/오프 시그널 시간이 기 설정된 온/오프 시그널 시간의 범위를 벗어날 경우, 이를 알려주는 알람 부(180)를 구비한다.The semiconductor main manufacturing equipment 170 alerts the alarm unit 180 to notify the controller when the on / off signal time generated by the sensing units 140 and 150 is outside the preset on / off signal time. Equipped.

이하에서는 도 3 및 도 4를 참조하여, 본 발명에 따른 반도체 제조장비의 웨이퍼 세정 방법을 설명한다. 참고로, 본 발명의 설명에 있어서, 정상적인 조건하에서의 브러싱 공정이란, 웨이퍼가 적정한 속도로 회전하며 브러시가 웨이퍼의 표면을 적정하게 브러싱하는 조건을 말하며, 발수광 센서에 의해 감지된 온/오프 시그널의 시간이, 각각 기 설정된 온/오프 시그널 시간(1초/6초) 이내에 있는 경우를 말한다. 그리고 비정상적인 조건(불량 발생 조건) 하에서의 브러싱 공정이란 위 조건을 만족하지 않는 경우를 말한다. Hereinafter, a wafer cleaning method of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4. For reference, in the description of the present invention, the brushing process under normal conditions refers to a condition in which the wafer rotates at an appropriate speed and the brush brushes the surface of the wafer appropriately, and the brushing process detects the on / off signal detected by the light-receiving sensor. This refers to a case where the time is within a preset on / off signal time (1 second / 6 second), respectively. In addition, the brushing process under abnormal conditions (bad occurrence conditions) refers to a case where the above conditions are not satisfied.

먼저, 웨이퍼 구동유닛(110)의 구동부(112)에 전원이 인가되면, 그 구동부(112)에 의해 롤러(111)가 웨이퍼(W)를 회전시킨다(S 210). 이때 브러시(120)는 기 설정된 조건하에서 선택적으로 웨이퍼(W)에 접촉되어 웨이퍼(W)를 브러싱 한다(S 220).First, when power is applied to the driving unit 112 of the wafer driving unit 110, the roller 111 rotates the wafer W by the driving unit 112 (S 210). In this case, the brush 120 selectively contacts the wafer W under a predetermined condition to brush the wafer W (S220).

이때, 발수광 센서(140)(150)는 웨이퍼(W)의 위치에 따라 웨이퍼(W)의 플랫 존(W1)과 원주 면(W2)을 감지할 수 있다. 발수광 센서(140)(150)가 웨이퍼(W)의 플랫 존(W1)을 먼저 감지하는 경우, 이때 온 시그널을 발생하며, 발수광 센서(140)(150)가 웨이퍼(W)의 원주 면(W2)을 감지하는 경우, 이때 오프 시그널을 발생한다(S 230).In this case, the light-receiving sensors 140 and 150 may detect the flat zone W 1 and the circumferential surface W 2 of the wafer W according to the position of the wafer W. FIG. When the light-receiving sensors 140 and 150 first detect the flat zone W 1 of the wafer W, an on-signal is generated at this time, and the light-receiving sensors 140 and 150 are arranged around the circumference of the wafer W. In the case of detecting the surface W 2 , an off signal is generated at this time (S 230).

제어부(160)는 감지된 온/오프 시그널의 시간이 기 설정된 온/오프 시그널 시간, 즉 1초와 6초 이내일 경우에만 정상적인 조건 하에서 브러싱 공정을 하고 있는 것으로 판단한다(S 240).The controller 160 determines that the brushing process is performed under normal conditions only when the detected on / off signal time is within a preset on / off signal time, that is, 1 second and 6 seconds (S 240).

정상적인 조건일 경우, 그 다음 단계에서는, 브러싱 공정이 기 설정된 횟수, 예를 들어 5회까지 브러싱 공정을 수행했는 지를 판단하여, 브러싱 공정이 5회 되면 브러싱 공정을 완료하고, 브러싱 공정이 5회 미만이면 브러싱 공정을 5회 될 때까지 계속 수행한다(S250).Under normal conditions, in the next step, it is determined whether the brushing process has been performed up to a predetermined number of times, for example, five times, and when the brushing process is five times, the brushing process is completed and the brushing process is less than five times. If the brushing process continues until five times (S250).

비정상적인 조건일 경우, 제어부(160)는, 웨이퍼 구동부(110)가 회전되지 않으며 브러싱 공정이 정상적으로 수행되지 않는 것으로 판단한다. 따라서, 제어부(160)는 이러한 결과치를 반도체 메인 제조장치(170)에 전달하며, 반도체 메인 제조장치(170)에서는 알람 부(180)를 통해 작업자에게 이를 알려준다(S260). 마지막으로 작업자는 브러싱 공정을 중단한다(S270).In an abnormal condition, the controller 160 determines that the wafer driver 110 is not rotated and the brushing process is not normally performed. Therefore, the controller 160 transmits the result to the semiconductor main manufacturing apparatus 170, and the semiconductor main manufacturing apparatus 170 informs the worker of this through the alarm unit 180 (S260). Finally, the worker stops the brushing process (S270).

