KR20080058627A - 가스 분사 노즐과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

가스 분사 노즐과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 가스 분사 노즐과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법을 개시한 것으로서, 공정 챔버 내 상부의 내측 둘레 및 중앙부에 배치된 가스 분사 부재들로부터 기판 상부의 플라즈마 처리 영역으로 반응 가스를 공급하는 것을 특징으로 가진다.
이러한 특징에 의하면, 플라즈마 처리를 위한 반응 가스를 기판 상부 공간에 균일하게 공급함으로써, 기판 처리 공정의 균일도 및 효율을 증가시킬 수 있는 가스 분사 노즐과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법을 제공할 수 있다.
플라즈마, 반응 가스, 가스 분사 부재

Description

가스 분사 노즐과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법{GAS INJECTION NOZZLE, APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATES USING THE SAME}
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 예를 도시해 보인 개략적 단면도,
도 2는 도 1의 상부 챔버의 개략적 사시도,
도 3은 도 1의 상부 챔버의 개략적 저면도,
도 4는 도 2 및 도 3의 제 2 가스 분사 부재의 단면도,
도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 작동 상태도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100 : 공정 챔버 200 : 기판 지지 부재
300 : 배기 부재 400 : 유전체 윈도우
520 : 제 1 가스 분사 부재 540 : 제 2 가스 분사 부재
본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반응 가스를 공급하는 가스 분사 노즐과, 반응 가스로부터 생성된 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 플라즈마(Plasma)는 이온이나 전자, 라디칼(Radical) 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말하며, 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다.
특히, 글로우 방전(Glow Discharge)에 의한 플라즈마 생성은 직류나 고주파 전자계에 의해 여기된 자유 전자에 의해 이루어지는데, 여기된 자유 전자는 가스 분자와 충돌하여 이온, 라디칼, 전자 등과 같은 활성종(Active Species)을 생성한다. 그리고, 이와 같은 활성종은 물리 혹은 화학적으로 물질의 표면에 작용하여 표면의 특성을 변화시킨다. 이와 같이 활성종에 의해 물질의 표면 특성을 변화시키는 것을 플라즈마 표면 처리라고 한다.
플라즈마 처리 장치는 반응 물질을 플라즈마 상태로 만들어 기판상에 탄소 나노 튜브(CNT)를 합성하거나, 플라즈마 상태의 반응 물질을 이용하여 기판을 세정, 애싱(Ashing) 또는 식각 처리하는 장치를 말한다.
플라즈마 처리 장치는 샤워 헤드를 통해 진공 챔버 내로 처리 가스를 공급함과 동시에, 진공 챔버 하부의 배기 포트로 배기시켜 진공 챔버 내부를 소정의 진공도를 가지는 처리 가스 분위기로 만든다. 이러한 상태에서 플라즈마 소스로부터 소정 주파수의 고주파 전력을 공급하여 플라즈마를 생성시키고, 생성된 플라즈마를 기판에 작용시켜 탄소 나노 튜브를 합성하거나 세정, 애싱 또는 식각 등의 처리를 수행한다.
그런데, 샤워 헤드를 통해 처리 가스를 공급하는 방식의 플라즈마 처리 장치 는, 대면적의 기판을 처리하는 경우, 처리 가스가 기판 상부로 균일하게 분사되지 못하여 기판 처리 공정의 균일도와 효율이 저하되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상술한 바와 같은 종래의 플라즈마 처리 장치가 가진 문제점을 감안하여 이를 해소하기 위해 창출된 것으로서, 본 발명의 목적은 플라즈마를 이용한 기판 처리 공정의 균일도 및 효율을 증가시킬 수 있는 가스 분사 노즐과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치는, 기판을 플라즈마 처리하는 장치에 있어서, 플라즈마 처리 공정이 진행되는 공정 챔버와; 상기 공정 챔버 내에 설치되며 기판을 지지하는 기판 지지 부재와; 상기 공정 챔버 내 상부의 내측 둘레에 설치되며, 상기 기판 지지 부재 상부의 플라즈마 처리 영역으로 반응 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 부재;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제 1 가스 분사 부재는 상기 공정 챔버 상부의 내벽을 따라 동일한 높이에 배치되는 복수 개의 제 1 가스 분사 노즐들;을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 특징에 따르면, 상기 