이하, 본 발명의 기술에 대한 이해를 돕기 위해 도 5 및 도 6을 참조하여 비정상조건 하에서의 브러싱 공정과 정상조건 하에서의 브러싱 공정을 설명한다. Hereinafter, a brushing process under abnormal conditions and a brushing process under normal conditions will be described with reference to FIGS. 5 and 6 to assist in understanding the technology of the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 방법에 있어서, 비정상적인 조건하에서의 브러싱 공정을 보인 그래프이고, 도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 방법에 있어서, 정상적인 조건하에서의 브러싱 공정을 보인 그래프이다.5 is a graph showing a brushing process under abnormal conditions in the wafer cleaning method according to the present invention, and FIG. 6 is a graph showing a brushing process under normal conditions in the wafer cleaning method according to the present invention.

우선, 도 5를 참조하면, 브러싱 공정 중에 발수광 센서에 의해 감지된 온/오프 시그널의 시간(T1, t1)이 각각 3초와 10초로 측정되었다. 본 발명의 실시 예에서는 기 설정된 온/오프 시그널 시간(T0, t0)이 각각 1초 이내와 6초 이내로 설정 되어 있다. 따라서, 도 5에 도시된 것과 같이, 비정상적인 조건 하에서 브러싱 공정이 실행될 경우, 웨이퍼 구동부 및 브러시 구동부의 기계적인 결함 등이 발생하더라도 이러한 기계적 결함을 바로 발견하지 못하고 브러싱 공정을 계속 수행하기 때문에, 맵 슬러리 드레그(map slurry dreg)가 발생하는 등 웨이퍼의 대형 품질사고를 유발하게 된다.First, referring to Figure 5, the time (T1, t1) of the on / off signal detected by the light-receiving light sensor during the brushing process was measured for 3 seconds and 10 seconds, respectively. According to an embodiment of the present invention, the preset on / off signal times T0 and t0 are set within 1 second and 6 seconds, respectively. Therefore, as shown in FIG. 5, when the brushing process is performed under abnormal conditions, even if mechanical defects such as the wafer driver and the brush driver occur, the mechanical slurry is not immediately detected and the brushing process is continued. A large amount of wafer quality accidents may occur, such as drag slurry dregs.

반면에, 도 6을 참조하면, 브러싱 공정 중에 발수광 센서에 의해 감지된 온/오프 시그널의 시간(T1, t1)이 각각 1초와 6초로 측정되었다. 이는 정상적인 조건 하에서 브러싱 공정이 실행되고 있음을 보여주는 것이다. 이 상태에서는 브러시는 적정하게 웨이퍼의 표면을 적정하게 브러싱 한다. 따라서, 브러싱 공정 중에 발수광 센서의 온/오프 시그널의 시간을 감지하고 모니터링 함으로써, 웨이퍼의 대형 품질사고를 효과적으로 방지할 수 있게 된다.On the other hand, referring to Figure 6, the time (T1, t1) of the on / off signal detected by the light-receiving light sensor during the brushing process was measured for 1 second and 6 seconds, respectively. This shows that the brushing process is running under normal conditions. In this state, the brush properly brushes the surface of the wafer. Therefore, by detecting and monitoring the time of the on / off signal of the light-receiving sensor during the brushing process, it is possible to effectively prevent a large quality accident of the wafer.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형 가능함은 물론이다. 따라서 본 발명의 권리 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라, 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.As described above, in the detailed description of the present invention has been described with respect to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art to which the present invention pertains various modifications can be made without departing from the scope of the present invention Of course. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be determined not only by the claims below, but also by the equivalents of the claims.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 세정(브러싱) 공정 중에 발수광 센서의 온/오프 시그널의 시간을 감지하고 모니터링 함으로써 정상적인 조건하에서만 브러 싱 공정을 수행하여 웨이퍼의 대형 품질 사고 방지는 물론 수율 저하를 효과적으로 방지할 수 있는 것이다.As described above, according to the present invention, by detecting and monitoring the time of the on / off signal of the light-receiving light sensor during the cleaning (brushing) process, the brushing process is performed only under normal conditions to prevent large quality accidents of the wafer as well as to lower the yield. This can effectively prevent.

또한, 브러싱 공정 중에 발수광 센서의 온/오프 시그널의 시간을 감지하고 모니터링 함으로써 정상적인 조건하에서만 브러싱 공정을 수행하여 브러싱 공정의 안전성을 실현할 수 있고, 웨이퍼의 대형 품질 사고를 사전에 방지하여 원가를 효과적으로 절감할 수 있는 것이다.In addition, by detecting and monitoring the time of the on / off signal of the light-receiving light sensor during the brushing process, the brushing process can be performed only under normal conditions to realize the safety of the brushing process, and the cost can be prevented by preventing a large quality accident of the wafer in advance. It can be effectively saved.