장치는 상기 기판 지지 부재에 놓인 기판과 마주보도록 상기 공정 챔버 내에 배치되며, 상기 플라즈마 처리 영역으로 반응 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 부재;를 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 상기 제 2 가스 분사 부재는 상기 공정 챔버 내의 상부 벽에 설치되는 복수 개의 제 2 가스 분사 노즐들;을 포함하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 각각의 제 2 가스 분사 노즐들은 상기 공정 챔버 내측의 상부 벽으로부터 아래 방향으로 연장 형성된 가스 공급관과; 상기 가스 공급관의 끝단에 연결되며, 바깥 둘레의 측면에 다수의 가스 분사 홀들이 형성된 판 형상의 분사 판;을 포함하는 것이 바람직하다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 가스 분사 노즐은, 처리 공정이 진행되는 기판을 향해 반응 가스를 공급하는 가스 분사 노즐에 있어서, 가스의 이동 경로를 제공하는 중공형의 가스 공급관과; 상기 가스 공급관의 끝단에 연결되며, 바깥 둘레의 측면에 다수의 가스 분사 홀들이 형성된 판 형상의 분사 판;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 방법은, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서, 기판 상부의 플라즈마 처리 영역의 측면 둘레로부터 반응 가스를 공급하고, 상기 플라즈마 처리 영역의 위쪽 중앙부로부터 반응 가스를 공급하여 기판을 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 특징을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 방법에 있어서, 상기 방법은 상기 공정 챔버 상부의 내측 둘레 및 중앙부로부터 상기 기판 상부의 플라즈마 처리 영역에 식각 가스와 탄소 소스 가스를 공급하여 상기 기판상에 탄소 나노 튜브를 합성하는 것이 바람직하다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 가스 분사 노즐과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법을 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
( 실시 예 )
본 실시 예에서는 기판 처리 장치로 플라즈마를 이용한 탄소 나노 튜브(Carbon-Nano-Tube, CNT) 합성 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 기판상에 박막을 증착하거나 기판상에 증착된 산화 막 또는 금속 막을 식각하는 것과 같은 플라즈마 처리 공정을 수행하는 다른 종류의 기판 처리 장치에도 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 예를 도시해 보인 개략적 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)는 하부 챔버(120) 및 상부 챔버(140)를 가지는 공정 챔버(100)를 포함한다. 하부 챔버(120)는 바닥면을 형성하는 하부벽(122)과, 하부벽(122)의 가장자리로부터 상측으로 연장 형성된 측벽(124)을 가진다. 하부벽(122) 및 측벽(124)으로 이루어지는 공간 내에는 후술할 기판 지지 부재(200)가 설치되고, 기판 지지 부재(200)의 상측에는 플라즈마 처리 공정이 진행되는 공간(이하에서는 '플라즈마 처리 영역'이라 한다.)(P)이 제공된 다. 하부 챔버(120)의 상측에는 상부 챔버(140)가 제공된다. 상부 챔버(140)는 하부 챔버(120)의 측벽(124) 상면과 맞닿으면서 상측으로 연장 형성된 측벽(142)을 가진다. 측벽(142)의 상부에는 후술할 유전체 윈도우(400)가 설치된다. 상부 챔버(140)의 측벽(142)과 유전체 윈도우(400)로 이루어지는 공간 내에는 후술할 가스 분사 부재들(520,540)이 배치되고, 가스 분사 부재들(520,540)은 플라즈마 처리 영역(P)으로 반응 가스를 공급한다.
하부 챔버(120)의 내측에는 기판(S)을 지지하는 기판 지지 부재(200)가 설치된다. 기판 지지 부재(200)로는 정전력에 의해 기판(S)을 흡착 지지하는 정전척(Electro Static Chuck, ESC)이 사용될 수 있다. 이와는 달리 기계적 클램핑 방식을 이용하여 기판(S)을 기판 지지 부재(200)에 고정시킬 수 있으며, 또한 진공압에 의해 기판(S)을 흡착 지지하는 방식의 진공 척(Vacuum Chuck)이 기판 지지 부재(200)로 사용될 수도 있다. 그리고, 기판 지지 부재(200)에는 그 상면에 놓인 기판(S)을 공정 온도로 가열하도록 가열 부재(210)가 설치되며, 가열 부재(210)로는 코일과 같은 저항 발열체 등 다양한 가열 수단이 사용될 수 있다. 기판 지지 부재(200)는 구동 부재(220)에 의해 상하 방향으로 이동이 가능하도록 설치될 수 있다. 기판 지지 부재(200)가 구동 부재(220)에 의해 상하 이동됨으로써, 기판 지지 부재(200)에 놓인 기판(S)이 보다 균일한 플라즈마 밀도 분포를 나타내는 영역에 놓일 수 있다.
그리고, 하부 챔버(120)의 하부벽(122)에 형성된 배기구(123)에는 배기 라인(310)이 연결되고, 배기 라인(310) 상에는 공정 챔버(100)의 내부를 진공 상태로 유지하기 위한 진공 펌프 등의 배기 부재(300)가 배치된다.
하부 챔버(120)의 상측에는 상부 챔버(140)가 제공된다. 상부 챔버(140)의 측벽(142) 상부에는 유전체 윈도우(Dielectric Window,400)가 설치된다. 유전체 윈도우(400)는 석영 유리와 같은 유전체로 마련될 수 있다. 유전체 윈도우(400)는 후술할 고주파 전원(420)으로부터 유도 결합형 플라즈마 안테나(410)로 공급되는 알에프(RF, Radio-Frequency) 파워를 투과시킨다.
유전체 윈도우(400)의 상면에는 코일 구조의 유도 결합형 플라즈마(Inductively Coupled Plasma, ICP) 안테나(410)가 설치된다. 유도 결합형 플라즈마 안테나(410)에는 알에프 파워를 공급하기 위한 고주파 전원(420)이 연결된다. 고주파 전원(420)으로부터 유도 결합형 플라즈마 안테나(410)로 알에프 파워가 인가되면, 유도 결합형 플라즈마 안테나(410)의 코일을 따라 흐르는 전류가 공정 챔버(100) 내부 공간에 자기장을 형성한다. 이 자기장에 의해 유도 전기장이 형성되며, 후술할 가스 분사 부재들(520,540)로부터 공정 챔버(100)로 공급된 반응 가스는 유도 전기장으로부터 이온화에 필요한 충분한 에너지를 얻어 플라즈마를 생성한다.
상술한 예에서는 플라즈마 소스로 유도 결합형 플라즈마 소스를 사용한 경우를 설명하였으나, 이 밖에도 다양한 형태의 플라즈마 소스가 사용될 수 있다. 예를 들면, 축전 용량성 플라즈마(Capacitively Coupled Plasma) , 트랜스포머 결합형 플라즈마(Transformer Coupled Plasma), 헬리컬 공진형 플라즈마(Helical Resonator Plasma), 헬리콘 플라즈마(Helicon Plasma), 전자 사이클로트론 공명 플 라즈마(Electron Cyclotron Resonance Plasma) 등이 사용될 수 있다.
앞서 언급한 바와 같이, 상부 챔버(140)의 측벽(142)과 유전체 윈도우(400)로 이루어지는 공간 내에는 가스 분사 부재들(520,540)이 배치된다.
도 2는 도 1의 상부 챔버의 개략적 사시도이고, 도 3은 도 1의 상부 챔버의 개략적 저면도이며, 도 4는 도 2 및 도 3의 제 2 가스 분사 부재의 단면도이다. 그리고, 도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 작동 상태도이다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 가스 분사 부재들(520,540)은 제 1 가스 분사 부재(520) 및 제 2 가스 분사 부재(540)를 포함한다. 제 1 가스 분사 부재(520) 및 제 2 가스 분사 부재(540)는 하부 챔버(도 1의 참조 번호 120)에 제공된 플라즈마 처리 영역(P)으로 반응 가스를 분사한다.
제 1 가스 분사 부재(520)는 상부 챔버(140)의 내측 둘레에 배치되는 복수 개의 제 1 가스 분사 노즐들(520a,520b,520c,520d)을 가진다. 제 1 가스 분사 노즐들(520a,520b,520c,520d)은 전체적으로 봉 형상을 가지며, 가스의 이동 경로를 제공하고 가스의 분사가 가능하도록 중공형의 배관 구조로 마련될 수 있다. 제 1 가스 분사 노즐들(520a,520b,520c,520d)은 상부 챔버(140)의 측벽(142)들 내면에 횡 방향으로 나란하게 일렬 배치된다. 각각의 측벽(142)들에 배치된 제 1 가스 분사 노즐들(520a,520b,520c,520d)은 동일한 높이를 가지도록 배치될 수 있다. 그리고, 제 1 가스 분사 노즐들(520a,520b,520c,520d)은 상부 챔버(140)의 측벽들(142)에 수직하게 설치될 수 있으며, 이와 달리 일정 경사각을 가지도록 경사지게 설치될 수도 있다.