Claims (8)

웨이퍼를 회전시키는 웨이퍼 구동 유닛과;A wafer drive unit for rotating the wafer; 상기 웨이퍼를 브러싱 하는 브러시와;A brush for brushing the wafer; 상기 브러시를 구동시키는 브러시 구동 유닛과;A brush drive unit for driving the brush; 상기 웨이퍼 구동 유닛에 의해 회전하는 웨이퍼의 플랫 존과 원주 면을 감지하는 감지 유닛과;A sensing unit for sensing a flat zone and a circumferential surface of the wafer rotated by the wafer driving unit; 상기 감지 유닛이 상기 웨이퍼의 플랫 존과 원주 면을 감지함에 따라 발생하는 온/오프 시그널을 모니터링하여 그 온/오프 시그널의 시간이 기 설정된 온/오프 시그널 시간의 범위 안에 있는 지와, 기 설정된 온/오프 시그널 시간의 범위를 벗어나는 지를 판단하여, 그 결과치를 반도체 메인 제조장비에 전송하는 제어부를 포함하는 반도체 제조장비의 웨이퍼 세정 장치.The sensing unit monitors the on / off signal generated as the sensing unit detects the flat zone and the circumferential surface of the wafer to determine whether the time of the on / off signal is within the preset on / off signal time and And a control unit for determining whether the on / off signal time is out of the range and transmitting the result to the semiconductor main manufacturing equipment. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반도체 메인 제조장비는 비정상적인 조건하에서의 브러싱 공정임을 알려주는 알람 부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 웨이퍼 세정 장치.The semiconductor main manufacturing equipment is a wafer cleaning apparatus of the semiconductor manufacturing equipment, characterized in that it comprises an alarm unit for indicating that the brushing process under abnormal conditions. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 기 설정된 온/오프 시그널 시간은 1 초 이내와 6초 이내로 설정되는 것 을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 웨이퍼 세정 장치.And a predetermined on / off signal time is set within 1 second and within 6 seconds. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 감지 유닛은 빛을 방출하는 발광센서와, 그 빛을 수용하는 수광 센서를 구비하며, 상기 웨이퍼를 기준으로 상기 웨이퍼의 한쪽에는 상기 발광센서가 위치되고 다른 쪽에는 수광 센서가 위치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 웨이퍼 세정 장치.The sensing unit includes a light emitting sensor for emitting light and a light receiving sensor for receiving the light, wherein the light emitting sensor is positioned on one side of the wafer and the light receiving sensor is positioned on the other side of the wafer. Wafer cleaning apparatus of a semiconductor manufacturing equipment. 웨이퍼를 회전시키는 단계와;Rotating the wafer; 상기 웨이퍼의 양쪽에 설치된 감지 유닛이 상기 웨이퍼의 플랫 존과 원주 면을 감지하는 단계와;Sensing units installed on both sides of the wafer to detect a flat zone and a circumferential surface of the wafer; 상기 웨이퍼를 브러싱 하는 단계와;Brushing the wafer; 제어부에서는 상기 웨이퍼의 플랫 존을 감지함에 따라 발생하는 온/오프 시그널을 모니터링하여 그 온/오프 시그널의 시간이 기 설정된 온/오프 시그널 시간의 범위 안에 있는 지와, 기 설정된 온/오프 시그널 시간의 범위를 벗어나는 지를 판단하는 단계와;The control unit monitors the on / off signal generated by detecting the flat zone of the wafer to determine whether the on / off signal time is within the preset on / off signal time and whether the on / off signal time is Determining whether it is out of range; 상기 온/오프 시그널의 시간이 기 설정된 온/오프 시그널 시간의 범위 안에 있을 경우 소정 횟수로 브러싱 공정을 수행했는 지를 판단하는 단계와;Determining whether the brushing process is performed a predetermined number of times when the time of the on / off signal is within a preset on / off signal time; 상기 온/오프 시그널의 시간이 기 설정된 온/오프 시그널 시간의 범위를 벗어날 경우 그 결과치를 반도체 메인 제조장비에 전송하는 단계와;Transmitting the result of the on / off signal to a semiconductor main manufacturing equipment when the time of the on / off signal is out of a range of a preset on / off signal time; 상기 브러싱 공정을 중단하는 단계를 포함하는 반도체 제조장비의 웨이퍼 세정 방법.Method of cleaning a wafer of a semiconductor manufacturing equipment comprising the step of stopping the brushing process. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 반도체 메인 제조장비에서 알람 부를 통해, 비정상적인 조건하에서의 브러싱 공정임을 알려주는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 웨이퍼 세정 방법.The wafer cleaning method of the semiconductor manufacturing equipment, characterized in that through the alarm unit in the semiconductor main manufacturing equipment, it informs that the brushing process under abnormal conditions. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 기 설정된 온 시그널 시간은 1 초 이내와 6초 이내로 설정하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 웨이퍼 세정 방법.The preset on-signal time is set within 1 second and within 6 seconds. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 감지 유닛으로는 빛을 방출하는 발광 센서와, 상기 발광 센서에서 방출하는 빛을 받아들이는 수광 센서를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 웨이퍼의 세정 방법.The sensing unit uses a light emitting sensor for emitting light and a light receiving sensor for receiving light emitted from the light emitting sensor.
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