제 2 가스 분사 부재(520)는 기판 지지 부재(도 1의 참조 번호 200)에 놓인 기판(S)과 마주보도록 상부 챔버(140)의 내측 상부에 배치되는 복수 개의 제 2 가스 분사 노즐들(540a,540b,540c,540d)을 가진다. 제 2 가스 분사 노즐들(540a,540b,540c,540d)은 유전체 윈도우(400)의 하면으로부터 아래 방향으로 연장 형성된 가스 공급관(542)을 가진다. 가스 공급관(542)의 끝단에는 일정 두께를 가지는 판 형상의 분사 판(544)이 연결되고, 분사 판(544)의 바깥 둘레 측면에는 다수의 가스 분사 홀들(546)이 형성된다. 그리고, 가스 공급관(542)과 분사판(544)의 가스 분사 홀들(546)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 서로 연통되는 구조를 가진다. 이러한 구성을 갖는 제 2 가스 분사 노즐들(540a,540b,540c,540d)은 유전체 윈도우(400)의 하면 중앙부에 일정 배열로 배치될 수 있다. 여기서, 유전체 윈도우(400)의 하면 중앙부는, 도 3에 도시된 바와 같이, 제 1 가스 분사 노즐들(520a,520b,520c,520d)에 의해 둘러싸인 영역을 말한다.
상술한 바와 같이, 제 1 가스 분사 노즐들(520a,520b,520c,520d)이 상부 챔버(140)의 내측 둘레에 배치되고, 제 2 가스 분사 노즐들(540a,540b,540c,540d)이 상부 챔버(140)의 상부벽(유전체 윈도우) 하면 중앙부에 배치됨으로써, 공정 챔버(100) 내에 균일하게 반응 가스가 공급될 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 제 1 가스 분사 노즐들(520a,520b,520c,520d)을 통해 4 방향의 측면으로부터 반응 가스가 공급되고, 제 2 가스 분사 노즐들(540a,540b,540c,540d)을 통해 중앙부에 반응 가스가 공급됨으로써, 기판(S) 상부의 플라즈마 처리 영역(P) 전체에 균일하게 반응 가스가 공급될 수 있다. 또한, 반응 가스의 균일한 공급에 의해 플라즈마 처 리 공정의 균일도 및 공정 효율을 증가시킬 수 있다.
다시, 도 1을 참조하여 설명하면, 제 1 가스 분사 부재(520) 및 제 2 가스 분사 부재에는 가스 공급 라인(560)이 연결된다. 가스 공급 라인(560)의 일단은 분기되어 각각 제 1 가스 공급원(570)과 제 2 가스 공급원(580)에 연결된다. 제 1 가스 공급원(570)과 제 2 가스 공급원(580)에 연결된 분기 라인 상에는 공급 가스의 유량을 조절하는 밸브(572,582)가 각각 배치된다. 제 1 가스 공급원(570)은 암모니아 가스 또는 수소 가스 등과 같은 플라즈마 처리 가스를 공급하고, 제 2 가스 공급원(580)은 탄소 나노 튜브(CNT)의 합성을 위한 탄소 소스 가스를 공급한다. 탄소 소스 가스로는 아세틸렌 가스, 메탄 가스, 프로판 가스 또는 에틸렌 가스 등이 사용될 수 있다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 탄소 나노 튜브를 합성하는 방법에 대해 설명하면 다음과 같다.
먼저, 기판상에 촉매 금속 막을 형성한다. 촉매 금속 막은, 예를 들면, 코발트, 니켈, 철, 이트륨 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 통상의 열 증착 방법 또는 스퍼터링 방법에 의하여 형성될 수 있다.
이후, 촉매 금속 막이 형성된 기판(S)을 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)의 공정 챔버(100)에 로딩하고, 공정 챔버(100) 내부를 기설정된 공정 온도 및 압력으로 유지한다.
그리고, 제 1 가스 공급원(570)으로부터 제 1 가스 분사 부재(520) 및 제 2 가스 분사 부재(540)를 통해 공정 챔버(100) 내에 식각 가스를 공급하면서, 유도 결합형 플라즈마 안테나(410)에 알에프 파워를 인가한다. 유도 결합형 플라즈마 안테나(410)에 알에프 파워가 인가되면, 식각 가스가 이온화되어 플라즈마가 생성되고, 생성된 플라즈마를 이용해 촉매 금속 막을 식각하여 복수의 촉매 미립자를 형성한다.
촉매 미립자가 형성된 후, 제 2 가스 공급원(580)으로부터 제 1 가스 분사 부재(520) 및 제 2 가스 분사 부재(540)를 통해 공정 챔버(100) 내에 탄소 소스 가스를 공급하면서, 유도 결합형 플라즈마 안테나(410)에 알에프 파워를 인가한다. 유도 결합형 플라즈마 안테나(410)에 알에프 파워가 인가되면, 기판상의 촉매 미립자 위에는 수직 방향으로 정렬된 탄소 나노 튜브가 합성된다.
이후, 탄소 나노 튜브의 끝 부분에 존재하는 촉매 금속 덩어리와 탄소 나노 튜브의 표면에 존재하는 탄소 파티클을 제거하는 정제 단계를 거침으로써 고순도의 탄소나노튜브를 얻을 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 플라즈마 처리를 위한 반응 가스를 기판 상부 공간에 균일하게 공급할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 기판 처리 공정의 균일도 및 효율을 증가시킬 수 있다.

Claims (8)

  1. 기판을 플라즈마 처리하는 장치에 있어서,
    플라즈마 처리 공정이 진행되는 공정 챔버와;
    상기 공정 챔버 내에 설치되며 기판을 지지하는 기판 지지 부재와;
    상기 공정 챔버 내 상부의 내측 둘레에 설치되며, 상기 기판 지지 부재 상부의 플라즈마 처리 영역으로 반응 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 부재;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 가스 분사 부재는,
    상기 공정 챔버 상부의 내벽을 따라 동일한 높이에 배치되는 복수 개의 제 1 가스 분사 노즐들;을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 기판 지지 부재에 놓인 기판과 마주보도록 상기 공정 챔버 내에 배치되며, 상기 플라즈마 처리 영역으로 반응 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 부재;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 가스 분사 부재는,
    상기 공정 챔버 내의 상부 벽에 설치되는 복수 개의 제 2 가스 분사 노즐들;을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 각각의 제 2 가스 분사 노즐들은,
    상기 공정 챔버 내측의 상부 벽으로부터 아래 방향으로 연장 형성된 가스 공급관과;
    상기 가스 공급관의 끝단에 연결되며, 바깥 둘레의 측면에 다수의 가스 분사 홀들이 형성된 판 형상의 분사 판;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 처리 공정이 진행되는 기판을 향해 반응 가스를 공급하는 가스 분사 노즐에 있어서,
    가스의 이동 경로를 제공하는 중공형의 가스 공급관과;
    상기 가스 공급관의 끝단에 연결되며, 바깥 둘레의 측면에 다수의 가스 분사 홀들이 형성된 판 형상의 분사 판;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 분사 노즐.
  7. 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    공정 챔버 상부의 내측 둘레로부터 기판 상부의 플라즈마 처리 영역으로 반응 가스를 공급하고,
    상기 공정 챔버 상부의 내측 중앙부로부터 상기 기판 상부의 플라즈마 처리 영역으로 반응 가스를 공급하여 기판을 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 방법은,
    상기 공정 챔버 상부의 내측 둘레 및 중앙부로부터 상기 기판 상부의 플라즈마 처리 영역으로 식각 가스와 탄소 소스 가스를 공급하여 상기 기판상에 탄소 나노 튜브를 합성하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101013511B1 (ko) * 2008-08-12 2011-02-10 주식회사 맥시스 라이너 어셈블리 및 이를 구비하는 플라즈마 처리 장치
KR101151250B1 (ko) * 2009-12-18 2012-06-14 주성엔지니어링(주) 플라즈마 처리 장치 및 처리 방법
KR20150023577A (ko) * 2015-01-12 2015-03-05 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
KR20160056124A (ko) * 2014-11-11 2016-05-19 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
US9818572B2 (en) 2008-12-10 2017-11-14 Jusung Engineering Co., Ltd. Substrate treatment apparatus
KR20180002523A (ko) * 2016-06-28 2018-01-08 (주)아이씨디 고밀도 박막증착을 위한 증착장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100255703B1 (ko) * 1991-06-27 2000-05-01 조셉 제이. 스위니 전자기 rf연결부를 사용하는 플라즈마 처리기 및 방법
KR100493684B1 (ko) * 1996-06-28 2005-09-12 램 리서치 코포레이션 고밀도플라즈마화학기상증착장치및그방법

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101013511B1 (ko) * 2008-08-12 2011-02-10 주식회사 맥시스 라이너 어셈블리 및 이를 구비하는 플라즈마 처리 장치
US9818572B2 (en) 2008-12-10 2017-11-14 Jusung Engineering Co., Ltd. Substrate treatment apparatus
US10600610B2 (en) 2008-12-10 2020-03-24 Jusung Engineering Co., Ltd. Substrate treatment apparatus
KR101151250B1 (ko) * 2009-12-18 2012-06-14 주성엔지니어링(주) 플라즈마 처리 장치 및 처리 방법
KR20160056124A (ko) * 2014-11-11 2016-05-19 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
KR20150023577A (ko) * 2015-01-12 2015-03-05 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
KR20180002523A (ko) * 2016-06-28 2018-01-08 (주)아이씨디 고밀도 박막증착을 위한 증착장치

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